JPS63501908A - プリント回路板および／またはプリント配線板の洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 プリント回路板および／またはプリント配線板の洗浄およびはんだマスク試験用 組成物およびその方法技術分野 本発明は、プリント回路またはプリント配線板製作時において洗浄に使用する非 毒性で環境に悪影響を及ぼさない組成物に関する。テルペンコンパウンドは、は んだフラックス、油類、ワックス類およびグリース状物質あるいは接着テープ残 留物の除去のような種々な目的を達成するために、テルペン乳化界面活性剤を含 んで、あるいはなしで使用される。本発明の組成物は、紫外線はんだマスク硬化 特性の試験にも同様に使用される。

背景技術 プリント配線板および／またはプリント回路板の製作において、はんだフラック ス類は、はんだの堅く、均一な結合を確保するために、基材板材料に最初に適用 される。これらはんだフラックス類は、二つの大きな種類に分類される二〇ジン および非ロジン、あるいは水溶性フラックス類。

一般に無腐蝕性であり、かつ長期間の使用の歴史を有するロジンフラックス類は 、電子工業を通じて、広範囲に常に使用されている。最近開発された水溶性フラ ックス類は、消費製品の用途においてその使用量が著しく増加している。

水溶性はんだフラックス類が強酸類および／またはハロゲン化水素アミン類を含 み、かつこのように腐蝕性であるために、残留する少量の物質が十分に除去され なければ、これらフラックス類は回路破損を生ずる。これらの理由のために、軍 事用にはロジンフラックス類を使用することが要求される。

しかしながら、ロジンはんだフラックス類を使用したとしても、痕跡の残留フラ ックスがはんだ付は後に除去されなければ基板抵抗の減少のために早期回路破壊 を導く。水溶性フラックス類が温石鹸水を用いて簡単に除去し得るが、プリント 配線板からロジンフラックスを除去することは、１．１．１−　トリクロロエタ ン、トカクロロモノフルオロメタン、塩化メチレン、トリクロロトリフルオロエ タン、またはこれら溶媒の混合物あるいは共沸混合物のような塩素化炭化水素溶 媒を使用して伝統的に行なわれていた。しかしながら、これら溶媒は毒性のため に好ましくない。このように、それらの溶媒の使用は、職業安全および健康層（ Ｏ８ＨＡ）により詳細な調査対象とされ、厳格な汚染物質装置が使用されなけれ ばならない。しかも、もし環境に放出されるならば、これら溶媒は簡単な生分解 性ではなく、長期間に渡って危険でおる。

通常、モノエタノールアミンの形態でアルカノールアミン類として既知のアルカ リ性洗浄配合物は、毒性塩素化炭化水素溶媒の代替品としてロジンフラックス除 去用とじて使用されていた。これら配合物は、鹸化工程を通じて化学的にロジン フラックスと反応してロジン石鹸を形成する。

界面活性剤あるいはアルコール誘導体のような他の有機物質は、かかるロジン石 鹸の除去を促進するためにアルカリ性洗浄配合物に加えられる。運悪く、水溶性 はんだフラックス類のような配合物は、製作工程において完全にかつ迅速に除去 されなければプリント配線板の表面および界面に腐食を生じさる傾向を有する。

他の解決手段において、ベイコス等（Ｂａｋｏｓ　ｅｔ　ａｌ、　）［アメリカ 合衆国特許第４．２７６、１８６号］は、ＩＣ（集積回路）モジュールからはん だフラックスおよびはんだフラックス残留物除去用にＮ−メチル−２−ピロリド ンおよび水混和性アルカノール混合物を使用した。これらの混合物も、ＩＣチッ プモジュールから硬化ポリイミド被覆組成物のような各種硬化合成有機ポリマー 組成物除去用に有効であると言われていた。

プリント配線板の製作において、基板の縁に耐蝕性金接続タブを作る工程のよう な加工段階から基板のある部分を一時的に保護する必要がおる場合がおる。回路 板のある部分の一時的な保護は、特殊な接着テープを影響を受ける面に使用する ことにより達成される。かかる保護が必要なくなると接着テープは除去される。

一般に、テープ接着剤が痕跡量残っていると、あるいは完全に除去されなければ 、早期基板破壊を導く。このテープ接着剤の除去は、すでに記載の毒性か−）環 境的１＝好ましくないｔ＝索化）８媒を使用して伝統的に行なわれでいた。

プリン１〜配線板製作にａ３いて一般に行なわれている他の方法は、は／Ｖだマ スクの適用である。名称が示すように、はんだマスクは、はんだが不必要または 好まれない面を覆うためにプリント回路板に選択的に適用されるポリマーまたは レジン］−１〜で必る。かかるマスキング（被覆）は永続的であるので、はんだ マスキングは単量体反応物質が重合づる″硬化″工程に違いない。はんだマスク の硬化がネト分であれば、はんだは被覆部分に侵入し基板破壊を生ずるであろう 。

ある種のはんだマスクは、７クリレート化学を基礎とするものであり、光開始重 合を受け、そして、ＵＶ（紫外）線により硬化を受ける。ＵＶ硬化はんだマスク の使用は、その硬化速度が早いにもかかわらずそのはんだマスク膜厚の好結果な 硬化に対し均一に違いないという点が右利である。使用されるＵ■照射は、深い はんだマスク付希層底部には侵入できず、厚い部位を硬化するために照射強度ま たは期間を増大する試みは、薄いマスク膜部位の脆化を生ず本発明の目的は、他 の不利な影響を基板に与えることなくプリント配線板からロジンは／υだフラッ クス類を安全かつ有効に除去するための組成物および方法を提供することである 。本発明の他の目的は、プリント−配線板から接着ラーーブ残留物除去用の安全 かつ有効な組成物および方法を（が供することである。本発明のさらなる目的は 、適当でない硬化ＵＶはんだ膜を保護し、プ１．ノン１〜回路板の失敗を避ける ための方法および組成物を提供することである。

本発明は、プリン１へ回路または配線板の製作においてロジンはんだフラックス 類および接着テープ残留物除去用洗浄方法および組成物を提供する。その結果、 洗浄不足により生ずる早期回路失敗の可能性を除去し、あるいは大幅に減少する 。本発明の組成物の洗浄効力は余りにも大きいので、処理プリン１〜配線板が厳 格な米国防省の仕様書に適合するものである。

本発明の組成物は、適当でない硬化ＵＶはんだマスクを保護するためにも使用し 得る。この作業は、普通に硬化した部分をそのまま残しながら基板からかかるは んだマスクの不十分な硬化部分を選択的に取り去る組成物の効能を利用して達成 される。

本発明の組成物は、従来、プリント配線板およびプリント回路板洗浄用に使用さ れていた塩素化炭化水素溶媒およびアルカリ性洗浄剤とは異なる低毒性、生分解 性および非腐蝕性によって特徴づけられる。その結果、高価な汚染設備は除くこ とができる。

さらに詳細には、本発明はリモネンあるいはジペンテンのようなテルペン化合物 を含むプリント回路／配線板処理用組成物を提供することにある。ロジンはんだ フラックス類、油類、ワックス類およびグリース状物質または接着テープ残留物 を溶解し、または複合体を形成し、除去する効能を有するこれらテルペン化合物 は、それ自体で使用され、例えば、洗浄吸着物質とともに除去される。しかしな がら、好ましくは本発明のデルペン化合物は水による除去を促進するためにテル ペン乳化界面活性剤と結合させられる。

図面の簡単な説明 本発明は、代表的なプリント回路／配線板製作法を示ずフローチャートである第 １図を参照することにより、より一層簡単に理解できるであろう。

本発明の詳細な説明 本発明の組成物は、一般にプリント回路または配線板の製作に使用されるロジン はんだフラックスあるいは接着テ゛−プ残留物を溶解する効能を有するテルペン 化合物類を含む。この目的に適するテルペン化合物は、ピネンに限定されるもの ではないが、α、β異性体の両者、ガンマテルピネン、デルタ−３−カレン、リ モネンおよびジペンテン（光学活性リモネンの異性体のラセミ混合物）を含み、 中でもリモネンおよびジペンテンが好ましい。

これらテルペン化合物は、単独で使用され、ロジンノラックスまたは接着テープ 残留物と複合体を形成し、除去後に、過剰テルペンでフラッシュすることにより 、または紙あるいは布に付着することにより除去される。しかしながら、テルペ ン類はほぼ完全に非水溶性のために、水で直接フラッシュされない。あるいはま た好ましくは、テルペン化合物は１種またはそれ以上のテルペン乳化界面活性剤 と結合している。かかる界面活性剤を添加すると、水ですすぐことによりテルペ ン類は水中油滴エマルジョンを形成するため、プリント配線板からのテルペン類 の除去を促進する。

直鎮アルキルベンゼンスルホネート類に限定されないが、直鎖または枝分れ鎖ア ルコールエトキシレート類およびエトキシスルフェート類、ポリソルベートエス テル類、エトキシレート化アルキルフェノール類およびアルキルおよびジアルキ ルスクシネート化合物を含む本発明のデルベン類の乳化可能な多数の界面活性剤 を使用できる。化合物の後者の１例として、ナトリウムジオクチルスルホスクシ ネートがある。エトキシレート化アルキルフェノール類は、各種アルキル側鎖お よび多数のリンクされたエチレンオキシド単位を含む。この類の有効な化合物は 、約５〜約２０、好ましくは７または８のエチレンオキシド基を含む。

本発明の組成物においてテルペン乳化界面活性剤の量は、Ｏ〜約４０ｉｔ％の範 囲で必り、その組成分の残分はテルペン化合物でおる。ＥＣ−１と称する好適な 実施例において組成物は、約６．５重量％のポリ（７）エトキシノニルフェノー ル、約２．１重量％のポリ（１０）エトキシノニルフェノール、約１．４重量％ のナトリウムジオクチルスルボスクシネー１〜および約９０重量％のリモネンを 舎む。

本発明の組成物は、本発明以前にプリント配線板洗浄用として使用されていた塩 素化炭化水素溶媒類とは異なり非毒性および環境に対し生分解性で特徴づけられ る。例えば、リモネンは、快いレモン臭を有するレモン、オレンジ、カラウェー 、イノンドおよびベルガモツトの油のような各種エーテル性油中の天然産品であ る。アメリカン　パブリック　ヘルス　アソシエーション、１６版″水および排 水の標準試験法”　（Ｓｔａｎｄａｒｄ　）ｆｅｔｈｏｄｓ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　 Ｅｘａｍｉｎａｔｉｏｎ　。

ｆ　Ｗａｔｅｒ　ａｎｄ　Ｗａｓｔｅｗａｔｅｒ、　１６ｔｈ　Ｅｄｉｔｉｏｎ 、　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｐｕｂｌｉｃ　Ｈｅａｌｔｈ　Ａｓ５ｏｃｉａｔｉｏｎ ）に記載の方法による試験によると、Ｅ（、−１は１０００　：　１の希釈でそ れぞれ生物学的酸素要求値（ＢＯＤ）として２９５ｍｙ、化学的酸素要求値（Ｃ ＯＤ）として１４２５ｍｇの値を有する。

本発明の組成物の各種方面のプリント回路／配線板製作法への適用は、第１図に 示される代表的なプロセスフローチャートを参照して最も良く理解され得る。

組立て製造法は、ＩＣ（集積回路）類、抵抗、コンデンサー、ダイオード類等の 要素の基板表面上への置換あるいはあらかじめドリルで開けた穴への挿入を含む 。その後、要素は機械的または自動手段によるはんだ付けにより固定される。そ のはんだ付けで散在させられ、回路の早期失敗を導くテープおよびはんだフラッ クス残留物を残さないことを保証する洗浄方法および検査がある。本発明の組成 物が適用される製作方法における位置は下記と同じとなる。

ロジンフラックス洗浄および接衿テープ残留物除去プリント回路／配線板製作時 のロジンはんだ付はフラックス沈着物または接着テープ残留物を除去するために 、本発明の組成物は浸洗タンクに浸漬することにより、または手動または機械的 ブラッシングにより基板に適用される。

あるいはまた、基板はいずれかの商業上入手可能なプリント配線板洗浄装置を用 いて適用しうる。皿洗い機の大きざあるいはトータル　システムズ　コンセプト 社のデュアルプロセス　クリーニング　システム　モデル　３１−２１８．３１ −４１８．３１−２２４および３１−４２４　［トータル　システムズ　コンセ プト、セントルイス　ミズーリー州（丁ｏｔａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ　Ｃｏｎｃｅ ｐｔ、　Ｓｔ、　Ｌｏｕｉｓ、　）ｔｏ）コのようなより大きな連続ベルト洗浄 機械を使用できる。それらの設Ｓ寸に依存して、それらの洗浄機は機械式ノズル でスプレーすることで、または湿ったローラー面で回転しながら接触することに より本発明の組成物を適用できる。組成物を適用する温度は、室温または常温（ 約７０’　Ｆ）から約１５０’Ｆの範囲である。テルペン乳化界面活性剤をその ままの濃さまたは水で約２容量％近くまで希釈して含有する組成物が使用される 。組成物は約１〜約５分間基板に接触すべきである。

典型的なプリント配線板製作法においてはんだ付【プフラ図中のポストはんだ洗 浄方法による″ボスト洗浄″により示される。

はんだ付はフラックスが約１へ・約５分間の典型的な接触時間に解かれかつ溶解 させられると、本発明の組成物は除去させられる。テルペン化合物類のみが使用 されると、その除去は非毒性、混和性溶媒でフラッシュし、または、適当な物質 へ吸収することにより行なわれる。テルペン乳化界面活性剤を含む本発明の好適 な実施態様において、その基板は約２分間に至るまで簡単に水でフラッシュされ る。

最適すすぎ時間は、使用される界面活性剤の種類およびテルペン化合物濃度によ って変化するが定型実験により簡単に決定し得る。

その後、洗浄された基板は、好ましくは強制空気で乾燥する。もし、空気が好ま しくは約１００’Ｆ以上に暖められると乾燥は促進させられる。

プリント配線板からのロジンはんだ付はフラックスのあまりの除去効率に、その 基板は洗浄後低固有抵抗に関する軍事仕様書に適合する。例えば、基板は、汚染 物がミル−ビーフ５５１１０Ｃ（Ｍｉ　１−Ｐ−５５１１０Ｃ）に従って洗浄板 から除去される溶媒抽出物の低固有抵抗に関するミル−ピー−２８８０９Ａ　（ Ｍ　ｉ　１−Ｐ−２８８０９Ａ＞規格に適合する。洗浄板の溶媒抽出物の固有抵 抗は、オメガメーター（ｏｍｅｇａ　＋ｅｔｅｒ　）で最も簡単に測定される。

オメガメーターは、ジョーシア州７１〜ランタ（Ａｔｌａｎｔａ、　ＧＡ　）に 所在のケンコー　インダストリーズ　インコーホレーテッド（Ｋｅｎｃｏ　Ｉｎ ｄｕｓｔｒｉｅｓ、　Ｉｎｃ、、　）の汚染物イオンによる固有抵抗値変化を迅 速に測定するマイクロプロセッサー−コントロール化汚染物質の試験システム用 の登録商標である。

オメガメーター測定結果は、／１ｌｆｆＮａｃΩ／ｉｎ２の当量単位またはメー トル当量で表わされる。ＭＩ　Ｌ−Ｐ−２８８０９Ａに従う洗浄板用の許容値が ２．２μｑＮａ’ｃΩ／　ｃｒＡまたは１４μＣＩＮａＣΩ／ｉｎ２当量でおる が、更に好ましい結果ははんだフラックスが本発明の組成物で除去された後、定 型的に得られる。約０．６７μｇＮａｃΩ／　ｃＡまたは４．３μＣＩＮａＣΩ ／ｉｎ２の値は典型的である。

金メツキ接続タブ類の腐蝕抵抗を改良する方法において、スズー鉛残留物は非メ ツキ化タブ類から最初に除去されるべきである。これら残留物の除去は、他の非 保護プリント回路／配線板構成要素を損傷するエツチング用薬品を用いて行なわ れる。エツチング用薬品から攻撃を受けやすい要素を保護するために、露光タブ 面を除く全部をシールドまたはスプラッシ保護を形成する接着剤メッキ用テープ で基板の両側は被覆される。その後、エツチング用薬品はタブ上のスズー鉛残留 物を除去し、ニッケルメッキは金円の基材として適用され、そしてタブの金メッ キが最終的に行なわれる。これらのエツチングおよびメッキ段階の全てを通じて 適切に保持された接着剤メッキ用テープは、その後除去される。接着剤テープの 使用は、″金メッキ用−７−プ″と称する位置における第１図中に示されている 。そのテープは″ニッケルおよび金メッキ″段階の後に除かれ、そしてこの位置 は本発明のテルペン化合物が最も有効に使用されるところである。

テープの除去後、シリコーンおよび／またはゴムを基礎とする残留物が基板上に 残る。この残留物は、はんだ付（プフラツクス除去用に上記と同条イ′１下で本 発明の組成物により簡単に除去される。正確な操作上のパラメーターは、テープ 残留物の性質および基板に接着する靭性にＪ、り決定されるが、上記の条件は一 般的に有効である。はんだフラックス除去の場合と同様に、本発明のテルペン化 合物を用いる基板処理は、水フラツシユおよび空気乾燥により一般的に行なわれ る。

本発明の組成物によるプリント回路／配線板からの接着テープ残留物除去が余り にも効率的であるので、洗浄後残留物はもはやみられない。簡単な５−１０Ｘス テレオマイクロスコープは、洗浄後のテープ残留物の目視を促進する、。

適当でな（／ｉ！し見ユ」／、はんだマスク用品質管用拭周本発明の組成物は、 妨害されなかった一般的な硬化域を残しながら、プリン１〜回路／配線板の未硬 化面ｊＪ。■、硬化性はんだマスクを持ち上げあるいは泡だでるということが意 外にも判った。この仕上げにおいて適当でない硬化はんだマスクの検出は、有益 な要素をそこに置く前にかかる欠陥のある基板を使用することを除去することに より利益がある。かかる検出は、第１図に示される″基板完成およびアセンブリ ー準備″において行なわれる。

検出されるはんだマスクは、メタクリレートポリマー化学を基礎とする。紫外線 に露光されるかがるポリマーは、ポリマーの光開始架橋により″硬化″シ、その 後のはんだ付は付着をレジストする強靭な保護膜を作る。本発明のテルペン化合 物により破壊されやすい領域は、はんだ付はマスクの弱い架橋域で必る。

かかる未硬化はんだ付はマスク域の検出は、Ｕ、Ｖ、はんだ付はマスクが添付さ れ、かつ、硬化したプリント回路／配線板をしばらくの間ＥＣ−１のような組成 物中に浮遊させ、水でそそぎ、その後目視により行なわれる。約７０°「〜約１ ５０’Ｆの温度で約１〜約５分間洗浄液に沈められ、または、スプレーを適用す ること等は通常有効である。その後、基板は、はんだ付はフラックスおよび接着 テープ残留物除去のために上記のように一般に水でフラッシュされ、そして、乾 燥される。浸漬タンクが使用される場合には、連続的に新鮮水でフラッシュする 第二タンクは、基板をすすぐために使用することが好ましい。

５−１０Ｘステレオマイクロスコープのようなマイクロスコープの使用によって 検査は促進し得るが、かかる計測器の使用は必須ではない。適当でない硬化Ｕ、 Ｖ、はんだ付すマスクを有する基板は、欠陥域にふくれ、泡、変色、亀裂および 歪の形跡を残す。

実施例二ロジンフラプラス洗−印 本発明の組成物の洗浄力を示すために、ＭＩＬ−Ｆ−１４２５６（タイプＲＭＡ ）について確認するためにロジンフラックスを使用して流ｖＪはんだ付けしたプ リント配線板は、機械的洗浄システムで洗浄された。

ＥＣＩと称する洗浄用組成物は、９０重量％のｄ−リモネン、６．５重量％のポ リ（７）エトキシノニルフェノール、２．１重量％のポリ（１０）エトキシノニ ルフェノールおよび１．４重量％のナトリウムジオクチルスルホスクシネートを 含んでいた。水で２５〜１００容積％濃度に希釈したＥＣ−１は、下に示すよう に使われた。洗浄システムは、カルフォルニア州ハンチング１〜ン　ビーチ（Ｈ ｕｎｔｉｎｇｔｏｎ　Ｂｅａｃｈ、　ＣＡ）所在のザ　ジョーン　ドライバー　 カンパニー（丁ｈｅ　Ｊｏｈｎ　丁ｒｅｉｂｅｒ　Ｃｏｍｐａｎｙ＞により製造 されたシリーズ４００、モデル丁Ｒ１’−Ｈ３Ｆアクウエアス　クリーニング　 システム（Ｓｅｒｉｅｓ　４００．　Ｎｏｄｅ１丁ＲＬ−Ｈ４Ｆ　Ａｑｕｅｏｕ ｓ　Ｃｌｅａｎｉｎｇ　ｓｙｓｔｅｍ　）であった。

洗浄システムは、装填、予備洗浄すすぎ、洗浄、エアナイフ乾燥、第一ずずぎ、 エアナイフ乾燥、最終すすぎおよび高速乾燥の操作が連続して行なわれるコンベ ヤー移動式モジュール設計を有する。常温における水および１２０゜Ｆにあける 洗浄用のＥＣ−１は、基板が８フィート／分のコンベヤ−上下でシステムを移動 する時、スプレーノズルマニホールドを通して適用された。エアナイフ乾燥にお いて、空気を押し出ずタービンは基板表面から液体を吹き飛ばす。最終高速乾燥 上ジコールにおいて二組のコンベヤー上下の二重のエアナイフは完全に洗浄基板 を乾燥する。このモジュールにあける空気は１２０″Ｆに加熱されていた。

洗浄されかつ乾燥された基板は、オメガメーター固有抵抗測定器により洗浄効率 が評価された。測定を行なうために洗浄されかつ乾燥され基板は、ＭＩＬ−Ｐ− ５５１１０Ｃ３３よびＭＩ　Ｌ−Ｐ−２８８０９Ａで特定されるように測定装置 に試験セルに充填され、その後イソプロパツール：水（２５：　７５．ｖ／）循 環溶液で抽出された。溶液の固有抵抗は、平衡に達するまで約５〜１５分間に渡 り１分当り２４回の割合で測定され、基板表面汚染抽出が本質的に完全で必るこ とを示した。平衡は、溶液の固有抵抗の変化がその前の２分間に測定されたいず れの値の５％より小さいかまたは同等である点であると規定した。

多数の洗浄試験の平衡固有抵抗測定を第１表に示す。

第１表 ＥＣ−１洗浄ロジンフラツクスはんだ付はプリント配線板の同右抵抗測定 当量ＮａＣｆ１汚染 第１表に示すように、測定した全濃度に；！６けるＥ（、−１は１４μｇＮａＣ Ｃ／ｉｎ２当量のＭＩＬ−Ｐ−２８８０９Ａ要求値をはるかに下まわる残留基板 表面汚染レベルを生ずるために有効でめった。

当業者には本発明の精神および範囲から離れることなく本発明の多くの修正およ び変更ができる。ここに記載の特有の実施態様は、実施態様を通じて与えられ、 本発明は添付の請求の範囲により規定される。

第１図 ネｍ正訳の翻訳文提出書 （特許法第１８４条の７第１項） 昭和６２年２月２７日 特許庁長官　黒　１）　明　雄　殿 ＰＣＴ／ＵＳ８６１０１３６１ 、発明の名称 プリント回路板および／またはプリント配線板の洗浄および（Ｊんち゛マスク試 験用組成物およびその方法 ３、特許出願人 住　所　アメリカ合衆国　フロリダ州　３２０３４　アメリア　アイランドボッ クス　２８０　ルート　２ 国　籍　アメリカ合衆国 ４、代理人 ５、補正書の提出年月日 兜ノ 訂ｊＥ請求の範囲 １、（ａ）基板をテルペン化合物とＯ〜約約４垂ルペン乳化界面活性剤を含む組 成物と接触し、（ｂ）はんだフラックスまたはテープ残留物を溶解するために十 分な時間接触し続け、そして（Ｃ）基板から組成物および溶解はんだフラックス またはテープ残留物を除去する ことから成るプリント配線板からのロジンはんだフラックスまたは接着テープ残 留物除去方法。

２、テルペン乳化界面活性剤が直鎖アルキルベンゼンスルホネート類、直鎖また は枝分れ鎖アルコールエトキシレート類およびエトキシスルフニー１〜類、ポリ ソルベートエステル類、アルキルおよびジアルキルスクシネート化合物類、およ び約５〜約２０のエチレンオキシド基を有する工１へキシレート化アルキルフェ ノール類から成る群から選ばれる請求の範囲第１項に記載の方法。

３、テルペン化合物がリモネンのｄ型、リネモンのΩ型およびジペンテンから成 る群から選ばれる請求の範囲第１項に記載の方法。

４、テルペン化合物がリモネンのｄ型、リネモンのΩ型およびジペンテンから成 る群から選ばれる請求の範囲第２項に記載の方法。

５、テルペン化合物がリモネンのｄ型、リネモンのΩ型である請求の範囲第１項 に記載の方法。

６．テルペン化合物がジペンテンである請求の範囲第１項に記載の方法。

７、界面活性剤が約６．５重量％のポリ（７）エトキシノニルフェノール、約２ ’、　１ｍｕ％のポリ（１０）エトキシノニルフェノールおよび約１．４重量％ のナトリウムジオクヂルスルホスクシネートから成る組成物である請求の範囲第 ５項に記載の方法。

８、接触がほぼ室温から約１５０’Ｆの温度で行なわれる請求の範囲第１項に記 載の方法。

９、接触がほぼ室温から約１５０″Ｆの温度で行なわれる請求の範囲第２項に記 載の方法。

１０、（ａ　）　ｌ板をテルペン化合物とＯ〜約４０重量％のテルペン乳化界面 活性剤を含む組成物と接触し、（ｂ）適当でない硬化Ｕ、Ｖ、（紫外線）はんだ マスク域を目で視て解くために十分な時間接触し続け、（Ｃ）基板から組成物を 除去し、そして（ｄ＞目視で解かれた適当でない硬化はんだマスク域を検出する ことから成るプリント配線板から適当でない硬化Ｕ、Ｖ。

はんだマスクを検出する方法。

１１、テルペン乳化界面活性剤が直鎮アルキルベンゼンスルホネート類、直鎖ま たは枝分れ鎖アルコールエトキシレート類およびエトキシスルフェート類、ポリ ソルベートエステル類、アルキルおよびジアルキルスクシネート化合物類、およ び約５〜約２０のエチレンオキシド基を有するエトキシレート化アルキルフェノ ール類から成る群から選ばれる請求の範囲第１０項に記載の方法。

１２、テルペン化合物がリモネンのｄ型、リネモンのΩ型およびジペンテンから 成る群から選ばれる請求の範囲第１０項に記載の方法。

１３、テルペン化合物がリモネンのｄ型、リネモンのｑ型およびジペンテンから 成る群から選ばれる請求の範囲第１１項に記載の方法。

１４、テルペン化合物がリモネンのｄ型、リネモンのΩ型である請求の範囲第１ ０項に記載の方法。

１５、テルペン化合物がジペンテンである請求の範囲第１０項に記載の方法。

１６、界面活性剤が約６．５重但％のポリ（７）エトキシノニルフェノール、約 ２．１重量％のポリ（１０）エトキシノニルフェノールおよび約１．４重量％の すｌ〜ツリウムオクチルスルホスクシネートから成る組成物である請求の範囲第 １４項に記載の方法。

１７、接触がほぼ室温から約１５０″Ｆの温度で行なわれる請求の範囲第１０項 に記載の方法。

１８、接触がほぼ室温から約’１５０’Ｆの温度で行なわれる請求の範囲第１１ に記載の方法。

国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．（ａ）基板をテルペン化合物と０〜約４０重量％のテルペン乳化界面活性剤 を含む組成物と接触し、（ｂ）はんだフラックスまたはテープ残留物を溶解する ために十分な時間接触し続け、そして（ｃ）基板から組成物および溶解はんだフ ラックスまたはテープ残留物を除去する ことから成るプリント配線板からのロジンはんだフラックスまたは接着テープ残 留物除去方法。 ２．テルペン乳化界面活性剤が直鎖アルキルベンゼンスルホネート類、直鎖また は枝分れ鎖アルコールエトキシレート類およびエトキシスルフェート類、ポリソ ルベートエステル類、アルキルおよびジアルキルスクシネート化合物類、および 約５〜約２０のエチレンオキシド基を有するエトキシレート化アルキルフエノー ル類から成る群から選ばれる請求の範囲第１項に記載の方法。 ３．テルペン化合物がリモネンおよびジペンテンから成る群から選ばれる請求の 範囲第１項に記載の方法。 ４．テルペン化合物がリモネンおよびジペンテンから成る群から選ばれる請求の 範囲第２項に記載の方法。 ５．テルペン化合物がリモネンである請求の範囲第３項に記載の方法。 ６．テルペン化合物がジペンテンである請求の範囲第３項に記載の方法。 ７．界面活性剤が約６．５重量％のポリ（７）エトキシノニルフエノール、約２ ．１重量％のポリ（１０）エトキシノニルフエノールおよび約１．４重量％のナ トリウムジオクチルスルホスクシネートから成る組成物である請求の範囲第５項 に記載の方法。 ８．接触がほぼ室温から約１５０°Ｆの温度で行なわれる請求の範囲第１項に記 載の方法。 ９．接触がほぼ室温から約１５０°Ｆの温度で行なわれる請求の範囲第２項に記 載の方法。 １０．（ａ）基板をテルペン化合物と０〜約４０重量％のテルペン乳化界面活性 剤を含む組成物と接触し、（ｂ）適当でない硬化Ｕ．Ｖ．（紫外線）はんだマス ク域を目で視て解くために十分な時間接触し続け、（ｃ）基板から組成物を除去 し、そして（ｄ）目視で解かれた適当でない硬化はんだマスク域を検出する ことから成るプリント配線板から妥当でない硬化Ｕ．Ｖ．はんだマスクを検出す る方法。 １１．テルペン乳化界面活性剤が直鎖アルキルベンゼンスルホネート類、直鎖ま たは枝分れ鎖アルコールエトキシレート類およびエトキシスルフェート類、ポリ ソルベートエステル類、アルキルおよびジアルキルスクシネート化合物類、およ び約５〜約２０のエチレンオキシド基を有するエトキシレート化アルキルフエノ ール類から成る群から選ばれる請求の範囲第１０項に記載の方法。 １２．テルペン化合物がリモネンおよびジペンテンから成る群から選ばれる請求 の範囲第１０項に記載の方法。 １３．テルペン化合物がリモネンおよびジペンテンから成る群から選ばれる請求 の範囲第１１項に記載の方法。 １４．テルペン化合物がリモネンである請求の範囲第１２項に記載の方法。 １５．テルペン化合物がジペンテンである請求の範囲第１２項に記載の方法。 １６．界面活性剤が約６．５重量％のポリ（７）エトキシノニルフエノール、約 ２．１重量％のポリ（１０）エトキシノニルフエノールおよび約１．４重量％の ナトリウムジオクチルスルホスクシネートから成る組成物である請求の範囲第１ ４項に記載の方法。 １７．接触がほぼ室温から約１５０°Ｆの温度で行なわれる請求の範囲第１０項 に記載の方法。 １８．接触がほぼ室温から約１５０°Ｆの温度で行なわれる請求の範囲第１１に 記載の方法。