JPWO2006041027A1 - 機能基板 - Google Patents

機能基板 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2006041027A1
JPWO2006041027A1 JP2006540918A JP2006540918A JPWO2006041027A1 JP WO2006041027 A1 JPWO2006041027 A1 JP WO2006041027A1 JP 2006540918 A JP2006540918 A JP 2006540918A JP 2006540918 A JP2006540918 A JP 2006540918A JP WO2006041027 A1 JPWO2006041027 A1 JP WO2006041027A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
partition wall
functional
substrate
layer
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006540918A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5105877B2 (ja
Inventor
井上 智
智 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2006540918A priority Critical patent/JP5105877B2/ja
Publication of JPWO2006041027A1 publication Critical patent/JPWO2006041027A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5105877B2 publication Critical patent/JP5105877B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

有機EL素子1は、基板本体11と、基板本体11上に所定のパターンで配列された複数の有機機能層20と、複数の有機機能層20をそれぞれに区画する隔壁30とを備えている。隔壁30は、基板本体11上に設けられた横断面略台形状の第1隔壁部32と、第1隔壁部32の上に設けられた横断面略台形状の第2隔壁部31とを少なくとも有する。隔壁30は、第2隔壁部31の横断面における下底の長さが第1隔壁部32の横断面における上底の長さよりも短くなるように形成されている。

Description

本発明は、有機EL素子やカラーフィルタ基板等に代表される機能基板に関する。
機能基板の一種として、例えば有機エレクトロルミネッセント素子(以下、「有機EL素子」とすることがある。)が挙げられる。一般的に、有機EL素子は、表面に複数の画素電極がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板と、複数の画素電極をそれぞれに区画する隔壁(バンク)と、複数の画素電極のそれぞれの上に形成された有機エレクトロルミネッセント発光層(以下、「有機EL発光層」とすることがある。)を含む有機機能層と、有機機能層と隔壁の全体を覆うように形成された上部共通電極とを有する。有機EL素子では有機EL発光層のそれぞれが画素を形成している。
有機EL素子は有機機能層の種類によって大別することができる。具体的には、低分子有機材料を主成分とする低分子有機EL(OLED)素子と、高分子有機材料を主成分とする高分子有機EL(PLED)素子とに大別することができる。これらのうち高分子有機EL素子では、有機機能層は一般的にインクジェット法等の湿式塗布法により形成される(例えば特許文献1)。
特開2000−353594号公報 図6は湿式塗布法の一種であるインクジェット法により有機機能層120を形成する工程を説明するための概略断面図である。
一般的に、有機機能層120は以下のような工程によって形成される。すなわち、有機機能層120は、隔壁130が形成されたアクティブマトリクス基板110上に有機機能層120を形成するための材料(例えば、発光材料等)を含むインク液滴を滴下し、加熱乾燥することにより形成される。
インク液滴の乾燥は、隔壁130の斜面(法面)131近傍から開始する。図6に示すように、インク液滴を滴下した直後、インク液滴は大きく盛り上がった形状S5を有する。乾燥が進むにつれて、インク液滴の形状はS5からS6へ、S6からS7へと次第に変化する。
滴下直後のS5の状態、少し乾燥したS6の状態では、インク液滴中の溶媒の乾燥はそれほど進んでおらず、インク液滴の粘性は比較的低い。このため、形状S6までインク液滴が乾燥する段階では、斜面131にインク液滴中の有機材料はほとんど付着しない。更に乾燥が進みインク液滴の形状がS7となると、斜面131にインク液滴中の有機材料が隔壁130の斜面131に付着し始める。これは、インク液滴中の溶媒の乾燥が進み、インク液滴(特に、隔壁130の斜面との接触面近傍)の粘性が高くなっているためである。インク液滴の乾燥が更に進むと共に、インク液滴の粘性も次第に高くなり、インク液滴中の有機材料が隔壁斜面131に付着する量も増加する。従って、図6に示すように、有機機能層120は隔壁130に近い部分の層厚が中央部(画素部)の層厚よりも厚い凹形状に形成される。尚、この現象は一般的に「ピニング(Pinning)」と呼ばれる。
ピニングが生じると、有機機能層120の中央部分(言い換えれば、画素中央部分)の輝度が有機機能層120の周辺部分(言い換えれば、画素周辺部分)の輝度よりも高くなるため、各画素内で輝度斑が生じる。従って、所望の表示品位を得ることが困難になるという問題がある。
また、有機機能層120のうち、層厚が薄い中央部分には層厚が厚い周辺部分よりも多くの電流が流れる。言い換えれば、有機機能層120を流れる電流の多くが集中的に有機機能層120の中央部分を流れる。このため、有機機能層120の中央部分の劣化速度が周辺部分の劣化速度に較べて速くなる。従って、ピニングが生じると有機EL素子の寿命が短くなるという問題がある。
インクジェット法の性質上、滴下するインク液滴の濃度を所定濃度以上にすることは困難である。従って、中央部分の層厚の厚い有機機能層120を形成するためには体積の大きなインク液滴を滴下する必要がある。滴下するインク液滴の体積が大きい場合には、滴下されたインク液滴が隔壁を乗り越えて隣接する画素電極上に移動しないように、十分に隔壁130を高く形成する必要がある。しかしながら、隔壁130を高く形成すると、インク液滴がピニングする斜面131の面積が増加するため、斜面131に付着する有機材料の量も増加する。このため、有機機能層120の中央部分の層厚と周辺部分の層厚との差がより顕著になり、有機機能層120の中央部分では所望の層厚が得られなくなる。このため、十分に高い発光輝度が得られず、所望の画像表示品位を得ることができないという問題がある。
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは均一な層厚の(層厚ムラがない)機能層を有する有機EL素子等の機能基板を提供することにある。
本発明に係る機能基板は、基板本体と、基板本体上に所定のパターンで配列された複数の機能層と、複数の機能層をそれぞれに区画する隔壁とを備えている。隔壁は、基板本体上に設けられた横断面略台形状の第1隔壁部と、第1隔壁部の上に設けられた横断面略台形状の第2隔壁部とを少なくとも有する。隔壁は、第2隔壁部の横断面における下底の長さが第1隔壁部の横断面における上底の長さよりも短くなるように形成されている。
隔壁は有機材料を含むものであってもよい。例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、及びノボラック樹脂からなる群から選ばれた1種類又は2種類以上の樹脂を含んでいてもよい。
また、隔壁は、少なくともその斜面及び頂面が撥液性を有することが好ましい。隔壁に撥液性を有する材料を含ませることによって隔壁の表面を撥液性にしてもよい。
また、隔壁は、その高さが1μmより大きくなるように形成されていることが好ましい。且つ、第1隔壁部の高さが1.5μmより小さくなるように形成されていることが好ましい。
機能層は高分子有機材料を含むものであることが好ましい。また、機能層は、湿式塗布法により形成されるものであってもよい。尚、本明細書において「湿式塗布法」とは、薄膜形成材料を溶媒(水、有機溶媒等)に溶解させたインクを用いて薄膜を形成する方法をいう。具体的には、インクジェット法、印刷法、スピンコート法等が挙げられる。尚、本明細書において「接触角」は協和界面科学株式会社製CA−W(全自動接触角計;Automatic Contact Angle Meter)を用いて測定した値をいう。
機能層は、カラーフィルタ層、有機エレクトロルミネッセント発光層、導電層、有機半導体層、レンズ層等であってもよい。すなわち、本発明に係る機能基板は、カラーフィルタ基板、有機エレクトロルミネッセンス素子、回路基板、有機半導体基板(例えば、有機薄膜トランジスタ基板等)、マイクロレンズアレイ基板等であってもよい。
本発明に係る表示パネルは機能基板を有する。機能基板は、基板本体と、基板本体上に所定のパターンで配列された複数の表示媒体層と、複数の表示媒体層をそれぞれに区画する隔壁とを備えている。隔壁は、基板本体上に設けられた横断面略台形状の第1隔壁部と、第1隔壁部の上に設けられた横断面略台形状の第2隔壁部とを少なくとも有する。且つ、隔壁は第2隔壁部の横断面における下底の長さが第1隔壁部の横断面における上底の長さよりも短くなるように形成されている。
本発明に係る表示装置は機能基板を有する。機能基板は、基板本体と、基板本体上に所定のパターンで配列された複数の表示媒体層と、複数の表示媒体層をそれぞれに区画する隔壁とを備えている。隔壁は、基板本体上に設けられた横断面略台形状の第1隔壁部と、第1隔壁部の上に設けられた横断面略台形状の第2隔壁部とを少なくとも有する。且つ、隔壁は第2隔壁部の横断面における下底の長さが第1隔壁部の横断面における上底の長さよりも短くなるように形成されている。
尚、本発明に係る表示パネル及び表示装置において、「表示媒体層」とは、互いに対向する電極間の電位差により光透過率又は光反射率が変調される層、若しくは互いに対向する電極間を流れる電流により自発光する層をいう。表示媒体層の具体例としては、例えば、液晶層、無機または有機エレクトロルミネッセント層、発光ガス層、電気泳動層、エレクトロクロミック層等が挙げられる。
本発明に係る製造方法は、上記本発明に係る機能基板を製造するための方法であり、基板本体上に膜を形成する工程と、その膜にハーフ露光を施して隔壁を形成する工程とを備えている。
実施形態に係る有機EL素子1(有機EL素子)の概略断面図である。 有機EL素子1の封止基板60側から見た正面図である。 図1中の点線IIIで囲まれた部分の詳細な断面図である。 インク液滴を滴下してホール輸送層21を形成する工程を説明するための概略断面図である。 隔壁30を形成したアクティブマトリクス基板10の概略断面図である。 インクジェット法により有機機能層120を形成する工程を説明するための概略断面図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は実施形態に係る有機EL素子1(有機EL素子)の概略断面図である。図2は有機EL素子1の封止基板60側から見た正面図である。図3は図1中の点線IIIで囲まれた部分の詳細な断面図である。尚、説明の便宜上、図2には、封止基板60及び上部共通電極40を描画していない。また、図3には、上部共通電極40を描画していない。
有機EL素子1は、複数の画素電極19がマトリクス状に配列されたアクティブマトリクス基板(基板本体)10と、複数の有機機能層20と、隔壁(バンク)30と、上部共通電極40と、封止基板60と、シール50とを備えている。マトリクス状に配設された複数の有機機能層20のそれぞれは画素を構成している。図3に示すように、アクティブマトリクス基板10は、基板本体11と、複数のソースライン12と、複数のゲートライン13と、複数のTFT14と、複数の画素電極19と、平坦化膜18とを備えている。
基板本体11は有機EL素子1の機械的耐久性を担保する機能、及び有機機能層20等に外部から水分や酸素が進入することを抑制する機能を有する。基板本体11は、ガラス基板、石英基板、セラミックス基板(例えば、アルミナセラミックス基板等)等の絶縁性無機基板や、プラスチック基板(例えば、ポリエチレンテレフタレート基板)等であってもよい。また、アルミニウムや鉄等の金属基板の一方面をSiO2(シリカゲル)や有機絶縁性材料等の絶縁材料でコートした基板、又はアルミニウムや鉄等の金属基板の表面に陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等であってもよい。尚、有機EL素子1が基板本体11側から光を出射させる所謂ボトムエミッション方式である場合は、基板本体11がガラスやプラスチック等の光透過率の高い材料により形成されていることが好ましい。
複数のソースライン(データ信号線)12は相互に並行に延びるように形成されている。各ソースライン12は、TFT14に電気的に接続されており、各TFT14にデータ信号を入力する。複数のゲートライン(走査信号線)13はソースライン12の延びる方向に角度をなして相互に並行に延びるように形成されている。各ゲートライン13は、TFT14に電気的に接続されており、各TFT14に走査信号を入力する。各TFT14はソースライン12及びゲートライン13からそれぞれ入力されたデータ信号及び走査信号に基づいて画素電極19に電流を供給する。尚、ソースライン12及びゲートライン13は、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、タングステン(W)等の導電性材料(例えば、導電性金属)により形成することができる。
TFT14は、ゲートライン(ゲートメタル)13と、その上に設けられた島状半導体16と、ゲート絶縁膜15と、島状半導体16上に設けられたドレイン電極17とを有する。ゲート絶縁膜15は、ゲートライン13と島状半導体16とを相互に絶縁し、TFT14の耐圧性を担保する機能を有する。ゲート絶縁膜15は、シリコン膜、チッ化シリコン膜、又は酸化タンタル膜等により構成することができる。また、酸化シリコン膜/チッ化シリコン膜/酸化シリコン膜といった積層により構成してもよい。島状半導体16はポリシリコン(Si)等により形成することができる。ドレイン電極17はアルミニウム等により形成されており、画素電極19に電気的に接続されている。
尚、本実施形態では、TFT14はボトムゲート構造を有するが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばトップゲート構造等であってもよい。また、TFT14の代わりにMIM(Metal−Insulator−Metal)ダイオード等の他のスイッチング素子を用いても構わない。
平坦化膜18はアクティブマトリクス基板10の一方面(図3で上側の面)を平坦にする機能を有する。平坦化膜18を設けることによって、平坦化膜18の上部に形成される画素電極19や有機機能層20等を平坦に形成することができる。尚、平坦化膜18はアクリル、ノボラック、又はポリイミド等の樹脂材料により形成することができる。
平坦化膜18の上には複数の画素電極19が所定配列で(例えばマトリクス状に)配置されている。画素電極19は、金属材料、合金、又は導電性酸化物等により形成することができる。具体的に、金属材料としては、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、金(Au)、カルシウム(Ca)、チタン(Ti)、イットリウム(Y)、ナトリウム(Na)、ルテニウム(Ru)、マンガン(Mn)、インジウム(In)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、イッテルビウム(Yb)、フッ化リチウム(LiF)等が挙げられる。合金としては、マグネシウム(Mg)/銅(Cu)、マグネシウム(Mg)/銀(Ag)、ナトリウム(Na)/カリウム(K)、アスタチン(At)/酸化アスタチン(AtO2)、リチウム(Li)/アルミニウム(Al)、リチウム(Li)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)、フッ化リチウム(LiF)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)等が挙げられる。導電性酸化物としては、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)等が挙げられる。画素電極19から有機機能層20への高いホール注入効率を実現する観点から、これらの材料の中でも、例えば、インジウムスズ酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)等といった仕事関数の大きな材料がより好ましい。
また、有機EL発光層22からの高い光取り出し効率を実現する観点から、有機EL素子1が基板本体11側から有機EL発光層22の光を取り出す所謂ボトムエミッション方式である場合は、画素電極19はインジウムスズ酸化物(ITO)等の光透過性の材料により形成されていることが好ましい。一方、有機EL素子1が上部共通電極40側から有機EL発光層22の光を取り出す所謂トップエミッション方式である場合は、画素電極19がアルミニウム(Al)等の光反射性材料により形成されていることが好ましい。
画素電極19の層厚は50nm以上且つ500nm以下であることが好ましい。50nmより小さい場合は、所望の膜強度が得られず、また、所望の抵抗値が得られない。500nmより大きい場合は、画素電極19の剥離が生じる虞がある。
画素電極19は親液化処理が施されたものであってもよい。親液化処理を施すことにより画素電極19と有機機能層20との親和性が向上するため、より層厚の均一な有機機能層20を形成することが可能となる。親液化処理としては、UV/O3処理(オゾン紫外線処理)等が挙げられる。尚、本明細書において「親液化処理」とは親液性を付与する処理のことをいう。また、「親液性」とは、湿式塗布法により有機機能層を形成するためのインク液滴と画素電極19との接触角が20度以下である性質のことをいう。
尚、本実施形態では、画素電極19は略矩形状に形成されているが、画素電極19は円形状、楕円形状等に形成されていてもよい。
各画素電極19上に設けられた有機機能層20は、画素電極19の上に形成されたホール輸送層21と、ホール輸送層21の上に形成された有機EL発光層22とを有する。但し、本発明においては、有機機能層20はこの構成に限定されない。有機機能層20は、有機EL発光層22のみにより構成されていてもよい。また、有機EL発光層22と、ホール注入層、ホール輸送層21、電子注入層、及び電子輸送層から選ばれた1又は2以上の層とにより構成されていても構わない。
ホール輸送層21は画素電極19から有機EL発光層22へのホールの輸送効率を向上させる機能を有する。ホール輸送層21を形成するためのホール輸送材料としては、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ−p−フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
有機EL発光層22は画素電極19から注入されたホールと、上部共通電極40から注入された電子とを再結合させて光を出射させる機能を有する。有機EL発光層22を形成するための発光材料としては、金属オキシノイド化合物[8−ヒドロキシキノリン金属錯体]、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ−p−フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
図2に示すように、隔壁30は平面視において格子状に形成されており、アクティブマトリクス基板10上にマトリクス状に配設された複数の画素電極19及び複数の有機機能層20をそれぞれに区画している。隔壁30の開口(画素電極19が露出した部分)の形状は角部が略矩形に形成されている。尚、略矩形とは矩形又は角部が鈍角化された矩形のことをいう。ここで、角部を鈍角化するとは、90度を超える角(複数でもよい)又は曲線で角部を構成することをいう。曲線と鈍角との組み合わせによって角部を構成しても構わない。
隔壁30は、アクティブマトリクス基板10上に設けられた第1隔壁部32と、第1隔壁部32の上に設けられた第2隔壁部とを有する。第1隔壁部32及び第2隔壁部の断面形状はそれぞれ略台形である(以下、「第1隔壁部32の断面が構成する略台形」を「略台形a」と称呼し、「第2隔壁部31の断面が構成する略台形」を「略台形b」と称呼する。)。
略台形aの上底は略台形bの下底よりも長く、第1隔壁部32の頂面32bの一部が露出している。言い換えれば、第1隔壁部32と第2隔壁部31とは段差を形成するように形成されている。
隔壁30の高さは1μmより大きいことが好ましい。より好ましくは1.5μm以上である。第1隔壁部32の高さは1.5μmより小さいことが好ましい。より好ましくは1μm以下である。
少なくとも隔壁30の表面は撥液性を有することが好ましい。表面が撥液性を有する隔壁30を製造する方法としては、例えば、撥液性を有する材料により隔壁30を形成する方法、及び隔壁30に撥液化処理を施す方法等が挙げられる。尚、撥液化処理とは撥液性を付与する処理のことをいう。湿式塗布法により有機機能層20を形成するためのインク液滴と隔壁30との接触角が40度以上である状態のことを「撥液性」という。
隔壁30は有機材料により形成することができる。有機材料の中でも、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、又はこれらの混合樹脂等で形成されることが好ましい。ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、及びノボラック樹脂は有機材料の中でも耐熱性(熱的安定性)が良好であり、脱ガス、変色、変質、及び変形等が発生しにくい。従って、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、及びノボラック樹脂からなる群から選ばれた1種類又は2種類以上の樹脂を含有させることにより、隔壁30の安定性を向上させることができ、長い製品寿命を有する有機EL素子1を実現することができる。
上部共通電極40は有機機能層20に電子を注入する機能を有する。上部共通電極40は、例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、金(Au)、カルシウム(Ca)、チタン(Ti)、イットリウム(Y)、ナトリウム(Na)、ルテニウム(Ru)、マンガン(Mn)、インジウム(In)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、イッテルビウム(Yb)、フッ化リチウム(LiF)等の金属材料により形成することができる。マグネシウム(Mg)/銅(Cu)、マグネシウム(Mg)/銀(Ag)、ナトリウム(Na)/カリウム(K)、アスタチン(At)/酸化アスタチン(AtO2)、リチウム(Li)/アルミニウム(Al)、リチウム(Li)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)、又はフッ化リチウム(LiF)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)等の合金、若しくは酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、又はインジウムスズ酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)等の導電性酸化物により形成してもよい。また、上部共通電極40はこれらの材料からなる複数の層の積層により構成してもよい。
有機機能層20への高い電子注入効率を実現する観点から、これらの材料の中でも、仕事関数の小さな材料がより好ましい。仕事関数が小さい材料としては、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、フッ化リチウム(LiF)、マグネシウム(Mg)/銅(Cu)、マグネシウム(Mg)/銀(Ag)、ナトリウム(Na)/カリウム(K)、リチウム(Li)/アルミニウム(Al)、リチウム(Li)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)、又はフッ化リチウム(LiF)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)等が挙げられる。
有機EL発光層22の発光の高い取り出し効率を実現する観点から、有機EL素子1が上部共通電極40側から有機EL発光層22の光を取り出す所謂トップエミッション方式である場合は、上部共通電極40がインジウムスズ酸化物(ITO)等の光透過性の材料により形成されていることが好ましい。一方、有機EL素子1が基板本体11側から有機EL発光層22の光を取り出す所謂ボトムエミッション方式である場合は、上部共通電極40がアルミニウム(Al)等の光反射性材料により形成されていることが好ましい。
封止基板60は有機機能層20等に酸素や水分が進入することを防止する機能を有する。封止基板60はガラス基板や石英基板等により形成することができる。封止基板60はシール50により接着固定されている。シール50の材料としてはエポキシ樹脂等の酸素透過性及び透湿性の低い材料が好ましい。
以下、有機EL素子1の製造工程について詳細に説明する。
まず、アクティブマトリクス基板10上にマトリクス状に配設された画素電極19にUV/O3処理(オゾン紫外線処理)等の親液化処理を行う。画素電極19に親液性を付与することにより、ホール輸送層21と画素電極19との親和性及び密着性が向上することができる。また、均一な層厚のホール輸送層21を実現することができる。
次に、スピンコート法等を用いて、アクティブマトリクス基板10の上にポリイミド等からなる樹脂膜を形成する。その樹脂膜にハーフ露光を施して所望の形状にエッチングすることにより隔壁30を形成する。尚、「ハーフ露光」とは現像完了時に露光された部分の感光性樹脂膜の下地(感光性樹脂膜の露光された面と逆側の面)がある程度残るようにするプロセスのことをいう。言い換えれば、感光性樹脂膜の下層が感光しないように露光を行うプロセスのことをいう。詳細には、ポリイミド等の樹脂膜のうち第2隔壁部31が形成される部分の上部のみをフォトマスク等で遮光し、その状態で現像時に感光性樹脂の膜厚がある程度残るような露光量で露光することにより第2隔壁部31を形成する。次いで、隔壁30を形成するエリアの上部全体をフォトマスク等で遮光し、その状態で完全に(つまり現像時に感光性樹脂が完全に無くなるような露光量で)露光する。露光後、現像プロセスを行うことにより、第2隔壁部31と第1隔壁部32で構成される隔壁30を完成させることができる。この方法によれば、第1隔壁部32及び第2隔壁部31を同一の樹脂膜から形成することができる。従って、第1隔壁部32及び第2隔壁部31を別個の薄膜から形成する場合と比較して、樹脂膜の形成工程、及び現像工程を少なくすることができるため、有機EL素子1の製造コストを低減することができる。
次に、形成した隔壁30に撥液化処理を行う。撥液化処理としては四フッ化炭素(CF4)プラズマ処理等のフッ素プラズマ処理等が挙げられる。四フッ化炭素(CF4)プラズマ処理を行う場合は、隔壁30にダメージを与えないように、小さな出力且つ短時間で処理することが好ましい。処理時間は20秒から30分の間であることが好ましく、隔壁30の材料により適宜決定することができる。出力は10〜1000W/m2の範囲であることが好ましい。
隔壁30に撥液化処理を施す代わりに、隔壁30に撥液性を有する材料(添加物)を含有させてもよい。又は、撥液性を有する材料により隔壁30を形成してもよい。撥液性を有する材料(添加物)としては、フッ素系材料、シリカ系材料、側鎖にメチル基やフッ素基等を導入したポリイミド樹脂等が挙げられる。フッ素系材料としては、フッ化カルシウム、六フッ化アルミニウムナトリウム、フッ化ナトリウム、モノフルオロリン酸ナトリウム、フルオロエチレン等が挙げられる。シリカ系の材料としては、ポリシラザン、テトラエトキシシラン等が挙げられる。
尚、撥液化処理により隔壁30に撥液性を付与する方法であれば、隔壁30の材料選択の自由度が大きくなり、生産方法の自由度が大きくなるため、生産効率をより高くすることができる。一方、撥液性を有する材料により隔壁30を形成する場合は、撥液化処理の工程を行う必要がないため、製造工程をより簡略化することができ、容易に有機EL素子1を製造することができる。
次に、隔壁30によりそれぞれに区画された複数の画素電極19の上に、インクジェット法等の湿式塗布法によりホール輸送層21を形成する。詳細には、ホール輸送材料を溶媒に溶解(又は分散)させたインクを隔壁30により区画された各領域に滴下し、乾燥させることによりホール輸送層21を形成する。乾燥にはホットプレートやオーブンを用いて、150℃〜250℃で0.5分から120分加熱することが好ましい。
ホール輸送材料を溶解(又は分散)させる溶媒としては、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、エチルベンゼン、ヘミメリテン〔1,2,3−トリメチルベンゼン〕、プソイドクメン〔1,2,4−トリメチルベンゼン〕、メシチレン〔1,3,5−トリメチルベンゼン〕、クメン〔イソプロピルベンゼン〕、プレーニテン〔1,2,3,4−テトラメチルベンゼン〕、イソジュレン〔1,2,3,5−テトラメチルベンゼン〕、ジュレン〔1,2,4,5−テトラメチルベンゼン〕、p−シメン〔イソプロピルトルエン〕、テトラリン〔1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン〕、シクロヘキシルベンゼン、メリテン〔ヘキサメチルベンゼン〕、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール〔IPA;イソプロピルアルコール〕、エチレングリコール〔1,2−エタンジオール〕、ジエチレングリコール、2−メトキシエタノール〔エチレングリコールモノメチルエーテル,メチルセロソルブ〕、2−エトキシエタノール〔エチレングリコールモノエチルエーテル,セロソルブ〕、2−(メトキシメトキシ)エタノール、2−イソプロポキシエタノール、2−ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、グリセリン、アセトン、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、アニソール〔メトキシベンゼン〕、水、及びこれら溶媒の混合溶媒等が挙げられる。
図4はインク液滴を滴下してホール輸送層21を形成する工程を説明するための概略断面図である。尚、図4において破線で示した形状S1は滴下直後のインク液滴の形状である。図4に示すように、インク液滴は乾燥するに従って、体積が小さくなり、形状がS2からS3、S3からS4と変化していく。
本発明者が誠意研究した結果、図4に示すように、第2隔壁部31の底面の横断面幅を第1隔壁部32の頂面の横断面幅よりも短くし、段差構造とした場合は、第2隔壁部31の斜面31a及び第1隔壁部32の頂面32bにはほとんどピニングせず、スリップ(slip)していく一方、第1隔壁部32の斜面32aにはピニングすることが見出された。また、この現象は画素電極19が親液性を有し、第1隔壁部32の頂面32bが撥液性を有する場合に特に顕著に表れることが見出された。
本実施形態では斜面31aに対するインク液滴のピニングが抑制されるため、ホール輸送層21の周辺部分の層厚と中央部分の層厚との差を低減することができる。すなわち、均一な層厚の(層厚ムラがない)ホール輸送層21を形成することができる。従って、各画素内の輝度斑の少ない高品位な画像表示が可能な有機EL素子1を実現することができる。
尚、隔壁30が段差構造であるならば、第2隔壁部31の高さL1及び隔壁30の高さL3に関わらず斜面31aへのインク液滴のピニングは抑制される。すなわち、例えば、滴下されたインク液滴の隣接画素への流入を抑制するために第2隔壁部31の高さL1を比較的高くした場合でも、あっても斜面31aへのインク液滴のピニングは抑制される。従って、この構成によれば、各ホール輸送層21の層厚ムラを低減すると共に、後に滴下される有機EL発光層22を形成するためのインクの隣接画素への流入も効果的に抑制することができる。また、第2隔壁部31の高さL1を比較的大きく設定することができるため、各画素に滴下するインクの量を多くすることができる。従って、比較的層厚の厚いホール輸送層21を実現することができる。隔壁30の高さは1μmより大きいことが好ましい。より好ましくは、1.5μm以上である。尚、隔壁30の高さL3とは、図4に示すように、ホール輸送層21が直上に形成されている画素電極19を基準としたときの隔壁30先端までの距離のことである。
尚、隔壁30に撥液性を付与するだけ(隔壁30を段差構造にしない場合)では隔壁30の斜面にインク液滴がピニングすることを効果的に抑制することができない。この場合は、隔壁30の斜面全面にわたってピニングが発生してしまう虞がある。従って、中央部分が比較的薄く、周辺部分が比較的厚い有機機能層20が形成されることとなる。
次に、ホール輸送層21の上に有機EL発光層22を形成する。有機EL発光層22の形成方法としては、ホール輸送層21の形成方法と同様に、インクジェット法等が挙げられる。インクジェット法により、発光材料を含む膜を成膜した後、乾燥させることにより有機EL発光層22を形成する。乾燥にはホットプレートやオーブンを用いて、150℃〜250℃で0.5分から120分加熱することが好ましい。有機EL発光層22を形成するためのインクに用いることができる溶媒は、上述したホール輸送層21の形成に用いることができる溶媒と同様である。
有機EL発光層22に関しても、上述の通り、隔壁30は段差部を有し、且つ隔壁30は撥液性を有するため、有機EL発光層22の材料を含むインク液滴は、乾燥する際に第2隔壁部31の斜面31aや第1隔壁部32の頂面32bでピニングすることなくスリップする。このため、中央部分及び周辺部分の層厚の差が少なく均一な有機EL発光層22を形成することができる。また、上述の通り、第2隔壁部31の高さL1を十分に高くすることができるため、層厚が厚い有機EL発光層22を形成することができる。
次に、隔壁30及び有機EL発光層22の全体を覆うように上部共通電極40を形成する。上部共通電極40の形成方法としては、スパッタ法や蒸着法等が挙げられる。尚、断線がなく、均一な層厚の上部共通電極40を得る観点から、第1隔壁部32の高さL2は1.5μmより小さいことが好ましい。高さL2が1.5μm以上である場合は、第1隔壁部32と有機EL発光層22との間に生ずる段差が非常に大きいため、その段差部分において上部共通電極40が断線する虞があるからである。上部共通電極40の断線をより効果的に抑制する観点から、第1隔壁部32の高さL2は1μm以下であることがより好ましい。尚、第1隔壁部32の高さL2とは、図4に示すように、ホール輸送層21が直上に形成されている画素電極19を基準としたときの第1隔壁部32先端までの距離のことである。
上部共通電極40形成後、封止基板60をシール50により接着固定することにより有機EL素子1を完成させる。封止基板60をシール50によりアクティブマトリクス基板10に接着する工程は、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。酸素や水分が存在する雰囲気下で行った場合、有機EL素子1内に酸素や水分が残留し、有機機能層20等を劣化させるため所望の寿命を得ることができない。しかし、不活性ガス雰囲気下で行うことにより有機EL素子1内に酸素や水分が進入することを効果的に抑制することができ、長い製品寿命を実現することができるからである。
尚、本実施形態に列挙した各部材の材料、及び有機EL素子1の製造方法は単なる例示であって、本発明は何らこれらに限定されるものではない。また、本実施形態では、アクティブマトリクス方式の有機EL素子1について詳細に説明したが、本発明に係る有機EL素子はパッシブマトリクス方式が採用されたものであっても構わない。
また、本発明に係る機能基板は上述した有機EL素子に限定されるものではない。具体的には、機能層がカラーフィルタ層であるカラーフィルタ基板、機能層が導電層である回路基板、機能層が有機半導体層である有機薄膜トランジスタ基板、機能層がレンズ層からなるマイクロレンズ基板等であってもよい。上述の通り、本発明に係る機能基板は均一な層厚の(層厚ムラがない)機能層を有する。従って、例えば機能層がカラーフィルタ層である場合は、カラーフィルタ層内で光透過率の斑が少ないカラーフィルタ基板を実現することができる。
(実施例1)
本実施例1では、第2隔壁部31の高さL1(隔壁30の高さL3)が異なる複数種類の基板を作成し、それらの基板のそれぞれにホール輸送材料を含むインク液滴70を滴下して、滴下したインク液滴70が隔壁30を超えて隣接する画素電極19上に流出したか否か(液漏れの有無)を観察した。液漏れの有無は、インク液滴70を滴下した直後に、光学顕微鏡でそれぞれの基板を観察することにより判定した。
アクティブマトリクス基板10及び隔壁30は図3に示す有機EL素子1と同様の構成とした。図6は隔壁30が形成されたアクティブマトリクス基板10の概略断面図である。スパッタ法を用いて、ガラス製の基板上にインジウム錫オキサイド(ITO)を100nmの膜厚で成膜した。スピンコート法を用いて、形成したインジウム錫オキサイド(ITO)薄膜上にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いて所望のパターンに露光した。露光後、基板を現像液で現像し、水洗いすることにより、所望のレジストパターンを得た。所望のレジストパターンが形成された基板を市販の塩化鉄(III)溶液に5分浸し、水洗することにより、インジウム錫オキサイド(ITO)薄膜を所望の形状にエッチングした。次に、基板を剥離液に5分間浸し、水洗することによりフォトレジストを剥離した。これらのプロセスにより画素電極19を形成した。隔壁30は、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、その後ハーフ露光技術、現像工程といったフォトパターニング工程を行うことにより形成した。また、基板にUV/O3処理を施して、画素電極19の表面を親液性にした。隔壁30には撥液化処理(CF4プラズマ処理)を施し、隔壁30を撥液性とした。第1隔壁部32の高さL2は0.5μmとした。隔壁30間の距離L8は50μmとした。隔壁30に囲まれた画素電極19は角部が鈍角化された略正方形である。第1隔壁部32の底面の幅L4及び頂面の幅L5はそれぞれ50μm、40μmとした。第2隔壁部31の底面の幅L6及び頂面の幅L7はそれぞれ30μm、20μmとした。ホール輸送材料はポリチオフェン及びポリマー酸を用いた。ホール輸送材料を溶解させる溶媒は純水を用いた。ホール輸送材料の濃度は5%とした。1画素当たりに滴下する総インク液滴量を400ピコリットルとした。インク液滴70は、画素電極19より1mm上空から初速10m/sで射出した。
下記の表1に隔壁30の高さL3と液漏れの関係とを示す。
Figure 2006041027
表1に示すように、第2隔壁部31の高さL1が1μmの場合(L3=1.5μm)は、ほとんど液漏れは確認されなかった。具体的には、液漏れが確認された画素は100画素中3〜5画素であった。第2隔壁部31の高さL1が1.5μm以上の場合(L3≧2.0μm)は、液漏れは全く確認されなかった。一方、第2隔壁部31の高さL1が0.5μmの場合(L3=1μm)は、多くのインク液滴で液漏れが確認された。具体的には、液漏れが確認された画素は100画素中70〜80画素であった。この結果から、第2隔壁部31の高さL1が0.5μmより大きい場合、言い換えれば隔壁30の高さL3が1μmよりも大きい場合は液漏れが少なく好適にホール輸送層21を形成することができることがわかった。また、第2隔壁部31の高さL1が1μm以上、隔壁30の高さL3が1.5μm以上であることがより好ましいことがわかった。
(実施例2)
隔壁30が形成されたアクティブマトリクス基板10にインクジェット法によりホール輸送層21及び有機EL発光層22を形成した。隔壁30及びアクティブマトリクス基板10は実施例1と同様の構成とした。高さL1は0.5μmとし、その他高さL2を除いたL4〜8は実施例1と同様である。ホール輸送材料はポリチオフェン及びポリマー酸とした。発光材料はポリフェニレンビニレンとした。ホール輸送層21及び有機EL発光層22を形成するためのインクの溶媒はキシレンとした。ホール輸送層21及び有機EL発光層22を形成するためのインクの濃度はそれぞれ5%、10%とした。ホール輸送層21及び有機EL発光層22はインクジェット法により形成した後、100〜200℃で5〜30分乾燥した。
実施例2では、上記構成で第1隔壁部32の高さL2の高さが異なる複数種類の基板に蒸着法により上部共通電極40を形成した。上部共通電極40の材料はアルミニウム層とカルシウム層の積層膜とした。上部共通電極40の層厚は0.1μmとした。この際の上部共通電極40の状態を光学顕微鏡により観察した。下記表2に、上部共通電極40の第1隔壁部32と有機EL発光層22との間の段差部分における断線の有無と第1隔壁部32の高さL2との相関を示す。
Figure 2006041027
表2に示すように、第1隔壁部32の高さL2が1.5μmである場合は約半数の画素で上部共通電極40の断線が確認された。第1隔壁部32の高さL2が2.0μmである場合はほぼすべての画素で上部共通電極40の断線が確認された。一方、第1隔壁部32の高さL2が1μmである場合は上部共通電極40の断線はほとんど観察されなかった。具体的には、100画素中3〜5画素においてのみ上部共通電極40の断線が観察された。第1隔壁部32の高さL2が0.5μmである場合は上部共通電極40の断線は観察されなかった。
以上の結果からわかるように、第1隔壁部32の高さL2が1.5μm未満である場合は上部共通電極40の断線を効果的に抑制することができることがわかった。第1隔壁部32の高さL2が1μm以下であることがより好ましいことがわかった。
本発明に係る機能基板は、携帯電話、PDA、テレビ、電子ブック、モニター、電子ポスター、時計、電子棚札、非常案内等に有用である。

Claims (18)

  1. 基板本体と、
    上記基板本体上に所定のパターンで配列された複数の機能層と、
    上記複数の機能層をそれぞれに区画する隔壁と、
    を備え、
    上記隔壁は、上記基板本体上に設けられた横断面略台形状の第1隔壁部と、該第1隔壁部の上に設けられた横断面略台形状の第2隔壁部とを少なくとも有し、且つ、上記隔壁は、該第2隔壁部の横断面における下底の長さが上記第1隔壁部の横断面における上底の長さよりも短くなるように形成されている機能基板。
  2. 請求項1に記載された機能基板において、
    上記隔壁は有機材料を含む機能基板。
  3. 請求項2に記載された機能基板において、
    上記有機材料は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、及びノボラック樹脂からなる群から選ばれた1種類又は2種類以上の樹脂である機能基板。
  4. 請求項1に記載された機能基板において、
    上記複数の機能層のそれぞれは高分子有機材料を含む機能基板。
  5. 請求項4に記載された機能基板において、
    上記複数の機能層は湿式塗布法により形成される機能基板。
  6. 請求項1に記載された機能基板において、
    上記隔壁は、少なくともその斜面及び頂面が撥液性を有する機能基板。
  7. 請求項1に記載された機能基板において、
    上記隔壁は撥液性を有する材料を含んでいる機能基板。
  8. 請求項1に記載された機能基板において、
    上記隔壁は、その高さが1μmより大きくなるように形成されている機能基板。
  9. 請求項1に記載された機能基板において、
    上記隔壁は、上記第1隔壁部の高さが1.5μmより小さくなるように形成されている機能基板。
  10. 請求項1に記載された機能基板において、
    上記各機能層はカラーフィルタ層である機能基板。
  11. 請求項1に記載された機能基板において、
    上記各機能層は有機エレクトロルミネッセント発光層を少なくとも含む機能基板。
  12. 請求項11に記載された機能基板において、
    上記各機能層は、上記有機エレクトロルミネッセント発光層に積層された1又は複数のバッファ層をさらに含む機能基板。
  13. 請求項1に記載された機能基板において、
    上記各機能層は導電層である機能基板。
  14. 請求項1に記載された機能基板において、
    上記各機能層は有機半導体層である機能基板。
  15. 請求項1に記載された機能基板において、
    上記各機能層はレンズ層である機能基板。
  16. 基板本体と、該基板本体上に所定のパターンで配列された複数の表示媒体層と、該複数の表示媒体層をそれぞれに区画する隔壁とを備え、該隔壁は、上記基板本体上に設けられた横断面略台形状の第1隔壁部と、該第1隔壁部の上に設けられた横断面略台形状の第2隔壁部とを少なくとも有し、且つ該第2隔壁部は、その横断面における下底の長さが上記第1隔壁部の横断面における上底の長さよりも短くなるように形成されている機能基板を備えた表示パネル。
  17. 基板本体と、該基板本体上に所定のパターンで配列された複数の表示媒体層と、該複数の表示媒体層をそれぞれに区画する隔壁とを備え、該隔壁は、上記基板本体上に設けられた横断面略台形状の第1隔壁部と、該第1隔壁部の上に設けられた横断面略台形状の第2隔壁部とを少なくとも有し、且つ該第2隔壁部は、その横断面における下底の長さが上記第1隔壁部の横断面における上底の長さよりも短くなるように形成されている機能基板を備えた表示装置。
  18. 基板本体と、該基板本体上に所定のパターンで配列された複数の表示媒体層と、該複数の表示媒体層をそれぞれに区画する隔壁とを備え、該隔壁は、上記基板本体上に設けられた横断面略台形状の第1隔壁部と、該第1隔壁部の上に設けられた横断面略台形状の第2隔壁部とを少なくとも有し、且つ該第2隔壁部は、その横断面における下底の長さが上記第1隔壁部の横断面における上底の長さよりも短くなるように形成されている機能基板を製造する方法であって、
    上記基板本体上に膜を形成する工程と、
    上記膜にハーフ露光を施して上記隔壁を形成する工程と、
    を備えた機能基板の製造方法。
JP2006540918A 2004-10-13 2005-10-07 機能基板 Active JP5105877B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006540918A JP5105877B2 (ja) 2004-10-13 2005-10-07 機能基板

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004299264 2004-10-13
JP2004299264 2004-10-13
JP2006540918A JP5105877B2 (ja) 2004-10-13 2005-10-07 機能基板
PCT/JP2005/018621 WO2006041027A1 (ja) 2004-10-13 2005-10-07 機能基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2006041027A1 true JPWO2006041027A1 (ja) 2008-05-15
JP5105877B2 JP5105877B2 (ja) 2012-12-26

Family

ID=36148321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006540918A Active JP5105877B2 (ja) 2004-10-13 2005-10-07 機能基板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7910271B2 (ja)
JP (1) JP5105877B2 (ja)
WO (1) WO2006041027A1 (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4240018B2 (ja) * 2005-02-04 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP2006245526A (ja) * 2005-02-04 2006-09-14 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP4175397B2 (ja) * 2006-06-28 2008-11-05 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法
US8084767B2 (en) * 2006-08-01 2011-12-27 Cambridge Display Technology Limited Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
WO2008035501A1 (fr) * 2006-09-22 2008-03-27 Sharp Kabushiki Kaisha Solution de revêtement pour élément électroluminescent organique, cet élément et son procédé de production
WO2009042792A1 (en) * 2007-09-25 2009-04-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for solution processed electronic devices
JP2009122278A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ形成用基板およびカラーフィルタの製造方法
GB2455747B (en) * 2007-12-19 2011-02-09 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
WO2009147838A1 (ja) 2008-06-06 2009-12-10 パナソニック株式会社 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法
CN102308404B (zh) 2009-02-10 2016-01-20 株式会社日本有机雷特显示器 发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法
JP2010192122A (ja) * 2009-02-13 2010-09-02 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子、有機elディスプレイ及び有機el照明
KR101643835B1 (ko) 2009-07-10 2016-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2011034814A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Casio Computer Co Ltd 発光装置、表示装置、及び、発光装置の製造方法
KR101084171B1 (ko) * 2009-08-10 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP5663853B2 (ja) * 2009-09-14 2015-02-04 凸版印刷株式会社 有機elパネル及びその製造方法
WO2011040155A1 (ja) * 2009-10-02 2011-04-07 国立大学法人大阪大学 有機半導体膜の製造方法および有機半導体膜アレイ
JP5343815B2 (ja) * 2009-11-11 2013-11-13 セイコーエプソン株式会社 有機el素子、有機el素子の製造方法、有機el装置、電子機器
CN103053042B (zh) 2010-08-06 2016-02-24 株式会社日本有机雷特显示器 有机el元件及其制造方法
WO2012017499A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 有機el素子
JP5677431B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機el素子、表示装置および発光装置
JP5612692B2 (ja) 2010-08-06 2014-10-22 パナソニック株式会社 有機el素子およびその製造方法
WO2012017487A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法
JP5677437B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機el素子
JP5677433B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機el素子、表示装置および発光装置
KR101213498B1 (ko) * 2010-10-25 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 장치
JP6083122B2 (ja) * 2012-03-27 2017-02-22 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP6057052B2 (ja) * 2012-07-04 2017-01-11 株式会社Joled 表示素子、及び表示素子の製造方法
JP6159977B2 (ja) * 2012-08-23 2017-07-12 株式会社Joled 有機電子デバイスの製造方法および有機elデバイスの製造方法
KR102022123B1 (ko) * 2012-09-05 2019-09-17 리쿠아비스타 비.브이. 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전기습윤 표시패널
KR102009357B1 (ko) 2012-11-26 2019-08-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR102141208B1 (ko) * 2014-06-30 2020-08-05 삼성디스플레이 주식회사 휴대용 전자장치
KR102360783B1 (ko) 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102284756B1 (ko) 2014-09-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2016091942A (ja) * 2014-11-10 2016-05-23 株式会社Joled 表示装置とその製造方法
US10333103B2 (en) * 2014-11-12 2019-06-25 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent device and method for producing same
CN105206643A (zh) * 2015-08-21 2015-12-30 Tcl集团股份有限公司 一种像素界定层结构及其制作方法、显示面板及显示装置
GB2546002B (en) * 2015-12-30 2019-10-30 Lg Display Co Ltd Organic light emitting diode display device
US20230276685A9 (en) * 2016-08-26 2023-08-31 Najing Technology Corporation Limited Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device
CN109920816B (zh) * 2017-12-12 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
JP6805221B2 (ja) * 2017-12-15 2020-12-23 株式会社Joled 有機el表示パネル、有機el表示装置、および、その製造方法
JP6808662B2 (ja) * 2018-01-15 2021-01-06 株式会社Joled 有機el表示パネルの製造方法、および、有機el表示パネル、有機el表示装置
CN109103349B (zh) * 2018-07-06 2020-05-29 深圳市华星光电技术有限公司 Oled面板的制作方法与oled面板
KR20200046221A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크
CN110034166B (zh) * 2019-03-26 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
KR102104361B1 (ko) * 2019-08-05 2020-04-24 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06347637A (ja) * 1993-06-14 1994-12-22 Dainippon Ink & Chem Inc 印刷方法
JP2000353594A (ja) * 1998-03-17 2000-12-19 Seiko Epson Corp 薄膜パターニング用基板
JP2000357584A (ja) * 1999-06-14 2000-12-26 Seiko Epson Corp 発光素子用回路基板、電子機器および表示装置
JP2003127392A (ja) * 2001-10-19 2003-05-08 Seiko Epson Corp ヘッドユニットの組立装置および組立方法、液滴吐出ヘッドの位置決め装置および位置決め方法、液滴吐出ヘッドの固定装置および固定方法、並びに液晶表示装置の製造方法、有機el装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、pdp装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機elの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
JP2004079397A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Fujitsu Ltd 有機el装置及びその製造方法
JP2004165067A (ja) * 2002-11-14 2004-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネル
JP2004192977A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Hitachi Ltd 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
JP2004209409A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Seiko Epson Corp 基板の製造方法、液滴吐出装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および、電子機器
JP2004319119A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及びその製造方法
JP2005285743A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
JP2005322564A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04233273A (ja) * 1990-12-28 1992-08-21 Matsushita Electron Corp カラー固体撮像装置の製造方法
JPH11307268A (ja) * 1998-04-24 1999-11-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子およびその製造方法
JP2001076881A (ja) * 1999-09-07 2001-03-23 Sharp Corp 有機発光素子及びその製造方法
JP2001126867A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法
JP3831868B2 (ja) * 2001-08-13 2006-10-11 大林精工株式会社 アクティブマトリックス表示装置とその製造方法
JP2004157151A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Sharp Corp 表示装置用マトリクス基板およびその製造方法
JP2005055821A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP3915806B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4815761B2 (ja) 2003-11-27 2011-11-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06347637A (ja) * 1993-06-14 1994-12-22 Dainippon Ink & Chem Inc 印刷方法
JP2000353594A (ja) * 1998-03-17 2000-12-19 Seiko Epson Corp 薄膜パターニング用基板
JP2000357584A (ja) * 1999-06-14 2000-12-26 Seiko Epson Corp 発光素子用回路基板、電子機器および表示装置
JP2003127392A (ja) * 2001-10-19 2003-05-08 Seiko Epson Corp ヘッドユニットの組立装置および組立方法、液滴吐出ヘッドの位置決め装置および位置決め方法、液滴吐出ヘッドの固定装置および固定方法、並びに液晶表示装置の製造方法、有機el装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、pdp装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機elの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
JP2004079397A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Fujitsu Ltd 有機el装置及びその製造方法
JP2004165067A (ja) * 2002-11-14 2004-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネル
JP2004192977A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Hitachi Ltd 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
JP2004209409A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Seiko Epson Corp 基板の製造方法、液滴吐出装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および、電子機器
JP2004319119A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及びその製造方法
JP2005285743A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
JP2005322564A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006041027A1 (ja) 2006-04-20
US7910271B2 (en) 2011-03-22
US20080063949A1 (en) 2008-03-13
JP5105877B2 (ja) 2012-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5105877B2 (ja) 機能基板
US7777411B2 (en) Light-emitting device, method of producing light-emitting device, exposure unit, and electronic device
JP5644677B2 (ja) 有機el装置
WO2016052151A1 (ja) 有機el表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP4497185B2 (ja) 表示装置の製造方法
JP2005327674A (ja) 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法
JP2007095512A (ja) 表示装置及びその製造方法
JP2007305357A (ja) 表示装置及びその製造方法
JP6673207B2 (ja) 表示装置および電子機器
JP2008243582A (ja) 有機薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、並びに、画像表示パネル及びその製造方法
JP2008004290A (ja) 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法
JP2006114480A (ja) 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2007095608A (ja) 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
JP2014150057A (ja) 有機発光装置及びその製造方法
JP6232660B2 (ja) 有機発光デバイスの機能層の形成方法及び有機発光デバイスの製造方法
JP2005116313A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、並びに電子機器
JP4564897B2 (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JP2006133573A (ja) フレキシブルディスプレイ及びその製造方法
JP4742317B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
JP4366721B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
JP2007311238A (ja) 発光装置の製造方法
JP2006164737A (ja) 表示素子、若しくはそれを備えた表示パネル及び表示装置
JP4779983B2 (ja) 電気光学装置および電気光学装置の製造方法
JP4492368B2 (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、および電子機器
JP4697422B2 (ja) 表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100713

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110531

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110728

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20120406

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120508

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120611

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120904

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121002

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5105877

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012

Year of fee payment: 3