JP3417911B2 - 誘電体磁器組成物の製造方法と誘電体層含有電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器組成物
の製造方法と、積層型セラミックコンデンサなどの誘電
体層含有電子部品の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】積層型セラミックコンデンサは、小型、
大容量、高信頼性の電子部品として広く利用されてお
り、電気機器および電子機器の中で使用される個数も多
数にのぼる。近年、機器の小型且つ高性能化に伴い、積
層型セラミックコンデンサに対する更なる小型化、大容
量化、低価格化、高信頼性化への要求はますます厳しく
なっている。

【０００３】積層型セラミックコンデンサは、通常、内
部電極のペーストと誘電体のスラリー（ペースト）と
を、シート法や印刷法等により積層し、焼成して製造さ
れる。かかる内部電極には、一般に、ＰｄやＰｄ合金が
用いられてきたが、Ｐｄは高価であるため、比較的安価
なＮｉやＮｉ合金が使用されつつある。ところで、内部
電極をＮｉやＮｉ合金で形成する場合は、大気中で焼成
を行うと電極が酸化してしまうという問題がある。この
ため、一般に、脱バインダ後は、ＮｉとＮｉＯの平衡酸
素分圧よりも低い酸素分圧で焼成し、その後熱処理によ
り誘電体層を再酸化させている（特開平０３−１３３１
１６号公報、特許第２７８７７４６号）。

【０００４】しかしながら、還元性雰囲気中で焼成する
と、誘電体層が還元され、比抵抗が小さくなってしま
う。そこで、還元性雰囲気中で焼成しても還元されない
耐還元性の誘電体材料が提案されている（Ｉ． Ｂｕｒ
ｎ， ｅｔ ａｌ．， ”Ｈｉｇｈ Ｒｅｓｉｓｔｉｖ
ｉｔｙ ＢａＴｉＯ_３ Ｃｅｒａｍｉｃｓ Ｓｉｎｔ
ｅｒｅｄ ｉｎ ＣＯ−ＣＯ_２ Ａｔｍｏｓｐｈｅｒ
ｅｓ” Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｓｃｉ．， １０， ６
３３ （１９７５）； Ｙ． Ｓａｋａｂｅ，ｅｔ ａ
ｌ．， ”Ｈｉｇｈ−Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｎｓ
ｔａｎｔ Ｃｅｒａｍｉｃｓ ｆｏｒ Ｂａｓｅ Ｍｅ
ｔａｌ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ
ｓ” ｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．， ２０
Ｓｕｐｐｌ． ２０−４， １４７ （１９８
１））。

【０００５】しかしながら、これらの耐還元性の誘電体
材料を用いた積層型セラミックコンデンサは、絶縁抵抗
（ＩＲ）の高温加速寿命が短く、信頼性が低いという問
題がある。また、誘電体の比誘電率が経時的に低下する
という問題があり、直流電界下で特に顕著である。積層
型セラミックコンデンサを、小型且つ大容量化するため
に誘電体層の厚みを薄くすると、直流電圧を印加したと
きの誘電体層にかかる電界強度が大きくなる。このため
に、比誘電率の経時変化が著しく大きくなってしまう。

【０００６】ところで、ＥＩＡ規格に定められたＸ７Ｒ
特性と呼ばれる規格では、容量の変化率が−５５℃から
１２５℃の間で±１５％以内（基準温度２５℃）と定め
られている。Ｘ７Ｒ特性を満足する誘電体材料として
は、例えば特開昭６１−３６１７０号公報に示されるＢ
ａＴｉＯ_３ ＋ＳｒＴｉＯ_３ ＋ＭｎＯ系の組成が知ら
れている。しかしながら、この組成は、直流電界下にお
ける容量の経時変化が大きく、例えば４０℃で５０Ｖの
直流電界を１０００時間印加すると、容量の変化率が−
１０〜−３０％程度となってしまい、Ｘ７Ｒ特性を満足
することができなくなる。

【０００７】また、容量の温度特性であるＢ特性（ＥＩ
ＡＪ規格）と呼ばれる規格では、−２５〜８５℃の間で
±１０％以内（基準温度２０℃）と定められている。

【０００８】また、この他、耐還元性の誘電体磁器組成
物としては、特開昭５７−７１８６６号公報に開示され
ているＢａＴｉＯ_３ ＋ＭｎＯ＋ＭｇＯ、特開昭６１−
２５０９０５号公報に開示されている（Ｂａ_１−ｘ Ｓ
ｒ_ｘ Ｏ）_ａ Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ Ｏ_２ ＋α（（１−
ｚ）ＭｎＯ＋ｚＣｏＯ）＋β（（１−ｔ）Ａ_２ Ｏ _５
＋ｔＬ_２ Ｏ_３ ）＋ｗＳｉＯ_２ （ただし、Ａ＝Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｖ；Ｌ＝Ｙまたは希土類元素）、特開平２−
８３２５６号公報に開示されているＢａ_ａ Ｃａ
_１−ａ ＳｉＯ_３ を添加したチタン酸バリウム等が挙
げられる。

【０００９】しかしながら、これらのいずれの誘電体磁
器組成物も、誘電体層厚みが、たとえば４μｍ以下とい
う超薄層の場合には、容量の温度特性、直流電界下での
容量の経時変化、絶縁抵抗の加速寿命、直流バイアス下
の容量低下等の特性のすべてを満足することは非常に難
しい。例えば、特開昭６１−２５０９０５号公報および
特開平２−８３２号公報にそれぞれ開示されているもの
では、絶縁抵抗の加速寿命が短いとか直流バイアス下の
容量低下が大きいという問題を生じる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情からなされたものであり、本発明の目的は、誘電体
層厚みが超薄層の場合においても、容量の温度特性であ
るＸ７Ｒ特性（ＥＩＡ規格）およびＢ特性（ＥＩＡＪ規
格）をいずれも満足することができ、かつ、直流電界下
での容量の経時変化が小さく、絶縁抵抗の加速寿命が長
く、また、直流バイアス下の容量低下が小さい積層型セ
ラミックコンデンサなどの誘電体層含有電子部品を得る
ための製造方法を提供することである。また、本発明
は、このように優れた特性を持つ積層型セラミックコン
デンサなどの誘電体層含有電子部品の誘電体層として好
適に用いられる誘電体磁器組成物を製造するための方法
を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の観点に係る誘電体磁器組成物の製造
方法は、組成式Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｎ で表され、前記
組成式中のｍが０．９９５≦ｍ≦１．０１０であり、ｎ
が０．９９５≦ｎ≦１．０１０であり、ＢａとＴｉとの
比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０である主成分
と、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ_２ Ｏ
_３ から選択される少なくとも１種を含む第１副成分
と、ＳｉＯ_２ 、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓ
ｒおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、Ｌ
ｉ_２ ＯおよびＢ_２ Ｏ_３ から選ばれる少なくとも１
種で表される組成を有する第２副成分と、Ｖ
_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ から選択される
少なくとも１種を含む第３副成分と、Ｒの酸化物（ただ
し、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏから選択され
る少なくとも一種）を含む第４副成分と、を少なくとも
有し、前記主成分１００モルに対する各副成分の比率
が、 第１副成分：０．１〜３モル、 第２副成分：２〜１２モル、 第３副成分：０．０１〜３モル、 第４副成分：０．１〜１０．０モル（ただし、第４副成
分のモル数は、Ｒ単独での比率である）である誘電体磁
器組成物を製造する方法であって、前記主成分と、前記
第２副成分を除いたその他の副成分のうちの少なくとも
一部とを混合し、仮焼前粉体を準備する工程と、前記仮
焼前粉体を仮焼きして仮焼済粉体を準備する工程と、前
記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なくとも混合し、
前記主成分に対する各副成分のモル比が前記の比率であ
る誘電体磁器組成物を得る工程と、を有する。

【００１２】本発明の方法において、ＭｎＯを含む第５
副成分をさらに含み、前記主成分１００モルに対する第
５副成分の比率が、０．０５〜１．０モルである誘電体
磁器組成物を得ることが好ましい。

【００１３】好ましくは、前記主成分１００モルに対す
る前記第３副成分のモル比が、０．０１〜０．１モル、
さらに好ましくは０．０１以上０．１未満である誘電体
磁器組成物を得る。

【００１４】本発明において、より好ましくは、前記第
２副成分が、（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ （ただ
し、ｘ＝０．７〜１．２）で表されるものである。第２
副成分は、焼結助剤として機能すると考えられる。前記
第２副成分が（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ （ただ
し、ｘ＝０．７〜１．２）で表される組成を有するもの
である場合には、該第２副成分中のＢａとＣａとの比率
は任意であり、一方のみを含有するものでも良い。

【００１５】なお、本明細書では、主成分および各副成
分を構成する各酸化物を化学量論組成で表しているが、
各酸化物の酸化状態は、化学量論組成から外れるもので
あってもよい。ただし、各副成分の上記比率は、各副成
分を構成する酸化物に含有される金属量から上記化学量
論組成の酸化物に換算して求める。また、誘電体磁器組
成物の原料粉末としては、上記した酸化物やその混合
物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成
により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、
例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機
金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもで
きる。本発明では、前記主成分の平均粒径は、特に限定
されないが、好ましくは０．１〜０．７μｍ、さらに好
ましくは０．２〜０．７μｍである。

【００１６】本発明では、前記仮焼前粉体中に含まれる
成分のモル比：（Ｂａ＋第１副成分の金属元素）／（Ｔ
ｉ＋第４副成分の金属元素）が１未満、または（Ｂａ＋
第４副成分の金属元素）／（Ｔｉ＋第１副成分の金属元
素）が１を超えるように、前記仮焼前粉体を準備し、仮
焼を行うことが好ましい。

【００１７】本発明では、前記仮焼前粉体を準備する際
には、仮焼前粉体には、第１副成分を必ず含ませること
が好ましい。

【００１８】本発明では、仮焼前粉体中に、第４副成分
の原料が含まれている場合には、仮焼温度は、好ましく
は５００℃以上１２００℃未満であり、さらに好ましく
は６００〜９００℃である。また、仮焼前粉体中に、第
４副成分の原料が含まれていない場合には、仮焼温度
は、好ましくは６００〜１３００℃、さらに好ましくは
９００〜１３００℃、特に好ましくは１０００〜１２０
０℃である。なお、仮焼きは、複数回行っても良い。

【００１９】前記仮焼済粉体には、前記第２副成分を少
なくとも混合させれば良く、必要に応じて、主成分、第
１副成分、第３副成分、第４副成分および第５副成分の
うちの一つ以上をさらに混合し、最終的に得られる誘電
体磁器組成物の組成が上記範囲となればよい。

【００２０】また、本発明の第２の観点では、Ｎｉまた
はＮｉ合金からなる内部電極と誘電体層とを交互に積層
してなる積層型セラミックコンデンサであって、誘電体
層が、ＢａＴｉＯ_３ ：１００モル、ＭｇＯまたはＣａ
Ｏの少なくとも１種：０．１〜３モル、ＭｎＯ：０．０
５〜１．０モル、Ｙ_２ Ｏ_３ ：０．１〜５モル、Ｖ
_２ Ｏ_５ ：０．０１〜３モル、Ｂａ_ａ Ｃａ_１−ａ
ＳｉＯ_３ （ａは０〜１の数である）：２〜１２モルを
このモル比で含む積層型セラミックコンデンサの製造方
法において、ＢａＴｉＯ_３ と、ＭｇＯまたはＣａＯま
たは熱処理によってＭｇＯまたはＣａＯになる化合物の
少なくとも１種を予め混合し、９００℃〜１３００℃で
仮焼きした材料を、誘電体材料全体に対して７０重量％
以上用いることを特徴とする積層型セラミックコンデン
サが提供される。

【００２１】また、本発明の第３の観点では、Ｎｉまた
はＮｉ合金からなる内部電極と誘電体層とを交互に積層
してなる積層型セラミックコンデンサであって、誘電体
層が、ＢａＴｉＯ_３ ：１００モル、ＭｇＯまたはＣａ
Ｏの少なくとも１種：０．１〜３モル、ＭｎＯ：０．０
５〜１．０モル、Ｙ_２ Ｏ_３ ：０．１〜５モル、Ｖ
_２ Ｏ_５ ：０．０１〜３モル、Ｂａ_ａ Ｃａ_１−ａ
ＳｉＯ_３ （ａは０〜１の数である）：２〜１２モルを
このモル比で含む積層型セラミックコンデンサの製造方
法において、ＢａＴｉＯ_３ と、ＭｇＯまたはＣａＯま
たは熱処理によってＭｇＯまたはＣａＯになる化合物の
少なくとも１種と、ＭｎＯまたは熱処理によってＭｎＯ
になる化合物、Ｙ_２ Ｏ_３ または熱処理によってＹ
_２ Ｏ_３ になる化合物、およびＶ_２ Ｏ_５ または熱
処理によってＶ_２ Ｏ_５ になる化合物からなる群から
選ばれる少なくとも１種とを予め混合し、９００℃〜１
３００℃で仮焼きした材料を、誘電体材料全体に対して
７０重量％以上用いることを特徴とする積層型セラミッ
クコンデンサが提供される。

【００２２】本発明の第２および第３の観点において、
前記ＢａＴｉＯ_３ ：１００モルに対するＶ_２ Ｏ_５
のモル比が、好ましくは０．０１〜０．１モル、さらに
好ましくは０．０１以上０．１未満である。また、本発
明の第２および第３の観点において、ＢａＴｉＯ_３ の
平均粒径が０．２〜０．７μｍであることが好ましい。
なお、本発明の第２および第３の観点では、Ｙ_２ Ｏ
_３ のモル数は、Ｙ単独でのモル数ではなく、Ｙ_２ Ｏ
_３ のモル数である。

【００２３】

【作用】従来の誘電体磁器組成物の製造方法では、Ｂａ
_ｍ ＴｉＯ_２＋ｎ と添加物とを一度に混合し、誘電体
磁器組成物の混合粉末、または誘電体ペーストを作製し
ている。しかしながら、従来の方法では、焼成後の誘電
体磁器組成物中に、添加物（第１〜第５副成分）などの
偏析が生じ、各結晶間の組成のバラツキが生じてしま
う。このような偏析により、誘電体の誘電率および絶縁
抵抗が悪化する。

【００２４】本発明によれば、第２副成分を除いて、主
成分と、第１副成分、第３副成分、第４副成分および第
５副成分のうちの少なくとも一つとを混合して仮焼する
ことで、各結晶粒子同士の組成バラツキを抑制すること
ができ、その結果、偏析相の析出を抑制すると共に、偏
析相の大きさを制御することができる。したがって、本
発明によれば、Ｘ７Ｒ特性およびＢ特性の双方を満足し
つつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵
抗の加速寿命が長く、直流電界下での容量低下が小さ
い、信頼性に優れた積層型セラミックコンデンサなどの
誘電体層含有電子部品に好適に用いられる誘電体磁器組
成物を製造することができる。このことは、本発明者等
により初めて見出された。

【００２５】また、本発明に係る製造方法で得られた誘
電体磁器組成物は、蒸発飛散するようなＰｂ，Ｂｉ，Ｚ
ｎのような元素を含有しないため、還元雰囲気でも焼成
可能である。このため、内部電極としてＮｉおよびＮｉ
合金などの卑金属を使用することが可能となり、低コス
ト化が可能となる。

【００２６】また、本発明に係る製造方法で得られた誘
電体磁器組成物は、還元雰囲気下での焼成においても、
Ｘ７Ｒ特性およびＢ特性を満足し、直流電界印加による
容量エージング特性、絶縁抵抗の劣化が小さく、信頼性
にも優れている。このため、本発明の方法は、積層コン
デンサの薄層化に伴う高温領域の温度変化率の悪化を抑
制する手法としても効果が期待できる。

【００２７】また、本発明に係る製造方法で得られた誘
電体磁器組成物は、Ｐｂ，Ｂｉなどの物質を含有しない
ため、使用後の廃棄、処分などによる環境への悪影響が
小さい製品を提供できる。

【００２８】また、本発明に係る製造方法では、添加物
が析出して形成された異相が少ない均一な組織の誘電体
磁器組成物を実現することができ、誘電体磁器組成物の
誘電率、絶縁抵抗を改善できる。また、本発明に係る製
造方法では、偶発的に生じてしまう構造的な欠陥を防止
できるために、高い信頼性を有する積層型セラミックコ
ンデンサを提供できる。

【００２９】また、添加物組成を変更することなく異相
析出を抑制できるために、容量温度特性がＸ７Ｒ特性お
よびＢ特性を満足する積層型セラミックコンデンサなど
の誘電体層含有電子部品を容易に製造することができ
る。

【００３０】特に本発明において、主成分１００モルに
対する第３副成分の比率を、好ましくは０．０１〜０．
１モル、さらに好ましくは０．０１以上０．１未満とす
ることで、絶縁抵抗（ＩＲ）、ＣＲ積（誘電率と絶縁抵
抗との積）、破壊電圧（ＶＢ）特性、直流バイアス下の
容量低下耐性（ＤＣ−Ｂｉａｓ特性）が向上する。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。図１は本発明の１実施形態に係
る積層型セラミックコンデンサの断面図である。

【００３２】積層型セラミックコンデンサ 本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法について説明
する前に、まず、積層型セラミックコンデンサについて
説明する。図１に示すように、本発明の一実施形態に係
る積層型セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部
電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本
体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両端部
には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極
層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。
コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通
常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限は
なく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、
（０．６〜５．６mm、好ましくは０．６〜３．２mm）×
（０．３〜５．０mm、好ましくは０．３〜１．６mm）×
（０．３〜１．９mm、好ましくは０．３〜１．６mm）程
度である。

【００３３】内部電極層３は、各端面がコンデンサ素子
本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するよう
に積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子
本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電
極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成
する。

【００３４】誘電体層２ 誘電体層２は、本発明の製造方法により得られる誘電体
磁器組成物を含有する。 本発明の製造方法により得ら
れる誘電体磁器組成物は、組成式Ｂａ_ｍ ＴｉＯ
_２＋ｎ で表され、前記組成式中のｍが０．９９５≦ｍ
≦１．０１０であり、ｎが０．９９５≦ｎ≦１．０１０
であり、ＢａとＴｉとの比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦
１．０１０である主成分と、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，
ＳｒＯおよびＣｒ_２ Ｏ_３ から選択される少なくとも
１種を含む第１副成分と、ＳｉＯ_２ 、ＭＯ（ただし、
Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選ばれる少なく
とも１種の元素）、Ｌｉ_２ ＯおよびＢ_２ Ｏ_３ から
選ばれる少なくとも１種で表される第２副成分と、Ｖ
_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ から選択される
少なくとも１種を含む第３副成分と、Ｒの酸化物（ただ
し、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏから選択され
る少なくとも一種）を含む第４副成分ととを少なくとも
有する誘電体磁器組成物で構成してある。

【００３５】前記主成分に対する上記各副成分の比率
は、前記主成分１００モルに対し、 第１副成分：０．１〜３モル、 第２副成分：２〜１２モル、 第３副成分：０．０１〜３モル、 第４副成分：０．１〜１０．０モルであり、 好ましくは、 第１副成分：０．５〜２．５モル、 第２副成分：２．０〜５．０モル、 第３副成分：０．０１〜０．１モル（０．０１以上０．
１モル未満） 第４副成分：０．５〜５．０モルである。

【００３６】なお、第４副成分の上記比率は、Ｒ酸化物
のモル比ではなく、Ｒ単独のモル比である。すなわち、
例えば第４副成分としてＹの酸化物を用いた場合、第４
副成分の比率が１モルであることは、Ｙ_２ Ｏ_３ の比
率が１モルなのではなく、Ｙの比率が１モルであること
を意味する。

【００３７】本明細書では、主成分および各副成分を構
成する各酸化物を化学量論組成で表しているが、各酸化
物の酸化状態は、化学量論組成から外れるものであって
もよい。ただし、各副成分の上記比率は、各副成分を構
成する酸化物に含有される金属量から上記化学量論組成
の酸化物に換算して求める。また、誘電体磁器組成物の
原料粉末としては、上記した酸化物やその混合物、複合
酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上
記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、
炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合
物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。

【００３８】上記各副成分の含有量の限定理由は以下の
とおりである。第１副成分（ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，
ＳｒＯおよびＣｒ_２ Ｏ_３ ）の含有量が少なすぎる
と、直流バイアス下の容量低下に対する抑制効果が不十
分になる傾向にある。一方、含有量が多すぎると、誘電
率の低下が著しくなる傾向にあり、且つ絶縁抵抗の加速
寿命が短くなる傾向にある。なお、第１副成分中におけ
る各酸化物の構成比率は任意である。

【００３９】第２副成分の含有量が少なすぎると、焼結
性が悪く、絶縁抵抗の加速寿命が短く、容量の温度特性
がＸ７Ｒ特性の規格を満足しにくくなる傾向にある。一
方、含有量が多すぎると、誘電率が低く、容量が低下す
ると共に、絶縁抵抗の加速寿命も短くなる。

【００４０】第２副成分は主として焼結助剤として作用
するが、誘電体層を薄層化する際の初期絶縁抵抗の不良
率を改善する効果をも有する。好ましくは、前記第２副
成分が、（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ （ただし、
ｘ＝０．７〜１．２）で表されるものである。第２副成
分のより好ましい態様としての［（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ Ｓ
ｉＯ_２＋ｘ ］中のＢａＯおよびＣａＯは第１副成分に
も含まれるが、複合酸化物である（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ Ｓ
ｉＯ_２＋ｘ は融点が低いため主成分に対する反応性が
良好なので、本発明ではＢａＯおよび／またはＣａＯを
上記複合酸化物としても添加することが好ましい。第２
副成分のより好ましい態様としての（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ
ＳｉＯ_２＋ｘ におけるｘは、好ましくは０．７〜１．
２であり、より好ましくは０．８〜１．１である。ｘが
小さすぎると、すなわちＳｉＯ_２ が多すぎると、主成
分のＢａＴｉＯ_３ と反応して誘電体特性を悪化させて
しまう。一方、ｘが大きすぎると、融点が高くなって焼
結性を悪化させるため、好ましくない。なお、ＢａとＣ
ａとの比率は任意であり、一方だけを含有するものであ
ってもよい。

【００４１】第３副成分（Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ お
よびＷＯ_３ ）の含有量が少なすぎると、直流電界下で
のＩＲ寿命が低下すると共に、容量の温度特性がＸ７Ｒ
特性の規格を満足しにくくなる傾向にある。一方、含有
量が多すぎると、初期の絶縁抵抗が低くなる傾向にある
と共に、ＣＲ積も低下する傾向にある。なお、第３副成
分中における各酸化物の構成比率は任意である。

【００４２】第４副成分（Ｒ酸化物）の含有量が少なす
ぎると、絶縁抵抗の加速寿命が短くなる傾向にある。一
方、含有量が多すぎると、焼結性が悪化する傾向にあ
る。これらの中でも、Ｘ７Ｒ特性を満足させる観点から
は、第４副成分の中でも、Ｙ酸化物、Ｄｙ酸化物、およ
びＨｏ酸化物が好ましい。特に、特性改善効果が高く、
しかも安価であることから、Ｙ酸化物が好ましい。

【００４３】本発明の誘電体磁器組成物には、必要に応
じ、第５副成分として、ＭｎＯが含有されていてもよ
い。この第５副成分は、焼結を促進する効果と、誘電損
失（ｔａｎδ）を小さくする効果とを示す。このような
効果を十分に得るためには、前記主成分１００モルに対
する第５副成分の比率が０．０５モル以上であることが
好ましい。ただし、第５副成分の含有量が多すぎると容
量温度特性に悪影響を与えるので、好ましくは１．０モ
ル以下とする。

【００４４】また、本発明の誘電体磁器組成物中には、
上記各酸化物のほか、Ａｌ_２ Ｏ_３ が含まれていてもよ
い。Ａｌ_２ Ｏ_３ は容量温度特性にあまり影響を与え
ず、焼結性、絶縁抵抗および絶縁抵抗の加速寿命（ＩＲ
寿命）を改善する効果を示す。ただし、Ａｌ_２ Ｏ_３
の含有量が多すぎると焼結性が悪化してＩＲが低くなる
ため、Ａｌ_２ Ｏ_３ は、好ましくは、主成分１００モ
ルに対して１モル以下、さらに好ましくは、誘電体磁器
組成物全体の１モル以下である。

【００４５】なお、Ｓｒ，ＺｒおよびＳｎの少なくとも
１種が、ペロブスカイト構造を構成する主成分中のＢａ
またはＴｉを置換している場合、キュリー温度が低温側
にシフトするため、１２５℃以上での容量温度特性が悪
くなる。このため、これらの元素を含むＢａ_ｍ ＴｉＯ
_２＋ｎ ［例えば（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３ ］を主成分
として用いないことが好ましい。ただし、不純物として
含有されるレベル（誘電体磁器組成物全体の０．１モル
％程度以下）であれば、特に問題はない。

【００４６】本発明の誘電体磁器組成物の平均結晶粒径
は、特に限定されず、誘電体層の厚さなどに応じて例え
ば０．１〜３．０μｍ、好ましくは０．１〜０．７μｍ
の範囲から適宜決定すればよい。容量温度特性は、誘電
体層が薄いほど悪化し、また、平均結晶粒径を小さくす
るほど悪化する傾向にある。このため、本発明の誘電体
磁器組成物は、平均結晶粒径を小さくする必要がある場
合に、具体的には、平均結晶粒径が０．１〜０．５μｍ
である場合に特に有効である。また、平均結晶粒径を小
さくすれば、ＩＲ寿命が長くなり、また、直流電界下で
の容量の経時変化が少なくなるため、この点からも平均
結晶粒径は上記のように小さいことが好ましい。

【００４７】本発明の誘電体層２は、グレインと粒界と
粒界相とで構成されている。また、いわゆるコア−シェ
ル構造を有する組成物で構成されていても良い。

【００４８】本発明の誘電体磁器組成物から構成される
誘電体層の厚さや層数などの諸条件は、目的や用途に応
じて適宜決定すれば良い。たとえば誘電体層の厚さは、
一層あたり、通常、５０μｍ以下、特に１０μｍ以下で
ある。厚さの下限は、通常、１μｍ程度である。本発明
の誘電体磁器組成物は、このような薄層化した誘電体層
を有する積層型セラミックコンデンサの容量温度特性の
改善に有効である。なお、誘電体層の積層数は、通常、
２〜４００、好ましくは１０〜４００程度とする。

【００４９】本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層型
セラミックコンデンサは、特に−５５℃〜＋１２５℃の
環境下で使用される機器用電子部品として用いて好適で
ある。そして、このような温度範囲において、容量の温
度特性がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性（−５５〜１２５℃、
ΔＣ＝±１５％以内）を満足し、同時に、ＥＩＡＪ規格
のＢ特性［−２５〜８５℃で容量変化率±１０％以内
（基準温度２０℃）］も満足することが可能である。

【００５０】積層型セラミックコンデンサでは、誘電体
層に、通常、０．０２Ｖ／μｍ以上、特に０．２Ｖ／μ
ｍ以上、さらには０．５Ｖ／μｍ以上、一般に５Ｖ／μ
ｍ程度以下の交流電界と、これに重畳して５Ｖ／μｍ以
下の直流電界とが加えられるが、このような電界が加わ
っても、容量の温度特性は極めて安定である。

【００５１】内部電極層３ 内部電極層３に含有される導電材は特に限定されない
が、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するため、卑
金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属
としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金と
しては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１
種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ
含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、
ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．
１重量％程度以下含まれていてもよい。内部電極層の厚
さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、０．
５〜５μｍ、好ましくは０．５〜２．５μｍ、さらに好
ましくは１〜２μｍ程度である。

【００５２】外部電極４ 外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、
本発明では安価なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いる
ことができる。外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決
定されればよいが、通常、１０〜１００μｍ程度である
ことが好ましい。

【００５３】積層型セラミックコンデンサの製造方法 本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法を用いて製造
される積層型セラミックコンデンサは、ペーストを用い
た通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製
し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して
焼成することにより製造される。以下、製造方法につい
て具体的に説明する。

【００５４】まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電
体磁器組成物粉末を準備する。誘電体磁器組成物粉末中
のＢａＴｉＯ_３ の粉末としては、通常、原料を混合、
仮焼き、粉砕した、いわゆる固相法により得られる粉体
だけでなく、蓚酸塩法や水熱合成法などのいわゆる液相
法により得られる粉体であってもよい。

【００５５】本発明では、前述した組成の誘電体磁器組
成物粉末を得る前に、仮焼きを行う。すなわち、第２副
成分（たとえば（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ ）を
除いて、主成分（Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｎ ）と、第１副
成分（たとえばＭｇＯまたはＣａＯまたは熱処理によっ
てＭｇＯまたはＣａＯとなる化合物）、第３副成分（た
とえばＶ_２ Ｏ_５ または熱処理によってＶ_２ Ｏ_５
となる化合物）、第４副成分（たとえばＹ_２ Ｏ_３ ま
たは熱処理によってＹ_２ Ｏ_３ となる化合物）および
第５副成分（たとえばＭｎＯまたは熱処理によってＭｎ
Ｏとなる化合物）のうちの少なくとも一つとを混合し、
乾燥することにより、仮焼前粉体を準備する。

【００５６】なお、熱処理によってＭｇＯまたはＣａＯ
になる化合物としては、ＭｇＣＯ_３ ，ＭｇＣｌ_２ ，Ｍ
ｇＳＯ_４ ，Ｍｇ（ＮＯ_３ ）_２ ，Ｍｇ（Ｏ
Ｈ）_２ ，（ＭｇＣＯ_３ ）_４ Ｍｇ（ＯＨ）_２ ，Ｃ
ａＣＯ_３ ，ＣａＣｌ_２ ，ＣａＳＯ_４ ，Ｃａ（ＮＯ
_３ ）_２ 、Ｍｇアルコキシド、Ｃａアルコキシドな
ど、またはこれらの含水物が例示される。また、熱処理
によってＭｎＯになる化合物としては、ＭｎＣＯ_３ ，
ＭｎＣｌ_２ ，ＭｎＳＯ_４ ，Ｍｎ（ＮＯ_３ ）_２ な
ど、またはこれらの含水物が例示される。また、熱処理
によってＹ_２ Ｏ_３ になる化合物としては、ＹＣｌ
_３ ，Ｙ_２ （ＳＯ_４ ）_３ ，Ｙ（ＮＯ_３ ）_３ 、Ｙ
（ＣＨ_３ ＣＯＯ）_３ 、Ｙアルコキシドなど、または
これらの含水物が例示される。さらに、熱処理によって
Ｖ_２ Ｏ_５ になる化合物としては、ＶＣｌ_５ ，Ｖ
_２ （ＳＯ_４ ）_５ ，Ｖ（ＮＯ_３ ）_５ など、また
はこれらの含水物が例示される。

【００５７】仮焼前粉体は、次に仮焼される。仮焼条件
は、特に限定されないが、次に示す条件で行うことが好
ましい。 昇温速度：５０〜４００℃／時間、特に１００〜３００
℃／時間、 保持温度：500℃〜1300℃、好ましくは500℃〜1200℃未
満、 温度保持時間：０．５時間〜６時間、特に１〜３時間、 雰囲気：空気中および窒素中である。

【００５８】仮焼きされた仮焼済粉末は、アルミナロー
ルなどにより粗粉砕された後、少なくとも第２副成分
（たとえば（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ ）を少な
くとも添加し、さらに必要に応じて、残りの添加物を添
加して、前述した最終組成の混合粉末にする。その後、
この混合粉末を、必要に応じて、ボールミルなどによっ
て混合し、乾燥することによって、本発明の組成を持つ
誘電体磁器組成物粉末を得る。

【００５９】仮焼きされた仮焼済粉末における各成分の
モル比は、特に限定されないが、好ましくは、次の関係
式を満足する。すなわち、（Ｂａ＋第１副成分の金属元
素）／（Ｔｉ＋第４副成分の金属元素）が１未満、また
は（Ｂａ＋第４副成分の金属元素）／（Ｔｉ＋第１副成
分の金属元素）が１を超えることが好ましい。このよう
な範囲である場合に、特に絶縁抵抗の加速寿命が向上す
る。

【００６０】また、仮焼済粉末中には、第１副成分が必
ず含まれていることが好ましい。最終組成物粉末中にお
ける第１副成分の全重量を１００重量％とした場合に
は、仮焼済粉末中には、好ましくは３０重量％、さらに
好ましくは５０重量％の第１副成分が含まれていること
が好ましい。

【００６１】仮焼済粉末は、最終的に得られる誘電体磁
器組成物粉末を１００重量％として、好ましくは６０重
量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上、特に好ま
しくは８０重量％以上の量で、後添加成分に混合され
る。仮焼済粉末の割合が小さすぎると、本発明の効果が
小さくなる傾向にある。

【００６２】次に、この最終的に得られた誘電体磁器組
成物粉末を塗料化して、誘電体層用ペーストを調整す
る。誘電体層用ペーストは、誘電体磁器組成物粉末と有
機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、
水系の塗料であってもよい。

【００６３】塗料化する前の状態で、誘電体磁器組成物
粉末の粒径は、通常、平均粒径０．１〜３μｍ、好まし
くは０．１〜０．７μｍ程度である。

【００６４】有機ビヒクルとは、バインダ（結合剤）を
有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用い
るバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリ
ビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択
すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、
印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピ
ネオール、ブチルカルビトール、メチルエチルケトン、
アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すれ
ばよい。

【００６５】また、誘電体層用ペーストを水系の塗料と
する場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶
解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよ
い。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定さ
れず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水
溶性アクリル樹脂などを用いればよい。

【００６６】内部電極層用ペーストは、上記した各種誘
電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記
した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネ
ート等（導電材など）と、上記した有機ビヒクルとを混
練して調製する。ペースト中の導電材などは、その形状
に特に制限はなく、球状、鱗片状などが例示され、ま
た、これらの形状のものが混合したものでも良い。外部
電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同
様にして調製すればよい。

【００６７】上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含
有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バイン
ダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度と
すればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各
種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される補
助添加物が含有されていてもよい。これらの補助添加物
の総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。

【００６８】なお、可塑剤としては、たとえばポリエチ
レングリコール、フタール酸エステル（たとえばジオク
チルフタレート、ジブチルフタレート）などが用いられ
る。また、分散剤としては、たとえばオイレン酸、ロジ
ン、グリセリン、オクタデシルアミン、オイレン酸エチ
ル、メンセーデン油などが用いられる。

【００６９】特に、誘電体層用ペースト（スラリー）を
調製する際には、ペースト中における誘電体磁器組成物
粉末の含有量は、ペースト全体に対し、５０〜８０重量
％程度とし、その他、バインダは２〜５重量％、可塑剤
は０．１〜５重量％、分散剤は０．１〜５重量％、溶剤
は２０〜５０重量％程度とすることが好ましい。

【００７０】印刷法を用いる場合、誘電体層用ペースト
および内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積
層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグ
リーンチップとする。

【００７１】また、シート法を用いる場合、誘電体層用
ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内
部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグ
リーンチップとする。

【００７２】焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処
理を施す。脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよい
が、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を
用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。 昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／
時間、 保持温度：１８０〜４００℃、特に２００〜３００℃、 温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間、 雰囲気：空気中。

【００７３】グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電
極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定され
ればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を
用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、好ましくは１
０^−７〜１０^−１３ ａｔｍ、さらに好ましくは１０
^−１０〜１０^−１２ ａｔｍである。酸素分圧が前記範
囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こ
し、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記
範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。

【００７４】また、焼成時の保持温度は、好ましくは１
１００〜１４００℃、より好ましくは１１５０〜１４０
０℃、さらに好ましくは１２００〜１３００℃である。
保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分とな
り、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による
電極の途切れや、内部電極層構成材料の拡散による容量
温度特性の悪化、誘電体磁器組成物の還元が生じやすく
なる。

【００７５】好ましくは上記条件以外の焼成時の各種条
件は、下記範囲から選択される。 昇温速度：１００〜９００℃／時間、特に２００〜９０
０℃／時間、 温度保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間、 冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００
℃／時間。 なお、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好まし
く、雰囲気ガスとしては、例えば、Ｎ_２ とＨ_２ との
混合ガスを加湿して用いることが好ましい。

【００７６】還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデン
サ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニー
ルは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これに
よりＩＲ寿命を著しく長くすることができるので、信頼
性が向上する。

【００７７】アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０^−４
〜１０^−７ａｔｍとすることが好ましい。酸素分圧が前
記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前
記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。

【００７８】アニールの際の保持温度は、１２００℃以
下、特に５００〜１２００℃とすることが好ましい。保
持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分
となるので、ＩＲが低く、また、ＩＲ寿命が短くなりや
すい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極
層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が
誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、Ｉ
Ｒの低下、ＩＲ寿命の低下が生じやすくなる。なお、ア
ニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよ
い。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場
合、保持温度は最高温度と同義である。

【００７９】上記条件以外のアニール時の各種条件は、
下記範囲から選択することが好ましい。 温度保持時間：０．５〜１２時間、特に６〜１０時間、 冷却速度：５０〜６００℃／時間、特に１００〜３００
℃／時間 なお、雰囲気用ガスには、加湿したＮ_２ ガス等を用い
ることが好ましい。

【００８０】上記した脱バインダ処理、焼成およびアニ
ールにおいて、Ｎ_２ ガスや混合ガス等を加湿するに
は、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、
水温は５〜７５℃程度が好ましい。

【００８１】脱バインダ処理、焼成およびアニールは、
連続して行なっても、独立に行なってもよい。これらを
連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰
囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して
焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達
したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好
ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際
しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ_２ ガスあ
るいは加湿したＮ_２ ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲
気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニ
ール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ_２ ガスあ
るいは加湿したＮ_２ ガス雰囲気に変更して冷却を続け
ることが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ_２
ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更
してもよく、アニールの全過程を加湿したＮ_２ ガス雰
囲気としてもよい。

【００８２】上記のようにして得られたコンデンサ素子
本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより
端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写
して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペース
トの焼成条件は、例えば、加湿したＮ_２ とＨ_２ との
混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程
度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電
極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。

【００８３】このようにして製造された本発明の積層型
セラミックコンデンサは、誘電体層の厚みが４μｍ以下
という超薄層の場合でも、容量温度変化率がＥＩＡ規格
のＸ７Ｒ特性を満足すると共に、ＥＩＡＪ規格のＢ特性
を満足する。また、本発明の積層型セラミックコンデン
サは、直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵
抗の加速寿命が長く、また、直流バイアス下の容量低下
が小さいものである。

【００８４】また、このようにして製造された本発明の
積層型セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリ
ント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用され
る。

【００８５】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。たとえば、本発明に係る製造方法により
得られる誘電体磁器組成物は、積層型セラミックコンデ
ンサのみに使用されるものではなく、誘電体層が形成さ
れるその他の電子部品に使用されても良い。

【００８６】

【実施例】以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づ
き説明するが、本発明は、これら実施例に限定されな
い。

【００８７】実施例１ 以下に示す手順で、積層型セラミックコンデンサの試料
Ａ１〜Ａ１０を作製した。まず、下記の各ペーストを調
製した。

【００８８】誘電体層用ペースト まず、主成分原料および副成分原料を用意した。主成分
原料としては、水熱合成法により得られた粒径０．２〜
０．７μｍのＢａＴｉＯ_３ を用いた。ＭｇＯおよびＭ
ｎＯの原料には炭酸塩を用い、他の副成分原料には酸化
物を用いた。ＭｇＯの原料としてのマグネシウム炭酸塩
としては、（ＭｇＣＯ_３ ）_４ Ｍｇ（ＯＨ）_２ ・５
Ｈ_２ Ｏを用いた。また、ＭｎＯの原料としての炭酸塩
としては、ＭｎＣＯ_３ を用いた。

【００８９】また、第２副成分の原料には、（Ｂａ
_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ を用いた。なお、
（Ｂａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ は、ＢａＣＯ
_３ ，ＣａＣＯ_３ およびＳｉＯ_２ をボールミルによ
り１６時間湿式混合し、乾燥後、１１５０℃で空気中で
焼成し、さらに、ボールミルにより１００時間湿式粉砕
することにより製造した。

【００９０】まず、主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第
１副成分の原料であるマグネシウム炭酸塩とを混合し、
乾燥することにより、仮焼前粉体を準備した。表１に示
すように、仮焼前粉体は、１００モルのＢａＴｉＯ_３
に対して、ＭｇＯに換算して２．１モルのマグネシウム
炭酸塩が含有してあった。また、この仮焼前粉体中の特
定成分のモル比：（Ｂａ＋第１副成分中の金属元素Ｍ
ｇ）／（Ｔｉ＋第４副成分中の金属元素Ｙ）を調べたと
ころ、表１に示すように、１．０２１であった。また、
モル比：（Ｂａ＋第４副成分中の金属元素Ｙ）／（Ｔｉ
＋第１副成分中の金属元素Ｍｇ）を調べたところ、表１
に示すように、０．９７９４であった。

【００９１】次に、この仮焼前粉体を仮焼した。仮焼き
条件は、以下の通りであった。 昇温速度：３００℃／時間、 保持温度（表１ではＴ１）：５００〜１３５０℃、 温度保持時間：３時間、 雰囲気：空気中。

【００９２】この仮焼きによって得られた材料を、ライ
カイ機で１時間粉砕して仮焼済粉体とし、その後、この
仮焼済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの
（Ｂａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．３７５
モルのＭｎＣＯ_３ 、０．０１モルのＶ_２ Ｏ_５ 、お
よび２．１モルのＹ_２ Ｏ_３ （Ｙのモル数は４．２モ
ル、以下同様）を添加し、ジルコニア製ボールミルによ
り１６時湿式混合した後に乾燥し、最終組成の誘電体磁
器組成物粉体を得た。

【００９３】このようにして得られた誘電体磁器組成物
粉体１００重量部と、アクリル樹脂４．８重量部と、塩
化メチレン４０重量部と、酢酸エチル２０重量部と、ミ
ネラルスピリット６重量部と、アセトン４重量部とをボ
ールミルで１６時間混合し、ペースト化した。

【００９４】内部電極層用ペースト 平均粒径０．４μｍのＮｉ粒子４４．６重量部と、テル
ビネオール：５２．０重量部と、エチルセルロース：
３．０重量部と、ベンゾトリアゾール：０．４重量部と
を、３本ロールにより混練し、ペースト化した。

【００９５】外部電極用ペースト 平均粒径２μｍのＣｕ粒子１００重量部と、有機ビヒク
ル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビトー
ル９２重量部に溶解したもの）３５重量部およびブチル
カルビトール７重量部とを混練し、ペースト化した。

【００９６】グリーンチップの作製 上記誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上に、
厚さ５μｍのグリーンシートを形成した。このグリーン
シートの表面に内部電極用ペーストを印刷した後、ＰＥ
Ｔフィルムからシートを剥離した。次いで、内部電極層
用ペーストを印刷後のグリーンシート４層を、保護用グ
リーンシート（内部電極層用ペーストを印刷しないも
の）複数枚で挟んで積層し、その後、１２０℃および１
５Ｐａの条件で圧着してグリーンチップを得た。

【００９７】焼成 まず、グリーンチップを所定サイズに切断し、脱バイン
ダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行った後、
外部電極を形成して、図１に示す構成の積層型セラミッ
クコンデンサのサンプルＡ１〜Ａ１０を得た。

【００９８】脱バインダ処理条件 昇温速度：１５℃／時間、 保持温度：２８０℃、 温度保持時間：８時間、 雰囲気：空気中。

【００９９】焼成条件 昇温速度：２００℃／時間、 保持温度：１２７０℃、 温度保持時間：２時間、 冷却速度：３００℃／時間、 雰囲気ガス：加湿したＮ_２ ＋Ｈ_２ 混合ガス、 酸素分圧：１０^−１２ ａｔｍ。

【０１００】アニール条件 保持温度：１０００℃、 温度保持時間：３時間、 冷却速度：３００℃／時間、 雰囲気ガス：加湿したＮ_２ ガス、 酸素分圧：１０^−６ａｔｍ。 なお、上記脱バインダ処理、焼成およびアニールの際に
おけるそれぞれの雰囲気ガスの加湿には、水温を３５℃
としたウエッターを用いた。

【０１０１】外部電極 外部電極は、焼成体の端面をサンドブラストにて研磨し
た後、上記外部電極用ペーストを前記端面に転写し、加
湿したＮ_２ ＋Ｈ_２ 雰囲気で８００℃にて１０分間焼
成することにより形成した。

【０１０２】このようにして得られた各サンプルのサイ
ズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．４ｍｍであり、内
部電極層に挟まれた誘電体層の数は４、その厚さは３μ
ｍであり、内部電極層の厚さは１．３μｍであった。

【０１０３】また、コンデンサのサンプルのほかに、円
板状サンプルも作製した。この円板状サンプルは、上記
コンデンサのサンプルの誘電体層と同組成で、かつ焼成
条件が同じであり、直径５ｍｍのＩｎ−Ｇａ電極をサン
プルの両面に塗布したものである。

【０１０４】各サンプルについて下記特性の評価を行っ
た。比誘電率（εｒ） 円板状サンプルに対し、２５℃において、ＬＣＲメータ
により１ｋＨｚ，１Ｖｒｍｓの条件下で容量を測定し
た。そして、容量、電極寸法およびサンプルの厚さか
ら、比誘電率を算出した。結果を表２に示す。比誘電率
は高いほど良い。

【０１０５】絶縁抵抗（ＩＲ） コンデンサのサンプルに対し、２５℃における比抵抗を
測定した。比抵抗の測定は、絶縁抵抗計（（株）アドバ
ンテスト社製Ｒ８３４０Ａ（５０Ｖ−１分値））により
行った。結果を表２に示す。絶縁抵抗は高い程良い。な
お、表２中のＣＲ積は、誘電率と絶縁抵抗との積であ
る。また、ＣＲ積も高いほど良い。

【０１０６】破壊電圧（ＶＢ） 破壊電圧は、積層チップコンデンサのサンプルに対し、
１００Ｖ／秒の昇圧スピードで直流電圧を印加し、１０
０ｍＡの漏洩電流が観察されたときの電圧を測定するこ
とにより求めた。結果を表２に示す。破壊電圧は、高い
程良い。

【０１０７】直流電界下でのＩＲ寿命（高温加速寿命：
表ではＨＡＬＴ） 積層チップコンデンサのサンプルに対し、１８０℃にて
１０Ｖ／μｍの電界下で加速試験を行い、絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）が２×１０^５ Ω以下になるまでの時間を寿命時間
とした。結果を表２に示す。この寿命が長いほど、コン
デンサの耐久性が向上する。

【０１０８】容量の温度特性（表では、ＴＣＣ） 積層チップコンデンサのサンプルに対し、−５５〜＋１
２５℃の温度範囲で容量を測定し、Ｘ７Ｒ特性を満足す
るかどうかを調べた。なお、測定には、ＬＣＲメータを
用い、測定電圧は１Ｖとした。容量変化率が±１５％以
内（基準温度２５℃）を満足するかどうかを調べた。満
足する場合を○、満足しない場合を×とした。

【０１０９】また、Ｂ特性については、ＬＣＲメーター
により、−２５〜８５℃について測定電圧１Ｖで容量を
測定し、容量変化率が±１０％以内（基準温度２０℃）
を満足するかどうかを調べた。満足する場合を○、満足
しない場合を×とした。

【０１１０】直流電界下での容量の経時変化 積層チップコンデンサのサンプルに対し、誘電体層の厚
さ１μｍあたり２．５Ｖの直流電界（サンプルへの印加
電圧７．５Ｖ）を４０℃にて１００時間印加し、次い
で、無負荷状態で室温にて２４時間放置した後、容量を
測定し、直流電界印加前の容量Ｃ_０ （初期容量）から
の変化量ΔＣを求めて、変化率ΔＣ／Ｃ_０ を算出した。
なお、容量は上記条件にて測定した。

【０１１１】直流バイアス下の容量低下耐性（ＤＣ−Ｂ
ｉａｓ特性） ＬＣＲメーターにより、０〜１３Ｖ／μｍの直流電界を
かけながら静電容量を室温で測定し、直流電界下の容量
が−５０％になる電界を求めた。少なくとも６．３Ｖ／
μｍ以上、できれば６．５Ｖ／μｍ以上であることが好
ましい。

【０１１２】

【表１】

【０１１３】

【表２】 比較例１ 表１および表２に示すように、仮焼きせず、主成分であ
るＢａＴｉＯ_３ ：１００モルに対し、ＭｇＯ換算で
２．１モルの（ＭｇＣＯ_３ ）_４ Ｍｇ（ＯＨ） _２ ・
５Ｈ_２ Ｏ、０．３７５モルのＭｎＣＯ_３ 、３．０モ
ルの（Ｂａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．０１
モルのＶ_２ Ｏ_５ 、および２．１モルのＹ_２ Ｏ_３
を添加した混合粉体を用いて焼成を行った以外は、前記
実施例１のサンプルと同様にして、円柱状サンプルおよ
びコンデンサのサンプルＡ１１を準備し、実施例１と同
様な試験を行った。結果を表２に示す。

【０１１４】実施例２ 表１に示すように、第１副成分としてＣａＯまたはＢａ
Ｏを用い、仮焼温度を１０００℃で行った以外は、実施
例１と同様にして、円柱状サンプルおよびコンデンサの
サンプルＢ１およびＢ２を準備し、実施例１と同様な試
験を行った。結果を表２に示す。

【０１１５】なお、仮焼前粉体中の特定成分のモル比：
（Ｂａ＋Ｃａ）／（Ｔｉ＋Ｙ）を調べたところ、表１に
示すように、１．０２１であった。また、モル比：（Ｂ
ａ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｃａ）を調べたところ、表１に示す
ように、０．９７９４であった。

【０１１６】実施例３ 表１に示すように、仮焼前粉体中に、２．１モルのＭｇ
Ｏと２．１モルのＹ_２ Ｏ_３ 、またはそれらに加えて
０．３７５モルのＭｎＣＯ_３ とを、さらに添加し、仮
焼温度を７００〜１１００℃とした以外は、実施例１と
同様にして、円柱状サンプルおよびコンデンサのサンプ
ルＣ１〜Ｃ１０を準備し、実施例１と同様な試験を行っ
た。結果を表２に示す。

【０１１７】なお、仮焼前粉体中の特定成分のモル比：
（Ｂａ＋Ｍｇ）／（Ｔｉ＋Ｙ）を調べたところ、表１に
示すように、０．９７９８であった。また、モル比：
（Ｂａ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ）を調べたところ、表１に
示すように、１．０２０６であった。

【０１１８】実施例４ 表１に示すように、仮焼前粉体中に、第３成分として
０．０１モルのＶ_２ Ｏ _５ 、第４成分として２．１モ
ルのＹ_２ Ｏ_３ 、第５成分として０．３７５モルのＭ
ｎＣＯ_３ とを、さらに添加し、仮焼温度を５００〜１
３００℃とした以外は、実施例１と同様にして、円柱状
サンプルおよびコンデンサのサンプルＤ１〜Ｄ９を準備
し、実施例１と同様な試験を行った。結果を表２に示
す。

【０１１９】なお、仮焼前粉体中の特定成分のモル比：
（Ｂａ＋Ｍｇ）／（Ｔｉ＋Ｙ）を調べたところ、表１に
示すように、０．９７９８であった。また、モル比：
（Ｂａ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ）を調べたところ、表１に
示すように、１．０２０６であった。

【０１２０】実施例５ 表１に示すように、第４成分としてのＹ_２ Ｏ_３ に代
えて、Ｄｙ_２ Ｏ_３またはＨｏ_２ Ｏ_３ を、２．１モ
ル（ＤｙまたはＨｏのモル数は４．２モル、以下同様）
の含有量で仮焼前粉体中に含有させ、仮焼温度を８００
℃にした以外は、前記実施例４と同様にして、円柱状サ
ンプルおよびコンデンサのサンプルＥ１およびＥ２を準
備し、実施例１と同様な試験を行った。結果を表２に示
す。

【０１２１】なお、仮焼前粉体中の特定成分のモル比：
（Ｂａ＋Ｍｇ）／（Ｔｉ＋ＤｙまたはＨｏ）を調べたと
ころ、表１に示すように、０．９７９８であった。ま
た、モル比：（Ｂａ＋ＤｙまたはＨｏ）／（Ｔｉ＋Ｍ
ｇ）を調べたところ、表１に示すように、１．０２０６
であった。

【０１２２】実施例６ 表１に示すように、第４成分としてのＹ_２ Ｏ_３ に代
えて、Ｅｕ_２ Ｏ_３を、１．５モル（Ｅｕのモル数は
３．０モル、以下同様）仮焼前粉体中に含有させ、仮焼
温度を８００℃にした以外は、前記実施例４と同様にし
て、円柱状サンプルおよびコンデンサのサンプルＥ３を
準備し、実施例１と同様な試験を行った。結果を表２に
示す。

【０１２３】なお、仮焼前粉体中の特定成分のモル比：
（Ｂａ＋Ｍｇ）／（Ｔｉ＋Ｅｕ）を調べたところ、表１
に示すように、０．９９５１であった。また、モル比：
（Ｂａ＋Ｅｕ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ）を調べたところ、表１
に示すように、１．００４９であった。

【０１２４】実施例７ 表１に示すように、第４成分としてのＹ_２ Ｏ_３ に代
えて、Ｇｄ_２ Ｏ_３を、１．５モル（Ｇｄのモル数は
３．０モル、以下同様）の含有量で仮焼前粉体中に含有
させ、仮焼温度を８００℃にした以外は、前記実施例４
と同様にして、円柱状サンプルおよびコンデンサのサン
プルＥ５を準備し、実施例４と同様な試験を行った。結
果を表２に示す。

【０１２５】なお、仮焼前粉体中の特定成分のモル比：
（Ｂａ＋Ｍｇ）／（Ｔｉ＋Ｇｄ）を調べたところ、表１
に示すように、０．９９５１であった。また、モル比：
（Ｂａ＋Ｇｄ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ）を調べたところ、表１
に示すように、１．００４９であった。

【０１２６】比較例２ 表１および表２に示すように、仮焼きせず、主成分であ
るＢａＴｉＯ_３ ：１００モルに対し、ＭｇＯ換算で
２．５モルの（ＭｇＣＯ_３ ）_４ Ｍｇ（ＯＨ） _２ ・
５Ｈ_２ Ｏ、０．３７５モルのＭｎＣＯ_３ 、３．０モ
ルの（Ｂａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．１モ
ルのＶ_２ Ｏ_５ 、および１．５モルのＧｄ_２ Ｏ_３
を添加した混合粉体を用いて焼成を行った以外は、前記
実施例７のサンプルと同様にして、円柱状サンプルおよ
びコンデンサのサンプルＥ４を準備し、実施例７と同様
な試験を行った。結果を表２に示す。

【０１２７】実施例８ 表１に示すように、第４成分としてのＹ_２ Ｏ_３ に代
えて、Ｔｂ_４ Ｏ_７を、０．７モル（Ｔｂのモル数は
２．８モル、以下同様）の含有量で仮焼前粉体中に含有
させ、仮焼温度を８００℃にした以外は、前記実施例４
と同様にして、円柱状サンプルおよびコンデンサのサン
プルＥ７を準備し、実施例４と同様な試験を行った。結
果を表２に示す。

【０１２８】なお、仮焼前粉体中の特定成分のモル比：
（Ｂａ＋Ｍｇ）／（Ｔｉ＋Ｔｂ）を調べたところ、表１
に示すように、０．９９７１であった。また、モル比：
（Ｂａ＋Ｔｂ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ）を調べたところ、表１
に示すように、１．００２９であった。

【０１２９】比較例３ 表１および表２に示すように、仮焼きせず、主成分であ
るＢａＴｉＯ_３ ：１００モルに対し、ＭｇＯ換算で
２．５モルの（ＭｇＣＯ_３ ）_４ Ｍｇ（ＯＨ） _２ ・
５Ｈ_２ Ｏ、０．３７５モルのＭｎＣＯ_３ 、３．０モ
ルの（Ｂａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．１モ
ルのＶ_２ Ｏ_５ 、および０．７モルのＴｂ_４ Ｏ_７
を添加した混合粉体を用いて焼成を行った以外は、前記
実施例８のサンプルと同様にして、円柱状サンプルおよ
びコンデンサのサンプルＥ６を準備し、実施例８と同様
な試験を行った。結果を表２に示す。

【０１３０】実施例９ 仮焼前粉体には、６０〜８０モルのＢａＴｉＯ_３ に対
して、ＭｇＯに換算して表３に示すモルのマグネシウム
炭酸塩を含有させ、仮焼済粉体には、表４に示すよう
に、仮焼済成分の重量％が６０〜８０重量％となるよう
に、仮焼しない主成分および副成分を追加添加した以外
は、実施例１と同様にして、円柱状サンプルおよびコン
デンサのサンプルＦ１〜Ｆ３を準備し、実施例１と同様
な試験を行った。結果を表４に示す。

【０１３１】なお、仮焼前粉体中の特定成分のモル比：
（Ｂａ＋Ｍｇ）／（Ｔｉ＋Ｙ）を調べたところ、表１に
示すように、１．０２１であった。また、モル比：（Ｂ
ａ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ）を調べたところ、表１に示す
ように、０．９７９４であった。

【０１３２】

【表３】

【０１３３】

【表４】 実施例１０ 表３に示すように、仮焼前粉体中の第３副成分としての
Ｖ_２ Ｏ_５ のモル数を、０．０５〜０．５の範囲で変
化させた以外は、実施例４のサンプル番号Ｄ５と同様に
して、円柱状サンプルおよびコンデンサのサンプルＧ１
〜Ｇ４を準備し、実施例４と同様な試験を行った。結果
を表４に示す。

【０１３４】なお、仮焼前粉体中の特定成分のモル比：
（Ｂａ＋Ｍｇ）／（Ｔｉ＋Ｙ）を調べたところ、表３に
示すように、０．９７９８であった。また、モル比：
（Ｂａ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ）を調べたところ、表３に
示すように、１．０２０６であった。

【０１３５】実施例１１ 表３に示すように、仮焼前粉体中の第３副成分としての
Ｖ_２ Ｏ_５ のモル数を、０．０１または０．１とし、
仮焼後に追加添加する第２副成分として、下記に示す組
成のものを用いた以外は、実施例４のサンプル番号Ｄ５
と同様にして、円柱状サンプルおよびコンデンサのサン
プルＨ１〜Ｈ３を準備し、実施例４と同様な試験を行っ
た。サンプルＨ１およびＨ３では、第２副成分として、
３．０モルのＬｉ_２ Ｏ−ＢａＯ−ＳｉＯ_２ 混合粉末
（モル比２：４：４または４：２：４）を用いた。サン
プルＨ２では、第２副成分として、３．０モルのＢ_２
Ｏ _３ −ＢａＯ−ＳｉＯ_２ 混合粉末（モル比１：４．
５：４．５）を用いた。結果を表４に示す。

【０１３６】なお、仮焼前粉体中の特定成分のモル比：
（Ｂａ＋Ｍｇ）／（Ｔｉ＋Ｙ）を調べたところ、表３に
示すように、０．９７９８であった。また、モル比：
（Ｂａ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ）を調べたところ、表３に
示すように、１．０２０６であった。

【０１３７】評価 表１〜４に示すように、本発明の実施例では、全てＸ７
Ｒ特性およびB特性を満足できることが確認できた。ま
た、比較例１であるサンプル番号Ａ１１と、実施例であ
るサンプル番号Ａ１〜Ａ１０、Ｂ１，Ｂ２、Ｃ１〜Ｃ１
０、Ｄ１〜Ｄ９とを比較することで、実施例の方が、Ｈ
ＡＬＴ（ＩＲ寿命）が長く、ＣＲ積が高く、直流電界下
での静電容量の経時変化が少なく、直流電界下での静電
容量半減電界が高いことが確認できた。

【０１３８】また、たとえば比較例であるサンプル番号
Ａ１１と、実施例であるサンプル番号Ｄ２〜Ｄ５とを比
較することで、仮焼前粉体の組成と仮焼温度を適切に選
択することで、破壊電圧も向上できることが確認でき
た。

【０１３９】また、サンプル番号Ｃ１〜Ｃ１０およびＤ
１〜Ｄ９の結果を観察することで、仮焼前粉体に第４副
成分が含まれる場合には、仮焼温度は、５００℃以上１
２００℃未満、好ましくは６００〜９００℃が好ましい
ことが確認できた。また、サンプル番号Ａ１〜Ａ１０の
結果を観察することで、仮焼前粉体中に、第４副成分の
原料が含まれていない場合には、仮焼温度は、好ましく
は６００〜１３００℃、さらに好ましくは９００〜１３
００℃、特に好ましくは１０００〜１２００℃であるこ
とが確認できた。これらの温度範囲の時に、特にＨＡＬ
Ｔ（ＩＲ寿命）が向上する。

【０１４０】さらに、サンプル番号Ａ１〜Ａ１０とＤ１
〜Ｄ９とを比較することで、仮焼前粉体中に含まれる成
分のモル比：（Ｂａ＋第１成分の金属元素）／（Ｔｉ＋
第４成分の金属元素）が、１未満、またはモル比：（Ｔ
ｉ＋第４成分の金属元素）／（Ｂａ＋第１成分の金属元
素）が１を超える場合に、ＨＡＬＴ（ＩＲ寿命）および
破壊電圧特性が特に向上することが確認できた。

【０１４１】さらにまた、サンプル番号Ｆ１〜Ｆ３を比
較することで、仮焼済粉体を、誘電体材料の全体を１０
０重量％として、６０重量％以上、７０重量％以上、で
きれば８０重量％以上用いることが好ましいことが確認
できた。仮焼済粉体の割合が多くなるほど、諸特性が向
上することが確認できた。

【０１４２】また、サンプル番号Ｅ３〜Ｅ７の結果を観
察することで、第４副成分として、Ｔｂ酸化物またはＧ
ｄ酸化物を用いた場合でも、本発明に係る仮焼方法によ
り、Ｘ７Ｒ特性は満足しないものの、他の諸特性（特に
ＩＲ寿命）が向上することが確認できた。

【０１４３】また、サンプル番号Ｇ１〜Ｇ４などを観察
することで、第３副成分の比率を、好ましくは０．０１
〜０．１モル、さらに好ましくは０．０１以上０．１未
満とすることで、絶縁抵抗（ＩＲ）、ＣＲ積、破壊電圧
（ＶＢ）特性、直流バイアス下の容量低下耐性（ＤＣ−
Ｂｉａｓ特性）が向上することが確認できた。

【０１４４】また、サンプル番号Ｈ１〜Ｈ３などを観察
することで、第２成分として、ＳｉＯ_２ 、Ｌｉ_２ Ｏ
およびＢａＯなどを用いた場合でも、本発明の効果が得
られることが確認できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は積層型セラミックコンデンサの断面図
である。

【符号の説明】

１…積層型セラミックコンデンサ ２…誘電体層 ３…内部電極層 ４…外部電極 １０…コンデンサ素子本体

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−215979（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−5460（ＪＰ，Ａ) 特開2000−143341（ＪＰ，Ａ) 特開2000−103668（ＪＰ，Ａ) 特開2000−327414（ＪＰ，Ａ) 特開2001−135544（ＪＰ，Ａ) 特開2001−17970（ＪＰ，Ａ) 特開2001−220225（ＪＰ，Ａ) 特開2001−39765（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−255420（ＪＰ，Ａ) 特開2000−154057（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−278926（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−109319（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−36308（ＪＰ，Ａ) 特開2000−311828（ＪＰ，Ａ) 特公 平７−118431（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/50 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 組成式Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｎ で表さ
   れ、前記組成式中のｍが０．９９５≦ｍ≦１．０１０で
   あり、ｎが０．９９５≦ｎ≦１．０１０であり、Ｂａと
   Ｔｉとの比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０であ
   る主成分と、 ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ_２ Ｏ_３
   から選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、 ＳｉＯ_２ 、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒお
   よびＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、Ｌｉ
   _２ ＯおよびＢ_２ Ｏ_３ から選ばれる少なくとも１種
   を含む第２副成分と、 Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ から選択され
   る少なくとも１種を含む第３副成分と、 Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇｄおよび
   Ｈｏから選択される少なくとも一種）を含む第４副成分
   と、を少なくとも有し、 前記主成分１００モルに対する各副成分の比率が、 第１副成分：０．１〜３モル、 第２副成分：２〜１２モル、 第３副成分：０．０１モル以上０．１モル未満、 第４副成分：０．１〜１０．０モル（ただし、第４副成
   分のモル数は、Ｒ単独での比率である）である誘電体磁
   器組成物を製造する方法であって、 前記主成分と、前記第２副成分を除いたその他の副成分
   のうちの少なくとも一部とを混合し、仮焼前粉体を準備
   する工程と、 前記仮焼前粉体を仮焼きして仮焼済粉体を準備する工程
   と、 前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なくとも混合
   し、前記主成分に対する各副成分のモル比が前記の比率
   である誘電体磁器組成物を得る工程と、 を有し、 前記仮焼前粉体中に含まれる成分のモル比：（Ｂａ＋第
   １副成分の金属元素）／（Ｔｉ＋第４副成分の金属元
   素）が１未満、または（Ｂａ＋第４副成分の金属元素）
   ／（Ｔｉ＋第１副成分の金属元素）が１を超えるよう
   に、前記仮焼前粉体を準備し、仮焼を行うことを特徴と
   する 誘電体磁器組成物の製造方法。
2. 【請求項２】 ＭｎＯを含む第５副成分をさらに含み、
   前記主成分１００モルに対する第５副成分の比率が、
   ０．０５〜１．０モルである誘電体磁器組成物を得るこ
   とを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物の製
   造方法。
3. 【請求項３】 前記主成分１００モルに対する前記第３
   副成分のモル比が０．０１〜０．１モルである誘電体磁
   器組成物を得ることを特徴とする請求項１または２に記
   載の誘電体磁器組成物の製造方法。
4. 【請求項４】 前記仮焼前粉体を準備する際には、仮焼
   前粉体には、第１副成分を必ず含ませることを特徴とす
   る請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物の
   製造方法。
5. 【請求項５】 前記仮焼前粉体を、５００℃以上１２０
   ０℃未満の温度で仮焼きすることを特徴とする請求項１
   〜４のいずれかに記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
6. 【請求項６】 前記仮焼きを複数回行うことを特徴とす
   る請求項５に記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
7. 【請求項７】 前記主成分の平均粒径が０．１〜０．７
   μｍである請求項１〜６のいずれかに記載の誘電体磁器
   組成物の製造方法。
8. 【請求項８】 前記仮焼済粉体を、誘電体材料の全体を
   １００重量％として、７０重量％以上用いることを特徴
   とする請求項１〜７のいずれかに記載の誘電体磁器組成
   物の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかの方法により得
   られた誘電体磁器組成物を用いて、誘電体層を形成する
   ことを特徴とする誘電体層含有電子部品の製造方法。
10. 【請求項１０】 ＮｉまたはＮｉ合金からなる内部電極
    と誘電体層とを交互に積層してなる積層型セラミックコ
    ンデンサであって、前記誘電体層が、ＢａＴｉＯ_３ ：
    １００モル、ＭｇＯまたはＣａＯの少なくとも１種：
    ０．１〜３モル、ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、Ｙ
    _２ Ｏ_３ ：０．１〜５モル、Ｖ_２ Ｏ_５：０．０１モ
    ル以上０．１モル未満、Ｂａ_ａ Ｃａ_１−ａ ＳｉＯ
    _３ （ａは０〜１の数である）：２〜１２モルをこのモ
    ル比で含む積層型セラミックコンデンサの製造方法にお
    いて、 ＢａＴｉＯ_３ と、ＭｇＯまたはＣａＯまたは熱処理に
    よってＭｇＯまたはＣａＯになる化合物の少なくとも１
    種を予め混合し、９００℃〜１３００℃で仮焼きした材
    料を、誘電体材料全体に対して７０重量％以上用い、 前記仮焼前粉体中に含まれる成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍ
    ｇ＋Ｃａ）／（Ｔｉ＋Ｙ）が１未満、または（Ｂａ＋
    Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ）が１を超えるように、前記
    仮焼前粉体を準備し、仮焼を行うことを特徴とする 積層
    型セラミックコンデンサの製造方法。
11. 【請求項１１】 ＮｉまたはＮｉ合金からなる内部電極
    と誘電体層とを交互に積層してなる積層型セラミックコ
    ンデンサであって、誘電体層が、ＢａＴｉＯ_３ ：１０
    ０モル、ＭｇＯまたはＣａＯの少なくとも１種：０．１
    〜３モル、ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、Ｙ_２ Ｏ
    _３ ：０．１〜５モル、Ｖ_２ Ｏ_５ ：０．０１モル以
    上０．１モル未満、Ｂａ_ａ Ｃａ_１−ａ ＳｉＯ
    _３ （ａは０〜１の数である）：２〜１２モルをこのモ
    ル比で含む積層型セラミックコンデンサの製造方法にお
    いて、 ＢａＴｉＯ_３ と、ＭｇＯまたはＣａＯまたは熱処理に
    よってＭｇＯまたはＣａＯになる化合物の少なくとも１
    種と、ＭｎＯまたは熱処理によってＭｎＯになる化合
    物、Ｙ_２ Ｏ_３ または熱処理によってＹ_２ Ｏ_３ に
    なる化合物、およびＶ_２ Ｏ_５ または熱処理によって
    Ｖ_２ Ｏ_５ になる化合物からなる群から選ばれる少な
    くとも１種とを予め混合し、９００℃〜１３００℃で仮
    焼きした材料を、誘電体材料全体に対して７０重量％以
    上用い、 前記仮焼前粉体中に含まれる成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍ
    ｇ＋Ｃａ）／（Ｔｉ＋Ｙ）が１未満、または（Ｂａ＋
    Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ）が１を超えるように、前記
    仮焼前粉体を準備し、仮焼を行うことを特徴とする 積層
    型セラミックコンデンサの製造方法。
12. 【請求項１２】 ＢａＴｉＯ_３ の平均粒径が０．２〜
    ０．７μｍであることを特徴とする請求項１０または１
    １に記載の積層型セラミックコンデンサの製造方法。