JP2016100598A - マグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法 - Google Patents
マグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016100598A JP2016100598A JP2015155649A JP2015155649A JP2016100598A JP 2016100598 A JP2016100598 A JP 2016100598A JP 2015155649 A JP2015155649 A JP 2015155649A JP 2015155649 A JP2015155649 A JP 2015155649A JP 2016100598 A JP2016100598 A JP 2016100598A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- sensing region
- manufacturing
- magnetic sensor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 104
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005358 geomagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/07—Hall effect devices
Abstract
【解決手段】本発明によるマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法は、P型シリコン単結晶基板の上に、絶縁層、SOI層を順に形成したSOIウェハを準備するステップと、前記P型シリコン単結晶基板に第1導電型のセンシング領域を形成するステップと、前記SOI層に回路部を形成するステップとを有することを特徴とする。
【選択図】図14
Description
つまり、アナログ/デジタル回路の下にセンシングエレメント(sensing element)を形成することができる。アナログ/デジタル回路が必要とする活性領域とセンシングエレメントが占める活性領域が上と下に分離されている。従来は、同じ平面上に位置したため、その分広い活性領域を占めたが、本発明のようにSOIウェハを使用して絶縁層(ボックス層)を挟んで回路部とセンシング領域とを分けて形成すれば、活性領域の面積が従来に比べて半分に減るという利点がある。
P型上部ドーピング領域は、ハンドルウェハ101の表面の不均一性、または製造工程で発生し得る各種の欠陷(defect)を相殺させる。そのため、電流経路をハンドルウェハ101の表面からさらに奥側に流れるように誘導する。即ち、二つのP型ドーピング領域間にあるセンシング領域は、酸化膜とシリコン境界面またはハンドルウェハ表面から離れて形成され、界面から発生する問題点が除去されて、センシング能力が向上する。
磁気収束板400のパターンは、平板状(planar−type)パターン、非平板状(non−planar)パターン、折れ曲ったパターン、コンフォーマル(conformal)なパターンなど、多様な形態のパターンを有した磁気収束板が配置される。ここで、コンフォーマルなパターンは、磁気収束板の下にある絶縁層またはパッシベーション膜のパターンと同様のパターンで形成されるということである。
101 P型シリコン単結晶基板(ハンドルウェハ)
102 埋め込み絶縁層(ボックス層(BOX layer))
104、203 SOI層
106、110、210、310 N型センシング領域またはN型ドーピングエリア
108、112 P型下部ドーピング領域
113 高濃度N型ドーピング領域
114 高濃度P型ドーピング領域
130 シリコンエピ層
132 トレンチアイソレーション
140、230、340 回路部
150、350 第1層間絶縁膜
151、152、153、154、155、156 トレンチ
160、161、162、163、165 センサーコンタクト
166、360 コンタクトプラグ
170、370 第2層間絶縁膜
180、380 パッシベーション膜(passivation layer)
400、900 磁気収束板(IMC)
Claims (13)
- P型シリコン単結晶基板の上に、絶縁層、SOI層を順に形成したSOIウェハを準備するステップと、
前記P型シリコン単結晶基板に第1導電型のセンシング領域を形成するステップと、
前記SOI層に回路部を形成するステップと、
を有することを特徴とするマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。 - 前記SOI層、前記絶縁層を貫通して前記センシング領域と接続するセンサーコンタクトを形成するステップをさらに有することを特徴とする請求項1に記載のマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。
- 前記センシング領域の下に第2導電型の半導体層を形成するステップをさらに有することを特徴とする請求項2に記載のマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。
- 前記センサーコンタクトを形成するステップは、
前記SOI層に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記センシング領域を露出させるトレンチを形成するステップと、
前記露出したセンシング領域に第1導電型の高濃度ドーピング領域を形成するステップと、
前記トレンチに導電性物質を充填するステップと、
を含むことを特徴とする請求項2に記載のマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。 - 前記回路部と接続するコンタクトプラグを形成するステップと、
前記コンタクトプラグを接続する金属配線を形成するステップと、
をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。 - 前記センシング領域の上に第2導電型の半導体層をさらに形成することを特徴とする請求項3に記載のマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。
- 磁気収束板(IMC)を形成するステップをさらに有することを特徴とする請求項1に記載のマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。
- 前記回路部は、前記センシング領域によって発生した電圧を認知し、出力シグナルを出す低雑音増幅器(LNA)と、
前記出力シグナルを増幅する自動利得制御器(AGC)ブロックと、
前記増幅した出力シグナルをデジタルドメインに変換させるアナログデジタル変換器(ADC)と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載のマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。 - 前記センシング領域は、前記回路部の下に形成されることを特徴とする請求項1に記載のマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。
- 半導体基板にセンシング領域を形成するステップと、
前記センシング領域上にエピ層を形成するステップと、
前記エピ層に前記センシング領域と接続する複数個のセンサーコンタクトを形成するステップと、
前記エピ層にセンサー回路部を形成するステップと、
前記エピ層の上面に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜に前記センサー回路部と電気的に接続するコンタクトプラグを形成するステップと、
前記コンタクトプラグと前記センサーコンタクトとを接続する金属配線を形成するステップと、
前記半導体基板の上面または背面に磁気収束板を形成するステップと、
を有することを特徴とするマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。 - 前記センシング領域は、前記センサー回路部の下に形成されることを特徴とする請求項10に記載のマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。
- 前記半導体基板にセンシング領域を形成するステップは、
前記センシング領域の上と下に半導体層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項10に記載のマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。 - 前記センシング領域の上と下の半導体層は、前記センシング領域の導電型と異なることを特徴とする請求項12に記載のマグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140164181A KR102282640B1 (ko) | 2014-11-24 | 2014-11-24 | 매립형 마그네틱 센서를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
KR10-2014-0164181 | 2014-11-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016100598A true JP2016100598A (ja) | 2016-05-30 |
JP6530672B2 JP6530672B2 (ja) | 2019-06-12 |
Family
ID=56077560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015155649A Active JP6530672B2 (ja) | 2014-11-24 | 2015-08-06 | マグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6530672B2 (ja) |
KR (1) | KR102282640B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200393523A1 (en) * | 2019-06-11 | 2020-12-17 | Tdk-Micronas Gmbh | Isolated hall sensor structure |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897486A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Hitachi Cable Ltd | ホールセンサ |
JP2001094061A (ja) * | 1999-08-14 | 2001-04-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2008020308A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2009170615A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Oki Semiconductor Co Ltd | 光センサおよびそれを備えたフォトic |
JP2009168796A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-07-30 | Honeywell Internatl Inc | 一体型3軸場センサおよびその製造方法 |
US20110204460A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Allegro Microsystems, Inc. | Integrated Hall Effect Element Having a Germanium Hall Plate |
JP2015015390A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 木村 光照 | ホール素子のオフセット電圧補正方法とこれを用いたホールセンサ |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4965517A (en) | 1989-08-21 | 1990-10-23 | Siemens-Bendix Automotive Electronics L.P. | Flux concentrator for magnetic sensors |
DE59912726D1 (de) | 1998-03-30 | 2005-12-08 | Sentron Ag Zug | Magnetfeldsensor |
JP4936299B2 (ja) | 2000-08-21 | 2012-05-23 | メレクシス・テクノロジーズ・ナムローゼフェンノートシャップ | 磁場方向検出センサ |
-
2014
- 2014-11-24 KR KR1020140164181A patent/KR102282640B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-08-06 JP JP2015155649A patent/JP6530672B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0897486A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Hitachi Cable Ltd | ホールセンサ |
JP2001094061A (ja) * | 1999-08-14 | 2001-04-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2008020308A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2009168796A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-07-30 | Honeywell Internatl Inc | 一体型3軸場センサおよびその製造方法 |
JP2009170615A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Oki Semiconductor Co Ltd | 光センサおよびそれを備えたフォトic |
US20110204460A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Allegro Microsystems, Inc. | Integrated Hall Effect Element Having a Germanium Hall Plate |
JP2013520794A (ja) * | 2010-02-19 | 2013-06-06 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | ゲルマニウム・ホール・プレートを有する集積ホール効果素子 |
JP2015015390A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 木村 光照 | ホール素子のオフセット電圧補正方法とこれを用いたホールセンサ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200393523A1 (en) * | 2019-06-11 | 2020-12-17 | Tdk-Micronas Gmbh | Isolated hall sensor structure |
US11486944B2 (en) * | 2019-06-11 | 2022-11-01 | Tdk-Micronas Gmbh | Isolated hall sensor structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160062251A (ko) | 2016-06-02 |
JP6530672B2 (ja) | 2019-06-12 |
KR102282640B1 (ko) | 2021-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102116147B1 (ko) | 매립형 마그네틱 센서 | |
JP5966060B2 (ja) | 垂直型ホールセンサー及びその製造方法 | |
US9786652B2 (en) | ESD protection with asymmetrical bipolar-based device | |
US8426936B2 (en) | Vertical Hall sensor and method of producing a vertical Hall sensor | |
CN104253208B (zh) | 基于半导体的霍尔传感器 | |
CN109461747A (zh) | 成像器件及电子装置 | |
US9711550B2 (en) | Pinned photodiode with a low dark current | |
JP5818238B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6103712B2 (ja) | 半導体装置およびそれを製造するための方法 | |
CN111628034A (zh) | 光电探测装置的制造方法 | |
JP2014078689A (ja) | 電力用半導体装置、および、電力用半導体装置の製造方法 | |
US9543420B2 (en) | Protection device and related fabrication methods | |
WO2017125827A1 (en) | Quasi-lateral diffusion transistor with diagonal current flow direction | |
TW201029169A (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
US7858425B2 (en) | Monolithic nuclear event detector and method of manufacture | |
JP6530672B2 (ja) | マグネティックセンサーを有する半導体素子の製造方法 | |
US20170162433A1 (en) | Method for manufacturing a device isolation structure | |
US7598575B1 (en) | Semiconductor die with reduced RF attenuation | |
KR100936105B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP2021524680A (ja) | オフセットが低減された垂直ホール素子およびその製造方法 | |
JP5569526B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20110316105A1 (en) | Monolithic Nuclear Event Detector and Method of Manufacture | |
TWI575689B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP5277616B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN114093937A (zh) | 一种双极晶体管及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6530672 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |