JPWO2010035663A1 - 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ - Google Patents

誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ Download PDF

Info

Publication number
JPWO2010035663A1
JPWO2010035663A1 JP2010530817A JP2010530817A JPWO2010035663A1 JP WO2010035663 A1 JPWO2010035663 A1 JP WO2010035663A1 JP 2010530817 A JP2010530817 A JP 2010530817A JP 2010530817 A JP2010530817 A JP 2010530817A JP WO2010035663 A1 JPWO2010035663 A1 JP WO2010035663A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric ceramic
capacitor
ceramic composition
dielectric
multilayer ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010530817A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5343974B2 (ja
Inventor
池田 潤
潤 池田
祥一郎 鈴木
祥一郎 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2010530817A priority Critical patent/JP5343974B2/ja
Publication of JPWO2010035663A1 publication Critical patent/JPWO2010035663A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5343974B2 publication Critical patent/JP5343974B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H01G4/1227Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C04B35/4682Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/638Removal thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/12Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30Stacked capacitors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3227Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3239Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6582Hydrogen containing atmosphere
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6583Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
    • C04B2235/6584Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6588Water vapor containing atmospheres
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/79Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

たとえば車載用のような高温環境下で使用される積層セラミックコンデンサにおいて用いるのに適した誘電体セラミック組成物を提供する。組成式:100(Ba1-xCax)mTiO3+aMgO+bV2O5+cSiO2+dR2O3(ただし、RはY、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、TmおよびYbの中から選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、a、b、cおよびdはモル比を表わす。)で表わされ、かつ、0.03≦x≦0.20、0.99≦m≦1.03、0.10≦a≦5.0、0.025≦b≦2.5、0.20≦c≦8.0、および2.5≦d<3.5の各条件を満たす、誘電体セラミック組成物。この誘電体セラミック組成物の焼結体によって、積層セラミックコンデンサ(1)の誘電体セラミック層(3)を構成する。

Description

この発明は、誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、たとえば車載用のような高温環境下で使用される積層セラミックコンデンサにおいて用いるのに適した誘電体セラミック組成物、およびそれを用いて構成された積層セラミックコンデンサに関するものである。
積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極を構成する導電性材料として、NiまたはNi合金のような卑金属を使用可能とするため、誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミック組成物として、低酸素分圧下で焼成しても半導体化しないものが要望される。さらに、誘電体セラミック組成物として、比誘電率の温度特性が平坦なものが要望される。そして、これらの要望を満たし得る誘電体セラミック組成物が種々提案されている。
この発明にとって興味ある誘電体セラミック組成物として、たとえば特開2005−194138号公報(特許文献1)に記載されたものがある。特許文献1では、組成式:100(Ba1-xCaxmTiO3+aMnO+bV25+cSiO2+dRe23(ただし、ReはY、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、TmおよびYbの中から選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、a、b、cおよびdはモル比を表わす。)で表わされ、かつ、
0.030≦x≦0.20、
0.990≦m≦1.030、
0.010≦a≦5.0、
0.050≦b≦2.5、
0.20≦c≦8.0、および
0.050≦d≦2.5
の各条件を満たす、誘電体セラミック組成物が記載されている。
一方、積層セラミックコンデンサには、一般的な民生機器用の他、たとえば車載用といった用途がある。積層セラミックコンデンサに対し要求される特性は、一般民生機器用の場合と車載用の場合とは必ずしも同じではない。
たとえば、静電容量温度特性については、一般民生機器用の場合には、EIA規格のX7R特性(25℃を基準として、−55℃〜125℃の範囲内における静電容量の温度変化率が±15%以内)を満たすことが要求されるのに対し、車載用の場合には、同規格のX8R特性(25℃を基準として、−55℃〜150℃の範囲内における静電容量の温度変化率が±15%以内)を満たすことが要求される。
また、高温負荷信頼性については、一般民生機器用の場合には、150℃の温度条件下で評価されるが、車載用の場合には、175℃の温度条件下で評価される。なお、負荷電圧は、製品としての積層セラミックコンデンサが向けられる用途に応じて決定される。
このような背景の下、前述した特許文献1に記載の誘電体セラミック組成物は、車載用の積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラミック層を構成するために用いるのに必ずしも適していない。
すなわち、特許文献1に記載の誘電体セラミック組成物は、150℃で電界強度10V/μmの直流電圧が印加された際の高温負荷信頼性については、平均故障時間で100時間以上と優れることが確認されているが、175℃で電界強度10V/μmの直流電圧が印加された際の高温負荷信頼性については、特許文献1に記載されていない。
特許文献1に記載の誘電体セラミック組成物において、信頼性を向上させるためにRe添加量を多くした場合、比誘電率の温度変化率が劣化することになり、したがって、高い信頼性と比誘電率の平坦な温度変化率との両立が不可能である。
また、特許文献1に記載の誘電体セラミック組成物は、比誘電率の温度変化率について、−55℃〜125℃の範囲で絶対値15%以内を満足できたが、−55℃〜150℃の範囲では15%以内を満足できないことがわかった。
特開2005−194138号公報
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る誘電体セラミック組成物、すなわち、たとえば車載用のような高温環境下で使用される積層セラミックコンデンサにおいて用いるのに適した誘電体セラミック組成物を提供しようとすることである。
この発明の他の目的は、上述した誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。
上述した技術的課題を解決するため、この発明に係る誘電体セラミック組成物は、組成式:100(Ba1-xCaxmTiO3+aMgO+bV25+cSiO2+dR23(ただし、RはY、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、TmおよびYbの中から選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、a、b、cおよびdはモル比を表わす。)で表わされ、かつ、
0.03≦x≦0.20、
0.99≦m≦1.03、
0.10≦a≦5.0、
0.025≦b≦2.5、
0.20≦c≦8.0、および
2.5≦d<3.5
の各条件を満たすことを特徴としている。
この発明に係る誘電体セラミック組成物において、上記(Ba1-xCaxmTiO3で表わされる化合物100モル部に対して、MnOを0.005〜5.0モル部さらに含むことが好ましい。
この発明は、また、積層された複数の誘電体セラミック層、および誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極をもって構成される、コンデンサ本体と、コンデンサ本体の外表面上の互いに異なる位置に形成され、かつ内部電極の特定のものに電気的に接続される、複数の外部電極とを備える、積層セラミックコンデンサにも向けられる。この発明に係る積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層が上述のこの発明に係る誘電体セラミック組成物の焼結体からなることを特徴としている。
この発明に係る積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極を構成する導電性材料は、Ni、Ni合金、CuおよびCu合金の中から選ばれる少なくとも1種を主成分とすることが好ましい。
この発明に係る誘電体セラミック組成物によれば、Mgが添加されているので、R添加量の増加に伴って、高温における信頼性を高くすることができ、かつ、150℃までの比誘電率の温度変化率を小さくすることができる。
より具体的には、この発明によれば、比誘電率が1500以上でありながら、比誘電率の温度特性が、EIA規格のX8R特性を満足するよう平坦であり、絶縁抵抗が、25℃での抵抗率で1011Ω・m以上と高く、また、高温負荷信頼性が、175℃で電界強度10V/μmの直流電圧が印加された際の平均故障寿命で200時間以上と高い、誘電体セラミック組成物を得ることができる。
したがって、この発明に係る誘電体セラミック組成物を積層セラミックコンデンサに適用することにより、電子機器の高機能化および高集積化によって、厳しくなっている使用条件に対しても、優れた高温負荷信頼性を確保することができる。したがって、積層セラミックコンデンサを車載用に適したものとすることができる。
また、この発明に係る誘電体セラミック組成物は、低酸素分圧下で焼成しても半導体化しないので、積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極を構成する導電性材料として、Ni、Ni合金、CuおよびCu合金の中から選ばれる少なくとも1種といった卑金属を主成分とするものを有利に用いることができる。
この発明に係る誘電体セラミック組成物において、Mnが添加されると、さらに高い信頼性が得ることができる。
この発明に係る誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサ1を図解的に示す断面図である。
図1は、この発明に係る誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサ1を図解的に示す断面図である。
積層セラミックコンデンサ1は、コンデンサ本体2を備えている。コンデンサ本体2は、積層される複数の誘電体セラミック層3と、複数の誘電体セラミック層3の間の特定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成される複数の内部電極4および5とをもって構成される。内部電極4および5は、コンデンサ本体2の外表面にまで到達するように形成されるが、コンデンサ本体2の一方の端面6にまで引き出される内部電極4と、他方の端面7にまで引き出される内部電極5とが、コンデンサ本体2の内部において交互に配置されている。
コンデンサ本体2の外表面上であって、端面6および7上には、外部電極8および9がそれぞれ形成されている。また、必要に応じて、外部電極8および9上には、Ni、Cu等からなる第1のめっき層10および11がそれぞれ形成され、さらにその上には、はんだ、Sn等からなる第2のめっき層12および13がそれぞれ形成されている。
次に、上述のような積層セラミックコンデンサ1の製造方法について、製造工程順に説明する。
まず、誘電体セラミック組成物のための原料粉末を用意し、これをスラリー化し、このスラリーをシート状に成形して、誘電体セラミック層3のためのグリーンシートを得る。ここで、誘電体セラミック原料粉末として、後に詳細に説明するように、この発明に係る誘電体セラミック組成物のための原料粉末が用いられる。
次に、グリーンシートの特定のものの各一方主面に、内部電極4および5を形成する。内部電極4および5を構成する導電性材料は、Ni、Ni合金、Cu、およびCu合金の中から選ばれる少なくとも1種を主成分とするが、特にNiまたはNi合金を主成分とすることが好ましい。これら内部電極4および5は、通常、上述のような導電性材料を含む導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷法や転写法により形成されるが、これらに限らず、どのような方法によって形成されてもよい。
次に、内部電極4または5を形成した誘電体セラミック層3のためのグリーンシートを必要数積層するとともに、これらグリーンシートを、内部電極が形成されない適当数のグリーンシートによって挟んだ状態とし、これを熱圧着することによって、生のコンデンサ本体を得る。
次に、この生のコンデンサ本体を、所定の還元性雰囲気中で所定の温度にて焼成し、それによって、図1に示すような焼結後のコンデンサ本体2を得る。
その後、コンデンサ本体2の両端面6および7上に、内部電極4および5とそれぞれ電気的に接続されるように、外部電極8および9を形成する。これら外部電極8および9の材料としては、Ni、Ni合金、Cu、Cu合金、AgまたはAg合金等を用いることができる。外部電極8および9は、通常、金属粉末にガラスフリットを添加して得られた導電性ペーストを、コンデンサ本体2の両端面6および7上に塗布し、これを焼き付けることによって形成される。
なお、外部電極8および9となるべき導電性ペーストは、通常、上述のように、焼結後のコンデンサ本体2に塗布され、焼き付けられるが、焼成前の生のコンデンサ本体に塗布しておき、コンデンサ本体2を得るための焼成と同時に焼き付けられてもよい。
次に、外部電極8および9上に、Ni、Cu等のめっきを施し、第1のめっき層10および11を形成する。最後に、これら第1のめっき層10および11上に、はんだ、Sn等のめっきを施し、第2のめっき層12および13を形成し、積層セラミックコンデンサ1を完成させる。
このような積層セラミックコンデンサ1において、誘電体セラミック層3は、組成式:100(Ba1-xCaxmTiO3+aMgO+bV25+cSiO2+dR23(ただし、RはY、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、TmおよびYbの中から選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、a、b、cおよびdはモル比を表わす。)で表わされる、誘電体セラミック組成物の焼結体から構成される。
ただし、上記の組成式において、x、m、a、b、cおよびdは、それぞれ、
0.03≦x≦0.20、
0.99≦m≦1.03、
0.10≦a≦5.0、
0.025≦b≦2.5、
0.20≦c≦8.0、および
2.5≦d<3.5
の各条件を満たす。
この誘電体セラミック組成物は、還元性雰囲気のような低酸素分圧下で焼成しても、半導体化することなく、焼結させることができる。
また、この誘電体セラミック組成物を用いて、積層セラミックコンデンサ1における誘電体セラミック層3を構成するようにすれば、比誘電率が1500以上でありながら、比誘電率の温度特性を、EIA規格のX8R特性を満足するよう平坦とし、絶縁抵抗を、25℃での抵抗率で1011Ω・m以上と高く、また、高温負荷信頼性を、175℃で電界強度10V/μmの直流電圧が印加された際の平均故障寿命で200時間以上と高くすることができる。
このような誘電体セラミック組成物の出発原料は、(Ba1-xCaxmTiO3で表わされる化合物、Mg化合物、V化合物、Si化合物およびR化合物(ただし、Rは、Y、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、TmおよびYbの中から選ばれる少なくとも1種の金属元素)を含むものであるが、誘電体セラミック組成物の原料粉末の製造方法としては、(Ba1-xCaxmTiO3で表わされる化合物を実現し得るものであればどのような方法を用いてもよい。
たとえば、(Ba1-xCaxmTiO3で表わされる化合物を主成分、それ以外の成分を副成分と呼ぶ場合、BaCO3、CaCO3およびTiO2を混合する工程と、主成分を合成するためにこの混合物を熱処理する工程と、得られた主成分に副成分を加えて混合する工程とを備える製造方法によって、誘電体セラミック組成物の原料粉末を得ることができる。
また、水熱合成法、加水分解法、あるいはゾル−ゲル法等の湿式合成法によって主成分を合成する工程と、得られた主成分に副成分を加えて混合する工程とを備える製造方法によっても、誘電体セラミック組成物の原料粉末を得ることができる。
また、副成分であるMg化合物、V化合物、Si化合物およびR化合物としては、誘電体セラミック組成物を構成できるものであれば、酸化物粉末に限らず、アルコキシドや有機金属等の溶液を用いてもよく、これら用いられる副成分の形態によって、得られた誘電体セラミック組成物の特性が損なわれることはない。
また、上述したような誘電体セラミック組成物は、焼成されて、図1に示した積層セラミックコンデンサ1の誘電体セラミック層3となるが、このような焼成工程において、内部電極4および5に含まれるNi、Ni合金、CuまたはCu合金のような金属は、誘電体セラミック層3中に拡散する場合もあるが、上記の誘電体セラミック組成物によれば、このような金属成分が拡散しても、その電気的特性に実質的な影響がないことを確認している。
次に、この発明を実験例に基づいてより具体的に説明する。この実験例は、この発明に係る誘電体セラミック組成物の組成範囲の限定の根拠を与えるためのものでもある。
この実験例において、試料として、図1に示すような積層セラミックコンデンサを作製した。
まず、主成分である(Ba1-xCaxmTiO3の出発原料として、高純度のBaCO3、CaCO3およびTiO2の各粉末を準備し、表1に示すCaの含有量、すなわち「Ca変性量:x」、および「(Ba、Ca)/Ti比:m」が得られるように、これら出発原料粉末を調合した。
次に、この調合原料粉末をボールミルを用いて湿式混合し、均一に分散させた後、乾燥処理を施して調整粉末を得た。
次に、得られた調整粉末を1000℃から1200℃の温度で仮焼し、平均粒径0.20μmで、表1に示すxおよびmである主成分粉末を得た。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡によって粉末を観察し、300個の粒子の粒子径を測長して求めた。
また、副成分の出発原料として、MgCO3、V25、SiO2およびR23(ただし、RはY、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、TmおよびYbの中のいずれか)の各粉末を準備し、表1に示すx、m、a、b、cおよびdにそれぞれ選ばれた、組成式:100(Ba1-xCaxmTiO3+aMgO+bV25+cSiO2+dR23で表わされる組成が得られるように、上記主成分粉末と各副成分の出発原料粉末とを調合した。
Figure 2010035663
次に、この調合粉末を、ボールミルを用いて湿式混合し、均一に分散させた後、乾燥処理を施して、誘電体セラミック組成物の原料粉末を得た。
次に、この誘電体セラミック原料粉末にポリビニルブチラール系のバインダ、可塑剤およびエタノール等の有機溶剤を加え、ボールミルにより湿式混合して、誘電体セラミック組成物を含むスラリーを得た。
次に、このスラリーを、ポリエチレンテレフタレートからなるキャリアフィルム上にシート状に成形して、誘電体セラミック組成物を含むグリーンシートを得た。得られたグリーンシートの厚みは1.4μmであった。
次に、得られたグリーンシート上に、Niを主成分とする導電性ペーストを用いて内部電極パターンを印刷した後、互いに対向して複数の静電容量を構成するように6層積み重ね、さらにその上下面に内部電極パターンが形成されないセラミックグリーンシートを適当数積み重ねて熱圧着し、生のコンデンサ本体を得た。
次に、この生のコンデンサ本体を、N2雰囲気中において、350℃の温度で3時間保持して脱バインダし、その後、N2−H2−H2Oの混合ガスを用いて、内部電極に含まれるNiが酸化しない酸素分圧10-12〜10-9MPaに設定された還元性雰囲気中で、表2に示す温度でそれぞれ2時間保持して焼成し、焼結したコンデンサ本体を得た。
次に、得られたコンデンサ本体の両端面に、Agを主成分とし、B23−SiO2−BaO系のガラスフリットを含有する導電性ペーストを塗布し、N2雰囲気中において600℃の温度で焼き付けることにより、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
次に、外部電極上に、公知の方法にてNiめっき処理を施して第1のめっき層を形成し、その上にSnめっき処理を施して第2のめっき層を形成した。
このようにして得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅が5.0mm、長さが5.7mm、および厚さが2.4mmであった。また、有効な誘電体セラミック層の数は5であり、1層当たりの対向電極面積は16.3mm2であり、誘電体セラミック層の厚さは1.0μmであった。
これら得られた各試料にかかる積層セラミックコンデンサについて、静電容量(C)および誘電損失(tanδ)を、自動ブリッジ式測定器を用い、25℃において1Vrms、1kHzの交流電圧を印加して測定し、得られたCと内部電極面積および誘電体セラミック層の厚さとから比誘電率(εr)を算出した。
また、−55℃から150℃の範囲内で、温度を変化させながら静電容量を測定し、25℃での静電容量(C25)を基準として、変化の絶対値が最大となった静電容量(CTC)についての温度変化率(ΔCTC)を、ΔCTC={(CTC−C25)/C25}の式に基づいて算出した。
また、絶縁抵抗(IR)を、絶縁抵抗計を用い、25℃において25Vの直流電圧を120秒間印加して測定し、得られたIRと積層セラミックコンデンサの構造に基づき抵抗率(ρ)を算出した。
また、高温負荷信頼性試験として、温度175℃において10Vの直流電圧を印加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定し、各試料の絶縁抵抗値が10Ω以下になった時点を故障とし、それらの平均故障時間(MTTF)を求めた。
以上の電気的特性の評価結果を表2に示す。
Figure 2010035663
表2に示した各電気的特性についての好ましい範囲は、εrについては、1500以上であり、tanδについては、7.5%以下であり、ΔCTCについては、その絶対値が15%以下であり、ρについては、これをlogρ(ρの単位:Ω・m)で表わした場合に、11以上であり、MTTFについては、200時間以上である。
表1および表2において、試料番号に*を付したものは、この発明に係る組成範囲から外れた試料である。
以下に、この発明において、前述したような組成範囲に限定した理由について説明する。
まず、x<0.03の場合、試料1のように、ΔCTCの絶対値が15%を超え、MTTFが200時間未満となる。他方、x>0.20の場合、試料2のように、εが1500未満となり、tanδが7.5%を超え、MTTFが200時間未満となる。
次に、m<0.99の場合は、試料3のように、logρが11未満となり、またMTTFが著しく短くなる。他方、m>1.03の場合は、試料4のように、εが1500未満となり、logρが11未満となる。
次に、a<0.10の場合は、試料5のように、logρが11未満となり、ΔCTCについては、その絶対値が15%以下となる。他方、a>5.0の場合は、試料6のように、logρが11未満となり、MTTFが200時間未満となる。
また、b<0.025の場合は、試料7のように、ΔCTCの絶対値が15%を超え、MTTFが200時間未満となる。他方、b>2.5の場合は、試料8のように、εが1500未満となり、logρが11未満となる。
また、c<0.20の場合は、試料9のように、εが1500未満となり、logρが11未満となり、MTTFが200時間未満となる。他方、c>8.0の場合は、試料10のように、ΔCTCの絶対値が15%を超え、logρが11未満となる。
また、d<2.5の場合は、試料11のように、ΔCTCの絶対値が15%を超え、MTTFが200時間未満となる。他方、d≧3.5の場合は、試料12のように、εが1500未満となり、logρが11未満となり、MTTFが200時間未満となる。
これらに対して、この発明の範囲内にある試料13〜50によれば、εを1500以上と大きく、tanδを5%以下と小さく、ΔCTCについては、その絶対値を15%以下と小さく、logρについては、これを11以上と高く、さらに、MTTFについては、これを200時間以上と長くすることができる。
また、この発明の範囲内にある試料13〜50のうち、(Ba1−xCaTiOで表わされる化合物100モル部に対して、MnOが0.005〜5.0モル部の含有量の範囲にある試料34〜50に関しては、MTTFを300時間以上とさらに長くすることができる。
1 積層セラミックコンデンサ
2 コンデンサ本体
3 誘電体セラミック層
4,5 内部電極
8,9 外部電極

Claims (4)

  1. 組成式:100(Ba1-xCaxmTiO3+aMgO+bV25+cSiO2+dR23(ただし、RはY、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、TmおよびYbの中から選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、a、b、cおよびdはモル比を表わす。)で表わされ、かつ、
    0.03≦x≦0.20、
    0.99≦m≦1.03、
    0.10≦a≦5.0、
    0.025≦b≦2.5、
    0.20≦c≦8.0、および
    2.5≦d<3.5
    の各条件を満たす、誘電体セラミック組成物。
  2. 前記(Ba1-xCaxmTiO3で表わされる化合物100モル部に対して、MnOを0.005〜5.0モル部さらに含む、請求項1に記載の誘電体セラミック組成物。
  3. 積層された複数の誘電体セラミック層、および前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極をもって構成される、コンデンサ本体と、
    前記コンデンサ本体の外表面上の互いに異なる位置に形成され、かつ前記内部電極の特定のものに電気的に接続される、複数の外部電極と
    を備え、
    前記誘電体セラミック層が請求項1または2に記載の誘電体セラミック組成物の焼結体からなる、積層セラミックコンデンサ。
  4. 前記内部電極を構成する導電性材料は、Ni、Ni合金、CuおよびCu合金の中から選ばれる少なくとも1種を主成分とする、請求項3に記載の積層セラミックコンデンサ。
JP2010530817A 2008-09-24 2009-09-15 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ Active JP5343974B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010530817A JP5343974B2 (ja) 2008-09-24 2009-09-15 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008243613 2008-09-24
JP2008243613 2008-09-24
JP2010530817A JP5343974B2 (ja) 2008-09-24 2009-09-15 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
PCT/JP2009/066089 WO2010035663A1 (ja) 2008-09-24 2009-09-15 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2010035663A1 true JPWO2010035663A1 (ja) 2012-02-23
JP5343974B2 JP5343974B2 (ja) 2013-11-13

Family

ID=42059664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010530817A Active JP5343974B2 (ja) 2008-09-24 2009-09-15 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8400755B2 (ja)
JP (1) JP5343974B2 (ja)
KR (1) KR101383568B1 (ja)
CN (1) CN102149653A (ja)
DE (1) DE112009002221B4 (ja)
WO (1) WO2010035663A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5251913B2 (ja) * 2010-03-29 2013-07-31 株式会社村田製作所 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
JP2012041226A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Tdk Corp 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品
WO2012096223A1 (ja) * 2011-01-12 2012-07-19 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法
KR101464185B1 (ko) * 2011-02-14 2014-11-21 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법
KR102166127B1 (ko) * 2015-12-28 2020-10-15 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
KR102516759B1 (ko) * 2016-01-05 2023-03-31 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터의 제조 방법
JP7047526B2 (ja) * 2018-03-27 2022-04-05 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品
JP7327735B2 (ja) * 2019-07-29 2023-08-16 サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. 誘電体磁器組成物
US11476048B2 (en) 2019-07-29 2022-10-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Dielectric material and multilayer ceramic capacitor including the same
CN112723880B (zh) * 2020-08-12 2023-04-07 苏州鱼得水电气科技有限公司 一种耐高腐蚀的复合压电陶瓷材料的制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3091192B2 (ja) * 1998-07-29 2000-09-25 ティーディーケイ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
JP3568030B2 (ja) 1999-02-26 2004-09-22 Tdk株式会社 誘電体磁器組成物の製造方法と誘電体層含有電子部品の製造方法
US6556422B2 (en) * 2000-07-05 2003-04-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Dielectric ceramic composition, multi-layer ceramic capacitor using the same, and manufacturing method therefor
JP3417911B2 (ja) 2000-08-21 2003-06-16 ティーディーケイ株式会社 誘電体磁器組成物の製造方法と誘電体層含有電子部品の製造方法
CN1250483C (zh) 2002-01-15 2006-04-12 Tdk株式会社 介电陶瓷组合物和电子器件
JP3882054B2 (ja) 2003-07-07 2007-02-14 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP4997685B2 (ja) 2004-01-07 2012-08-08 株式会社村田製作所 誘電体セラミック組成物、及び積層セラミックコンデンサ
US7273828B1 (en) * 2004-05-27 2007-09-25 Uop Llc Catalyst treatment useful for aromatics conversion process
KR100811454B1 (ko) * 2004-08-19 2008-03-10 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 유전체 세라믹 및 적층 세라믹 커패시터
JP5017792B2 (ja) * 2005-04-04 2012-09-05 Tdk株式会社 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP4483659B2 (ja) * 2005-04-04 2010-06-16 Tdk株式会社 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP2007153631A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Tdk Corp 誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ
JP2007186365A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Tdk Corp 誘電体磁器組成物の製造方法および積層セラミックコンデンサ
JP5144052B2 (ja) * 2006-10-13 2013-02-13 太陽誘電株式会社 誘電体セラミック組成物、積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
TW200834620A (en) * 2006-11-29 2008-08-16 Kyocera Corp Multilayered ceramic capacitor

Also Published As

Publication number Publication date
KR101383568B1 (ko) 2014-04-09
JP5343974B2 (ja) 2013-11-13
US8400755B2 (en) 2013-03-19
KR20110053364A (ko) 2011-05-20
DE112009002221B4 (de) 2013-07-18
DE112009002221T5 (de) 2011-07-14
WO2010035663A1 (ja) 2010-04-01
CN102149653A (zh) 2011-08-10
US20110170228A1 (en) 2011-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5343974B2 (ja) 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
JP4110978B2 (ja) 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ
JP4821357B2 (ja) 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
KR101494851B1 (ko) 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법
JP5370212B2 (ja) 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
JP5321848B2 (ja) 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ
JP5017792B2 (ja) 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP4100173B2 (ja) 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
JP5251913B2 (ja) 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
JP6135757B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP3882054B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP4997685B2 (ja) 誘電体セラミック組成物、及び積層セラミックコンデンサ
JP5229685B2 (ja) 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ
JPWO2009098918A1 (ja) 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ
JP4048808B2 (ja) 誘電体セラミック組成物および積層セラミック電子部品
JP2005187296A (ja) 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ
JP2011184251A (ja) 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
JP5729419B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP4812246B2 (ja) 誘電体セラミック組成物、及び積層セラミックコンデンサ
JP7327735B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2002231560A (ja) 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
JP2007186365A (ja) 誘電体磁器組成物の製造方法および積層セラミックコンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121225

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130423

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130611

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20130624

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130716

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130729

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5343974

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150