JPS647503B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 分 野 本発明は、半導体デバイスの自動連結ボンデイ
ング用の複合テープの製造方法に関する。

従 来 半導体装置の製作に用いられる製造工程は急速
に進歩してきており、高度に複雑な多機能半導体
チツプを適当なハウジングのコストに近いあるい
はそれ以下のコストで信頼性高く製造できる点に
まで達している。従つて、多くの注意が自動ハウ
ジング組立工程に払われている。より有効な方法
の一つは、一連の中間リードパターンを有した絶
縁ストリツプからなる複合テープを製造すること
である。このリードパターンは絶縁ストリツプ上
に配された金属フインガの形式のものである。こ
のストリツプは片側あるいは両側の縁に沿つて配
置されたインデツクス付け及び移送用の孔を備え
ている。これにインデツクス付けされているの
が、一続きのリードパターンアレイである。各パ
ターンは導電性フインガ・アレイを備えており、
その内側端は、在来の半導体チツプデバイスとの
接続に通常用いられるボンデイングパツドと整合
するように配置されている。現在の技術では、金
属フインガの位置公差を±2.5x10^-2mm（±1mil）
に保つことが望ましい。このように精密な処理が
要求される。これらフインガの外側端は、チツプ
を取り付ける構造の導体に整合する位置まで延び
ている。これは、移送モールド・プラスチツクハ
ウジングを製作するのに便利な典型的なリードフ
レームアレイか、あるいはハイブリツド・アセン
ブリ中に典型的に見られるプリント配線基板上の
パターンアレイかである。これらフインガの内側
端は、通常は絶縁ストリツプ中にプリパンチされ
開口中に延びるようにされている。この開口はボ
ンデイングされる半導体チツプのリードアレイよ
りも幾分大きくされている。

チツプ接点を作るために、接点が通常は盛り上
げられている。この方法において、半導体チツプ
はまだウエーハ状態にある間に処理されて、ボン
デイングパツドの各々に盛り上がつた金属の小山
すなわちバンプ（bump）を作る。これはマスキ
ング、金属堆積及び金属エツチングの組合わせに
より行うことができる。これらバンプは、典型的
には従来のチツプ・ボンデイングパツドの頂部に
堆積した適当な金属バリア層の頂部に配設された
金あるいは銅である。これら金属は低コスト、信
頼性及びボンデイングの容易さのために選ばれて
いる。通常は、これらリードパターンは、バンプ
付チツプ上の位置に配置され、そしてそれらバン
プに同時に熱圧着される。このチツプは次に複合
ストリツプ上に物理的に配置され、そしてこのス
トリツプ上で運ぶことができる。

典型的な高速アセンブリにおいては、このスト
リツプはリールに巻きとれるテープ形式で製造さ
れている。自動機械がこのアセンブリテープを製
造するために用いられる。このテープは次に自動
チツプボンダーを通り、ここで、各パターンが関
連チツプを拾い上げる。次にこのテープは、外側
フインガ部分をリードフレームあるいは他の基板
へ再び連結熱圧着によりボンデイングする自動機
械を通される。

米国特許第3689991号及び第3763404号は複合テ
ーププロセスを開示している。これら特許は、金
属層がボンデイングされているプリパンチされた
絶縁テープを開示している。この金属は次にホト
リソグラフイによりエツチングされ、所望のリー
ドパターンを作る。

半導体デバイスへのバンプの適用はコストがか
かり、しかも信頼性を損うような影響を与えるの
で、半導体デバイスよりもテープをバンプする努
力がなされてきた。米国特許第3781596号は金属
リードパターンを有するテープを開示しており、
ここではフインガの内側端がバンプ無し半導体チ
ツプへのボンデイングに適する盛り上がつた部分
を備えている。発明者の特許出願中の発明「被制
御へこみ熱圧着連結ボンデイング
（CONTROLLED COLLAPSE
THERMOCOMPRESSION GANG
BONDING）」は改良されたバンプ付テープを開
示している。

複合テープ製造に伴う幾つかの問題を解決する
ために、発明者の米国特許第4063993号に開示し
た方法が用いられている。ここでは、銅テープに
は、この銅テープ中にエツチングされたリードパ
ターンを支持する絶縁物の堆積リングが設けられ
ている。

従来技術の方法は有用であることが判つている
が、数多くの問題も依然として存在している。更
にコストの下げ、信頼性を増しそして製造速度を
増大させることが望まれている。前述の同時係属
中の出願に開示されているような適当なバンプ構
造を有するバンプ付テープの製造になじむ工程を
採用することが更に望ましい。

発明の要約 本発明の目的は、金属ストリツプが、リードパ
ターンを形成するために部分的にエツチングさ
れ、次に整合する絶縁ストリツプにボンデイング
され、その後複合テープを構成するためにエツチ
ングが完了されるという、複合テープ製造方法を
提供することにある。

本発明の別の目的は、金属積層物がまず部分的
にエツチングされ、次に絶縁支持部に積層され、
その後エツチングが完了され、これにより金属テ
ープの両側が不同にエツチングされるという、複
合テープを製造することにある。

本発明の特徴は、適当なバンプ付複合テープが
精密高速プロセスで製造されることである。

これらの及びその他の特徴及び目的は次のよう
に達成される。絶縁ストリツプがまず、熱硬化接
着剤及びストリツプ可能な保護コーテイングでコ
ーテイングされる。このアセンブリは次に両側の
縁に沿つて一列のインデツクス孔を形成するため
にプリパンチされる。これらの孔は、引き続く製
造工程中テープを移送しそしてこのテープをイン
デツクスするのに使用される。一列の開口もこの
インデツクス孔に整合してテープに沿つてプリパ
ンチされる。

絶縁ストリツプと同じ幅をもつ銅のストリツプ
がその縁に沿つて同様のインデツクス孔を有する
ようにプリパンチされるかあるいは予めエツチン
グされる。この銅ストリツプは次に両面上をホト
レジストでコーテイングされ、ホトリソグラフイ
ツク・エツチングのため露出される。このストリ
ツプの一方の側のホトレジストは現像され、露出
された銅がこのストリツプを貫通する途中までエ
ツチされる。エツチングされた表面のレジストが
次に取り除かれる。

絶縁ストリツプ上の保護コーテイングが次に取
り除かれ、そして銅ストリツプのエツチングされ
た面が接着剤の層を介して絶縁ストリツプに接着
される。この銅ストリツプの他方の側のホトレジ
ストが現像され、露出された銅がこのストリツプ
を貫通して完全にエツチングされる。これによ
り、絶縁テープに確実に接着されしかも開口上に
所望の形状で延びるように配列された別々のリー
ドがパターン中に残される。あるいはまた、銅ス
トリツプがフインガパターンを作るために両側か
ら同時にエツチングされるが、このエツチングは
貫通が完了する前に止められる。これによりフイ
ンガを結合する薄い金属ウエブが残される。次に
この銅は絶縁ストリツプに接着され、そしてその
薄いウエブがエツチングにより除かれる。

この両面のエツチングは、半導体に容易に熱圧
着できる改良された剛性のカンチレバーフインガ
取付用の所望の形状を有する金属パターンをもた
らす。この両面エツチングは更に銅テープの一方
の側にバンプを可能にし、この操作は最適バンプ
形成のため制御できる。このフインガ端のバンプ
に加えて、ボンデイング・バンプがフインガにエ
ツチングでき、そこでそれらフインガが支持構造
にボンデイングされる。このエツチングの全て
が、単一のレジスト塗布及び同時の両面レジスト
露出を用いて達成できる。バンプとフインガ端と
の間の所望の±0.6x10^-2mm（±0.25mil）の整合
は現行のホトリソグラフイ技術を用いて得られ
る。このように、連続するレジストの塗布と露出
整合とを回避できる。

以下に図面を参照して本発明について詳細に説
明する。

実施例 自動アセンブリテープは次のように製造され
る。絶縁テープがポリマーフイルム材のストリツ
プから製造される。適な材料がカプトン、ポリイ
ミドフイルム（Kapton polyimide film）として
デユポン社（DuPont）から市販されている。
0.13mm（5mil）厚フイルムはまずＢ段エポキシ接
着剤の1.3x10^-2mm（0.5mil）層でコーテイングさ
れる。デユポンマイラーポリエステルフイルム
（DuPont Mylar polyester film）のような
2.5x10^-2mm（1mil）厚フイルムのポリマーフイル
ム材がストリツプ可能保護コーテイングとして機
能するためにその接着剤の上に施される。この複
合絶縁ストリツプ材は第１図のパターンに基づい
てプリパンチされる。一連の孔１１がストリツプ
１０の縁に沿つて孔あけされ、一連の開口１２が
このテープの中央部分に孔あけされる。孔１１は
インデツクス付け及びテープ移送を与えるように
作用する。開口１２は、孔１１に対してインデツ
クス付けされ、またその開口は、半導体チツプを
その取付けデバイスに相互接続するために用いら
れる金属導体のパターンよりも幾分大きくされて
いる。

第２図はプリパンチされた銅ストリツプ１３を
示している。孔１４は、ストリツプ１０の孔１１
に整合するように孔あけされるかエツチングされ
る。両方のストリツプは同じ幅である。ストリツ
プ１０及び１３は幾つかの形式のうち任意の１つ
の形式で取扱うことができる。これらストリツプ
は、制御された長さの部分の形で取扱うか、又は
それらは実質的に任意の所望の長さのリール形式
で取扱うことができる。以下に説明する諸操作
は、連続的な動作シーケンスにおいて適用でき、
またそれらの操作は、ストリツプ上のある数の位
置が同時に処理されるバツチにおいても適用でき
る。説明するホトレジスト処理において、２つの
従来のプロセスのうちのどちらか一方が用いられ
る。その第１の方法では、在来のホトレジスト技
法が使用される。このレジストは、塗布されそし
て露光され、それにより現像後に、エツチングさ
れる表面が露出し、一方硬化したレジストがエツ
チングすべきでない領域を覆うようにする。次
に、エツチ液が所望に応じて使用される。第２の
方法においては、そのレジストは、塗布されそし
て露光され、それにより現像後に、金属の保持さ
れるべき部分だけが露出するようにする。これは
第１の方法の逆である。次に金属がその露出した
表面にメツキされ、そしてホトレジストが取り除
かれる。この金属は、ストリツプ１３を処理する
のに用いるエツチングにおいて溶解しないように
選択される。例えば、銅のエツチングにおいて
は、25ないし50ミクロンのニツケルの層が用いら
れる。このニツケル層はその時、銅エツチング中
にレジストとして働く。銅エツチングが完了した
後、希望であればこのニツケルレジストは選択的
にニツケルに作用し銅に作用しないエツチングに
おいて取り除かれる。

この第２方法は、従来の有機ホトレジスト層を
破壊してしまうような高温度処理により影響を受
けないエツチレジストという利点を有している。

このように、以下に述べるホトリソグラフイツ
ク・エツチングにおいては、「エツチレジスト」
という用語を使用する箇所では、金属あるいは有
機のエツチ抵抗性材料を意味する。

銅ストリツプ１３は、望ましくは従来の銅合金
110の7.9x10^-2mm（3.1mil）厚シートである。部
分あるいは全硬度を用いることができるが、この
合金をおよそ1/2硬度に熱処理することが好まし
い。一般に、圧延銅製品が好ましく、これにより
半導体ボンデイング及び熱処理の後に均質の微粒
子結晶構造が存在する。

銅ストリツプ１３はクリーニングされ、両面に
感光性エツチングレジストがコーテイングされ
る。所望であれば、この銅は周知のホトレジスト
接着促進剤で前処理できる。次に、一方の面が、
第３図のパターンをつくるために露光され、現像
されそしてツチングされる。このパターンは第２
図のストリツプ１３の拡大部分である。２つの孔
１４だけが示されており、図示されたパターンは
この孔にインデツクス付けされている。所望であ
れば、これらのフインガは内側先端にバンプを形
成するようにエツチングできる。エツチングは、
盛り上がつたパターンを残すようにその金属のお
よそ半分の深さになるまで続けられる。

この点で、ストリツプ１０上の保護フイルムが
取り除かれ、部分的にエツチングされた銅ストリ
ツプ面がエポキシ接着剤に対して重ねられる。こ
の操作には孔１１及び１４がインデツクス付けの
ために用いられ、エポキシ接着剤が熱圧着操作に
よりセツトされる。この操作は同時継続中の特許
出願の発明「複合テープ積層装置及び方法
（APPARATUS AND PROCESS FOR
LAMINATING COMPOSITE TAPE）」中に
開示されている。積層後、開口１２の内側に露出
した金属は、ストツプオフ・ラツカーのようなエ
ツチング保護剤で被覆される。

ストリツプ１３の他方の面上のレジストは、第
３図のパターンの正確にインデツクス付けされた
鏡像により露光される。その感光レジストは現像
され、露出した銅がエツチングされて、第４図に
示されたようにフインガパターンを完成する。

前述の製造プロセスは次のように変更できる。
銅ストリツプはまず完全ではないが両面がエツチ
ングされる。薄い金属ウエブ（約1.3x10^-2mm（約
0.5mil））はフインガ間の領域に残される。この
銅ストリツプは前述されたように絶縁ストリツプ
に重ねられ、開口１２内へ露出した金属はストリ
ツプオフ・ラツカーでコーテイングされる。次
に、露出した金属面が約1.3x10^-2mm（約0.5mil）
の金属を取り除くようにエツチングされ、このた
めその薄いウエブが除去されて第４図のフインガ
パターンが残る。この銅フインガパターンは確実
にストリツプ１０に接着され、開口１２がフイン
ガの内側端に整合している。前述のプロセスのい
ずれも、孔１４に対して±2.5x10^-2mm（±1mil）
の公差でそれらフインガ端を位置付けできること
が判つている。

第５図は、第４図の構造に熱圧着された半導体
チツプ１６を示している。点線１７は金属パター
ンがテープから切り取られる切取線でありこれに
より銅リードパターンの付いたチツプを作る。こ
のリードパターンの外側端が、次に最終的なデバ
イス取付構造に熱圧着できる。

第６図は第５図の構造の横断面図である。チツ
プ１６は、盛り上がつたバンプ１８が設けられて
おり、金属フインガ１９の外側チツプに熱圧着さ
れる。フインガ１９と共にチツプは次に切取点１
７でせん断されて離される。

所望であれば、このチツプは第７図に示された
ように用いることができる。ここでは、ハイブリ
ツド構造に通常用いられるセラミツク・キヤリア
２１の上に、金属パツド２２とプリント配線ラン
ド２３が設けられている。チツプ１６がパツド２
２へ２４においてはんだ付けあるいはボンデイン
グされ、そしてリード１９が配線２３へ２５にお
いて熱圧着される。

第８図は本発明のプロセスが適合できる別のリ
ードの形状を示す。この構造は、このテープ・プ
ロセスを従来のバンプ無し半導体チツプとコンパ
チブルにする。ストリツプ１３のエツチング・ス
テツプにおいて、感光レジスト露光ステツプは、
エツチングが銅フインガの端にバンプを形成する
ように調整される。ストリツプ１３の下面につい
ての露光ステツプにおいては、レジストは、領域
２８においてレジストが除去されるようなパター
ンで露光される。このレジストは金属パターンの
端の小面積について保持され、エツチング中に銅
バンプ２９が、薄くされた部分に隣接する金属の
下面に残るようにされる。バンプ付テープの詳細
は前述の特許出願の明細書に記載されている。こ
の銅バンプは、バンプ無し、即ち従来の半導体チ
ツプ２２′に金属を熱圧着できるようにする。ボ
ンデイングの後、このチツプと金属のアセンブリ
は従来のように取扱われる。図示されていない
が、フインガはまた、接着点２５でバンプを付し
てボンデイングを容易にできる。

第９図は高速複合テープ製造に有用なテープの
実施例を示している。三本の19mmテープが70mmテ
ープフオーマツトから同時に製造される。三つの
パターンだけがテープを横切つて延びているよう
に示されているが、これらのパターンはテープの
長さ方向に沿つて一定間隔で繰り返され、これに
より三つの独立したテープが同時に作られる。複
合テープが前述のように処理された後、このテー
プは線３１に沿つて分割され三つの独立したテー
プが製造される。所望であれば、これらのテープ
は端と端が継ながれ、一つの長尺テープが作られ
る。２列のスプロケツト孔３２は広いテープをイ
ンデツクス付けし、移送するために用いられる。
用いられるプロセスは第１図ないし第４図に関連
して説明したものである。プリパンチされた絶縁
テープは孔３２，１１′として示される孔の列、
及び開口１２′を備えている。中央のテープ部分
は、孔１１′の関係を互い違いにするために、２
つの外側テープ部分から幾分オフセツトされてい
ることに注意すべきである。この特徴は必ずしも
必要ではないが好ましいことがわかる。銅ストリ
ツプは孔３２及び１１′を備えるためにプリパン
チされるかエツチングされる。この２つのストリ
ツプは前述のように処理される。積層と最終エツ
チングの後、このテープは線３１に沿つて分離さ
れる。この後者の方法は生産性を増すという利点
を有し、テープ製造に用いられたインデツクス付
け及び移送用の孔３２は、テープが製造されてし
まえば使用されない。従つて、孔１１′が半導体
チツプをリードパターンに接着するために用いら
れる時、これらの孔は先の使用によりゆがめられ
てはいない。これらの未使用のインデツクス付け
及び移送用の孔はチツプ・ボンデイング操作にお
いて最大の精度を与える。

代替実施例 前述の複合テープ製造プロセスは好適実施例を
示している。しかし、以下に説明する代替実施例
は、かなりの効用を持つ第２の方法を示してお
り、これが好ましいことがそのうちに証明できる
であろう。

第１図の絶縁ストリツプが用意され前述された
ようにプリパンチされる。導電性ストリツプは別
に処理される。約6.6x10^-2mm（約2.6mil）の公称
厚を有する第２図のプリパンチされたストリツプ
はまずクリーニングされる。次に、ドライな感光
レジストの層が塗布される。適当な材料がデユポ
ン社からマイラーポリエステル裏材上のリストン
（Riston）ドライ・フイルム・レジストとして販
売されている。この材料のレジスト側は、クリー
ンな銅表面上で約125℃で熱間圧延される。前述
の銅表面は所望であればレジストの接着性を促進
するために予め処理できる。このストリツプの両
面はコーテイングされ、次に所望の光学パターン
に露光される。

保護ポリエステルフイルムは次に金属ストリツ
プの下側面からはぎとられ、そしてレジストが現
像される。この金属は次に約3.3x10^-2mm（約
1.3mil）の金属を除くまでエツチングされる。次
に、エツチングされた面上に残つているレジスト
が除かれる。この時点で、保護ポリエステルフイ
ルムが（第１図の）絶縁ストリツプ１０からはぎ
とられ、金属ストリツプのエツチングされた面
が、前述のように絶縁ストリツプの接着剤コート
面に積層される。次に、開口１２内へ露出した金
属がエツチングレジスト・ストツプオフ・ラツカ
ーを塗布される。保護ポリエステルが金属の反対
の面上のレジストからはぎとられ、そして露出さ
れたレジストが現像される。露出した銅は次に約
3.3x10^-2mm（約1.3mil）の材料を取り除くために
エツチングされ、これにより第４図の金属パター
ンが完成する。残つているレジストが取り除か
れ、そして完成した複合テープが続く組立プロセ
スに対して準備できる。

典型的な操作において、絶縁ストリツプ開口内
側に延びている金属は注意深くクリーニングさ
れ、金の薄い層あるいは金を被覆されたニツケル
の薄い層で電気めつきされる。これらの薄い層は
銅の腐食を防止し、リードの熱圧着を促進するよ
うに働く。ここで、複合テープは、後の使用のた
めに保存されるか、または直接に組立工程に使用
される。

【図面の簡単な説明】

第１図は孔あけされた絶縁ストリツプの一部を
示す図。第２図は孔あけされた金属ストリツプの
一部を示す図。第３図は金属ストリツプ中にエツ
チングされた１つのフインガパターンを示す図。
第４図はエツチングされた複合テープ中の単一の
フインガパターンを示す図。第５図は単一の金属
フインガパターンにボンデイングされたチツプを
示す図。第６図は第５図のテープの横断面図。第
７図はハイブリツド基板上に取り付けられた第６
図のデバイスのチツプ及びフインガ部分の横断面
図。第８図はチツプにボンデイングされたバンプ
付フインガを示す図。第９図は複数列のパターン
を用いたテープパターンを示す図である。 １０：ストリツプ、１１：孔、１２：開口、１
３：ストリツプ、１４：孔、１６：半導体チツ
プ、１８：バンプ、１９：フインガ、２１：セラ
ミツクキヤリア、２２：金属パツド、２３：プリ
ント配線、２４：金属パツド。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 縁に配置されたインデツクス付けかつ移送の
   ための孔と、該縁に配置された孔に対してインデ
   ツクス付けされた一連の開口と、を有する絶縁ス
   トリツプと、及び該絶縁ストリツプに一端で固定
   されかつ前記開口に延びた自由端を有し、該自由
   端が半導体チツプへの同時取付けをできるように
   する相対位置に保持された複数の導電性フインガ
   部材と、から成る半導体チツプの自動連結ボンデ
   イング用複合テープであつて、半導体チツプデバ
   イスを組立てるのに適した前記複合テープを製造
   する方法において、 ａ 絶縁材料の第１のストリツプを用意し、該第
   １のストリツプをインデツクス付けしかつ移送
   するための縁に配置された孔と、前記第１のス
   トリツプに沿つて離間関係で配置された一連の
   開口であつて、前記の縁に配置された孔に対し
   所定の関係でインデツク付けされている前記一
   連の開口と、を作る段階、 ｂ 第１及び第２の表面を有しかつ前記第１のス
   トリツプの幅と実質的に等しい幅を有する金属
   材料の第２のストリツプを用意し、前記第１の
   ストリツプの前記の縁に配置された孔に整合で
   きる縁に配置された孔を作る段階、 ｃ 前記第２のストリツプの前記第１及び第２の
   表面の両方をエツチレジストでコーテイング
   し、そして前記第２のストリツプの前記第１の
   表面及び第２の表面の前記エツチレジストを同
   時に露出し、それによつて前記複数の導電性フ
   インガ部材を作るためのエツチレジストパター
   ンを形成する段階、 ｄ 前記第２のストリツプの前記第１の表面をエ
   ツチングし、かつ該エツチングを前記第２のス
   トリツプが完全に貫通する前に止め、これによ
   り金属材料の薄いウエブにより互いに結合され
   た前記複数の導電性フインガ部材を残す段階、 ｅ 前記の縁に配置された孔を用いて前記第１及
   び第２のストリツプを互いにインデツクス付け
   して、前記第２のストリツプの前記エツチング
   された第１の表面が前記第１のストリツプに面
   する状態で前記第１及び第２のストリツプを積
   層し、複合ストリツプを作る段階、及び ｆ 前記薄いウエブを除くために前記複合ストリ
   ツプの前記第２のストリツプの前記第２の表面
   をエツチングし、これにより前記第１のストリ
   ツプ上に、前記開口中に延びた前記複数の導電
   性フインガ部材を残す段階、 から成ることを特徴とする半導体チツプの自動連
   結ボンデイング用複合テープを製造する方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
   前記段階(d)が、前記第２のストリツプの前記第２
   の表面の前記エツチングの前に、前記第２のスト
   リツプの前記第１の表面の前記開口内に露出した
   部分をエツチレジストでコーテイングすること、
   を含むことを特徴とする製造方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
   前記段階(c)は、前記第２のストリツプの前記第１
   の表面と前記第２の表面とに互いに整合した前記
   エツチレジストパターンを形成すること、を特徴
   とする製造方法。 ４ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
   前記段階(c)は、前記第２のストリツプの前記第１
   の表面及び前記第２の表面上に異なつた前記エツ
   チレジストパターンを形成し、これにより前記導
   電性フインガ部材が厚さの輪郭をつけられるよう
   にすること、を特徴とする製造方法。 ５ 縁に配置されたインデツクス付けかつ移送の
   ための孔と、該縁に配置された孔に対してインデ
   ツクス付けされた一連の開口と、を有する絶縁ス
   トリツプと、及び該絶縁ストリツプに一端で固定
   されかつ前記開口に延びた自由端を有し、該自由
   端が半導体チツプへの同時取付けをできるように
   する相対位置に保持された複数の導電性フインガ
   部材と、から成る半導体チツプの自動連結ボンデ
   イング用複合テープであつて、半導体チツプデバ
   イスを組立てるのに適した前記複合テープを製造
   する方法において、 ａ 絶縁材料の第１のストリツプを用意し、該第
   １のストリツプをインデツクス付けしかつ移送
   するための縁に配置された孔と、前記第１のス
   トリツプに沿つて離間関係で配置された一連の
   開口であつて、前記の縁に配置された孔に対し
   所定の関係でインデツクス付けされている前記
   一連の開口と、を作る段階、 ｂ 第１及び第２の表面を有しかつ前記第１のス
   トリツプの幅と実質的に等しい幅を有する金属
   材料の第２のストリツプを用意し、前記第１の
   ストリツプの前記の縁に配置された孔に整合で
   きる縁に配置された孔を作る段階、 ｃ 前記第２のストリツプの前記第１及び第２の
   表面の両方をエツチレジストでコーテイング
   し、そして前記第２のストリツプの前記第１の
   表面及び第２の表面の前記エツチレジストを同
   時に露出する段階、 ｄ 前記第２のストリツプの前記第１の表面及び
   第２の表面の両面を同時にエツチングし、かつ
   該エツチングを前記第２のストリツプが完全に
   貫通する前に止め、これにより金属材料の薄い
   ウエブにより互いに結合された前記複数の導電
   性フインガ部材を残す段階、 ｅ 前記の縁に配置された孔を用いて前記第１及
   び第２のストリツプを互いにインデツクス付け
   して、前記第１及び第２のストリツプを積層
   し、複合ストリツプを作る段階、及び ｆ 前記薄いウエブを除くために前記複合ストリ
   ツプをエツチングし、これにより前記第１のス
   トリツプ上に、前記開口中に延びた前記複数の
   導電性フインガ部材を残す段階、 から成ることを特徴とする半導体チツプの自動連
   結ボンデイング用複合テープを製造する方法。 ６ 特許請求の範囲第５項記載の方法において、
   前記段階(f)が、前記複合ストリツプの前記エツチ
   ングの前に、前記第２のストリツプの内の前記第
   １のストリツプ中の前記開口内へ露出した部分を
   エツチレジストでコーテイングすることを含み、
   これにより前記複合ストリツプの前記エツチング
   が前記第２のストリツプの非積層面に限定される
   ようにすること、を特徴とする製造方法。 ７ 特許請求の範囲第５項記載の方法において、
   前記複合ストリツプの前記エツチングが非選択的
   であることを特徴とする製造方法。