CN101925998B - 元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件，该元件搭载用基板能够轻易地将功率用半导体元件设定为适于动作的温度中，并且起到能够使功率用半导体元件良好地发挥作用的效果。元件搭载用基板具备：支承体(3)，其具有用于在一个主面(31a)上装载功率用半导体元件(4)的元件搭载部(31)，并且具有设置为在厚度方向上远离元件搭载部(31)且互相隔着间隔而配置的多个柱部(32)；和蓄热区域，其设置在柱部(32)间，且热传导率比支承体(3)低。

Description

元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件
技术领域
该发明涉及一种用于装载功率用半导体元件的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件。 
背景技术
作为半导体元件的材料，广泛使用了硅元素(Si)的单晶体，但是近几年开发了利用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等耐热性突出的半导体材料的半导体元件(例如，参照专利文献1)。这些半导体元件与以往的Si制半导体元件相比，通电损耗小，且开关频率也高。另外，适于使由这些耐热性材料形成的半导体材料良好地进行动作的温度(以下称作“动作温度”)比Si制半导体元件的动作温度(15～120℃左右)高(SiC制半导体元件的动作温度：300～500℃左右)，因此期望作为流过大电流的功率用半导体元件来利用。 
但是，这样的高耐热性的半导体元件由于其动作温度区域比以往的Si制半导体元件的动作温度区域高，因此容纳在以往的封装件中来使用时，将封装件内的温度设定为半导体元件的动作温度是非常困难的。因此，要求一种能够将高耐热性的半导体元件容易地设定在可使其良好地发挥作用的温度范围内的新的封装件。 
发明内容
本发明的一实施方式的元件搭载用基板具备：支承体，其具有用于在一个主面上装载功率用半导体元件的元件搭载部，并且具有设置为在厚度方向上离开所述搭载面且互相隔着间隔而配置的多个柱部；和蓄热区域，其设置在所述柱部间，且热传导率比所述支承体低。 
本发明的一实施方式的元件搭载用基板具备与所述支承体的下表面接合的基体，所述支承体在内部形成有多个气孔。 
本发明的一实施方式的元件容纳用封装件具备：上述元件搭载用基板；框体，其在内部容纳所述元件搭载用基板，且设置为包围所述功率用半导体元件；和罩体，其接合在所述框体的上表面上。 
根据上述的元件搭载用基板及元件容纳用封装件，能够轻易地将功率用半导体元件设定为适于动作的温度，并且起到能够使功率用半导体元件良好地发挥作用的效果。 
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的元件容纳用封装件的一例的剖视图。 
图2是表示上述元件容纳用封装件的一例的立体图。 
图3是表示了上述元件容纳用封装件中的支承体的分解立体图。 
图4是表示在柱部间的基体中形成了切口部时的上述元件容纳用封装件的一例的剖视图。 
图5是表示了变形例1的支承体的分解立体图。 
图6是表示了变形例2的支承体的分解立体图。 
图7是表示了变形例3的支承体的分解立体图。 
图8是表示变形例4的元件容纳用封装件的一例的剖视图。 
图9是表示变形例5的元件容纳用封装件的一例的剖视图。 
图10是表示变形例6的元件容纳用封装件的一例的剖视图。 
图11是表示变形例7的元件容纳用封装件的一例的剖视图。 
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。 
如图1以及图2所示，本实施方式的元件容纳用封装件1具备基体2、支承体3、功率用半导体元件4、框体5、功率供给用端子6以及罩体7。另外，在图2中，省略了罩体7的图示。在此，支承体3以及功率用半导体元件4构成本发明的元件搭载用基板的一实施方式。 
基体2例如由陶瓷材料、金属材料、玻璃材料或高耐热的树脂材料等形成。陶瓷材料例如是氧化铝质烧结体、多铝红柱石质烧结体、碳化硅 (SiC)质烧结体、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体或玻璃陶瓷等。另外，金属材料例如是Fe系合金、无氧铜(oxygen free copper)或SUS等。另外，玻璃材料例如是硼硅酸玻璃或石英玻璃等。并且，高耐热性的树脂材料例如是聚酰亚胺等。 
支承体3接合在基体2的上表面上。另外，支承体3的上表面(具体而言是后述的元件搭载部31的主面)接合有功率用半导体元件4。在此，在本实施方式中，功率用半导体元件4是SiC制半导体元件，但是并非限于此，也可以是利用硅元素、氮化镓或金刚石等的半导体元件。即，针对本发明的功率用半导体元件4的种类并没有特别的限定。另外，一般的功率用半导体元件4通常将动作温度的范围例如设定在200℃以上500℃以下。 
在此，本实施方式的支承体3支承功率用半导体元件4，并且对从功率用半导体元件4产生的热进行绝热，且具有向外部进行散热的功能。在此，支承体3例如由陶瓷材料或金属材料等形成。陶瓷材料例如是氧化铝质烧结体、多铝红柱石质烧结体、碳化硅质烧结体、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体或玻璃陶瓷等。另外，金属材料例如是铜-钨复合材料、铜-钼复合材料等。 
如图3所示，支承体3包括具有柱部32的元件搭载部31。元件搭载部31是在主面(一个主面)31a上装载功率用半导体元件4的部件。即，在元件搭载部31的主面31a上装载功率用半导体元件4。由此，可由平板状的元件搭载部31扩散从功率用半导体元件4产生的热。另外，柱部32从元件搭载部31的内面(另一个主面)31b突出，并设有多个。而且，多个柱部32的下表面32a上接合有基体2。另外，针对柱部32间的间隔、柱部32的长度、柱部32的数量等，根据功率用半导体元件4的种类或使用状况而适当任意设定。而且，柱部32彼此之间设有空间P1。 
由于柱部32的热传导率比空间P1大，因此相邻的柱部32之间存在热传导率比柱部32低的蓄热区域。另外，柱部32的热传导率例如设定为1W/(m·K)以上400W/(m·K)以下。 
另外，为了降低从柱部32向基体2传递的热量从而使功率用半导体元件4处于动作温度的范围内，柱部32的下表面32a与基体2之间的接合材料使用例如银-铜钎料、金-锗焊锡、陶瓷粘接剂或高耐热性的树脂粘接剂等材料。 
功率用半导体元件4所产生的热中，大部分热可良好地从支承体3的上方通过下方的柱部32向基体2排出，但是一部分热经由支承体3的上方向空间P1内传递，具有该热滞留在空间P1内的倾向。因此，在功率用半导体元件4的附近区域中，通过降低支承体3的温度，能够防止功率用半导体元件4成为过度的高温。另外，在离开功率用半导体元件4的区域，即在柱部32间的空间P1的附近区域中，能够利用功率用半导体元件4所产生的热来进行良好的蓄热，在良好地抑制封装件内的温度过分降低的基础上，能够良好地抑制从封装件排出的热影响配置在封装件周围的其他电子部件的动作。 
另外，这样的元件容纳用封装件例如作为家电制品的变换器或在发电站/变电站中使用的功率变换装置等各种电子设备的部件而使用。 
框体5设置在基体2的上表面，且包围支承体3以及功率用半导体元件4。在此，框体5例如由陶瓷材料、金属材料、玻璃材料或高耐热的树脂材料等形成。另外，框体5可以与基体2一体形成，也可以与基体2分别独立形成。在框体5与基体2分别独立形成的情况下，例如通过焊锡或钎料等粘接剂来接合框体5与基体2。 
功率供给用端子6是用于向功率用半导体元件4提供功率的端子。因此，功率供给用端子6通过引线(接合引线)W而电连接在功率用半导体元件4上。 
罩体7接合于框体5的上表面。即，罩体7在框体5的上表面通过焊料或钎料材料等粘接剂接合，以便使得由框体5形成的容纳功率用半导体元件4的容纳空间，例如在空气、惰性气体或真空状态下密闭。 
如上所述，根据本实施方式的元件搭载用基板、利用该基板的元件容纳用封装件1，能够以简单的构成对从功率用半导体元件4产生的热进行绝热，并且能够进行散热。其结果，本实施方式的元件搭载用基板、利用该基板的元件容纳用封装件1起到能够在功率用半导体元件的动作温度范围内有效利用从功率用半导体元件所产生的热的效果。 
另外，即使是上述的构成，根据功率用半导体元件4的种类或使用状 况等，也会存在功率用半导体元件4的温度会超过动作温度的隐患。在这样的情况下，如图4所示，在柱部32间的基体2上形成切口部8。此时，滞留在柱部32间的空间P1内的热易从形成了切口部8的基体2向外散发。由此，能够降低从功率用半导体元件4产生的热的温度。也就是说，这是因为形成了切口部8的基体2的厚度变得比未形成切口部8的基体2的厚度薄。即，即使是如图4所示的构成，也能够以简单的构成对从功率用半导体元件4产生的热进行绝热，并且能够进行散热。另外，针对切口部8的深度、切口部8的数量等，根据功率用半导体元件4的种类或使用状况等而适当任意设定。 
另外，在上述内容中，说明了容纳在元件容纳用封装件1内的功率用半导体元件4为一个的情况，但是并未限于此。即，容纳在元件容纳用封装件1内的功率用半导体元件4的数量是任意的。也就是说，也可以在元件容纳用封装件1内容纳多个支承体3、分别装载在多个支承体3之上的多个功率用半导体元件4。另外，也可以在元件容纳用封装件1内容纳1个支承体3、装载在该支承体3之上的多个功率用半导体元件4。 
另外，上述的实施方式表示本发明的实施方式的一个具体例，能够进行各种变更。以下，表示几个主要的变形例。 
(变形例1) 
在上述的实施方式中，如图3所示，说明了具备以下各元件的元件搭载用基板：在主面31a上装载功率用半导体元件4的元件搭载部31、从元件搭载部31的内面31b突出的多个柱部32、与多个柱部32的下表面32a接合的基体2。但是，即使是这样地构成，根据功率用半导体元件4的种类或使用状况，也会存在过度地对从功率用半导体元件4产生的热进行散热的情况。因此，在变形例1的元件搭载用基板1a中，如图5所示，以在支承体3a中包括与多个柱部32的下表面32a连接的底板33为例进行说明。另外，在图5中，对于具有与图3相同功能的构成附加相同的参考标记，并省略其说明。 
如图5所示，变形例1的支承体3a具有元件搭载部31、柱部32、以及底板33。元件搭载部31是在主面31a上搭载功率用半导体元件4的部件。另外，柱部32从元件搭载部31的内面31b突出，并设有多个。另外， 底板33与多个柱部32的下表面32a连接。而且，底板33上接合有基体2。 
如上所述，根据变形例1的元件搭载用基板、以及利用该基板的元件容纳用封装件1a，连接多个柱部32d下表面32a与底部33，并且接合底板33与基体2，因此不会直接向基体2传递从功率用半导体元件4产生的热。因此，与上述的实施方式相比，易在柱部32间(即，元件搭载部31与底板33之间)的空间P1中滞留从功率用半导体元件4产生的热。另外，根据变形例1的元件搭载用基板、利用该基板的元件容纳用封装件1a，由于具备多个柱部32，因此能够从多个柱部32的侧面32b对从功率用半导体元件4产生的热进行散热。另外，也能够从与底板33接合的基体2对从功率用半导体元件4产生的热进行散热。如上所述，根据变形例1的元件搭载用基板、利用该基板的元件容纳用封装件1a，与上述的实施方式相比，能够更好地对从功率用半导体元件4产生的热进行绝热，而且在某一程度上进行散热。 
(变形例2) 
在上述的变形例1中，如图5所示，说明具备以下各元件的元件搭载用基板：主面31a上装载半导体元件4的平板状的元件搭载部31、从元件搭载部31的内面31b突出的多个柱部32、与多个柱部32的下表面32a连接的底板33、与底板33接合的基体2。但是，即使是这样的构成，根据功率用半导体元件4的种类或使用状况，也会存在过度地对从功率用半导体元件4产生的热进行散热的情况。因此，在变形例2的元件搭载用基板1b中，如图6所示，在支承体3上设置连接在元件搭载部31的内面31b上且包围多个柱部32的围绕部。在此，作为围绕部，以侧面板34为例进行说明。另外，在图6中，对于具有与图3相同功能的构成附加相同的参照标记，并省略其说明。 
如图6所示，变形例2的支承体3b具备元件搭载部31、柱部32、以及侧面板34。元件搭载部31是在主面31a上装载功率用半导体元件4的部件。另外，柱部32从元件搭载部31的内面31b突出，并设有多个。另外，侧面板34连接在元件搭载部31的内面31b上，且设置为围绕多个柱部32。而且，多个柱部32的下表面32a以及侧面板34的下表面34a上接合有基体2。 
即，根据变形例2的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件1b，具备连接在元件搭载部31的内面31b上且设置为围绕多个柱部32的侧面板34。因此，与变形例1相比，从功率用半导体元件4产生的热容易滞留在柱部32间(即，元件搭载部31与基体2之间)的空间P1中。另外，根据变形例2的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件1b，能够从侧面板34以及基体2对从功率用半导体元件4产生的热进行散热。如上所述，根据变形例2的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件1b，与变形例1相比，能够进一步对从功率用半导体元件4产生的热进行绝热，而且能够进行某一程度的散热。 
(变形例3) 
在上述的变形例2中，如图6所示，说明了具备以下元件的元件搭载用基板：主面31a上装载功率用半导体元件4的平板状的元件搭载部31、从元件搭载部31的内面31b突出的多个柱部32、与元件搭载部31的内面31b连接且设置为包围多个柱部32的侧面板34、与多个柱部32的下表面32a以及侧面板34的下表面34a接合的基体2。但是，即使是这样的构成，根据功率用半导体元件4的种类或使用状况，也会存在过度地对从功率用半导体元件4产生的热进行散热的情况。因此，在变形例3的元件搭载用基板1c中，如图7所示，以在支承体3c中包括连接了多个柱部32的下表面32a以及侧面板35的下表面35a的底板36为例进行说明。另外，在图7中，对于具有与图3相同功能的构成附加相同的参照标记，并省略其说明。 
如图7所示，变形例3的支承体3c具备元件搭载部31、柱部32、侧面板35、以及底板36。元件搭载部31是在主面31a上装载功率用半导体元件4的部件。另外，柱部32从元件搭载部31的内面31b突出，并设有多个。另外，侧面板35连接在元件搭载部31的内面31b上，且设置为围绕多个柱部32。另外，底板36与多个柱部32的下表面32a以及侧面板35的下表面35a连接。而且，底板36上接合有基体2。 
也就是说，根据变形例3的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件1b，由于多个柱部32的下表面32a以及侧面板35的下表面35与底板36连接，并且底板36与基体2接合，因此不会直接向基体2传递从功率用半导体元件4产生的热。并且，由于具备连接在元件搭载部31的内面31b上且设置为围绕多个柱部32的侧面板35，因此与变形例2相比，从功率用半导体元件4产生的热容易滞留在柱部32间(即，元件搭载部31与底板36之间)的空间P1中。另外，根据变形例3的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件1c，能够从侧面板35以及基体2对从功率用半导体元件4产生的热进行散热。如上所述，根据变形例3的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件1c，与变形例2相比，能够进一步对从功率用半导体元件4产生的热进行绝热，而且能够进行某一程度的散热。 
(变形例4) 
如图8所示，变形例4的元件容纳用封装件1d代替图1所示的支承体3而具备支承体3d。另外，在图8中，对于具有与图3相同功能的构成附加相同的参照标记，并省略其说明。 
如图8所示，变形例4的元件搭载用基板1d具备在上表面装载半导体元件4的支承体3d。另外，变形例4的基体2与支承体3d的下表面接合。而且，支承体3d在内部形成有多个气孔B。另外，在支承体3d例如由陶瓷材料形成的情况下，支承体3d内部的多个气孔B例如按照以下方式形成。即，预先在陶瓷材料中混合多个树脂珠。之后，通过将陶瓷材料与树脂珠一起在规定的温度下进行煅烧，从而使树脂珠分解。由此，不存在树脂珠的地方成为气孔B，并且在支承体3d的内部形成多个气孔B。另外，这仅仅是一个例子，对于在支承体3d的内部形成气孔B的方法并没有特别的限定。 
也就是说，根据变形例4的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件1d，由于在支承体3d的内部形成有多个气孔B，因此从功率用半导体元件4产生的热容易滞留在形成于支撑体3d的内部的多个气孔B中。另外，根据变形例4的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件1d，能够从与支承体3d的下表面接合的基体2对从功率用半导体元件4产生的热进行散热。如上所述，根据变形例4的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件1d，能够以简单的构成对从功率用半导体元件4产生的热进行绝热，并且能够进行散热。 
在此，如图8所示，优选形成在支承体3d的内部中的多个气孔B的气孔率随着从支承体3d的功率用半导体元件4侧向基体2侧而变高。即，气孔率越高，则热的传递特性就越低(很难传递热)。因此，根据随着从支承体3d的功率用半导体元件4侧向基体2侧气孔率变高，能够使从功率用半导体元件4产生的热滞留在基体2侧的支承体3d的气孔B中，而不是滞留在功率用半导体元件4侧的支承体3d的气孔B中。另外，即使从其他电子部件产生的热通过基体2传递到支承体3d，该热也有可能滞留在基体2侧的支承体3d的气孔B中。由此，能够降低功率用半导体元件4超过动作温度的可能性。 
(变形例5) 
在上述的实施方式以及变形例1～4中，说明了在元件容纳用封装件1、1a～1d内只容纳支承体3、3a～3d、以及功率用半导体元件4的例子。但是，如图9所示，也可以在元件容纳用封装件1e内，与支承体3以及功率用半导体元件4一起还容纳接合于基体2的上表面的台座11、装载于台座11的上表面的电子部件12。即，框体5设置为在基体2的上表面且包围功率用半导体元件4和电子部件12。在此，电子部件12例如是电阻器、压电元件、晶体振荡器或陶瓷振荡器等。由此，能够在元件容纳用封装件1e内容纳功率用半导体元件4以及电子部件12这两者。另外，也可以代替电子部件12而使用半导体元件(例如，SiC制半导体元件、Si制半导体元件、利用氮化镓或金刚石等的半导体元件)。 
另外，在图9中，图示了容纳在元件容纳用封装件1e内的支承体为上述的实施方式中所说明的支承体3(参照图3)的情况，但是并非限于此。即，容纳在元件容纳用封装件1e内的支承体可以是变形例1的支承体3a(参照图5)、变形例2的支承体3b(参照图6)、变形例3的支承体3c(参照图7)、变形例4的支承体3d(参照图8)。在此，为了使从功率用半导体元件4产生的热不会影响电子部件12，优选使用绝热性高的支承体。例如，是变形例2的支承体3b或者变形例3的支承体3c。 
另外，在上述中，说明了容纳在元件容纳用封装件1e内的电子部件12为一个的情况，但是并非仅限于此。即，容纳在元件容纳用封装件1e内的电子部件12的数量是任意的。 
(变形例6) 
在上述的变形例5的图9中，图示了台座11为长方体的例子。但是，在上述的变形例5中，从功率用半导体元件4产生的热通过支承体3、基体2、以及台座11传递到电子部件12。因此，电子部件12受到很大程度的从功率用半导体元件4产生的热的影响。因此，由于从功率用半导体元件4产生的热，存在电子部件12产生故障的可能性。因此，在变形例6中，如图10所示，说明在柱部132间的基体2中形成切口部14的例子。另外，代替电子部件12，也可以使用半导体元件(例如，SiC制半导体元件、Si制半导体元件、利用氮化镓或金刚石等的半导体元件)。 
如图10所示，变形例6的元件容纳用封装件1f的台座13具有在主面(一个主面)上装载有电子部件12的平板状的电子部件搭载部131、从电子部件搭载部131的内面(另一个主面)突出的多个柱部132。另外，在多个柱部132的下表面接合有基体2。 
在此，柱部132间的基体2中形成有切口部14。该切口部14随着远离功率用半导体元件4，在基体2的厚度方向上被深深地切入。由此，如图10的箭头(热的路径)所示，从功率用半导体元件4产生的热易从切口部14的下方的基体2散发至元件容纳用封装件1f的外部。因此，根据变形例6的元件容纳用封装件1f，电子部件12能够抑制从功率用半导体元件4产生的热的影响。 
(变形例7) 
在上述的实施方式中，如图3所示，说明了具备以下元件的元件搭载用基板：在主面31a上装载功率用半导体元件4的元件搭载部31、从元件搭载部31的内面31b突出的多个柱部32、与多个柱部32的下表面32a接合的基体2。但是，即使是这样的构成，根据功率用半导体元件4的种类或使用状况，也会存在过度地对从功率用半导体元件4产生的热进行散热的情况。在此，如图11所示，变形例7的元件容纳用封装件1d代替设置在图1所示的柱部彼此间的空间P1，在柱部彼此间设置了保温材料P2。另外，在图11中，对于具有与图3相同功能的构成附加相同的参照标记，并省略其说明。 
如图11所示，变形例7的支承体3a具备元件搭载部31、柱部32。 元件搭载部31是在主面31a上装载功率用半导体元件4的部件。另外，柱部32从元件搭载部31的内面31b突出，并设有多个。另外，底板33与多个柱部32的下表面32a连接。而且，底板33上接合有基体2。另外，在柱部32彼此间设有保温材料P2。 
保温材料P2由热传导率比柱部32低的材料构成。保温材料P2例如由玻璃、高耐热的树脂等材料构成，并且加工成纤维状或者由内部形成有气泡的材料构成。保温材料P2的热传导率例如设定为0.02W/(m·K)以上2W/(m·K)以下。 
如上所述，根据变形例7的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件1a，由于在多个柱部32彼此间设有保温材料P2，因此不会直接向基体2传递从功率用半导体元件4产生的热。因此与上述的实施方式相比，从功率用半导体元件4产生的热易滞留在柱部32间(即，元件搭载部31与底板33之间)的保温材料P2中。如上所述，根据变形例7的元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件1a，与上述的实施方式相比，能够进一步在元件容纳用封装件1a内对从功率用半导体元件4产生的热保温。 

Claims (11)

1.一种元件容纳用封装件，具备：
元件搭载用基板，该元件搭载用基板具备：支承体，其具有用于在一个主面上装载功率用半导体元件的元件搭载部，并且具有设置为在厚度方向上离开所述元件搭载部且互相隔着间隔而配置的多个柱部；以及蓄热区域，其设置在所述柱部间，且热传导率比所述支承体低；
框体，其在内部容纳所述元件搭载用基板，且设置为包围所述功率用半导体元件；
台座，其在所述框体内装载电子部件；和
罩体，其接合在所述框体的上表面上。
2.根据权利要求1所述的元件容纳用封装件，其中，
在所述元件搭载用基板中，所述支承体还具备围绕部，该围绕部设置为包围所述多个柱部。
3.一种元件容纳用封装件，具备：
元件搭载用基板，该元件搭载用基板具备：支承体，其具有用于在一个主面上装载功率用半导体元件的元件搭载部，并且具有设置为在厚度方向上离开所述元件搭载部且互相隔着间隔而配置的多个柱部；以及蓄热区域，其设置在所述柱部间，且热传导率比所述支承体低；
框体，其在内部容纳所述元件搭载用基板，且设置为包围所述功率用半导体元件；和
罩体，其接合在所述框体的上表面上，
所述柱部间设有保温材料。
4.根据权利要求3所述的元件容纳用封装件，其中，
所述保温材料的热传导率比所述柱部的热传导率小。
5.根据权利要求1至4的任一项所述的元件容纳用封装件，其中，
所述功率用半导体元件是由SiC构成的半导体元件。
6.一种电子装置，具备：
权利要求1至4的任一项所述的元件容纳用封装件；和
容纳在所述元件容纳用封装件内的功率用半导体元件以及电子部件。
7.一种元件搭载用基板，具备：
支承体，其具有用于在一个主面上装载功率用半导体元件的元件搭载部，并且具有设置为在厚度方向上离开所述元件搭载部且互相隔着间隔而配置的多个柱部；
蓄热区域，其设置在所述柱部间，且热传导率比所述支承体低；和
基体，其通过所述柱部而与所述支承体接合，
所述柱部间的所述基体中形成有切口部。
8.根据权利要求7所述的元件搭载用基板，其中，
所述支承体还具备围绕部，该围绕部设置为包围所述多个柱部。
9.一种元件搭载用基板，具备：
支承体，其具有用于在一个主面上装载功率用半导体元件的元件搭载部，并且具有设置为在厚度方向上离开所述元件搭载部且互相隔着间隔而配置的多个柱部；
蓄热区域，其设置在所述柱部间，且热传导率比所述支承体低；和
基体，其通过所述柱部而与所述支承体接合，
所述柱部间设有保温材料。
10.根据权利要求9所述的元件搭载用基板，其中，
所述保温材料的热传导率比所述柱部的热传导率小。
11.根据权利要求7至10的任一项所述的元件搭载用基板，其中，
所述功率用半导体元件是由SiC构成的半导体元件。
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