JP5277616B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、埋め込み酸化膜上のＳＯＩ層に、絶縁分離されたバイポーラトランジスタが形成されてなる半導体装置に関する。

埋め込み酸化膜上のＳＯＩ（Silicon On Insulator）層に、絶縁分離された横型バイポーラトランジスタが形成されてなる半導体装置が、例えば、特開２００１−１０２３８７号公報（特許文献１）と特開２００２−９３８６１号公報（特許文献２）に開示されている。

図９は、特許文献１に開示された従来の半導体装置で、半導体装置８０の断面を模式的に示した図である。

図９の半導体装置８０では、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタが、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板に形成されている。半導体装置８０では、支持基板１１上の埋め込み酸化膜１２上に、高抵抗のｎ型活性層（ＳＯＩ層）１３が形成されている。ｎ型活性層１３表面には、ｎ型拡散層６が形成され、このｎ型拡散層６表面に、選択的にｐ型エミッタ層７が形成されている。また、ｎ型拡散層６と離間して、低抵抗のｎ型ベースコンタクト層８、ｐ型コレクタ層９が、それぞれ選択的に形成されている。さらに、ｎ型活性層１３には、酸化膜４を介して多結晶シリコン層５が埋め込まれた溝（絶縁トレンチ）１７ａが形成されている。尚、図９の半導体装置８０において、符号１０の部分はＬＯＣＯＳ酸化膜である。

図１０は、特許文献２に開示された従来の半導体装置で、半導体装置９０の断面を模式的に示した図である。尚、図１０の半導体装置９０において、図９の半導体装置８０と同様の部分については、同じ符号を付した。

図１０の半導体装置９０においても、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタが、ＳＯＩ基板に形成されている。半導体装置９０では、第１の絶縁膜となるシリコン酸化膜（埋め込み酸化膜）１２上に、Ｎ型シリコン活性層（ＳＯＩ層）１３が形成されている。また、シリコン活性層１３中には、酸素を選択的に高加速エネルギーでイオン注入して形成された、開口部２０を有する第２の絶縁膜となる埋め込みシリコン酸化膜１５が形成されている。従って、シリコン活性層１３は、シリコン酸化膜１５により下層のシリコン活性層１４と上層のシリコン活性層１６との２層に分かれた構造になるが、開口部２０を経て接続している。上記シリコン活性層１６中に、横型のＰＮＰトランジスタが形成されている。また、Ｎ型シリコン活性層１３には、シリコン酸化膜が埋め込まれたトレンチ分離溝（絶縁トレンチ）１７が設けられている。このトレンチ分離溝１７は、シリコン活性層１６の表面からシリコン酸化膜１５とシリコン活性層１４を貫通してシリコン酸化膜１２に達するようにして設けられ、これによって、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタが周りから絶縁分離されている。
特開２００１−１０２３８７号公報 特開２００２−９３８６１号公報

埋め込み酸化膜上のＳＯＩ層に形成される横型バイポーラトランジスタにおいては、該バイポーラトランジスタの周りで電位変動が発生した場合に、埋め込み酸化膜や絶縁トレンチの界面近くのＳＯＩ層に、反転層が形成される。このような反転層が形成されると、ホール電流の電流経路の抵抗が著しく下がってしまうために、寄生トランジスタがオンして電流リークが発生したり、該バイポーラトランジスタの電流増幅率ｈＦＥ等の特性が電位変動の影響を受けたりしてしまう。

これに対して、図９の半導体装置８０では、ｎ型拡散層６を形成することで、エミッタ電流（ホール電流）がｎ型活性層１３の表面に近い部分を流れるようにしている。これによって、ｎ型活性層１３の埋め込み酸化膜１２との界面に反転層が形成された場合にも、当該反転層を介して流れるエミッタ電流を抑制して、電流増幅率ｈＦＥ等の特性が電位変動に依存する問題の解決を図っている。このように、横型バイポーラトランジスタのコレクタ又はエミッタ又はその両方を囲うように、基板より不純物濃度の濃い層（ｎ型拡散層６）を形成することで、反転層によって形成される寄生トランジスタのベース抵抗を大きくすることができ、電位変動の影響を抑制することができる。一方、ｎ型拡散層６のような取り囲み層を形成した場合には、そこで電界集中が起き易くなるため、耐圧特性が不安定になり、製造工程で耐圧特性のばらつきが大きくなってしまう。

また、図１０の半導体装置９０では、開口部２０を有する埋め込みシリコン酸化膜１５ことで、寄生トランジスタの電流経路が遮断し、寄生バイポーラの動作を抑制すると共に、横型ＰＮＰトランジスタの電流増幅率ｈＦＥの変動を防止している。このように、一方、埋め込み酸化膜上のＳＯＩ層中に上記のような開口部を有する選択的な第２の埋め込み酸化膜（シリコン酸化膜１５）を形成することは、大幅なコストアップになってしまう。

そこで本発明は、埋め込み酸化膜上のＳＯＩ層に絶縁分離されたバイポーラトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、バイポーラトランジスタの周りで電位変動が発生した場合であっても、該電位変動の影響を受け難く、耐圧等の他の特性と両立できる、安価な半導体装置を提供することを目的としている。

請求項１に記載の半導体装置は、埋め込み酸化膜上のＳＯＩ層に、前記埋め込み酸化膜に達する絶縁トレンチが形成され、該絶縁トレンチにより取り囲まれた前記ＳＯＩ層からなる第１絶縁分離領域に、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、前記絶縁トレンチが、２重に形成されてなり、前記第１絶縁分離領域を取り囲む前記２重に形成された絶縁トレンチの間の前記ＳＯＩ層からなるフィールド領域が、第２絶縁分離領域として、前記バイポーラトランジスタに印加される最高電位のエミッタ電位またはベース電位と同じ電位に設定されてなることを特徴としている。

上記半導体装置においては、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタが形成された第１絶縁分離領域を取り囲むフィールド領域が、第２絶縁分離領域として、バイポーラトランジスタに印加される最高電位のエミッタ電位またはベース電位と同じ電位に設定されている。このため、前記２重に形成された絶縁トレンチに当接する第１絶縁分離領域の界面近くでは、反転層が電気的に形成され難くなり、該反転層の形成による寄生トランジスタの動作も起き難くなっている。従って、上記半導体装置においては、バイポーラトランジスタの周りで電位変動が発生した場合であっても、電流リークの発生や電流増幅率ｈＦＥ等の特性変動を防止することができる。
また、上記半導体装置では、絶縁トレンチが２重に形成されており、バイポーラトランジスタに印加される最高電位のエミッタ電位またはベース電位と同じ電位を、第２絶縁分離領域としてのフィールド領域に安定的に印加することができ、絶縁トレンチに当接する第１絶縁分離領域の界面近くでの反転層の形成も安定的に抑制することができる。

上記半導体装置における横型ＰＮＰバイポーラトランジスタが形成された第１絶縁分離領域を取り囲むフィールド領域（第２絶縁分離領域）の電位固定は、従来の半導体装置おいて基板より不純物濃度の高い層でコレクタやエミッタを囲う方法と異なり、耐圧が低下することもない。また、上記半導体装置におけるフィールド領域の電位固定は、従来の半導体装置において埋め込み酸化膜上のＳＯＩ層中に選択的な第２の埋め込み酸化膜を形成する方法のように、製造コストが大幅に上昇することもない。

以上のようにして、上記半導体装置は、埋め込み酸化膜上のＳＯＩ層に絶縁分離されたバイポーラトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、バイポーラトランジスタの周りで電位変動が発生した場合であっても、該電位変動の影響を受け難く、耐圧等の他の特性と両立できる、安価な半導体装置とすることができる。

上記半導体装置における前記絶縁トレンチは、例えば請求項２に記載のように、酸化物または窒化物が埋め込まれた埋め込み絶縁トレンチからなる構成とすることができる。また、請求項３に記載のように、側壁酸化膜を介して多結晶シリコンが埋め込まれた埋め込み絶縁トレンチからなる構成であってもよい。

また、上記半導体装置においては、請求項４に記載のように、前記絶縁トレンチの幅が、製造が容易であることから１μｍ以上であり、また小型化するため３μｍ以下であることが好ましい。

上記半導体装置においては、請求項５に記載のように、前記絶縁トレンチに当接して、前記第１絶縁分離領域に、前記ＳＯＩ層と同じ導電型で不純物濃度がより高い、高濃度領域が形成されてなることが好ましい。上記高濃度領域では反転層が形成され難いため、電位変動が大きく絶縁トレンチに当接する第１絶縁分離領域のＳＯＩ層で反転層がわずかに形成された場合であっても、反転層における電流経路を該高濃度領域で遮断することができる。

また、上記半導体装置においては、請求項６に記載のように、前記埋め込み酸化膜を挟んだ前記ＳＯＩ層と反対側の支持基板が除去されてなる構成とすることによって、埋め込み酸化膜に当接する第１絶縁分離領域の界面近くでの反転層の形成がなくなる。従って、当該半導体装置においても、バイポーラトランジスタの周りで電位変動が発生した場合、前記フィールド領域のみを最高電位と同じ電位に固定した半導体装置に較べて、より確実に該電位変動の影響を受け難くすることができる。

上記半導体装置においては、請求項７に記載のように、前記横型ＰＮＰバイポーラトランジスタのエミッタ拡散領域およびコレクタ拡散領域の端部が、前記絶縁トレンチより４μｍ以上離れていることが好ましい。これによれば、電位変動が大きく反転層がわずかに形成された場合であっても、反転層とエミッタ拡散領域およびコレクタ拡散領域の間の距離が十分に確保され、より確実に該電位変動の影響を受け難くすることができる。

以下、本発明を実施するための最良の実施形態を、図に基づいて説明する。

図１は、本発明の基礎とする半導体装置の一例で、半導体装置１００を模式的に示した断面図である。尚、図１の半導体装置１００において、図９および図１０に示した半導体装置８０，９０と同様の部分については、同じ符号を付した。

図１に示す半導体装置１００では、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１が、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板に形成されている。図１に示すＳＯＩ基板は、基板貼り合わせ技術により、以下のように製作されたものである。すなわち、支持基板１１となるＰ型（Ｐ−）シリコン基板上に、埋め込み酸化膜１２となるシリコン酸化膜を形成した後、その上にＳＯＩ（Silicon On Insulator）層１３となるＮ型（Ｎ−）シリコン基板を、熱処理して貼り合わせる。その後、貼り合わされたＮ型シリコン基板を表面から研磨して肉薄にし、ＳＯＩ層１３を形成する。

図１に示す半導体装置１００においては、埋め込み酸化膜１２上のＳＯＩ層１３に、埋め込み酸化膜１２に達する絶縁トレンチ１７が形成されている。該絶縁トレンチ１７は、例えば、酸化物または窒化物が埋め込まれた埋め込み絶縁トレンチからなる構成とする。上記横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１は、絶縁トレンチ１７により取り囲まれた、ＳＯＩ層１３からなる第１絶縁分離領域Ｚ１に形成されている。すなわち、半導体装置１００では、Ｐ型（Ｐ，Ｐ＋）エミッタ拡散領域７、Ｎ型（Ｎ＋）ベース接続領域８およびＰ型（Ｐ，Ｐ＋）コレクタ拡散領域９が、それぞれ、第１絶縁分離領域Ｚ１におけるＳＯＩ層１３の表層部に選択的に形成されて、Ｐ型エミッタ拡散領域７とＰ型コレクタ拡散領域９の間のＮ型（Ｎ−）ＳＯＩ層１３をベース拡散領域とする横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１が構成されている。該横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１は、絶縁トレンチ１７と埋め込み酸化膜１２により、周囲から絶縁分離されている。

また、図１に示す半導体装置１００においては、第１絶縁分離領域Ｚ１を取り囲む絶縁トレンチ１７の外側のフィールド領域Ｆが、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１に印加される最高電位Ｖｍａｘと同じ電位に設定されている。このため、絶縁トレンチ１７に当接する第１絶縁分離領域Ｚ１の界面近くでは、反転層が電気的に形成され難くなり、該反転層の形成による寄生トランジスタの動作も起き難くなっている。従って、半導体装置１００においては、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１の周りで電位変動が発生した場合であっても、電流リークの発生や電流増幅率ｈＦＥ等の特性変動を防止することができる。尚、図１の半導体装置１００では、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１に印加される最高電位Ｖｍａｘがエミッタ電位となっているが、最高電位Ｖｍａｘがベース電位となる場合もある。

半導体装置１００における横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１が形成された第１絶縁分離領域Ｚ１を取り囲むフィールド領域Ｆの電位固定は、図９に示した従来の半導体装置８０おいて基板より不純物濃度の高い層でコレクタやエミッタを囲う方法と異なり、耐圧が低下することもない。また、半導体装置１００におけるフィールド領域Ｆの電位固定は、図１０に示した従来の半導体装置９０において埋め込み酸化膜上のＳＯＩ層中に選択的な第２の埋め込み酸化膜を形成する方法のように、製造コストが大幅に上昇することもない。

以上のようにして、図１の半導体装置１００は、埋め込み酸化膜１２上のＳＯＩ層１３に絶縁分離された横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１が形成されてなる半導体装置であって、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１の周りで電位変動が発生した場合であっても、該電位変動の影響を受け難く、耐圧等の他の特性と両立できる、安価な半導体装置とすることができる。

図２は、図１の半導体装置１００と同様の半導体装置で、本発明に係る半導体装置の一例を示す図である。図２（ａ）は、半導体装置１０１の模式的な上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）における一点鎖線Ａ−Ａでの断面図である。尚、以下に示す各半導体装置において、図１に示した半導体装置１００と同様の部分については、同じ符号を付している。

図２の半導体装置１０１では、絶縁トレンチ１７が、２重に形成されており、第１絶縁分離領域Ｚ１を取り囲む絶縁トレンチ１７の外側のフィールド領域が、該２重に形成された絶縁トレンチ１７の間のＳＯＩ層１３からなる第２絶縁分離領域Ｚ２であるように構成されている。これによって、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ２に印加される最高電位Ｖｍａｘと同じ電位を、該フィールド領域（第２絶縁分離領域Ｚ２）に安定的に印加することができ、絶縁トレンチ１７に当接する第１絶縁分離領域Ｚ１の界面近くでの反転層の形成も安定的に抑制することができる。

図３は、図１の半導体装置１００の変形例で、半導体装置１０２の断面を模式的に示した図である。

図１，２に示した半導体装置１００，１０１の絶縁トレンチ１７は、酸化物または窒化物が埋め込まれた埋め込み絶縁トレンチであった。これに対して、図３に示す半導体装置１０２の絶縁トレンチ１７ａは、側壁酸化膜４を介して多結晶シリコン５が埋め込まれた埋め込み絶縁トレンチからなっている。該絶縁トレンチ１７ａが形成された半導体装置１０２についても、絶縁トレンチ１７が形成された半導体装置１００，１０１と同様に、外側のフィールド領域Ｆを最高電位Ｖｍａｘに固定することで、絶縁トレンチ１７ａに当接する第１絶縁分離領域Ｚ１の界面近くでの反転層の形成を抑制することができる。

図１〜図３に示した半導体装置１００〜１０３においては、図中に示す絶縁トレンチ１７，１７ａの幅Ｗ１〜Ｗ３が、製造が容易であることから１μｍ以上であり、また小型化するため３μｍ以下であることが好ましい。また、図１〜図３の半導体装置１００〜１０３における横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のエミッタ拡散領域７およびコレクタ拡散領域９の端部と絶縁トレンチ１７の間の距離Ｌ１，Ｌ２は、４μｍ以上であることが好ましい。これによれば、電位変動が大きく絶縁トレンチ１７に当接する第１絶縁分離領域Ｚ１のＳＯＩ層１３で反転層がわずかに形成された場合であっても、反転層とエミッタ拡散領域７およびコレクタ拡散領域９の間の距離が十分に確保され、より確実に該電位変動の影響を受け難くすることができる。

図４は、別構成の半導体装置の例で、半導体装置１０３の断面を模式的に示した図である。

図４の半導体装置１０３では、埋め込み酸化膜１２に達するトレンチの内部に、側壁酸化膜４を介して、導電性（Ｎ＋型）の多結晶シリコン５ａが埋め込まれている。そして該多結晶シリコン５ａが、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１に印加される最高電位Ｖｍａｘと同じ電位に設定されている。従って、図４の半導体装置１０３においては、図１の半導体装置１００における絶縁トレンチ１７が、トレンチの側壁酸化膜４に相当し、図１の半導体装置１００において第１絶縁分離領域Ｚ１を取り囲む絶縁トレンチ１７の外側のフィールド領域Ｆが、トレンチに埋め込まれた導電性の多結晶シリコン５ａ（フィールド領域Ｆａ）に相当する。図４の半導体装置１０３についても、図１の半導体装置１００と同様に、側壁酸化膜４（絶縁トレンチ）に当接する第１絶縁分離領域Ｚ１の界面近くで反転層の形成を電気的に抑制して、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１の周りで電位変動が発生した場合であっても、電流リークの発生や電流増幅率ｈＦＥ等の特性変動を防止することができる。

図５も、図１の半導体装置１００の変形例で、半導体装置１０４の断面を模式的に示した図である。また、図６（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、図５の半導体装置１０４の製造途中工程を示した図である。

図５に示す半導体装置１０４は、図１に示した半導体装置１００の各部構造に追加して、絶縁トレンチ１７に当接して、第１絶縁分離領域Ｚ１に、ＳＯＩ（Ｎ−）層１３と同じ導電型で不純物濃度がより高い、高濃度（Ｎ＋）領域１８を形成した構造となっている。

上記高濃度領域１８は、図６（ａ）〜（ｃ）に示した工程で形成する。すなわち、最初に、図６（ａ）に示すように、支持基板１１、埋め込み酸化膜１２およびＳＯＩ層１３からなるＳＯＩ基板を準備し、埋め込み酸化膜１２に達するトレンチＴを形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、トレンチＴの側壁からＮ導電型不純物を斜めイオン注入して、高濃度領域１８を形成する。次に、図６（ｃ）に示すように、トレンチＴを酸化物または窒化物で埋め戻して、絶縁トレンチ１７とする。

以後、一般的な半導体装置の製造工程により横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１を形成して、図５の半導体装置１０４が製造される。

図５に示す半導体装置１０４の高濃度領域１８では反転層が形成され難いため、電位変動が大きく絶縁トレンチ１７に当接する第１絶縁分離領域のＳＯＩ層１３で反転層がわずかに形成された場合であっても、反転層における電流経路を該高濃度領域１８で遮断することができる。

図７も、図１の半導体装置１００の変形例で、半導体装置１０５の断面を模式的に示した図である。

図１の半導体装置１００では、埋め込み酸化膜１２を挟んだＳＯＩ層１３と反対側の支持基板１１が、接地（ＧＮＤ）電位に設定されていた。これに対して、図７に示す半導体装置１０５では、支持基板１１が、フィールド領域Ｆと同様に、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１に印加される最高電位Ｖｍａｘと同じ電位に設定されている。従って、半導体装置１０５では、絶縁トレンチ１７に当接する第１絶縁分離領域Ｚ１の界面近くだけでなく、埋め込み酸化膜１２に当接する第１絶縁分離領域の界面近くにおいても、反転層が電気的に形成され難くなり、該反転層の形成による寄生トランジスタの動作も起き難くなる。このため、半導体装置１０５においては、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１の周りで電位変動が発生した場合、図１のフィールド領域Ｆのみを最高電位Ｖｍａｘと同じ電位に固定した半導体装置１００に較べて、より確実に電位変動の影響を受け難くすることができる。

図８も、図１の半導体装置１００の変形例で、半導体装置１０６の断面を模式的に示した図である。

図８に示す半導体装置１０６においては、図１の半導体装置１００と異なり、埋め込み酸化膜１２を挟んだＳＯＩ層１３と反対側の支持基板１１が、除去されている。支持基板１１の除去は、例えば横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１を形成した後で、裏面側から支持基板１１をエッチングして除去する。

図８の半導体装置１０６では、支持基板１１が除去されているため、埋め込み酸化膜１２に当接する第１絶縁分離領域Ｚ１の界面近くでの反転層の形成がなくなる。従って、当該半導体装置１０６においても、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１の周りで電位変動が発生した場合、図１のフィールド領域Ｆのみを最高電Ｖｍａｘと同じ電位に固定した半導体装置１００に較べて、より確実に該電位変動の影響を受け難くすることができる。

以上のようにして、上記した半導体装置１００〜１０６は、いずれも埋め込み酸化膜１２上のＳＯＩ層１３に絶縁分離されたバイポーラトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が形成されてなる半導体装置であって、バイポーラトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の周りで電位変動が発生した場合であっても、該電位変動の影響を受け難く、耐圧等の他の特性と両立できる、安価な半導体装置とすることができる。

尚、図１〜図８に示した半導体装置１００〜１０６では、いずれも、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が形成されていた。しかしながら、任意のバイポーラトランジスタが形成された半導体装置に対しても、該バイポーラトランジスタが形成された第１絶縁分離領域を取り囲む絶縁トレンチの外側のフィールド領域を該バイポーラトランジスタに印加される最高電位と同じ電位に設定することで、同様の効果を得ることができる。

本発明の基礎とする半導体装置の一例で、半導体装置１００を模式的に示した断面図である。 図１の半導体装置１００と同様の半導体装置で、本発明に係る半導体装置の一例を示す図である。（ａ）は、半導体装置１０１の模式的な上面図であり、（ｂ）は、（ａ）における一点鎖線Ａ−Ａでの断面図である。 図１の半導体装置１００の変形例で、半導体装置１０２の断面を模式的に示した図である。 別構成の半導体装置の例で、半導体装置１０３の断面を模式的に示した図である。 図１の半導体装置１００の変形例で、半導体装置１０４の断面を模式的に示した図である。 （ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、図５の半導体装置１０４の製造途中工程を示した図である。 図１の半導体装置１００の変形例で、半導体装置１０５の断面を模式的に示した図である。 図１の半導体装置１００の変形例で、半導体装置１０６の断面を模式的に示した図である。 特許文献１に開示された従来の半導体装置で、半導体装置８０の断面を模式的に示した図である。 特許文献２に開示された従来の半導体装置で、半導体装置９０の断面を模式的に示した図である。

符号の説明

８０，９０，１００〜１０６ 半導体装置
１１ 支持基板
１２ 埋め込み酸化膜
１３ ＳＯＩ層
１７，１７ａ 絶縁トレンチ
４ 側壁酸化膜
５ 多結晶シリコン
５ａ 導電性の多結晶シリコン
Ｚ１ 第１絶縁分離領域
Ｆ フィールド領域
Ｔｒ１，Ｔｒ２ 横型ＰＮＰバイポーラトランジスタ
７ エミッタ拡散領域
８ ベース接続領域
９ コレクタ拡散領域
Ｚ２ 第２絶縁分離領域（フィールド領域）
１８ 高濃度領域

Claims (7)

1. 埋め込み酸化膜上のＳＯＩ層に、前記埋め込み酸化膜に達する絶縁トレンチが形成され、
   該絶縁トレンチにより取り囲まれた前記ＳＯＩ層からなる第１絶縁分離領域に、横型ＰＮＰバイポーラトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、
   前記絶縁トレンチが、２重に形成されてなり、
   前記第１絶縁分離領域を取り囲む前記２重に形成された絶縁トレンチの間の前記ＳＯＩ層からなるフィールド領域が、第２絶縁分離領域として、前記バイポーラトランジスタに印加される最高電位のエミッタ電位またはベース電位と同じ電位に設定されてなることを特徴とする半導体装置。
2. 前記絶縁トレンチが、酸化物または窒化物が埋め込まれた埋め込み絶縁トレンチからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記絶縁トレンチが、側壁酸化膜を介して多結晶シリコンが埋め込まれた埋め込み絶縁トレンチからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記絶縁トレンチの幅が、１μｍ以上、３μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 前記絶縁トレンチに当接して、前記第１絶縁分離領域に、
   前記ＳＯＩ層と同じ導電型で不純物濃度がより高い、高濃度領域が形成されてなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 前記埋め込み酸化膜を挟んだ前記ＳＯＩ層と反対側の支持基板が、除去されてなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
7. 前記横型ＰＮＰバイポーラトランジスタのエミッタ拡散領域およびコレクタ拡散領域の端部が、前記絶縁トレンチより４μｍ以上離れていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。

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