JPS6376476A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPS6376476A JPS6376476A JP61219668A JP21966886A JPS6376476A JP S6376476 A JPS6376476 A JP S6376476A JP 61219668 A JP61219668 A JP 61219668A JP 21966886 A JP21966886 A JP 21966886A JP S6376476 A JPS6376476 A JP S6376476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- signal
- light
- shielded
- peak
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 5
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14681—Bipolar transistor imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、トランジスタの制御電極領域の電位を制御す
ることで、前記制御電極領域に光励起によって発生した
キャリアを蓄積し、その蓄積電圧を読出し、また蓄積キ
ャリアを除去するという動作を行う光電変換セルを有す
る光電変換装置に係り、特に正確なピーク検出を行うこ
とを企図した光電変換装置に関する。
ることで、前記制御電極領域に光励起によって発生した
キャリアを蓄積し、その蓄積電圧を読出し、また蓄積キ
ャリアを除去するという動作を行う光電変換セルを有す
る光電変換装置に係り、特に正確なピーク検出を行うこ
とを企図した光電変換装置に関する。
・ ［従来技術］
第４図（Ａ）は、特願昭６０−２５２６５３号に記載さ
れている光電変換セルの一例の概略的平面図、第４図（
Ｂ）は、そのＡ−Ａ線断面図、第４図（Ｃ）は、その等
価回路図である。
れている光電変換セルの一例の概略的平面図、第４図（
Ｂ）は、そのＡ−Ａ線断面図、第４図（Ｃ）は、その等
価回路図である。
各図において、ｎシリコン基板１上にはｎ−エピタキシ
ャル層３が形成され、ｎ−エピタキシャル層３にはｐベ
ース領域４が形成され、ｐベース領域４にはｎ十エミッ
タ領域５および５′が形成されている。そして、ｎ十エ
ミッタ領域５および５′には、エミッタ電極８および８
′が各々接続されている。
ャル層３が形成され、ｎ−エピタキシャル層３にはｐベ
ース領域４が形成され、ｐベース領域４にはｎ十エミッ
タ領域５および５′が形成されている。そして、ｎ十エ
ミッタ領域５および５′には、エミッタ電極８および８
′が各々接続されている。
また、本例では、絶縁領域１４と、その直下に設けられ
たｎ十領域１５とによって素子分離領域２が形成され、
隣接する光電変換セルを互いに電気的に分離している。
たｎ十領域１５とによって素子分離領域２が形成され、
隣接する光電変換セルを互いに電気的に分離している。
ｐベース領域４上には酸化膜６を挟んでキャパシタ電極
７が形成され、更に絶縁膜１６を挟んで遮光膜１７が形
成されている。遮光膜１７によって、キャパシタ電極や
エミッタ電極が形成された部分が遮光され、ｐベース領
域４の主要部分に受光面が形成される。また、遮光膜１
７および受光面となる絶縁膜１６上には保護絶縁膜１８
が形成されている。
７が形成され、更に絶縁膜１６を挟んで遮光膜１７が形
成されている。遮光膜１７によって、キャパシタ電極や
エミッタ電極が形成された部分が遮光され、ｐベース領
域４の主要部分に受光面が形成される。また、遮光膜１
７および受光面となる絶縁膜１６上には保護絶縁膜１８
が形成されている。
次に、基本的な動作を説明する。まず、バイポーラトラ
ンジスタのベースであるｐベース領域４は負電位の初期
状態にあるとする。このｐベース領域４の受光面に光が
入射すると、入射光によって発生した電子・正孔対のう
ちの正札がｐベース領域４に蓄積され、蓄積された正孔
によってｐベース領域４の電位が正方向に変化する（蓄
積動作）。
ンジスタのベースであるｐベース領域４は負電位の初期
状態にあるとする。このｐベース領域４の受光面に光が
入射すると、入射光によって発生した電子・正孔対のう
ちの正札がｐベース領域４に蓄積され、蓄積された正孔
によってｐベース領域４の電位が正方向に変化する（蓄
積動作）。
続いて、キャパシタ電極７に読出し用の正電圧パルスが
印加され、蓄積動作時のベース電位変化分に対応した読
出し信号、すなわち光情報が浮遊状態にしたエミッタ電
極８および８′から出力される（読出し動作）、その際
、ｐベース領域４の蓄積電荷量はほとんど減少しないた
めに、非破壊読出しが可能である。
印加され、蓄積動作時のベース電位変化分に対応した読
出し信号、すなわち光情報が浮遊状態にしたエミッタ電
極８および８′から出力される（読出し動作）、その際
、ｐベース領域４の蓄積電荷量はほとんど減少しないた
めに、非破壊読出しが可能である。
また、ｐベース領域４に蓄積された正孔を除去するには
、エミッタ電極８を接地し、キャパシタ電極７に正電圧
のリフレッシュパルスを印加する。このパルスを印加す
ることでｐベース領域４はｎ十エミッタ領域５および５
′に対して順方向にバイアスされ、蓄積された正孔が除
去される。
、エミッタ電極８を接地し、キャパシタ電極７に正電圧
のリフレッシュパルスを印加する。このパルスを印加す
ることでｐベース領域４はｎ十エミッタ領域５および５
′に対して順方向にバイアスされ、蓄積された正孔が除
去される。
そして、リフレッシュパルスが立下がった時点でｐベー
ス領域４は負電位の初期状態に復帰する（リフレッシュ
動作）、以後、同様に蓄積、読出し、リフレッシュとい
う各動作が繰り返される。
ス領域４は負電位の初期状態に復帰する（リフレッシュ
動作）、以後、同様に蓄積、読出し、リフレッシュとい
う各動作が繰り返される。
このようなダブルエミッタ構造を有する光電変換セルで
は両方のエミッタから信号を読出すことができるために
、次に示すように、一方の信号を用いて平均値又はピー
ク値を容易に取出すことができ、読出し動作と並行して
測光やピーク値検出を行うことができる。
は両方のエミッタから信号を読出すことができるために
、次に示すように、一方の信号を用いて平均値又はピー
ク値を容易に取出すことができ、読出し動作と並行して
測光やピーク値検出を行うことができる。
第５図は、従来の光電変換装置の一例を示す回路図であ
る。
る。
同図において、ダブルエミッタの光電変換セルＳ１〜Ｓ
ｎがライン状に配列されている。
ｎがライン状に配列されている。
エミッタ電極８は垂直ラインＬ１〜Ｌｎおよびトランジ
スタＴ１〜Ｔｎを介して信号出力線１０１に接続されて
いる。そして、各信号は、信号出力線１０１にシリアル
に読出され、アンプで増幅されて出力信号ｖＯとして外
部へ出力される。
スタＴ１〜Ｔｎを介して信号出力線１０１に接続されて
いる。そして、各信号は、信号出力線１０１にシリアル
に読出され、アンプで増幅されて出力信号ｖＯとして外
部へ出力される。
一方、エミッタ電極８′は共通ライン１０２に接続され
ているために、共通ライン１０２には各信号のピーク値
Ｖｐが現われる。そして、ピーク値Ｖｐを用いることで
、信号出力アンプのゲイン調整や光電変換セルの蓄積動
作期間の調整を行うことができる。しかも、エミッタ電
極８からの読出し動作と並行してピーク値検出を行うこ
とができるために、撮像動作の高速化が達成される。
ているために、共通ライン１０２には各信号のピーク値
Ｖｐが現われる。そして、ピーク値Ｖｐを用いることで
、信号出力アンプのゲイン調整や光電変換セルの蓄積動
作期間の調整を行うことができる。しかも、エミッタ電
極８からの読出し動作と並行してピーク値検出を行うこ
とができるために、撮像動作の高速化が達成される。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記従来の光電変換装置では、光電変換
セルの暗電流による雑音成分が信号に含まれるために、
ピーク値Ｖｐが正確に光電変換セルのピーク信号に対応
していないという問題点を有していた。
セルの暗電流による雑音成分が信号に含まれるために、
ピーク値Ｖｐが正確に光電変換セルのピーク信号に対応
していないという問題点を有していた。
［問題点を解決するための手段］
上記従来の問題点を解決するために、本発明による光電
変換装置は、 半導体トランジスタの制御電極領域に複数個の信号読出
し用の主電極領域が設けられ、前記制御電極領域の電位
を制御することにより、前記制御電極領域に光励起によ
って発生したキャリアを蓄積する蓄積動作と、該蓄積に
より発生した蓄積電圧によって制御された信号を前記主
電極領域から読出す読出し動作と、前記制御電極領域に
蓄積されたキャリアを消滅させるリフレッシュ動作の各
動作を行う光電変換セルを複数個有すると共に、前記主
電極領域からの信号に基いてピーク検出を行う手段を有
し、 前記光電変換セルのうち少なくとも１個は遮光されてお
り、前記光電変換セルからの信号に基いて得られたピー
ク信号と、前記遮光された光電変換セルからの暗信号と
の差を検出することでピーク検出を行うことを特徴とす
る。
変換装置は、 半導体トランジスタの制御電極領域に複数個の信号読出
し用の主電極領域が設けられ、前記制御電極領域の電位
を制御することにより、前記制御電極領域に光励起によ
って発生したキャリアを蓄積する蓄積動作と、該蓄積に
より発生した蓄積電圧によって制御された信号を前記主
電極領域から読出す読出し動作と、前記制御電極領域に
蓄積されたキャリアを消滅させるリフレッシュ動作の各
動作を行う光電変換セルを複数個有すると共に、前記主
電極領域からの信号に基いてピーク検出を行う手段を有
し、 前記光電変換セルのうち少なくとも１個は遮光されてお
り、前記光電変換セルからの信号に基いて得られたピー
ク信号と、前記遮光された光電変換セルからの暗信号と
の差を検出することでピーク検出を行うことを特徴とす
る。
［作用］
このように遮光された光電変換セルの暗信号を利用して
、光電変換セルの信号から得られたピーク信号から暗信
号による雑音成分を除去することで、正確なピーク検出
を行うことができる。
、光電変換セルの信号から得られたピーク信号から暗信
号による雑音成分を除去することで、正確なピーク検出
を行うことができる。
以下、遮光された光電変換セルを「遮光ビット」、遮光
されていない光電変換セルを「開口ビット」という。
されていない光電変換セルを「開口ビット」という。
［実施例１
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
まず、実施例で使用される光電変換セルの構造および基
本的動作について述べる。
本的動作について述べる。
第６図（Ａ）は、本発明による光電変換装置の一実施例
で使用される光電変換セルの概略的平面図、第６図（Ｂ
）は、そのＡ−Ａ線断面図、第６図（Ｃ）は、その等価
回路図である。ただし、第４図の従来例と同一機能を有
する領域および部材には同一番号が付されている。
で使用される光電変換セルの概略的平面図、第６図（Ｂ
）は、そのＡ−Ａ線断面図、第６図（Ｃ）は、その等価
回路図である。ただし、第４図の従来例と同一機能を有
する領域および部材には同一番号が付されている。
第６図において、ｎ−エピタキシャル層３にはｐベース
領域４が形成され、ｐベース領域４にはｎ十エミッタ領
域５および５′が形成されている。
領域４が形成され、ｐベース領域４にはｎ十エミッタ領
域５および５′が形成されている。
ｐベース領域４上には酸化Ｍ６を挟んでキャパシタ電極
７がで形成され、またｎ−エピタキシャル層３上に酸化
膜６を挟んでリセットＭＯＳトランジスタのゲート電極
２２が形成されている。
７がで形成され、またｎ−エピタキシャル層３上に酸化
膜６を挟んでリセットＭＯＳトランジスタのゲート電極
２２が形成されている。
キャパシタ電極７およびゲート電極２２は、ポリシリコ
ンで形成されている。そして、リセットＭＯＳトランジ
スタのソース・ドレイン領域であるｐ中領域２０および
２１がセルファラインで形成され、ｐ中領域２０がＰベ
ース領域４と接合し、ｐ十領域２１にはＡＭ電極２８が
接続されている。
ンで形成されている。そして、リセットＭＯＳトランジ
スタのソース・ドレイン領域であるｐ中領域２０および
２１がセルファラインで形成され、ｐ中領域２０がＰベ
ース領域４と接合し、ｐ十領域２１にはＡＭ電極２８が
接続されている。
酸化［６上には居間絶縁層２５を挟んで、ｎ＋領域５お
よび５′に各々接続したエミッタ電極８および８′、ｎ
＋領域２３を介してコレクタ領域であるｎ−エピタキシ
ャル層３と接続したコレクタ電極２４が形成され、さら
にパッシベーション膜２６で覆われている。
よび５′に各々接続したエミッタ電極８および８′、ｎ
＋領域２３を介してコレクタ領域であるｎ−エピタキシ
ャル層３と接続したコレクタ電極２４が形成され、さら
にパッシベーション膜２６で覆われている。
なお、遮光された光電変換セルの場合は、層間絶縁層２
５上に絶縁層を挟んで遮光層が形成され、その上にパッ
シベーション膜２６が形成される。
５上に絶縁層を挟んで遮光層が形成され、その上にパッ
シベーション膜２６が形成される。
このような構成を有する光電変換セルの動作は従来例と
基本的には同じであるが、リセッ）ＭＯＳトランジスタ
が設けられているために、従来より高速のリフレッシュ
動作が可能である。すなわち、リセッ）ＭＯＳ）ランリ
スタの電極２８に所望の電圧を印加しておき、リフレッ
シュ動作を行う際に、先ずリセッ）ＭＯＳ）ラリスタを
導通させることでｐベース領域４の電位を蓄積電圧に関
係なく一定にし、その後キャパシタ電極７にリフレッシ
ュパルスを印加する。これによって、ｐベース領域４に
蓄積されたキャリアを完全に、かつ高速で除去すること
ができる。
基本的には同じであるが、リセッ）ＭＯＳトランジスタ
が設けられているために、従来より高速のリフレッシュ
動作が可能である。すなわち、リセッ）ＭＯＳ）ランリ
スタの電極２８に所望の電圧を印加しておき、リフレッ
シュ動作を行う際に、先ずリセッ）ＭＯＳ）ラリスタを
導通させることでｐベース領域４の電位を蓄積電圧に関
係なく一定にし、その後キャパシタ電極７にリフレッシ
ュパルスを印加する。これによって、ｐベース領域４に
蓄積されたキャリアを完全に、かつ高速で除去すること
ができる。
第１図は、本発明による光電変換装置の第一実施例の回
路図である。
路図である。
同図において、上記光電変換セルから成る遮光ビットＳ
１および開口ビット３２〜Ｓｎが配列されている。
１および開口ビット３２〜Ｓｎが配列されている。
各ビットのキャパシタ電極７は端子１０３に共通に接続
され、コレクタ電極２４には一定の正電圧が印加されて
いる。またリセットＭＯ５）ランリスタの電極２８は接
地され、ゲート電極２２は端子１０５に共通接続されて
いる。
され、コレクタ電極２４には一定の正電圧が印加されて
いる。またリセットＭＯ５）ランリスタの電極２８は接
地され、ゲート電極２２は端子１０５に共通接続されて
いる。
各ビットのエミッタ電極８′は垂直ラインＬ１〜Ｌｎに
各々接続され、各垂直ラインはトランジスタＴａｌ〜Ｔ
ａｎを介して電荷蓄積用コンデンサＣ１〜Ｃｎに接続さ
れるとともに、トランジスタＴ１〜Ｔｎを介して出力信
号線１０１に接続されている。出力信号線１０１は、リ
セットトランジスタＴ ｓ １を介して接地され、また
アンプ１０９に接続されている。トランジスタＴ、〜Ｔ
ｎのゲート電極は走査回路の並列出力端子に各々接続さ
れており、トランジスタＴ１〜Ｔｎは走査回路に従って
順次ＯＮ状態となる。
各々接続され、各垂直ラインはトランジスタＴａｌ〜Ｔ
ａｎを介して電荷蓄積用コンデンサＣ１〜Ｃｎに接続さ
れるとともに、トランジスタＴ１〜Ｔｎを介して出力信
号線１０１に接続されている。出力信号線１０１は、リ
セットトランジスタＴ ｓ １を介して接地され、また
アンプ１０９に接続されている。トランジスタＴ、〜Ｔ
ｎのゲート電極は走査回路の並列出力端子に各々接続さ
れており、トランジスタＴ１〜Ｔｎは走査回路に従って
順次ＯＮ状態となる。
また、垂直ラインＬ１〜ＬｎはトランジスタＴ ｂｌ
”Ｔ ｂ ｎを介して接地され、各トランジスタのゲー
ト電極は端子１０４に共通に接続されている。
”Ｔ ｂ ｎを介して接地され、各トランジスタのゲー
ト電極は端子１０４に共通に接続されている。
遮光ビットＳ１のエミッタ電極８はライン１０７に接続
され、ライン１０７はトランジスタＴｓ２を介して接地
されているとともに、アンプ１１０に接続されている。
され、ライン１０７はトランジスタＴｓ２を介して接地
されているとともに、アンプ１１０に接続されている。
開ロビッ）３２〜Ｓｎの各エミッタ電極８はライン１０
８に共通に接続され、ライン１０８はトランジスタＴｓ
３を介して接地されているとともに、アンプ１１１に接
続されている。
８に共通に接続され、ライン１０８はトランジスタＴｓ
３を介して接地されているとともに、アンプ１１１に接
続されている。
また、トランジスタＴｓ２およびＴｓ３の各ゲート電極
は端子１０４に接続されている。
は端子１０４に接続されている。
アンプ１１０およびｉｌｌの出力端子は差動アンプ１１
２の入力端子に各々接続されている。
２の入力端子に各々接続されている。
次に、本実施例の動作を説明する。
（リフレッシュ動作）
まず、端子１０５に信号φｒｅｓを印加して各ビットの
リセットＭＯ３）ランリスタをＯＮ状態とし、全てのビ
ットのｐベース領域４の電位を一定にする。続いて、端
子１０４に信号φｖｒｓを印加してトランジスタＴｂ１
〜Ｔｂｎ、Ｔｓ２およびＴｓ３をＯＮ状態とし、全ての
ビットのエミッタ電極８および８′を接地する。そして
、端子１０３にリフレッシュパルスを印加して、すでに
述べたようにｐベース領域４の蓄積キャリアを除去する
。
リセットＭＯ３）ランリスタをＯＮ状態とし、全てのビ
ットのｐベース領域４の電位を一定にする。続いて、端
子１０４に信号φｖｒｓを印加してトランジスタＴｂ１
〜Ｔｂｎ、Ｔｓ２およびＴｓ３をＯＮ状態とし、全ての
ビットのエミッタ電極８および８′を接地する。そして
、端子１０３にリフレッシュパルスを印加して、すでに
述べたようにｐベース領域４の蓄積キャリアを除去する
。
（蓄積動作）
各ビットのリセットＭＯ５）ランリスタをＯＦＦ状態と
して、開口ビットのｐベース領域４に各々入射光の照度
に対応したキャリアを蓄積する。
して、開口ビットのｐベース領域４に各々入射光の照度
に対応したキャリアを蓄積する。
（読出し動作）
まず、トランジスタＴｂ１〜Ｔｂ ｎ、Ｔｓ２およびＴ
ｓ３をＯＦＦ状態にして、各ビットのエミッタ電極８お
よび８′を浮遊状態にする。
ｓ３をＯＦＦ状態にして、各ビットのエミッタ電極８お
よび８′を浮遊状態にする。
続いて、端子１０６に信号φｔを印加してトランジスタ
Ｔａｌ〜ＴａｎをＯＮ状態とし、端子１０３に読出しパ
ルスを印加する。これによって、垂直ラインＬ１には遮
光ビットから暗信号が読出されてコンデンサｃｌに蓄積
され、垂直ラインＬ２〜Ｌｎには各開口ビットからの信
号が読出されてコンデンサＣ２〜Ｃｎに各々蓄積される
。
Ｔａｌ〜ＴａｎをＯＮ状態とし、端子１０３に読出しパ
ルスを印加する。これによって、垂直ラインＬ１には遮
光ビットから暗信号が読出されてコンデンサｃｌに蓄積
され、垂直ラインＬ２〜Ｌｎには各開口ビットからの信
号が読出されてコンデンサＣ２〜Ｃｎに各々蓄積される
。
続いて、トランジスタＴａ１〜ＴａｎをＯＦＦとした後
、走査回路によってトランジスタＴ１〜Ｔｎを順次ＯＮ
状態として、信号を順次出力信号線１０１に読出し、ア
ンプ１０９を通して出力する。その際、各信号が出力さ
れるごとに、信号φｈｒｓによってトランジスタＴ ｓ
１がＯＮ状態となり、出力信号＠１０１の残留電荷を
リフレッシュする。
、走査回路によってトランジスタＴ１〜Ｔｎを順次ＯＮ
状態として、信号を順次出力信号線１０１に読出し、ア
ンプ１０９を通して出力する。その際、各信号が出力さ
れるごとに、信号φｈｒｓによってトランジスタＴ ｓ
１がＯＮ状態となり、出力信号＠１０１の残留電荷を
リフレッシュする。
（ピーク検出動作）
上記読出し動作と並行してピーク検出動作が行われる。
すなわち、読出し動作時に端子１０３に印加される読出
しパルスにより、遮光ビットからの暗信号がライン１０
７に読出され、開ロビ９トからの信号がライン１０８に
読出される。ところが、ライン１０８は共通に接続され
ているために、ライン１０８には開口ビットｓ２〜Ｓｎ
からの信号のピーク値が現われる。したがって、アンプ
１１０からは暗信号Ｖｄ、アンプ１１１からはピーク信
号Ｖｐが出力され、差動アンプ１１２によってこれらの
信号の差１ｖｐ−ｖｃｉｌを算出することにより、暗信
号による雑音成分を除去したピーク検出信号を得ること
ができる。
しパルスにより、遮光ビットからの暗信号がライン１０
７に読出され、開ロビ９トからの信号がライン１０８に
読出される。ところが、ライン１０８は共通に接続され
ているために、ライン１０８には開口ビットｓ２〜Ｓｎ
からの信号のピーク値が現われる。したがって、アンプ
１１０からは暗信号Ｖｄ、アンプ１１１からはピーク信
号Ｖｐが出力され、差動アンプ１１２によってこれらの
信号の差１ｖｐ−ｖｃｉｌを算出することにより、暗信
号による雑音成分を除去したピーク検出信号を得ること
ができる。
第２図は、本発明の第二実施例の回路図である。ただし
、第一実施例と同じ回路部には同一の符号を付して説明
は省略する。
、第一実施例と同じ回路部には同一の符号を付して説明
は省略する。
第２図において、遮光ビットＳ１のエミッタ電極８′は
、垂直ラインＬ１およびトランジスタＴａ１を介して電
荷蓄積用コンデンサＣ１およびライン１０７に接続され
ている。したがって、他の開口ビットと同様に、遮光ビ
ットからの暗信号は読出し動作時にコンデンサＣ１に蓄
積されるとともに、アンプ１１０で増幅されて暗信号Ｖ
ｄとして出力される。
、垂直ラインＬ１およびトランジスタＴａ１を介して電
荷蓄積用コンデンサＣ１およびライン１０７に接続され
ている。したがって、他の開口ビットと同様に、遮光ビ
ットからの暗信号は読出し動作時にコンデンサＣ１に蓄
積されるとともに、アンプ１１０で増幅されて暗信号Ｖ
ｄとして出力される。
遮光ピッ）ＳＬのエミッタ電極８は、開口ビットＳ２〜
Ｓｎの各エミッタ電極８と同様にライン１０８に共通に
接続されている。
Ｓｎの各エミッタ電極８と同様にライン１０８に共通に
接続されている。
このように遮光ビットＳ１のエミッタ電極８および８′
の回路構成を開ロビッ）Ｓ２〜Ｓｎと同様にすることで
、遮光ピッ）Ｓｔのベース寄生容量が他の開口ビットと
同一となり、また全てのビットのエミッタ電極８がライ
ン１０８に接続されていることで、エミッタ電極８から
のフィードバックも全てのビットで平等となる。
の回路構成を開ロビッ）Ｓ２〜Ｓｎと同様にすることで
、遮光ピッ）Ｓｔのベース寄生容量が他の開口ビットと
同一となり、また全てのビットのエミッタ電極８がライ
ン１０８に接続されていることで、エミッタ電極８から
のフィードバックも全てのビットで平等となる。
その結果、蓄積動作時間や温度が変化しても、遮光ピッ
）３１ と開ロビッ）Ｓ２〜Ｓｎとの間の相対的な信号
出力の変動は生じない。したがって、遮光ピッ）Ｓｌか
らの暗信号はピーク検出における安定した基準となり、
差動アンプ１１２によって両信号の差１Ｖｐ−Ｖｄｌを
算出することによって、第一実施例の場合より、さらに
正確なピーク検出を行うことができる。
）３１ と開ロビッ）Ｓ２〜Ｓｎとの間の相対的な信号
出力の変動は生じない。したがって、遮光ピッ）Ｓｌか
らの暗信号はピーク検出における安定した基準となり、
差動アンプ１１２によって両信号の差１Ｖｐ−Ｖｄｌを
算出することによって、第一実施例の場合より、さらに
正確なピーク検出を行うことができる。
なお、上記各実施例では、ラインセンナの場合を示した
が、勿論エリアセンサであっても同様に構成することで
、同様の効果を得ることができる。また、上記実施例で
は遮光ビットを１個としたが、必要に応じて複数個設け
てもよい。
が、勿論エリアセンサであっても同様に構成することで
、同様の効果を得ることができる。また、上記実施例で
は遮光ビットを１個としたが、必要に応じて複数個設け
てもよい。
第３図は、上記実施例を使用した撮像装置の一例の概略
的構成図である。
的構成図である。
同図において、撮像素子３０１は上記各実施例の構成を
有し、その出力信号ｖＯは信号処理回路３０２によって
ゲイン調整等の処理が行われ、ＮＴＳＣ信号等の標準テ
レビジョン信号として出力される。
有し、その出力信号ｖＯは信号処理回路３０２によって
ゲイン調整等の処理が行われ、ＮＴＳＣ信号等の標準テ
レビジョン信号として出力される。
また、撮像素子３０１を駆動するための各種パルスφは
ドライバ３０３によって供給され、ドライバ３０３は制
御部３０４の制御によって動作する。また、撮像素子３
０１の差動アンプ１１２から出力されるピーク検出信号
は制御部３０４に入力し、ピーク検出信号に基いて制御
部３０４は信号処理回路３０２のゲイン等を調整すると
ともに、露出制御手段３０５を制御して撮像素子３０１
に入射する光量を調整する。
ドライバ３０３によって供給され、ドライバ３０３は制
御部３０４の制御によって動作する。また、撮像素子３
０１の差動アンプ１１２から出力されるピーク検出信号
は制御部３０４に入力し、ピーク検出信号に基いて制御
部３０４は信号処理回路３０２のゲイン等を調整すると
ともに、露出制御手段３０５を制御して撮像素子３０１
に入射する光量を調整する。
上述したように、本実施例では正確なピーク検出信号を
得ることができるために、適正な撮像を行うことができ
る。
得ることができるために、適正な撮像を行うことができ
る。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明にょる光電変換装置
は、遮光された光電変換セルからの暗信号を利用して、
光電変換セルからの信号に基くピーク信号から雑音成分
を除去することができ、正確なピーク検出を行うことが
できる。
は、遮光された光電変換セルからの暗信号を利用して、
光電変換セルからの信号に基くピーク信号から雑音成分
を除去することができ、正確なピーク検出を行うことが
できる。
第１図は、本発明による光電変換装置の第一実施例の回
路図、 第２図は、本発明の第二実施例の回路図、第３図は、上
記実施例を使用した撮像装置の一例の概略的構成図、 第４図（Ａ）は、特願昭６０−２５２６５３号に記載さ
れている光電変換セルの一例の概略的平面図、第４図（
Ｂ）は、そのＡ−Ａ線断面図、第４図（Ｃ）は、その等
価回路図、 第５図は、従来の光電変換装置の一例を示す回路図、 第６図（Ａ）は、本発明による光電変換装置の一実施例
で使用される光電変換セルの概略的平面図、第６図（Ｂ
）は、そのＡ−Ａ線断面図、第６図（Ｃ）は、その等価
回路図である。 １φ・・基板 ３・・會ｎ−エピタキシャル層 ４・・・ｐベース領域 ５・・・ｎ十エミッタ領域 ７・・Φキャパシタ電極 ８．８′・［株］・エミッタ電極 ２２争 φ 拳ゲート電極 １０７．１０８・・奉ライン Ｓ、 φ・φ遮光ビット ５２〜Ｓｎｓ・・・開口ビット 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第３図
路図、 第２図は、本発明の第二実施例の回路図、第３図は、上
記実施例を使用した撮像装置の一例の概略的構成図、 第４図（Ａ）は、特願昭６０−２５２６５３号に記載さ
れている光電変換セルの一例の概略的平面図、第４図（
Ｂ）は、そのＡ−Ａ線断面図、第４図（Ｃ）は、その等
価回路図、 第５図は、従来の光電変換装置の一例を示す回路図、 第６図（Ａ）は、本発明による光電変換装置の一実施例
で使用される光電変換セルの概略的平面図、第６図（Ｂ
）は、そのＡ−Ａ線断面図、第６図（Ｃ）は、その等価
回路図である。 １φ・・基板 ３・・會ｎ−エピタキシャル層 ４・・・ｐベース領域 ５・・・ｎ十エミッタ領域 ７・・Φキャパシタ電極 ８．８′・［株］・エミッタ電極 ２２争 φ 拳ゲート電極 １０７．１０８・・奉ライン Ｓ、 φ・φ遮光ビット ５２〜Ｓｎｓ・・・開口ビット 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第３図
Claims (2)
- （１）半導体トランジスタの制御電極領域に複数個の信
号読出し用の主電極領域が設けられ、前記制御電極領域
の電位を制御することにより、前記制御電極領域に光励
起によって発生したキャリアを蓄積する蓄積動作と、該
蓄積により発生した蓄積電圧によって制御された信号を
前記主電極領域から読出す読出し動作と、前記制御電極
領域に蓄積されたキャリアを消滅させるリフレッシュ動
作の各動作を行う光電変換セルを複数個有し、前記主電
極領域からの信号に基いてピーク検出を行う手段を有す
る光電変換装置において、 前記光電変換セルのうち少なくとも１個 は遮光されており、前記ピーク検出を行う手段は前記光
電変換セルからの信号に基いて得られたピーク信号と、
前記遮光された光電変換セルからの暗信号との差を検出
することでピーク検出を行うことを特徴とする光電変換
装置。 - （２）上記各光電変換セルは２個の信号読出し用主電極
領域を有しており、遮光された光電変換セルの一方の主
電極領域と、遮光されていない光電変換セルの一方の主
電極領域とが共通線に接続され、該共通線に現われる信
号と、前記遮光された光電変換セルの他方の主電極領域
からの信号との差を検出することによってピーク検出を
行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電
変換装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219668A JPH07120767B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光電変換装置 |
| DE87307897T DE3788393T2 (de) | 1986-09-19 | 1987-09-07 | Photoelektrischer Umformer. |
| EP87307897A EP0260858B1 (en) | 1986-09-19 | 1987-09-07 | Photoelectric conversion apparatus |
| US07/325,023 US4972243A (en) | 1986-09-19 | 1989-03-20 | Photoelectric conversion apparatus with shielded cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219668A JPH07120767B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376476A true JPS6376476A (ja) | 1988-04-06 |
| JPH07120767B2 JPH07120767B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=16739106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61219668A Expired - Fee Related JPH07120767B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光電変換装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4972243A (ja) |
| EP (1) | EP0260858B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07120767B2 (ja) |
| DE (1) | DE3788393T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0430557A2 (en) * | 1989-11-22 | 1991-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus |
| JPH04144169A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| US5124544A (en) * | 1989-11-21 | 1992-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device having an improved control electrode structure and apparatus equipped with same |
| EP0515849A2 (en) * | 1991-04-27 | 1992-12-02 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Image sensor |
| US5241169A (en) * | 1989-11-21 | 1993-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device having an improved control electrode structure and apparatus equipped with same |
| US5272345A (en) * | 1989-09-22 | 1993-12-21 | Ada Technologies, Inc. | Calibration method and apparatus for measuring the concentration of components in a fluid |
| EP0713254A2 (en) * | 1990-02-28 | 1996-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162644A (en) * | 1988-03-14 | 1992-11-10 | Hitachi, Ltd. | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source |
| NL8801342A (nl) * | 1988-05-25 | 1989-12-18 | Imec Inter Uni Micro Electr | Stralingsopnemer. |
| US5352920A (en) * | 1988-06-06 | 1994-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter with light shielding sections |
| JP2662062B2 (ja) * | 1989-12-15 | 1997-10-08 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP3120237B2 (ja) * | 1990-01-10 | 2000-12-25 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | イメージセンサ |
| US5260560A (en) * | 1990-03-02 | 1993-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric transfer device |
| ATE158442T1 (de) * | 1990-03-02 | 1997-10-15 | Canon Kk | Fotoelektrische übertragungsvorrichtung |
| CA2056087C (en) * | 1990-11-27 | 1998-01-27 | Masakazu Morishita | Photoelectric converting device and information processing apparatus employing the same |
| US5260592A (en) * | 1991-02-19 | 1993-11-09 | Synaptics, Incorporated | Integrating photosensor and imaging system having wide dynamic range with varactors |
| US5324958A (en) * | 1991-02-19 | 1994-06-28 | Synaptics, Incorporated | Integrating imaging systgem having wide dynamic range with sample/hold circuits |
| US5097305A (en) * | 1991-02-19 | 1992-03-17 | Synaptics Corporation | Integrating photosensor and imaging system having wide dynamic range |
| US5241884A (en) * | 1991-10-11 | 1993-09-07 | F. L. Smithe Machine Company, Inc. | Apparatus for changing the length of envelope blanks cut from a continuous web |
| US5401952A (en) * | 1991-10-25 | 1995-03-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Signal processor having avalanche photodiodes |
| WO1993016494A1 (en) * | 1992-01-31 | 1993-08-19 | Analog Devices, Inc. | Complementary bipolar polysilicon emitter devices |
| US5276348A (en) * | 1992-06-09 | 1994-01-04 | Advanced Photonix, Inc. | Dot matrix pattern on photosensitive semi-conductor surface |
| EP0627847B1 (en) | 1993-05-28 | 2001-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
| US5552619A (en) * | 1995-05-10 | 1996-09-03 | National Semiconductor Corporation | Capacitor coupled contactless imager with high resolution and wide dynamic range |
| JPH09129864A (ja) | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Canon Inc | 半導体装置及びそれを用いた半導体回路、相関演算装置、信号処理システム |
| DE19612660A1 (de) * | 1996-03-29 | 1997-10-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Optische Sensorvorrichtung mit Störsignalkompensation |
| JP3142239B2 (ja) * | 1996-06-11 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5838176A (en) * | 1996-07-11 | 1998-11-17 | Foveonics, Inc. | Correlated double sampling circuit |
| US5932902A (en) * | 1996-08-19 | 1999-08-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device with element-separating electrodes |
| US5786623A (en) * | 1996-10-22 | 1998-07-28 | Foveonics, Inc. | Bipolar-based active pixel sensor cell with metal contact and increased capacitive coupling to the base region |
| US5760458A (en) * | 1996-10-22 | 1998-06-02 | Foveonics, Inc. | Bipolar-based active pixel sensor cell with poly contact and increased capacitive coupling to the base region |
| TWI272557B (en) | 1997-06-12 | 2007-02-01 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
| JPH1126741A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JP3673620B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2005-07-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US5982011A (en) * | 1997-11-24 | 1999-11-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Photodiode structure augmented with active area photosensitive regions |
| JPH11196427A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Canon Inc | 単板カラー撮像装置 |
| JP3496918B2 (ja) | 1997-12-26 | 2004-02-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US6169317B1 (en) | 1998-02-13 | 2001-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and image sensor |
| JP3507336B2 (ja) | 1998-06-17 | 2004-03-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US6567571B1 (en) | 1998-06-24 | 2003-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device capable of outputting image signals by blocks and processing circuit which processes image signals by blocks |
| US6587603B1 (en) | 1998-07-06 | 2003-07-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor unit capable of outputting image signals by blocks and processing circuit which processes image signals by blocks |
| EP0999698B1 (en) * | 1998-11-02 | 2013-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device and method of resetting the same |
| US7129985B1 (en) | 1998-11-24 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus arranged on a single substrate |
| US6850278B1 (en) | 1998-11-27 | 2005-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus |
| SG75190A1 (en) | 1998-12-14 | 2000-09-19 | Canon Kk | Image processing method and apparatus image processing system and storage medium |
| US6878977B1 (en) * | 1999-02-25 | 2005-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, and image sensor and image input system making use of the same |
| AU4061200A (en) | 1999-03-31 | 2000-10-16 | Regents Of The University Of California, The | Multi-channel detector readout method and integrated circuit |
| JP3524440B2 (ja) | 1999-07-27 | 2004-05-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
| WO2002027763A2 (en) | 2000-09-25 | 2002-04-04 | Foveon, Inc. | Active pixel sensor with noise cancellation |
| JP2003209665A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像読取方法および画像記録読取装置 |
| JP5952548B2 (ja) * | 2011-11-10 | 2016-07-13 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及びその駆動方法 |
| ES2604766T3 (es) | 2012-09-20 | 2017-03-09 | Celltrion, Inc. | Derivado de dolastatina-10, procedimiento de producción del mismo y composición de fármaco anticanceroso que contiene el mismo |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1169663A (en) * | 1967-09-06 | 1969-11-05 | Commissariat Energie Atomique | Integrated Photosensitive Circuit |
| FR1582850A (ja) * | 1968-03-29 | 1969-10-10 | ||
| US3624428A (en) * | 1970-03-20 | 1971-11-30 | Rca Corp | Electric signal processing circuit employing capacitively scanned phototransistor array |
| US3626825A (en) * | 1970-05-28 | 1971-12-14 | Texas Instruments Inc | Radiation-sensitive camera shutter and aperture control systems |
| US3753247A (en) * | 1971-04-22 | 1973-08-14 | Rca Corp | Array of devices responsive to differential light signals |
| JPS5226974B2 (ja) * | 1973-02-14 | 1977-07-18 | ||
| US3969751A (en) * | 1974-12-18 | 1976-07-13 | Rca Corporation | Light shield for a semiconductor device comprising blackened photoresist |
| JPS54130828A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-11 | Canon Inc | Photo sensor array device and image scanner using it |
| JPS5578680A (en) * | 1978-12-08 | 1980-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state pickup device |
| JPS5775469A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | Light receiving device |
| JPS5795771A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Solid-state image pickup device |
| JPS57188183A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-19 | Canon Inc | Solid-state image pickup device |
| US4587415A (en) * | 1982-07-23 | 1986-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo-detecting device with storage time control |
| JPS5919480A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-01-31 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS59195861A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| US4686554A (en) * | 1983-07-02 | 1987-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter |
| JPS6030282A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
| JPS60120556A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| DE3413939A1 (de) * | 1984-04-13 | 1985-10-24 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Ungesaettigte polyesterharze |
| JPS61252659A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-10 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JPH0719882B2 (ja) * | 1985-05-01 | 1995-03-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPH0760888B2 (ja) * | 1985-06-12 | 1995-06-28 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPH0654957B2 (ja) * | 1985-11-13 | 1994-07-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US4683441A (en) * | 1985-11-19 | 1987-07-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus for establishing the differences between multiple pairs of analog input signals |
| US4698599A (en) * | 1986-06-11 | 1987-10-06 | International Business Machines Corporation | Differential summing amplifier for inputs having large common mode signals |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61219668A patent/JPH07120767B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-09-07 EP EP87307897A patent/EP0260858B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-07 DE DE87307897T patent/DE3788393T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-03-20 US US07/325,023 patent/US4972243A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5272345A (en) * | 1989-09-22 | 1993-12-21 | Ada Technologies, Inc. | Calibration method and apparatus for measuring the concentration of components in a fluid |
| US5124544A (en) * | 1989-11-21 | 1992-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device having an improved control electrode structure and apparatus equipped with same |
| US5241169A (en) * | 1989-11-21 | 1993-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device having an improved control electrode structure and apparatus equipped with same |
| EP0430557A2 (en) * | 1989-11-22 | 1991-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus |
| EP0713254A2 (en) * | 1990-02-28 | 1996-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter |
| EP0713254A3 (en) * | 1990-02-28 | 1996-11-27 | Canon Kk | Photoelectric converter |
| JPH04144169A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| EP0515849A2 (en) * | 1991-04-27 | 1992-12-02 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Image sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3788393T2 (de) | 1994-04-14 |
| EP0260858B1 (en) | 1993-12-08 |
| DE3788393D1 (de) | 1994-01-20 |
| EP0260858A3 (en) | 1989-03-29 |
| EP0260858A2 (en) | 1988-03-23 |
| JPH07120767B2 (ja) | 1995-12-20 |
| US4972243A (en) | 1990-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6376476A (ja) | 光電変換装置 | |
| US5831258A (en) | Pixel circuit with integrated amplifer | |
| JPH05207376A (ja) | 固体撮像装置及びその制御方法 | |
| KR950034814A (ko) | 고체촬상장치 | |
| JPS6343951B2 (ja) | ||
| JPS62113468A (ja) | 光電変換装置 | |
| US6049357A (en) | Image pickup apparatus including signal accumulating cells | |
| JP2019134413A (ja) | 撮像装置 | |
| US4866293A (en) | Photoelectric converting apparatus to prevent the outflow of excess carriers | |
| US10880510B2 (en) | Circuit of detecting light, image sensor and electronic device using the same and method of detecting light based on the same | |
| JP4192305B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH084129B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2515768B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2000022118A (ja) | 撮像装置 | |
| JPH0815320B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS61228667A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2741703B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2545471B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH084131B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3244557B2 (ja) | 固体撮像素子の入力回路 | |
| JPS5965470A (ja) | 電荷結合素子の出力構造 | |
| JPS63278269A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS6376477A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2501207B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3173806B2 (ja) | 電荷検出回路の駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |