JPWO2005113212A1 - マザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体 - Google Patents

マザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体 Download PDF

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Abstract

本発明のマザー基板分断方法は、（ａ）前記マザー基板にスクライブラインを形成するステップと、（ｂ）前記マザー基板を前記スクライブラインに沿ってブレイクするステップとを包含し、前記ステップ（ａ）は、前記マザー基板への押圧が途切れないように前記マザー基板への押圧を移動することによって、第１単位基板を前記マザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板を前記マザー基板から分断するための第２スクライブラインとを前記マザー基板に形成するステップを包含する。これにより、マザー基板から複数の単位基板を分断するマザー基板分断方法が提供される。

Description

本発明は、マザー基板にスクライブラインを形成し、マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクすることによってマザー基板から複数の単位基板を分断するマザー基板分断方法、その方法をコンピュータによって実施するためのプログラム、および、そのプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザー基板にスクライブラインを形成するマザー基板スクライブ装置に関する。
液晶表示装置は、液晶表示パネルを備える。液晶表示パネルは、マザー基板から複数の単位基板を分断し、マザー基板から分断された単位基板同士を貼り合わせることによって製造される。液晶表示パネルは、マザー基板を２枚貼り合わせることによってマザー基板の貼り合わせ基板を作製し、このマザー基板の貼り合わせ基板から複数の単位基板の貼り合わせ基板を分断することによっても、製造される。
図１７は、特開２００２−８７８３６号に開示のスクライブライン形成方法によって形成された複数のスクライブラインを示す。
特開２００２−８７８３６号に開示のスクライブライン形成方法では、脆性非金属材料基板１から複数の円形太陽電池装置２を分断するために、複数の円形太陽電池装置２の外周にレーザビームを照射させることよって複数の亀裂外周線（スクライブライン）３を形成する。
図１８は、マザー基板４の第１面に形成されたスクライブ予定ラインを示す。
マザー基板４は、長方形である。マザー基板４の第１面には、長方形の短辺方向（図面の縦方向）に沿ってスクライブ予定ラインＬ１〜Ｌ４が、長方形の長辺方向（図面の横方向）に沿ってスクライブ予定ラインＬ５〜Ｌ８が形成されている。
図１８を参照して、特開２００２−８７８３６号に開示のスクライブライン形成方法とは別のスクライブライン形成方法を説明する。
マザー基板４は、テーブル上に固定される。テーブルには、複数の吸着穴が形成されている。吸引手段は複数の吸着穴を介してマザー基板を吸引する。このようにテーブルにマザー基板４が吸着され、マザー基板４がテーブルに固定される。
スクライブ装置がスクライブ予定ラインＬ１〜Ｌ８に沿って移動されることによって、マザー基板４の第１面上にスクライブラインが順次形成される（スクライブ工程）。
スクライブ工程において、スクライブラインが形成されると共に、垂直クラックが形成される。垂直クラックは、スクライブラインからマザー基板４の厚さ方向に沿って延びる。
ブレイク装置は、マザー基板４をブレイクするために、スクライブラインに沿ってマザー基板４に曲げモーメントを加える。スクライブラインが形成されているマザー基板４の第１面に対向する第２面に垂直クラックが達するように垂直クラックを伸展させることによって、マザー基板４は、スクライブラインに沿ってブレイクされる（ブレイク工程）。
スクライブ工程を実施した後、ブレイク工程を実施することによって、マザー基板４から単位基板１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄが分断される。
特開２００２−８７８３６号
しかし、特開２００２−８７８３６号に開示のスクライブライン形成方法では、脆性非金属材料基板１から複数の円形太陽電池装置２を分断する場合には、ある円形太陽電池装置２の周辺にスクライブラインを形成した後、次の円形太陽電池装置２の周辺にスクライブラインを形成する前に、スクライブラインの形成が停止されるため、スクライブ加工時間が長くなる。
さらに、図１８を参照して説明された従来技術では、複数のスクライブラインの各々を形成するたびにスクライブラインの形成を停止するため、スクライブ加工時間が長くなる。
さらに、図１８を参照して説明された従来技術では、複数のスクライブラインのうちの少なくとも１本が、マザー基板が有する複数の辺のそれぞれと少なくとも２箇所で交差するため、外的要因による力（例えば、マザー基板をテーブルに吸着することによって吸着部分に生じる応力、テーブルの表面の凹凸が原因でマザー基板が撓むことによって撓んだ部分に生じる応力）がマザー基板に作用した場合には、マザー基板が少なくとも２つの部分に分離されやすい。例えば、スクライブ予定ラインＬ１に沿って形成されたスクライブラインは、マザー基板が有する辺と交差し、さらにこのスクライブラインはこの辺とは異なる辺と交差する。したがって、スクライブライン形成中に外的要因による力が発生し、曲げモーメントがスクライブラインに作用する。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板がスクライブラインに沿って分断され、マザー基板に対するテーブル面の吸引能力が低下し、マザー基板が少なくとも２つの部分に分離されやすい。このように、マザー基板のスクライブ加工中に、マザー基板に外的要因による力（マザー基板の保持または支持状態の変化などによって生じるマザー基板の内部応力等）が加わると、マザー基板が少なくとも２つに分断分離して、マザー基板の分離部分がスクライブ装置（スクライブヘッド）とぶつかり、スクライブ装置およびマザー基板自体が損傷してしまう恐れがあった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、マザー基板にスクライブラインを形成し、マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクすることによって、マザー基板から複数の単位基板を分断するマザー基板分断方法、その方法をコンピュータによって実行させるためのプログラム、および、そのプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザー基板にスクライブラインを形成するマザー基板スクライブ装置を提供することを目的とする。
本発明のマザー基板分断方法は、マザー基板から複数の単位基板を分断するマザー基板分断方法であって、（ａ）前記マザー基板にスクライブライン形成手段によってスクライブラインを形成するステップと、（ｂ）前記マザー基板を前記スクライブラインに沿ってブレイクするステップとを包含し、前記ステップ（ａ）は、前記スクライブライン形成手段による前記マザー基板への押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、少なくも１つの単位基板を前記マザー基板から分断するためのスクライブラインを前記マザー基板に形成するステップを包含し、これにより、上記目的が達成される。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板へのスクライブライン形成手段の押圧が途切れないように、スクライブライン形成手段の移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されにくくなるため、マザー基板にスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
前記ステップ（ａ）は、前記スクライブライン形成手段の前記マザー基板への押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、複数の単位基板を前記マザー基板から分断するためのスクライブラインを形成するステップをさらに包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、複数の単位基板をマザー基板から分断することができる。
前記マザー基板から相互に隣接する第１単位基板と第２単位基板とを分断する際に、前記ステップ（ａ）は、（ａ−１）前記第１単位基板および前記第２単位基板における前記マザー基板の外周縁部に近接している外側辺部に沿ったスクライブラインを、前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって形成するステップと、（ａ−２）その後に、前記第１単位基板および前記第２単位基板における相互に対向する側辺部である内側辺部に沿ったスクライブラインを、前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって形成するステップと、を包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧および移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されにくくなるため、マザー基板にスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
前記第２単位基板の内側辺部は、前記第１単位基板の内側辺部に対向しており、前記ステップ（ａ−２）は、（ａ−２ａ）前記第１単位基板の内側辺部に沿って前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップと、（ａ−２ｂ）前記ステップ（ａ−２ａ）の実行後、前記マザー基板の外周縁部上で前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップと、（ａ−２ｃ）前記ステップ（ａ−２ｂ）の実行後、前記第２単位基板の内側辺部に沿って前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップと、（ａ−２ｄ）前記ステップ（ａ−２ｃ）の実行後、前記マザー基板の外周縁部上で前記マザー基板への押圧を移動することによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップとを包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されにくくなるため、マザー基板にスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
前記ステップ（ａ）は、前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧を低減するステップをさらに包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧を低減できるため、スクライブライン形成手段のマザー基板との押圧による磨耗を低減することができる。
前記ステップ（ａ）は、第１方向に沿って、前記スクライブライン形成手段によって前記スクライブラインを形成するステップと、前記第１方向に沿って形成されたスクライブラインと、前記第１方向とは異なる第２方向に沿って形成されるべきスクライブラインとが、曲線で繋がるように、前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させるステップとを包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、第１方向に沿って形成されたスクライブラインと、第２方向に沿って形成されるべきスクライブラインとが、曲線で繋がるように、マザー基板への押圧を移動することができるため、第１方向から第２方向へのスクライブライン形成手段の方向転換によって生じるスクライブライン形成手段へのダメージを低減することができる。
前記複数の単位基板は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体ウェハー、セラミック基板、太陽電池基板、液晶表示パネル、有機ＥＬパネル、無機ＥＬパネル、透過型プロジェクター基板、反射型プロジェクター基板のうちの１種類の基板でよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、種々の単位基板を製造することができる。
前記ステップ（ｂ）は、前記スクライブラインに沿って副スクライブラインを形成することによって、前記マザー基板をブレイクするステップを包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、スクライブラインの形成のみによって、スクライブ工程とブレイク工程とを実現することができる。
前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記スクライブラインと前記副スクライブラインとを形成するステップをさらに包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の移動を停止することなくスクライブラインと副スクライブラインとを形成することができるため、マザー基板を分断するための分断工程時間を短縮することができる。
前記ステップ（ｂ）は、前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないように前記マザー基板への押圧を移動させることによって、前記第１スクライブラインに沿った第１副スクライブラインと前記第２スクライブラインに沿った第２副スクライブラインとを形成するステップを包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の移動を停止することなく第１副スクライブラインと第２副スクライブラインとを形成することができるため、ブレイク工程時間を短縮することができる。
前記スクライブラインの両端部分の少なくとも一方は曲線でよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板の辺に向かってクラックが形成されることを防止することができる。
本発明のマザー基板スクライブ装置は、マザー基板にスクライブラインを形成するためのスクライブライン形成手段と、前記スクライブライン形成手段を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させ、第１単位基板を前記マザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板を前記マザー基板から分断するための第２スクライブラインとを前記マザー基板に形成するように、前記スクライブライン形成手段を制御し、これにより、上記目的が達成される。
前記スクライブライン形成手段は、前記マザー基板の表面にスクライブを形成するスクライブ部材と、該スクライブ部材の前記マザー基板の表面に対する押圧を調整する調整手段とを備え、前記制御手段が、該調整手段を制御する構成であってもよい。
前記スクライブ部材は、カッターホイールチップであってもよい。
本発明のプログラムは、前記マザー基板分断方法の各ステップをコンピュータにて実行させるためのプログラムであり、これにより、上記目的が達成される。
本発明の記録媒体は、プログラムが記載されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体であり、これにより、上記目的が達成される。
本発明のマザー基板分断装置は、マザー基板から複数の単位基板を分断するマザー基板分断装置であって、（ａ）前記マザー基板にスクライブラインを形成する手段と、（ｂ）前記マザー基板を前記スクライブラインに沿ってブレイクする手段とを備え、前記手段（ａ）は、前記マザー基板への押圧が途切れないように前記マザー基板への押圧を移動することによって、第１単位基板を前記マザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板を前記マザー基板から分断するための第２スクライブラインとを前記マザー基板に形成する手段を備え、これにより、上記目的が達成される。
前記手段（ａ）は、前記マザー基板への押圧が途切れないように前記マザー基板への押圧を移動することによって、第Ｎ単位基板を前記マザー基板から分断するための第Ｎスクライブラインを形成する手段をさらに備えてもよい。Ｎは、３以上の整数である。
本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されにくくなるため、マザー基板にスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、マザー基板への前記スクライブライン形成手段による押圧を低減できるため、前記スクライブライン形成手段のマザー基板との押圧による磨耗を低減することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、第１方向に沿って形成されたスクライブラインと、第２方向に沿って形成されるべきスクライブラインとが、曲線で繋がるように、マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動することができるため、第１方向から第２方向への押圧手段の方向転換によって生じる押圧手段へのダメージを低減することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、種々の単位基板を製造することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、スクライブラインの形成のみによって、スクライブ工程とブレイク工程とを実現することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、マザー基板への押圧の移動を停止することなくスクライブラインと副スクライブラインとを形成することができるため、マザー基板を分断するための分断工程時間を短縮することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、マザー基板への押圧の移動を停止することなく第１副スクライブラインと第２副スクライブラインとを形成することができるため、ブレイク工程時間を短縮することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、スクライブラインの両端部分の少なくとも一方は曲線であるため、マザー基板の辺に向かってクラックが形成されることを防止することができる。
本発明の実施の形態のマザー基板分断装置１００の構成を示す図である。 スクライブヘッド１２０の構成を示す図である。 サーボモータを有するスクライブヘッド１６５の構成を示す図である。 カッターホルダ１２７の構成を示す図である。 スクライブカッタ１２１の構成を示す図である。 ブレイク装置１５２の構成を示す図である。 ブレイク装置１５２の別の例であるブレイク装置１５４の構成を示す図である。 本発明の実施の形態によるマザー基板１０１を分断する手順を示すフローチャートである。 ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で用いられるマザー基板１０１を示す図である。 ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で実施されるスクライブ手順を示すフローチャートである。 ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で用いられるマザー基板１０１の他の一例を示す図である。 ９枚の単位基板を分断するためのマザー基板１０１を示す図である。 スクライブ予定ラインの一部（曲線Ｒａおよび曲線Ｒｂ）を示す図である。 ２枚のマザー基板を貼り合わせることによって作製された貼り合わせ基板を分断することができるマザー基板分断装置の一部を示す図である。 本発明の実施の形態によるスクライブ工程とブレイク工程とで用いられるマザー基板１０１の一例を示す図である。 本発明の実施の形態によるスクライブ工程によって実施されるスクライブ手順とブレイク工程によって実施されるブレイク手順とを示すフローチャートである。 特開２００２−８７８３６号に開示のスクライブライン形成方法によって形成された複数のスクライブラインを示す図である。 マザー基板４の第１面に形成されたスクライブ予定ラインを示す図である。 コンピュータ１４９の内部構成の一例を示す図である。
符号の説明
１００ マザー基板分断装置
１０１ マザー基板
１２０ スクライブヘッド
１３１ テーブル
１３２、１３３ ガイドレール
１３４、１３５ スライダ
１３６ ガイドバー
１３７、１３８ リニアモータ
１４０ 制御部
１４１ 第１ドライバ
１４２ 第２ドライバ
１４３ スライダセンサ
１４４ コントローラ
１４６ スクライブヘッド駆動用リニアモータ
１４７ 第３ドライバ
１５２ ブレイク装置
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
１．マザー基板分断装置１００
図１は、本発明の実施の形態のマザー基板分断装置１００の構成を示す。
マザー基板分断装置１００は、マザー基板１０１から複数の単位基板を分断する。
マザー基板分断装置１００は、マザー基板１０１を載置するためのテーブル１３１と、ガイドレール１３２と、ガイドレール１３３と、スライダ１３４と、スライダ１３５と、ガイドバー１３６と、リニアモータ１３７と、リニアモータ１３８とを含む。
ガイドレール１３２とガイドレール１３３とは、テーブル１３１の両側に、互いに平行に設けられている。スライダ１３４にはリニアモータ１３７の移動子が取り付けられており、スライダ１３４は、ガイドレール１３２に沿ってスライド可能なようにガイドレール１３２に設けられている。スライダ１３５にはリニアモータ１３８の移動子が取り付けられており、スライダ１３５は、ガイドレール１３３に沿ってスライド可能なようにガイドレール１３３に設けられている。
リニアモータ１３７には、ガイドレール１３２に沿って配置されたレール状の固定子が設けられている。リニアモータ１３７は、スライダ１３４をガイドレール１３２に沿ってスライドさせる。リニアモータ１３８には、ガイドレール１３３に沿って配置されたレール状の固定子が設けられている。リニアモータ１３８は、スライダ１３５をガイドレール１３３に沿ってスライドさせる。
ガイドバー１３６は、スライダ１３４とスライダ１３５との間に水平に架設されている。スクライブヘッド１２０とブレイク装置１５２とが、ガイドバー１３６に沿ってスライド可能なように、ガイドバー１３６に取り付けられている。
スクライブヘッド１２０の構成およびブレイク装置１５２の構成の詳細は、後述される。
マザー基板分断装置１００は、制御部１４０をさらに含む。制御部１４０は、コントローラ１４４と、第１ドライバ１４１と、第２ドライバ１４２と、第３ドライバ１４７と、スクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６と、スライダセンサ１４３と、コンピュータ１４９とを含む。
コントローラ１４４は、コンピュータ１４９の指示に従って、第１ドライバ１４１がリニアモータ１３７を駆動するように、第１ドライバ１４１をコントロールし、第２ドライバ１４２がリニアモータ１３８を駆動するように、第２ドライバ１４２をコントロールし、第３ドライバ１４７がスクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６を駆動するように、第３ドライバ１４７をコントロールする。
スクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６は、ガイドバー１３６に設けられている。スクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６は、ガイドバー１３６に沿って配置されたレール状の固定子とその固定子に沿って移動する移動子がスクライブヘッド１２０とブレイク装置１５２とにそれぞれ設けられ、ガイドバー１３６に沿ってガイドバー１３６の両端の間で、スクライブヘッド１２０とブレイク装置１５２とを往復移動させる。
スライダセンサ１４３は、ガイドレール１３２の近傍に設けられている。スライダセンサ１４３は、スライダ１３４の位置を検出し、検出した位置を示すデータをコントローラ１４４に出力する。
なお、コンピュータ１４９の構成の詳細は、後述される。
図２は、スクライブヘッド１２０の構成を示す。図２（ａ）は、スクライブヘッド１２０の正面を示す。図２（ｂ）は、スクライブヘッド１２０の底面を示す。
スクライブヘッド１２０は、ヘッド本体部１２２と、ベアリングケース１２６と、制止軸１２５と、カッターホルダ１２７と、スクライブカッタ１２１と、付勢手段１３０とを含む。
ヘッド本体部１２２は、ヘッド本体部１２２に水平に挿通されている支軸１２３と、ベアリング１２４とを備える。ヘッド本体部１２２の下部には、切欠部１２９が形成されており、切欠部１２９には、ベアリングケース１２６が格納されている。
制止軸１２５は、ヘッド本体部１２２内に、支軸１２３と平行に設けられている。
ベアリングケース１２６は、支軸１２３の周りを上下方向に回動する。ベアリングケース１２６の一端は、支軸１２３に連結されている。ベアリングケース１２６の他端は、制止軸１２５が設けられている位置で制止軸１２５に当接する。ベアリングケース１２６によって、カッターホルダ１２７が回転自在に保持される。
カッターホルダ１２７は、カッターホルダ本体部１２７ａと、マザー基板１０１の表面に直交する軸心を有する回転軸１２７ｃとを含む。カッターホルダ１２７は、ベアリングケース１２６にベアリング１２８を介して取り付けられており、回転軸１２７ｃの周りを回転する。カッターホルダ本体部１２７ａは、回転軸１２７ｃと一体に形成されている。カッターホルダ１２７の詳細は、後述される。
付勢手段１３０は、回転軸１２７ｃの上方に設けられている。付勢手段１３０は、例えばエアーシリンダである。付勢手段１３０は下方に向かう付勢力をベアリングケース１２６に作用させる。その結果、回転軸１２７ｃおよびカッターホルダ１２７を介してスクライブカッタ１２１に所定の荷重が加えられる。
スクライブカッタ１２１は、マザー基板１０１にスクライブラインを形成する。スクライブカッタ１２１は、例えば、ダイヤモンドポイントカッタまたはカッターホイールチップである。カッターホルダ１２７には、スクライブカッタ１２１が回転軸１１９の周りを回転自在に設けられている。
図１および図２に示された例によれば、スクライブヘッド１２０が「マザー基板にスクライブラインを形成するためのスクライブライン形成手段」として機能し、制御部１４０が「マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないようにマザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させ、第１単位基板をマザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板をマザー基板から分断するための第２スクライブラインとを前記マザー基板に形成するように、前記スクライブライン形成手段を制御する、制御手段」として機能する。しかし、「マザー基板にスクライブラインを形成する手段」および「マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないようにマザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させ、第１単位基板をマザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板をマザー基板から分断するための第２スクライブラインとを前記マザー基板に形成するように、前記スクライブライン形成手段を制御する、制御手段」という各手段の機能が達成される限りは、任意の構成を有するマザー基板スクライブ装置が本発明の範囲に含まれる。例えば、あるスクライブヘッドは、サーボモータを有する。
図３は、サーボモータを有するスクライブヘッド１６５の構成を示す。図３（ａ）は、スクライブヘッド１６５の側面図であり、図３（ｂ）は、スクライブヘッド１６５の主要部の正面図である。
スクライブヘッド１６５は、一対の側壁１６５ａと、サーボモータ１６５ｂと、ホルダー保持具１６５ｃと、支軸１６５ｄと、軸１６５ｅと、スクライブカッタ１６２ａと、カッターホルダ１６２ｂと、一対の平傘歯車１６５ｆとを含む。
一対の側壁１６５ａの間にサーボモータ１６５ｂが保持されている。一対の側壁１６５ａの下部には、ホルダー保持具１６５ｃが支軸１６５ｄの周りに回動自在に設けられている。ホルダー保持具１６５ｃの形状は、Ｌ字状である（図３（ｂ）参照）。
カッターホルダ１６２ｂには、スクライブカッタ１６２ａが軸１６５ｅの周りに回転自在に設けられている。カッターホルダ１６２ｂは、ホルダー保持具１６５ｃの前方（図３（ｂ）の右方向）に取り付けられている。
サーボモータ１６５ｂには、回転軸が設けられている。一対の平傘歯車１６５ｆが互いにかみ合うように、この回転軸に一対の平傘歯車１６５ｆのうちの一方が装着されており、さらに支軸１６５ｄに一対の平傘歯車１６５ｆのうちの他方が装着されている。したがって、サーボモータ１６５ｂが正逆回転することによって、ホルダー保持具１６５ｃは支軸１６５ｄを支点として上下方向に回動動作される。その結果、スクライブカッタ１６２ａがマザー基板１０１の表面に対して上下動される。また、サーボモータ１６５ｂは、スクライブラインを形成するための領域に応じて、スクライブカッタ１６２ａがマザー基板１０１に作用させる荷重を調整するように、サーボモータ１６５ｂの回転トルクをスクライブカッタ１６２ａに伝達する。
さらに、サーボモータ１６５ｂは、マザー基板１０１にスクライブラインを形成する過程で、スクライブカッタ１６２ａに作用するスクライブ加工時の抵抗力の変動に基づくスクライブ荷重の変化を瞬時に感知し、スクライブ荷重の変化に応じてサーボモータ１６５ｂの回転トルクを調整する。
図４は、カッターホルダ１２７の構成を示す。図４（ａ）は、一部が破断されたカッターホルダ１２７の正面図であり、図４（ｂ）は、カッターホルダ１２７の側面図である。図４（ａ）および図４（ｂ）において、図２（ａ）および図２（ｂ）に示される構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。
カッターホルダ１２７は、カッターホルダ本体部１２７ａと回転軸１２７ｃとを含む。
カッターホルダ本体部１２７ａの下部には、下方に開口した溝部１２７ｂが形成されている。カッターホルダ本体部１２７ａの上部には、上方に延出する回転軸１２７ｃが形成されている。回転軸１２７ｃは、ベアリング１２８を介してベアリングケース１２６に回転自在に保持されている。
スクライブカッタ１２１は、マザー基板１０１に対して平行な回転軸１１９の周りに回転自在に設けられている。
図５は、スクライブカッタ１２１の構成を示す。図５（ａ）は、スクライブカッタ１２１の正面図であり、図５（ｂ）は、スクライブカッタ１２１の側面図であり、図５（ｃ）は、図５（ｂ）に示されたスクライブカッタ１２１の一部（Ａ部分）を拡大した図である。
スクライブカッタ１２１は、例えば、カッターホイールチップである。図５に示されたスクライブカッタ１２１は、本願出願人の特許第３０７４１４３号に開示されている。
スクライブカッタ１２１は、円盤状のホイール（直径φ、厚さＷ）である。スクライブカッタ１２１の外周面には、刃先稜線部１２１ａが形成されており、刃先稜線部１２１ａは、スクライブカッタ１２１の外周方向にＶ字形状に突出している。刃先稜線部１２１ａには、鈍角αの刃先１２１ｂが形成されている。
刃先１２１ｂには、所定のピッチｐ、所定の高さｈを有する複数の突起ｊが形成されている。複数の突起ｊは、マイクロメータオーダーのサイズを有し、肉眼で識別することができない。
スクライブカッタ１２１は、マザー基板１０１の厚さ方向に沿った垂直クラックを形成する能力が非常に高い。スクライブカッタ１２１は、深い垂直クラックを形成することが可能であり、しかも、マザー基板１０１の表面に沿った水平方向のクラックの発生を抑制することができる。
図６は、ブレイク装置１５２の構成を示す。
ブレイク装置１５２は、本体部１５２ａと、蒸気を通流するためのフレキシブルなホース１５２ｂと、ノズルヘッド１５２ｃと、蒸気を下方に向かって噴射するためのノズル部１５２ｄとを含む。
本体部１５２ａは、ガイドバー１３６に沿ってスライド可能に、ガイドバー１３６に取り付けられている。
ホース１５２ｂの一方の端部は、本体部１５２ａに取り付けられており、ホース１５２ｂの他方の端部は、ノズルヘッド１５２ｃに旋回可能に接続されている。
ノズルヘッド１５２ｃは、垂直軸の周りを回転する。ノズルヘッド１５２ｃの下側には、ノズル部１５２ｄが設けられている。
ノズル部１５２ｄには、例えば、円形状、楕円形状、矩形形状またはスリット状の蒸気噴射口が形成されている。ノズル部１５２ｄは、スクライブラインに蒸気を吹き付けることによって、マザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクする。
ブレイク装置１５２によって、マザー基板１０１が膨張する温度を有する蒸気がスクライブラインに吹きつけられることによって、スクライブラインから延びた垂直クラックをマザー基板１０１の厚さ方向に伸展させる。マイクロメートルオーダの開口を有する垂直クラックに吹き付けられた蒸気が毛細現象により垂直クラックに浸透し、浸透した液体が膨張（体積膨張）し、垂直クラックはマザー基板１０１の背面側に伸展する。
図７は、ブレイク装置１５２の別の例であるブレイク装置１５４の構成を示す。
ブレイク装置１５４は、本体部１５２ａと、ノズルユニット１５３と、複数のノズル部１５２ｄとを含む。ノズルユニット１５３には、複数のノズル部１５２ｄが設けられている。ノズルユニット１５３は、ガイドバー１３６に設けられている。ガイドバー１３６をＸ方向へ移動させながら、スクライブラインの形成が完了したマザー基板１０１の表面に、蒸気が吹きつけられる。
なお、ブレイク装置１５２およびブレイク装置１５４によって噴出される媒体は、蒸気に限定されない。媒体が、基板が膨張する温度を有する限りは、媒体は加熱流体でよい。加熱流体とは、例えば、蒸気、熱湯、または蒸気と熱湯とを含む流体である。
図６および図７に示された例によれば、ブレイク装置１５２およびブレイク装置１５４が「マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクする手段」として機能する。しかし、「マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクする」という機能が達成される限りは、任意の構成を有するブレイク装置が本発明の範囲に含まれる。例えば、あるブレイク装置は、スクライブラインまたはスクライブラインの近傍を加熱または冷却することによって、マザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクすることができる。
スクライブラインまたはスクライブラインの近傍への加熱は、例えば、ヒータやレーザ発振器から照射されたレーザビームによって行われる。スクライブラインが形成された領域への冷却は、例えば、冷却ノズルを用いて冷却媒体（ＣＯ２、Ｈｅ、Ｎ２等）をその領域に噴射させることによって行われる。
このように、スクライブラインまたはスクライブラインの近傍を加熱または冷却することによって、スクライブラインに沿って機械的に曲げモーメントを加えることなく垂直クラックを基板の厚さ方向に伸展させることができる。
なお、冷却媒体は、例えば冷却液であるが、冷却液に限定されない。冷却媒体は、例えば、気体および液体のうちの少なくとも一方を含む。気体は、例えば、圧縮空気、ヘリウム、アルゴンである。液体は、例えば、水、液体ヘリウムである。冷却媒体は、例えば、これらの気体および液体の組み合わせである。
図１９は、コンピュータ１４９の内部構成の一例を示す。コンピュータ１４９は、ＣＰＵ１７１とメモリ１７２とコントローラ用インタフェース１７３とを含む。コンピュータ１４９に含まれる各構成要素は、バス１７４を介して互いに接続されている。
メモリ１７２には、コンピュータ１４９に分断処理を実行させるためのプログラム（以下、分断処理プログラムという）が格納されている。分断処理プログラムは、コンピュータ１４９の出荷時にメモリ１７２に予め格納されていてもよい。または、コンピュータ１４９の出荷後に、分断処理プログラムをメモリ１７２に格納するようにしてもよい。例えば、ユーザがインターネット上の特定のウェブサイトから分断処理プログラムを有料または無料でダウンロードし、そのダウンロードされたプログラムをコンピュータ１４９にインストールするようにしてもよい。分断処理プログラムがフレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されている場合には、入力装置（例えば、ディスクドライブ装置）を用いて分断処理プログラムをコンピュータ１４９にインストールしてもよい。インストールされたプログラムは、メモリ１７２に格納される。
なお、ＣＰＵ１７１は、スクライブ予定ライン設定手段を含んでもよい。スクライブ予定ライン形成手段は、スクライブ予定ライン設定手段に入力された複数の単位基板の配置（例えば、複数の単位基板の列数と行数、隣接する単位基板間の間隔の有無、隣接する単位基板間の間隔の大きさ）に関する情報に基づいて、スクライブ予定ラインを、１本の線（一筆書き）で設定するためのプログラムを作成する。なお、スクライブ予定ラインは、マザー基板１０１から複数の単位基板を分断するための予定ラインである。このように、スクライブ予定ラインを一筆書きで設定するためのプログラムに従えば、一筆書きのスクライブ予定ラインを設定することができる。ここで、「一筆書きのスクライブ予定ライン」とは、マザー基板から複数の単位基板を取り出すために形成される１本の連続した線で構成したスクライブ予定ラインを意味する。
このように、本発明によれば、一筆書きのスクライブラインを形成することができる。ここで、「一筆書きのスクライブライン」とは、マザー基板から複数の単位基板を取り出すために形成される１本の連続した線で構成したスクライブラインを意味する。この一筆書きのスクライブラインは、この一筆書きのスクライブラインの始点から終点までスクライブカッタをマザー基板から離すことなく、この一筆書きのスクライブラインの始点から終点までマザー基板への押圧状態を保持（維持）したままで、形成される。
なお、スクライブ予定ラインを一筆書きで設定するためのプログラムと分断処理プログラムのうちスクライブラインを形成するためのプログラムとは、一筆書きの法則に基づいて作成される。
２．マザー基板分断方法
図８は、本発明の実施の形態によるマザー基板１０１を分断する分断処理手順を示す。分断処理の実行は、例えば、コンピュータ１４９によって制御される。
以下、マザー基板分断装置１００によってマザー基板１０１を分断する手順をステップごとに説明する。
マザー基板分断装置１００によってマザー基板１０１を分断する手順は、スクライブ工程とブレイク工程とを包含する。なお、必要に応じて初期設定工程が実施される。
ステップ８０１：初期設定工程が実施される。初期設定工程は、スクライブ工程を始める前にマザー基板分断装置１００の初期状態を設定する工程である。初期設定工程の詳細は後述される。
初期設定工程が終了すると、処理はステップ８０２に進む。
ステップ８０２：スクライブ工程が実施される。スクライブ工程は、マザー基板１０１にスクライブラインを形成する工程である。スクライブ工程の詳細は後述される。
スクライブ工程が終了すると、処理はステップ８０３に進む。
ステップ８０３：ブレイク工程が実施される。ブレイク工程は、マザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクする工程である。ブレイク工程の詳細は後述される。
ブレイク工程が終了すると、処理は終了する。
２−１．初期設定工程
以下、ステップ８０１で実施される初期設定工程の詳細を説明する。
マザー基板１０１はテーブル１３１上に位置決めされ、テーブル１３１に固定される。
マザー基板１０１をスクライブするための諸条件（マザー基板の板厚、材質等）に基づいて、ヘッド本体部１２２の内部に設けられたエアーシリンダに投入される圧縮空気の圧力が設定される。この設定に基づいて、所定の荷重で、スクライブカッタ１２１は、マザー基板１０１を押圧する。
次に、零点（基準点）検出工程が実施される。零点検出工程では、マザー基板１０１の表面の位置が検出される。マザー基板１０１の表面の位置は、スクライブヘッド１２０をマザー基板１０１の垂直方向に沿って移動させるために必要となる。
零点検出工程では、制御部１４０は、スクライブヘッド１２０をマザー基板１０１の上方に移動させる。次に、スクライブヘッド昇降手段（図示せず）は、マザー基板１０１の表面に対して垂直方向に、マザー基板１０１の表面まで、スクライブヘッド１２０を下降させる。スクライブカッタ１２１がマザー基板１０１に接触して、ベアリングケース１２６が制止軸１２５から離れたとき、スクライブヘッド昇降手段の位置検出機構がスクライブヘッド１２０の位置を検出する。このときのスクライブヘッド１２０の位置がマザー基板１０１の表面の位置であると判定され、マザー基板１０１の表面の位置を示す零点検出データがコントローラに含まれる記録手段に書き込まれる。このように、零点検出工程が実施される。
零点検出が完了すると、スクライブヘッド昇降手段は、スクライブヘッド１２０を所定の待機位置（マザー基板１０１の表面の上方の待機位置）まで上昇させる。
２−２．スクライブ工程
以下、ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程の詳細を説明する。
図９は、ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で用いられるマザー基板１０１を示す。図９に示されたスクライブ予定ラインは、マザー基板１０１から単位基板１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ（斜線部）を取り出すために形成される。このスクライブ予定ラインは、点Ｐ１を始点として、点Ｐ２〜点Ｐ２１を順に通過し、点Ｐ２２を終点とする１本の連続した線で構成されている。スクライブヘッド１２０をスクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上にスクライブラインが形成される。
スクライブ予定ラインは、複数の直線（直線Ｐ１−Ｐ２と、直線Ｐ２−Ｐ３と、直線Ｐ４−Ｐ５と、直線Ｐ６−Ｐ７と、直線Ｐ８−Ｐ９と、直線Ｐ１０−Ｐ１１と、直線Ｐ１２−Ｐ１３と、直線Ｐ１３−Ｐ２と、直線Ｐ１４−Ｐ１５と、直線Ｐ１６−Ｐ１７と、直線Ｐ１８−Ｐ１９と、直線Ｐ２０−Ｐ２１と、直線Ｐ３−Ｐ１２と、直線Ｐ１２−Ｐ２２）と、複数の曲線（曲線Ｒ１〜曲線Ｒ１１）とを有する。
マザー基板分断装置１００は、スクライブ予定ラインに沿ってスクライブラインを形成し、かつマザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクすることによって、マザー基板１０１から単位基板１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄを分断する。
単位基板１Ａは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ２−Ｐ３と直線Ｐ６−Ｐ７と直線Ｐ１３−Ｐ２と直線Ｐ１６−Ｐ１７とで囲まれた部分である。単位基板１Ｂは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ８−Ｐ９と直線Ｐ１２−Ｐ１３と直線Ｐ１３−Ｐ２と直線Ｐ１６−Ｐ１７とで囲まれた部分である。単位基板１Ｃは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ２−Ｐ３と直線Ｐ６−Ｐ７と直線Ｐ１８−Ｐ１９と直線Ｐ３−Ｐ１２とで囲まれた部分である。単位基板１Ｄは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ８−Ｐ９と直線Ｐ１２−Ｐ１３と直線Ｐ１８−Ｐ１９と直線Ｐ３−Ｐ１２とで囲まれた部分である。単位基板１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄは、互いに適当な間隔をあけて配置されている。
図１０は、ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で実施されるスクライブ手順を示す。
以下、図９と図１０とを参照して、スクライブ手順をステップごとに説明する。
ステップ１００１：スクライブヘッド昇降手段は、所定の待機位置にあるスクライブヘッド１２０を降下させる。スクライブヘッド昇降手段が、マザー基板１０１の上面から０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの位置にまで、所定の待機位置からスクライブヘッド１２０を下降させると、スクライブカッタ１２１は、テーブル１３１上に固定されたマザー基板１０１の表面の凹凸に十分に対応できるようにマザー基板１０１を押圧する。コントローラ１４４は、第３ドライバ１４７がスクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６を駆動するように、第３ドライバ１４７に指令を出す。スクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６の駆動に応じて、スクライブヘッド１２０が、ガイドバー１３６に沿って移動される。
ステップ１００２：スクライブラインの形成は、マザー基板１０１の外周縁部（領域Ｐ２−Ｐ３−Ｐ１２−Ｐ１３の外側の領域であって領域Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄの内側の領域）から始まる。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を点Ｐ１（マザー基板の外周縁部内の点）からスクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１００３：単位基板の外側辺部に沿ってスクライブラインが形成される。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ１−Ｐ２と直線Ｐ２−Ｐ３とに沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１００４：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ１に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が中心角９０度の円弧（曲線Ｒ１）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１００５：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ４−Ｐ５に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１００６：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ２に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が中心角９０度の円弧（曲線Ｒ２）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１００７：制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を単位基板間の領域内に移動させ、単位基板１Ｃにおいて幅方向に隣接する単位基板１Ｄに対向する側の側辺部であるの内側辺部、および単位基板１Ａの内側辺部に沿ってスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ６−Ｐ７に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１００８：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ３に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が中心角１８０度の円弧（曲線Ｒ３）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１００９：制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を単位基板間の領域内に移動させ、単位基板１Ｂおよび１Ｄの内側辺部に沿ってスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ８−Ｐ９に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１０１０：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ４に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が中心角９０度の円弧（曲線Ｒ４）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１０１１：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ１０−Ｐ１１に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１０１２：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ５に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が中心角９０度の円弧（曲線Ｒ５）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１０１３：単位基板１Ｄおよび１Ｂにおけるマザー基板の外周縁部に沿った外側辺部に沿ってスクライブラインが形成される。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ１２−Ｐ１３に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１０１４：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ６に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が滑らかな曲線（曲線Ｒ６）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１０１５：制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ１３−Ｐ２、曲線Ｒ７、直線Ｐ１４−Ｐ１５、曲線Ｒ８、直線Ｐ１６−Ｐ１７、曲線Ｒ９、直線Ｐ１８−Ｐ１９、曲線Ｒ１０、直線Ｐ２０−Ｐ２１、曲線Ｒ１１、直線Ｐ３−Ｐ１２および直線Ｐ１２−Ｐ２２に沿って、これらの順番に移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１０１６：制御部１４０は、点Ｐ２２でスクライブラインの形成を終了する。
スクライブヘッド昇降手段が所定の待機位置までスクライブヘッド１２０を昇降させることによって、スクライブ工程を終了する。
ステップ１００１〜ステップ１０１６で示すように、制御部１４０は、マザー基板１０１へのスクライブカッタ１２１の押圧が途切れないようにスクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、点Ｐ１から点Ｐ２２までスクライブカッタ１２１を移動させることによって、単位基板１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄをマザー基板１０１から分断するためのスクライブラインをマザー基板に形成する。
このように、本発明の実施の形態によれば、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、点Ｐ１から点Ｐ２２までスクライブカッタ１２１が移動するようにスクライブヘッド１２０を制御するため、マザー基板への押圧の移動を停止することなくスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、マザー基板が有する辺にスクライブラインが達することなく、マザー基板にスクライブラインを形成することができるため、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
なお、複数の単位基板は、互いに適当な間隔をあけてマザー基板１０１に配置される必要はない。
図１１は、ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で用いられるマザー基板１０１の他の一例を示す。マザー基板１０１には、スクライブ予定ラインが形成されている。スクライブヘッド１２０をスクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上にスクライブラインが形成される。
スクライブ予定ラインは、複数の直線（直線Ｐ５１−Ｐ６７と、直線Ｐ６７−Ｐ５２と、直線Ｐ５３−Ｐ５４と、直線Ｐ５５−Ｐ５６と、直線Ｐ５７−Ｐ５８と、直線Ｐ５９−Ｐ６０と、直線Ｐ６０−Ｐ５２と、直線Ｐ６１−Ｐ６２と、直線Ｐ６３−Ｐ６４と、直線Ｐ６５−Ｐ６６と、直線Ｐ５９−Ｐ６７と、直線Ｐ６７−Ｐ６８）と、複数の曲線（曲線Ｒ２１〜曲線Ｒ２９）とを有する。
マザー基板分断装置１００は、スクライブ予定ラインに沿ってスクライブラインを形成し、かつマザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクすることによって、マザー基板１０１から単位基板２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄを分断する。
単位基板２Ａは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ６７−Ｐ５２と直線Ｐ５５−Ｐ５６と直線Ｐ６０−Ｐ５２と直線Ｐ６３−Ｐ６４とで囲まれた部分である。単位基板２Ｂは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ５５−Ｐ５６と直線Ｐ５９−Ｐ６０と直線Ｐ６０−Ｐ５２と直線Ｐ６３−Ｐ６４とで囲まれた部分である。単位基板２Ｃは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ５５−Ｐ５６と直線Ｐ５９−Ｐ６０と直線Ｐ６３−Ｐ６４と直線Ｐ５９−Ｐ６７とで囲まれた部分である。単位基板２Ｄは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ６７−Ｐ５２と直線Ｐ５５−Ｐ５６と直線Ｐ６３−Ｐ６４と直線Ｐ５９−Ｐ６７とで囲まれた部分である。
制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ５１−Ｐ６７、直線Ｐ６７−Ｐ５２、曲線Ｒ２１、直線Ｐ５３−Ｐ５４、曲線Ｒ２２、直線Ｐ５５−Ｐ５６、曲線Ｒ２３、直線Ｐ５７−Ｐ５８、曲線Ｒ２４、直線Ｐ５９−Ｐ６０、曲線Ｒ２５、直線Ｐ６０−Ｐ５２、曲線Ｒ２６、直線Ｐ６１−Ｐ６２、曲線Ｒ２７、直線Ｐ６３−Ｐ６４、曲線Ｒ２８、直線Ｐ６５−Ｐ６６、曲線２９、直線Ｐ５９−Ｐ６７および直線Ｐ６７−Ｐ６８に沿って、これらの順番に移動させることによって、スクライブラインを形成する。
なお、マザー基板１０１から分断される単位基板の数は、４枚に限らない。マザー基板１０１から分断される単位基板の数は、２枚以上の任意の枚数である。
図１２は、９枚の単位基板を分断するためのマザー基板１０１を示す。マザー基板１０１には、スクライブ予定ラインが形成されている。スクライブヘッド１２０をスクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上にスクライブラインが形成される。
スクライブ予定ラインは、複数の直線（直線Ｐ７０−Ｐ７１と、直線Ｐ７１−Ｐ７２と、直線Ｐ７３−Ｐ７４と、直線Ｐ７５−Ｐ７６と、直線Ｐ７７−Ｐ７８と、直線Ｐ７９−Ｐ８０と、直線Ｐ８１−Ｐ８２と、直線Ｐ８３−Ｐ８４と、直線Ｐ８５−Ｐ８６と、直線Ｐ８７−Ｐ８８と、直線Ｐ８８−Ｐ７１と、直線Ｐ８９−Ｐ９０、直線Ｐ９１−Ｐ９２と、直線Ｐ９３−Ｐ９４と、直線Ｐ９５−Ｐ９６と、直線Ｐ９７−Ｐ９８と、直線Ｐ９９−Ｐ１００と、直線Ｐ１０１−Ｐ１０２と、直線Ｐ７２−Ｐ８７と、直線Ｐ８７−Ｐ１０３）と、複数の曲線（曲線Ｒ５０〜曲線Ｒ６６）とを有する。
マザー基板分断装置１００は、スクライブ予定ラインに沿ってスクライブラインを形成し、かつマザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクすることによって、マザー基板１０１から単位基板３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、３Ｆ、３Ｇ、３Ｈ、３Ｉを分断する。
単位基板３Ａは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７１−Ｐ７２と直線Ｐ７５−Ｐ７６と直線Ｐ８８−Ｐ７１と直線Ｐ９１−Ｐ９２とで囲まれた部分である。単位基板３Ｂは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７７−Ｐ７８と直線Ｐ８１−Ｐ８２と直線Ｐ８８−Ｐ７１と直線Ｐ９１−Ｐ９２とで囲まれた部分である。単位基板３Ｃは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ８３−Ｐ８４と直線Ｐ８７−Ｐ８８と直線Ｐ８８−Ｐ７１と直線Ｐ９１−Ｐ９２とで囲まれた部分である。単位基板３Ｄは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７１−Ｐ７２と直線Ｐ７５−Ｐ７６と直線Ｐ９３−Ｐ９４と直線Ｐ９７−Ｐ９８とで囲まれた部分である。単位基板３Ｅは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７７−Ｐ７８と直線Ｐ８１−Ｐ８２と直線Ｐ９３−Ｐ９４と直線Ｐ９７−Ｐ９８とで囲まれた部分である。単位基板３Ｆは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ８３−Ｐ８４と直線Ｐ８７−Ｐ８８と直線Ｐ９３−Ｐ９４と直線Ｐ９７−Ｐ９８とで囲まれた部分である。単位基板３Ｇは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７１−Ｐ７２と直線Ｐ７５−Ｐ７６と直線Ｐ９９−Ｐ１００と直線Ｐ７２−Ｐ８７とで囲まれた部分である。単位基板３Ｈは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７７−Ｐ７８と直線Ｐ８１−Ｐ８２と直線Ｐ９９−Ｐ１００と直線Ｐ７２−Ｐ８７とで囲まれた部分である。単位基板３Ｉは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ８３−Ｐ８４と直線Ｐ８７−Ｐ８８と直線Ｐ９９Ｐ１００と直線Ｐ７２Ｐ８７とで囲まれた部分である。単位基板３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、３Ｆ、３Ｇ、３Ｈ、３Ｉは、互いに適当な間隔をあけて配置されている。
制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ７０−Ｐ７１、直線Ｐ７１−Ｐ７２、曲線Ｒ５０、直線Ｐ７３−Ｐ７４、曲線Ｒ５１、直線Ｐ７５Ｐ７６、曲線Ｒ５２、直線Ｐ７７−Ｐ７８、曲線Ｒ５３、直線Ｐ７９−Ｐ８０、曲線Ｒ５４、直線Ｐ８１−Ｐ８２、曲線Ｒ５５、直線Ｐ８３−Ｐ８４、曲線Ｒ５６、直線Ｐ８５−Ｐ８６、曲線Ｒ５７、直線Ｐ８７−Ｐ８８、曲線５８、直線Ｐ８８−Ｐ７１、曲線Ｒ５９、直線Ｐ８９−Ｐ９０、曲線Ｒ６０、直線Ｐ９−１Ｐ９２、曲線Ｒ６１、直線Ｐ９３−Ｐ９４、曲線Ｒ６２、直線Ｐ９５−Ｐ９６、曲線Ｒ６３、直線Ｐ９７−Ｐ９８、曲線Ｒ６４、直線Ｐ９９−Ｐ１００、曲線Ｒ６５、直線Ｐ１０１−Ｐ１０２、曲線Ｒ６６、直線Ｐ７２−Ｐ８７、および直線Ｐ８７−Ｐ１０３に沿って、これらの順番に移動させることによって、スクライブラインを形成する。
本発明の実施の形態によるスクライブ手順によれば、第１方向に沿って形成されたスクライブラインと、第１方向とは異なる第２方向に沿って形成されるべきスクライブラインとが、曲線（例えば、２．０Ｒ〜６．０Ｒ）で繋がるように、スクライブヘッド１２０を曲線に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。例えば、スクライブヘッド１２０の移動方向が、直線Ｐ２−Ｐ３に沿った方向から直線Ｐ４−Ｐ５に沿った方向に変わる部分（曲線Ｒ１）では、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ１に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する（図９参照）。
このように、第１方向に沿って形成されたスクライブラインと、第２方向に沿って形成されるべきスクライブラインとが、曲線で繋がるように、マザー基板１０１への押圧を移動することができるため、第１方向から第２方向へのスクライブカッタ１２１の方向転換によって生じるスクライブカッタ１２１へのダメージを低減することができる。
図１３は、スクライブ予定ラインの一部（曲線Ｒａおよび曲線Ｒｂ）を示す。
スクライブヘッド１２０は、点Ｐ１からスクライブラインの形成を開始する。次に、制御部１４０は、スクライブヘッド１２０によって曲線Ｒａに沿ってスクライブラインが形成されるように、スクライブヘッド１２０を移動させる。このように、点Ｐ１と点Ｐ２とを通る直線に沿ってスクライブラインを形成することなく、点Ｐ１と点Ｐ２とを通る曲線に沿ってスクライブラインを形成する場合には、点Ｐ１からマザー基板１０１の外辺（マザー基板１０１の辺ＡＤ）に向かってクラックが形成されることを防ぐことができる。例えば、点Ｐ１と点Ｐ２とを通る曲線に沿ってスクライブラインを形成する場合には、直線Ｐ０−Ｐ１上にクラックが形成されることを防ぐことができる。
さらに、制御部１４０は、スクライブヘッド１２０によって曲線Ｒｂに沿ってスクライブラインが形成されるように、スクライブヘッド１２０を移動させ、点Ｐ２２でスクライブラインの形成を終了する。このように、点Ｐ１２と点Ｐ２２とを通る直線に沿ってスクライブラインを形成することなく、点Ｐ１２と点Ｐ２２とを通る曲線に沿ってスクライブラインを形成する場合には、点Ｐ２２からマザー基板１０１の外辺（マザー基板１０１の辺ＣＤ）に向かってクラックが形成されることを防ぐことができる。例えば、点Ｐ１２と点Ｐ２２とを通る曲線に沿ってスクライブラインを形成する場合には、直線Ｐ２２−Ｐ２３上にクラックが形成されることを防ぐことができる。
なお、本発明の実施の形態によるスクライブ工程では、スクライブラインの形成を開始する点と、終了する点との組み合わせは、限定されない。
例えば、スクライブラインの形成を開始する点は、マザー基板１０１の外周縁部（例えば、点Ｐ１）にあり、終了する点は、マザー基板１０１の外周縁部（例えば、点Ｐ２２）にある（図９参照）。例えば、スクライブラインの形成を開始する点は、マザー基板１０１の外周縁部（例えば、点Ｐ１）にあり、終了する点は、マザー基板１０１の外辺ＣＤ上（例えば、点Ｐ２３）にある。例えば、スクライブラインの形成を開始する点は、マザー基板１０１の外辺ＡＤ上（例えば、点Ｐ０）にあり、終了する点は、マザー基板１０１の外周縁部（例えば、点Ｐ２２）にある。例えば、スクライブラインの形成を開始する点は、マザー基板１０１の外辺ＡＤ上（例えば、点Ｐ０）にあり、終了する点は、マザー基板１０１の外辺ＣＤ上（例えば、点Ｐ２３）にある。
さらに、スクライブヘッド１６５を用いる場合には、スクライブカッタ１２１に伝達させる荷重の加減の応答を速くできる。したがって、スクライブカッタ１２１の押圧が、単位基板の内側辺部または単位基板の外側辺部からマザー基板１０１の外周縁部に移動した場合には、スクライブカッタ１２１への荷重を低減できる。さらに、マザー基板１０１の外周縁部上をスクライブカッタ１２１の押圧が移動しているときは、その他の部分を移動しているときと比べて、スクライブカッタ１２１への荷重を低減できる。
具体的には、スクライブ予定ラインのうち、点線（直線Ｐ１−Ｐ２、曲線Ｒ１、直線Ｐ４−Ｐ５、曲線Ｒ２、曲線Ｒ３、曲線Ｒ４、直線Ｐ１０−Ｐ１１、曲線Ｒ５、曲線Ｒ６、曲線Ｒ７、直線Ｐ１４−Ｐ１５、曲線Ｒ８、曲線９、曲線Ｒ１０、直線Ｐ２０−Ｐ２１、曲線Ｒ１１、直線Ｐ１２−Ｐ２２：以上、図９参照。直線Ｐ５１−Ｐ６７、曲線Ｒ２１、直線Ｐ５３−Ｐ５４、曲線Ｒ２２、曲線Ｒ２３、直線Ｐ５７−Ｐ５８、曲線Ｒ２４、曲線Ｒ２５、曲線Ｒ２６、直線Ｐ６１−Ｐ６２、曲線Ｒ２７、曲線Ｒ２８、直線Ｐ６５−Ｐ６６、曲線２９、直線Ｐ６７−Ｐ６８：以上、図１１参照）上でスクライブカッタ１２１を移動させる場合には、スクライブカッタ１２１への荷重を低減できる。
このように、スクライブカッタ１２１がマザー基板１０１をスクライブする時、マザー基板１０１へのスクライブカッタ１２１の押圧を任意の場所で低減できるので、スクライブカッタ１２１の摩耗、損傷等を抑制でき、スクライブカッタ１２１を長期にわたって安定的に使用できる。
２−３．ブレイク工程
以下、ステップ８０３（図８参照）で実施されるブレイク工程の詳細を説明する。
ブレイク工程は、スクライブ工程によってスクライブラインが形成されたマザー基板１０１に対して実施される。
スクライブ予定ラインに沿ってスクライブラインが形成された後、マザー基板１０１が膨張する温度を有する蒸気がスクライブラインに吹き付けられる。ブレイク装置１５２のノズル部１５２ｄから蒸気が噴射される。
蒸気をスクライブラインに吹き付けることによって、スクライブラインから延びた垂直クラックがマザー基板１０１の厚さ方向に伸展する。マイクロメートルオーダの開口を有する垂直クラックに吹き付けられた蒸気が毛細現象により垂直クラックに浸透し、浸透した液体が膨張（体積膨張）することによって、垂直クラックはマザー基板１０１の背面側に伸展する。
なお、ブレイク装置１５４によってマザー基板１０１の表面に蒸気を噴射してもよい（図７参照）。
さらに、スクライブラインが形成されたマザー基板にスクライブラインが形成された面とは反対側の面から圧力を加えることによって、マザー基板に形成されたスクライブラインに沿ってマザー基板１０１をブレイクしてもよい。
さらに、蒸気の代わりにレーザビームを用いてスクライブラインを加熱するためにスクライブヘッドにレーザ発振器を備えてもよい。スクライブヘッド１２０に水分を乾燥させるためのレーザ発振器を備えてもよい。
以上、図８および図１０を参照して、本発明の実施の形態の一例を説明した。
例えば、図８および図１０に示される実施の形態では、ステップ８０２およびステップ１００１〜ステップ１０１６が「マザー基板にスクライブラインを形成するステップ」に対応し、ステップ８０３が「マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクするステップ」に対応し、ステップ１００１〜ステップ１０１６が「マザー基板への押圧が途切れないようにマザー基板への押圧を移動することによって、第１単位基板を前記マザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板をマザー基板から分断するための第２スクライブラインとをマザー基板に形成するステップ」に対応する。
しかし、本発明のマザー基板分断方法が図８および図１０に示される実施の形態に限定されるわけではない。マザー基板分断方法に包含される各ステップによって、上述した「マザー基板にスクライブラインを形成するステップ」、「マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクするステップ」および「マザー基板への押圧が途切れないようにマザー基板への押圧を移動することによって、第１単位基板を前記マザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板をマザー基板から分断するための第２スクライブラインとをマザー基板に形成するステップ」が実行され得る限りは、任意の処理手順を有し得る。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、一筆書きのスクライブラインを形成することができる。ここで、「一筆書きのスクライブライン」とは、マザー基板から複数の単位基板を取り出すために形成される１本のみのスクライブラインを意味する。この一筆書きのスクライブラインは、この一筆書きのスクライブラインの始点から終点までスクライブカッタをマザー基板から離すことなく、この一筆書きのスクライブラインの始点から終点までマザー基板への押圧状態を保持（維持）したままで、形成される。
本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板への押圧の移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されにくくなるため、マザー基板にスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
なお、単位基板は、例えば、ガラス基板である。しかし、単位基板がガラス基板であることに限定されない。例えば、単位基板は、石英基板、サファイア基板、半導体ウェハー、セラミック基板、太陽電池基板であってよい。
さらに、本発明の実施の形態のスクライブ工程において、スクライブカッタ（例えば、カッターホイールチップ、ダイヤモンドポイントカッター、カッターホイール、またはそれ以外のスクライブ形成手段）をマザー基板１０１に当接した後、スクライブカッタを振動することによってマザー基板１０１への押圧を周期的に変動しながらスクライブラインを形成してもよい。マザー基板１０１への押圧を周期的に変動しながらスクライブラインを形成する場合には、垂直クラックがマザー基板の深くまで伸展するため、ブレイク工程を実施することによって、有効にマザー基板を分断することができる。
さらに、本発明の実施の形態では、１枚のマザー基板１０１を分断する例を説明したが、分断される基板は、１枚に限らない。第１の基板と第２の基板とを貼り合わせることによって作製された貼り合わせ基板を分断する場合にも本発明を適用できる。貼り合わせ基板からは、例えば、フラットディスプレイパネルの一種である液晶表示パネル、有機ＥＬパネル、無機ＥＬパネル、透過型プロジェクター基板、反射型プロジェクター基板が分断される。
図１４は、２枚のマザー基板を貼り合わせることによって作製された貼り合わせ基板を分断することができるマザー基板分断装置の一部を示す。
貼り合わせ基板２００は、マザー基板２００Ａとマザー基板２００Ｂとを貼り合わせることによって作製される。貼り合わせ基板２００の両主面側から（上下から）スクライブ装置２０１およびスクライブ装置２０２によって貼り合わせ基板２００にスクライブラインを形成する。
スクライブ装置２０１およびスクライブ装置２０２として、スクライブヘッド１６５を利用する場合には、スクライブカッタ１２１に伝達する荷重の加減の応答が速いため、貼りあわせ基板２００のうねりに追従して貼りあわせ基板２００をスクライブできる。
なお、スクライブ装置とブレイク装置とが同じ装置であってもよい。スクライブ工程でスクライブラインを形成するために用いたスクライブヘッド（スクライブ装置）をブレイク工程でブレイク装置として用いることができる。
以下、本発明のマザー基板分断方法の他の一例を説明する。この実施例では、マザー基板分断装置において、スクライブ工程でスクライブラインを形成するために用いたスクライブ装置をブレイク工程でブレイク装置として用いる。
この実施例では、スクライブ装置を主スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上に主スクライブラインを形成し、さらに、スクライブ装置を副スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上に副スクライブラインを形成する。なお、主スクライブ予定ラインは、スクライブ装置が沿って移動させるためのスクライブ予定ラインであり、副スクライブ予定ラインは、ブレイク装置が沿って移動させるためのスクライブ予定ラインである。さらに、主スクライブラインは、スクライブ装置を主スクライブ予定ラインに沿って移動させることによってマザー基板上に形成されたスクライブラインであり、副スクライブラインは、ブレイク装置を副スクライブ予定ラインに沿って移動させることによってマザー基板上に形成されたスクライブラインである。
主スクライブラインから所定の間隔（例えば、０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度）をあけて副スクライブラインを形成することによって、マザー基板が主スクライブラインに沿ってブレイクし、マザー基板から複数の単位基板を分断することができる。
副スクライブラインの形成によって、マザー基板１０１の表面に主スクライブラインの形成方向に直交する方向かつ水平方向に応力が加わり、主スクライブラインから伸びる垂直クラックに圧縮力が作用する。主スクライブラインから伸びる垂直クラックに圧縮力が作用すると、垂直クラックの底部には垂直クラックの幅を広げる方向に反力が作用する。したがって、垂直クラックは、マザー基板１０１の厚さ方向に伸展し、さらに、マザー基板の背面に到達する。このようにマザー基板から複数の単位基板を分断することができる。
図１５は、本発明の実施の形態によるスクライブ工程とブレイク工程とで用いられるマザー基板１０１の一例を示す。マザー基板１０１には、主スクライブ予定ラインと副スクライブ予定ラインとが形成されている。スクライブ装置を主スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上に主スクライブラインを形成する。さらに、スクライブ装置を副スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上に副スクライブラインを形成する。
主スクライブ予定ラインは、複数の直線（直線ＭＰ１−ＭＰ２と、直線ＭＰ２−ＭＰ３と、直線ＭＰ４−ＭＰ５と、直線ＭＰ６−ＭＰ７と、直線ＭＰ８−ＭＰ９と、直線ＭＰ１０−ＭＰ１１と、直線ＭＰ１２−ＭＰ１３と、直線ＭＰ１３−ＭＰ２と、直線ＭＰ１４−ＭＰ１５と、直線ＭＰ１６−ＭＰ１７と、直線ＭＰ１８−ＭＰ１９と、直線ＭＰ２０−ＭＰ２１と、直線ＭＰ３−ＭＰ１２）と、複数の曲線（曲線ＭＲ１〜曲線ＭＲ１１）とを有する。
副スクライブ予定ラインは、複数の直線（直線ＳＰ１−ＳＰ２と、直線ＳＰ３−ＳＰ４と、直線ＳＰ５−ＳＰ６と、直線ＳＰ７−ＳＰ８と、直線ＳＰ９−ＳＰ１０と、直線ＳＰ１１−ＳＰ１２と、直線ＳＰ１２−ＳＰ１と、直線ＳＰ１３−ＳＰ１４と、直線ＳＰ１５−ＳＰ１６と、直線ＳＰ１７−ＳＰ１８と、直線ＳＰ１９−ＳＰ２０と、直線ＳＰ２−ＳＰ１１と、直線ＳＰ１１−ＳＰ２１）と、複数の曲線（曲線ＳＲ１〜曲線ＳＲ１２）とを有する。
主スクライブ予定ラインと副スクライブ予定ラインとは、一定の間隔（例えば０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度の間隔）をあけて形成されている。したがって、直線ＭＰ２−ＭＰ３と直線ＳＰ１１−ＳＰ１２、直線ＭＰ６−ＭＰ７と直線ＳＰ７−ＳＰ８、直線ＭＰ８−ＭＰ９と直線ＳＰ５−ＳＰ６、直線ＭＰ１２−ＭＰ１３と直線ＳＰ１−ＳＰ２とは、平行である。さらに、直線ＭＰ１３−ＭＰ２と直線ＳＰ２−ＳＰ１１、直線ＭＰ１６−ＭＰ１７と直線ＳＰ１７−ＳＰ１８、直線ＭＰ１８−ＭＰ１９と直線ＳＰ１５−ＳＰ１６、直線ＭＰ３−ＭＰ１２と直線ＳＰ１２−ＳＰ１とは、平行である。
マザー基板分断装置１００は、主スクライブ予定ラインに沿って主スクライブラインを形成し、かつマザー基板１０１を副スクライブ予定ラインに沿って副スクライブラインを形成することによって、マザー基板１０１から単位基板４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄを分断する。
単位基板４Ａは、マザー基板１０１のうち、直線ＭＰ２−ＭＰ３と直線ＭＰ６−ＭＰ７と直線ＭＰ１３−ＭＰ２と直線ＭＰ１６−ＭＰ１７とで囲まれた部分である。単位基板４Ｂは、マザー基板１０１のうち、直線ＭＰ８−ＭＰ９と直線ＭＰ１２−ＭＰ１３と直線ＭＰ１３−ＭＰ２と直線ＭＰ１６−ＭＰ１７とで囲まれた部分である。単位基板４Ｃは、マザー基板１０１のうち、直線ＭＰ２−ＭＰ３と直線ＭＰ６−ＭＰ７と直線ＭＰ１８−ＭＰ１９と直線ＭＰ３−ＭＰ１２とで囲まれた部分である。単位基板４Ｄは、マザー基板１０１のうち、直線ＭＰ８−ＭＰ９と直線ＭＰ１２−ＭＰ１３と直線ＭＰ１８−ＭＰ１９と直線ＭＰ３−ＭＰ１２とで囲まれた部分である。単位基板４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄは、互いに適当な間隔をあけて配置されている。
図１６は、本発明の実施の形態によるスクライブ工程によって実施されるスクライブ手順とブレイク工程によって実施されるブレイク手順とを示す。
以下、図１５と図１６とを参照して、スクライブ手順とブレイク手順とをステップごとに説明する。
ステップ１６０１：スクライブヘッド昇降手段は、所定の待機位置にあるスクライブヘッド１２０を降下させる。スクライブヘッド昇降手段が、マザー基板１０１の上面から０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの位置にまで、所定の待機位置からスクライブヘッド１２０を下降させると、スクライブカッタ１２１は、テーブル１３１上に固定されたマザー基板１０１の表面の凹凸に十分に対応できるようにマザー基板１０１を押圧する。コントローラ１４４は、第３ドライバ１４７がスクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６を駆動するように、第３ドライバ１４７に指令を出す。スクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６の駆動に応じて、スクライブヘッド１２０が、ガイドバー１３６に沿って移動される。
ステップ１６０２：主スクライブラインの形成は、マザー基板１０１の外周縁部（領域Ａ’−Ｂ’−Ｃ’−Ｄ’と領域ＭＰ２−ＭＰ３Ｍ−Ｐ１２Ｍ−Ｐ１３とで囲まれた領域）から始まる。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を点ＭＰ１（マザー基板の外周縁部内の点）から主スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、主スクライブラインを形成する。
ステップ１６０３：制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線ＭＰ１−ＭＰ２、直線ＭＰ２−ＭＰ３、曲線ＭＲ１、直線ＭＰ４−ＭＰ５、曲線ＭＲ２、直線ＭＰ６−ＭＰ７、曲線ＭＲ３、直線ＭＰ８−ＭＰ９、曲線ＭＲ４、直線ＭＰ１０−ＭＰ１１、曲線ＭＲ５、直線ＭＰ１２−ＭＰ１３、曲線ＭＲ６、直線ＭＰ１３−ＭＰ２、曲線ＭＲ７、直線ＭＰ１４−ＭＰ１５、曲線ＭＲ８、直線ＭＰ１６−ＭＰ１７、曲線ＭＲ９、直線ＭＰ１８−ＭＰ１９、曲線ＭＲ１０、直線ＭＰ２０−ＭＰ２１、曲線ＭＲ１１に沿って、これらの順番に移動させることによって、主スクライブラインを形成する。
ステップ１６０４：副スクライブラインの形成は、マザー基板１０１の外周縁部（領域Ａ’−Ｂ’−Ｃ’−Ｄ’と領域ＭＰ２−ＭＰ３−ＭＰ１２−ＭＰ１３とで囲まれた領域）から始まる。具体的には、制御部１４０は、スクライブヘッド１２０を点ＳＰ１（マザー基板の外周縁部内の点）から副スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、副スクライブラインを形成する。
ステップ１６０５：制御部１４０は、スクライブヘッド１２０を曲線ＳＲ１、直線ＳＰ１ＳＰ２、曲線ＳＲ２、直線ＳＰ３−ＳＰ４、曲線ＳＲ３、直線ＳＰ５−ＳＰ６、曲線ＳＲ４、直線ＳＰ７−ＳＰ８、曲線ＳＲ５、直線ＳＰ９−ＳＰ１０、曲線ＳＲ６、直線ＳＰ１１−ＳＰ１２、曲線ＳＲ７、直線ＳＰ１２−ＳＰ１、曲線ＳＲ８、直線ＳＰ１３−ＳＰ１４、曲線ＳＲ９、直線ＳＰ１５−ＳＰ１６、曲線ＳＲ１０、直線ＳＰ１７−ＳＰ１８、曲線ＳＲ１１、直線ＳＰ１９−ＳＰ２０、曲線ＳＲ１２、直線ＳＰ２−ＳＰ１１、直線ＳＰ１１−ＳＰ２１に沿って、これらの順番に移動させることによって、副スクライブラインを形成する。
ステップ１６０６：制御部１４０は、点ＳＰ２１で副スクライブラインの形成を終了する。
スクライブヘッド昇降手段が所定の待機位置までスクライブヘッド１２０を昇降させることによって、ブレイク工程が終了する。
以上、ステップ１６０４〜ステップ１６０６で実施したように、主スクライブラインに沿って副スクライブラインを形成することによって、マザー基板をブレイクする。したがって、スクライブラインの形成のみによって、スクライブ工程とブレイク工程とを実現することができる。
さらに、ステップ１６０１〜ステップ１６０６の実施において、マザー基板への押圧が途切れないようにマザー基板への押圧を移動することによって、主スクライブラインと副スクライブラインとを形成することができる。したがって、マザー基板への押圧の移動を停止することなく主スクライブラインと副スクライブラインとを形成することができるため、マザー基板を分断するための分断工程時間を短縮することができる。
さらに、ステップ１６０４〜ステップ１６０６の実施において、マザー基板への押圧が途切れないようにマザー基板への押圧を移動することによって、主スクライブラインに沿った副スクライブラインを形成する。したがって、マザー基板への押圧の移動を停止することなく副スクライブラインを形成することができるため、ブレイク工程時間を短縮することができる。
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、マザー基板への押圧の移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されにくくなるため、マザー基板にスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
本発明は、マザー基板にスクライブラインを形成し、マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクすることによってマザー基板から複数の単位基板を分断するマザー基板分断方法、その方法をコンピュータによって実施するためのプログラム、および、そのプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザー基板にスクライブラインを形成するマザー基板スクライブ装置に関する。
液晶表示装置は、液晶表示パネルを備える。液晶表示パネルは、単板のマザー基板から複数の単位基板を分断し、マザー基板から分断された単位基板同士を貼り合わせることによって製造される。液晶表示パネルは、また、マザー基板を２枚貼り合わせることによって貼り合わせマザー基板を作製し、この貼り合わせマザー基板から複数の単位基板に分断することによっても、製造される。
図１７は、特開２００２−８７８３６号に開示のスクライブライン形成方法によって形成された複数のスクライブラインを示す。
特開２００２−８７８３６号に開示のスクライブライン形成方法では、脆性非金属材料基板１から複数の円形太陽電池装置２を分断するために、複数の円形太陽電池装置２の外周にレーザビームを照射させることによって複数の亀裂外周線（スクライブライン）３を形成する。
図１８は、マザー基板４の第１面に形成されたスクライブ予定ラインを示す。
マザー基板４は、長方形である。マザー基板４の第１面には、長方形の短辺方向（図面の縦方向）に沿ってスクライブ予定ラインＬ１〜Ｌ４が、長方形の長辺方向（図面の横方向）に沿ってスクライブ予定ラインＬ５〜Ｌ８が図示されている。
図１８を参照して、特開２００２−８７８３６号に開示のスクライブライン形成方法とは別のスクライブライン形成方法を説明する。
マザー基板４は、テーブル上に固定される。テーブルには、複数の吸着穴が形成されている。吸引手段は複数の吸着穴を介してマザー基板を吸引する。このようにテーブルにマザー基板４が吸着され、マザー基板４がテーブルに固定される。
スクライブ装置に取り付けられた刃先がスクライブ予定ラインＬ１〜Ｌ８に沿って移動されることによって、マザー基板４の第１面上にスクライブラインが順次形成される（スクライブ工程）。
スクライブ工程において、スクライブラインが形成されると共に、垂直クラックが形成される。垂直クラックは、スクライブラインからマザー基板４の厚さ方向に沿って延びる。
ブレイク装置は、マザー基板４をブレイクするために、スクライブラインに沿ってマザー基板４に曲げモーメントを加える。スクライブラインが形成されているマザー基板４の第１面に対向する第２面に垂直クラックが達するように垂直クラックを伸展させることによって、マザー基板４は、スクライブラインに沿ってブレイクされる（ブレイク工程）。
スクライブ工程を実施した後、ブレイク工程を実施することによって、マザー基板４から単位基板１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄが分断される。
特開２００２−８７８３６号
しかし、特開２００２−８７８３６号に開示のスクライブライン形成方法では、脆性非金属材料基板１から複数の円形太陽電池装置２を分断する場合には、ある円形太陽電池装置２の周辺にスクライブラインを形成した後、次の円形太陽電池装置２の周辺にスクライブラインを形成する前に、スクライブラインの形成が停止されるため、スクライブ加工時間が長くなる。
さらに、図１８を参照して説明された従来技術では、複数のスクライブラインの各々を形成するたびにスクライブラインの形成を停止するため、スクライブ加工時間が長くなる。
さらに、図１８を参照して説明された従来技術では、複数のスクライブラインのうちの少なくとも１本が、マザー基板が有する複数の辺のそれぞれと少なくとも２箇所で交差するため、外的要因による力（例えば、マザー基板をテーブルに吸着することによって吸着部分に生じる応力、テーブルの表面の凹凸が原因でマザー基板が撓むことによって撓んだ部分に生じる応力）がマザー基板に作用した場合には、マザー基板が少なくとも２つの部分に分離されやすい。例えば、スクライブ予定ラインＬ１に沿って形成されたスクライブラインは、マザー基板が有する辺と交差し、さらにこのスクライブラインはこの辺とは異なる辺と交差する。したがって、スクライブライン形成中に外的要因による力が発生し、曲げモーメントがスクライブラインに作用する。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板がスクライブラインに沿って分断され、マザー基板に対するテーブル面の吸引能力が低下し、マザー基板が少なくとも２つの部分に不用意に分離されやすい。このように、マザー基板のスクライブ加工中に、マザー基板に外的要因による力（マザー基板の保持または支持状態の変化などによって生じるマザー基板の内部応力等）が加わると、マザー基板が少なくとも２つに分断分離して、マザー基板の分離部分がスクライブ装置（スクライブヘッド）とぶつかり、スクライブ装置およびマザー基板自体が損傷してしまう恐れがあった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、単板又は貼り合わされたマザー基板にスクライブラインを形成し、マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクすることによって、マザー基板から複数の単位基板を分断するマザー基板分断方法、その方法をコンピュータによって実行させるためのプログラム、および、そのプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザー基板にスクライブラインを形成するマザー基板スクライブ装置を提供することを目的とする。
本発明のマザー基板分断方法は、マザー基板から複数の単位基板を分断するマザー基板分断方法であって、（ａ）前記マザー基板にスクライブライン形成手段によってスクライブラインを形成するステップと、（ｂ）前記マザー基板を前記スクライブラインに沿ってブレイクするステップとを包含し、前記ステップ（ａ）は、前記スクライブライン形成手段による前記マザー基板への押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、少なくも１つの単位基板を前記マザー基板から分断するためのスクライブラインを前記マザー基板に形成するステップを包含し、これにより、上記目的が達成される。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板へのスクライブライン形成手段の押圧が途切れないように、スクライブライン形成手段の移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されにくくなるため、マザー基板にスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
前記ステップ（ａ）は、前記スクライブライン形成手段の前記マザー基板への押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、複数の単位基板を前記マザー基板から分断するためのスクライブラインを形成するステップをさらに包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、複数の単位基板をマザー基板から分断することができる。
前記マザー基板から相互に隣接する第１単位基板と第２単位基板とを分断する際に、前記ステップ（ａ）は、（ａ−１）前記第１単位基板および前記第２単位基板における前記マザー基板の外周縁部に近接している外側辺部に沿ったスクライブラインを、前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって形成するステップと、（ａ−２）その後に、前記第１単位基板および前記第２単位基板における相互に対向する側辺部である内側辺部に沿ったスクライブラインを、前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって形成するステップと、を包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧および移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されることが少なくなるため、マザー基板に安定してスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
前記第２単位基板の内側辺部は、前記第１単位基板の内側辺部に対向しており、前記ステップ（ａ−２）は、
（ａ−２ａ）前記第１単位基板の内側辺部に沿って前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップと、
（ａ−２ｂ）前記ステップ（ａ−２ａ）の実行後、前記マザー基板の外周縁部上で前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップと、
（ａ−２ｃ）前記ステップ（ａ−２ｂ）の実行後、前記第２単位基板の内側辺部に沿って前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップと、
（ａ−２ｄ）前記ステップ（ａ−２ｃ）の実行後、前記マザー基板の外周縁部上で前記マザー基板への押圧を移動することによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップとを包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されにくくなるため、マザー基板にスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
前記ステップ（ａ）は、前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧を低減するステップをさらに包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧を低減できるため、スクライブライン形成手段のマザー基板との押圧による磨耗を低減することができる。
前記ステップ（ａ）は、第１方向に沿って、前記スクライブライン形成手段によって前記スクライブラインを形成するステップと、前記第１方向に沿って形成されたスクライブラインと、前記第１方向とは異なる第２方向に沿って形成されるべきスクライブラインとが、曲線で繋がるように、前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させるステップとを包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、第１方向に沿って形成されたスクライブラインと、第２方向に沿って形成されるべきスクライブラインとが、曲線で繋がるように、マザー基板への押圧を移動することができるため、第１方向から第２方向へのスクライブライン形成手段の方向転換によって生じるスクライブライン形成手段へのダメージを低減することができる。
前記複数の単位基板は、単板又は貼り合わせ基板のいずれでも適用可能で、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体ウェハー、セラミック基板、太陽電池基板、液晶表示パネル、有機ＥＬパネル、無機ＥＬパネル、透過型プロジェクター基板、反射型プロジェクター基板のうちの１種類の基板でよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、種々の単位基板を製造することができる。
前記ステップ（ｂ）は、前記スクライブラインに沿って副スクライブラインを形成することによって、前記マザー基板をブレイクするステップを包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、スクライブラインの形成のみによって、スクライブ工程とブレイク工程とを実現することができる。
前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記スクライブラインと前記副スクライブラインとを形成するステップをさらに包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の移動を停止することなくスクライブラインと副スクライブラインとを形成することができるため、マザー基板を分断するための分断工程時間を短縮することができる。
前記ステップ（ｂ）は、前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないように前記マザー基板への押圧を移動させることによって、前記第１スクライブラインに沿った第１副スクライブラインと前記第２スクライブラインに沿った第２副スクライブラインとを形成するステップを包含してもよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の移動を停止することなく第１副スクライブラインと第２副スクライブラインとを形成することができるため、ブレイク工程時間を短縮することができる。
前記スクライブラインの両端部分の少なくとも一方は曲線でよい。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板の辺に向かってクラックが形成されることを防止することができる。
本発明のマザー基板スクライブ装置は、マザー基板にスクライブラインを形成するためのスクライブライン形成手段と、前記スクライブライン形成手段を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させ、第１単位基板を前記マザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板を前記マザー基板から分断するための第２スクライブラインとを前記マザー基板に形成するように、前記スクライブライン形成手段を制御し、これにより、上記目的が達成される。
前記スクライブライン形成手段は、前記マザー基板の表面にスクライブを形成するスクライブ部材と、該スクライブ部材の前記マザー基板の表面に対する押圧を調整する調整手段とを備え、前記制御手段が、該調整手段を制御する構成であってもよい。
前記スクライブ部材は、カッターホイールチップであってもよい。
本発明のプログラムは、前記マザー基板分断方法の各ステップをコンピュータにて実行させるためのプログラムであり、これにより、上記目的が達成される。
本発明の記録媒体は、プログラムが記載されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体であり、これにより、上記目的が達成される。
本発明のマザー基板分断装置は、マザー基板から複数の単位基板を分断するマザー基板分断装置であって、（ａ）前記マザー基板にスクライブラインを形成する手段と、（ｂ）前記マザー基板を前記スクライブラインに沿ってブレイクする手段とを備え、前記手段（ａ）は、前記マザー基板への押圧が途切れないように前記マザー基板への押圧を移動することによって、第１単位基板を前記マザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板を前記マザー基板から分断するための第２スクライブラインとを前記マザー基板に形成する手段を備え、これにより、上記目的が達成される。
前記手段（ａ）は、前記マザー基板への押圧が途切れないように前記マザー基板への押圧位置を移動することによって、第Ｎ単位基板を前記マザー基板から分断するための第Ｎスクライブラインを形成する手段をさらに備えてもよい。Ｎは、３以上の整数である。
本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されにくくなるため、マザー基板に安定してスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、マザー基板への前記スクライブライン形成手段による押圧を低減できるため、前記スクライブライン形成手段のマザー基板との押圧による磨耗を低減することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、第１方向に沿って形成されたスクライブラインと、第２方向に沿って形成されるべきスクライブラインとが、曲線で繋がるように、マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動することができるため、第１方向から第２方向への押圧手段の方向転換によって生じる押圧手段へのダメージを低減することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、種々の単位基板を製造することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、スクライブラインの形成のみによって、スクライブ工程とブレイク工程とを実現することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、マザー基板への押圧の移動を停止することなくスクライブラインと副スクライブラインとを形成することができるため、マザー基板を分断するための分断工程時間を短縮することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、マザー基板への押圧の移動を停止することなく第１副スクライブラインと第２副スクライブラインとを形成することができるため、ブレイク工程時間を短縮することができる。
さらに、本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、スクライブラインの両端部分の少なくとも一方は曲線であるため、マザー基板の辺に向かってクラックが形成されることを防止することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
１．マザー基板分断装置１００
図１は、本発明の実施の形態のマザー基板分断装置１００の構成を示す。
マザー基板分断装置１００は、マザー基板１０１から複数の単位基板を分断する。
マザー基板分断装置１００は、マザー基板１０１を載置するためのテーブル１３１と、ガイドレール１３２と、ガイドレール１３３と、スライダ１３４と、スライダ１３５と、ガイドバー１３６と、リニアモータ１３７と、リニアモータ１３８とを含む。
ガイドレール１３２とガイドレール１３３とは、テーブル１３１の両側に、互いに平行に設けられている。スライダ１３４にはリニアモータ１３７の移動子が取り付けられており、スライダ１３４は、ガイドレール１３２に沿ってスライド可能なようにガイドレール１３２に設けられている。スライダ１３５にはリニアモータ１３８の移動子が取り付けられており、スライダ１３５は、ガイドレール１３３に沿ってスライド可能なようにガイドレール１３３に設けられている。
リニアモータ１３７には、ガイドレール１３２に沿って配置されたレール状の固定子が設けられている。リニアモータ１３７は、スライダ１３４をガイドレール１３２に沿ってスライドさせる。リニアモータ１３８には、ガイドレール１３３に沿って配置されたレール状の固定子が設けられている。リニアモータ１３８は、スライダ１３５をガイドレール１３３に沿ってスライドさせる。
ガイドバー１３６は、スライダ１３４とスライダ１３５との間に水平に架設されている。スクライブヘッド１２０とブレイク装置１５２とが、ガイドバー１３６に沿ってスライド可能なように、ガイドバー１３６に取り付けられている。
スクライブヘッド１２０の構成およびブレイク装置１５２の構成の詳細は、後述される。
マザー基板分断装置１００は、制御部１４０をさらに含む。制御部１４０は、コントローラ１４４と、第１ドライバ１４１と、第２ドライバ１４２と、第３ドライバ１４７と、スクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６と、スライダセンサ１４３と、コンピュータ１４９とを含む。
コントローラ１４４は、コンピュータ１４９の指示に従って、第１ドライバ１４１がリニアモータ１３７を駆動するように、第１ドライバ１４１をコントロールし、第２ドライバ１４２がリニアモータ１３８を駆動するように、第２ドライバ１４２をコントロールし、第３ドライバ１４７がスクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６を駆動するように、第３ドライバ１４７をコントロールする。
スクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６は、ガイドバー１３６に設けられている。スクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６は、ガイドバー１３６に沿って配置されたレール状の固定子とその固定子に沿って移動する移動子がスクライブヘッド１２０とブレイク装置１５２とにそれぞれ設けられ、ガイドバー１３６に沿ってガイドバー１３６の両端の間で、スクライブヘッド１２０とブレイク装置１５２とを往復移動させる。
スライダセンサ１４３は、ガイドレール１３２の近傍に設けられている。スライダセンサ１４３は、スライダ１３４の位置を検出し、検出した位置を示すデータをコントローラ１４４に出力する。
なお、コンピュータ１４９の構成の詳細は、後述される。
図２は、スクライブヘッド１２０の構成を示す。図２（ａ）は、スクライブヘッド１２０の正面を示す。図２（ｂ）は、スクライブヘッド１２０の底面を示す。
スクライブヘッド１２０は、ヘッド本体部１２２と、ベアリングケース１２６と、制止軸１２５と、カッターホルダ１２７と、スクライブカッタ１２１と、付勢手段１３０とを含む。
ヘッド本体部１２２は、ヘッド本体部１２２に水平に挿通されている支軸１２３と、ベアリング１２４とを備える。ヘッド本体部１２２の下部には、切欠部１２９が形成されており、切欠部１２９には、ベアリングケース１２６が格納されている。
制止軸１２５は、ヘッド本体部１２２内に、支軸１２３と平行に設けられている。
ベアリングケース１２６は、支軸１２３の周りを上下方向に回動する。ベアリングケース１２６の一端は、支軸１２３に連結されている。ベアリングケース１２６の他端は、制止軸１２５が設けられている位置で制止軸１２５に当接する。ベアリングケース１２６によって、カッターホルダ１２７が回転自在に保持される。
カッターホルダ１２７は、カッターホルダ本体部１２７ａと、マザー基板１０１の表面に直交する軸心を有する回転軸１２７ｃとを含む。カッターホルダ１２７は、ベアリングケース１２６にベアリング１２８を介して取り付けられており、回転軸１２７ｃの周りを回転する。カッターホルダ本体部１２７ａは、回転軸１２７ｃと一体に形成されている。カッターホルダ１２７の詳細は、後述される。
付勢手段１３０は、回転軸１２７ｃの上方に設けられている。付勢手段１３０は、例えばエアーシリンダである。付勢手段１３０は下方に向かう付勢力をベアリングケース１２６に作用させる。その結果、回転軸１２７ｃおよびカッターホルダ１２７を介してスクライブカッタ１２１に所定の荷重が加えられる。
スクライブカッタ１２１は、マザー基板１０１にスクライブラインを形成する。スクライブカッタ１２１は、例えば、ダイヤモンドポイントカッタまたはカッターホイールチップである。カッターホルダ１２７には、スクライブカッタ１２１が回転軸１１９の周りを回転自在に設けられている。
図１および図２に示された例によれば、スクライブヘッド１２０が「マザー基板にスクライブラインを形成するためのスクライブライン形成手段」として機能し、制御部１４０が「マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないようにマザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させ、第１単位基板をマザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板をマザー基板から分断するための第２スクライブラインとを前記マザー基板に形成するように、前記スクライブライン形成手段を制御する、制御手段」として機能する。しかし、「マザー基板にスクライブラインを形成する手段」および「マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないようにマザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させ、第１単位基板をマザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板をマザー基板から分断するための第２スクライブラインとを前記マザー基板に形成するように、前記スクライブライン形成手段を制御する、制御手段」という各手段の機能が達成される限りは、任意の構成を有するマザー基板スクライブ装置が本発明の範囲に含まれる。例えば、あるスクライブヘッドは、サーボモータを有する。
図３は、サーボモータを有するスクライブヘッド１６５の構成を示す。図３（ａ）は、スクライブヘッド１６５の側面図であり、図３（ｂ）は、スクライブヘッド１６５の主要部の正面図である。
スクライブヘッド１６５は、一対の側壁１６５ａと、サーボモータ１６５ｂと、ホルダー保持具１６５ｃと、支軸１６５ｄと、軸１６５ｅと、スクライブカッタ１６２ａと、カッターホルダ１６２ｂと、一対の平傘歯車１６５ｆとを含む。
一対の側壁１６５ａの間にサーボモータ１６５ｂが保持されている。一対の側壁１６５ａの下部には、ホルダー保持具１６５ｃが支軸１６５ｄの周りに回動自在に設けられている。ホルダー保持具１６５ｃの形状は、Ｌ字状である（図３（ｂ）参照）。
カッターホルダ１６２ｂには、スクライブカッタ１６２ａが軸１６５ｅの周りに回転自在に設けられている。カッターホルダ１６２ｂは、ホルダー保持具１６５ｃの前方（図３（ｂ）の右方向）に取り付けられている。
サーボモータ１６５ｂには、回転軸が設けられている。一対の平傘歯車１６５ｆが互いにかみ合うように、この回転軸に一対の平傘歯車１６５ｆのうちの一方が装着されており、さらに支軸１６５ｄに一対の平傘歯車１６５ｆのうちの他方が装着されている。したがって、サーボモータ１６５ｂが正逆回転することによって、ホルダー保持具１６５ｃは支軸１６５ｄを支点として上下方向に回動動作される。その結果、スクライブカッタ１６２ａがマザー基板１０１の表面に対して上下動される。また、サーボモータ１６５ｂは、スクライブラインを形成するための領域に応じて、スクライブカッタ１６２ａがマザー基板１０１に作用させる荷重を調整するように、サーボモータ１６５ｂの回転トルクをスクライブカッタ１６２ａに伝達する。
さらに、サーボモータ１６５ｂは、マザー基板１０１にスクライブラインを形成する過程で、スクライブカッタ１６２ａに作用するスクライブ加工時の抵抗力の変動に基づくスクライブ荷重の変化を瞬時に感知し、スクライブ荷重の変化に応じてサーボモータ１６５ｂの回転トルクを調整する。又はサーボモータを位置制御で用いるスクライブ方法も実施可能である。
図４は、カッターホルダ１２７の構成を示す。図４（ａ）は、一部が破断されたカッターホルダ１２７の正面図であり、図４（ｂ）は、カッターホルダ１２７の側面図である。図４（ａ）および図４（ｂ）において、図２（ａ）および図２（ｂ）に示される構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。
カッターホルダ１２７は、カッターホルダ本体部１２７ａと回転軸１２７ｃとを含む。
カッターホルダ本体部１２７ａの下部には、下方に開口した溝部１２７ｂが形成されている。カッターホルダ本体部１２７ａの上部には、上方に延出する回転軸１２７ｃが形成されている。回転軸１２７ｃは、ベアリング１２８を介してベアリングケース１２６に回転自在に保持されている。
スクライブカッタ１２１は、マザー基板１０１に対して平行な回転軸１１９の周りに回転自在に設けられている。
図５は、スクライブカッタ１２１の構成を示す。図５（ａ）は、スクライブカッタ１２１の正面図であり、図５（ｂ）は、スクライブカッタ１２１の側面図であり、図５（ｃ）は、図５（ｂ）に示されたスクライブカッタ１２１の一部（Ａ部分）を拡大した図である。
スクライブカッタ１２１は、例えば、カッターホイールチップである。図５に示されたスクライブカッタ１２１は、本願出願人の特許第３０７４１４３号に開示されている。
スクライブカッタ１２１は、円盤状のホイール（直径φ、厚さＷ）である。スクライブカッタ１２１の外周面には、刃先稜線部１２１ａが形成されており、刃先稜線部１２１ａは、スクライブカッタ１２１の外周方向にＶ字形状に突出している。刃先稜線部１２１ａには、鈍角αの刃先１２１ｂが形成されている。
刃先１２１ｂには、所定のピッチｐ、所定の高さｈを有する複数の突起ｊが形成されている。複数の突起ｊは、マイクロメータオーダーのサイズを有し、肉眼で識別することができない。
スクライブカッタ１２１は、マザー基板１０１の厚さ方向に沿った垂直クラックを形成する能力が非常に高い。スクライブカッタ１２１は、深い垂直クラックを形成することが可能であり、しかも、マザー基板１０１の表面に沿った水平方向のクラックの発生を抑制することができる。
図６は、ブレイク装置１５２の構成を示す。
ブレイク装置１５２は、本体部１５２ａと、蒸気を通流するためのフレキシブルなホース１５２ｂと、ノズルヘッド１５２ｃと、蒸気を下方に向かって噴射するためのノズル部１５２ｄとを含む。
本体部１５２ａは、ガイドバー１３６に沿ってスライド可能に、ガイドバー１３６に取り付けられている。
ホース１５２ｂの一方の端部は、本体部１５２ａに取り付けられており、ホース１５２ｂの他方の端部は、ノズルヘッド１５２ｃに旋回可能に接続されている。
ノズルヘッド１５２ｃは、垂直軸の周りを回転する。ノズルヘッド１５２ｃの下側には、ノズル部１５２ｄが設けられている。
ノズル部１５２ｄには、例えば、円形状、楕円形状、矩形形状またはスリット状の蒸気噴射口が形成されている。ノズル部１５２ｄは、スクライブラインに蒸気を吹き付けることによって、マザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクする。
ブレイク装置１５２によって、マザー基板１０１が膨張する温度を有する蒸気がスクライブラインに吹きつけられることによって、スクライブラインから延びた垂直クラックをマザー基板１０１の厚さ方向に伸展させる。マイクロメートルオーダの開口を有する垂直クラックに吹き付けられた蒸気が毛細現象又は拡散現象により垂直クラックに浸透し、浸透した液体又はそれと接触する部分が膨張（体積膨張）し、垂直クラックはマザー基板１０１の背面側に伸展する。
図７は、ブレイク装置１５２の別の例であるブレイク装置１５４の構成を示す。
ブレイク装置１５４は、本体部１５２ａと、ノズルユニット１５３と、複数のノズル部１５２ｄとを含む。ノズルユニット１５３には、複数のノズル部１５２ｄが設けられている。ノズルユニット１５３は、ガイドバー１３６に設けられている。ガイドバー１３６をＸ方向へ移動させながら、スクライブラインの形成が完了したマザー基板１０１の表面に、蒸気が吹きつけられる。
なお、ブレイク装置１５２およびブレイク装置１５４によって噴出される媒体は、蒸気に限定されない。媒体が、基板が膨張する温度を有する限りは、媒体は加熱流体でよい。加熱流体とは、例えば、蒸気、熱湯、または蒸気と熱湯とを含む流体である。
図６および図７に示された例によれば、ブレイク装置１５２およびブレイク装置１５４が「マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクする手段」として機能する。しかし、「マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクする」という機能が達成される限りは、任意の構成を有するブレイク装置が本発明の範囲に含まれる。例えば、あるブレイク装置は、スクライブラインまたはスクライブラインの近傍を加熱または冷却することによって、マザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクすることができる。
スクライブラインまたはスクライブラインの近傍への加熱は、例えば、ヒータやレーザ発振器から照射されたレーザビームによって行われる。スクライブラインが形成された領域への冷却は、例えば、冷却ノズルを用いて冷却媒体（ＣＯ２、Ｈｅ、Ｎ２等）をその領域に噴射させることによって行われる。
このように、スクライブラインまたはスクライブラインの近傍を加熱または冷却することによって、スクライブラインに沿って機械的に曲げモーメントを加えることなく垂直クラックを基板の厚さ方向に伸展させることができる。
なお、冷却媒体は、例えば冷却液であるが、冷却液に限定されない。冷却媒体は、例えば、気体および液体のうちの少なくとも一方を含む。気体は、例えば、圧縮空気、ヘリウム、アルゴンである。液体は、例えば、水、液体ヘリウムである。冷却媒体は、例えば、これらの気体および液体の組み合わせである。
図１９は、コンピュータ１４９の内部構成の一例を示す。コンピュータ１４９は、ＣＰＵ１７１とメモリ１７２とコントローラ用インタフェース１７３とを含む。コンピュータ１４９に含まれる各構成要素は、バス１７４を介して互いに接続されている。
メモリ１７２には、コンピュータ１４９に分断処理を実行させるためのプログラム（以下、分断処理プログラムという）が格納されている。分断処理プログラムは、コンピュータ１４９の出荷時にメモリ１７２に予め格納されていてもよい。または、コンピュータ１４９の出荷後に、分断処理プログラムをメモリ１７２に格納するようにしてもよい。例えば、ユーザがインターネット上の特定のウェブサイトから分断処理プログラムを有料または無料でダウンロードし、そのダウンロードされたプログラムをコンピュータ１４９にインストールするようにしてもよい。分断処理プログラムがフレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されている場合には、入力装置（例えば、ディスクドライブ装置）を用いて分断処理プログラムをコンピュータ１４９にインストールしてもよい。インストールされたプログラムは、メモリ１７２に格納される。
なお、ＣＰＵ１７１は、スクライブ予定ライン設定手段を含んでもよい。スクライブ予定ライン形成手段は、スクライブ予定ライン設定手段に入力された複数の単位基板の配置（例えば、複数の単位基板の列数と行数、隣接する単位基板間の間隔の有無、隣接する単位基板間の間隔の大きさ）に関する情報に基づいて、スクライブ予定ラインを、１本の線（一筆書き）で設定するためのプログラムを作成する。なお、スクライブ予定ラインは、マザー基板１０１から複数の単位基板を分断するための予定ラインである。このように、スクライブ予定ラインを一筆書きで設定するためのプログラムに従えば、一筆書きのスクライブ予定ラインを設定することができる。ここで、「一筆書きのスクライブ予定ライン」とは、マザー基板から複数の単位基板を取り出すために形成される１本の連続した線で構成したスクライブ予定ラインを意味する。
このように、本発明によれば、一筆書きのスクライブラインを形成することができる。ここで、「一筆書きのスクライブライン」とは、マザー基板から複数の単位基板を取り出すために形成される１本の連続した線で構成したスクライブラインを意味する。この一筆書きのスクライブラインは、この一筆書きのスクライブラインの始点から終点までスクライブカッタをマザー基板から離すことなく、この一筆書きのスクライブラインの始点から終点までマザー基板への押圧状態を保持（維持）したままで、形成される。
なお、スクライブ予定ラインを一筆書きで設定するためのプログラムと分断処理プログラムのうちスクライブラインを形成するためのプログラムとは、一筆書きの法則に基づいて作成される。
２．マザー基板分断方法
図８は、本発明の実施の形態によるマザー基板１０１を分断する分断処理手順を示す。分断処理の実行は、例えば、コンピュータ１４９によって制御される。
以下、マザー基板分断装置１００によってマザー基板１０１を分断する手順をステップごとに説明する。
マザー基板分断装置１００によってマザー基板１０１を分断する手順は、スクライブ工程とブレイク工程とを包含する。なお、必要に応じて初期設定工程が実施される。
ステップ８０１：初期設定工程が実施される。初期設定工程は、スクライブ工程を始める前にマザー基板分断装置１００の初期状態を設定する工程である。初期設定工程の詳細は後述される。
初期設定工程が終了すると、処理はステップ８０２に進む。
ステップ８０２：スクライブ工程が実施される。スクライブ工程は、マザー基板１０１にスクライブラインを形成する工程である。スクライブ工程の詳細は後述される。
スクライブ工程が終了すると、処理はステップ８０３に進む。
ステップ８０３：ブレイク工程が実施される。ブレイク工程は、マザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクする工程である。ブレイク工程の詳細は後述される。
ブレイク工程が終了すると、処理は終了する。
２−１．初期設定工程
以下、ステップ８０１で実施される初期設定工程の詳細を説明する。
マザー基板１０１はテーブル１３１上に位置決めされ、テーブル１３１に固定される。
マザー基板１０１をスクライブするための諸条件（マザー基板の板厚、材質等）に基づいて、ヘッド本体部１２２の内部に設けられたエアーシリンダに投入される圧縮空気の圧力が設定される。この設定に基づいて、所定の荷重で、スクライブカッタ１２１は、マザー基板１０１を押圧する。
次に、零点（基準点）検出工程が実施される。零点検出工程では、マザー基板１０１の表面の位置が検出される。マザー基板１０１の表面の位置は、スクライブヘッド１２０をマザー基板１０１の垂直方向に沿って移動させるために必要となる。
零点検出工程では、制御部１４０は、スクライブヘッド１２０をマザー基板１０１の上方に移動させる。次に、スクライブヘッド昇降手段（図示せず）は、マザー基板１０１の表面に対して垂直方向に、マザー基板１０１の表面まで、スクライブヘッド１２０を下降させる。スクライブカッタ１２１がマザー基板１０１に接触して、ベアリングケース１２６が制止軸１２５から離れたとき、スクライブヘッド昇降手段の位置検出機構がスクライブヘッド１２０の位置を検出する。このときのスクライブヘッド１２０の位置がマザー基板１０１の表面の位置であると判定され、マザー基板１０１の表面の位置を示す零点検出データがコントローラに含まれる記録手段に書き込まれる。このように、零点検出工程が実施される。
零点検出が完了すると、スクライブヘッド昇降手段は、スクライブヘッド１２０を所定の待機位置（マザー基板１０１の表面の上方の待機位置）まで上昇させる。
２−２．スクライブ工程
以下、ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程の詳細を説明する。
図９は、ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で用いられるマザー基板１０１を示す。図９に示されたスクライブ予定ラインは、マザー基板１０１から単位基板１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ（斜線部）を取り出すために形成される。このスクライブ予定ラインは、点Ｐ１を始点として、点Ｐ２〜点Ｐ２１を順に通過し、点Ｐ２２を終点とする１本の連続した線で構成されている。スクライブヘッド１２０をスクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上にスクライブラインが形成される。
スクライブ予定ラインは、複数の直線（直線Ｐ１−Ｐ２と、直線Ｐ２−Ｐ３と、直線Ｐ４−Ｐ５と、直線Ｐ６−Ｐ７と、直線Ｐ８−Ｐ９と、直線Ｐ１０−Ｐ１１と、直線Ｐ１２−Ｐ１３と、直線Ｐ１３−Ｐ２と、直線Ｐ１４−Ｐ１５と、直線Ｐ１６−Ｐ１７と、直線Ｐ１８−Ｐ１９と、直線Ｐ２０−Ｐ２１と、直線Ｐ３−Ｐ１２と、直線Ｐ１２−Ｐ２２）と、複数の曲線（曲線Ｒ１〜曲線Ｒ１１）とを有する。
マザー基板分断装置１００は、スクライブ予定ラインに沿ってスクライブラインを形成し、かつマザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクすることによって、マザー基板１０１から単位基板１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄを分断する。
単位基板１Ａは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ２−Ｐ３と直線Ｐ６−Ｐ７と直線Ｐ１３−Ｐ２と直線Ｐ１６−Ｐ１７とで囲まれた部分である。単位基板１Ｂは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ８−Ｐ９と直線Ｐ１２−Ｐ１３と直線Ｐ１３−Ｐ２と直線Ｐ１６−Ｐ１７とで囲まれた部分である。単位基板１Ｃは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ２−Ｐ３と直線Ｐ６−Ｐ７と直線Ｐ１８−Ｐ１９と直線Ｐ３−Ｐ１２とで囲まれた部分である。単位基板１Ｄは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ８−Ｐ９と直線Ｐ１２−Ｐ１３と直線Ｐ１８−Ｐ１９と直線Ｐ３−Ｐ１２とで囲まれた部分である。単位基板１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄは、互いに適当な間隔をあけて配置されている。
図１０は、ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で実施されるスクライブ手順を示す。
以下、図９と図１０とを参照して、スクライブ手順をステップごとに説明する。
ステップ１００１：スクライブヘッド昇降手段は、所定の待機位置にあるスクライブヘッド１２０を降下させる。スクライブヘッド昇降手段が、マザー基板１０１の上面から０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの位置にまで、所定の待機位置からスクライブヘッド１２０を下降させると、スクライブカッタ１２１は、テーブル１３１上に固定されたマザー基板１０１の表面の凹凸に十分に対応できるようにマザー基板１０１を押圧する。コントローラ１４４は、第３ドライバ１４７がスクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６を駆動するように、第３ドライバ１４７に指令を出す。スクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６の駆動に応じて、スクライブヘッド１２０が、ガイドバー１３６に沿って移動される。
ステップ１００２：スクライブラインの形成は、マザー基板１０１の外周縁部（領域Ｐ２−Ｐ３−Ｐ１２−Ｐ１３の外側の領域であって領域Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄの内側の領域）から始まる。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を点Ｐ１（マザー基板の外周縁部内の点）からスクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１００３：単位基板の外側辺部に沿ってスクライブラインが形成される。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ１−Ｐ２と直線Ｐ２−Ｐ３とに沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１００４：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ１に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が中心角９０度の円弧（曲線Ｒ１）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１００５：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ４−Ｐ５に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１００６：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ２に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が中心角９０度の円弧（曲線Ｒ２）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１００７：制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を単位基板間の領域内に移動させ、単位基板１Ｃにおいて幅方向に隣接する単位基板１Ｄに対向する側の側辺部であるの内側辺部、および単位基板１Ａの内側辺部に沿ってスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ６−Ｐ７に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１００８：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ３に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が中心角１８０度の円弧（曲線Ｒ３）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１００９：制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を単位基板間の領域内に移動させ、単位基板１Ｂおよび１Ｄの内側辺部に沿ってスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ８−Ｐ９に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１０１０：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ４に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が中心角９０度の円弧（曲線Ｒ４）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１０１１：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ１０−Ｐ１１に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１０１２：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ５に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が中心角９０度の円弧（曲線Ｒ５）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１０１３：単位基板１Ｄおよび１Ｂにおけるマザー基板の外周縁部に沿った外側辺部に沿ってスクライブラインが形成される。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ１２−Ｐ１３に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１０１４：マザー基板１０１の外周縁部にスクライブラインを形成する。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ６に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。制御部１４０は、スクライブヘッド１２０の軌跡が滑らかな曲線（曲線Ｒ６）を描くようにスクライブヘッド１２０を移動させる。
ステップ１０１５：制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ１３−Ｐ２、曲線Ｒ７、直線Ｐ１４−Ｐ１５、曲線Ｒ８、直線Ｐ１６−Ｐ１７、曲線Ｒ９、直線Ｐ１８−Ｐ１９、曲線Ｒ１０、直線Ｐ２０−Ｐ２１、曲線Ｒ１１、直線Ｐ３−Ｐ１２および直線Ｐ１２−Ｐ２２に沿って、これらの順番に移動させることによって、スクライブラインを形成する。
ステップ１０１６：制御部１４０は、点Ｐ２２でスクライブラインの形成を終了する。
スクライブヘッド昇降手段が所定の待機位置までスクライブヘッド１２０を昇降させることによって、スクライブ工程を終了する。
ステップ１００１〜ステップ１０１６で示すように、制御部１４０は、マザー基板１０１へのスクライブカッタ１２１の押圧が途切れないようにスクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、点Ｐ１から点Ｐ２２までスクライブカッタ１２１を移動させることによって、単位基板１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄをマザー基板１０１から分断するためのスクライブラインをマザー基板に形成する。
このように、本発明の実施の形態によれば、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、点Ｐ１から点Ｐ２２までスクライブカッタ１２１が移動するようにスクライブヘッド１２０を制御するため、マザー基板への押圧の移動を停止することなくスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、マザー基板が有する辺にスクライブラインが達することなく、マザー基板にスクライブラインを形成することができるため、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
なお、複数の単位基板は、互いに適当な間隔をあけてマザー基板１０１に配置される必要はない。
図１１は、ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で用いられるマザー基板１０１の他の一例を示す。マザー基板１０１には、スクライブ予定ラインが形成されている。スクライブヘッド１２０をスクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上にスクライブラインが形成される。
スクライブ予定ラインは、複数の直線（直線Ｐ５１−Ｐ６７と、直線Ｐ６７−Ｐ５２と、直線Ｐ５３−Ｐ５４と、直線Ｐ５５−Ｐ５６と、直線Ｐ５７−Ｐ５８と、直線Ｐ５９−Ｐ６０と、直線Ｐ６０−Ｐ５２と、直線Ｐ６１−Ｐ６２と、直線Ｐ６３−Ｐ６４と、直線Ｐ６５−Ｐ６６と、直線Ｐ５９−Ｐ６７と、直線Ｐ６７−Ｐ６８）と、複数の曲線（曲線Ｒ２１〜曲線Ｒ２９）とを有する。
マザー基板分断装置１００は、スクライブ予定ラインに沿ってスクライブラインを形成し、かつマザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクすることによって、マザー基板１０１から単位基板２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄを分断する。
単位基板２Ａは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ６７−Ｐ５２と直線Ｐ５５−Ｐ５６と直線Ｐ６０−Ｐ５２と直線Ｐ６３−Ｐ６４とで囲まれた部分である。単位基板２Ｂは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ５５−Ｐ５６と直線Ｐ５９−Ｐ６０と直線Ｐ６０−Ｐ５２と直線Ｐ６３−Ｐ６４とで囲まれた部分である。単位基板２Ｃは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ５５−Ｐ５６と直線Ｐ５９−Ｐ６０と直線Ｐ６３−Ｐ６４と直線Ｐ５９−Ｐ６７とで囲まれた部分である。単位基板２Ｄは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ６７−Ｐ５２と直線Ｐ５５−Ｐ５６と直線Ｐ６３−Ｐ６４と直線Ｐ５９−Ｐ６７とで囲まれた部分である。
制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ５１−Ｐ６７、直線Ｐ６７−Ｐ５２、曲線Ｒ２１、直線Ｐ５３−Ｐ５４、曲線Ｒ２２、直線Ｐ５５−Ｐ５６、曲線Ｒ２３、直線Ｐ５７−Ｐ５８、曲線Ｒ２４、直線Ｐ５９−Ｐ６０、曲線Ｒ２５、直線Ｐ６０−Ｐ５２、曲線Ｒ２６、直線Ｐ６１−Ｐ６２、曲線Ｒ２７、直線Ｐ６３−Ｐ６４、曲線Ｒ２８、直線Ｐ６５−Ｐ６６、曲線２９、直線Ｐ５９−Ｐ６７および直線Ｐ６７−Ｐ６８に沿って、これらの順番に移動させることによって、スクライブラインを形成する。
なお、マザー基板１０１から分断される単位基板の数は、４枚に限らない。マザー基板１０１から分断される単位基板の数は、２枚以上の任意の枚数である。
図１２は、９枚の単位基板を分断するためのマザー基板１０１を示す。マザー基板１０１には、スクライブ予定ラインが形成されている。スクライブヘッド１２０をスクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上にスクライブラインが形成される。
スクライブ予定ラインは、複数の直線（直線Ｐ７０−Ｐ７１と、直線Ｐ７１−Ｐ７２と、直線Ｐ７３−Ｐ７４と、直線Ｐ７５−Ｐ７６と、直線Ｐ７７−Ｐ７８と、直線Ｐ７９−Ｐ８０と、直線Ｐ８１−Ｐ８２と、直線Ｐ８３−Ｐ８４と、直線Ｐ８５−Ｐ８６と、直線Ｐ８７−Ｐ８８と、直線Ｐ８８−Ｐ７１と、直線Ｐ８９−Ｐ９０、直線Ｐ９１−Ｐ９２と、直線Ｐ９３−Ｐ９４と、直線Ｐ９５−Ｐ９６と、直線Ｐ９７−Ｐ９８と、直線Ｐ９９−Ｐ１００と、直線Ｐ１０１−Ｐ１０２と、直線Ｐ７２−Ｐ８７と、直線Ｐ８７−Ｐ１０３）と、複数の曲線（曲線Ｒ５０〜曲線Ｒ６６）とを有する。
マザー基板分断装置１００は、スクライブ予定ラインに沿ってスクライブラインを形成し、かつマザー基板１０１をスクライブラインに沿ってブレイクすることによって、マザー基板１０１から単位基板３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、３Ｆ、３Ｇ、３Ｈ、３Ｉを分断する。
単位基板３Ａは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７１−Ｐ７２と直線Ｐ７５−Ｐ７６と直線Ｐ８８−Ｐ７１と直線Ｐ９１−Ｐ９２とで囲まれた部分である。単位基板３Ｂは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７７−Ｐ７８と直線Ｐ８１−Ｐ８２と直線Ｐ８８−Ｐ７１と直線Ｐ９１−Ｐ９２とで囲まれた部分である。単位基板３Ｃは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ８３−Ｐ８４と直線Ｐ８７−Ｐ８８と直線Ｐ８８−Ｐ７１と直線Ｐ９１−Ｐ９２とで囲まれた部分である。単位基板３Ｄは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７１−Ｐ７２と直線Ｐ７５−Ｐ７６と直線Ｐ９３−Ｐ９４と直線Ｐ９７−Ｐ９８とで囲まれた部分である。単位基板３Ｅは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７７−Ｐ７８と直線Ｐ８１−Ｐ８２と直線Ｐ９３−Ｐ９４と直線Ｐ９７−Ｐ９８とで囲まれた部分である。単位基板３Ｆは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ８３−Ｐ８４と直線Ｐ８７−Ｐ８８と直線Ｐ９３−Ｐ９４と直線Ｐ９７−Ｐ９８とで囲まれた部分である。単位基板３Ｇは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７１−Ｐ７２と直線Ｐ７５−Ｐ７６と直線Ｐ９９−Ｐ１００と直線Ｐ７２−Ｐ８７とで囲まれた部分である。単位基板３Ｈは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ７７−Ｐ７８と直線Ｐ８１−Ｐ８２と直線Ｐ９９−Ｐ１００と直線Ｐ７２−Ｐ８７とで囲まれた部分である。単位基板３Ｉは、マザー基板１０１のうち、直線Ｐ８３−Ｐ８４と直線Ｐ８７−Ｐ８８と直線Ｐ９９Ｐ１００と直線Ｐ７２Ｐ８７とで囲まれた部分である。単位基板３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、３Ｆ、３Ｇ、３Ｈ、３Ｉは、互いに適当な間隔をあけて配置されている。
制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線Ｐ７０−Ｐ７１、直線Ｐ７１−Ｐ７２、曲線Ｒ５０、直線Ｐ７３−Ｐ７４、曲線Ｒ５１、直線Ｐ７５Ｐ７６、曲線Ｒ５２、直線Ｐ７７−Ｐ７８、曲線Ｒ５３、直線Ｐ７９−Ｐ８０、曲線Ｒ５４、直線Ｐ８１−Ｐ８２、曲線Ｒ５５、直線Ｐ８３−Ｐ８４、曲線Ｒ５６、直線Ｐ８５−Ｐ８６、曲線Ｒ５７、直線Ｐ８７−Ｐ８８、曲線５８、直線Ｐ８８−Ｐ７１、曲線Ｒ５９、直線Ｐ８９−Ｐ９０、曲線Ｒ６０、直線Ｐ９−１Ｐ９２、曲線Ｒ６１、直線Ｐ９３−Ｐ９４、曲線Ｒ６２、直線Ｐ９５−Ｐ９６、曲線Ｒ６３、直線Ｐ９７−Ｐ９８、曲線Ｒ６４、直線Ｐ９９−Ｐ１００、曲線Ｒ６５、直線Ｐ１０１−Ｐ１０２、曲線Ｒ６６、直線Ｐ７２−Ｐ８７、および直線Ｐ８７−Ｐ１０３に沿って、これらの順番に移動させることによって、スクライブラインを形成する。
本発明の実施の形態によるスクライブ手順によれば、第１方向に沿って形成されたスクライブラインと、第１方向とは異なる第２方向に沿って形成されるべきスクライブラインとが、曲線（例えば、２．０Ｒ〜６．０Ｒ）で繋がるように、スクライブヘッド１２０を曲線に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する。例えば、スクライブヘッド１２０の移動方向が、直線Ｐ２−Ｐ３に沿った方向から直線Ｐ４−Ｐ５に沿った方向に変わる部分（曲線Ｒ１）では、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を曲線Ｒ１に沿って移動させることによって、スクライブラインを形成する（図９参照）。
このように、第１方向に沿って形成されたスクライブラインと、第２方向に沿って形成されるべきスクライブラインとが、曲線で繋がるように、マザー基板１０１への押圧を移動することができるため、第１方向から第２方向へのスクライブカッタ１２１の方向転換によって生じるスクライブカッタ１２１へのダメージを低減することができる。
図１３は、スクライブ予定ラインの一部（曲線Ｒａおよび曲線Ｒｂ）を示す。
スクライブヘッド１２０は、点Ｐ１からスクライブラインの形成を開始する。次に、制御部１４０は、スクライブヘッド１２０によって曲線Ｒａに沿ってスクライブラインが形成されるように、スクライブヘッド１２０を移動させる。このように、点Ｐ１と点Ｐ２とを通る直線に沿ってスクライブラインを形成することなく、点Ｐ１と点Ｐ２とを通る曲線に沿ってスクライブラインを形成する場合には、点Ｐ１からマザー基板１０１の外辺（マザー基板１０１の辺ＡＤ）に向かってクラックが形成されることを防ぐことができる。例えば、点Ｐ１と点Ｐ２とを通る曲線に沿ってスクライブラインを形成する場合には、直線Ｐ０−Ｐ１上にクラックが形成されることを防ぐことができる。
さらに、制御部１４０は、スクライブヘッド１２０によって曲線Ｒｂに沿ってスクライブラインが形成されるように、スクライブヘッド１２０を移動させ、点Ｐ２２でスクライブラインの形成を終了する。このように、点Ｐ１２と点Ｐ２２とを通る直線に沿ってスクライブラインを形成することなく、点Ｐ１２と点Ｐ２２とを通る曲線に沿ってスクライブラインを形成する場合には、点Ｐ２２からマザー基板１０１の外辺（マザー基板１０１の辺ＣＤ）に向かってクラックが形成されることを防ぐことができる。例えば、点Ｐ１２と点Ｐ２２とを通る曲線に沿ってスクライブラインを形成する場合には、直線Ｐ２２−Ｐ２３上にクラックが形成されることを防ぐことができる。
なお、本発明の実施の形態によるスクライブ工程では、スクライブラインの形成を開始する点と、終了する点との組み合わせは、限定されない。
例えば、スクライブラインの形成を開始する点は、マザー基板１０１の外周縁部（例えば、点Ｐ１）にあり、終了する点は、マザー基板１０１の外周縁部（例えば、点Ｐ２２）にある（図９参照）。例えば、スクライブラインの形成を開始する点は、マザー基板１０１の外周縁部（例えば、点Ｐ１）にあり、終了する点は、マザー基板１０１の外辺ＣＤ上（例えば、点Ｐ２３）にある。例えば、スクライブラインの形成を開始する点は、マザー基板１０１の外辺ＡＤ上（例えば、点Ｐ０）にあり、終了する点は、マザー基板１０１の外周縁部（例えば、点Ｐ２２）にある。例えば、スクライブラインの形成を開始する点は、マザー基板１０１の外辺ＡＤ上（例えば、点Ｐ０）にあり、終了する点は、マザー基板１０１の外辺ＣＤ上（例えば、点Ｐ２３）にある。
さらに、スクライブヘッド１６５を用いる場合には、スクライブカッタ１２１に伝達させる荷重の加減の応答を速くできる。したがって、スクライブカッタ１２１の押圧が、単位基板の内側辺部または単位基板の外側辺部からマザー基板１０１の外周縁部に移動した場合には、スクライブカッタ１２１への荷重を低減できる。さらに、マザー基板１０１の外周縁部上をスクライブカッタ１２１の押圧が移動しているときは、その他の部分を移動しているときと比べて、スクライブカッタ１２１への荷重を低減できる。
具体的には、スクライブ予定ラインのうち、点線（直線Ｐ１−Ｐ２、曲線Ｒ１、直線Ｐ４−Ｐ５、曲線Ｒ２、曲線Ｒ３、曲線Ｒ４、直線Ｐ１０−Ｐ１１、曲線Ｒ５、曲線Ｒ６、曲線Ｒ７、直線Ｐ１４−Ｐ１５、曲線Ｒ８、曲線９、曲線Ｒ１０、直線Ｐ２０−Ｐ２１、曲線Ｒ１１、直線Ｐ１２−Ｐ２２：以上、図９参照。直線Ｐ５１−Ｐ６７、曲線Ｒ２１、直線Ｐ５３−Ｐ５４、曲線Ｒ２２、曲線Ｒ２３、直線Ｐ５７−Ｐ５８、曲線Ｒ２４、曲線Ｒ２５、曲線Ｒ２６、直線Ｐ６１−Ｐ６２、曲線Ｒ２７、曲線Ｒ２８、直線Ｐ６５−Ｐ６６、曲線２９、直線Ｐ６７−Ｐ６８：以上、図１１参照）上でスクライブカッタ１２１を移動させる場合には、スクライブカッタ１２１への荷重を低減できる。
このように、スクライブカッタ１２１がマザー基板１０１をスクライブする時、マザー基板１０１へのスクライブカッタ１２１の押圧を任意の場所で低減できるので、スクライブカッタ１２１の摩耗、損傷等を抑制でき、スクライブカッタ１２１を長期にわたって安定的に使用できる。
２−３．ブレイク工程
以下、ステップ８０３（図８参照）で実施されるブレイク工程の詳細を説明する。
ブレイク工程は、スクライブ工程によってスクライブラインが形成されたマザー基板１０１に対して実施される。
スクライブ予定ラインに沿ってスクライブラインが形成された後、マザー基板１０１が膨張する温度を有する蒸気がスクライブラインに吹き付けられる。ブレイク装置１５２のノズル部１５２ｄから蒸気が噴射される。
蒸気をスクライブラインに吹き付けることによって、スクライブラインから延びた垂直クラックがマザー基板１０１の厚さ方向に伸展する。マイクロメートルオーダの開口を有する垂直クラックに吹き付けられた蒸気が毛細現象により垂直クラックに浸透し、浸透した液体が膨張（体積膨張）することによって、垂直クラックはマザー基板１０１の背面側に伸展する。
なお、ブレイク装置１５４によってマザー基板１０１の表面に蒸気を噴射してもよい（図７参照）。
さらに、スクライブラインが形成されたマザー基板にスクライブラインが形成された面とは反対側の面から圧力を加えることによって、マザー基板に形成されたスクライブラインに沿ってマザー基板１０１をブレイクしてもよい。
さらに、蒸気の代わりにレーザビームを用いてスクライブラインを加熱するためにスクライブヘッドにレーザ発振器を備えてもよい。スクライブヘッド１２０に水分を乾燥させるためのレーザ発振器を備えてもよい。
以上、図８および図１０を参照して、本発明の実施の形態の一例を説明した。
例えば、図８および図１０に示される実施の形態では、ステップ８０２およびステップ１００１〜ステップ１０１６が「マザー基板にスクライブラインを形成するステップ」に対応し、ステップ８０３が「マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクするステップ」に対応し、ステップ１００１〜ステップ１０１６が「マザー基板への押圧が途切れないようにマザー基板への押圧を移動することによって、第１単位基板を前記マザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板をマザー基板から分断するための第２スクライブラインとをマザー基板に形成するステップ」に対応する。
しかし、本発明のマザー基板分断方法が図８および図１０に示される実施の形態に限定されるわけではない。マザー基板分断方法に包含される各ステップによって、上述した「マザー基板にスクライブラインを形成するステップ」、「マザー基板をスクライブラインに沿ってブレイクするステップ」および「マザー基板への押圧が途切れないようにマザー基板への押圧を移動することによって、第１単位基板を前記マザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板をマザー基板から分断するための第２スクライブラインとをマザー基板に形成するステップ」が実行され得る限りは、任意の処理手順を有し得る。
このように、本発明のマザー基板分断方法によれば、一筆書きのスクライブラインを形成することができる。ここで、「一筆書きのスクライブライン」とは、マザー基板から複数の単位基板を取り出すために形成される１本のみのスクライブラインを意味する。この一筆書きのスクライブラインは、この一筆書きのスクライブラインの始点から終点までスクライブカッタをマザー基板から離すことなく、この一筆書きのスクライブラインの始点から終点までマザー基板への押圧状態を保持（維持）したままで、形成される。
本発明のマザー基板分断方法によれば、マザー基板への押圧の移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されにくくなるため、マザー基板にスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
なお、単位基板は、例えば、ガラス基板である。しかし、単位基板がガラス基板であることに限定されない。例えば、単位基板は、石英基板、サファイア基板、半導体ウェハー、セラミック基板、太陽電池基板であってよい。
さらに、本発明の実施の形態のスクライブ工程において、スクライブカッタ（例えば、カッターホイールチップ、ダイヤモンドポイントカッター、カッターホイール、またはそれ以外のスクライブ形成手段）をマザー基板１０１に当接した後、スクライブカッタを振動することによってマザー基板１０１への押圧を周期的に変動しながらスクライブラインを形成してもよい。マザー基板１０１への押圧を周期的に変動しながらスクライブラインを形成する場合には、垂直クラックがマザー基板の深くまで伸展するため、ブレイク工程を実施することによって、有効にマザー基板を分断することができる。
さらに、本発明の実施の形態では、単板のマザー基板１０１を分断する例を説明したが、分断される基板は、単板に限らない。第１の基板と第２の基板とを貼り合わせることによって作製された貼り合わせ基板を分断する場合にも本発明を適用できる。貼り合わせ基板からは、例えば、フラットディスプレイパネルの一種である液晶表示パネル、有機ＥＬパネル、無機ＥＬパネル、透過型プロジェクター基板、反射型プロジェクター基板が分断される。
図１４は、２枚のマザー基板を貼り合わせることによって作製された貼り合わせ基板を分断することができるマザー基板分断装置の一部を示す。
貼り合わせ基板２００は、マザー基板２００Ａとマザー基板２００Ｂとを貼り合わせることによって作製される。貼り合わせ基板２００の両主面側から（上下から）スクライブ装置２０１およびスクライブ装置２０２によって貼り合わせ基板２００にスクライブラインを形成する。
スクライブ装置２０１およびスクライブ装置２０２として、スクライブヘッド１６５を利用する場合には、スクライブカッタ１２１に伝達する荷重の加減の応答が速いため、貼りあわせ基板２００のうねりに追従して貼りあわせ基板２００をスクライブできる。
なお、スクライブ装置とブレイク装置とが同じ装置であってもよい。スクライブ工程でスクライブラインを形成するために用いたスクライブヘッド（スクライブ装置）をブレイク工程でブレイク装置として用いることができる。
以下、本発明のマザー基板分断方法の他の一例を説明する。この実施例では、マザー基板分断装置において、スクライブ工程でスクライブラインを形成するために用いたスクライブ装置をブレイク工程でブレイク装置として用いる。
この実施例では、スクライブ装置を主スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上に主スクライブラインを形成し、さらに、スクライブ装置を副スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上に副スクライブラインを形成する。なお、主スクライブ予定ラインは、スクライブ装置が沿って移動させるためのスクライブ予定ラインであり、副スクライブ予定ラインは、ブレイク装置が沿って移動させるためのスクライブ予定ラインである。さらに、主スクライブラインは、スクライブ装置を主スクライブ予定ラインに沿って移動させることによってマザー基板上に形成されたスクライブラインであり、副スクライブラインは、ブレイク装置を副スクライブ予定ラインに沿って移動させることによってマザー基板上に形成されたスクライブラインである。
主スクライブラインから所定の間隔（例えば、０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度）をあけて副スクライブラインを形成することによって、マザー基板が主スクライブラインに沿ってブレイクし、マザー基板から複数の単位基板を分断することができる。
副スクライブラインの形成によって、マザー基板１０１の表面に主スクライブラインの形成方向に直交する方向かつ水平方向に応力が加わり、主スクライブラインから伸びる垂直クラックに圧縮力が作用する。主スクライブラインから伸びる垂直クラックに圧縮力が作用すると、垂直クラックの底部には垂直クラックの幅を広げる方向に反力が作用する。したがって、垂直クラックは、マザー基板１０１の厚さ方向に伸展し、さらに、マザー基板の背面に到達する。このようにマザー基板から複数の単位基板を分断することができる。
図１５は、本発明の実施の形態によるスクライブ工程とブレイク工程とで用いられるマザー基板１０１の一例を示す。マザー基板１０１には、主スクライブ予定ラインと副スクライブ予定ラインとが形成されている。スクライブ装置を主スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上に主スクライブラインを形成する。さらに、スクライブ装置を副スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、マザー基板上に副スクライブラインを形成する。
主スクライブ予定ラインは、複数の直線（直線ＭＰ１−ＭＰ２と、直線ＭＰ２−ＭＰ３と、直線ＭＰ４−ＭＰ５と、直線ＭＰ６−ＭＰ７と、直線ＭＰ８−ＭＰ９と、直線ＭＰ１０−ＭＰ１１と、直線ＭＰ１２−ＭＰ１３と、直線ＭＰ１３−ＭＰ２と、直線ＭＰ１４−ＭＰ１５と、直線ＭＰ１６−ＭＰ１７と、直線ＭＰ１８−ＭＰ１９と、直線ＭＰ２０−ＭＰ２１と、直線ＭＰ３−ＭＰ１２）と、複数の曲線（曲線ＭＲ１〜曲線ＭＲ１１）とを有する。
副スクライブ予定ラインは、複数の直線（直線ＳＰ１−ＳＰ２と、直線ＳＰ３−ＳＰ４と、直線ＳＰ５−ＳＰ６と、直線ＳＰ７−ＳＰ８と、直線ＳＰ９−ＳＰ１０と、直線ＳＰ１１−ＳＰ１２と、直線ＳＰ１２−ＳＰ１と、直線ＳＰ１３−ＳＰ１４と、直線ＳＰ１５−ＳＰ１６と、直線ＳＰ１７−ＳＰ１８と、直線ＳＰ１９−ＳＰ２０と、直線ＳＰ２−ＳＰ１１と、直線ＳＰ１１−ＳＰ２１）と、複数の曲線（曲線ＳＲ１〜曲線ＳＲ１２）とを有する。
主スクライブ予定ラインと副スクライブ予定ラインとは、一定の間隔（例えば０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度の間隔）をあけて形成されている。したがって、直線ＭＰ２−ＭＰ３と直線ＳＰ１１−ＳＰ１２、直線ＭＰ６−ＭＰ７と直線ＳＰ７−ＳＰ８、直線ＭＰ８−ＭＰ９と直線ＳＰ５−ＳＰ６、直線ＭＰ１２−ＭＰ１３と直線ＳＰ１−ＳＰ２とは、平行である。さらに、直線ＭＰ１３−ＭＰ２と直線ＳＰ２−ＳＰ１１、直線ＭＰ１６−ＭＰ１７と直線ＳＰ１７−ＳＰ１８、直線ＭＰ１８−ＭＰ１９と直線ＳＰ１５−ＳＰ１６、直線ＭＰ３−ＭＰ１２と直線ＳＰ１２−ＳＰ１とは、平行である。
マザー基板分断装置１００は、主スクライブ予定ラインに沿って主スクライブラインを形成し、かつマザー基板１０１を副スクライブ予定ラインに沿って副スクライブラインを形成することによって、マザー基板１０１から単位基板４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄを分断する。
単位基板４Ａは、マザー基板１０１のうち、直線ＭＰ２−ＭＰ３と直線ＭＰ６−ＭＰ７と直線ＭＰ１３−ＭＰ２と直線ＭＰ１６−ＭＰ１７とで囲まれた部分である。単位基板４Ｂは、マザー基板１０１のうち、直線ＭＰ８−ＭＰ９と直線ＭＰ１２−ＭＰ１３と直線ＭＰ１３−ＭＰ２と直線ＭＰ１６−ＭＰ１７とで囲まれた部分である。単位基板４Ｃは、マザー基板１０１のうち、直線ＭＰ２−ＭＰ３と直線ＭＰ６−ＭＰ７と直線ＭＰ１８−ＭＰ１９と直線ＭＰ３−ＭＰ１２とで囲まれた部分である。単位基板４Ｄは、マザー基板１０１のうち、直線ＭＰ８−ＭＰ９と直線ＭＰ１２−ＭＰ１３と直線ＭＰ１８−ＭＰ１９と直線ＭＰ３−ＭＰ１２とで囲まれた部分である。単位基板４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄは、互いに適当な間隔をあけて配置されている。
図１６は、本発明の実施の形態によるスクライブ工程によって実施されるスクライブ手順とブレイク工程によって実施されるブレイク手順とを示す。
以下、図１５と図１６とを参照して、スクライブ手順とブレイク手順とをステップごとに説明する。
ステップ１６０１：スクライブヘッド昇降手段は、所定の待機位置にあるスクライブヘッド１２０を降下させる。スクライブヘッド昇降手段が、マザー基板１０１の上面から０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの位置にまで、所定の待機位置からスクライブヘッド１２０を下降させると、スクライブカッタ１２１は、テーブル１３１上に固定されたマザー基板１０１の表面の凹凸に十分に対応できるようにマザー基板１０１を押圧する。コントローラ１４４は、第３ドライバ１４７がスクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６を駆動するように、第３ドライバ１４７に指令を出す。スクライブヘッド駆動用リニアモータ１４６の駆動に応じて、スクライブヘッド１２０が、ガイドバー１３６に沿って移動される。
ステップ１６０２：主スクライブラインの形成は、マザー基板１０１の外周縁部（領域Ａ’−Ｂ’−Ｃ’−Ｄ’と領域ＭＰ２−ＭＰ３Ｍ−Ｐ１２Ｍ−Ｐ１３とで囲まれた領域）から始まる。具体的には、制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を点ＭＰ１（マザー基板の外周縁部内の点）から主スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、主スクライブラインを形成する。
ステップ１６０３：制御部１４０は、スクライブカッタ１２１をマザー基板１０１に押圧させつつ、スクライブヘッド１２０を直線ＭＰ１−ＭＰ２、直線ＭＰ２−ＭＰ３、曲線ＭＲ１、直線ＭＰ４−ＭＰ５、曲線ＭＲ２、直線ＭＰ６−ＭＰ７、曲線ＭＲ３、直線ＭＰ８−ＭＰ９、曲線ＭＲ４、直線ＭＰ１０−ＭＰ１１、曲線ＭＲ５、直線ＭＰ１２−ＭＰ１３、曲線ＭＲ６、直線ＭＰ１３−ＭＰ２、曲線ＭＲ７、直線ＭＰ１４−ＭＰ１５、曲線ＭＲ８、直線ＭＰ１６−ＭＰ１７、曲線ＭＲ９、直線ＭＰ１８−ＭＰ１９、曲線ＭＲ１０、直線ＭＰ２０−ＭＰ２１、曲線ＭＲ１１に沿って、これらの順番に移動させることによって、主スクライブラインを形成する。
ステップ１６０４：副スクライブラインの形成は、マザー基板１０１の外周縁部（領域Ａ’−Ｂ’−Ｃ’−Ｄ’と領域ＭＰ２−ＭＰ３−ＭＰ１２−ＭＰ１３とで囲まれた領域）から始まる。具体的には、制御部１４０は、スクライブヘッド１２０を点ＳＰ１（マザー基板の外周縁部内の点）から副スクライブ予定ラインに沿って移動させることによって、副スクライブラインを形成する。
ステップ１６０５：制御部１４０は、スクライブヘッド１２０を曲線ＳＲ１、直線ＳＰ１ＳＰ２、曲線ＳＲ２、直線ＳＰ３−ＳＰ４、曲線ＳＲ３、直線ＳＰ５−ＳＰ６、曲線ＳＲ４、直線ＳＰ７−ＳＰ８、曲線ＳＲ５、直線ＳＰ９−ＳＰ１０、曲線ＳＲ６、直線ＳＰ１１−ＳＰ１２、曲線ＳＲ７、直線ＳＰ１２−ＳＰ１、曲線ＳＲ８、直線ＳＰ１３−ＳＰ１４、曲線ＳＲ９、直線ＳＰ１５−ＳＰ１６、曲線ＳＲ１０、直線ＳＰ１７−ＳＰ１８、曲線ＳＲ１１、直線ＳＰ１９−ＳＰ２０、曲線ＳＲ１２、直線ＳＰ２−ＳＰ１１、直線ＳＰ１１−ＳＰ２１に沿って、これらの順番に移動させることによって、副スクライブラインを形成する。
ステップ１６０６：制御部１４０は、点ＳＰ２１で副スクライブラインの形成を終了する。
スクライブヘッド昇降手段が所定の待機位置までスクライブヘッド１２０を昇降させることによって、ブレイク工程が終了する。
以上、ステップ１６０４〜ステップ１６０６で実施したように、主スクライブラインに沿って副スクライブラインを形成することによって、マザー基板をブレイクする。したがって、スクライブラインの形成のみによって、スクライブ工程とブレイク工程とを実現することができる。
さらに、ステップ１６０１〜ステップ１６０６の実施において、マザー基板への押圧が途切れないようにマザー基板への押圧を移動することによって、主スクライブラインと副スクライブラインとを形成することができる。したがって、マザー基板への押圧の移動を停止することなく主スクライブラインと副スクライブラインとを形成することができるため、マザー基板を分断するための分断工程時間を短縮することができる。
さらに、ステップ１６０４〜ステップ１６０６の実施において、マザー基板への押圧が途切れないようにマザー基板への押圧を移動することによって、主スクライブラインに沿った副スクライブラインを形成する。したがって、マザー基板への押圧の移動を停止することなく副スクライブラインを形成することができるため、ブレイク工程時間を短縮することができる。
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
本発明のマザー基板分断方法、マザー基板スクライブ装置、プログラムおよび記録媒体によれば、マザー基板への押圧の移動を停止することなく第１スクライブラインと第２スクライブラインとを形成することができるため、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工時間を短縮することができる。さらに、スクライブ加工中に、マザー基板が有する辺にクラックが達することなく、マザー基板は外的要因による力により分断されにくくなるため、マザー基板にスクライブラインを形成することができる。その結果、スクライブライン形成中にマザー基板が２つ以上の部分に分離されることを防ぐことができる。
本発明の実施の形態のマザー基板分断装置１００の構成を示す図である。 スクライブヘッド１２０の構成を示す図である。 サーボモータを有するスクライブヘッド１６５の構成を示す図である。 カッターホルダ１２７の構成を示す図である。 スクライブカッタ１２１の構成を示す図である。 ブレイク装置１５２の構成を示す図である。 ブレイク装置１５２の別の例であるブレイク装置１５４の構成を示す図である。 本発明の実施の形態によるマザー基板１０１を分断する手順を示すフローチャートである。 ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で用いられるマザー基板１０１を示す図である。 ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で実施されるスクライブ手順を示すフローチャートである。 ステップ８０２（図８参照）で実施されるスクライブ工程で用いられるマザー基板１０１の他の一例を示す図である。 ９枚の単位基板を分断するためのマザー基板１０１を示す図である。 スクライブ予定ラインの一部（曲線Ｒａおよび曲線Ｒｂ）を示す図である。 ２枚のマザー基板を貼り合わせることによって作製された貼り合わせ基板を分断することができるマザー基板分断装置の一部を示す図である。 本発明の実施の形態によるスクライブ工程とブレイク工程とで用いられるマザー基板１０１の一例を示す図である。 本発明の実施の形態によるスクライブ工程によって実施されるスクライブ手順とブレイク工程によって実施されるブレイク手順とを示すフローチャートである。 特開２００２−８７８３６号に開示のスクライブライン形成方法によって形成された複数のスクライブラインを示す図である。 マザー基板４の第１面に形成されたスクライブ予定ラインを示す図である。 コンピュータ１４９の内部構成の一例を示す図である。
符号の説明
１００ マザー基板分断装置
１０１ マザー基板
１２０ スクライブヘッド
１３１ テーブル
１３２、１３３ ガイドレール
１３４、１３５ スライダ
１３６ ガイドバー
１３７、１３８ リニアモータ
１４０ 制御部
１４１ 第１ドライバ
１４２ 第２ドライバ
１４３ スライダセンサ
１４４ コントローラ
１４６ スクライブヘッド駆動用リニアモータ
１４７ 第３ドライバ
１５２ ブレイク装置

Claims (16)

  1. マザー基板から複数の単位基板を分断するマザー基板分断方法であって、
    （ａ）前記マザー基板にスクライブライン形成手段によってスクライブラインを形成するステップと、
    （ｂ）前記マザー基板を前記スクライブラインに沿ってブレイクするステップと
    を包含し、
    前記ステップ（ａ）は、前記スクライブライン形成手段による前記マザー基板への押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、少なくも１つの単位基板を前記マザー基板から分断するためのスクライブラインを前記マザー基板に形成するステップを包含する、マザー基板分断方法。
  2. 前記ステップ（ａ）は、前記スクライブライン形成手段の前記マザー基板への押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、複数の単位基板を前記マザー基板から分断するためのスクライブラインを形成するステップをさらに包含する、請求項１に記載のマザー基板分断方法。
  3. 前記マザー基板から相互に隣接する第１単位基板と第２単位基板とを分断する際に、
    前記ステップ（ａ）は、
    （ａ−１）前記第１単位基板および前記第２単位基板における前記マザー基板の外周縁部に近接している外側辺部に沿ったスクライブラインを、前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって形成するステップと、
    （ａ−２）その後に、前記第１単位基板および前記第２単位基板における相互に対向する側辺部である内側辺部に沿ったスクライブラインを、前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって形成するステップと、
    を包含する、請求項２に記載のマザー基板分断方法。
  4. 前記ステップ（ａ−２）は、
    （ａ−２ａ）前記第１単位基板の内側辺部に沿って前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップと、
    （ａ−２ｂ）前記ステップ（ａ−２ａ）の実行後、前記マザー基板の外周縁部上で前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップと、
    （ａ−２ｃ）前記ステップ（ａ−２ｂ）の実行後、前記第２単位基板の内側辺部に沿って前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップと、
    （ａ−２ｄ）前記ステップ（ａ−２ｃ）の実行後、前記マザー基板の外周縁部上で前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記マザー基板に前記スクライブラインを形成するステップと
    を包含する、請求項３に記載のマザー基板分断方法。
  5. 前記ステップ（ａ）は、前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧を低減するステップをさらに包含する、請求項１に記載のマザー基板分断方法。
  6. 前記ステップ（ａ）は、
    第１方向に沿って、前記スクライブライン形成手段によって前記スクライブラインを形成するステップと、
    前記第１方向に沿って形成されたスクライブラインと、前記第１方向とは異なる第２方向に沿って形成されるべきスクライブラインとが、曲線で繋がるように、前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させるステップと
    を包含する、請求項１に記載のマザー基板分断方法。
  7. 前記複数の単位基板は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体ウェハー、セラミック基板、太陽電池基板、液晶表示パネル、有機ＥＬパネル、無機ＥＬパネル、透過型プロジェクター基板、反射型プロジェクター基板のうちの１種類の基板である、請求項１に記載のマザー基板分断方法。
  8. 前記ステップ（ｂ）は、前記スクライブラインに沿って副スクライブラインを形成することによって、前記マザー基板をブレイクするステップを包含する、請求項１に記載のマザー基板分断方法。
  9. 前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させることによって、前記スクライブラインと前記副スクライブラインとを形成するステップをさらに包含する、請求項８に記載のマザー基板分断方法。
  10. 前記ステップ（ｂ）は、前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないように前記マザー基板への押圧を移動させることによって、前記第１スクライブラインに沿った第１副スクライブラインと前記第２スクライブラインに沿った第２副スクライブラインとを形成するステップを包含する、請求項８に記載のマザー基板分断方法。
  11. 前記スクライブラインの両端部分の少なくとも一方は曲線である、請求項１に記載のマザー基板分断方法。
  12. マザー基板にスクライブラインを形成するためのスクライブライン形成手段と、
    前記スクライブライン形成手段を制御する制御手段と
    を備え、
    前記制御手段は、前記マザー基板に対する前記スクライブライン形成手段の押圧が途切れないように前記マザー基板に対して前記スクライブライン形成手段を移動させ、第１単位基板を前記マザー基板から分断するための第１スクライブラインと第２単位基板を前記マザー基板から分断するための第２スクライブラインとを前記マザー基板に形成するように、前記スクライブライン形成手段を制御する、マザー基板スクライブ装置。
  13. 前記スクライブライン形成手段は、
    前記マザー基板の表面にスクライブを形成するスクライブ部材と、
    該スクライブ部材の前記マザー基板の表面に対する押圧を調整する調整手段とを備え、
    前記制御手段が、該調整手段を制御する、請求項１２に記載のマザー基板スクライブ装置。
  14. 前記スクライブ部材は、カッターホイールチップである、請求項１３に記載のマザー基板スクライブ装置。
  15. 請求項１に記載のマザー基板分断方法の各ステップをコンピュータにて実行させるためのプログラム。
  16. 請求項１５に記載のプログラムが記載されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007175997A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Hitachi Media Electoronics Co Ltd スクライブカッター、基板加工方法、基板加工装置、それらを用いた基板、及び一枚板脆性材料部品。
JP2008132616A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Shibuya Kogyo Co Ltd 脆性材料の割断方法とその装置
JP5508847B2 (ja) * 2007-04-12 2014-06-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ装置及び方法
DE102007045383A1 (de) * 2007-09-22 2008-07-17 Bohle Ag Verfahren zur Herstellung von Schneidrädchen
KR100889308B1 (ko) * 2007-11-21 2009-03-18 세메스 주식회사 스크라이빙 장치 및 방법 및 이를 이용한 기판 절단 장치
KR100848854B1 (ko) * 2008-04-21 2008-07-30 주식회사 탑 엔지니어링 취성기판의 스크라이빙 장치 및 그 방법
CN101269907B (zh) * 2008-05-06 2011-02-16 上海耀华皮尔金顿玻璃股份有限公司 切割玻璃的刀头座结构
JP5185380B2 (ja) * 2008-06-18 2013-04-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板加工システム
JP5192977B2 (ja) * 2008-10-10 2013-05-08 三星ダイヤモンド工業株式会社 貼り合せ基板のスクライブ方法
US8656738B2 (en) * 2008-10-31 2014-02-25 Corning Incorporated Glass sheet separating device
KR101104078B1 (ko) * 2008-11-24 2012-01-11 주식회사 탑 엔지니어링 취성기판의 브레이킹 장치 및 그 방법
KR20100107253A (ko) * 2009-03-25 2010-10-05 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
KR101041137B1 (ko) * 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
JP5349550B2 (ja) * 2011-07-20 2013-11-20 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ装置
US20130083457A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Apple Inc. System and method for manufacturing a display panel or other patterned device
JP5783873B2 (ja) * 2011-10-04 2015-09-24 三星ダイヤモンド工業株式会社 ガラス基板のスクライブ方法
JP2013112534A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 脆性材料基板の分断方法
TWI488824B (zh) * 2011-12-05 2015-06-21 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd The method and scribing device of glass substrate
CN103359925B (zh) * 2012-03-27 2016-04-27 三星钻石工业股份有限公司 强化玻璃基板的刻划方法及刻划装置
TW201604154A (zh) * 2012-03-28 2016-02-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 劃線輪、劃線裝置、劃線方法、顯示用面板之製造方法及顯示用面板
TWI481576B (zh) * 2012-05-02 2015-04-21 Taiwan Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 切割玻璃之方法及切割設備
JP5991860B2 (ja) * 2012-06-19 2016-09-14 三星ダイヤモンド工業株式会社 ガラス基板の加工方法
US8669166B1 (en) * 2012-08-15 2014-03-11 Globalfoundries Inc. Methods of thinning and/or dicing semiconducting substrates having integrated circuit products formed thereon
CN103896483B (zh) * 2014-03-27 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种玻璃基板切割设备及切割方法
CN104280922B (zh) * 2014-10-27 2017-05-03 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶屏玻璃切割方法和装置
JP6589362B2 (ja) * 2015-05-08 2019-10-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 薄膜太陽電池の加工装置、および、薄膜太陽電池の加工方法
TWI605024B (zh) * 2015-08-07 2017-11-11 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Breaking method of brittle substrate
JP2019023146A (ja) * 2015-12-08 2019-02-14 Ａｇｃ株式会社 ガラス板およびガラス板の製造方法
TWI595599B (zh) * 2016-06-23 2017-08-11 友達光電股份有限公司 面板及其製造方法
CN106738359B (zh) * 2016-12-30 2019-02-01 惠科股份有限公司 一种残材去除装置
TWI681241B (zh) * 2018-12-04 2020-01-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置製作方法及使用該方法製作的顯示裝置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02204337A (ja) * 1989-01-31 1990-08-14 Ichikoh Ind Ltd 板ガラス整形方法およびその装置
JPH06183762A (ja) * 1992-12-18 1994-07-05 Fuji Xerox Co Ltd 脆性基板割断方法
JP2000264657A (ja) * 1999-03-17 2000-09-26 Mitsuboshi Diamond Kogyo Kk ガラススクライバー
US6562698B2 (en) * 1999-06-08 2003-05-13 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Dual laser cutting of wafers
JP3368876B2 (ja) * 1999-11-05 2003-01-20 株式会社東京精密 半導体チップ製造方法
JP2002087836A (ja) * 2000-09-13 2002-03-27 Sanyo Electric Co Ltd 脆性非金属材料加工方法
JP5065551B2 (ja) * 2001-01-12 2012-11-07 坂東機工株式会社 ガラス板切断ヘッド及びこれを具備しているガラス板加工装置
CN1486285B (zh) * 2001-01-17 2013-01-16 三星宝石工业株式会社 划线分断设备及其系统
SG121700A1 (en) * 2001-12-28 2006-05-26 Jetsis Int Pte Ltd A method and related apparatus for cutting a product from a sheet material
KR100657197B1 (ko) * 2002-11-22 2006-12-14 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 기판절단방법 및 그 방법을 이용한 패널제조방법
EP1666221A4 (en) * 2003-09-24 2010-09-08 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd SUBSTRATE CUTTING SYSTEM, SUBSTRATE MANUFACTURER AND SUBSTRATE CUTTING METHOD

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