JPS63283707A - 両性高分子電解質分離膜 - Google Patents
両性高分子電解質分離膜Info
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- JPS63283707A JPS63283707A JP62114526A JP11452687A JPS63283707A JP S63283707 A JPS63283707 A JP S63283707A JP 62114526 A JP62114526 A JP 62114526A JP 11452687 A JP11452687 A JP 11452687A JP S63283707 A JPS63283707 A JP S63283707A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、有機物水溶液、又は、水/有機物混合蒸気か
ら水を分解する膜に関する。更に詳しくは、有機物水溶
液を浸透気化法によって、あるいは水/有機物混合蒸気
を蒸気透過法によって分離、濃縮するための膜に関する
ものである。
ら水を分解する膜に関する。更に詳しくは、有機物水溶
液を浸透気化法によって、あるいは水/有機物混合蒸気
を蒸気透過法によって分離、濃縮するための膜に関する
ものである。
(従来技術)
膜を用いた有機物水溶液の濃縮、分離に関しては、一部
の低濃度有機物水溶液の濃縮に対して、逆浸透法が実用
化されてきた。しかしながら、逆浸透法は分離液の浸透
圧以上の圧力を被分離液に加える必要があるため、浸透
圧が高くなる高濃度水溶液に対しては、適用不可能であ
り、従って、分離できる溶液の濃度に限界がある。
の低濃度有機物水溶液の濃縮に対して、逆浸透法が実用
化されてきた。しかしながら、逆浸透法は分離液の浸透
圧以上の圧力を被分離液に加える必要があるため、浸透
圧が高くなる高濃度水溶液に対しては、適用不可能であ
り、従って、分離できる溶液の濃度に限界がある。
これに対して、浸透圧の影響を受けない分離法として浸
透気化法及び蒸気透過法が新しい分離法として脚光を浴
びつつある。−浸透気化法とは膜の一次側に分離液を供
給し、膜の二次側(透過側)を減圧にするか、又はキャ
リヤーガスを通気することによって、分離物質を気体状
で膜透過させる方法であり、蒸気透過法とは、膜の1次
側への供給が混合蒸気である点が浸透気化法と異なるも
のである。膜透過物質は、透過蒸気を冷却、凝縮する事
によって採取することができる。浸透気化法については
、これまでに多くの研究例が報告されている。例えば、
エタノール水溶液の分離に関しては、米国特許2゛95
3502号にセルロースアセテート均一膜を、米国特許
3035060号にはポリビニルアルコールの例がある
。
透気化法及び蒸気透過法が新しい分離法として脚光を浴
びつつある。−浸透気化法とは膜の一次側に分離液を供
給し、膜の二次側(透過側)を減圧にするか、又はキャ
リヤーガスを通気することによって、分離物質を気体状
で膜透過させる方法であり、蒸気透過法とは、膜の1次
側への供給が混合蒸気である点が浸透気化法と異なるも
のである。膜透過物質は、透過蒸気を冷却、凝縮する事
によって採取することができる。浸透気化法については
、これまでに多くの研究例が報告されている。例えば、
エタノール水溶液の分離に関しては、米国特許2゛95
3502号にセルロースアセテート均一膜を、米国特許
3035060号にはポリビニルアルコールの例がある
。
又、特公昭54−10548.54−10549号及び
特公昭59−49041号にはイオン性基を導入した合
成高分子膜を用いて水−有機液体混合物を分離した実験
例が報告されている。
特公昭59−49041号にはイオン性基を導入した合
成高分子膜を用いて水−有機液体混合物を分離した実験
例が報告されている。
(発明が解決しようとする問題点)
液体や蒸気の膜透過は、溶解と拡散により支配されてい
るという理論に基づき、自由体積の小さな膜を使用し透
過分子のサイズの差により分離を行おうとする試みがな
されてきた。
るという理論に基づき、自由体積の小さな膜を使用し透
過分子のサイズの差により分離を行おうとする試みがな
されてきた。
しかし、自由体積の小さな膜は分離係数は大げるために
、物質の溶解度の差を利用する試みがあった0例えば、
特開昭56−24007には芳香族ポリアミドイミドの
分子鎖中にスルホン基を導入することにより透水速度を
改善した透過膜が開示されているが、ポリマー中にスル
ホン基の量が増えるに従って膜形成能に乏しく、又、得
られる膜の機械的強度の低下と共に膨潤により分子のサ
イズによる選択性が失われ、結果として水と有機物分離
の選択性が失われるという欠点があった。
、物質の溶解度の差を利用する試みがあった0例えば、
特開昭56−24007には芳香族ポリアミドイミドの
分子鎖中にスルホン基を導入することにより透水速度を
改善した透過膜が開示されているが、ポリマー中にスル
ホン基の量が増えるに従って膜形成能に乏しく、又、得
られる膜の機械的強度の低下と共に膨潤により分子のサ
イズによる選択性が失われ、結果として水と有機物分離
の選択性が失われるという欠点があった。
又、特開昭60−129104にはアニオン性多糖から
の膜が記載されているが、耐熱性、耐薬品性などの点で
問題があり、広範囲にわたる有機物の分離に適している
とは言えない。
の膜が記載されているが、耐熱性、耐薬品性などの点で
問題があり、広範囲にわたる有機物の分離に適している
とは言えない。
従って、本発明の目的は、浸透気化法および蒸気透過法
による有機物水溶液、又は、有機物と水の混合蒸気の分
離に於いて種々の有機物質及び広範囲な濃度領域に対し
て、十分な耐久性、耐熱性と高い透過速度および分離係
数を有する分NWAを得ることにある。
による有機物水溶液、又は、有機物と水の混合蒸気の分
離に於いて種々の有機物質及び広範囲な濃度領域に対し
て、十分な耐久性、耐熱性と高い透過速度および分離係
数を有する分NWAを得ることにある。
(問題点を解決するための手段)
以上の点について鋭意検討した結果、本発明に到達した
。
。
即ち、本発明は複数のアニオン性基とカチオン性基を同
一分子内に有し、主鎖が主として芳香族高分子から成る
ことを特徴とする浸透気化用並びに蒸気透過用両性高分
子電解質分離膜である。
一分子内に有し、主鎖が主として芳香族高分子から成る
ことを特徴とする浸透気化用並びに蒸気透過用両性高分
子電解質分離膜である。
有機物水溶液、又は、水/有機物の蒸気混合物から水を
選択的に透過させるためには水の配位能力の大きい官能
基を膜に導入するのが好ましい。そこで、本発明者らは
、水の透過性と有機物に対する分離性能を高めるために
、水の配位能力の高いアニオン性基を芳香族系高分子に
導入することを試みた。
選択的に透過させるためには水の配位能力の大きい官能
基を膜に導入するのが好ましい。そこで、本発明者らは
、水の透過性と有機物に対する分離性能を高めるために
、水の配位能力の高いアニオン性基を芳香族系高分子に
導入することを試みた。
しかしながら、多量のアニオン性基を高分子鎖中に導入
すると膜形成能に乏しくなるのみならず、膜としての選
択分離性が著しく低下する。
すると膜形成能に乏しくなるのみならず、膜としての選
択分離性が著しく低下する。
そこで、アニオン性基と共にカチオン性基を主として芳
香族系高分子へ導入することにより、高選択性で、かつ
高い透過性を有する分離膜を得た。さらに、これらの両
性高分子膜と架橋剤により、3次元化させることで、広
範囲の有機物混合液に対する耐性を強めることができた
。
香族系高分子へ導入することにより、高選択性で、かつ
高い透過性を有する分離膜を得た。さらに、これらの両
性高分子膜と架橋剤により、3次元化させることで、広
範囲の有機物混合液に対する耐性を強めることができた
。
以下に本発明について、さらに詳細に説明する。
本発明において、アニオン性基とは、塩を形成しうるア
ニオン性基全てを含むが、なかでも実用的には、硫酸エ
ステル残基、スルホン酸残基、カルボン酸残基、リン酸
エステル残基、及びホスホン酸残基が好ましく使用され
る。
ニオン性基全てを含むが、なかでも実用的には、硫酸エ
ステル残基、スルホン酸残基、カルボン酸残基、リン酸
エステル残基、及びホスホン酸残基が好ましく使用され
る。
又、該カチオン性基とは、塩を形成しうるカチオン性基
全てを含むが、実用的には、種々の第1級から第4級ま
でのアミノ基、及びピリジン残基が好ましく使用される
。
全てを含むが、実用的には、種々の第1級から第4級ま
でのアミノ基、及びピリジン残基が好ましく使用される
。
これらのアニオン性基及びカチオン性基は、目的とする
分離対象物に応じて、各々、単独で使用してもよく、2
種以上を混合してもよい。
分離対象物に応じて、各々、単独で使用してもよく、2
種以上を混合してもよい。
かかるアニオン性基、及びカチオン性基は、これらを含
有するモノマーを共重合することにより、又、重合後、
あるいは製膜後公知の手法によりアニオン性基、並びに
カチオン性基を導入することにより達成される。カチオ
ン性基及びアニオン性基の割合は特に限定されないが、
好ましくは、 基の量−eq/g、 C:高分子鎖中のカチオン性基の
量−eq/g)の範囲である。
有するモノマーを共重合することにより、又、重合後、
あるいは製膜後公知の手法によりアニオン性基、並びに
カチオン性基を導入することにより達成される。カチオ
ン性基及びアニオン性基の割合は特に限定されないが、
好ましくは、 基の量−eq/g、 C:高分子鎖中のカチオン性基の
量−eq/g)の範囲である。
又、繰り返し単位中のアニオン性基及びカチオン性基の
割合は、一般式(1)において、m/nは10010〜
5/95好ましくは、10010〜20/80である。
割合は、一般式(1)において、m/nは10010〜
5/95好ましくは、10010〜20/80である。
+X a−−az−PchH■−h−(1)〔上記芳香
族系高分子において、XAandlorcはアニオン性
基及び/又はカチオン性基含有繰り返し単位、Xoはア
ニオン性基、カチオン性基共に含まない繰り返し単位で
ある。〕該両性高分子電解質において、アニオン性基及
びカチオン性基は一分子鎖内にランダム、ブロック状、
又はグラフトとして存在してもよいし、又繰り返し単位
中にアニオン性基及びカチオン性基共に含んでいてもよ
い。
族系高分子において、XAandlorcはアニオン性
基及び/又はカチオン性基含有繰り返し単位、Xoはア
ニオン性基、カチオン性基共に含まない繰り返し単位で
ある。〕該両性高分子電解質において、アニオン性基及
びカチオン性基は一分子鎖内にランダム、ブロック状、
又はグラフトとして存在してもよいし、又繰り返し単位
中にアニオン性基及びカチオン性基共に含んでいてもよ
い。
本発明における芳香族系高分子とは、主鎖が主として芳
香族化合物から成るもので、特に限定されないが、例え
ば、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリ
尿素、ポリウレタン、ポリスルホーン、ポリエーテルな
どを挙げることができる。
香族化合物から成るもので、特に限定されないが、例え
ば、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリ
尿素、ポリウレタン、ポリスルホーン、ポリエーテルな
どを挙げることができる。
又、本発明においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲
で線膜と相溶性のあるその他の高分子とブレンド、ブロ
ック及びグラフトしてもよい。これらのブレンド、ブロ
ック及びグラフトに用いる高分子はアニオン性基及び/
又はカチオン性基を必ずしも含まなくともよい。
で線膜と相溶性のあるその他の高分子とブレンド、ブロ
ック及びグラフトしてもよい。これらのブレンド、ブロ
ック及びグラフトに用いる高分子はアニオン性基及び/
又はカチオン性基を必ずしも含まなくともよい。
本発明による分離膜は膜強度及び分離性能を改善するた
めに架橋により、3次元構造を形成させることが好まし
い。この目的のために共有結合を使用した場合、例えば
、水酸基、第1級アミノ基、第2級アミノ基等の活性水
素を有する高分子化合物とエポキシ、酸塩化物、メラミ
ン化合物、イソシアネート、アルデヒド、酸無水物等の
活性水素と反応する官能基を有する化合物の組み合わせ
を用いて架橋することができる。さらに、紫外線照射、
電子線照射、プラズマ処理などによっても架橋すること
ができる。
めに架橋により、3次元構造を形成させることが好まし
い。この目的のために共有結合を使用した場合、例えば
、水酸基、第1級アミノ基、第2級アミノ基等の活性水
素を有する高分子化合物とエポキシ、酸塩化物、メラミ
ン化合物、イソシアネート、アルデヒド、酸無水物等の
活性水素と反応する官能基を有する化合物の組み合わせ
を用いて架橋することができる。さらに、紫外線照射、
電子線照射、プラズマ処理などによっても架橋すること
ができる。
かかる架橋は、架橋点となりうる活性点を有するモノマ
ーを共重合、並びに、アニオン性基やカチオン性基と共
に活性点をも含むモノマーを重合したり、架橋点となり
うる結合を生じる高分子(例えば、ポリ尿素の尿素結合
)を合成後、製膜時又は、製膜後架橋剤を添加並びに含
浸させ、熱処理、紫外線処理などにより行うことができ
る。これらの架橋法は単独で行ってもよく、又は、これ
らの架橋法を組み合わせて行ってもよい。この他、水素
結合による架橋なども用いることができる。この様にし
て作製された膜は、水/有機物混合物、例えば、ギ酸、
酢酸、プロピオン酸、酪酸等の打機酸、メタノール、エ
タノール、1−プロパツール、2=プロパツール、n−
ブタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル類、アルデヒド、プロピオンアルデヒド等
のアルデヒド類、ピリジンやピコリン等のアミン類の群
からなるl又は2以上の化合物を含む水溶液、又は水と
の蒸気混合物の分離に用いられる。
ーを共重合、並びに、アニオン性基やカチオン性基と共
に活性点をも含むモノマーを重合したり、架橋点となり
うる結合を生じる高分子(例えば、ポリ尿素の尿素結合
)を合成後、製膜時又は、製膜後架橋剤を添加並びに含
浸させ、熱処理、紫外線処理などにより行うことができ
る。これらの架橋法は単独で行ってもよく、又は、これ
らの架橋法を組み合わせて行ってもよい。この他、水素
結合による架橋なども用いることができる。この様にし
て作製された膜は、水/有機物混合物、例えば、ギ酸、
酢酸、プロピオン酸、酪酸等の打機酸、メタノール、エ
タノール、1−プロパツール、2=プロパツール、n−
ブタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル類、アルデヒド、プロピオンアルデヒド等
のアルデヒド類、ピリジンやピコリン等のアミン類の群
からなるl又は2以上の化合物を含む水溶液、又は水と
の蒸気混合物の分離に用いられる。
又、該両性高分子電解質分離膜は広範な水、イオン及び
気体処理用選択透過膜としても用いることができる。こ
れには、透析膜、逆透析膜、限外濾過膜などが含まれる
。
気体処理用選択透過膜としても用いることができる。こ
れには、透析膜、逆透析膜、限外濾過膜などが含まれる
。
本発明になる膜は平膜、チューブ膜、中空糸膜のいずれ
でも可能である。平膜は、そのまま積層するか、プリー
ツ型又は、渦巻状に成型してモジュールとすることがで
きる。又、複合膜として多孔性支持体上に塗布すること
により、膜厚を0.1μ程度まで薄くすることが可能で
ある。
でも可能である。平膜は、そのまま積層するか、プリー
ツ型又は、渦巻状に成型してモジュールとすることがで
きる。又、複合膜として多孔性支持体上に塗布すること
により、膜厚を0.1μ程度まで薄くすることが可能で
ある。
(発明の効果)
本発明によるアニオン性基及びカチオン性基を含有する
芳香族系高分子膜は、これらの基を含まない膜及びアニ
オン性基だけやカチオン性基のみを含む膜に比べ、水/
有機物の混合物の分離に対して透過速度及び分離係数共
に優れた性能を示し、かつ、耐溶剤性、耐熱性にも優れ
ている。
芳香族系高分子膜は、これらの基を含まない膜及びアニ
オン性基だけやカチオン性基のみを含む膜に比べ、水/
有機物の混合物の分離に対して透過速度及び分離係数共
に優れた性能を示し、かつ、耐溶剤性、耐熱性にも優れ
ている。
(実施例)
次に、実施例による本発明をさらに具体的に説明する。
2隻■−上
2.5−ジアミノベンゼンスルホン酸ナトリウム(0,
01モル)と4,4゛−ジアミノジフェニルアミン(0
,01モル)をジメチルアセトアミド(DMAC)5(
ldに溶かし、トリエチルアミン(0,02モル)を酸
捕捉剤として加えた後、冷却しながら無水トリメリド酸
クロライド(0,02モル)を一度に加え、3時間撹拌
を続け、前駆体のポリアミド酸を得た。
01モル)と4,4゛−ジアミノジフェニルアミン(0
,01モル)をジメチルアセトアミド(DMAC)5(
ldに溶かし、トリエチルアミン(0,02モル)を酸
捕捉剤として加えた後、冷却しながら無水トリメリド酸
クロライド(0,02モル)を一度に加え、3時間撹拌
を続け、前駆体のポリアミド酸を得た。
これを精製した後、ポリマーに対し、10%の3官能エ
ポキシ「テピック■」 (8産化学工業社製)を加え、
ガラス板上にキャスト、100℃で2時間乾燥した後、
ガラス板よりはがし、100℃で一晩、さらに200℃
で6時間真空乾燥することにより、ポリアミドイミド均
一膜を得た。80%酢酸を供給液とする70℃での浸透
気化法により膜の分離性能を測定した。得られた結果を
表1に示す。
ポキシ「テピック■」 (8産化学工業社製)を加え、
ガラス板上にキャスト、100℃で2時間乾燥した後、
ガラス板よりはがし、100℃で一晩、さらに200℃
で6時間真空乾燥することにより、ポリアミドイミド均
一膜を得た。80%酢酸を供給液とする70℃での浸透
気化法により膜の分離性能を測定した。得られた結果を
表1に示す。
ル較炭−上
実施例1における4、4°−ジアミノジフェニルアミン
が3.5ジアミノ安息香酸であること以外は同じである
ポリアミドイミド膜を得た。
が3.5ジアミノ安息香酸であること以外は同じである
ポリアミドイミド膜を得た。
膜の分離性能の測定結果を表1に示す。
ル較炭−I
実施例1において、ジアミンモノマーが2゜5ジアミノ
ベンゼンスルホン酸ナトリウム(0゜015モル)及び
2,4ジアミノフエノール(0,005モル)であるこ
と以外は同じであるポリアミドイミド膜を得た。Mの分
離性能の測定結果を表1に示す。
ベンゼンスルホン酸ナトリウム(0゜015モル)及び
2,4ジアミノフエノール(0,005モル)であるこ
と以外は同じであるポリアミドイミド膜を得た。Mの分
離性能の測定結果を表1に示す。
1隻桝−I
2.5ジアミノベンゼンスルホン酸ナトリウム(0,0
08モル)、2.6ジアミノピリジン(0,008モル
)、3.5ジアミノ安息香酸(0,004モル)をDM
Ac501dに溶かした後、無水ピロメリト酸(0,0
2モル)を一度に加え、3時間撹拌を続け、前駆体のポ
リアミド酸を得た。
08モル)、2.6ジアミノピリジン(0,008モル
)、3.5ジアミノ安息香酸(0,004モル)をDM
Ac501dに溶かした後、無水ピロメリト酸(0,0
2モル)を一度に加え、3時間撹拌を続け、前駆体のポ
リアミド酸を得た。
実施例1と同様にしてポリイミド均一膜を得た。膜の分
離性能を表1に示す。
離性能を表1に示す。
l較■−主
実施例2において、ジアミンモノマーが4.4”−ジア
ミノジフェニルアミンのみからなること以外は同じであ
るポリイミド均一膜を得た。膜の分離性能を表1に示す
。
ミノジフェニルアミンのみからなること以外は同じであ
るポリイミド均一膜を得た。膜の分離性能を表1に示す
。
Claims (7)
- (1)複数のアニオン性基とカチオン性基を同一分子内
に有し、主鎖が主に芳香族系高分子からなる両性高分子
電解質分離膜。 - (2)アニオン性基が、−SO_3M、−OSO_3M
、−COOM、−PO_3M(M=H、アルカリ金属、
アルカリ土類金属、その他の多価金属、あるいはこれら
の基と塩を形成し得るイオン類)、又はこれらの基の混
合物である特許請求の範囲第1項記載の両性高分子電解
質分離膜。 - (3)カチオン性基が、−NRnH_2_−n、−NR
n_+_1H_2_−nX、−NRmH_1_−m−、
−NRm_+_1H_1_−mX−(Rは炭素数1から
10までのアルキル基、nは0から2までの整数、mは
0もしくは1の整数、Xはハロゲン原子など種々の対イ
オン)、ピリジン残基、又はこれらの混合物である特許
請求の範囲第1項記載の両性高分子電解質分離膜。 - (4)該膜が架橋構造を有する特許請求の範囲第1項記
載の両性高分子電解質分離膜。 - (5)該芳香族系高分子が、ポリアミド、ポリアミドイ
ミド、ポリイミド、ポリ尿素、ポリウレタン、ポリスル
ホン、ポリエーテルの群から選定された少なくとも一種
である特許請求の範囲第1項記載の両性高分子電解質分
離膜。 - (6)該アニオン性基が、スルホン酸及びその塩である
特許請求の範囲第1項記載の両性高分子電解質分離膜。 - (7)該膜が浸透気化並びに蒸気透過用水/有機物分離
膜である特許請求の範囲第1項記載の両性高分子電解質
分離膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62114526A JPS63283707A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 両性高分子電解質分離膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62114526A JPS63283707A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 両性高分子電解質分離膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63283707A true JPS63283707A (ja) | 1988-11-21 |
JPH0568292B2 JPH0568292B2 (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=14639958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62114526A Granted JPS63283707A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 両性高分子電解質分離膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63283707A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009507643A (ja) * | 2005-09-13 | 2009-02-26 | ラサーク | 高純度の蒸気を生成する方法 |
JP2010269229A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 金属イオンを導入した中空糸炭素膜及びそれを用いたアルコール水溶液の脱水方法 |
JP2014159023A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-09-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 浸透気化膜およびフェノール濃縮方法 |
US8926731B2 (en) | 2005-09-13 | 2015-01-06 | Rasirc | Methods and devices for producing high purity steam |
CN109180936A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-01-11 | 天津市天缘电工材料股份有限公司 | 一种本征黑色聚酰亚胺薄膜及其制备方法与用途 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814242A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Fujitsu Ltd | 日本語入力装置 |
JPS5814272A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Tokyo Electric Co Ltd | オンラインキヤツシユレジスタ装置 |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP62114526A patent/JPS63283707A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814272A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Tokyo Electric Co Ltd | オンラインキヤツシユレジスタ装置 |
JPS5814242A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Fujitsu Ltd | 日本語入力装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009507643A (ja) * | 2005-09-13 | 2009-02-26 | ラサーク | 高純度の蒸気を生成する方法 |
US8282708B2 (en) | 2005-09-13 | 2012-10-09 | Rasirc | Method of producing high purity steam |
US8518150B2 (en) | 2005-09-13 | 2013-08-27 | Rasirc | Method of producing high purity steam |
US8926731B2 (en) | 2005-09-13 | 2015-01-06 | Rasirc | Methods and devices for producing high purity steam |
JP2010269229A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 金属イオンを導入した中空糸炭素膜及びそれを用いたアルコール水溶液の脱水方法 |
JP2014159023A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-09-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 浸透気化膜およびフェノール濃縮方法 |
CN109180936A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-01-11 | 天津市天缘电工材料股份有限公司 | 一种本征黑色聚酰亚胺薄膜及其制备方法与用途 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0568292B2 (ja) | 1993-09-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |