JPS5866323A - 金属化組成物 - Google Patents

金属化組成物

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JPS5866323A
JPS5866323A JP57164164A JP16416482A JPS5866323A JP S5866323 A JPS5866323 A JP S5866323A JP 57164164 A JP57164164 A JP 57164164A JP 16416482 A JP16416482 A JP 16416482A JP S5866323 A JPS5866323 A JP S5866323A
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JP
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coating
weight
composition
tin
metal
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JP57164164A
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English (en)
Inventor
ウイリアム・ト−マス・ヒツクス
ウイリアム・カ−ル・サイデル
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EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H01G9/0425Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material specially adapted for cathode

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は金属化組成物および方法および%にり/タルコ
ンデンサー用卑金興導体カソードコーティングに関する
41のタンタルコンデンサーの製造においては、タンタ
ル金員粉末を真空高傷下に焼結させそしてこの焼結され
たスラグを電解溶液中でアノード処理して最終適用電圧
および所望の静電容量W度によって適当な厚さの鐵化夕
/タルを形成せしめている。これらのアノードスラグを
次いで導体としてのそしてま九酸化タンタルを保護する
ための酸化剤としてのMnO2の多数の層でコーティン
グする。次いでこのコーティングされたスラグを適用の
中間に焼成を行いつつグラファイトの水性懸濁液中にそ
れらを浸すことによって沈着させた多数のグラファイト
層でコーティングする。グラファイトでコーティングさ
れたパーツを有機ベヒクル中例えば「セロソルブ■」ア
セテートとブチルアセテートK11解させたアクリル樹
脂中の銀粉末の懸濁液中に浸漬させる。グラファイトお
よび銀コーティングはコ/デ/サー用のカソードとして
働く。次いでこれらカソードコーティングを150℃で
空気中で乾燥させて銀プラスアクリル樹脂の接着性コー
ティングを生成させる0次いでこのコーティングを穏和
な7ラツクスを使用して共融はんだ中ではんだづけする
。はんだづけされ九/そ−ツをANはエポキシコーティ
ングでシールするかま九は金興罐中に密封的ペシールし
これをアノード銀コーテイングに接触せし−め゛る。こ
れら風乾(エアドライ)組成物の典型的銀含量は銀35
〜60%で変動する。
フランス鵠許第7408542号明細書中には基材(基
買)に適用された銅および錫看末および樹脂フラックス
を包含する組成物が開示されている。この基材を次いで
加熱して、銅粒子のまわりに金員間鋼錫化合物を形成さ
せて、錫マトリックス中のコーティングされた銅粒子の
三次元網状構造を生成せしめる。このイーストは印刷回
路および装飾適用の製造者に有用であると述べられてい
る。またそのような組成物は例えば夕/タルコンデンを
一中に使用されでいるような銀組成物に対するよ゛り費
用のかからない代替物として使用しうるlことが簡単に
言及されているけれどもしかしそれは具体的には示され
てはいない、80〜97重量−〇銅および錫含有金属粉
末を20〜3重量−のロジンフラックスと共に包含する
広範囲の金属化組成物が開示されている。
更に日本叫詐第29597(1974)号明細書は鉛お
よび鉛合金例えばはんだを塗料の電気伝導性成分として
の金属粉例えば銀または鋼上にコーティングせしめた回
路板塗料を開示している。
従来技術においては多数の銅導体組成物が開示されてい
るけれども、導体組成物を直接誘電体金員酸化物層上に
コーディングさせるタンタルコンデンサー用カソードコ
ーティングの独判の間11に%定的に関係しているもの
はない。
従って不発f!At′i、 (a)  70〜95重量−の微縦分割され丸鋼粒子お
よび60〜5重量優の徽細分割された錫含有金属の混合
物92〜97重量−を、 (t+)  少くとも100の険価を有しそして少くと
も250℃の温[1で熱的に安定な有機酸フラックス4
〜t5重量饅、および (6)  弐R−N−R−(式中各RdそれぞれH%0
9〜gアルキル、02〜4アルケニルおよび01〜4ヒ
ドロキシアルキルより成る群から選ばれるがその際R基
の少くとも1個はアルキルまたはヒドロキシアルキルで
ある)に相当するアルカノ−ルアi;/ま九はフルキル
アi74〜t5重量−の (a  不活性有機1体 中のlW液に分散させた状態で包含する、コンデンテー
カンードコーティ/グとして使用するための金属化組成
物に関する。
その第20m様において、本発明は7ノード金属のコア
(1)を紡電体金l14w1化物の層(2)でコーティ
ングしそしてその誘電体・贋金カソード金属の層(3)
でコーティングさせてなるコンデンサーにおいて、カソ
ード金員コーティングとして少くとも220℃の温度で
錫の少くとも50重量−を銅金属と反応させてコーティ
ング中に金與関化合物0u58nを形成させるに充分な
時間O関加熱させた前記組成−物が使用される仁とを叫
黴としている。
更にその他の態様においては、本発明は前記金属化組成
物をカン−トコ−ティングとしてり/タルコンデンサー
に適用する方法に関する。
次に本発明を更に詳細に説明する。
A、金員電気伝導性相 使用しうる銅粒子は任意の市場的に入手可能な銅粉また
は銅ダストである。咎性的KFi、これら入手可能な物
質は曳好な伝導性に対して望ましい高い純f(通常少く
とも995%)を有している。しかしながら特にその不
純物がそれ自体伝導性でおる場合にはより劣った純度が
許容しうる。一般に入手可能々物質の高い純度物性の観
点から、実際問題として純度は通常は本発明の実施のた
めの物質の選択における考慮点ではシい。粒子サイズは
約(LOIβm〜約40 arrt %好ましくは約1
0μm〜約30μmでありうる。
使用しうる錫粒子は同様に、高純度(通常少くと499
.80%)の約0.01μm〜約40μm、そして好ま
しくは約10μm〜約5 Q ttmの粒子サイズの市
場的に入手可能な錯粉末である。非常に小さい粒子サイ
ズの利点および不利点は銅粒子に対してすでに述べたも
0と同様である。より一低い純度の錫粉末を使用するこ
とができるし同IIKその他の低融点金属を有する種々
の錫合金粉末および錫粉・混合物も使用できる。一般に
錫は少くとも20チ、そして好ましくは少くとも4゜−
のそのような混合物または合金を包含している。
しかしながら本発明はまた微細分割形態の錫含有はんだ
合金粉末例えば錫/鉛、錫/ビスマスおよび錫/銀にも
適用可能である。好ましい粉末は、例えば62チ錫、3
6−鉛および21銀、または63%錫および37チ鉛の
ような多量の錫を含有する共融組成物である。より高い
錫含有粉末例えば96チ錫4−銀もま九有用である。
導体相中の金属の比率は70〜95重量−〇鋼およびそ
れに従って30〜5重量−の錫または錫合金であるべき
である。しかしながら金員導体相が75〜90重量−の
銅および25〜10重量−の錫または錫合金を含有して
いることが好ましい。本発明の最良と考えられる一つの
様式は80重量−〇鋼および20重量−の錫または錫合
金を含有している。
導体金員は分散媒体を除いて92〜98%そして好まし
くは93〜95重量−の金属化物を包含している。最も
好ましい全異相濃度は94重量−である。
B、有機酸フラックス 本発明においては少くと4100の酸価を有している限
りは広範囲の有機7ラツクス物質を使用することができ
る(酸価とは酸性フラックス物質1を中の遊離酸を中和
するのに必要なWOEの岬数を意味する)、それに加え
て、それらは少くとも230℃(すなわち所望の金属間
化合物の形成が行われる最低S度)までの温度では熱的
に安定でなくてはならない。
好ましい有機酸フラックスは、ロジ/から誘導されたス
ラックス物質である。これらとしては、ロジンお・よび
変性ロジン例えばロジン霞導二量体酸、変性ロジン誘導
二量体酸、水氷化ロジン、重合ロジ/、非結晶性酸化抵
抗性樹脂、脱水素ロジン、部分水素化ウッドロジン、お
よび変性部分水素化ウッドロジンがあげられる。
更に、アルコールおよびアルカリの両方ttcIIJW
性の二塩基酸変性口:)/のエステルはこの使用に対し
て非常に良好である。更にその他の7ラツクス物質は樹
脂状チルはン誘導体多塩基酸である。このタイプの物質
はハーキエレス社から容易に入手可能である。良好に作
用することの見出されている脣定の物質は、スタイベラ
イト(8tayb・lit・)ム−1と称される不飽和
アビエチン徽およびd7タリy (P@ntalyn 
) 255と称される部分水素化アビエチン酸である。
スタイベライトおよびインタリンはハーキュルス社から
のロジン誘導物質に対する商品名である。
ロジン誘導体物質の他に前記misおよび熱安定性基準
を満足させる限りは飽和および不飽和O長鎖脂肪酸が適
当である。このタイプの適当な物質の例としてはラウリ
ン酸、ミリスチン酸、/々ル建チン酸、ステアリン酸、
オレイン酸およびリノール酸があげられる。
仁の有機酸フラックスね15〜4.0重量−の金属化物
(有機媒体を除く)を包含しているべきである。2.5
〜&5重Iチの72ツクスが好ましく、5.0重量−の
最適値が%に好ましい。
C1有機アミン 本発明に遍蟲な有機アミンは、式 %式% (式中、Rはそれぞれ独立し″tx%01〜8アル中ル
%02−4フルケニルおよびol、4ヒドロΦジアルキ
ルよね成る群から選ばれるがしかしこれらR基の少くと
も1個はアルキルまたはヒドロキシアルキルである)K
相当するアルクノールおよびアルキルアミンである。こ
のタイプの好ましい物質はモノアルキルア建ン例えばイ
ンプロピルアξ/および儒にポリアルカノールアイン例
えばトリエタノールアミンである。
有機アミンはまた金員化物の15〜4.0重量−(有機
媒体を除いて)を構成する。2.5〜五5重量−の有機
アミンが好ましくそして40重fisのアミンが鴫に好
ましい。
処方 7ラツクスおよびアミン物質が液体でない限りは、それ
らに対する溶媒を使用することがまた必要である。フシ
ククスおよびアミン溶液は次いで金員粒子を分散させう
るベヒクルとして働く、溶媒に対する要求はそれが7ラ
ツクスおよびアミンに対して溶媒であること、それが充
分に揮発性であって加熱操作の間に本質的に完全に除去
されること、そしてそれが系の電気的一体性に悪影響を
与えるような残渣を生じないことである。典型的には7
ラツクスがロジン由来のものである場合には溶媒はチル
はン炭化水素またはチルにンアルコールでありうる。使
用しうるその他の溶媒としてはその他の炭化水素および
置換(例えばハロゲン化)炭化水素があげられる。溶媒
混合物もまた使用しうる。
使用される溶媒の量は勿論フランクス物質を溶解させる
に充分なものでなくては々ら々い。
その要求以外には第−義的にはその溶媒量は金属化2−
ストの所望の粘1fKより支配される。
次に、この要求はば一ストの基材への適用のために選ば
れた方法により変動する。従ってに−スト中の金属粉末
または金属粉と7ラツクスとの組合せ物の負荷重量−は
平滑かつ均一にそのイーストをコンデンサ一本体に適用
して真好な電気伝導度およびはんだ性を有するカソード
コーティングを生成させうる限りは臨界的ではない、所
望の粘度の生成に合致させた可及的最高の負荷がi[ま
しい。その理由はそれが加熱時間を短縮させ、より緻密
なそしてコン/セクトな最終構造を招来し、そして乾燥
後のボイド(空II)および電気的不連続性を生成する
可能性を最小とするからである。典型的には本発明の金
員イーストは35〜25重量−の有機媒体に分散せしめ
られた65〜75重量−の固体分を包含している。
本発明の金属化組成物は場合により組成物の粘度を変化
させたりまたは乾燥後の基材への組成物の接着性を強化
させる目的のためにその他の成分を包含することができ
る0例えば種々の種類の樹脂伺えばエポキシ、フェノキ
シおよびアクリル樹脂を包含させて金属粒子に対する結
合剤として作用させることができる。熱硬化性樹脂をそ
の部分的硬化形態でかまたはその出発成分の混合物とし
て包含せしめて錫を溶融させそして銅粒子のまわりに金
属間銅/錫コーティングを形成させるような加熱段階が
また基材上のその場で樹脂をも硬化させて、それによっ
て基材へのパターンの接着を強化させるようにすること
ができる。電気的使用のためKFi、樹脂の種類および
量を選択してパターン伝導性にほとんどまたは全く悪影
響がないようにする。
適用 全異化R−ストを希釈して浸漬適用に適当な粘[((L
5PKB  またはそれ以下)とする、酸化マンガンお
よびグラファイトコーティングを有する完成し九タンタ
ルコンデンサ一本体ヲ、ば−ストが全グラファイトコー
ティングを覆うtでイースト中に浸漬させそして次いで
その本体を引き出す、その本体の形状およびサイズがそ
の入口の底に過剰のペーストの大筒をくっつけるよ51
に結果となる場合にはその本体をプラスチック表面でプ
ロットさせて過剰のイーストを除膏することができる。
このコーティングされた本体を30分間重−に放置して
溶媒を蒸発させる。わずかな高iI例えば85〜95℃
をその代りに使用しうる。仁の瀉変の加熱時間は臨界的
ではないと考えられる。
最終加熱段階は少くとも約200℃の温度で少くとも5
0重量%の錫を鋼粒子と反応させてCu18nを形成さ
せるに充分な時間実施される。
この反応は少くと屯220℃そして好ましくは230℃
を九はそれ以上Oi1度で実施するのが好ましい。
この組成物は72ツクスを活性化させて銅粒子0表面か
ら非伝導性酸化物を除去させ、そして錫衣子を銅粒子と
反応させて鋼粒子のまわりに金属間銅/錫化合物のコー
ティングを形成せしめるに充分なだけ畏い関その高温に
保持するべきで参る。こ゛の作用は、この組成物を後に
冷却し九後、ここにコーティングされ丸鋼粒子が錫を九
は錫合金マトリックス中の三次元網状構造で電気伝導的
に結合する程度まで実施されなくてはならない、4I定
の加熱時間は使用される加熱装置の種11によって変動
する6代表的加熱条件は例えば250℃に保持されたオ
ーブン中で5分間そして335℃の窒素ガス流れを有す
るオープン中でt5分間である。本質的ではないけれど
も、加熱段階を不活性ガス雰囲気例えば窒素中で実施し
て、銅粒子表面における非伝導性酸化鋼コーティングの
熟促進形成を減少させることが望ましい場合が−ある。
0u5a!l化合物の形成は錫の融点すなわち232℃
付近で行われるけれども、一度形成され走化合物rat
、例えば「oonstitution of Bina
ryム11oysJ第634頁(MoGraw−111
1社1958年版)の相ダイヤグラムに示されているよ
5に41の融点より実質的により高い融点を有している
。加熱後の本発明の金員化R−スト試料の顕微鏡的およ
びX#回折分析は銅粒子を囲むすぐ上のg 0u58n
 (m、p。
〜660℃)の薄いコーティングを示す。金属間化合物
の形成は、7ラツクスの作用によって表面酸化物が新た
に除去された鋼粒子のまわりに溶融錫が流れると直ちに
開始されると考えられる。銅に富んだC相は銅表面で形
成する。
試験方法 A、静電容量 静電容量は電荷と適用電圧との間の比例定数として定義
することができる(0”Q/v)。
並列プレートコンデンテーに対しては静電容量ね式 (式中Xは鰐電定数であり、ムはaII2のプレート頃
積であり、そしてa6鋼で表わした誘電体厚さである)
から計算することができる。この式に−よる静電容量は
静電単位で与えられる(17y ? ト−9X 101
1 静電単位)。
静電容量(キャパシタンス)は120または1KHz周
波数およびIT(交m、>でゼネラルラジオオートマチ
ックI’jLOブリッジモデル1683を使用して測定
される。静電容量は一般に7ノー+゛リードとはんだづ
けしたカソードコーティングの間で測定された。ある場
合にはリードはカソー−ドKuんだづけされそして測定
の丸めに使用きれた。
B、散逸係数(Dissipationνactor)
散逸係数は電圧に対する90°にクトルから電流がラグ
する角K(δ)の正接(tang@nt)である。
ここではそれは−散逸係数(100Xtanδ)4!−
シて表現されている。
散逸係数は前記静電容量に対して記載され九ものと同一
のゼネラルラジオオートマチックプリクジを使用して測
定された。
C,インピーダンス インピーダンスは交流の流れに対する電気回路中のみか
けの抵抗である。それは直流についての現実の電気抵抗
と同様である。
インピーダンスはコンデンサーを通して既知の1を流を
使用してコンデンサー当りO電圧低下を測定することに
よって測定された。電流はコンデンサーに関して一連の
標準抵抗IIM当り0電圧低下を測定することにより評
価された。α1〜1Mll11の周波数がこの測定にお
いては使用された。使用され九装置は50オームの出力
インピーダンスおよび0〜157(り出力(ピーク−ビ
ーク)を有しそしてヒエクレット−パラカード(Hew
lett−Paakar4) 400K ACボルトメ
ーターを有するり’O−7−/%イト(Krohn−1
11t、* ) 5400ムゼネレーターであり、そし
て次の補正が使用された。
Z =−(Rs+Rox) v。
式中、R8は直列抵抗(オーム)でありs ROXはジ
ェネレーター出力インピーダンス(オーム)であり、v
O#:1ジエネレーター出力電圧(ボルト)であり、V
mはニア/ダンサ−当りの電圧低下(ボルト)であり、
モして2はインピーダンス(オーム)である。
D、はんだ受容性 はんだ受容性は平滑な連続した光沢性はんだコーティン
グにより覆われ大面積比率である。
より良いはんだ受容性はそのようなコーティングに覆わ
れている面積のより高い比率により示される。
1、はんだ保持試験 仁の試験を使用してはんだイースト導体パッド上に?!
び流した場合に保持されるはんだイースト中沢含有され
るはんだ粉東の相対量を決定する。
方  法 t その上にデュポン8151マイクc7回路導体組成
物の100ミル四方のパッド416個を印刷しそして8
50℃で焼成した3個のj’X1’アルミニウム基材を
正確に秤量する。
2、80メツシユステンレススチール裏張ノスクリーン
を使用してこの導体パッド上に有機ベヒクルに分散され
たはんだ粉末のイーストをスクリーン印刷する。
3、 この311の印刷基材を再秤量してどれだけのは
んだイーストが印刷されたかを決定する。
4、基材を加熱することによってはんだイーストを再び
流す。
& それらをメチレンクロリドのビーカー中に30秒浸
すことKよってこの秤量し九基材から7ラツクスおよび
凝集していないはんだを除去1゛る。イーストを除去し
そしてそれをメチレンクロリドで飽和され九は−A−タ
オルでかるく拭く。
6.3個の基材を再び再秤量して導体パッド上べ保持さ
れてりる溶融はんだ粉末の重量を得る。
l jl終再流れ基材重量から基材および導体の重量を
減じ、これを基材プラスはんだ繋−ストから基材および
導体の最初の重量を減じたもので除したものとして保持
はんだ比率を計算する。
処方 本発明の組成物の製造においては、粒子状固体を有機分
散媒と混合し、そして適当な装置例えば3本ロールミル
を使用して分散させて懸濁液を形成させて、その粘度が
ブルックフィールドHBT粘度計(す5スピンドル10
 RPM )で測定シて約40〜100 /’スカルー
秒の範囲であるような組成物とする。
例1〜20 統計的マトリックス 6種の組成的工程ファクターを統計学的様式で変動させ
て一連の20個の実験試料を試験した。後に掲げる表!
#iこれら6個の7アクターの概略を示す。ファクター
1〜mは組成物の製造を包含する。
表  ■  (例1〜20) ファクター  条件コード          摘  
  畳I    ム   無処理銅粉 B   酸洗鋼粉末 1     0    0u粉50部/はんだ粉50部
D     Ou粉90部/はんだ粉10部ICOu粉
80部/はんだ粉20部 P     Ou粉70部/はんだ粉30部G    
 Ou粉60部/はんだ扮40部5      L  
   硬化温[205℃M    硬化i!!度230
℃ V      M     硬化時間2分〔ファクター
■〕 条件ム1表面積18〜2耐/pおよび2.5〜五7p/
cs”のかさ密度の微細分割された銅粉が使用された。
条#B、前記銅粉を60℃の5−硫酸溶液中に15分置
き、室温まで冷却させ、 −過し、そして洗液が中性(pH7) となるまで蒸留水で洗った。得られ た粉末を次いでメタノール中で2回 洗いそして真空下K 1%、時間乾燥させた。
〔ファクター■〕
このファクターは銅粉とはんだ粉との重量比を包含する
。銅粉は前記に記載されている。
使用されたはんだ粉は62重量−の錫、36重量−の鉛
、および2重xsotaの組成のものであった。粒子サ
イズ分散技術により測定され九典飄的粒子ナイズは次の
とおりであつft、10sF1?4ズ45.gz以上、
1osFitイズ15μ以下、そしてその物質の50−
は粒子サイズ直径が2511よりも微細であった。
仁の物質を325メツシユスクリーンに通した場合、5
−以下の物質しかスクリーン上に保持されなかつ九、は
んだ保持試験においてははんだ看の85重jl−以上が
保持された。
〔ファクター璽〕
この7アクターは樹脂溶液/トリエタノ−ルアイン/ブ
チルアセテート溶媒の重量比を包含する。この樹脂溶液
は次のようにし′r:、製造された0等重量部のアビエ
チン酸(ハーキエレス社「スタイベツィトムー1樹脂)
をブチルア七、チー、トと混合しそして攪拌しつつ80
〜85℃に加熱した。樹脂が完全に溶解するまで、約1
騒時間この懸濁液を保持した。得られた浴液を室gAt
で冷却させた。
ツーバー自動マラー(Hoover 0olor 0o
rp、製品)を使用して表■のファクター■〜IKより
示されているように銅、はんだ粉、樹脂溶液、トリエタ
ノールアミンおよびブチルア雪テートを分散させること
によって例1〜20の組成物を製造した。以後本明細書
中では、トリエタノールアミンは略号TICムで表わさ
れる。
ファクター■およびvFi卑金属組成物によるメンタル
コンデンサ一本体のコーティングを包含する。タンタル
コンデンサースラグはタンタルコンデンサー製造業者(
Mallory、!no、製品)から得られ九。これら
スツ〆は通常の方法で製造され丸。すなわちタンタル粉
を真空中でワイヤ上に焼結させた。焼結体を溶液中でア
ノード処理してタンタル粉末上にタンタル酸化物のコー
ティングを生成させ丸。この本体をマンガン婢液中に浸
漬させそして加熱して酸化マンガンコーティングを生成
させた。得られる本体を「アクアダグ(Aquadag
 ) J (グツ7アイトの2C1水性懸濁液、ムdh
asion 0O11o1ds Co、 9品)K浸漬
させ、そして燻焼してグ:)ファイトコーティングを生
成させた。この段階で、本体を通常電気伝導性銀分散液
中に浸漬させる。これら実施例の場合Kd、それぞれ1
個の本体を7アクタ−I%1.IKより表Hに記載され
ている組成物に浸漬させた。
浸漬する前に各組成物をブチルアセテートで希釈して浸
漬(ディッピング)K適当な約0.5Fmgの粘度とし
た。浸漬の後、コーティングし九本体を110℃でζ時
間乾燥させ、そして次いでコーティングを循環送風オー
プンを使用して111に記f1.のファクターyおよび
Vによって硬化させた。
〔7アクター■〕 オープン11度は205@を九は230℃にセットされ
ていた。
〔7アクターV〕 パーツを2分間または4分間オープン中に放置しな。
表  ■  (例1〜20) I      Bml  !    N02     
 BOK     L   05     BAHL 
  O 4BDHM     N 5     BDIi     7.+   N6  
  ム ()J     M   N7     Bo
ll     L   N8    ム OJ    
 M   09      Bmli    M   
010    ム ICHL   M ll         ム   MX        
M     N12         B()X   
     It013        1111   
     MQl 4         ム   G 
  工       MOl 5          
AD    J       MO16ム  Iep 
      M    N17         BF
K        MW18        ム   
OX        M     019      
   BGX        MOl0       
 ム   yx        n     )iそれ
らをrクスター(IC@nt@r)J 1429有機酸
フラックス(アζ)酸塩酸塩の水性溶液、 Litto
nXnAuatri@−社製品) Kii[llで浸漬
させそして次イテ220℃で3秒間629に錫/36%
鉛/2チ銀のはんだに浸漬させることによってこの硬化
パーツをはんだ処理した。電気的性質を測定しそしてこ
れらは各/4−ツのはんだ受容性評価と共に表厘に要約
されている0通常の銀分散液を使用してマロリー社によ
り製造され大同−タイプのコンデンテ−で測定されえい
くつかの電気的性質が比較のために包含されている。下
記においてこれらの結果は各7アクターの性質によって
解析されている。
表 厘 (例1〜20) 120 H21MHK  (MHK) 1 12.6  五〇 6.3 凹良好21五41[1
1318a9町 5 14.8 9.9 643 2.0良好4   1
5、l    7.7  5α0   16  非常に
良好5   14.2  13.2  848   2
J3  非常KJL好61t7  防 2&Ot2良好 712.27,757.719可 81t64.51a5 (L6可 91五14135.013可 10 116 1α1 745 17良好11    
1LO五8  1&1    α7  良  好12 
12.2 3.8    α9劣悪131L52J 1
五7116可 14 1t7  t5 6.4  α3劣悪15 12
.4 2.2 9.0  (14jL好16   11
7     五9  2t5    α8  良  好
171ム 4j  2LOQJ3良好 181t9155.9α3可 19 1t9 − − α3劣悪 2G  [j  19 49  L5 jL好ナナ −電容I値は外側カンード;−ティングにより影響され
ない、これは主としてタンタル金異幹表面積および酸化
物コーティングの厚さC函数である。従ってこれらデー
タを使用しての解析は行われなかった。
1キロヘルツで測定されえ散逸係数データは外側カソー
ドコーティングにより最大に影響される。しかしながら
120ヘルツ周波数でのデータが一般にタンタルコンデ
ンナーのための性能の畳性化に対して使用されている。
従って1キロヘルツ周波数データがこの実験!トリック
ス中の傘車の条件の選択に対して使用された。どちらの
周波数においても可及的最低の散逸係数値が所望される
。表11/lj1キロヘルツ周波数)散逸係数に及埋す
各ファクターの効果をII#L。
ている0表Iと組合せて表■を参照することによって、
次の結論が導き出される。無処理銅粉は洗った銅粉より
も低い散逸係数を与え九、鋼/はんだ粉の比は、散逸係
数Ktljはとんど影響を有していなかった。よ秒低い
比率の樹脂(1)は最低のDF(散逸係数)値を与える
。高い比率の樹脂(HおよびX)は最高のI)IF値を
与える。より低いTi1tム/樹脂比(工に対してJ)
は最低の散逸係数を与える。260℃の加熱Fi205
℃加−熱よりも低い散逸係数を与える。4分の硬化時間
が低いDν値を与えるコーティングにおいては優勢であ
る。
1メガヘルツの最低共鳴周波数に−おけるインピーダン
スの低い値が望°ましい。インピーダンスに及ばず異っ
たファクター条件の効果は表VKl!約されて四L0こ
こでもまた未洗沙銅粉は最嵐の結果、即ちより低いイン
ピーダンスを与える。鋼のはんだ金属粉に対する比はほ
とんど影響を有していない。低いTKム含量(1)を有
する低い樹脂含量は最低のインピーダンスを与える。
230℃の加熱は205℃の加熱よりも良好である。
4分の加熱時間は2分よりも明らかにより良好である。
表 IV  DPK及ぼすファクターの効果(1工)〔
最低DF値〕 1B   I   X   M   O6,514ム 
 G  工  M  O&4 18′      ム  0  工  M  O親92
0       ム  F  K   L  M   
6.9〔最高I)F値〕 5        BDHLN8&8 10       ム  B−X  L  M7瓜51
2        B   G   K   L   
D  測定不能19        B   G   
工  M  O1表 V  インピーダンスに及ぼすフ
ァクターの効果例 ファクター   111NVI町(
2)〔最低イノビーダンス〕1MH2 I       B   I   I   M   O
[L214      ム  σ  工  M  Oα
318      ム  0  工  MOα320 
     ム  F   K   L   N   a
3〔最高インピーダンス〕 3       B   F   m!   L   
O2,05B   D  HL   M   2.81
0      ム  Ili   HL   M   
2.77       B   OHL   M   
t9はんだ受容性 はんだ受容性に対するファクター条件の効果は表VJK
!!約されている酸洗浄銅粉は未洗浮粉よりも棗好な結
果を与える。高い銅含量(D)は低い銅/はんだ粉末比
(G)よりも良好である。高い樹脂およびTlム含量は
最良である。・より長い加熱時間は明らかに酸化によっ
てはんだ性を損傷させるらしい。
表 ■  はんだ受容性に及はずファクターの効果1 
ファクター  」−見−MWV−はスjSわ鋼生て最良
のはんだ性〕 4        Bl)liMo  非常KjL好5
           BD!!r、+N〔最悪の輻ん
だ性〕 1.2    B  G  K  L  O劣悪14 
          A    G    X    
M    O#19          1   G 
   X    M   Oz全般的に最良の組成物お
よび方法条件は例1〜201C基いて、次のように選択
され九電気的性質、散逸係数およびインピーダンスは最
も重要であると考えられた。1られる条件が受容できる
はんだを与える限りはそれら条件が電気的性質に影響を
及はしていない場合には、最良の条件の選択に対しては
はんだ受容性は使用されなかつ九。
〔ファクター■〕
未洗浄銅粉を使用することが好ましい。
(ファクター川〕 条件D%NまえはPKおけるようにより高い銅含量が好
ましい。
〔7アクタ一厘〕 条件IKおけるような低い樹脂および1含量が好ましい
〔7アクターy〕 230℃の加熱が至適である。
〔ファクター■〕
4分の加熱が全体的に最良である。
例21ム〜1 希釈の効果 ロール建ルを使用して80部の未洗浄銅粉および20部
のはんだ粉を5.9部の樹脂溶液(5,0部樹脂)、2
.9部Tl1lムおよびa8部のβ−テルピネオールを
使用して分散させることによって例21を製造した。例
1〜20と同一の物質が使用された。この組成は例11
のものと同一であるがしかしここではβ−テルピネオー
ルが別の溶媒としてブチルアセテートの代りに使用され
ている。次いで例21を表■に示されているように種々
の比率のブチルアセテートで希釈し丸。
前記した。J−ツを種々のl1fK希釈されたこの組成
物に浸漬させ、そして例1〜20の方法で230℃にお
いて3分の加熱を使用して処理した。
最適性質は例21の80部を20部のブチルアセテート
で希釈した場合に達成され九。
表 ■ 希釈の効果 21ム  8五3   1&7  高いpア210  
 72.7     27.3    劣ったはんだ受
容性21D    647     3五3   稀薄
すぎる21罵   50     50    非常に
稀薄すぎる例22 組成物調製における変動 等重量のハーキエレススタイペライ) A−111脂、
τΣムおよびβ−テルピネオールを使用して媒体を製造
し九。β−テルピネオールを60〜70℃に加熱し、そ
して次いで樹脂を攪拌しつつ徐々に加えた。4この懸濁
液をすべての樹脂が溶解するまで加熱し、そして次いで
TIIIAを加えそして溶液を室i1まで冷却させた。
次いで80部の未洗浄銅粉および20部のはんだ粉(共
に例1〜20に記載されている)をa82部の前記媒体
およびa82部のβ−テルピネオール中にロールンルを
使用して分散させることによって組成物を製造した。得
られ九樹脂および’1’lCムの含量はz9部であり、
そして最終β−テルピネオール含量はa8部で6つ九。
表■には例22の組成物および43重量部の銀分散液で
コーティングされた他の製造者からのタンタルコンデン
ナースラグを使用して測定され九データが要約されてい
る。例22の組成物を表中に例22人および一例−22
Bとして示されている2種の異つ九揚度まで希釈した。
6個のパーツを各々の希釈された組成物中に浸漬させた
。パーツを45分間室温で乾燥させ、そして次いで循環
送風オープン中で230℃で5分間「硬化」させた。最
後にケスター(K・−tsr )14297ラツクスを
使用して、それらを230℃で5秒間、62−錫/36
−鉛/2g!銀のはんだ中ではんだ処理し九。
対照として6個のパーツを銀分散液中に浸漬させ、そし
て50分間150℃で乾燥させた。これらパーツを次い
でアルファ100非活性化フラツクス(アルファ・メタ
ルズ社鯛品)を使用して200℃で3秒間6211錫/
36−鉛/2%銀のはんだ中ではんだ処理した。これは
アノードコーティングとしての重合体銀組成物でタンタ
ル;ンデンサーをコーティングすることに対する標準的
方法である。
表■KlN約されている電気的性質に対する平均値は例
22ム(80/20溶液)が最良の電気的性質を与える
こと、そしてこれらは銀分散液に対して測定されたもの
に近いということを示している。はんだ受容性は例22
ムおよび例22B両方に対して優れており、そしてこれ
は通常使用されている43重量SS重合体組成物に対す
るものより4良好である。すなわち処理操作におけるこ
れら変動は例1〜20または例21に使用され九ものと
同li度に良好な結果を与える・表 ■ 組成物製造法
の変化 22ム802o  α12 643α96α51良好2
2B 85  15  α32 654 t75α97
良好(2) ”  −660α81α39町(昭l) 
 iルックフィールド粘度計、機械L’VT、スピンド
ルφ2.60 RPM (25; )。
(2)  アクリル重合体、エチレングリコール七ノエ
チルエーテルアセテートおよび簿宛性溶媒溶液中に分散
させた通常の鎖粉分敷物、43重量%ムi0 例23 環境試験 媒体用の溶媒としてセロソルプア、七テート(ユニオン
・カーバイド社のエチレングリコールモノエテ、ルエー
テルアセテートの商品名)のみを使用する以外は例22
を同一の方法で組成物を製造し喪0本例では別のタンタ
ルコンデフサ−製造者からの211のタイプのパーツを
例22におけるようKしてコーティングし、そしてねん
だ処理し九。より高いDFおよびインピーダン餐を生成
させる′傾向のあるより高い電気抵抗の効果を強調する
ためにより高い静電容量試料が選ばれ丸。例23の組成
物を80部の組成物/20部のブチルアセテートになる
ように希釈し丸。
90部の組成物と10部、のブチルアセテートとの別の
希釈も調製した。この場合、対照としてブチルアセテー
ト希釈剤と共に50−の銀を含有するデュポン社製銀分
散液が使用された。銀;−ティング処理は例22記載の
標準的技術全使用して実施された。こζでもま喪例23
の卑 −金属、コーティングは標準銀分散液から霞導さ
れたものよりも一層良好なはんだ性を示し喪。
はんだ処理の後、直接パーツを使用者が所有している熱
硬化エボキシコーーイ/グに浸漬させそして硬化させた
。そのようなコーティングはメンタルコンデンサー技術
分野では標準的である。
次いで最終封入/セーフを2群にわけた。1群を、当産
業における標準熱サイクル試験すなわち各温度で騒時間
の露出および10秒の移動時間で一55℃〜+125℃
の7個のサイクルにかけ丸。散逸係数およびインピーダ
ンスに対する平均値を熱サイクルの前および後で測定し
た。これは表■に要約されている0例23の卑金属導体
コーティングに対する初期散逸係数およびインピーダン
ス値は通常の銀コーテイングに対するものより高いけれ
ども、これら初期値はコンデンサー製造業者によって許
容できるものと考χらりている。導体コーティング欠陥
は1Φロヘルツ周波数で増幅される。しかしタンタルコ
ンデンサー用散逸係数規格は120ヘルツにセットされ
ている。熱サイクルの間の変化は例23の卑金属コーテ
ィングまたは従来のよりに銀コーテイングされ九パーツ
に対しては有意ではないと考えられた。ここでもまたよ
り小さい希釈の組成物(90/19 )はより大なるコ
ーティング厚さ、そして従ってコンデンサーを通しての
M電流流れのより長い通路長さの故により高い散逸係数
およびインピーダンス値を与えた。
第2の群の封入パーツを「加圧クツカーy・−weoo
oker)J試験にかけ九。この試験はパーツを8時間
12°0・100′1′相対湿度および2!圧下で加熱
することを包含する。銀コーテイングに対しては、この
試験はこの分野で標準である40℃および95’14相
対湿度における通常の1000時間鱈出におけるより4
一層厳しい損傷を与える6表Xはこの試験の前および俵
で測定された平均D1およびインピーダンス値を要約し
ている。
ここでは通常の銀コーテイングに対するよりもはるかに
より厳しい劣化が例23の卑金属導体コーティングに対
して生じた。しかしより厚い90/10コーテイングが
より少い損傷を示し九ことは興味深い。このことねコー
ティングを通しての酸素の拡散すなわち銅−錫コーティ
ングの酸化の発生が散逸係数およびインピーダンスの上
昇の原因である仁とを示す。
そのような劣化を低下させるためKは2つの方法が利用
可能である。一つの方法としてはパーツを密封的にシー
ルすることができる。これはタンタルコンデンサーの技
術分野における標準的技術である。もう一つの方法とし
ては不活性ガス流れのもとに230℃以上の温度で卑金
属導体コーティングを加熱することKよって一層緻密な
コーティングを得ることができろ。
表 K 加熱サイクルの前および後の電気的性質初期最
終初期 最終初期最終 例2380/21)   47 49 4t6 52.
3  t5  t9(1)  50%Ag  2A2.
0 1a5 1t6  (L4  a4タイプB  5
S111AOOV 例2580/20 14.6 17.5 10&3 1
344 5.0 44112390/10 24929
.2 ’192.9225!2  a7  La4(1
)  5011Ag  4.0 45 2L8 2a8
  LOt2ωEXI)  エチレンダリコール七ノエ
チルエーテルアセテート溶液中に分散させそして509
1Agまで揮発性溶媒で希釈させた銀粉の通常の分散物
表 X 加圧クツカー試験の前および後の電気的性質初
期最終 初期 最終初期最終 例2580/20  45192J3 45385&6
  t6 47.650SAg2.5 43−1(Ll
  3t2  (L4  (L9タ プB  33μy
/1007 例2380/20  9.421a3 6a37118
  五1 79.2例2590/10 19.711&
815α1 75u  48 4oA50%Ag  五
82α9 2L5157.I  QJ3 45例24 
卑金属導体コーティングの811MおよびX線回折解析 組成物を例22におけるように製造しそして80部の組
成物および20部のブチルアセテートになるように希釈
した。ガラススライドをこの物質に浸しそして室温で4
5分間乾燥させ丸。
次いでそれをコーティングをタンタルコンデンナースッ
グ上で硬化させる場合と同様にして2−30℃で5分間
加熱した。この得られ九コーテイノグをX@回折技術に
よって解析した。主要相は銅金属であり、その際金属開
化合物tlug8nおよび鉛金員もまた検出されえ、は
とんどの錫は金属間化合物Ougan中に結合されてい
るようであった。
メンタルコンデンサースラグを例23におけるようにし
て例24の組成物でコーティングさせ、硬化させそして
はんだ処理した。走査電子顕微鏡(81M)および元素
分布を調べると約30μ厚さの銅に富んだ層がマノガフ
層に緊密KI!触していることを示す、グラファイト層
はそのような分析においては検出可能ではない。前記x
11回折解析によ些ばこの銅層は多分Cubanでコー
ティングされ丸鋼粒子よりなっている。この層の上には
最上部の半分の厚さの中に濃縮され九鉛を含有する6〜
10μ厚さの錫に富んだ層があった。すなわちタンタル
ログコンデンサー上のマンガンおよびグ9ファイト上の
コーティングはその本性上主として金属である。
例25〜30 樹脂およびTlム含量減少の効果一層低
い樹脂および71ム含量を使用する以外は例22の方法
で組成物を製造した。80ISO銅粉を62−錫、36
%鉛、2−銀のはんだ粉″$20部のと混合し九、金員
粉末100部に対する樹脂およびτ鳳ムの量(重量部)
は表3IIK示されている。より低い樹脂含量を使用し
た例はより高い含量のものに関する程大きく希釈するこ
とはできなかった。そ0理由は粉末沈降速度が早すぎる
ものとなるからである。組成物Oブチルアセテートに対
する希釈比は表に示されている。こζでもまた希釈組成
物をタンタルコンデンサ一本体上にフーティングし、2
30℃で5分間「硬化」させ、そしてケスター1429
フ2ツクスを使用して62−錫、36511鉛、21M
はんだ中で220℃ではんだ処理する。測定された電気
的性質は表)IIKII約されている。
表 X 樹脂およびTIA含量減少の効果11シ 1に
侶 25  五〇   2.9 80/20  α10 2
.02   α6426  2j   2:285/1
5  α12 2.40   α6327ム L5  
 t5 90/lo  低5 2.82   α932
7B  15   t5 85/15  α18 2.
70   α7128  五Ot5 90/10  α
15 158   α8129  2j   tl  
90/10  [Llo  2J30   α6350
  15   (L8 90/10  α11 236
   (L65(1)               
 L 38   α58注串 組成物の溶媒に対する比
(1)  エチレ/f9コールモノエチルエーテルアセ
テートおよび揮発性溶液中に分散させた銀粉の通常の分
散謙、43重j s’g。
一般に、金属含量に相対的にこの限度内で樹脂およびT
1ム含量を低下させることは電気的性質を損なわない、
しかしながらより低い樹脂含量はある与えられ大希釈比
においてより低い粘度を与え、そして従って辷れも組成
物はより低い希釈状態で適用された。IIられるより厚
い金属層はより高い抵抗を与えうるのであり、そして従
ってより低い絶縁性樹脂を存在させる仁との有利な効果
を相殺しうる。従って例25のものより少い樹脂または
Tlムの使用は明白な有利な効果を有していないと考え
られる。
例31〜33 部分水素化アビエチン酸の使用前記すべ
ての作業においては、樹脂として不飽和アビエチン酸が
使用された(ハーキュレススタイベライトム−1)、こ
の一連の実験においては、より高い伝導性および改善さ
れ走電気性が生じうるかどうかを知るために部分水素化
アビエチン域が試みられた。これらの場合前記例28〜
30におけると同様に化字量論的量のTlムが樹脂と共
Km用された。
例31Fi対照として不飽和アビエチン酸(ハーキエレ
ススタイベライトム−1)を使用して製造され、そして
試料は例22におけるように製造された。
例32Fi、例31と同一の金属含量を使用するが友だ
し40部のバーキュレスばフタリン856樹脂(部分水
素化アビエチン酸)およびt2部の〒1ムを使用して製
造された。例33t13,0部バーキュレスインクリン
255樹脂(部分水素化アビエチン@)を使用する以外
6例31のように製造され九。
すべての組成物は組成物80部およびブチルアセテート
20部の比で希釈された。6個のタンタルコンデンサー
スラグを各組成物に浸漬させ、そして230℃で5分間
「硬化コさせた。試料を前記例におけるようにしてはん
だ処理した。
平均電気的測定値を含む得られた性質は表罵に要約され
ている。データは完全に不飽和の賑の代りに部分水素化
アビエチン酸を使用した場合における比肩しうる有効性
を示している。
表 罵 部分水素化アビエチン酸の使用I KHz I
 MXlfl 31  スタイベライトム−1α10    t69 
  α34  良 好52インタリン856   α1
7  五46  α47  Jl  好33インタリン
255    (1105,47α50   可(1)
        t71  α22良好(2)(1) 
 エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートお
よび揮発性溶媒溶液に分散させ九銀粉の通常の分散物、
43重量−ムg0(a)  (1)と同一、5.011
Ag。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 IXIIL)  70〜95重量%の微細分割され丸鋼
    の粒子および30〜5重量−の微細分割された錫含有金
    属の混合物92〜97重量−を (1))  少くとも100の酸価を有しそして少くと
    も230℃のi1度まで熱的に安定な有機酸フラックス
    4〜15重量嗟および (0)  式R−N−R(式中各Rは独立してa 、 
    c1〜8アルキル、02〜4アルケニルおよび01.4
    ヒドロキシアルキルよりなる群から選ばれるがそのR基
    の少くとも1個はアルキ、ルま九は′ヒドロキシアルキ
    ルである)に和尚する有・  機アミン4〜15重量−
    の ((1)  不活性有機媒体 ・中溶液に分散させた状態で包含する、コンデンサーカ
    ソードコーティングとして使用する丸めの金属化組成物
    。 2)有機酸フラックスがロジン誘導体である、前記脣許
    請求の範囲第1項記載の組成物。 3)有機酸7ラツクスが水素化または非水素・化アビエ
    チン酸である、前記特許請求の範囲第2項記載の組成物
    。 リ 有機酸が飽和または不飽和の長鎖脂肪酸である、前
    記脣許請求の範囲811項記載の組成物。 5)有機アミンがポリアルカノールアミンである、前記
    特許請求の範囲第1項記載の組成物。 6)ポリアルカノールアミンがトリエタノールアミンで
    ある、前記脣許請求の範囲第5項記載の組成物。 7)75〜90重II−の銅、25〜10重量−の錫、
    2.5〜5.5%の有機酸7a)ツクス訃よび2.5〜
    五5−の有機アミンを含有する、前記特許請求の範囲第
    1〜6項のいずれか一つに記載の組成物。 8×1)  コンデンサースラグを前記橢杵請求の範囲
    第1項記載の組成物の液体浴に含浸させてコーティング
    をその上に生成させ、 (2)  コーティングを乾燥して有機媒体からの揮発
    性成分の除去を行わせ、 (3)  少くとも220℃の温度であるがしかし0u
    5Elnの分解温度以下においてコーティング中で錫の
    少くとも50重量−を鋼金属と反応させて金属間化合物
    Cu58nを生成させるに充分な時間この乾燥コーティ
    ングを加熱する ことを包含する、タンタールコンデンサーにカン−トコ
    −ティングを適用する方法。 9)アノード金属のコアを誘電体金属酸化物の層でコー
    ティングしそしてこの誘電体層をカソード金員の層でコ
    ーティングしてなるコンデンサーであって、カソード金
    属コーティングとして前記特許請求の範囲第1項記載の
    組成物を使用ししかもそのコーティングを少くとも22
    0℃の温度において錫の少くとも50重量−を銅金属と
    反応させてコーティング中に金員間化合物01J13n
    を形成させるに充分な時間加熱させることを包含する、
    改善され九コンデンサー。
JP57164164A 1981-09-23 1982-09-22 金属化組成物 Pending JPS5866323A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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US304890 1981-09-23
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GR (1) GR76728B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63501908A (ja) * 1985-07-01 1988-07-28 ペトロファーム インコーポレーティド プリント回路板および/またはプリント配線板の洗浄方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758929A (en) * 1986-11-08 1988-07-19 Showa Denki Kabushiki Kaisha Solid electrolyte capacitor and process for preparation thereof
US5853622A (en) * 1990-02-09 1998-12-29 Ormet Corporation Transient liquid phase sintering conductive adhesives
US5736070A (en) * 1992-10-13 1998-04-07 Tatsuta Electric Wire And Cable Co., Ltd. Electroconductive coating composition, a printed circuit board fabricated by using it and a flexible printed circuit assembly with electromagnetic shield
EP0736890B1 (en) * 1995-04-04 2002-07-31 Canon Kabushiki Kaisha Metal-containing compostition for forming electron-emitting device and methods of manufacturing electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus
US6291025B1 (en) * 1999-06-04 2001-09-18 Argonide Corporation Electroless coatings formed from organic liquids
US6787068B1 (en) * 1999-10-08 2004-09-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductor composition
JP2002134360A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP2004119692A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Koa Corp 抵抗体組成物および抵抗器
JP4535786B2 (ja) * 2004-06-18 2010-09-01 三井金属鉱業株式会社 含銅スズ粉、その含銅スズ粉を含む混合粉体、その含銅スズ粉の製造方法、及び、その含銅スズ粉又は混合粉体を用いた導電ペースト
KR100709724B1 (ko) * 2007-01-30 2007-04-24 (주)이그잭스 도전막 형성을 위한 금속 페이스트
KR100977163B1 (ko) * 2009-03-23 2010-08-20 덕산하이메탈(주) 솔더 접착제와 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치
KR101225497B1 (ko) * 2009-11-05 2013-01-23 (주)덕산테코피아 도전성 접착제와 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102071006B1 (ko) * 2009-11-11 2020-01-30 삼성전자주식회사 도전성 페이스트 및 태양 전지
US9947809B2 (en) 2009-11-11 2018-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
US9984787B2 (en) * 2009-11-11 2018-05-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and solar cell
US8987586B2 (en) 2010-08-13 2015-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
US8974703B2 (en) 2010-10-27 2015-03-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same
US9105370B2 (en) 2011-01-12 2015-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same
US8940195B2 (en) 2011-01-13 2015-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same
KR101796658B1 (ko) * 2011-03-28 2017-11-13 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
DE112013004358B4 (de) * 2012-09-05 2024-01-04 Kemet Electronics Corporation Verfahren zur Herstellung eines hermetisch versiegelten Polymerkondensators mit hoher Stabilität bei erhöhten Temperaturen
EP3013978B1 (en) 2013-06-29 2019-11-20 Firmenich SA Methods of identifying, isolating and using odorant and aroma receptors

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54114751A (en) * 1978-02-27 1979-09-07 Nippon Electric Co Electrolytic capacitor and method of producing same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB815554A (en) * 1955-12-28 1959-06-24 Amp Inc Improvements in or relating to electrical connections
FR2221533A1 (en) * 1973-03-14 1974-10-11 Du Pont Metallising paste contg. copper and tin dispersion - in a flux contg. a reducing agent
US4054714A (en) 1976-06-07 1977-10-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive adhesive composition
JPS56103260A (en) 1980-01-22 1981-08-18 Asahi Kagaku Kenkyusho:Kk Conductive paint containing copper powder

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54114751A (en) * 1978-02-27 1979-09-07 Nippon Electric Co Electrolytic capacitor and method of producing same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63501908A (ja) * 1985-07-01 1988-07-28 ペトロファーム インコーポレーティド プリント回路板および/またはプリント配線板の洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0075324A2 (en) 1983-03-30
DK422082A (da) 1983-03-24
US4434084A (en) 1984-02-28
GR76728B (ja) 1984-08-30
EP0075324A3 (en) 1985-08-21
CA1192039A (en) 1985-08-20

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