JPS6342145A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6342145A JPS6342145A JP18630286A JP18630286A JPS6342145A JP S6342145 A JPS6342145 A JP S6342145A JP 18630286 A JP18630286 A JP 18630286A JP 18630286 A JP18630286 A JP 18630286A JP S6342145 A JPS6342145 A JP S6342145A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体動作
層に形成された電極の厚みを、選択性無電解めっきによ
り厚くする工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
層に形成された電極の厚みを、選択性無電解めっきによ
り厚くする工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
半導体のオーム電極、例えば砒化ガリウム〈ＧａＡｓ）
へのオーム電極は、安定して低抵抗接触がとれることか
ら、ｎ型半導体では一般に金、ゲルマニウム、ニッケル
よりなる合金層が一般に用いられている。
へのオーム電極は、安定して低抵抗接触がとれることか
ら、ｎ型半導体では一般に金、ゲルマニウム、ニッケル
よりなる合金層が一般に用いられている。
金、ゲルマニウム、ニッケルよりなる合金層は、安定し
て低抵抗接触をとるため厚さの制限があり１０００人程
度である。これに対しゲート金属は抵抗をさげるため厚
さが５０００人程度ある。このためオーム電極とゲート
金属に厚さの差が生じ、第２図のごとく配線層形成のた
めの層間絶縁膜の平坦化が難かしい、コンタクト孔開孔
時の反応性イオンエツチングでオーム電極上の開孔を終
るまでにゲート金属上はオーバーエッチされコンタクト
孔が広がり微細な配線ができないという問題があった。
て低抵抗接触をとるため厚さの制限があり１０００人程
度である。これに対しゲート金属は抵抗をさげるため厚
さが５０００人程度ある。このためオーム電極とゲート
金属に厚さの差が生じ、第２図のごとく配線層形成のた
めの層間絶縁膜の平坦化が難かしい、コンタクト孔開孔
時の反応性イオンエツチングでオーム電極上の開孔を終
るまでにゲート金属上はオーバーエッチされコンタクト
孔が広がり微細な配線ができないという問題があった。
本発明の目的は、微細配線形成可能な半導体装置の製造
方法分提供することにある。
方法分提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、−主面に能動層を有
する半導体基板の前記能動層上にオーム電極と前記オー
ム電極より厚い所定の電極とを設ける工程と、無電解め
っきにより前記オーム電極のみに金膜を被着して前記所
定の電極とほぼ同じ厚さにする工程と、コンタクト孔を
有する層間絶縁膜を形成したのち配線層を形成する工程
とを含んでなるものである。
する半導体基板の前記能動層上にオーム電極と前記オー
ム電極より厚い所定の電極とを設ける工程と、無電解め
っきにより前記オーム電極のみに金膜を被着して前記所
定の電極とほぼ同じ厚さにする工程と、コンタクト孔を
有する層間絶縁膜を形成したのち配線層を形成する工程
とを含んでなるものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例の工程順に配
列した半導体チップの断面図である。
列した半導体チップの断面図である。
先ず、第１図（ａ＞に示すように、半絶縁性のＧ ａ
Ａｓ基板１の一主面にイオン注入法により能動層２念形
成し、ゲート電極３（タングステンＷ。
Ａｓ基板１の一主面にイオン注入法により能動層２念形
成し、ゲート電極３（タングステンＷ。
厚さ０．５μｍ）、オーム電極４（ＡｕＧｅ／Ｎｉ、厚
さＯ，１μｍ）を設け、次に第１図＜ｂ）（２示すよう
に、金シアン化カリウムを主成分とするめっき液を用い
て無電解めっきを行いイオン化傾向の差を利用してオー
ム電極４の表面のみに金膜５を厚さ０．４μｍ形成し、
次に第１図（ｃ）に示すように、絶縁膜６ａ（Ｓｉ０２
．厚さ１μｍ）をＣＶＤ法により形成し、ホトレジスト
を厚さ１μｍ塗布して２００℃で軟化平坦化し、てレジ
スト膜７を形成し、第１図（ｄ）に示すように、（ＣＦ
４＋０２）ガスを用いた反応性イオンエツチングにより
絶縁膜６ａまでエッチバックしＳｉＯ□膜の平坦化を行
なったのち、必要に応じて更にＳ ｉ ０２をＣＶＤ法
により例えば０．８μｍ成長させて表面が平坦な層間絶
縁膜６ａを形成する。
さＯ，１μｍ）を設け、次に第１図＜ｂ）（２示すよう
に、金シアン化カリウムを主成分とするめっき液を用い
て無電解めっきを行いイオン化傾向の差を利用してオー
ム電極４の表面のみに金膜５を厚さ０．４μｍ形成し、
次に第１図（ｃ）に示すように、絶縁膜６ａ（Ｓｉ０２
．厚さ１μｍ）をＣＶＤ法により形成し、ホトレジスト
を厚さ１μｍ塗布して２００℃で軟化平坦化し、てレジ
スト膜７を形成し、第１図（ｄ）に示すように、（ＣＦ
４＋０２）ガスを用いた反応性イオンエツチングにより
絶縁膜６ａまでエッチバックしＳｉＯ□膜の平坦化を行
なったのち、必要に応じて更にＳ ｉ ０２をＣＶＤ法
により例えば０．８μｍ成長させて表面が平坦な層間絶
縁膜６ａを形成する。
次に、レジスト膜をマスクとしてＣＦ４ガスを用いた反
応性イオンエツチングによりコンタクト孔８３開孔し１
次に第１図（ｅ）に示すように、厚さ５００人のＴｉ膜
、厚さ１０００人のｐｔ膜、厚さ４０００人のＡｕ膜を
順次連続スパッタ蒸着したのちホトレジストをマスクに
ミリングを行なって配線層９を形成する。
応性イオンエツチングによりコンタクト孔８３開孔し１
次に第１図（ｅ）に示すように、厚さ５００人のＴｉ膜
、厚さ１０００人のｐｔ膜、厚さ４０００人のＡｕ膜を
順次連続スパッタ蒸着したのちホトレジストをマスクに
ミリングを行なって配線層９を形成する。
この実施例において、オーム電極４に金Ｍ５を形成する
のにマスクを使用せずにゲート電極３とほぼ同じ厚さに
したのち絶縁膜を形成するので容易に表面が平坦な層間
絶縁膜が得られ、オーバーエッチによるコンタクト孔の
広がりを避けることができる。
のにマスクを使用せずにゲート電極３とほぼ同じ厚さに
したのち絶縁膜を形成するので容易に表面が平坦な層間
絶縁膜が得られ、オーバーエッチによるコンタクト孔の
広がりを避けることができる。
以上、ゲート電極とオーム電極を有する半導体装置の例
をあげて説明したが、ゲート電極とオーム電極の組合せ
に限らずイオン化傾向の差を利用して特定の電極のみに
無電解めっきを施すことのできる金属電極を備えたもの
であれば良いのである。
をあげて説明したが、ゲート電極とオーム電極の組合せ
に限らずイオン化傾向の差を利用して特定の電極のみに
無電解めっきを施すことのできる金属電極を備えたもの
であれば良いのである。
以上説明したように本発明は、オーム電極の表面に、無
電解めっきにより選択的に金膜を形成することにより、
オーム電極をパターニングなどの工程なしに所定の電極
と同じ厚さにでき、配線層のための層間絶縁膜の平坦化
が容易になり、またコンタクト孔の開孔も所定の電極と
オーム電極上で同じ所要時間で開孔され、過度のオーバ
ーエッチによるコンタクト孔の広がりもなくなり、微細
配線を有する半導体装置が得られるという効果がある。
電解めっきにより選択的に金膜を形成することにより、
オーム電極をパターニングなどの工程なしに所定の電極
と同じ厚さにでき、配線層のための層間絶縁膜の平坦化
が容易になり、またコンタクト孔の開孔も所定の電極と
オーム電極上で同じ所要時間で開孔され、過度のオーバ
ーエッチによるコンタクト孔の広がりもなくなり、微細
配線を有する半導体装置が得られるという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に配置したＧａＡｓＦＥＴチップの断面図、
第２図は従来のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのコンタクト孔開
孔後の断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、２・・・能動層、３・・・ゲー
ト電極、４・・・オーム電極、５・・・金膜、６ａ・・
・絶縁膜、６ｂ・・・層間絶縁膜、７・・・レジスト膜
、８・−・コンタクト孔、９・・・配線層。
めの工程順に配置したＧａＡｓＦＥＴチップの断面図、
第２図は従来のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのコンタクト孔開
孔後の断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、２・・・能動層、３・・・ゲー
ト電極、４・・・オーム電極、５・・・金膜、６ａ・・
・絶縁膜、６ｂ・・・層間絶縁膜、７・・・レジスト膜
、８・−・コンタクト孔、９・・・配線層。
Claims (1)
- 一主面に能動層を有する半導体基板の前記能動層上にオ
ーム電極と前記オーム電極より厚い所定の電極とを設け
る工程と、無電解めっきにより前記オーム電極のみに金
膜を被着して前記所定の電極とほぼ同じ厚さにする工程
と、コンタクト孔を有する層間絶縁膜を形成したのち配
線層を形成する工程とを含んでなることを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18630286A JPS6342145A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18630286A JPS6342145A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342145A true JPS6342145A (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=16185945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18630286A Pending JPS6342145A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6342145A (ja) |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP18630286A patent/JPS6342145A/ja active Pending
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