JPS59198733A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS59198733A JPS59198733A JP58074301A JP7430183A JPS59198733A JP S59198733 A JPS59198733 A JP S59198733A JP 58074301 A JP58074301 A JP 58074301A JP 7430183 A JP7430183 A JP 7430183A JP S59198733 A JPS59198733 A JP S59198733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- layer
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000002485 urinary effect Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/118—Masterslice integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えばマスタースライス方式LSIのよう
に所定の配線格子に沿って結線するようにした半導体集
積回路装置に関するものである。
に所定の配線格子に沿って結線するようにした半導体集
積回路装置に関するものである。
オ1図に従来のマスタースライス方式LEI工における
配線構造の一例を示す。
配線構造の一例を示す。
オ1図において、(1)は半導体基板から成るLSIチ
ップ、(2a3〜(2f)は例えばシリコンゲートMO
Sトランジスタ等からなる論理機能をもった予め位置が
固定されたゲートセル列であシ、半導体基板(1)内に
互いに離間して形成された回路構成素子ブロックを構成
する。(3)〜(5)はゲートセルの端子、(6)は各
ゲートセル列間の配線領域(7)に仮想的に設定された
配線格子、(8)及び(9)は配線格子(6)の水平線
上に設けられた水平配線層であシ、同一層の配線層とし
て形成される。(10)〜Q2)は配線格子(6)の”
垂直線上に設けられた垂直配線層であシ、水平配線層(
8) 、 (9)上に形成された絶縁層(図示せず)上
に同一層の配線層として形成される。(13)は水平配
線層と垂直配線層とを接続するために両者間の上記絶縁
層にiけられたスルーホールである。
ップ、(2a3〜(2f)は例えばシリコンゲートMO
Sトランジスタ等からなる論理機能をもった予め位置が
固定されたゲートセル列であシ、半導体基板(1)内に
互いに離間して形成された回路構成素子ブロックを構成
する。(3)〜(5)はゲートセルの端子、(6)は各
ゲートセル列間の配線領域(7)に仮想的に設定された
配線格子、(8)及び(9)は配線格子(6)の水平線
上に設けられた水平配線層であシ、同一層の配線層とし
て形成される。(10)〜Q2)は配線格子(6)の”
垂直線上に設けられた垂直配線層であシ、水平配線層(
8) 、 (9)上に形成された絶縁層(図示せず)上
に同一層の配線層として形成される。(13)は水平配
線層と垂直配線層とを接続するために両者間の上記絶縁
層にiけられたスルーホールである。
なお、垂直配(互層を第1層、水平配線層2オ2層とし
て形成される場合があることはいうまでもない。
て形成される場合があることはいうまでもない。
従来のマスタースライス方式LSIでは、第1図に示す
ように、LSIチップ(1)の同一平面上に存在する電
気的に等価な端子(31、14a間の結線は、アルミニ
ウムから成る水平配線層(8)と垂直配線層(10)
、 (II)を用い、両者の間の絶縁層に対してスルー
ホール01を置くことによりx現していた。ここで、水
平配線層を幹線、垂直配線層子(6)の同一垂直線上に
おいて上の端子(5)に接続される幹線(9)は、下の
端子(4)に接続される幹線(8)よυ上に配置されな
ければならないという制約)が発生する。ところで、こ
の種の装置の水平、垂直配線各層には製造面からの制約
によって決まる配線間の最小許容間隔が決められており
、この間隔によって予め配線格子(6)ヲ設けておいて
この格子(6)上に配線することによシ、自助配線も比
較的容易に実現できるという利点がある。
ように、LSIチップ(1)の同一平面上に存在する電
気的に等価な端子(31、14a間の結線は、アルミニ
ウムから成る水平配線層(8)と垂直配線層(10)
、 (II)を用い、両者の間の絶縁層に対してスルー
ホール01を置くことによりx現していた。ここで、水
平配線層を幹線、垂直配線層子(6)の同一垂直線上に
おいて上の端子(5)に接続される幹線(9)は、下の
端子(4)に接続される幹線(8)よυ上に配置されな
ければならないという制約)が発生する。ところで、こ
の種の装置の水平、垂直配線各層には製造面からの制約
によって決まる配線間の最小許容間隔が決められており
、この間隔によって予め配線格子(6)ヲ設けておいて
この格子(6)上に配線することによシ、自助配線も比
較的容易に実現できるという利点がある。
しかるに、マスタースライス方式LSIでは、上及び下
側のセル列にはさまれた配線鎖板(7)の高さ配線格子
の水平線数が予め固定されておシ、使用ゲート数が増大
するにつれて、配線が不可能になる確率が高くなる。
側のセル列にはさまれた配線鎖板(7)の高さ配線格子
の水平線数が予め固定されておシ、使用ゲート数が増大
するにつれて、配線が不可能になる確率が高くなる。
また第2図のように、相互に結線すべき信号端子(14
a)と(141) ) E<び(15a)と(151)
)が配線格子の同一垂直線上に位置した場合、幹線間に
前述の上下制約の矛盾が発生し、この筐までは配線が不
可能となる。
a)と(141) ) E<び(15a)と(151)
)が配線格子の同一垂直線上に位置した場合、幹線間に
前述の上下制約の矛盾が発生し、この筐までは配線が不
可能となる。
このような場合、従来は、第3図囚〜tclに示すよう
な幹線分割方式を用いて上下制約の矛盾を解決していた
。
な幹線分割方式を用いて上下制約の矛盾を解決していた
。
しかし第31囚の場合はよいとしても、第3図(Bl及
びfclのような場合は総配線長が増大し、信号の余分
な遅延をもたらしたシ、新しい上下制約の矛盾が発生す
る可能性があるなどの欠点があった。
びfclのような場合は総配線長が増大し、信号の余分
な遅延をもたらしたシ、新しい上下制約の矛盾が発生す
る可能性があるなどの欠点があった。
また、第8図(4)の場合であっても、使用ゲート数が
増大するにつれて配線が不可能になる確率が高くなる点
については依然として解決しないものである。
増大するにつれて配線が不可能になる確率が高くなる点
については依然として解決しないものである。
この発明はこのような点に鑑みてなされたもので、高密
度化に伴なp配線の不可能を他の不都合を招来すること
なく解決するために、配線に使われる可能性のある配線
層を、回路構成素子ブロックの形成時に配線格子に対し
て斜め方向に予め形成した半醇体集積回路装置捉供する
ものである。
度化に伴なp配線の不可能を他の不都合を招来すること
なく解決するために、配線に使われる可能性のある配線
層を、回路構成素子ブロックの形成時に配線格子に対し
て斜め方向に予め形成した半醇体集積回路装置捉供する
ものである。
刈・4図はこの発明の一実施例を示す平面図であシ、偽
1図は1つの配線頭載(7)における一実施態様を示し
、(B)及び+C1はその一部を拡大して示すものであ
る。 ゛ この天雄側では、配線格子(6)の全域に亘つて同一の
対角方向に斜め方向配線層V句が設けられている。この
配線層(16)は、ゲートセル列を形成する除の不純物
拡散層工程において、不純物拡散層として同時に形成す
ることができる。また、ゲートセル列中にシリコンゲー
)MOS トランジスタが形成される場合は、そのゲー
ト電極形成工程において、多結晶シリコン層として同時
に形成することもできる。
1図は1つの配線頭載(7)における一実施態様を示し
、(B)及び+C1はその一部を拡大して示すものであ
る。 ゛ この天雄側では、配線格子(6)の全域に亘つて同一の
対角方向に斜め方向配線層V句が設けられている。この
配線層(16)は、ゲートセル列を形成する除の不純物
拡散層工程において、不純物拡散層として同時に形成す
ることができる。また、ゲートセル列中にシリコンゲー
)MOS トランジスタが形成される場合は、そのゲー
ト電極形成工程において、多結晶シリコン層として同時
に形成することもできる。
斜め方向配線層(I6)は、第4図(B)に示すように
、配線格子(6)の各枠−内の中心部において最小許容
間隔αで分断されており、配線として用いられ々い場合
はそのままでおかれるが、第4図fclに示すように、
上記分析部にコンタク) f+ηを設けることによシ、
配線として用いることができる。このコンタク) 11
ηは、例えば配j泉層(+31がネルを設け、珂・1層
目の水平捷たは垂直アルミニウム化、互層を形成する際
に、上記コンタクトホールにアルミニウムを埋め込むこ
とによシ実現できる。
、配線格子(6)の各枠−内の中心部において最小許容
間隔αで分断されており、配線として用いられ々い場合
はそのままでおかれるが、第4図fclに示すように、
上記分析部にコンタク) f+ηを設けることによシ、
配線として用いることができる。このコンタク) 11
ηは、例えば配j泉層(+31がネルを設け、珂・1層
目の水平捷たは垂直アルミニウム化、互層を形成する際
に、上記コンタクトホールにアルミニウムを埋め込むこ
とによシ実現できる。
第5図に、上下制約の矛盾にょる配線の不可能を、予め
形成された斜め方向IAt線層◇!を用いて)ヂメ決し
た例を示す。
形成された斜め方向IAt線層◇!を用いて)ヂメ決し
た例を示す。
址たこの捩雄側によれば、配線格子の水平腺数に対して
必要とされる水平・床敷が超過することによる配線の不
O1′能も、予め形成された斜め方向配線層(16)で
解決することが可能である。
必要とされる水平・床敷が超過することによる配線の不
O1′能も、予め形成された斜め方向配線層(16)で
解決することが可能である。
第6図はこの発明の他の実施例を示す要部平面図であシ
、この実施例の場合は、1配線格子の2つの枠にまたが
る斜め方向配線層(I6)が規則的に配置して形成され
ておシ、この場合の能尿層(161Kは、第4図の実施
例のような分りr部Lri設けられていない。
、この実施例の場合は、1配線格子の2つの枠にまたが
る斜め方向配線層(I6)が規則的に配置して形成され
ておシ、この場合の能尿層(161Kは、第4図の実施
例のような分りr部Lri設けられていない。
この実施例の場合も、例えば77図に示すように配線し
て、上下制約の矛盾による配線の不可能を解決すること
ができる。
て、上下制約の矛盾による配線の不可能を解決すること
ができる。
以上、マスタースライス方式LSIの場合について説明
してきたが、この発明はいわゆるビルディングブロック
方式LSIにも適用可能である。
してきたが、この発明はいわゆるビルディングブロック
方式LSIにも適用可能である。
以上のように、この発明によれば、配置諷密度の高い@
域の配線の不可能を容易に解決することが可能となる。
域の配線の不可能を容易に解決することが可能となる。
しかも、配線に使われる可IJL性のある配線層を、回
路構成素子ブロックの形成時に配線格子に対して斜め方
向に予め形成しておくことができるので、工程数の増加
等の不郁合を何ら招来することはない。
路構成素子ブロックの形成時に配線格子に対して斜め方
向に予め形成しておくことができるので、工程数の増加
等の不郁合を何ら招来することはない。
珂・1図はマスタースライス方式LSIの概要を示す平
面図であり、囚は全体図、(Blは一部拡大図である。 第2図は従来装置の欠点を説明するための図、第3図は
従来装置のpt線線法法例示す図、第4図はこの発明の
一実施例を示す平面図、第5図はその使用例を示す図、
第6図はこの発明の他の実施例を示す図、オフ図はその
W4用例を示す図である。 1図において、(1)は半導体基板、(2a 3〜(−
2f)は回路構成素子ブロック、(6)は配線格子、(
7)は配保唄」或、(8)及び(9)は水平配線層、
100)〜θ匂は垂直配線層、(1G)は斜め方向配線
層である。 なお、図中、同一符号は同−又は4目当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第1図 第2 II 第:3図 (A)(B) 第4図 (A) 脇5図 第0図 第7図 手続補正書(自発) 11.オI458年640 日 生−旨′[庁長官殿 1、事件の表示 b−願昭58−74801号2、
発明の名称 半導体集積回路装置 :う、補正をする者 代表者片山仁へ部 1、代理人 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 明細書第5頁第14行目に1半導体集積回路装質提供」
とあるのを「半導体集積回路装f?tを提供」と訂正す
る。 以 上 手1.Jこ補正升(自発) 1.1゛許j)長官h(乏 1 、 =IG 1′1(7) ノG ;、’;
!j、’i+9fj11i”5B−748
01e2、発明の名称 半導体集積回路装置;う
補正をする者 ・l f’l、との関係 腸・許出願人代表省 片
111 仁 八 部 4、浅凹)人 5、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 6、補正の内容 (1)明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 (2)明細書第4頁第9行目に1の高さ配線格子の水平
線数かヨとあるのを1の高さく配線格子の水平線数)が
ヨと旧圧する。 (3)明細書第7頁第19〜20行目番こ1ビルディン
グブロック方式LSIJとあるのを1ビルディングブロ
ック方式(又はポリセル方式、スタンダードセル方式、
ゼネラルセル方式)LSIJとS」正する。 以 L 特許請求の範囲 (1)単一の半導体基板内(こ互いに離間して形成され
た複数の回路構成素子ブロックを有し、この回路構成素
子ブロック間の配線領域]こ設定される配線格子の水平
線りに設けられる水平配線層と、L記配線格子の垂直線
とIこ設けられる垂直配線層とを用いてL記回路構成素
子ブロック間の接続がなさ9るよう番こした半導体集積
回路装置において、L記配線格子に対して斜め方向の配
線層が、上記回路荷載素子ブロックの形成時にL記配線
領域1こ設けられていることを特徴とする半導体集積回
路装置。 (2ン斜め方向の配線層は不純物拡散層から成る特許請
求の範囲第1項記載の半導体集積回路装置。 (3)斜め方向の配線層は多結晶シリコンから成る特許
請求の範囲第1項記載の半導体集積回路装置。
面図であり、囚は全体図、(Blは一部拡大図である。 第2図は従来装置の欠点を説明するための図、第3図は
従来装置のpt線線法法例示す図、第4図はこの発明の
一実施例を示す平面図、第5図はその使用例を示す図、
第6図はこの発明の他の実施例を示す図、オフ図はその
W4用例を示す図である。 1図において、(1)は半導体基板、(2a 3〜(−
2f)は回路構成素子ブロック、(6)は配線格子、(
7)は配保唄」或、(8)及び(9)は水平配線層、
100)〜θ匂は垂直配線層、(1G)は斜め方向配線
層である。 なお、図中、同一符号は同−又は4目当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第1図 第2 II 第:3図 (A)(B) 第4図 (A) 脇5図 第0図 第7図 手続補正書(自発) 11.オI458年640 日 生−旨′[庁長官殿 1、事件の表示 b−願昭58−74801号2、
発明の名称 半導体集積回路装置 :う、補正をする者 代表者片山仁へ部 1、代理人 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 明細書第5頁第14行目に1半導体集積回路装質提供」
とあるのを「半導体集積回路装f?tを提供」と訂正す
る。 以 上 手1.Jこ補正升(自発) 1.1゛許j)長官h(乏 1 、 =IG 1′1(7) ノG ;、’;
!j、’i+9fj11i”5B−748
01e2、発明の名称 半導体集積回路装置;う
補正をする者 ・l f’l、との関係 腸・許出願人代表省 片
111 仁 八 部 4、浅凹)人 5、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 6、補正の内容 (1)明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 (2)明細書第4頁第9行目に1の高さ配線格子の水平
線数かヨとあるのを1の高さく配線格子の水平線数)が
ヨと旧圧する。 (3)明細書第7頁第19〜20行目番こ1ビルディン
グブロック方式LSIJとあるのを1ビルディングブロ
ック方式(又はポリセル方式、スタンダードセル方式、
ゼネラルセル方式)LSIJとS」正する。 以 L 特許請求の範囲 (1)単一の半導体基板内(こ互いに離間して形成され
た複数の回路構成素子ブロックを有し、この回路構成素
子ブロック間の配線領域]こ設定される配線格子の水平
線りに設けられる水平配線層と、L記配線格子の垂直線
とIこ設けられる垂直配線層とを用いてL記回路構成素
子ブロック間の接続がなさ9るよう番こした半導体集積
回路装置において、L記配線格子に対して斜め方向の配
線層が、上記回路荷載素子ブロックの形成時にL記配線
領域1こ設けられていることを特徴とする半導体集積回
路装置。 (2ン斜め方向の配線層は不純物拡散層から成る特許請
求の範囲第1項記載の半導体集積回路装置。 (3)斜め方向の配線層は多結晶シリコンから成る特許
請求の範囲第1項記載の半導体集積回路装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 +11 単一の半導体基板内に互いに離間して形成さ
れた複数の回路構成素子ブロックを有し、この回路構成
素子ブロック間の配線領域に設定される配線格子の水平
線上に設けられる水平配線層と、この水平配線層とは異
なる層で上記配線格子の垂直線上に設けられる垂直配線
層とを用いて上記回路構成素子ブロック間の接続がなさ
れるようにした半導体集積回路装置において、上記配線
格子に対−て斜め方向の配線層が、上記回路構成素子ブ
ロッ多の形成時に上記配線@域に設けられていることを
特徴とする半導体集積回路装置。 (2) 斜め方向の配線層は不純物拡散層から成る特
許請求の範囲オ直項記載の半導体集積回路装置。 (3) 斜め方向の配線層は多結晶シリコンから成る
特許請求の範囲オ1項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58074301A JPS59198733A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 半導体集積回路装置 |
US06/599,065 US4673966A (en) | 1983-04-26 | 1984-04-11 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58074301A JPS59198733A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59198733A true JPS59198733A (ja) | 1984-11-10 |
Family
ID=13543167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58074301A Pending JPS59198733A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4673966A (ja) |
JP (1) | JPS59198733A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0499353A (ja) * | 1990-08-18 | 1992-03-31 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
Families Citing this family (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH073838B2 (ja) * | 1985-02-28 | 1995-01-18 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
JPS63102342A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置の配線構造 |
JPH0783053B2 (ja) * | 1987-06-19 | 1995-09-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US4974048A (en) * | 1989-03-10 | 1990-11-27 | The Boeing Company | Integrated circuit having reroutable conductive paths |
JP2647188B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1997-08-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2938955B2 (ja) * | 1990-10-02 | 1999-08-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積装置の配線方法 |
US5490042A (en) * | 1992-08-10 | 1996-02-06 | Environmental Research Institute Of Michigan | Programmable silicon circuit board |
JP3185540B2 (ja) * | 1994-06-10 | 2001-07-11 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路 |
US5808330A (en) * | 1994-11-02 | 1998-09-15 | Lsi Logic Corporation | Polydirectional non-orthoginal three layer interconnect architecture |
US5578840A (en) * | 1994-11-02 | 1996-11-26 | Lis Logic Corporation | Microelectronic integrated circuit structure and method using three directional interconnect routing based on hexagonal geometry |
US6831317B2 (en) * | 1995-11-09 | 2004-12-14 | Hitachi, Ltd. | System with meshed power and signal buses on cell array |
US6262487B1 (en) * | 1998-06-23 | 2001-07-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit wiring method, and cell arranging method |
US6480989B2 (en) * | 1998-06-29 | 2002-11-12 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit design incorporating a power mesh |
US6483668B2 (en) | 1999-01-22 | 2002-11-19 | Seagate Technology Llc | Edge contact protection feature for a disc drive head |
US6889372B1 (en) | 2000-07-15 | 2005-05-03 | Cadence Design Systems Inc. | Method and apparatus for routing |
US6898773B1 (en) | 2002-01-22 | 2005-05-24 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for producing multi-layer topological routes |
US6535413B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-03-18 | Micron Technology, Inc. | Method of selectively forming local interconnects using design rules |
US6957410B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-10-18 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for adaptively selecting the wiring model for a design region |
US7003754B2 (en) | 2000-12-07 | 2006-02-21 | Cadence Design Systems, Inc. | Routing method and apparatus that use of diagonal routes |
US7024650B2 (en) * | 2000-12-06 | 2006-04-04 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for considering diagonal wiring in placement |
US7594196B2 (en) * | 2000-12-07 | 2009-09-22 | Cadence Design Systems, Inc. | Block interstitching using local preferred direction architectures, tools, and apparatus |
US7073150B2 (en) * | 2000-12-07 | 2006-07-04 | Cadence Design Systems, Inc. | Hierarchical routing method and apparatus that use diagonal routes |
US6915501B2 (en) | 2001-01-19 | 2005-07-05 | Cadence Design Systems, Inc. | LP method and apparatus for identifying routes |
US6738960B2 (en) * | 2001-01-19 | 2004-05-18 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for producing sub-optimal routes for a net by generating fake configurations |
US6492736B1 (en) * | 2001-03-14 | 2002-12-10 | Lsi Logic Corporation | Power mesh bridge |
US6976238B1 (en) | 2001-06-03 | 2005-12-13 | Cadence Design Systems, Inc. | Circular vias and interconnect-line ends |
US6957411B1 (en) | 2001-06-03 | 2005-10-18 | Cadence Design Systems, Inc. | Gridless IC layout and method and apparatus for generating such a layout |
US6877146B1 (en) | 2001-06-03 | 2005-04-05 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for routing a set of nets |
US6829757B1 (en) | 2001-06-03 | 2004-12-07 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for generating multi-layer routes |
US7310793B1 (en) | 2001-06-03 | 2007-12-18 | Cadence Design Systems, Inc. | Interconnect lines with non-rectilinear terminations |
US6895569B1 (en) | 2001-06-03 | 2005-05-17 | Candence Design Systems, Inc. | IC layout with non-quadrilateral Steiner points |
US6957408B1 (en) | 2002-01-22 | 2005-10-18 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for routing nets in an integrated circuit layout |
US7069530B1 (en) | 2001-06-03 | 2006-06-27 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for routing groups of paths |
US6882055B1 (en) | 2001-06-03 | 2005-04-19 | Cadence Design Systems, Inc. | Non-rectilinear polygonal vias |
US7107564B1 (en) | 2001-06-03 | 2006-09-12 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for routing a set of nets |
US6859916B1 (en) | 2001-06-03 | 2005-02-22 | Cadence Design Systems, Inc. | Polygonal vias |
US6951005B1 (en) | 2001-06-03 | 2005-09-27 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for selecting a route for a net based on the impact on other nets |
US7143382B2 (en) | 2001-08-23 | 2006-11-28 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for storing routes |
US7398498B2 (en) | 2001-08-23 | 2008-07-08 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for storing routes for groups of related net configurations |
US6877149B2 (en) | 2001-08-23 | 2005-04-05 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for pre-computing routes |
US6795958B2 (en) * | 2001-08-23 | 2004-09-21 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for generating routes for groups of related node configurations |
US6931616B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-08-16 | Cadence Design Systems, Inc. | Routing method and apparatus |
US6938234B1 (en) | 2002-01-22 | 2005-08-30 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for defining vias |
US7117468B1 (en) | 2002-01-22 | 2006-10-03 | Cadence Design Systems, Inc. | Layouts with routes with different spacings in different directions on the same layer, and method and apparatus for generating such layouts |
US7080329B1 (en) | 2002-01-22 | 2006-07-18 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for identifying optimized via locations |
US7013451B1 (en) | 2002-01-22 | 2006-03-14 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for performing routability checking |
US7096449B1 (en) | 2002-01-22 | 2006-08-22 | Cadence Design Systems, Inc. | Layouts with routes with different widths in different directions on the same layer, and method and apparatus for generating such layouts |
US7089524B1 (en) | 2002-01-22 | 2006-08-08 | Cadence Design Systems, Inc. | Topological vias route wherein the topological via does not have a coordinate within the region |
US6944841B1 (en) | 2002-01-22 | 2005-09-13 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for proportionate costing of vias |
US7036105B1 (en) | 2002-01-22 | 2006-04-25 | Cadence Design Systems, Inc. | Integrated circuits with at least one layer that has more than one preferred interconnect direction, and method for manufacturing such IC's |
US6892371B1 (en) | 2002-01-22 | 2005-05-10 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for performing geometric routing |
US7002572B1 (en) * | 2002-06-19 | 2006-02-21 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for constructing a convex polygon that encloses a set of points in a region |
US7171635B2 (en) * | 2002-11-18 | 2007-01-30 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for routing |
US6996789B2 (en) * | 2002-11-18 | 2006-02-07 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for performing an exponential path search |
US7216308B2 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-08 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for solving an optimization problem in an integrated circuit layout |
US6892369B2 (en) * | 2002-11-18 | 2005-05-10 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for costing routes of nets |
US7624367B2 (en) | 2002-11-18 | 2009-11-24 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system for routing |
US7080342B2 (en) * | 2002-11-18 | 2006-07-18 | Cadence Design Systems, Inc | Method and apparatus for computing capacity of a region for non-Manhattan routing |
US7480885B2 (en) * | 2002-11-18 | 2009-01-20 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for routing with independent goals on different layers |
US7003752B2 (en) * | 2002-11-18 | 2006-02-21 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for routing |
US7047513B2 (en) * | 2002-11-18 | 2006-05-16 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for searching for a three-dimensional global path |
US6988257B2 (en) * | 2002-11-18 | 2006-01-17 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for routing |
US7010771B2 (en) * | 2002-11-18 | 2006-03-07 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for searching for a global path |
US7093221B2 (en) * | 2002-11-18 | 2006-08-15 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for identifying a group of routes for a set of nets |
JP2004289007A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Toshiba Corp | クロック配線、クロックレイアウトシステム及びクロックレイアウト方法 |
US7784010B1 (en) | 2004-06-01 | 2010-08-24 | Pulsic Limited | Automatic routing system with variable width interconnect |
US8095903B2 (en) | 2004-06-01 | 2012-01-10 | Pulsic Limited | Automatically routing nets with variable spacing |
US7131096B1 (en) | 2004-06-01 | 2006-10-31 | Pulsic Limited | Method of automatically routing nets according to current density rules |
US7373628B1 (en) | 2004-06-01 | 2008-05-13 | Pulsic Limited | Method of automatically routing nets using a Steiner tree |
US7257797B1 (en) | 2004-06-07 | 2007-08-14 | Pulsic Limited | Method of automatic shape-based routing of interconnects in spines for integrated circuit design |
WO2007074402A2 (en) | 2005-06-21 | 2007-07-05 | Pulsic Limited | High-speed shape-based router |
US7603644B2 (en) | 2005-06-24 | 2009-10-13 | Pulsic Limited | Integrated circuit routing and compaction |
US7472366B1 (en) * | 2005-08-01 | 2008-12-30 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for performing a path search |
US7363607B2 (en) | 2005-11-08 | 2008-04-22 | Pulsic Limited | Method of automatically routing nets according to parasitic constraint rules |
US8458636B1 (en) | 2009-03-18 | 2013-06-04 | Pulsic Limited | Filling vacant areas of an integrated circuit design |
US9238367B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-01-19 | Ricoh Company, Ltd. | Droplet discharging head and image forming apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5354986A (en) * | 1976-10-29 | 1978-05-18 | Toshiba Corp | Multilayer wiring circuit |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4125854A (en) * | 1976-12-02 | 1978-11-14 | Mostek Corporation | Symmetrical cell layout for static RAM |
DE3066941D1 (en) * | 1979-05-24 | 1984-04-19 | Fujitsu Ltd | Masterslice semiconductor device and method of producing it |
US4287571A (en) * | 1979-09-11 | 1981-09-01 | International Business Machines Corporation | High density transistor arrays |
US4409499A (en) * | 1982-06-14 | 1983-10-11 | Standard Microsystems Corporation | High-speed merged plane logic function array |
JPS5986248A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 多層配線構造 |
JPS59220949A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Toshiba Corp | マスタスライス形半導体集積回路 |
JPS6012742A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP58074301A patent/JPS59198733A/ja active Pending
-
1984
- 1984-04-11 US US06/599,065 patent/US4673966A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5354986A (en) * | 1976-10-29 | 1978-05-18 | Toshiba Corp | Multilayer wiring circuit |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0499353A (ja) * | 1990-08-18 | 1992-03-31 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4673966A (en) | 1987-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS59198733A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US3564354A (en) | Semiconductor structure with fusible link and method | |
US3747200A (en) | Integrated circuit fabrication method | |
EP0023818B1 (en) | Semiconductor integrated circuit device including a master slice and method of making the same | |
US5345098A (en) | Master slice integrated circuit device | |
JPH0758301A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US5581097A (en) | Method of fabricating semiconductor device using shared contact hole masks and semiconductor device using same | |
JPS61135165A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JPH11504765A (ja) | 半導体介在層の交互配置接点構造 | |
JP2876658B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS58139445A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS6256662B2 (ja) | ||
JPS5837933A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2679034B2 (ja) | 半導体集積装置 | |
KR930000717B1 (ko) | 적층형 커패시터를 갖는 디램 | |
JPS5867058A (ja) | 半導体装置 | |
JP2759641B2 (ja) | 半導体デバイスの多層配線構造 | |
JPH0410468A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS60111440A (ja) | 集積回路装置 | |
JPH02251144A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6355955A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05121703A (ja) | ゲートアレイ | |
JPS61180455A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JPH03169073A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH02213164A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 |