JPS60111443A - 半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体集積回路に関し、特に半導体基板上に形
成された配線と例えば半導体領域とを接続するためのコ
ンタクト形状に関する。

第１図は、一般的な半導体集積回路の簡単な平面図であ
る。この図のように通常、拡散、多結晶シリコンおるい
はアルミニウム等の配線４や論理素子ブロックｌおよび
２は半導体チップの直交する二つのＸ、Ｙ軸の少なくと
も一方に対して平行に配置レイアウトｔ−行っている。

そして、配線４と回路ブロック１．２との接続をとるた
めのコンタクト領域３の形状も、Ｘ軸に対して平行な二
辺とＹ軸に対して平行な二辺とでなる矩形状に形成され
ている。コンタクト領域３は、コンタクトホールとこの
ホールを完全に埋める半導体とでなる。

この≠導体は、配線４と同じ材料で形成され、配＋１！
ｉ！４が金属ならばコンタクトホールを埋める導体も金
属である。

第１図で示した回路ブロック１．２のように、平面的に
段差のおるブロック間に配線を通す場合、Ｘ、Ｙ軸に対
して平行な配線を使用するよりは、第２図のようにチッ
プのＸ、Ｙ軸方向に対して斜度を持たせた配線の方が、
第１図の配線法よシ、より多くの配線を通すことが可能
である。

このような斜度を持った配線領域でコンタクトをとる場
合、従来は、コンタクト領域が矩形状であり、かつその
領域の対向する一方の二辺はＸ軸に対して平行に、対向
する他の二辺はＹ軸に対して平行にそれぞれ形成されて
いるため、第３図で示すように、コンタクト領域３に対
して斜めに配線４が横切ることになる。つまり、コンタ
クト領域３の一部が配線４からかなり突き出ることにな
る。この結果、他の配線４とコンタクト領域３との短絡
を防止するために、配線間隔が広くなる。

これは、コンタクト領域３が微細な形状につくることが
困難なコンタクトホールを有１−るために、その領域が
配線４の微細巾に対して小さくならないために生じるさ
けることのできないものである。

本発明の目的は、Ｘ、Ｙ軸に対して斜めに設けられた配
線とのコンタクト’に配線間隔を広げることなく実現し
た集積回路を提供することにある。

本発明は、コンタクト領域の少なくとも一辺が斜め配線
と平行になるようにコンタクト領域を形成したことを特
徴とし、以下、図面により本発明を詳述する。

第４図は本発明の一実施例を示す。回路ブロック１．２
間にＸ、Ｙ軸に対して斜度をもった配線４が形成され、
そしてＸ、Ｙ軸に対してやはり斜度をもちその一辺が配
線４と平行になるコンタクト領域５が形成されている。

したがって、配線間３− 隔方向に対して凸状態がなくなハ従来のように平行なコ
ンタクトｉ使用するよりも配線間隔を狭くすることがで
きる。一つｔ′り、配線密度を向上させることが可能で
きる。

ここでは、配線頒域内におけるコンタクト領域について
説明したが、各回路ブロック内で斜度をもつコンタクト
パターンを使用する場合もすべて含まれるものである。

また、コンタクト領域５を矩形で説明したが、例えは五
角形にし、その−辺全Ｘ、Ｙ軸に対して斜めに形成され
た配線と平行するように形成してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は従来のコンタクト方式を使用したレ
イアウト図、第４図に本発明の一実施例七本すレイアウ
ト図である。 １．２・・・・・・回路ブロック、３・・団・Ｘ、Ｙに
平行なコンタクト領域、４・・・・・・配線、５・旧・
・Ｘ、Ｙに対して４５度に斜いたコンタクト領域。 餡　ｌ　区 第２区

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. コンタクト領域の少なくとも１辺が、半導体チップの直
   交するＸ、Ｙ軸に対して斜めになっていることを特徴と
   する半導体集積回路。