JPS63318141A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS63318141A
JPS63318141A JP62154104A JP15410487A JPS63318141A JP S63318141 A JPS63318141 A JP S63318141A JP 62154104 A JP62154104 A JP 62154104A JP 15410487 A JP15410487 A JP 15410487A JP S63318141 A JPS63318141 A JP S63318141A
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bridge
wiring
wirings
air bridge
parts
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Takashi Matsuoka
敬 松岡
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Mitsubishi Electric Corp
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Priority to FR8808159A priority patent/FR2616965A1/fr
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5221—Crossover interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分舒） この発明は、半導体基板上に形成するエアーブリッジ配
線の構造に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図（ａ）、（ｂ）は従来のエアーブリッジ構造を有
する半導体装置の平面図および側面図である。第２図に
おいて、１は第１層配線で複数形成される。２は前記第
１層配線１の幅広部分１ａにそれぞれ形成されたエアー
ブリッジ配線を形成するための橋杭部分、３は前記橋杭
部分２にまたがって形成されたエアーブリッジ配線の橋
板部分を示している。４は半導体基板である。また、図
中のＷｌはプロセス上および設計上必要な余裕配線間隔
、Ｗ２ａは主配線間の配線間隔である。
次に動作について説明する。
従来、半導体基板４上にエアーブリッジ配線を形成する
際には、まず、主配線となる第１層配線１をリフトオフ
法、あるいはエツチング法によって形成する。次いで、
エアーブリッジ配線を形成するために必要な橋杭部分２
はリフトオフ法によって形成する。そして最後に、エア
ーブリッジ配線の橋板部分３をリフトオフ法、またはメ
ッキ法により形成し、エアーブリッジ配線が形成される
。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のエアーブリッジ配線の形成方法は、エアーブリッ
ジの橋杭部分２が一直線上に並ぶように設計されていた
。第１層配線１のうち、エアーブリッジの橋杭部分２が
形成される幅広部分１ａは橋杭部分２を形成するための
マスク合せ余裕、パターンシフト量を考慮して、主配線
幅に比べて寸法を大きくしなければならなず、自動的に
主配線間、の配線間隔Ｗ２ａが大きくなってしまう。特
に、橋杭部分２の高さが高い場合、橋杭部分２を形成す
るためのレジストを厚くしなければならないので、橋杭
部分２の寸法が大きくなってしまい、主配線間の配線間
隔Ｗ２ａがさらに大きくなる。また、主配線の本数が多
い場合は、その影響は顕著であり、チップサイズの縮小
、さらに低コスト化には非常に不利であった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、エアーブリッジの橋杭部分の大きさおよび
高さが高くなっても主配線間隔が大きくならず、また、
主配線の本数が多くなってもその影響を大きく受けずに
、チップサイズの縮小、さらに低コスト化をはかった半
導体装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置は、第１層配線の複数の橋杭
部分が形成されるそれぞれの幅広部分を互いにずらした
位置に形成したものである。
〔作用〕
この発明においては、主配線が形成される橋杭部分を互
いにずらした位置にして第１層配線を形成したことから
、主配線間の配線間隔が広がらず、チップサイズの縮小
が可能となる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、１は主配線となる第１層配線、２はエ
アーブリッジ配線を形成するための橋杭部分、３はエア
ーブリッジ配線の橋板部分を示している。４は半導体基
板である。エアーブリッジ配線の形成要領については従
来法とまったく同じで良い。ただし、第１層配線１を形
成する際に、エアーブリッジ配線の橋杭部分２が一直線
上に並ばないようにずらして、例えば千鳥状に並ぶよう
に形成する。このようにすると、第１層配線１で橋杭部
分２が形成される幅広部分１ａは、主配線幅に比べて大
きくなっているが、横方向の突出部分の寸法が相殺され
て余裕配線間隔Ｗ１を同じ程度にとつたとしても第１層
配線１の配線間隔Ｗ２が狭く形成できる。
なお、上記実施例では、エアーブリッジ配線の橋杭部分
２を互いにずらして形成する一例として千鳥状にずらし
た場合について説明したが、これに限らず斜め一方向だ
けずらしても同じ効果が得られる。また、第１層配線１
．橋杭部分２．橋板部分３の形成方法についてもす′フ
トオフ法、メッキ法による形成またはＲＩＢＥ、イオン
シリング等によるドライエツチング、または薬品による
ウェットエツチングのいずれを組み合せて使用しても、
上記実施例と同様の効果を奏する。
（発明の効果） 以上説明したように、この発明は、第１層配線の複数の
橋杭部分が形成される幅広部分を互いにずらした位置に
形成したので、主配線の配線間隔を小さくすることが可
能になり、チップサイズの縮小、さらには低コスト化が
図られる。また、プロセス方式を従来方法から変更する
必要もない。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示す半導
体装置の平面図および側面図、第２図（ａ）、（ｂ）は
従来の半導体装置の平面図および側面図である。 図において、１は第１層配線、１ａは幅広部分、２はエ
アーブリッジ配線の橋杭部分、３はエアーブリッジ配線
の橋板部分、４は半導体基板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　　（外２名）第１図 ４ヰ導体基板 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上の複数の第１層配線のそれぞれの幅広部分
    に形成された橋杭部分にまたがってエアーブリッジ配線
    が形成された半導体装置において、前記各橋杭部分が形
    成される第１層配線の幅広部分を互いにずらした位置に
    形成したことを特徴とする半導体装置。
JP62154104A 1987-06-19 1987-06-19 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0783053B2 (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62154104A JPH0783053B2 (ja) 1987-06-19 1987-06-19 半導体装置
GB8814297A GB2207808B (en) 1987-06-19 1988-06-16 A semiconductor device having an air bridge wiring structure
US07/208,083 US4924289A (en) 1987-06-19 1988-06-17 Air bridge wiring for semiconductor devices
FR8808159A FR2616965A1 (fr) 1987-06-19 1988-06-17 Interconnexion par montage en pont exterieur sur un substrat semi-conducteur

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JPH0783053B2 JPH0783053B2 (ja) 1995-09-06

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ID=15577008

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US (1) US4924289A (ja)
JP (1) JPH0783053B2 (ja)
FR (1) FR2616965A1 (ja)
GB (1) GB2207808B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05259159A (ja) * 1992-03-16 1993-10-08 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路装置内の配線形状
US6962868B2 (en) 1999-03-16 2005-11-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device and wiring arranging method thereof

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0393635B1 (en) * 1989-04-21 1997-09-03 Nec Corporation Semiconductor device having multi-level wirings
US5019877A (en) * 1989-08-31 1991-05-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor
FR2653595B1 (fr) * 1989-10-25 1992-02-14 Valtronic France Circuit electronique a grille d'interconnexion.
JP3031966B2 (ja) * 1990-07-02 2000-04-10 株式会社東芝 集積回路装置
GB2273201B (en) * 1992-09-18 1996-07-10 Texas Instruments Ltd High reliablity contact scheme
JPH0722583A (ja) * 1992-12-15 1995-01-24 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 多層回路装置
JPH08306774A (ja) * 1995-05-01 1996-11-22 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
EP0834913A4 (en) * 1996-04-19 2001-09-05 Matsushita Electronics Corp SEMICONDUCTOR DEVICE
KR100697803B1 (ko) * 2002-08-29 2007-03-20 시로 사카이 복수의 발광 소자를 갖는 발광 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5154785A (ja) * 1974-11-08 1976-05-14 Nippon Electric Co Kurosuoobaa
JPS5321587A (en) * 1976-08-11 1978-02-28 Philips Nv Method of producing semiconductor device
JPS5357781A (en) * 1976-11-05 1978-05-25 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3921194A (en) * 1970-07-20 1975-11-18 Gen Electric Method and apparatus for storing and transferring information
US3932226A (en) * 1974-12-06 1976-01-13 Rca Corporation Method of electrically interconnecting semiconductor elements
US4080722A (en) * 1976-03-22 1978-03-28 Rca Corporation Method of manufacturing semiconductor devices having a copper heat capacitor and/or copper heat sink
JPS5819144B2 (ja) * 1977-12-02 1983-04-16 株式会社東芝 読み出し専用記憶装置
JPS59198733A (ja) * 1983-04-26 1984-11-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
US4651183A (en) * 1984-06-28 1987-03-17 International Business Machines Corporation High density one device memory cell arrays

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5154785A (ja) * 1974-11-08 1976-05-14 Nippon Electric Co Kurosuoobaa
JPS5321587A (en) * 1976-08-11 1978-02-28 Philips Nv Method of producing semiconductor device
JPS5357781A (en) * 1976-11-05 1978-05-25 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05259159A (ja) * 1992-03-16 1993-10-08 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路装置内の配線形状
US6962868B2 (en) 1999-03-16 2005-11-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device and wiring arranging method thereof

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Publication number Publication date
JPH0783053B2 (ja) 1995-09-06
GB8814297D0 (en) 1988-07-20
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GB2207808B (en) 1990-07-11
GB2207808A (en) 1989-02-08
US4924289A (en) 1990-05-08
FR2616965A1 (fr) 1988-12-23

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