JPWO2010010753A1 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 129
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 119
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- -1 copper nitride Chemical class 0.000 claims abstract description 55
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims abstract description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 26
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 13
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007719 peel strength test Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0179—Thin film deposited insulating layer, e.g. inorganic layer for printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/09—Treatments involving charged particles
- H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/421—Blind plated via connections
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
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Abstract
Description
図1に第一の実施例を示す。図1に示す配線基板100において、101はカルボキシル基含有熱硬化樹脂の基板である。
図4を用いて本発明の第二の実施例について説明する。なお、第一実施例と重複する部分は説明を省略する。
本発明における窒化した樹脂層の結合状態を確認するため、樹脂層に対してXPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy、X線光電子分光)を用いた試験を行い、結果を比較した。
処理条件2:Ar/N2クリーニング品
Initial品にアルゴン、窒素をそれぞれ流量500sccm、200sccm導入し、圧力を100mTorr、RF電力100Wで10秒間プラズマ処理を行ったもの(実施例のステップ202、203と同様の条件)。
処理条件3:Arプラズマクリーニング品
Initial品にアルゴンを流量500sccm導入し、圧力を100mTorr、RF電力100Wで10秒間プラズマ処理を行ったもの(窒素を導入しないもの)。
本発明における窒化銅の膜質を確認するため、アルゴン/窒素ガス放電にてリアクティブスパッタで形成した窒化銅のX-Ray Diffraction(XRD)測定、及び比抵抗の調査を、シリコン熱酸化膜基板上へ窒化銅を堆積させた膜で行った。
図10を参照して、本発明の第五の実施例について説明する。
Claims (17)
- 電気的絶縁層上に配線パターンが形成されている配線基板において、前記電気的絶縁層の表面のうち少なくとも前記配線パターンが密着している領域においては、前記電気的絶縁層が窒化されておりかつ前記配線パターンの少なくとも一部を構成する金属の窒化物と密着していることを特徴とする配線基板。
- 第一の配線パターンを有し、前記第一の配線パターンを覆うように電気的絶縁層が形成され、前記電気的絶縁層に、前記第一の配線パターンの一部が露出するようなビアホールが形成され、前記ビアホールに配線材料が埋め込まれ、前記ビアホールに埋め込まれた配線材料に電気的に接続された第二の配線パターンが前記電気的絶縁層表面に形成されている配線基板において、前記電気的絶縁層の表面のうち少なくとも前記第二の配線パターンが密着している領域においては、前記電気的絶縁層が窒化されておりかつ前記第二の配線パターンの少なくとも一部を構成する金属の窒化物と密着していることを特徴とする配線基板。
- 前記配線材料は前記第二の配線パターンの少なくとも一部を構成する金属と同じ金属を含み、前記ビアホール側壁においては前記電気的絶縁層が窒化されておりかつ前記金属の窒化物と密着していることを特徴とする請求項2に記載の配線基板。
- 前記電気的絶縁層は、窒素ガスを含むガスをプラズマ化して活性な窒素を生成して照射することにより窒化されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の配線基板。
- 前記電気的絶縁層はカルボキシル基含有熱硬化樹脂であり、前記窒化された電気的絶縁層が窒化されたカルボキシル基含有熱硬化樹脂であり、前記金属の窒化物が窒化銅であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の配線基板。
- 前記金属の窒化物は、比抵抗が10μΩcm以下の窒化銅であるであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の配線基板。
- 前記金属の窒化物は膜厚が1nm以上100nm以下の窒化銅であり、前記金属は銅であって前記窒化銅に密着していることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一つに記載の配線基板。
- 電気的絶縁層の表面の少なくとも一部を窒化する工程と、窒化された前記電気的絶縁層の表面に窒化銅を形成する工程と、前記窒化銅の上にスパッタにより銅を膜厚500nm以下形成する工程と、前記銅をシード層として銅を電解めっきにより形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
- 第一の配線パターンを形成する工程と、前記第一の配線パターンを覆うように電気的絶縁層を形成する工程と、前記電気的絶縁層の表面の少なくとも一部を窒化する工程と、前記電気的絶縁層に前記第一の配線パターンの一部が露出するような穴を形成する工程と、前記穴によって露出された前記第一の配線パターンの表面部分に30eV以上の照射エネルギーを持つイオンをプラズマにより照射するイオン照射工程と、窒化された前記電気的絶縁層の表面およびイオン照射された前記第一の配線パターンの表面部分に窒化銅を形成する工程と、前記窒化銅の上にスパッタにより銅を膜厚500nm以下形成する工程と、前記銅をシード層として銅を電解めっきにより形成する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
- 前記電気的絶縁層の表面の少なくとも一部を窒化する工程は、前記電気的絶縁層に前記第一の配線パターンの一部が露出するような穴を形成する工程の後または前記イオン照射工程の後に行われることを特徴とする請求項9に記載の配線基板の製造方法。
- 前記イオン照射工程に用いるプラズマが、水素を含むガスによりプラズマ化され、活性な水素を含むプラズマであることを特徴とする請求項9または10に記載の配線基板の製造方法。
- 前記窒化する工程は、窒素を含むガスをプラズマ化して活性な窒素を生成し、前記電気的絶縁層の表面の少なくとも一部に前記活性な窒素を照射する工程を含むことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
- 前記窒化する工程および前記イオン照射工程を、プラズマ化するガスとして窒素および水素を含むガスを用いて、同時に行うことを特徴とする請求項8乃至12のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
- 前記窒化銅を形成する工程は、スパッタ装置において銅ターゲットを用い、窒素ガスを含むガスを導入したリアクティブスパッタにより窒化銅を形成する工程を含むことを特徴とする請求項8乃至13のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
- 前記窒化銅の上にスパッタにより銅を形成する工程は、前記スパッタ装置において前記リアクティブスパッタに引き続いて不活性ガスを導入してスパッタにより銅を形成する工程を含むことを特徴とする請求項14に記載の配線基板の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の配線基板を有することを特徴とする電子機器。
- 請求項8〜15のいずれかに記載の工程を有することを特徴とする電子機器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010521634A JP5487473B2 (ja) | 2008-07-22 | 2009-05-29 | 配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008188159 | 2008-07-22 | ||
JP2008188159 | 2008-07-22 | ||
JP2010521634A JP5487473B2 (ja) | 2008-07-22 | 2009-05-29 | 配線基板及びその製造方法 |
PCT/JP2009/059838 WO2010010753A1 (ja) | 2008-07-22 | 2009-05-29 | 配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010010753A1 true JPWO2010010753A1 (ja) | 2012-01-05 |
JP5487473B2 JP5487473B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=41570220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010521634A Active JP5487473B2 (ja) | 2008-07-22 | 2009-05-29 | 配線基板及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8981234B2 (ja) |
JP (1) | JP5487473B2 (ja) |
KR (2) | KR20110026016A (ja) |
CN (1) | CN102090158A (ja) |
TW (1) | TWI486108B (ja) |
WO (1) | WO2010010753A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5587116B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-09-10 | 京セラ株式会社 | 配線基板及び実装構造体 |
JP2011258871A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Fujitsu Ltd | 回路基板及びその製造方法 |
CN102152543A (zh) * | 2010-12-14 | 2011-08-17 | 郑勇 | 具有铝箔漫反射面金属光泽的聚乙烯镀铝薄膜 |
US8753975B1 (en) | 2013-02-01 | 2014-06-17 | Globalfoundries Inc. | Methods of forming conductive copper-based structures using a copper-based nitride seed layer without a barrier layer and the resulting device |
US8859419B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-10-14 | Globalfoundries Inc. | Methods of forming copper-based nitride liner/passivation layers for conductive copper structures and the resulting device |
KR101309342B1 (ko) * | 2013-04-10 | 2013-09-17 | 하비스 주식회사 | 우수한 절연성 및 방열성을 갖는 연성 동박 적층판 및 이를 구비하는 인쇄회로기판 |
US9355864B2 (en) * | 2013-08-06 | 2016-05-31 | Tel Nexx, Inc. | Method for increasing adhesion of copper to polymeric surfaces |
JP2015115335A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
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Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3509892C2 (de) * | 1985-03-19 | 1994-04-21 | Westfalia Separator Ag | Verfahren zum Nachklären und Stabilisieren von Polyphenole und/oder Eiweißstoffe enthaltenden Flüssigkeiten und Getränken, insbesondere von Bier |
JP2788779B2 (ja) * | 1990-03-09 | 1998-08-20 | 古河電気工業株式会社 | 回路基板用素材板 |
JPH10133597A (ja) | 1996-07-26 | 1998-05-22 | Canon Inc | 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法 |
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JP4916143B2 (ja) | 2005-08-04 | 2012-04-11 | サッポロビール株式会社 | ビール酵母で発酵させたアルコール飲料からコラーゲン産生促進作用を有する組成物を製造する方法及びその組成物 |
DE102007001349A1 (de) | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Protekum Umweltinstitut Gmbh, Oranienburg | Verwendung von speziell behandelten Trestern und naturbelassenen Extrakten als Einzelfuttermittel für die gesunde Ernährung von Jungtieren und trächtigen Tieren |
JP2008166420A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
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US8105937B2 (en) * | 2008-08-13 | 2012-01-31 | International Business Machines Corporation | Conformal adhesion promoter liner for metal interconnects |
-
2009
- 2009-05-29 KR KR1020117002676A patent/KR20110026016A/ko active Application Filing
- 2009-05-29 JP JP2010521634A patent/JP5487473B2/ja active Active
- 2009-05-29 WO PCT/JP2009/059838 patent/WO2010010753A1/ja active Application Filing
- 2009-05-29 US US13/003,103 patent/US8981234B2/en active Active
- 2009-05-29 CN CN2009801268166A patent/CN102090158A/zh active Pending
- 2009-05-29 KR KR1020127030678A patent/KR20120135354A/ko active Search and Examination
- 2009-06-01 TW TW098117955A patent/TWI486108B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5487473B2 (ja) | 2014-05-07 |
WO2010010753A1 (ja) | 2010-01-28 |
TW201014486A (en) | 2010-04-01 |
CN102090158A (zh) | 2011-06-08 |
US8981234B2 (en) | 2015-03-17 |
US20110114375A1 (en) | 2011-05-19 |
KR20120135354A (ko) | 2012-12-12 |
KR20110026016A (ko) | 2011-03-14 |
TWI486108B (zh) | 2015-05-21 |
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