JPH0334348A - セル構造電力用半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［技術分野］ 本発明は新規なセル構造電力用半導体装置に関し、より
詳しくは、複数個のｎ−型又はｐ−型の拡散ｆｆＩ域が
それぞれｐ−型又はｎ−型の基板の表面に形成され、そ
の複数の拡散領域と基板の露出領域とがｎ−型とｐ型の
セルが交互に回路網を形成するような相互関係をもって
配列されているように構成されたタイプのセル構造電力
用半導体装置に関するものである。そして、それぞれの
型からなるセルは互に接続され、かつ装置の接続領域の
一つとして画定された共通の導電領域にすべて接続され
ているものである。 ［背景技術］ この種装置の一従来例としては、例えばフランス特許第
２５４５．６５４号明細書で公知であるが、同−柚角の
他の装置に対するこの従来例の長所は良好な電圧及び周
波数特性と回路網を構成する全てのセルへ−様な電流が
供給できる点である。 しかし、装置の電流定格を増加しなければならぬ時には
、個々のセルの数、従ってチップ及び導電シートの面積
を増加しなければならない。電流供給端子とこの端子か
ら最も離れているセルとの間の電流路は長すぎるため大
電気抵抗をもたらし、電圧の相当な低下を生じる。 実際には、上述の特許では、１ｍの数十倍のピッチで分
１１１シているセルをもち、平方闘の数十倍に限定され
た表面積を有するような装置が形成されるようになって
いる。 更に高い許容電力を有する装置を製作する現在の一つの
方法は複数個の小型装置を小型化して装置し、配線によ
って同一の前記の個々の装置を相互に接続する事によっ
て構成されるものである。 この公知の方法は労働力を要し、実現性に乏しく、又、
信頼性に問題がある。 本発明は従来技術のこの短所を減少し、更に大きい電流
を流し得るもので、かつ過剰電気抵抗をに１−じる各セ
ルへの又はこれからの電流路を伴う串なしに比例的に大
きくした寸法の半導体チップ上に更に多数のセルを有す
るセル構造半導体装置を捉供するＪＧを目標とするもの
である。 本発明のもう一つの別の目的は電力用半導体装置におけ
る必要な配置１ｍを減少する事である。

【発明の開示】

この目的の為に、本発明は基板の表面に複数個の拡散領
域と基板の露出領域とを、相互関係がｎ−型とｐ−型と
が交互にセルの回路網を形成する様にｐ−型又はｎ−型
の基板上に拡散された複数個のそれぞれｎ−型又はｐ−
型の領域と、これら各型の全てのセルを相互に接続し、
さらに、装置の接続閉域に接続する部材とを有するセル
構造の電力用半導体装置において、前記装置が、基板の
表面上に位置し、これから絶縁され、第１の所定のパタ
ーンで、回路網に位置し相互に絶縁された第１及び第２
交互領域に第１境界領域内で分割され、その第１領域で
その下に隣接するｎ−型の各セルに、またその第２領域
でその下に隣接するｐ−型の各セルに、第１導電ピンを
介して接続されている第１導電シートと、 第１シートの上に位置し、これから絶縁され、同様に第
２の所定のパターンで、回路網に位置し相互に絶縁され
た第１及び第２交互領域に分割され、それぞれ第１導電
シートの第１及び第２領域に重なり合い、その第１領域
でその下に隣接するｐ−型の各セルに、その第２領域で
その下に隣接するｎ−型の各セルに、各セルと一致する
ようにして第１シートをこれとは絶縁されたままでその
電気的連続性を損う事なしに貫通する第２導電ピンを介
して接続されて成る第２導電シートと、第１及び第２導
電シートは前記第１境界領域内で第１シートの各第１及
び第２領域が、前記境界領域内において、第２シートの
隣接第２及び第１領域のそれぞれに接続される様に相互
に接続され、第２シートの上に位置し、これから絶縁さ
れ、第３の所定のパターンで、第２境界領域内で相互に
絶縁された第１及び第２領域に分割され、その第１領域
内で第２シートの各第２下部隣接領域に、又、その第２
領域で第２シートの各第１下部隣接領域にそれぞれ接続
された第３導電シートと、第３シートの上に位置し、こ
れから絶縁され、第４の所定のパターンで、相互に絶縁
され第３導電シートの各第１及び第２領域に重なり合う
第１及び第２領域に分割され、その第１領域で第２シー
トの各第１下部隣接領域に、又、その第２領域内で第２
シートの各第２下部隣接領域に、各セルと一致するよう
に、第２シートを貫通してこれとは絶縁状態でかつその
電気的連続性を損うＪｌなしに延在する第４導電ピンを
介して接続されている第４導電シートとを有し、 第３及び第４シートは前記第２境界領域において、第３
シートの第１及び第２領域が、前記境界領域西部におい
て第４シートの第２及び第１領域にそれぞれ接続される
様に相互に接続され、前記第２及び￥５１領域がそれぞ
れ装置の接続領域を形成しており、 第３及び第４シートの厚みは第１及び第２シートの＋Ｖ
みよりも大きく、又、第３及び第４ピンは第１及び第２
ピンよりも大きいように形成されて成る工Ｉｒを特徴と
するセル状電力用半導体装置に関する。 本発明の装置の好ましい構成は以下の通りである。即ち
、 一第１及び第２パターンは、第１及び第２シートの内の
一方の第１領域と他方のシートの第２領域とは′２８１
境界領域の両側に位置しているが、導電性接続が作られ
る各突出領域で相互に対向する様になって重なり合って
はいす、又、第３及び第４パターンは第３及び第４シー
トの内の一方の第１領域と他方のシートの第２領域とが
第１境界領域の両側に位置し、導電性接続が作られる各
突出領域で１・［Ｉ　Ｕに対向する様になって重なり会
ってはいないように形成されている。 一セルの回路網と第１及び第２シートの等電領域の回路
網は少なくとも第１及び第２境昇頭域にそれぞれ平行な
１方向で周期的であり、第１及び第３パターンはそれぞ
れの回路網のピッチに雰しいピッチを有する規則正しい
パターンであり、又、第２及び第４パターンは第１及び
第３パターンに等しいが各境界領域の方向に関して対称
的である。 −セルの回路網はチェッカー立回路網である。 −第１及び第２シートの導電領域の回路網はセルのチェ
ッカー盤のそれに平行な方向のチェッカー立回路網であ
る、 一第１及び第２シートの導電領域の回路網はチェッカー
盤のセルの回路網の方向の一方に平行な方向の交互に平
行なバンドの回路網である。 −接続領域は直線状又は円形の境界領域で分離されてい
る、 一第２境界領域のパターンは第１境界領域のそれよりも
大きな振幅とピッチとを有し、大きな厚みの第３及び第
４導電シートにする１バを可能にする様に決定されてい
る。 実際には、本発明は、先行技術と同一のセル間隔ピッチ
を有しながら、上述の問題を起こさずに数平方ｃｍまで
の表面積を有し得る電力形半導体装置を提供するもので
ある。 本発明のその他の特徴、目的、及び長所は、例示として
のその好ましい実施例に関する以下の詳細な説明、及び
添付図面を参照する’ｊＪｌ　ｌこよって更に良い迎角
ｔが得られるであろう。 ［実施例］ 第１ａ図から第１ｃ図まで及び第２ａ図から第２Ｃ図ま
では本発明による電力用半導体装置の相違する２つの実
施例の装置の厚み内での３　ｔ−，１のレベルにおける
模式的な水平断面図であり、第３図は第１ａ図、第２ｂ
図、及び第１ｃ図に示す！、ｌに構成された装置の線■
−■に沿って行った模式断面図であり、さらに、第４ａ
図及び第４ｂ図は本発明による装置の実施例の２種の相
違する縮尺によって示した一部除夫斜視図である。 可能な限り、類似の参照番号はフランス特許第２５４５
６５４号のそれを使用するが、この特許は本明抑書中で
参考文献として結合されているので、本特許の原理を基
礎としている本発明の装置の製造に関してのこれ以上の
細部に関してはこれを参照されたい。 図示の装置は前述の特許中におけると同様、規則正しい
回路網に配列された複数個のｎ−型領域１１が拡散され
ているｐ−型半導体風１１０をＹＴするバイポーラｎｐ
ｎ電力用半導体装置である。拡散領域１１はチェッカー
盤パターンで基板の露出領域１２と交互に並んでいる。 パターンのピッチは、例えば、数十ミクロンとすること
ができる。 第１相互接続レベルは半導体基板の上に設けられる。こ
れは第１絶縁層２０、下部導電シート３０、第２絶縁ン
ート４０、及び上部導電シート５０とからなり、その全
般的な機能はフランス特許第２５４５６５４号に従って
いる。 本発明の第１の重要な構成においては、第１＃目互接続
レベルの目的は２つの導電性接続領域を作る二１１では
なく、基板ｌＯの（１＾］々のセルのピ・ソチよりも＃
１１当に大きなピッチの第２回路網を形成する串で、交
互にその下に隣接するｐ−型及びｎ−型セルに４通する
導電領域によって形成されている。 これらの領域は第１ｂ図で５０ｂ及び５０ｃの番号を有
し、それぞれトラ・ンジスタのベースとエミッタに対応
している。第２回路網のピッチは数分のｌ開乃至数ｍｍ
の程度である。第２回路網はバンドの回路網（第１ｂ図
）であってもよく、チェッカー立回路網（第２ｂ図）で
あってもよい。 本発明の第２の重要なＨ１成によれば、半導体は同一の
導電型の導電領域（それぞれ領域５０ｂと領域５０ｅ）
の全ての接続領域を定める２つの外部導電領域９０ｂと
９０ｅにそれぞれ接続する目的で第２柑亙接続レベルを
ｎする。第１の実施例（第１ｃ図）においては、領域９
０ｂ及び９０ｅはチップの面積の約半分をそれぞれ占拠
し、これらは相互間が直径による境界領域で絶縁されて
いる。チップは数平方Ｃｍの程度の面積を有し得る。 第２丈施例（第２ｃ図）においては、これは装置の迅連
な組立てを可能にするものであるが、領域９０ｂと９０
ｃとは同心円的に位置している。ベース領域９　ｆｌ　
ｂは相当に大きな電流が流れるエミッタ領域圓Ｃに比較
して非常に小さい面積を有する。 第１Ｃ図及び第２ｃ図に示す実施例は第１ｂ図及び第２
ｂ図のいずれかに示す回路網でそれぞれ得る！−１ｔか
出来る。 勿論、その他の任意の実施例を呈示するＴｉｅも、前記
特３′トで説明した（ｌに可能である。基板のｐ−型及
びｎ−型領域、第１レベルの導電領域、及び第２レベル
の導電接続領域、の各寸法、形状は相互に比較的独立し
て設計する車が出来る。 第３図は模式断面図によって各導電シート３０゜５０．
７０、及び９０（７）、及び又Ｔ５１　Ｌ／ベベル絶縁
層２０゜４０、及び第２レベルの絶縁層６０．８０の相
互接続と配列の原理構成を示す。２つの導電領域９０ｂ
　、　９０ｅは、一方では接続端子に、他方では各導電
領域５０ｂ　、　５．Ｏｃに、従って址阪の全ての各ｐ
−型及びｎ−型セルに接続されている。シート７０．９
０の厚みはシート３０．５０のそれよりは非常に厚く、
一方絶縁層ＧＯ１８０の厚みは、以下に示すように、絶
縁層２０．４０のそれとほぼ同一程度である。 第４ａ図はフランス特許第２５４５６５４号に記載の構
造を一部切欠して詳細に斜視図で再呈示したものである
が、その中で使用したものと同一の２照番号を使用して
おり、前記特許の説明部分をＧ効に参照する事ができる
。明瞭化の為に第４ａ図は直線状の境界領域ＺＦによっ
て隔てられた一つの導電領域５０ｂと一つの導電領域５
０ｅとのみを図示しているが、実際には半導体は複数個
のこの種の導電領域を有するものである。第１及び第２
導電シート３０と５０とは、平行バンド又はチェッカー
立回路網のいずれかで形成する複数個の境界領域ＺＦに
よって領域に再分割されている。第４ａ図はチェッカー
立回路網を示す。導電領域５０ｂ１５０ｅとの間の転移
５３に対応する波模様か第４図に見られるが、これらは
境界領域ＺＦの幅の半分に等しい振幅とセルの回路網の
網目に対応するピッチとをＧする。第４ａ図の従来列と
第４ｂ図の実施例との間の縮尺の比（典型的にはｔｏｏ
にも達し１１する比で）は、実際にはこれらの波模様は
、拡散基板１０、第１柑互接続レベル１００　、及び絶
縁層６０、第３導電シート７０、絶縁層８０、及び第４
導電シート９０から成る第２相互接続レベル２００とを
示す第４ｂ図では肉眼視不能である！１Ｎを意味する。 第４ｂ図において、第４ａ図に示すものと類似の部材は
類似の参照番号を付しているが、４ｏのみ追加されてい
る。若干の同じ参照文字が第４ｂ図においてもダッシュ
（ｐｒｌｓｅ）を付して記載されている。従って、フラ
ンス特許第２５４５６５４号に記載されている事柄も、
本発明の電力用半導体の外部レベル２００の製造及び利
用法において、参照番号に関しても参考になるという利
点がある。 導電ｐｆ１域５０ｂ　、　５０ｃの上に被着された絶縁
層６゜は、下の領域５０ｂ　、　５０ｃのそれぞれと並
んで位置する一連の開孔６１と装置を２つの領域ＺＢ’
とＺＥ’　とに分割する軸ｇｇ’の両側で定められる境
界領域ＺＦ’内に前記領域と整列して位置する開孔（図
示せず）とからなっている。 境界領域ＺＦ’　は導電領域５０ｂ又は５０ｅの幅を有
する直線状のバンドである。 下部の、即ち第３導電シート７０が装置全体に被着され
、従ってその時間孔６１を介してすべての導電頭載を接
続する。 そのとき、ピン７１は閉域ＺＥ’の中の各領域５０ｃと
一致するよう・にして、又領域ＺＢ’の中で各領域５０
ｂと一致するように取り出され、かつ第３導電シート７
０とは絶縁されている。各ピン７１の仕上げ形成はシー
ト７０の厚み全体に亘って孔開けされた円形の溝７２の
形成によって得られる。この要領で、領域ＺＥ’の中に
導電領域５０ｂがシート７０を介してすべて相互接続さ
れ、又すべでの導電領域５０ｅは絶縁される。反対の現
象が領域ＺＢ’内で得られている。 この工程の同−段階中に、シート７０内にシートを境ｙ
７　Ｍ域ＺＦ’内で相互に絶縁されている半シートに分
割し領域ＺＥ’　とＺＢ’　とをそれぞれ覆う連続溝７
３が形成される。 溝は好ましくは図示のように周期的正弦波形状を有する
が、その振幅とその周期は領域５（ｌｂ　、　５０ｅの
回路網のメツシュの長さに等しい。第４ａ図に示す満３
３の場合と同様に、満７３は、領域ＺＥ’の半分の層と
領域ＺＢ’の半分の層のそれぞれに属する交互の突出領
域７４．７４′　をこれが定めていると言う条件を満足
する限り、その他の適当なパターンに応じて変えること
ができる。 絶縁層８０を次に装置全体に施すが、次に各ピン７１の
頂部８（をエツチング除去する。この同じ段階において
追加的開孔８２．８２′を境界頭載ＺＦ’　に沿って前
に作った）Ｉカの両側にエツチング開孔する。 開孔８２は閉域ＺＥ’の突出領域７４に対応し、一方間
孔８２′は領域ＺＢ’の突出領域７４′に対応する。 次に第４導電シート９０を装置全体に被着して、前もっ
て作った全ての装置のピン７１と追加的開孔８２．８２
′　との間を確実に電気的に接続をする。 装置の製造における最終段階は領域ＺＦ’　に沿ってシ
ート９０の厚み全部に亘る第２溝９３を作る事から戊る
。シート９０は従って相互間が電気的に絶縁された２個
の半シートに分割される。 １Ｍ９３は、満７３のパターンに関連して設けられるよ
うになっていて、境界領域の両側にそれぞれ位置する上
下導電性の半分の層の対が追加される開孔８２．８２′
　と一致して少なくとも１つの対面領域を何するｔｌに
埋合せ状に屈曲して形成される。更に詳細には、突出領
域７４．９４が開孔８２に治って対向し、又、突出領域
７４’　、９４’が開孔８２′に沿って対向するように
形成される。 この様にして、領域ＺＥ’の半分の層９０ｅが開孔８２
′　を介してシート７０のＺＢ’上の半分の層７０ｃと
接触状態にある。しかし、これらの半分の層はそれぞれ
下に隣接するｎ−型導電領域５０ｅに電気的に接続され
ている。これは導電領域９０ｅへの前記領域５０ｃ全部
の、従って基板１０のｎ−型領域（ｌ全部の接続をする
一ｚ３ｒとなり、装置のエミッタ接続順を与える。 同様な理由によって、開孔８２を介して半分の層７Ｄｂ
と重置的に接続されている導電面９０ｂは導電領域５０
ｂ全部に、従って基板１０の露出ｐ−型領領域１２全部
に接続され、装置のベース接続面を作ると言う艷１１を
示すことができる。 実際には第２レベル２００の導電シート７０．９０は第
１レベルの導電シート３０．５０と同一の何科、例えば
アルミニウム、で作り得るが、本流密度が前者のシート
では非常に大きいので、後者のシートに比較して厚みは
大きい。境昇領域ＺＦ’　のパターンは境界領域ＺＦの
パターンのそれに比較して相当に大きい振幅とピッチと
を有する。従って領域ＺＦ’　を形成する第１１密度は
領域ＺＦの製造に要求されるそれよりも荒いが、これは
、第２レベルのシート７０．９０に要求される大きな厚
みは容易に得られるので、非常に有利である。 絶縁Ｊ■６０．８０は絶縁層２０．５０と類似の要領で
形成し得、かつ同一の厚みを有する、と言うのは、これ
らに印加される電位差は同一（図示のｎｐｎバイポーラ
トランジスタの場合べ〜ス／エミッタ電化）だからであ
る、と言う串も言及しておきたい特徴である。 ある場合、装置の第２相互接続レベルを適当に変化させ
てワイアリング又は装置を持っているウェーハ内の適当
な導電路を介して相互に接続された（’ｉ干数の領域９
０ｅと肴千数の領域９０ｂとを作り出す小も可能である
。 最後に、本発明はバイポーラトランジスタのみならず、
その他の電力用装置、例えば通常の高速サイリスク、或
いは更に特殊にはゲートターンオフサイリスタ、同様に
又、絶縁グリッドバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）
又はＭＯ８電力用トランジスタにも応用される。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図から第１ｃ図まで及び第２ａ図から第２ｃｌｆ
ｆｌまでは本発明による電力用半導体装置の相違する２
実施例の、装置の厚み内での３種のレベルにおける略示
的な水平断面図、第３図は第１ａ図、第２ｂ図、及び第
１ｃ図に示す）１に構成された装置の線■−■に沿って
行った断面の模式図、第４ａ１２ｊ及び第４ｂ図は本発
明による装置の実施例の２′ｇｉの相違する縮尺での一
部除大斜視図である。 １０；ｕ板、１１：拡故領域、１２：露出領域、３ｏ：
第１導電シート、３１：第２導電ピン、３３：第１パタ
ーン、５０：第２導電シート、５３：第２パターン、７
０；第３導電シート、７１：第４導電ピン、７３；第３
パターン、９０；第４導電シート、９０ｂ　、　９０ｅ
半導体装置の接続領域、９３：第４パターン、ＺＦ：第
１境界領域、ＺＦ’　　：第２境界領域。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板（１０）の表面に複数個の拡散領域（１１）
   と基板の露出領域（１２）とを相互関係がｎ−型とｐ−
   型とが交互にセルの回路網を形成する様にｐ−型又はｎ
   −型の基板上に拡散された複数個のそれぞれｎ−型又は
   ｐ−型の領域（１１）と、各型の全てのセルを相互に、
   さらに装置の接続領域（９０ｅ、９０ｂ）に接続する部
   材とを有するセル構造の電力用半導体装置において、前
   記装置が、 基板の表面上に位置し、これから絶縁され、第１の所定
   のパターン（３３）で回路網に位置し相互に絶縁された
   第１及び第２交互領域（３０ｅ、３０ｂ）に第１境界領
   域（ＺＦ）内で分割され、その第１領域でその下にある
   ｎ−型の各セルに、さらにその第２領域でその下にある
   ｐ−型の各セルに、第１導電ピンを介して接続されてい
   る第１導電シート（３０）と、 第１シートの上に位置し、これから絶縁され、同様に第
   ２の所定のパターン（５３）で回路網に位置し相互に絶
   縁された第１及び第２交互領域（５０ｂ、５０ｅ）に第
   １境界領域（ＺＦ）で分割され、それぞれ第１導電シー
   トの第１及び第２領域（３０ｅ、３０ｂ）に重なり合い
   、その第１領域でその下にあるｐ−型の各セルに、その
   第２領域でその下にあるｎ−型各セルに、各セル上に一
   致するよう形成され前記第１導電シート（３０）をこれ
   とは絶縁されたままでその電気的連続性を損う事なしに
   貫通する第２導電ピン（３１）を介して接続されて成る
   第２導電シート（５０）と、 第１及び第２導電シートは前記第１境界領域（ＺＦ）内
   で第１シート（３０）の各第１及び第２領域（３０ｅ、
   ３０ｂ）が、前記境界領域内において、第２シート（５
   ０）の隣接第２及び第１領域（５０ｅ、５０ｂ）のそれ
   ぞれに接続される様に相互に接続され、第２シートの上
   に位置し、これから絶縁され、第３の所定のパターン（
   ７３）で、第２境界領域（ＺＦ′）内で相互に絶縁され
   た第１及び第２領域（７０ｅ、７０ｂ）に分割され、そ
   の第１領域（７０ｅ）内で第２シート（５０）の各第２
   下部隣接領域（５０ｅ）に、又、その第２領域（７０ｂ
   ）で第２シート（５０）の各第１下部隣接領域（５０ｂ
   ）にそれぞれ接続された第３導電シート（７０）と、 第３シート（７０）の上に位置し、これから絶縁され、
   第４の所定のパターン（９３）で相互に絶縁され、第３
   導電シートの各第１及び第２領域（７０ｅ、７０ｂ）に
   重なり合う第１及び第２領域（９０ｂ、９０ｅ）に分割
   され、その第１領域（９０ｂ）で第２シート（５０）の
   各第１下部隣接領域（５０ｂ）に、又、その第２領域（
   ９０ｅ）内で第２シート（５０）の各第２下部接続領域
   （５０ｅ）に、各セルと一致するように、第２シート（
   ７０）を貫通してこれとは絶縁状態でかつその電気的連
   続性を損う事なしに延在する第４導電ピン（７１）を介
   して接続されている第４導電シート（９０）とを有し、 第３及び第４シート（７０、９０）は前記第２境界領域
   （ＺＦ′）において、第３シート（７０）の第１及び第
   ２領域（７０ｅ、７０ｂ）が、前記境界領域内部におい
   て第４シートの第２及び第１領域（９０ｅ、９０ｂ）に
   それぞれ接続される様に相互に接続され、前記第２及び
   第１領域（９０ｅ、９０ｂ）はそれぞれ装置の接続領域
   を形成しており、 第３及び第４シート（７０、９０）の厚みは第１及び第
   ２シート（３０、５０）の厚みよりも大きく、又、第３
   及び第４ピンは第１及び第２ピンよりも大きいように形
   成されてなる事を特徴とするセル状電力用半導体装置
2. （２）第１及び第２パターン（３３、５３）は、第１及
   び第２シートの内の一方の第１領域（３０ｅ、５０ｂ）
   と他方のシートの第２領域（５０ｅ、３０ｂ）とは第１
   境界領域（ＺＦ）の両側に位置しているが、導電性接続
   が作られる各突出領域（３４′、５４′；３４、５４）
   で相互に対向する様になって重なり合ってはいず、又、
   第３及び第４パターン（７３、９３）は、第３及び第４
   シート（７０、９０）の内の一方の第１領域（７０ｅ、
   ７０ｂ）と他方のシートの第２領域（９０ｅ、７０ｂ）
   とが第１境界領域の両側に位置しているが、導電性接続
   が作られる各突出領域（７４、９４；７４′、９４′）
   で相互に対向する様になって重なり合ってはいないよう
   に形成されている事を特徴とする請求項１に記載の装置
   。
3. （３）セル（１１、１２）の回路網と第１及び第２シー
   ト（３０、５０）の導電領域の回路網は少なくとも第１
   及び第２境界領域（ＺＦ、ＺＦ′）にそれぞれ平行な１
   方向で周期的であり、第１及び第３パターン（３３、７
   ３）はそれぞの回路網のピッチに等しいピッチを有する
   規則正しいパターンであり、又、第２及び第４パターン
   （５３、９３）は第１及び第３パターンに等しいが各境
   界領域（ＺＦ、ＺＦ′）の方向（ｆ′ｆ、ｇ′ｇ）に関
   して対称的である事を特徴とする請求項２に記載の装置
   。
4. （４）セル（１１、１２）の回路網はチェッカー盤回路
   網である事を特徴とする請求項３に記載の装置。
5. （５）第１及び第２シートの導電領域（３０ｅ、３０ｂ
   ；５０ｂ、５０ｅ）の回路網はセルのチェッカー盤のそ
   れに平行な方向のチェッカー盤回路網である事を特徴と
   する請求項４に記載の装置。
6. （６）第１及び第２シートの導電領域（３０ｅ、３０ｂ
   ；５０ｂ、５０ｅ）の回路網はチェッカー盤のセルの回
   路網の方向の一方に平行な方向の交互に平行なバンドの
   回路網である事を特徴とする請求項４に記載の装置。
7. （７）接続領域（９０ｅ、９０ｂ）は直線状の境界領域
   （ＺＦ′）で分離されている事を特徴とする請求項５及
   び６のいずれかに記載の装置。
8. （８）接続領域（９０ｅ、９０ｂ）はほぼ円形の境界領
   域（ＺＦ′）で分離されている事を特徴とする請求項５
   及び６のいずれかに記載の装置。
9. （９）第２境界領域（ＺＦ′）のパターンは第１境界領
   域（ＺＦ）のそれよりも大きな振幅とピッチとを有し、
   大きな厚みの第３及び第４導電シート（７０、９０）に
   する様に決定されている事を特徴とする請求項１から８
   のいずれか１項に記載の装置。