JP3090061B2 - Ｔａｂ用テープキャリア - Google Patents
Ｔａｂ用テープキャリアInfo
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- tape carrier
- tape
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/036—Multilayers with layers of different types
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップを実装
する際に用いられるＴＡＢ用テープキャリアに係り、特
に、ファインピッチＴＡＢ用テープキャリアに関するも
のである。
する際に用いられるＴＡＢ用テープキャリアに係り、特
に、ファインピッチＴＡＢ用テープキャリアに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップを実装する方法の一つとし
て、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）実装がある。
て、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）実装がある。
【０００３】このＴＣＰ実装には、ＴＡＢ（Tape Autom
ated Bonding）用テープキャリアを用いている。このＴ
ＡＢ用テープキャリアの一例として、ＬＣＤ用ＴＡＢテ
ープの側面図を図３に示す。
ated Bonding）用テープキャリアを用いている。このＴ
ＡＢ用テープキャリアの一例として、ＬＣＤ用ＴＡＢテ
ープの側面図を図３に示す。
【０００４】図３に示すように、従来のＴＡＢ用テープ
キャリアは、コスト及び製造のしやすさも考慮し、ベー
スフィルム３２としてポリイミドテープ（５０〜１２５
μm厚）を用い、この上に接着剤３６を介して銅箔（１
８〜３５μm厚）３４を貼り合せた３層構造が主流であ
る。
キャリアは、コスト及び製造のしやすさも考慮し、ベー
スフィルム３２としてポリイミドテープ（５０〜１２５
μm厚）を用い、この上に接着剤３６を介して銅箔（１
８〜３５μm厚）３４を貼り合せた３層構造が主流であ
る。
【０００５】ＬＣＤ用ＴＡＢテープ３０は、ＴＡＢ用テ
ープキャリアの銅箔３４にインナーリード３４ｉが形成
され、そのインナーリード３４ｉの表面にＳｎ合金がめ
っきされたものであり、このインナーリード３４ｉは、
ベースフィルム３２に形成されＩＣチップＣとのボンデ
ィングの際に加熱ツールが挿入されるデバイスホールｈ
内に臨んで形成されている。
ープキャリアの銅箔３４にインナーリード３４ｉが形成
され、そのインナーリード３４ｉの表面にＳｎ合金がめ
っきされたものであり、このインナーリード３４ｉは、
ベースフィルム３２に形成されＩＣチップＣとのボンデ
ィングの際に加熱ツールが挿入されるデバイスホールｈ
内に臨んで形成されている。
【０００６】また、このＬＣＤ用ＴＡＢテープ３０とＩ
ＣチップＣをボンディングするに際しては、図４に示す
ように、ＩＣチップＣのＡｕバンプａを上に向けてステ
ージ加熱ツール２４に載置し、このＩＣチップＣにＬＣ
Ｄ用ＴＡＢテープ３０を重ね、ＩＣチップＣのＡｕバン
プａとインナーリード３４ｉの先端部分との位置合わせ
をし、加熱ツール２２を矢印ｓ方向に移動してインナー
リード３４ｉに押付ける。そして、加熱ツール２２の温
度を５００℃近辺の値に昇温し、インナーリード３４ｉ
の表面のＳｎ合金を溶解させて、これらＩＣチップＣと
ＬＣＤ用ＴＡＢテープ３０とをボンディングしている。
ＣチップＣをボンディングするに際しては、図４に示す
ように、ＩＣチップＣのＡｕバンプａを上に向けてステ
ージ加熱ツール２４に載置し、このＩＣチップＣにＬＣ
Ｄ用ＴＡＢテープ３０を重ね、ＩＣチップＣのＡｕバン
プａとインナーリード３４ｉの先端部分との位置合わせ
をし、加熱ツール２２を矢印ｓ方向に移動してインナー
リード３４ｉに押付ける。そして、加熱ツール２２の温
度を５００℃近辺の値に昇温し、インナーリード３４ｉ
の表面のＳｎ合金を溶解させて、これらＩＣチップＣと
ＬＣＤ用ＴＡＢテープ３０とをボンディングしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、年々、ＩＣ
チップの小形化及びこれに伴うインナーリードのピッチ
の微細化が進んでいる。
チップの小形化及びこれに伴うインナーリードのピッチ
の微細化が進んでいる。
【０００８】しかしながら、現状のＴＡＢ技術では、イ
ンナーリード３４ｉのピッチは５０μmピッチが限界で
ある。この５０μmピッチ以下のファインピッチ（例え
ば４０μmピッチ）をねらうには、銅箔の厚さを１８μm
以下にしなければならず、この場合、従来のＴＡＢテー
ププロセスでは、デバイスホールｈ内のインナーリード
３４ｉが変形しやすくなり、また、インナーリードボン
ディング後のリード強度が弱くなってしまう。このた
め、図示しないが、折り曲げ性の要する部位にはスリッ
ト状にポリイミドテープを打ち抜き、更に、この部位の
片面又は両面にフレックス樹脂（ポリイミド系）をコー
ティングして、リードの折り曲げ強度を増す必要があっ
た。
ンナーリード３４ｉのピッチは５０μmピッチが限界で
ある。この５０μmピッチ以下のファインピッチ（例え
ば４０μmピッチ）をねらうには、銅箔の厚さを１８μm
以下にしなければならず、この場合、従来のＴＡＢテー
ププロセスでは、デバイスホールｈ内のインナーリード
３４ｉが変形しやすくなり、また、インナーリードボン
ディング後のリード強度が弱くなってしまう。このた
め、図示しないが、折り曲げ性の要する部位にはスリッ
ト状にポリイミドテープを打ち抜き、更に、この部位の
片面又は両面にフレックス樹脂（ポリイミド系）をコー
ティングして、リードの折り曲げ強度を増す必要があっ
た。
【０００９】また、従来のＴＡＢテープでＡｕ・Ｓｎの
ギャグボンドを行うと、インナーリード３４ｉに加熱ツ
ール２２がダイレクトに接触するため、この加熱ツール
２２がＳｎ合金で汚れてしまう。この汚れはＡｕ・Ｓｎ
溜り等のボンディング不良を引き起こすため、定期的に
この加熱ツール２２を研磨する必要があった。
ギャグボンドを行うと、インナーリード３４ｉに加熱ツ
ール２２がダイレクトに接触するため、この加熱ツール
２２がＳｎ合金で汚れてしまう。この汚れはＡｕ・Ｓｎ
溜り等のボンディング不良を引き起こすため、定期的に
この加熱ツール２２を研磨する必要があった。
【００１０】そこで本発明の目的は、フレックス樹脂を
塗布せずにリードの折り曲げ強度を向上させてファイン
ピッチＴＡＢ用テープキャリアを実現すると共に、イン
ナーリードボンディングの際に加熱ツールを汚すことな
く安定してボンディングできるＴＡＢ用テープキャリア
を提供することにある。
塗布せずにリードの折り曲げ強度を向上させてファイン
ピッチＴＡＢ用テープキャリアを実現すると共に、イン
ナーリードボンディングの際に加熱ツールを汚すことな
く安定してボンディングできるＴＡＢ用テープキャリア
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、インナーリードが形成される薄い
銅箔にテフロン（登録商標）をコーティングしたシート
に、デバイスホールが形成された接着剤付きポリイミド
テープを貼り合わせたＴＡＢ用テープキャリアにおい
て、上記テフロン（登録商標）は、上記インナーリード
と上記ポリイミドテープとの間に位置し、かつ、上記デ
バイスホールを塞いでいることを特徴とするものであ
る。
に請求項１の発明は、インナーリードが形成される薄い
銅箔にテフロン（登録商標）をコーティングしたシート
に、デバイスホールが形成された接着剤付きポリイミド
テープを貼り合わせたＴＡＢ用テープキャリアにおい
て、上記テフロン（登録商標）は、上記インナーリード
と上記ポリイミドテープとの間に位置し、かつ、上記デ
バイスホールを塞いでいることを特徴とするものであ
る。
【００１２】請求項２の発明は、上記テフロンの厚さが
１〜２０μmであるものである。
１〜２０μmであるものである。
【００１３】すなわち、４０μｍピッチのＴＡＢ用テー
プキャリア開発のために、従来の銅箔の厚さを１８μｍ
から５〜１２μｍと薄くすると共に、リード強度を向上
させるべく、銅箔の片面にテフロン（登録商標）を押出
しでコーティングした複合材をベーステープとして用い
た。このテフロンテープの厚さは１〜２０μｍである。
そして、このベーステープのテフロンテープ側に、従来
のＴＡＢ用テープキャリアと同一の接着剤付きポリイミ
ドテープを、デバイス部、スリット部他パンチングした
後で貼り合わせる。
プキャリア開発のために、従来の銅箔の厚さを１８μｍ
から５〜１２μｍと薄くすると共に、リード強度を向上
させるべく、銅箔の片面にテフロン（登録商標）を押出
しでコーティングした複合材をベーステープとして用い
た。このテフロンテープの厚さは１〜２０μｍである。
そして、このベーステープのテフロンテープ側に、従来
のＴＡＢ用テープキャリアと同一の接着剤付きポリイミ
ドテープを、デバイス部、スリット部他パンチングした
後で貼り合わせる。
【００１４】インナーリードの形成にあっては、その
後、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング、ソ
ルダーレジストめっきを行う。
後、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング、ソ
ルダーレジストめっきを行う。
【００１５】これにより、折り曲げ部のフレックス樹脂
（ポリイミド系）塗布工程は省略できる。
（ポリイミド系）塗布工程は省略できる。
【００１６】また、インナーリードボンディングの際
に、テフロンテープを介して加熱し、加熱ツールがイン
ナーリードに直接触らない構造にしているため、加熱ツ
ールの研磨や清掃が不要になる。
に、テフロンテープを介して加熱し、加熱ツールがイン
ナーリードに直接触らない構造にしているため、加熱ツ
ールの研磨や清掃が不要になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適実施の形態を
添付図面を参照しながら詳述する。
添付図面を参照しながら詳述する。
【００１８】図１に本発明のＴＡＢ用テープキャリアに
インナーリードを形成したＴＡＢテープの側面図を示
す。
インナーリードを形成したＴＡＢテープの側面図を示
す。
【００１９】図１に示すように、本発明のＴＡＢ用テー
プキャリア１０は、ポリイミドテープで形成されデバイ
スホールｈ及びスリットホール（図示せず）等を有する
３０〜７０μｍ厚のベースフィルム１２と、そのベース
フィルム１２上に形成され、上記デバイスホールｈ内に
臨んでインナーリード１８ｉを有する５〜１２μｍ厚の
銅箔１８と上記デバイスホールｈを塞ぐと共に上記イン
ナーリード１８ｉを支持する１〜２０μｍ厚のテフロン
（登録商標）１６とからなるベースフィルム２０とで構
成されており、このベースフィルム１２とベーステープ
２０とは、接着剤１４で貼り合わされている。
プキャリア１０は、ポリイミドテープで形成されデバイ
スホールｈ及びスリットホール（図示せず）等を有する
３０〜７０μｍ厚のベースフィルム１２と、そのベース
フィルム１２上に形成され、上記デバイスホールｈ内に
臨んでインナーリード１８ｉを有する５〜１２μｍ厚の
銅箔１８と上記デバイスホールｈを塞ぐと共に上記イン
ナーリード１８ｉを支持する１〜２０μｍ厚のテフロン
（登録商標）１６とからなるベースフィルム２０とで構
成されており、このベースフィルム１２とベーステープ
２０とは、接着剤１４で貼り合わされている。
【００２０】インナーリード１８ｉは、ボンディングさ
れるＩＣチップＣのＡｕバンプａの数に合わせて形成さ
れると共に、ＩＣチップＣのＡｕバンプａの位置に合わ
せて４０μmピッチで整列している。
れるＩＣチップＣのＡｕバンプａの数に合わせて形成さ
れると共に、ＩＣチップＣのＡｕバンプａの位置に合わ
せて４０μmピッチで整列している。
【００２１】このＴＡＢ用テープキャリア１０を作製す
るに際しては、先ず、接着剤１４付きポリイミドテープ
を所定の幅でスリットし、デバイスホールｈ及びスリッ
トホール（図示せず）等をパンチングしてベースフィル
ム１２を作製する。次に所定の幅の銅箔１８を用意し、
片面にテフロン（登録商標）１６を押出しでコーティン
グしてベースフィルム２０を作製する。そして、このベ
ースフィルム２０のテフロン（登録商標）１６面にベー
スフィルム１２の接着剤１４面を向けて、テフロン（登
録商標）１６でデバイスホールｈを塞ぐように貼り付け
る。
るに際しては、先ず、接着剤１４付きポリイミドテープ
を所定の幅でスリットし、デバイスホールｈ及びスリッ
トホール（図示せず）等をパンチングしてベースフィル
ム１２を作製する。次に所定の幅の銅箔１８を用意し、
片面にテフロン（登録商標）１６を押出しでコーティン
グしてベースフィルム２０を作製する。そして、このベ
ースフィルム２０のテフロン（登録商標）１６面にベー
スフィルム１２の接着剤１４面を向けて、テフロン（登
録商標）１６でデバイスホールｈを塞ぐように貼り付け
る。
【００２２】次に、このＴＡＢ用テープキャリア１０に
インナーリード１８ｉを形成してＴＡＢテープを作製す
るに際しては、ＴＡＢ用テープキャリア１０の銅箔１８
面にフォトレジストを塗布し、所望のリードパターンが
形成されたフォトマスクにより、インナーリード１８ｉ
がデバイスホールｈ内に臨むようにこのパターンを露光
し、レジストを剥離して現像する。そして、その銅箔１
８をエッチングしてインナーリード１８ｉを形成し、最
後に、このインナーリード１８ｉの表面にＳｎ合金をめ
っきする。
インナーリード１８ｉを形成してＴＡＢテープを作製す
るに際しては、ＴＡＢ用テープキャリア１０の銅箔１８
面にフォトレジストを塗布し、所望のリードパターンが
形成されたフォトマスクにより、インナーリード１８ｉ
がデバイスホールｈ内に臨むようにこのパターンを露光
し、レジストを剥離して現像する。そして、その銅箔１
８をエッチングしてインナーリード１８ｉを形成し、最
後に、このインナーリード１８ｉの表面にＳｎ合金をめ
っきする。
【００２３】次に、ＩＣチップの実装時のボンディング
方法を図２と共に説明する。図中、２２は加熱ツールを
示し、２４はステージ加熱ツールを示している。
方法を図２と共に説明する。図中、２２は加熱ツールを
示し、２４はステージ加熱ツールを示している。
【００２４】このＴＡＢ用テープキャリア１０とＩＣチ
ップＣをボンディングするに際しては、ＩＣチップＣを
そのＡｕバンプａを上に向けてステージ加熱ツール２４
上に載置し、ＩＣチップＣの上にＴＡＢ用テープキャリ
ア１０を重置すると共に、それぞれのインナーリード１
８ｉの先端をそれぞれのＡｕバンプａの位置に合わせ
る。次に、加熱ツール２２を矢印ｓ方向に移動させ、デ
バイスホールｈを通してテフロン（登録商標）１６に押
付ける。そして、この加熱ツール２２を５００℃程度ま
で昇温してテフロン（登録商標）１６を介してＳｎ合金
を溶解させ、インナーリード１８ｉとＡｕバンプａとを
ボンディングする。
ップＣをボンディングするに際しては、ＩＣチップＣを
そのＡｕバンプａを上に向けてステージ加熱ツール２４
上に載置し、ＩＣチップＣの上にＴＡＢ用テープキャリ
ア１０を重置すると共に、それぞれのインナーリード１
８ｉの先端をそれぞれのＡｕバンプａの位置に合わせ
る。次に、加熱ツール２２を矢印ｓ方向に移動させ、デ
バイスホールｈを通してテフロン（登録商標）１６に押
付ける。そして、この加熱ツール２２を５００℃程度ま
で昇温してテフロン（登録商標）１６を介してＳｎ合金
を溶解させ、インナーリード１８ｉとＡｕバンプａとを
ボンディングする。
【００２５】このボンディングの際に、インナーリード
１８ｉのＳｎめっきが溶解しても、テフロン（登録商
標）１６はこのＳｎ合金が加熱ツール２２に転移するの
を防ぐので、加熱ツール２２は汚れない。
１８ｉのＳｎめっきが溶解しても、テフロン（登録商
標）１６はこのＳｎ合金が加熱ツール２２に転移するの
を防ぐので、加熱ツール２２は汚れない。
【００２６】以上説明したように、本発明のＴＡＢ用テ
ープキャリアにより、インナーリード１８ｉがテフロン
（登録商標）１６に支持されるので、リードの折り曲げ
強度を向上できる。従って、銅箔１８を薄く形成できる
ので、インナーリード１８ｉのファインピッチが実現で
きる。
ープキャリアにより、インナーリード１８ｉがテフロン
（登録商標）１６に支持されるので、リードの折り曲げ
強度を向上できる。従って、銅箔１８を薄く形成できる
ので、インナーリード１８ｉのファインピッチが実現で
きる。
【００２７】また、インナーリードボンディングの際
に、テフロン（登録商標）１６を介してインナーリード
１８ｉを加熱するので、加熱ツール２２が汚れない。
に、テフロン（登録商標）１６を介してインナーリード
１８ｉを加熱するので、加熱ツール２２が汚れない。
【００２８】尚、本実施の形態においては、ベースフィ
ルムをポリイミドテープで形成したが、テフロン（登録
商標）自体が電気絶縁性を有するので、ベースフィルム
の材料はポリイミドに限定されないことは勿論である。
ルムをポリイミドテープで形成したが、テフロン（登録
商標）自体が電気絶縁性を有するので、ベースフィルム
の材料はポリイミドに限定されないことは勿論である。
【００２９】
【実施例】実施例１ Ｃｕ箔の厚さ８μｍ、テフロン（登録商標）の厚さ１０
μｍ、ポリイミドテープの厚さ５０μｍのＴＡＢ用テー
プキャリアを作製し、インナーリードを４０μｍピッチ
で形成してファインピッチＴＡＢテープを作製した。
μｍ、ポリイミドテープの厚さ５０μｍのＴＡＢ用テー
プキャリアを作製し、インナーリードを４０μｍピッチ
で形成してファインピッチＴＡＢテープを作製した。
【００３０】比較例１ 実施例１とは別に、比較例１として、従来技術に基づい
て作製したＴＡＢテープにスリット部を形成し、該スリ
ット部におけるリードの両面にフレックス樹脂をコーテ
ィングしたＴＡＢテープを作製した。
て作製したＴＡＢテープにスリット部を形成し、該スリ
ット部におけるリードの両面にフレックス樹脂をコーテ
ィングしたＴＡＢテープを作製した。
【００３１】次に、これら実施例１と比較例１のＴＡＢ
テープの折り曲げ強度（９０°往復曲げ）実験を行なっ
た。
テープの折り曲げ強度（９０°往復曲げ）実験を行なっ
た。
【００３２】その結果、比較例１のＴＡＢテープの折り
曲げ強度が６０回に対して、本発明のＴＡＢテープは、
片面のシールであるが、８０回と強いことが分かった。
曲げ強度が６０回に対して、本発明のＴＡＢテープは、
片面のシールであるが、８０回と強いことが分かった。
【００３３】また、実装時の加熱に際しては、従来タイ
プでは２０ＩＣ毎に加熱ツールのクリーニングを行なわ
なければならなかったが、本発明のＴＡＢ用テープキャ
リアにより、このクリーニングが不要になった。
プでは２０ＩＣ毎に加熱ツールのクリーニングを行なわ
なければならなかったが、本発明のＴＡＢ用テープキャ
リアにより、このクリーニングが不要になった。
【００３４】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、テフロン
（登録商標）が、インナーリードとポリイミドテープと
の間に位置し、かつ、デバイスホールを塞いでいること
から、フレックス樹脂を塗布しなくてもリード強度を向
上できるので、容易にファインピッチＴＡＢテープが実
現できる。
（登録商標）が、インナーリードとポリイミドテープと
の間に位置し、かつ、デバイスホールを塞いでいること
から、フレックス樹脂を塗布しなくてもリード強度を向
上できるので、容易にファインピッチＴＡＢテープが実
現できる。
【００３５】また、インナーリードボンディングの際
に、テフロン（登録商標）を介してデバイスホールを塞
いだ状態で、インナーリードの表面のＳｎ合金を加熱す
るので加熱ツールが汚れず、また、加熱ツールの研磨や
清掃を排除できる。これにより、インナーリードボンデ
ィングの際にボンディングを中断することがなくなり、
ボンディング作業効率が向上する。
に、テフロン（登録商標）を介してデバイスホールを塞
いだ状態で、インナーリードの表面のＳｎ合金を加熱す
るので加熱ツールが汚れず、また、加熱ツールの研磨や
清掃を排除できる。これにより、インナーリードボンデ
ィングの際にボンディングを中断することがなくなり、
ボンディング作業効率が向上する。
【００３６】更に、ポリイミドテープ上に銅箔を形成す
るに際して、予め銅箔全面にテフロン（登録商標）をコ
ーティングして銅箔を支持しながら貼り合わせたので、
ごく薄い銅箔を容易にポリイミドテープ上に貼設でき
る。
るに際して、予め銅箔全面にテフロン（登録商標）をコ
ーティングして銅箔を支持しながら貼り合わせたので、
ごく薄い銅箔を容易にポリイミドテープ上に貼設でき
る。
【図１】本発明のＴＡＢ用テープキャリアにリードを形
成したＴＡＢテープの側面図である。
成したＴＡＢテープの側面図である。
【図２】図１のＴＡＢテープにＩＣチップを実装する際
のインナーリードボンディング法を示す図である。
のインナーリードボンディング法を示す図である。
【図３】従来のＴＡＢ用テープキャリアにリードを形成
したＴＡＢテープの側面図である。
したＴＡＢテープの側面図である。
【図４】図３のＴＡＢテープにＩＣチップを実装する際
のインナーリードボンディング法を示す図である。
のインナーリードボンディング法を示す図である。
１０ ＴＡＢ用テープキャリア（ＴＡＢテープ） １２ ベースフィルム（ポリイミドフィルム） １４ 接着剤 １６ テフロン（登録商標） １８ 銅箔 １８ｉ インナーリード ２０ ベーステープ
Claims (2)
- 【請求項１】 インナーリードが形成される薄い銅箔に
テフロン（登録商標）をコーティングしたシートに、デ
バイスホールが形成された接着剤付きポリイミドテープ
を貼り合わせたＴＡＢ用テープキャリアにおいて、 上記テフロン（登録商標）は、上記インナーリードと上
記ポリイミドテープとの間に位置し、かつ、上記デバイ
スホールを塞いでいることを特徴とする ＴＡＢ用テープ
キャリア。 - 【請求項２】 上記テフロン（登録商標）の厚さが１〜
２０μｍである請求項１記載のＴＡＢ用テープキャリ
ア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08246562A JP3090061B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Ｔａｂ用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08246562A JP3090061B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Ｔａｂ用テープキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1093007A JPH1093007A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3090061B2 true JP3090061B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=17150267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08246562A Expired - Fee Related JP3090061B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Ｔａｂ用テープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3090061B2 (ja) |
-
1996
- 1996-09-18 JP JP08246562A patent/JP3090061B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1093007A (ja) | 1998-04-10 |
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