JP2008020308A - 磁気センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体回路11は、半導体基板13と、この半導体基板13の表面と同一の平面になるように互いに所定の距離を隔てて半導体基板13中に埋め込まれた複数のホール素子14a,14bから構成されている。ポリイミド層15は、半導体回路11上に設けられている。磁気収束板12は、ポリイミド層15上に設けられた第1の金属膜16aを介して、さらにその上に設けられた第2の金属膜16b上で、かつホール素子14a,14bの上方に配置されるように設けられている。ホール素子の上面から磁気収束板の底面までの距離を9〜20μmとしたので、磁気収束板の垂直方向の距離変化や平面内方向の位置ずれに対して、感度変化が小さくなり、感度のバラツキが抑制される。
【選択図】図2
Description
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記中間層が、ポリイミド層と、該ポリイミド層上に設けられたTiW及びCuからなる下地金属層とからなることを特徴とする。
図2は、本発明に係る磁気センサの一実施例を説明するための構成図で、図中符号11は半導体回路、12は磁気収束板、13は半導体基板、14a,14bはホール素子、15は通常の集積回路に使われるパッシベーションやポリイミドからなる層(保護層)、16は下地金属層を示している。
2 磁気収束板
3 半導体基板
4a,4b ホール素子
5 保護層
6 接着層
11 半導体回路(半導体基板13とIC配線層17を含む)
12 磁気収束板
13 半導体基板
14a,14b ホール素子
15 保護層
16 下地金属層
16a 第1の金属膜
16b 第2の金属膜
17 IC配線層(層間絶縁膜や保護層などを含む)
18 フォトレジスト
18a 空隙部
Claims (8)
- ホール素子が設けられた半導体回路と、該半導体回路上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備えた磁気センサにおいて、
前記半導体回路上に設けられた中間層と、
該中間層上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体と
を備え、前記ホール素子の上面から前記磁性体の底面までの距離が9〜20μmであることを特徴とする磁気センサ。 - 前記中間層が、ポリイミド層と、該ポリイミド層上に設けられたTiW及びCuからなる下地金属層とからなることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記磁性体が、電解めっきにより形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気センサ。
- ホール素子が設けられた半導体回路と、該半導体回路上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備えた磁気センサの製造方法において、
半導体基板の表面に前記ホール素子を埋め込み形成する工程と、
前記半導体基板上にポリイミド層を形成する工程と、
該ポリイミド層上に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上に、前記ホール素子の周辺上部が空隙部となるようにレジストパターンニングによりレジストを形成する工程と、
前記下地金属層上の前記空隙部に前記磁気増幅機能を有する磁性体を形成する工程と
を有し、前記ホール素子の上面から前記磁性体の底面までの距離を9〜20μmに形成することを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 前記下地金属層が、TiWとCuからなることを特徴とする請求項4に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記下地金属層をスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項4又は5に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記レジストパターンニングをフォトリソグラフィーにより形成することを特徴とする請求項4,5又は6に記載の磁気センサの製造方法。
- 前記磁性体を電解めっきにより形成することを特徴とする請求項4乃至7のいずれかに記載の磁気センサの製造方法。
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