JPWO2005064661A1 - Iii族窒化物結晶の製造方法およびそれにより得られるiii族窒化物結晶ならびにそれを用いたiii族窒化物基板 - Google Patents
Iii族窒化物結晶の製造方法およびそれにより得られるiii族窒化物結晶ならびにそれを用いたiii族窒化物基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2005064661A1 JPWO2005064661A1 JP2005516613A JP2005516613A JPWO2005064661A1 JP WO2005064661 A1 JPWO2005064661 A1 JP WO2005064661A1 JP 2005516613 A JP2005516613 A JP 2005516613A JP 2005516613 A JP2005516613 A JP 2005516613A JP WO2005064661 A1 JPWO2005064661 A1 JP WO2005064661A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group iii
- iii nitride
- substrate
- crystal
- flux
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
- C30B9/08—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
- C30B9/10—Metal solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02389—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02392—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Description
12 圧力調整器
13 ステンレス容器
14 電気炉
15 坩堝
51 GaN基板
52 GaN層
53 AlGaN層
54 ソース電極
55 ゲート電極
56 ドレイン電極
201 育成炉
202 ヒータ
203 熱電対
204 坩堝固定台
205 回転軸
206 坩堝
207 融解液(フラックス)
208 シード基板
209 流量調整器
(1)まず、III族元素とフラックスであるアルカリ金属およびMgを、所定の量だけ秤量し、坩堝206内にセットする。同時に、シード基板208を固定する。なお、前述のとおり、前記フラックスが、Mgに加え若しくは代えて、ドーピング成分として、アルカリ土類金属(Mgを除く)およびZnの少なくとも一つを含んでもよい。
(2)次に、育成炉201に蓋をして密閉し、雰囲気中の酸素や水分を除去するため、真空引きと窒素置換を複数回行う。窒素を充填し、坩堝206内の原材料を加圧下で加熱することによって溶融させる。この段階では、図示のように、シード基板208は融解液(フラックス)207中には存在させない。融解液(フラックス)207をかき混ぜるため、シード基板208上に融解液(フラックス)207が付着しない程度に、坩堝206を揺動させる。
(3)次に、回転軸205を中心に坩堝206を回転させ、シード基板208を融解液(フラックス)207中に入れ、結晶育成を開始する。
(4)結晶育成中は、融解液(フラックス)207を攪拌させるため、1分間に1周期のスピードで坩堝206を揺動させる。ただし、育成中は、シード基板208は、融解液(フラックス)207中に存在させる。坩堝206の温度、圧力を保持し、一定時間LPE成長を行う。
(5)育成終了後は、図示のように坩堝206を回転させ、融解液(フラックス)207中から基板を取り出し、融解液(フラックス)温度を降下させる。
12 圧力調整器
13 ステンレス容器
14 電気炉
15 坩堝
51 GaN基板
52 GaN層
53 AlGaN層
54 ソース電極
55 ゲート電極
56 ドレイン電極
201 育成炉
202 ヒータ
203 熱電対
204 坩堝固定台
205 回転軸
206 坩堝
207 融解液(フラックス)
208 シード基板
209 流量調整器
Claims (17)
- 窒素を含む雰囲気下において、Ga、AlおよびInからなる群から選択される少なくとも一つのIII族元素を、アルカリ金属含有フラックス中で、前記窒素と反応させて結晶成長させるIII族窒化物結晶の製造方法であって、前記フラックスが、さらに、Mgを含有することを特徴とする製造方法。
- 前記フラックス中のMgが、フラックス成分およびドーピング成分の少なくとも一方として機能する請求項1記載の製造方法。
- 前記フラックスが、Mgに加え若しくは代えて、ドーピング成分として、アルカリ土類金属(Mgを除く)およびZnの少なくとも一つを含む請求項1記載の製造方法。
- 前記窒素が、窒素含有ガスとして供給される請求項1記載の製造方法。
- 前記アルカリ土類金属が、Ca、Be、SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも一つである請求項3記載の製造方法。
- 前記フラックスが、NaおよびMgの混合フラックスである請求項1記載の製造方法。
- 前記NaおよびMgの混合フラックス全体に対し、前記Mgの割合が、0.001〜10モル%の範囲である請求項6記載の製造方法。
- 前記III族元素が、Gaであり、前記III族窒化物が、GaNである請求項6記載の製造方法。
- 請求項1記載の製造方法により製造されたIII族窒化物結晶。
- Mgのドーパント量が、0を超え、1×1020cm−3以下である請求項9記載のIII族窒化物結晶。
- Mg、前記アルカリ土類金属(Mgを除く)およびZnの総ドーパント量が、0を超え、1×1017cm−3以下である請求項9記載のIII族窒化物結晶。
- 前記結晶中の酸素の濃度が、0〜1×1017cm−3の範囲である請求項9記載のIII族窒化物結晶。
- 抵抗率(比抵抗)が、1×103Ω・cm以上である請求項9記載のIII族窒化物結晶。
- 抵抗率(比抵抗)が、1×105Ω・cm以上である請求項9記載のIII族窒化物結晶。
- 請求項9記載のIII族窒化物結晶を含むIII族窒化物基板。
- P型若しくは半絶縁性である請求項15記載のIII族窒化物基板。
- 請求項16記載のIII族窒化物基板を用いた電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005516613A JP4757029B2 (ja) | 2003-12-26 | 2004-12-22 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003435072 | 2003-12-26 | ||
JP2003435072 | 2003-12-26 | ||
JP2005516613A JP4757029B2 (ja) | 2003-12-26 | 2004-12-22 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
PCT/JP2004/019249 WO2005064661A1 (ja) | 2003-12-26 | 2004-12-22 | Iii族窒化物結晶の製造方法およびそれにより得られるiii族窒化物結晶ならびにそれを用いたiii族窒化物基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005064661A1 true JPWO2005064661A1 (ja) | 2007-12-20 |
JP4757029B2 JP4757029B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=34736584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005516613A Expired - Fee Related JP4757029B2 (ja) | 2003-12-26 | 2004-12-22 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070196942A1 (ja) |
JP (1) | JP4757029B2 (ja) |
CN (1) | CN100466178C (ja) |
WO (1) | WO2005064661A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5015417B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2012-08-29 | 住友電気工業株式会社 | GaN結晶の製造方法 |
US8728234B2 (en) | 2008-06-04 | 2014-05-20 | Sixpoint Materials, Inc. | Methods for producing improved crystallinity group III-nitride crystals from initial group III-nitride seed by ammonothermal growth |
JP2007284267A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶の製造方法 |
JP2008013391A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Osaka Univ | Iii族元素窒化物基板の製造方法 |
JP4787692B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2011-10-05 | 株式会社リコー | 結晶成長装置 |
US8778078B2 (en) | 2006-08-09 | 2014-07-15 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process for the manufacture of a doped III-N bulk crystal and a free-standing III-N substrate, and doped III-N bulk crystal and free-standing III-N substrate as such |
JP4433317B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2010-03-17 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体結晶の製造方法 |
WO2008099720A1 (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Ngk Insulators, Ltd. | 窒化ガリウム単結晶育成用融液組成物および窒化ガリウム単結晶を育成する方法 |
JP5224713B2 (ja) * | 2007-04-19 | 2013-07-03 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
CN102569557A (zh) * | 2007-07-17 | 2012-07-11 | 住友电气工业株式会社 | 电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、iii族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底 |
JP4941448B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2012-05-30 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体製造装置 |
JP2009114035A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体製造装置および製造方法 |
TWI487817B (zh) * | 2008-02-25 | 2015-06-11 | Sixpoint Materials Inc | 用於製造第iii族氮化物晶圓之方法及第iii族氮化物晶圓 |
DE102009003296B4 (de) * | 2008-05-22 | 2012-11-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Herstellungsverfahren für einen N-leitenden Galliumnitrid-basierten Verbindungshalbleiter |
EP3330413B1 (en) | 2008-06-04 | 2020-09-09 | SixPoint Materials, Inc. | Method of growing group iii nitride crystals using high-pressure vessel |
EP2330236B1 (en) * | 2008-08-29 | 2014-04-09 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL FILM |
JP4305574B1 (ja) * | 2009-01-14 | 2009-07-29 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物基板、それを備える半導体デバイス、及び、表面処理されたiii族窒化物基板を製造する方法 |
JP5039813B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2012-10-03 | 日本碍子株式会社 | Znがドープされた3B族窒化物結晶、その製法及び電子デバイス |
JP5319623B2 (ja) | 2010-08-06 | 2013-10-16 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
KR20140053184A (ko) * | 2011-07-13 | 2014-05-07 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 벌크 iii-족 질화물 결정들의 성장 |
JP6015053B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2016-10-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及び窒化物半導体結晶の製造方法 |
JP2013030810A (ja) * | 2012-11-02 | 2013-02-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP5629340B2 (ja) * | 2013-03-04 | 2014-11-19 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh | ドープiii−nバルク結晶及び自立型ドープiii−n基板 |
JP6019542B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2016-11-02 | 国立大学法人大阪大学 | Iii族窒化物結晶の製造方法およびiii族窒化物結晶製造装置 |
JP6424529B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2018-11-21 | 株式会社リコー | 13族窒化物結晶の製造方法 |
JP6006852B2 (ja) * | 2015-09-16 | 2016-10-12 | 日本碍子株式会社 | 高抵抗材料の製造方法 |
WO2019031501A1 (ja) * | 2017-08-09 | 2019-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化ガリウム微結晶凝集体の製造方法及び窒化ガリウム微結晶凝集体の製造装置 |
JP7204625B2 (ja) * | 2019-07-25 | 2023-01-16 | 信越化学工業株式会社 | Iii族化合物基板の製造方法及びその製造方法により製造した基板 |
CN116926670B (zh) * | 2023-07-12 | 2024-04-16 | 通威微电子有限公司 | 一种用液相法制备碳化硅的方法和制得的碳化硅 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56160400A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Growing method for gallium nitride |
PL173917B1 (pl) * | 1993-08-10 | 1998-05-29 | Ct Badan Wysokocisnieniowych P | Sposób wytwarzania krystalicznej struktury wielowarstwowej |
JPH11135831A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Hitachi Cable Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体ウェハ及び化合物半導体素子 |
US6562124B1 (en) * | 1999-06-02 | 2003-05-13 | Technologies And Devices International, Inc. | Method of manufacturing GaN ingots |
JP3929657B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2007-06-13 | 株式会社リコー | 結晶成長方法およびiii族窒化物結晶の製造方法 |
US6592663B1 (en) * | 1999-06-09 | 2003-07-15 | Ricoh Company Ltd. | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate |
JP3428962B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2003-07-22 | 古河電気工業株式会社 | GaN系高移動度トランジスタ |
US7097707B2 (en) * | 2001-12-31 | 2006-08-29 | Cree, Inc. | GaN boule grown from liquid melt using GaN seed wafers |
CN1327044C (zh) * | 2002-07-31 | 2007-07-18 | 财团法人大阪产业振兴机构 | Ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的ⅲ族元素氮化物透明单晶 |
JP4451265B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2010-04-14 | パナソニック株式会社 | Iii族元素窒化物結晶基板およびiii族元素窒化物半導体デバイスの製造方法 |
WO2005122232A1 (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Ammono Sp. Z O.O. | High electron mobility transistor (hemt) made of layers of group xiii element nitrides and manufacturing method thereof. |
-
2004
- 2004-12-22 WO PCT/JP2004/019249 patent/WO2005064661A1/ja active Application Filing
- 2004-12-22 CN CNB200480038996XA patent/CN100466178C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-22 US US10/584,725 patent/US20070196942A1/en not_active Abandoned
- 2004-12-22 JP JP2005516613A patent/JP4757029B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100466178C (zh) | 2009-03-04 |
CN1898778A (zh) | 2007-01-17 |
WO2005064661A1 (ja) | 2005-07-14 |
JP4757029B2 (ja) | 2011-08-24 |
US20070196942A1 (en) | 2007-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4757029B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
KR100993408B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
KR101192061B1 (ko) | GaN 결정의 제조 방법, GaN 결정, GaN 결정 기판, 반도체 장치 및 GaN 결정 제조 장치 | |
JP5665094B2 (ja) | n型III族窒化物系化合物半導体 | |
JP4001170B2 (ja) | Iii族元素窒化物単結晶の製造方法およびそれにより得られたiii族元素窒化物透明単結晶 | |
US10026612B2 (en) | Method for producing group III nitride crystal, group III nitride crystal, semiconductor device and apparatus for producing group III nitride crystal | |
US20090155580A1 (en) | Production Methods of Semiconductor Crystal and Semiconductor Substrate | |
JP5729182B2 (ja) | n型III族窒化物単結晶の製造方法、n型III族窒化物単結晶および結晶基板 | |
JP2004224600A (ja) | Iii族窒化物基板の製造方法および半導体装置 | |
JP4597534B2 (ja) | Iii族窒化物基板の製造方法 | |
JP4920875B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法、およびiii族窒化物基板の製造方法 | |
JP2004244307A (ja) | Iii族窒化物基板の製造方法および半導体装置 | |
JP2004300024A (ja) | Iii族元素窒化物結晶の製造方法、それにより得られたiii族元素窒化物結晶およびそれを用いた半導体装置 | |
KR20130140229A (ko) | 13족 원소 질화물 결정의 제조 방법 및 융액 조성물 | |
JP2013173648A (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法、iii族窒化物結晶および半導体装置 | |
CN107002283B (zh) | 13族元素氮化物结晶基板及功能元件 | |
JP2005119893A (ja) | 無機組成物およびその製造方法並びにそれを用いたiii族元素窒化物の製造方法。 | |
JP2006041458A (ja) | Iii族元素窒化物結晶半導体デバイス | |
KR20110003346A (ko) | ZnO 단결정의 제조방법, 그것에 의해 얻어진 자립 ZnO 단결정 웨이퍼, 및 자립 Mg함유 ZnO계 혼정 단결정 웨이퍼 및 그것에 사용하는 Mg함유 ZnO계 혼정 단결정의 제조방법 | |
JP6168091B2 (ja) | Iii族窒化物結晶およびiii族窒化物の結晶基板 | |
JP2005350297A (ja) | 酸化亜鉛材料の育成方法 | |
JP2004193584A (ja) | 3−5族化合物半導体およびその製造方法 | |
JP2009057247A (ja) | Iii族窒化物結晶の成長方法およびiii族窒化物結晶基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071220 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110407 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110531 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |