CN104253208B - 基于半导体的霍尔传感器 - Google Patents

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Abstract

提供了一种霍尔传感器。该霍尔传感器包括布置在半导体衬底上的霍尔元件。该霍尔元件包括：感测区、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极和掺杂区，该掺杂区布置在感测区上，感测区具有至少一个拐角或圆角。

Description

基于半导体的霍尔传感器
相关申请的交叉引用
根据35U.S.C.§119（a），本申请要求2013年6月28日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0075971号韩国专利申请的权益，其全部公开通过引用结合到本文用于所有目的。
背景技术
1.技术领域
下面的描述涉及霍尔传感器或霍尔效应传感器，以及涉及能够降低失调电压和提高霍尔电压一致性的基于半导体的霍尔传感器。
2.相关技术描述
霍尔传感器或霍尔效应传感器是通过使用霍尔效应来检测磁场方向和大小的器件，在霍尔效应中，对电流流经的导体施加磁场，以在垂直于电流和磁场的方向上产生电压。
由于霍尔传感器能够检测磁场的方向和大小，因此可以被用于实现电子罗盘，并且基于半导体的霍尔传感器被广泛使用。这里，基于半导体的霍尔传感器是指用互补金属氧化物半导体（CMOS）实施的霍尔传感器。
在传统的霍尔传感器或霍尔元件中，感测区形成在半导体衬底上。当从顶部看时，感测区通常形成十字形状。此外，电极形成在十字形状的感测区上。
因此，当磁场施加到具有上述配置的传统霍尔传感器时，4个电极中彼此相对的2个电极用于检测电流，而另外2个电极用于检测垂直于电流方向上产生的霍尔电压。以这种方式，传统的霍尔传感器感测霍尔电压，从而确定磁场的方向和大小。
在理想的霍尔元件中，当不施加外部磁场时，霍尔电压为零（0）。然而，在实际的霍尔元件中，由于加工精度的问题，元件内部的电特性不一致，霍尔电极不对称，即使不存在外部磁场时，也产生少量电压。在不施加外部磁场时，当单位输入电流在霍尔元件中流动时产生的输出电压称为失调电压。
然而，在具有这样配置的传统霍尔元件中，十字形状的感测区导致加工精度变差。例如，由于十字形状具有比其它形状更多的直角拐角部分，十字形状区域的角（corner）处的电磁场相当大，从而导致高的失调电压。因此，用这样的传统霍尔元件，很难维持霍尔电压的一致性。
发明内容
在一个总的方面，提供了包括布置在半导体衬底上的霍尔元件的霍尔传感器，所述霍尔元件包括：第一导电类型的感测区、第一电极、第三电极、第二电极、第四电极和第二导电类型的掺杂区，感测区被配置成检测磁场的变化，第一电极和第三电极彼此相对，并且被配置成测量感测区上的电流，第二电极和第四电极彼此相对，并且被布置成垂直于第一电极和第三电极，并且被配置成测量电压的变化，第二导电类型的掺杂区被布置在感测区上，并且覆盖半导体衬底的表面的一部分，其中，感测区具有至少一个拐角或圆角。
感测区可以具有至少一个拐角，拐角的边长可以短于感测区的相邻边的长度。
感测区可以具有圆角。
第二导电类型的掺杂区可以具有比感测区更高的掺杂浓度。
感测区可以是磁感测区。
第一电极、第二电极、第三电极和第四电极可以各自是掺杂浓度高于感测区的N型区。
第一电极、第二电极、第三电极和第四电极可以各自被布置成具有较长长度的边与感测区的中心相对。
第一电极、第二电极、第三电极和第四电极可以被布置成使得具有较长长度的边相对于感测区外周面的切线成45°。
可以围绕第一电极、第二电极、第三电极和第四电极的每一个形成绝缘层。
霍尔传感器的总的方面还可以包括布置在感测区之外掺杂区之下的P型阱。
感测区可以具有正方形形状或八边形形状。
感测区的掺杂浓度可以在4E16≤N≤1E18（atoms/cm3）范围内。
拐角的边可以与感测区的相邻边形成135°角。
在另一总的方面，提供了霍尔传感器，包括：多个布置在半导体衬底上的霍尔元件，其中，所述多个霍尔元件包括一对霍尔元件，该对霍尔元件包括布置成彼此相邻的两个或更多个霍尔元件，其中，每一个霍尔元件包括：第一导电类型的感测区、第一电极、第三电极、第二电极、第四电极和第二导电类型的掺杂区，感测区被配置成检测磁场的变化，第一电极和第三电极彼此相对，并且被配置成测量感测区上的电流，第二电极和第四电极彼此相对，并且被布置成垂直于第一电极和第三电极，并且被配置成测量电压的变化，第二导电类型的掺杂区被布置在感测区上，并且覆盖半导体衬底的表面的一部分，其中，感测区包括至少一个拐角或圆角。
霍尔传感器的总的方面还可以包括感测区上的磁集极。
磁集极的整个上表面可以是平的。
磁集极的上表面可以是弯曲的。
多个霍尔元件可以被布置成在横截面图中从磁集极的边缘突出。
在又一总的方面，提供了包括布置在半导体衬底上的霍尔元件的霍尔传感器，该霍尔元件包括：第一导电类型的感测区；以及布置在感测区角处的第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，第一电极和二电极彼此相对，第二电极和第四电极彼此相对，其中，感测区具有至少一个拐角或圆角。
霍尔传感器的总的方面还包括布置在感测区上的第二导电类型的掺杂区，其中，感测区具有4个拐角，在平面图中具有八边形形状。
其它特征和方面从下面的详细描述、附图和权利要求中是明显的。
附图说明
图1A和1B示出了根据本公开的基于半导体的霍尔传感器的例子的平面图。
图2A到2C示出了如图1A和1B所示的霍尔传感器的修改的例子的平面图，其中，感测区具有正方形或八边形形状。
图3示出了如图1A和1B所示的电极的放大的平面图。
图4A示出了如图1A和1B所示的基于半导体的霍尔传感器的例子沿线A-A的横截面图。
图4B示出了具有十字形感测区的霍尔元件和具有正方形感测区的霍尔元件的特性的比较和概括。
图4C示出了具有八边形感测区的霍尔元件和具有正方形感测区的霍尔元件的特性的比较和概括。
图5是比较具有八边形形状感测区的霍尔元件的例子和具有正方形形状感测区的霍尔元件的例子的霍尔电压一致性的图。
图6和7示出了基于半导体的霍尔传感器或磁传感器的例子的平面图，其中，在磁集极上彼此相邻地提供根据本公开的两个霍尔元件。
图8A和8B示出了描述根据本公开的例子的霍尔传感器的布置和磁集极的端部的位置之间关系的横截面图。
在整个附图和详细描述中，除非另有描述，相同的附图标记应当理解为指相同的元件、特征和结构。为了清楚、说明和方便，可以夸大这些元件的相对尺寸和描述。
具体实施方式
提供下面的详细描述以帮助读者获得对本文描述的方法、装置和/或系统的全面理解。因此，本文描述的系统、装置和/或方法的各种变化、修改和等同物将被建议给本领域的普通技术人员。此外，可以省略公知功能和结构的描述以更清楚和简明。
现在，参照附图，将详细描述基于半导体的霍尔传感器的各种例子。
如上所述，根据下面的例子，在基于半导体的霍尔传感器中，N型掺杂感测区例如被形成为正方形形状或八边形形状以包括至少一个拐角或圆角，四个或更多个电极被形成在感测区的角处。因此，能够降低失调电压，从而提高霍尔电压的一致性。
虽然本公开详细描述了各种例子，但对于本领域的技术人员明显的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以作出修改和变化。这样的修改和变化在本公开的范围之内。
图1A和1B是示出了基于半导体的霍尔元件50的例子的平面图。在这个例子中，霍尔元件50可以是霍尔元件或霍尔感测元件。
参照图1A和1B，在基于半导体的霍尔传感器中，提供了半导体衬底20（见图4A），霍尔元件50形成在半导体衬底20上。霍尔元件50包括感测区21a和第一到第四电极24a、24b、24c、24d，从顶部看时，感测区21a具有八边形形状，在感测区21a的4个角的表面处通过掺杂作为高浓度的第一导电（N+）类型区域形成的4个电极24a、24b、24c、24d。
参照图1A，第一电极24a和第三电极24c彼此相对以测量感测区21a上的电流，第二电极24b和第四电极24d被布置在垂直于第一电极24a和第三电极24c的方向上，第二电极24b和第四电极24d彼此相对以测量电压的变化。在这个例子中，形成有第一到第四电极24a、24b、24c和24d的4个角表面(corner surface)的长度可以短于没有形成有第一到第四电极24a、24b、24c和24d的表面的长度。
参照图1A，第一到第四电极24a、24b、24c和24d具有矩形形状或正方形形状。参照图1A，具有矩形形状的较长长度的表面被形成为相对于感测区21a的外周边（轮廓）的切线成45°。因此，大量电流在感测区21a中流动，从而可以很容易检测到电压的细微变化。
半导体衬底20是P型掺杂区域，感测区21a是深N阱（也称为DNW）区域作为N型掺杂区域。在这个例子中，感测区21a可以是磁感测区。
此外，第一到第四电极24a、24b、24c和24d被掺杂成高浓度N型区域，其掺杂浓度高于感测区21a的掺杂浓度。通过掺杂第一到第四电极24a、24b、24c和24d以具有比感测区21a更高的浓度，能够在利用接触插塞（未示出）形成接触时降低电阻。
参照图1A，第一到第四电极24a、24b、24c和24d形成如图1A和1B所示的矩形形状，矩形的具有较长长度的边被布置成相对感测区的中心。
此外，参照图1A和1B，在形成有第一到第四电极24a、24b、24c和24d的感测区21a上形成高浓度P型掺杂区25。因此，第二导电类型（P型）的掺杂区25暴露在如图4A所示的衬底20的表面。参照图4A，形成在外围的掺杂区25需要施加电压到P型阱22。为此，掺杂区25形成为掺杂浓度高于P型阱22的高浓度P型杂质区。在这个例子中，可以形成掺杂浓度相对高于感测区的掺杂浓度的第二导电类型的掺杂区。通过形成具有更高掺杂浓度的第二导电类型的掺杂区，能够阻止耗尽层通过感测区扩大到衬底的表面。
参照图1B和图4A，在4个第一到第四电极24a、24b、24c、24d和掺杂区25之间形成绝缘层23。此外，绝缘层23围绕第一到第四电极24a、24b、24c和24d以将第一到第四电极和掺杂区25分开。
掺杂区25形成为围绕第一到第四4个电极24a、24b、24c、24d的4条边。参照图4A，P型阱22形成在感测区21a以外掺杂区25之下。通过在半导体衬底20的表面上形成P型掺杂区域25，弥补深N阱感测区21a的半导体材料的缺陷或不一致，以降低霍尔元件的失调电压。因此，能够同时改进元件特性和提高霍尔电压的一致性。
图2A、2B和2C分别是示出了形成为八边形形状、正方形形状或具有圆角的多边形形状的感测区的详细的平面图。
在本公开的一个例子中，如图2A所示，可以在半导体衬底20上（见图4A）形成从顶部看时具有八边形形状的感测区21a，4个第一到第四电极24a、24b、24c、24d可以形成在感测区21a的4个角处。第一到第四电极24a、24b、24c和24d形成为如图2A所示的矩形形状，长度较长的边被布置成与感测区的中心相对。参照图2A，感测区21a的八边形形状的4个边可以具有比另外4边更长的长度。但是，在其它例子中，八边形形状的8个边在长度上可以相等。
参照图2B，在本公开的另一例子中，可以在半导体衬底20上形成从顶部看时具有正方形形状的感测区21b。
参照图2C，在本公开的又一例子中，可以在半导体衬底20上形成从顶部看时具有圆角正方形形状的感测区21c，4个第一到第四电极24a、24b、24c、24d可以形成在感测区21c的4个角处。第一到第四电极24a、24b、24c和24d可以形成为圆形形状、具有圆角的长方形形状或如图2C所示的椭圆形形状。参照图2C，长度较长的边被布置成与感测区的中心相对。
图3是示出了如图1A和1B所示的电极的详细的平面图。
绝缘层23是STI区。绝缘层23在物理上将第一到第四N型电极24a、24b、24c、24d和P型掺杂区25分开。此外，高浓度P型掺杂区25在绝缘层23外面围绕第一到第四N型电极24a、24b、24c和24d。
因此，由于绝缘层23形成在第一到第四N型电极24a、24b、24c、24d和P型掺杂区25之间，N型区域和P型区域之间的噪声被降低以降低霍尔元件的失调电压。因此，能够同时改进元件特性和提高霍尔电压一致性。
图4A是如图1A和1B所示的基于半导体的霍尔元件沿线A-A的横截面图。
如图3所示，在基于半导体的霍尔元件中，具有八边形形状的N型掺杂感测区21a（深N阱：DNW）可以被提供作为P型半导体衬底（P衬底）20上的磁感测区。
通过在注入NW离子后在1000℃高温或更高温度时进行推阱热处理（well drive-in thermal treatment），感测区21a形成为具有4E16≤N≤1E18（atoms/cm3）的浓度。通过形成具有这样DNW掺杂分布的感测区，除霍尔电压灵敏特性之外，还能够降低失调电压值，从而达到最佳的磁感测结构。
此外，P型掺杂区25（P+区域）形成在感测区21a上，感测区21a周围的掺杂区25被布置成连接到掺杂区25之下的P型阱22。
通过在衬底20的表面上形成P型掺杂感测区21a，弥补深N阱感测区21a的半导体材料的缺陷或不一致，以降低霍尔元件的失调电压。因此，能够同时改进元件特性和霍尔电压的一致性。
图4B示出了具有十字形感测区的霍尔元件和具有正方形感测区的霍尔元件的特性的比较和概括。
如图4B中所示，在霍尔电压灵敏特性上，具有十字形感测区的霍尔元件稍微高于具有正方形感测区的霍尔元件。然而，在失调电压特性上，具有十字形感测区的霍尔元件比具有正方形感测区的霍尔元件差很多。因此，可以进一步改进具有正方形感测区的霍尔元件的结构。
图4C示出了具有八边形感测区的霍尔元件和具有正方形感测区的霍尔元件的特性的比较和概括。
如图4C中所示，具有八边形感测区的霍尔元件具有80μV/V的失调电压，具有正方形感测区的霍尔元件具有23μV/V的失调电压。可以看到，具有正方形或八边形感测区的霍尔元件的失调电压低于具有十字形感测区的霍尔元件的失调电压。这是因为正方形感测区或八边形感测区具有的横截面积大于十字形感测区的横截面积。
如图4C所示，可以看到，就霍尔电压的中值（median）的sigma（标准偏差）值来说，具有八边形感测区的霍尔元件具有0.03的sigma值，明显小于具有正方形感测区的霍尔元件的sigma值0.28。
因此，可以看到，具有正方形感测区的霍尔元件的霍尔电压分布的一致性相对较差，根据本公开的具有八边形感测区的霍尔元件具有更好的霍尔电压特性。这是因为，虽然正方形具有的横截面积大于八边形的横截面积，但是正方形形状比八边形形状具有更多的成90°角的拐角部分。换句话说，在角处的电场的相当大的变化可以导致一致性的下降。如图2C所示，在圆形或椭圆形的情况下，进一步增加了一致性。例如，由于高温时的扩散，八边形形状最终被改变到圆形形状或椭圆形形状。由于八边形形状形成为具有平缓的角，因此八边形形状在角处比正方形形状更平缓。
此外，图5是示出了比较本公开的具有八边形感测区的霍尔元件和具有正方形感测区的霍尔元件的霍尔电压一致性的特性的结果的图。
参照图5，可以看到，具有圆形感测区或八边形感测区的霍尔元件具有大大改进的霍尔电压的分布特性。
根据图4B、图4C和图5的图中提供的结果的评估，可以将霍尔元件形成为使N型掺杂感测区（即磁感测区）具有正方形或八边形，从而降低霍尔元件的失调电压。通过降低失调电压，能够同时改进元件特性和霍尔电压一致性。
图6和7示出了基于半导体的霍尔传感器或磁传感器的例子的平面图，其中，根据本公开的两个霍尔元件被彼此相邻地提供在磁集极（integrated magneticconcentrator）上。通过将两个霍尔元件布置成如图6所示彼此相邻，与只使用一个霍尔元件的情况相比，能够改进霍尔电压灵敏度。此外，在另一例子中，第一霍尔元件50a和第二霍尔元件50b可以形成为彼此相隔一定距离。此外，在又一例子中，4个霍尔元件可以被布置成一组。因为霍尔元件的数量增加，所以能够更容易地调节失调电压和霍尔电压的变化。这是因为，当磁通在竖直或水平方向上到达霍尔元件时，依赖霍尔元件的布置和数量，可以更灵敏地检测磁力的变化。
基于半导体的磁传感器（在下文中包括半导体传感器）是指具有通过使用半导体器件来检测磁信号的功能的传感器，并且以多个霍尔元件结合具有磁放大功能的磁集极（IMC）来实施基于半导体的磁传感器。
数字罗盘或电子罗盘可以通过使用这样的磁传感器来被实施。
磁传感器通过检测地球的磁场，可以用于提供方向信息，并广泛用于蜂窝电话、收音机、GPS、PDA和自动导航系统的领域。
参照图6和7，在本公开的例子中，多个霍尔元件100可以被布置成使得两个霍尔元件彼此相邻，并且总共8个霍尔元件100在圆形磁集极200上彼此相对。霍尔元件100的数量可以变化。
参照图7，多个霍尔元件100被布置成使得两个霍尔元件彼此相邻，多个霍尔元件100和磁集极200被布置成部分重叠。在这样的配置中，能够使竖直或水平方向上的磁场强度最大。因此，可以增加检测磁场的能力。
图8A和8B是根据本公开例子的霍尔传感器和磁集极的详细横截面图，其示出了霍尔传感器的布置和磁集极的端部的位置之间的关系。
参照图8A和8B，磁集极200的表面可以是平表面或弯曲表面。
参照图8B，多个包括缓冲膜或聚酰亚胺膜的缓冲膜210可以形成在磁集极200之下，导致磁集极200的表面成弯曲的或不平的表面。在这时候，通过使磁集极的表面形成弯曲形状而不是平的形状，能够减小施加到霍尔传感器或霍尔元件的应力或压力。
此外，如图8A和8B所示，多个霍尔元件100可以被布置成从磁集极200的端部突出一定距离d或具有一定高度h。在图8A和8B所示的例子中，突出距离d被设置成小于高度h。
通过使用这样的布置条件，可以降低霍尔传感器的失调电压，从而能够改进元件特性和进一步改进霍尔电压的一致性。
本文提供了基于半导体的霍尔传感器的例子，通过形成N型掺杂感测区以使得包括至少一个拐角或圆角，以及分别在感测区的角上形成多个电极以测量电流和电压变化，所述霍尔传感器能够降低失调电压和提高霍尔电压一致性。
还提供了包括半导体衬底上形成的霍尔元件的基于半导体的霍尔传感器。霍尔元件可以包括第一导电感测区、第一和第三电极、第二和第四电极和第二导电掺杂区，第一导电感测区检测磁场的变化，第一和第三电极彼此相对以测量感测区上的电流，第二和第四电极被布置成垂直于第一和第三电极两个电极并且彼此相对以测量电压的变化，第二导电掺杂区形成在感测区上并且覆盖一部分半导体衬底的表面。感测区的角表面可以包括至少一个拐角表面或圆角表面。
感测区的角表面的长度可以短于其它表面的长度。感测区可以具有圆形形状或椭圆形形状。第二导电掺杂区可以具有比感测区相对更高的掺杂浓度。感测区可以是磁感测区。
第一到第四电极可以被掺杂以变成浓度高于感测区的N型。第一到第四电极可以被布置成允许具有较长长度的表面与感测区的中心相对。第一到第四电极可以被形成为使得具有较长长度的表面相对于感测区的外周面的切线成45°。可以围绕第一到第四电极分别形成绝缘层。
P型阱可以形成在感测区之外的掺杂区之下。感测区可以具有正方形形状或八边形形状。
本文还提供了包括半导体衬底上形成的多个霍尔元件的基于半导体的霍尔传感器的例子。所述多个霍尔元件可以包括由两个或更多个彼此相邻的霍尔元件组成的一对霍尔元件。每一个霍尔元件可以包括第一导电感测区、第一和第三电极、第二和第四电极和第二导电掺杂区，第一导电感测区检测磁场的变化，第一和第三电极彼此相对以测量感测区上的电流，第二和第四电极被布置成垂直于第一和第三两个电极，并且彼此相对以测量电压的变化，第二导电掺杂区形成在感测区上，并且覆盖半导体衬底的表面的一部分。感测区的角表面可以包括至少一个拐角表面或圆角表面。
基于半导体的霍尔传感器还可以包括感测区上的磁集极。磁集极的整个表面可以是平的，或者磁集极的表面可以是弯曲的。
附图可以不必然是按比例绘制的，在一些例子中，为了清楚地说明例子的特征，可以夸大比例。当第一层称为在第二层或衬底“之上”时，可以不仅指第一层直接形成在第二层或衬底之上的情形，还可以指第三层存在于第一层和第二层或衬底之间的情形。
虽然表述例如“第一”或“第二”可以用于指各种元件，但是元件不受表述限制。表述只用于将一个元件和其它元件区别的目的。
单数形式的表述包括复数的意义，除非另有说明。在整个描述中，表述“包括”或“具有”只用于指出本文描述的特性、数量、步骤、操作、元件、组件或它们的组合的存在，但不排除一个或更多个其它特性、数量、步骤、操作、元件、组件或它们的组合或添加物的存在的可能性。
空间相对的表述例如“下面”、“之下”、“低于”、“之上”、“上面”等可以用于方便地描述一个器件或元件与其它器件或元件之间的关系。空间相对的表述应当理解为包括附图中所示的方向，加上器件在使用或操作中的其它方向，此外，器件可以被定位到其它方向，因此，空间相对的表述的解释是基于定位的。
本文使用的表述例如“第一导电类型”和“第二导电类型”可以指例如彼此相反的N型或P型的导电类型，本文解释和举例说明的例子包括其补充例子。
上面已经描述了许多例子。然而，应当理解，可以作出各种修改。例如，如果描述的技术以不同的顺序进行和/或如果描述的系统、结构、器件或电路中的组件以不同方式组合和/或由其它组件或它们的等同物代替或补充，也可以达到合适的结果。因此，其它实施方式在以下权利要求的范围之内。

Claims (19)

1.一种霍尔传感器，包括布置在半导体衬底上的霍尔元件，所述霍尔元件包括：
第一导电类型的感测区，其被配置成检测磁场的变化，
第一电极和第三电极，所述第一电极和所述第三电极彼此相对，并且被配置成测量所述感测区上的电流，
第二电极和第四电极，所述第二电极和所述第四电极彼此相对，并且被布置成垂直于所述第一电极和所述第三电极，并且被配置成测量电压的变化，以及
第二导电类型的掺杂区，其被布置在所述感测区上，并且覆盖所述感测区的表面并在所述感测区之外延伸，
其中，所述感测区具有至少一个拐角或圆角，以及
其中，围绕所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个形成有绝缘层，以将所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个与所述掺杂区分开。
2.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述感测区具有至少一个拐角，所述拐角的边长短于所述感测区的相邻边的长度。
3.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述感测区具有圆角。
4.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述第二导电类型的掺杂区具有比所述感测区更高的掺杂浓度。
5.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述感测区是磁感测区。
6.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极各自是掺杂浓度高于所述感测区的N型区。
7.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极各自被布置成具有较长长度的边与所述感测区的中心相对。
8.如权利要求7所述的霍尔传感器，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极被布置成使得所述具有较长长度的边相对于所述感测区的外周边的切线成45°。
9.如权利要求1所述的霍尔传感器，还包括布置在所述感测区之外所述掺杂区之下的P型阱。
10.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述感测区具有正方形形状或八边形形状。
11.如权利要求1所述的霍尔传感器，其中，所述感测区的掺杂浓度在4E16≤N≤1E18atoms/cm3的范围内。
12.如权利要求2所述的霍尔传感器，其中，所述拐角的边与所述感测区的相邻边成135°角。
13.一种霍尔传感器，包括：
多个布置在半导体衬底上的霍尔元件，
其中，所述多个霍尔元件包括一对霍尔元件，该对霍尔元件包括布置成彼此相邻的两个或更多个霍尔元件；
其中，每一个所述霍尔元件包括：
第一导电类型的感测区，其被配置成检测磁场的变化，
第一电极和第三电极，所述第一电极和所述第三电极彼此相对，并且被配置成测量所述感测区上的电流，
第二电极和第四电极，所述第二电极和所述第四电极彼此相对，并且被布置成垂直于所述第一电极和所述第三电极，并且被配置成测量电压的变化，以及
第二导电类型的掺杂区，其被布置在所述感测区上，并且覆盖所述感测区的表面并在所述感测区之外延伸，
其中，所述感测区包括至少一个拐角或圆角，以及
其中，围绕所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个形成有绝缘层，以将所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个与所述掺杂区分开。
14.如权利要求13所述的霍尔传感器，还包括所述感测区上的磁集极。
15.如权利要求14所述的霍尔传感器，其中，所述磁集极的整个上表面是平的。
16.如权利要求14所述的霍尔传感器，其中，所述磁集极的上表面是弯曲的。
17.如权利要求14所述的霍尔传感器，其中，所述多个霍尔元件被布置成在横截面图中从所述磁集极的边缘突出。
18.一种霍尔传感器，包括布置在半导体衬底上的霍尔元件，所述霍尔元件包括：
第一导电类型的感测区；
布置在所述感测区的角处的第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述第一电极和所述第三电极彼此相对，所述第二电极和所述第四电极彼此相对；以及
布置在所述感测区上的第二导电类型的掺杂区，
其中，所述感测区具有至少一个拐角或圆角，
其中，围绕所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个形成有绝缘层，以将所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个与所述掺杂区分开，以及
其中，所述第二导电类型的掺杂区形成为围绕所述第一电极至所述第四电极这四个电极的侧面。
19.如权利要求18所述的霍尔传感器，
其中，所述感测区具有4个拐角，在平面图中具有八边形形状。
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