JPS6325012B2 - - Google Patents

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JPS6325012B2
JPS6325012B2 JP60198535A JP19853585A JPS6325012B2 JP S6325012 B2 JPS6325012 B2 JP S6325012B2 JP 60198535 A JP60198535 A JP 60198535A JP 19853585 A JP19853585 A JP 19853585A JP S6325012 B2 JPS6325012 B2 JP S6325012B2
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ppm
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JP60198535A
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Tetsuo Yoshida
Kazutoshi Tomyoshi
Yoshio Fujimura
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

産業上の利用分野 本発明は、特に半導体装置封止用等として好適
に用いられるエポキシ樹脂組成物に関するもので
ある。 従来の技術及び発明が解決しようとする問題点 エポキシ樹脂成形材料は、一般に他の熱硬化性
樹脂に比べて、電気特性、機械特性、接着性、耐
湿性等に優れており、かつ、成形時低圧でも充分
な流動性を流しており、インサート物を変形させ
たり、傷付けることがないなどの特性を保持して
いるため、信頼性の高い電気絶縁材料として、
IC、LSI、ダイオード、トランジスター、抵抗器
等の電子部品の封止や含浸などに巾広く利用され
ている。 従来、このエポキシ樹脂成形材料の代表的な硬
化剤として、酸無水物、芳香族アミン、ノボラツ
ク型フエノール樹脂等が挙げられ、これらのうち
でも、ノボラツク型フエノール樹脂を硬化剤とし
たエポキシ樹脂成形材料は、他の硬化剤を使用し
たエポキシ樹脂成形材料に比べて、耐湿性、信頼
性、成形性などの点において最も優れ、かつ、毒
性がなく安価であるという特徴を有しているため
に、IC、LSI、ダイオード、トランジスター等の
半導体装置の樹脂封止材料として広く用いられて
いる。 しかしながら、ノボラツク型フエノール樹脂を
硬化剤としたエポキシ樹脂成形材料は高温での電
気特性が悪いため、これを用いて動作温度が80℃
以上になるMOS型半導体装置を封止した場合、
この封止装置は電極間にリーク電流が流れ、正常
な半導体特性を示さなくなるとか、又、ICを樹
脂封止し、高温高湿度下での劣化試験を行なうと
チツプの配線に使用しているアルミニウム線が胆
時間で腐食し、断線が発生する等の欠点を有して
いる。 このため、エポキシ樹脂組成物を構成するエポ
キシ樹脂、硬化剤は勿論のこと、その他の各種成
分についても種々検討されているが、更に耐湿、
高温電気特性に優れたエポキシ樹脂組成物が望ま
れる。 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、優れ
た耐湿性、高温電気特性を有するエポキシ樹脂組
成物を提供することを目的とする。 問題点を解決するための手段及び作用 本発明者らは、上記目的を達成すべく種々検討
を行なつた結果、まずエポキシ樹脂組成物を半導
体封止用として使用した場合にみられる耐湿性、
高温電気特性の劣る原因を以下のイ,ロのように
考えた。 イ 半導体封止用として高温電気特性の劣る原因 封止樹脂中に微量のイオン性不純物や極性物質
が含まれていると、これらが高温雰囲気において
活発化し、動き易くなる。更に封止樹脂は半導体
素子の表面に直接に接しているが、半導体素子に
電界が発生した場合、素子に接している樹脂部分
では電界の作用によりイオン性不純物や極性物質
の動き易さが促進され、素子と樹脂との界面にお
いて樹脂の特性劣化が生じる。このため、素子の
電極間にリーク電流が生じ、ひいてはシヨート現
象を発生し、ついには素子が正常な半導体特性を
示さなくなる。 ロ 高温高湿雰囲気下に放置されたICのアルミ
ニウム配線の腐食の原因 (i) 封止用樹脂と素子、リードフレームとの接着
性が悪い場合には、高温高湿雰囲気下において
素子とリードフレームとの界面に水分が浸透し
素子まで到達する。この水分により、エポキシ
樹脂組成物の硬化物から微量の水溶性物質、例
えば、塩素、ナトリウム、有機酸等のイオン性
不純物や極性基を持つた未反応物が溶出され、
半導体素子表面に到達してアルミニウム配線を
腐食させる。 (ii) 半導体装置のエポキシ樹脂組成物の硬化物が
吸湿性、透水性を有しているため、高温高湿雰
囲気下で外部からの水分が硬化物を通つて内部
に浸透し、半導体素子の表面に到達する。以下
(i)と同様にしてアルミニウム配線を腐食させ
る。 そこで本発明者らは、上記イ,ロに基づく耐湿
性、高温電気特性の低下原因を可及的になくすエ
ポキシ樹脂組成物につき鋭意検討を行なつた結
果、エポキシ樹脂組成物中のイオン性あるいは極
性の不純物を減少すること、このためには、とり
わけエポキシ樹脂中の有機酸、塩素イオン及び加
水分解性塩素の量、中でもα,β−クロルヒドリ
ン基として存在する加水分解性塩素の量とフエノ
ール樹脂中の有機酸及び遊離のNa,Clの量、フ
リーのフエノール量を減少すること、また、エポ
キシ樹脂のエポキシ当量、エポキシ樹脂のエポキ
シ基aとフエノール樹脂のフエノール性水酸基b
とのモル比(a/b)を調整し、フエノール樹脂
の軟化点を調整すること、更には硬化促進剤と無
機充填剤の配合量を調整することにより、硬化特
性、高温時の電気特性、耐湿特性に優れ、その結
果、高温高湿下で長時間にわたつて放置してもア
ルミニウム線が腐食せず、断線も起らず、しかも
成型作業性に優れ、長期の保存安定性の高いエポ
キシ樹脂組成物が得られることを知見し、本発明
を完成するに至つたものである。 従つて、本発明は、 (1) 有機酸の含有量が100ppm以下、塩素イオン
の含有量が2ppm以下、加水分解性塩素の総含
有量が500ppm以下、かつα,β−クロルヒド
リン基として存在する加水分解性塩素原子が
40ppm以下、エポキシ当量が180〜230のクレゾ
ールノボラツクエポキシ樹脂、 (2) 軟化点が80〜120℃、有機酸の含有量が
100ppm以下、遊離のNa,Clが2ppm以下、フ
リーのフエノールが1%以下で、上記エポキシ
樹脂のエポキシ基aとフエノール樹脂のフエノ
ール性水酸基bとのモル比(a/b)が0.8〜
1.5の範囲に調整された配合量のノボラツク型
フエノール樹脂、 (3) 硬化促進剤、 (4) 無機充填剤 を含有し、硬化促進剤を該エポキシ樹脂と該フエ
ノール樹脂との合計量100重量部あたり0.4〜5重
量部、無機充填剤を200〜500重量部含有するエポ
キシ樹脂組成物を提供するものである。 以下、本発明を更に詳しく説明する。 まず、本発明の組成物を構成する(1)のエポキシ
樹脂は、平均構造式 で示されるクレゾールノボラツクエポキシ樹脂で
ある。この場合、このエポキシ樹脂としては、そ
の中に含まれる有機酸含有量が100ppm以下、よ
り好ましくは20ppm以下、塩素イオンが2ppm以
下、より好ましくは1ppm以下、加水分解性の塩
素の含有量が500ppm以下、より好ましくは
300ppm以下、エポキシ当量が180〜230、より好
ましくは180〜210のものを用いる必要があり、こ
れらの条件が1つでも満足しないと耐湿性、高温
電気特性が低下する。 この場合、加水分解性塩素の含有量は上述した
ように500ppm以下にするものであるが、その中
でもα,β−クロルヒドリン基として存在する加
水分解性塩素原子の量が重要であり、この量を
40ppm以下、より好ましくは20ppm以下とする必
要がある。 即ち、フエノール性水酸基を有する化合物をエ
ピクロルヒドリンでグリシジル化して得られるエ
ポキシ樹脂中に含まれる加水分解性塩素原子は耐
湿性に影響を与えるものであるが、本発明者らが
検討した結果によると、下記(i)〜(iii)、 の形で存在する塩素原子のなかで、最も加水分解
を受け易いα,β−クロルヒドリン基として存在
する塩素原子を40ppm以下とすると、耐湿性が顕
著に向上することを見い出したものである。 従つて、このように加水分解性塩素のうちα,
β−クロルヒドリン基として存在する塩素原子量
を40ppm以下にすることは、クレゾールノボラツ
クエポキシ樹脂のみならず、クレゾールのほかに
フエノール、ビスフエノールA、ビスフエノール
F等の各種ノボラツク樹脂のグリシジル化物、ビ
スフエノールAのグリシジル化物など、1分子中
に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を
用いる場合も推賞される。また、このようにα,
β−クロルヒドリン基として存在する塩素原子の
量が40ppm以下のエポキシ樹脂を用いた場合は、
有機ホスフイン化合物のほか、他の硬化促進剤、
例えば各種イミダゾール化合物、1,8−ジアザ
ビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−7などの硬
化促進剤を有効に使用することができる。 なお、上述したクレゾールノボラツク型エポキ
シ樹脂は必要により他のエポキシ樹脂、例えばク
レゾール以外のフエノール、ビスフエノールA、
ビスフエノールF等の各種ノボラツク樹脂や、グ
リシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエ
ステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポ
キシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、これらのハロゲ
ン化エポキシ樹脂などと併用することができる。
この場合、これら他のエポキシ樹脂もその有機酸
量、全塩素量を少なくすることが好ましい。ま
た、これら他のエポキシ樹脂の使用量はノボラツ
ク型エポキシ樹脂100重量部に対し50重量部以下
とすることが好ましい。 なおまた、上述した(1)成分の使用にあたつて、
モノエポキシ化合物を適宜併用することは差支え
なく、このモノエポキシ化合物としてはスチレン
オキシド、シクロヘキセンオキシド、プロピレン
オキシド、メチルグリシジルエーテル、エチルグ
リシジルエーテル、フエニルグリシジルエーテ
ル、アリルグリシジルエーテル、オクチレンオキ
シド、ドデセンオキシドなどが例示される。 また、本発明の硬化剤として使用する(2)のノボ
ラツク型フエノール樹脂は、平均構造式 で示されるフエノールとホルマリンとを酸触媒を
用いて反応させて得られるノボラツク型フエノー
ル樹脂であるが、前記したクレゾールノボラツク
エポキシ樹脂と同様に、半導体の耐湿性の点から
このノボラツク型フエノール樹脂中の遊離のNa,
Clが2ppm以下とする必要がある。また、これに
含まれるモノマーのフエノール、即ちフリーのフ
エノールの量が1%以上になると、上記耐湿性に
悪影響を及ぼすほかに、この組成物で成形品を作
る時、成形品にボイド、未充填、ひげ等の欠陥が
発生するため、上記フリーのフエノールの量は1
%以下にする必要がある。更に、このノボラツク
型フエノール樹脂製造時に残存して微量のホルム
アルデヒドのカニツアロ反応によつて生じる蟻酸
などの有機酸の量も半導体の耐湿性の点から
100ppm以下とする必要がある。更に、ノボラツ
ク型フエノール樹脂の軟化点が80℃未満になると
Tgが低くなり、このため耐熱性が悪くなり、ま
た軟化点が120℃を越えるとエポキシ樹脂組成物
の溶融粘度が高くなつて作業性に劣り、いずれの
場合も耐湿性が低下するので、ノボラツク型フエ
ノール樹脂の軟化点は80〜120℃とする必要があ
る。 なお、ノボラツク型フエノール樹脂中の遊離の
Na,Clのより好ましい範囲は2ppm以下、フリー
のフエノールの量のより好ましい範囲は0.3%以
下、有機酸の量のより好ましい範囲は30ppm以
下、ノボラツク型フエノール樹脂の軟化点のより
好ましい範囲は90〜110℃であり、上記範囲に調
整することにより本発明の目的をより確実に発揮
することができる。 更に、本発明のノボラツク型フエノール樹脂に
加えて、フエノール−フルフラール樹脂、レゾル
シン−ホルムアルデヒド樹脂、これらのオルガノ
ポリシロキサン変性フエノール樹脂、天然樹脂変
性フエノール樹脂、油変性フエノール樹脂などを
適宜併用しても差支えない。 本発明に用いる硬化促進剤としては、有機ホス
フイン化合物、各種イミダゾール化合物、1,8
−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−7
などが挙げられるが、特に粒径の小さい常温で固
体の第3級有機ホスフイン化合物、とりわけ平均
粒子径が20μm以下、最大粒子径が150μm以下の
ものを使用することが望ましく、この種の非常に
粒子の細かい第3級有機ホスフイン化合物を用い
ることにより、本発明の目的に対して効果がある
のみならず、フエノール硬化型エポキシ樹脂組成
物をトランスフアー成形材でIC、ダイオード、
トランジスター等の半導体装置を封止した場合、
ICではフレームの足の部分、ダイオードではリ
ード線の部分、トランジスターでは放熱板の部分
に発生する樹脂成分の含有率の高い透明なブリー
ドが少なくなるという効果がある。これに対し平
均粒子径が20μmを越えるもの、最大粒子径が
150μmを越えるものはブリードの発生が多くなる
場合が生じる。上記第3級有機ホスフイン化合物
としては、トリフエニルホスフイン、トリシクロ
ヘキシルホスフイン、メチルジフエニルホスフイ
ン、トリパラトリルホスフインなどが挙げられ、
これらの1種又は2種以上が用いられる。これら
のうちで特に本発明の目的にはトリフエニルホス
フイン、トリパラトリルホスフインが望ましい。
これら硬化促進剤の使用量は、上記(1)のエポキシ
樹脂と(2)のフエノール樹脂との合計量100重量部
当り0.4〜5重量部、より好ましくは0.8〜2重量
部相当使用する必要があり、この量が少なすぎる
と硬化性が悪く、また多すぎるとエポキシ樹脂組
成物の保存安定性、高温時の電気特性、耐湿特性
が悪くなる。なお、本発明に係る有機ホスフイン
化合物の平均粒子径のより好ましい範囲は10μm
以下、最大粒子径のより好ましい範囲は50μm以
下である。 上述した粒子径を満足する硬化促進剤の製造方
法は特に制限はないが、以下の方法が好適に採用
し得る。 即ち、融点の高い有機ホスフイン化合物に対し
ては、通常のハンマー式粉砕又はボールミル粉砕
で回数を重ねて粉砕することで目的とする粉砕物
が得られる。しかし、硬化促進剤として有効な有
機ホスフイン化合物には比較的融点の低いものも
あり、かかる融点の低い有機ホスフイン化合物の
場合、上記方法では粉砕時に発生する熱のため、
上記有機ホスフイン化合物が溶融し、目的とする
粒度のものが得られない場合がある。このため有
機ホスフイン化合物と無機充填剤、特に石英粉末
とを予めよくヘンシエルミキサー、Vブレンダー
等の混合機で混合し、その後機械的な粉砕機又は
ボールミル粉砕機にかけ、目的とする程度になる
まで篩にかける方法、あるいは有機ホスフイン化
合物を予めテトラヒドロフラン、アセトン、トル
エン等の溶剤中に溶解し、その後、平均粒子径
20μm以下、最大粒子径150μm以下の無機充填剤、
特に石英粉末をこの溶液中に入れて充分に撹拌し
てから減圧ストツプし、溶剤分を除去して得られ
る有機ホスフイン化合物を吸着した無機充填剤を
目的とする粒度になるまで篩にかける方法などが
好適に採用できる。 本発明において使用する(4)の無機充填剤として
は、例えば石英粉末、アルミナ粉末、タルク、ガ
ラス繊維、三酸化アンチモンなどが挙げられ、こ
れらの中で石英粉末が好ましい。 この石英粉末は、非結晶性、結晶性のいずれで
あつても、これらの混合物であつてもよく、また
天然、合成のいずれであつてもよいが、エポキシ
樹脂組成物をVLSIメモリ用の半導体装置につい
てα線対策を行なう時に使用する場合は、ウラ
ン、トリウムなどの含有量の少ない粉末状や球形
の合成石英を用いることが好ましく、更には
SiO2含有量が98%以上の結晶性又はSiO2を一度
溶融させた溶融石英等が好ましい。 無機充填剤として石英粉末を使用する場合の石
英粉末の好ましい平均粒子径の範囲は5〜30μm、
より好ましい範囲は5〜20μmであり、又、石英
粉末の配合量は上記(1)のエポキシ樹脂と(2)のフエ
ノール樹脂との合計量100重量部当り200〜500重
量部、より好ましくは230〜400重量部とする必要
がある。上記粒径分布を有する石英粉末は硅石又
は硅石を溶融したものを粉砕し、分級することに
よつて得ることができ、球形シリカは硅石又は合
成石英を粉砕したものを酸水素炎中で処理するこ
とにより得ることができ、必要に応じて分級を行
ない粒度調製することができる。 また、三酸化アンチモンは難燃助剤として配合
され得るが、三酸化アンチモンを配合する場合は
これに軟化点を50℃〜120℃にし、かつ、加水分
解性塩素、塩素イオンの不純物を少なくしたグリ
シジルエーテルタイプのハロゲン化合物をそのハ
ロゲン含有量を少なくして併用することが好まし
い。 即ち、樹脂組成物の不燃化に関して従来より様
様な検討がなされてきたが、エポキシ樹脂につい
て言えば、今日一般に同樹脂の不燃化はハロゲン
化物、特にBr化合物と三酸化アンチモンの併用
によつて行なわれている。しかしながら、ハロゲ
ン化物を使用したエポキシ樹脂組成物で封止した
半導体装置は、200℃以上の高温雰囲気に放置し
ておくと、必要な特性がでなくなるといつた現象
が発生する。これは、ハロゲン化合物はハロゲン
と炭素との結合エネルギーが炭素−炭素の結合エ
ネルギー、及び炭素−炭素の結合エネルギーに比
べて小さいため、180℃以上になるとハロゲンと
炭素との結合が切れ、ハロゲン原子が自由に動く
ようになるためと考えられる。 ところが、本発明者らが種々検討した結果によ
ると、上述したグリシジルエーテルタイプのハロ
ゲン化合物をその使用量を少なくして高純度で粒
径の小さい三酸化アンチモンと併用した場合は、
難燃性であり、かつ耐湿性、高温電気特性の非常
に優れたエポキシ樹脂組成物が得られることを見
い出したものである。 ここで、グリシジルエーテル型のハロゲン化合
物としては、エポキシ基のついた、即ち、グリシ
ジールエーテルタイプのBr及びCl化合物が分散
性、高温での電気特性の面でも好ましく、中でも
Br化合物が有効であるが、半導体の耐湿性の面
から、以下の構造式(iv)を有するテトラブロムビス
フエノールA−ジグリシジルエーテル又は構造式
(v)の臭素化フエノールノボラツク型エポキシ樹脂
のグリシジルエーテルが特に好ましい。 この場合、このグリシジルエーテル型ハロゲン
化合物は、その中に含まれる加水分解性の塩素が
500ppm以下、塩素イオンが5ppm以下のものを使
用することが好ましく、また高温での信頼性を確
保するためには、該グリシジルエーテル型ハロゲ
ン化合物中のハロゲン含有量を全樹脂成分量100
重量部当り0.2〜2重量部、好ましくは0.2〜1重
量部とし、かつエポキシ樹脂組成物をロールある
いは押出し材により50゜〜120℃に加熱して混練し
製造する際、該グリシジルエーテル型ハロゲン化
合物を樹脂組成物中に良く分散させるために、該
グリシジルエーテル型ハロゲン化合物の軟化点を
50〜120℃、好ましくは60〜100℃とすることが好
ましい。上記軟化点が50℃より低いと、分散性は
良くなるが、エポキシ樹脂組成物の粘度が低くな
り、このため成形した際にボイドとかバリ等が発
生して成形不良率が高くなる場合があり、120℃
より高いと分散性が悪くなり、難燃効果のために
該グリシジルエーテル型ハロゲン化合物が大量に
必要となり、高温での電気特性が悪くなる場合が
生じる。なお、分散性向上のためには、該グリシ
ジルエーテル型ハロゲン化合物を微粉状として使
用することが好ましい。 また、三酸化アンチモンとしては、半導体樹脂
封止用としての耐湿性、高温電気特性などの特性
面から純度98%以上、好ましくは99%以上、抽出
水伝導度5μ/cm2以下、好ましくは2μ/cm2
下のものを使用することが好ましい。更には上記
のグリシジルエーテル型ハロゲン化合物と併用す
ることにより少量で有効に難燃助剤としての効果
を発揮するため、分散性の良好なものを使用する
ことが好ましく、このためには平均粒子径を5μm
以下、より好ましくは粒子径が細かくなると発生
する粒子間の2次凝集防止の面から0.5〜3μmの
ものとすることが有効である。なお、三酸化アン
チモンの使用量は全樹脂成分100重量部当り3〜
20重量部、特に5〜15重量部とすることが好まし
い。また三酸化アンチモンとしては、その分散性
を向上するため、予め石英粉末等に使用されてい
る官能基のついたシラン化合物で表面処理した三
酸化アンチモンを使用することが好ましく、中で
も該シラン化合物としてγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランを使用することが好まし
い。 従つて、このように軟化点50〜120℃、加水分
解性塩素の量が500ppm以下、塩素イオンの含有
量が5ppm以下のグリシジルエーテル型ハロゲン
化合物を該グリシジルエーテル型ハロゲン化合
物、該エポキシ樹脂と該フエノール樹脂との合計
量、即ち全樹脂成分量100重量部当り該グリシジ
ルエーテル型ハロゲン化合物中のハロゲン成分し
て0.2〜2重量部相当使用し、かつ難燃助剤とし
て、平均粒子径5μm以下、純度98%以上、抽出水
伝導度5μ/cm2以下の三酸化アンチモンを全樹
脂成分量100重量部当り5〜20重量部使用するこ
とにより、樹脂組成物中のハロゲン化合物の量を
従来に比し極端に減少しても難燃性を有し、更に
はイオン性又は極性の不純物である塩素イオン、
加水分解性塩素などの量が適正に制御され、従つ
て耐湿性、高温電気特性に優れ、半導体装置封止
用等として好適に用いられるエポキシ樹脂組成物
が得られるものである。 本発明の組成物には、更に必要によりその目
的、用途などに応じ、各種の添加剤を配合するこ
とができる。例えば、ワツクス類、ステアリング
酸などの脂肪酸及びその金属塩等の離型剤、カー
ボンブラツク等の顔料、染料、難燃化剤、表面処
理剤(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン等)、老化防止剤、シリコーン系の可撓性付
与剤、その他の添加剤を配合することは差支えな
い。 本発明の組成物は、上述した成分の所用量を均
一に撹拌、混合し、予め70〜95℃に加熱してある
ロール、ニーダーなどにより混練、冷却し、粉砕
するなどの方法で得ることができる。なお、成分
の配合順序に特に制限はない。 本発明のエポキシ樹脂組成物は、IC、LSI、ト
ランジスタ、サイリスタ、ダイオード等の半導体
装置の封止用、プリント回路板の製造などに使用
される。なお、半導体装置の封止を行なう場合
は、従来より採用されている成形法、例えばトラ
ンスフア成形、インジエクシヨン成形、注型法な
どを採用して行なうことができる。この場合、エ
ポキシ樹脂組成物の成形温度は150〜180℃、ポス
トキユアーは150〜180℃で2〜16時間行なうこと
が好ましい。 発明の効果 以上説明したように、本発明はエポキシ樹脂
と、硬化剤としてフエノール樹脂と硬化促進剤
と、無機充填剤とを含有するエポキシ樹脂組成物
において、エポキシ樹脂として有機酸の含有量が
100ppm以下、塩素イオンの含有量が2ppm以下、
加水分解性塩素の総含有量が500ppm以下、かつ
α,β−クロルヒドリン基として存在する加水分
解性塩素の含有量が40ppm以下、エポキシ当量が
180〜230のクレゾールノボラツクエポキシ樹脂を
使用し、フエノール樹脂として軟化点が80〜120
℃、有機酸の含有量が100ppm以下、遊離のNa,
Clが2ppm以下、フリーのフエノールが1%以下
のノボラツク型フエノール樹脂を使用すると共
に、該エポキシ樹脂のエポキシ基aと該フエノー
ル樹脂のフエノール性水酸基bとのモル比(a/
b)を0.8〜1.5の範囲に調整し、更に、硬化促進
剤を該エポキシ樹脂と該フエノール樹脂との合計
量100重量部あたり0.4〜5重量部、無機充填剤を
200〜500重量部使用することにより、耐湿性、高
温電気特性に優れ、半導体装置封止用等として好
適に用いられるエポキシ樹脂組成物が得られるも
のである。 以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的
に説明するが、本発明は下記の実施例に制限され
るものではない。 〔実施例1〜4、比較例1〜3〕 エポキシ当量196のクレゾールノボラツクエポ
キシ樹脂(塩素イオン1ppm、加水分解性塩素
300ppm、α,β−クロルヒドリン基として存在
する加水分解性塩素20ppm、有機酸含有量
20ppm)、及び軟化点100℃のフエノール型ノボラ
ツク樹脂(有機酸含有率10ppm、Naイオン、Cl
イオン各々1ppm、フリーのフエノール0.1%)の
配合量割合を第1表に示したものとし、これらの
合計量100重量部に三酸化アンチモン30重量部、
溶融石英230重量部、カルナバワツクス1重量部、
カーボンブラツク1重量部、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン1重量部、更に硬化促
進剤として平均粒子径5μ、最大粒子径100μのト
リパラトリルホスフイン0.75重量部を添加した組
成物を充分に混合した後、加熱ロールで混練し、
次いで冷却してから粉砕してエポキシ樹脂組成物
(実施例1〜4、比較例1,2)を得た。 これらのエポキシ樹脂組成物を用い、二次転移
温度Tg、及び以下のA〜Eの諸測定を行なつた。 A スパイラルフロー EMMI規格に準じた金型にエポキシ樹脂を充
填し、成形温度160℃、成形圧力70Kg/cm2の条件
下で測定した。 B バーコール硬度 エポキシ樹脂を成形温度160℃、成形圧力70
Kg/cm2、成形時間2分で成形し、バーコール硬度
935にて成形時の硬度を測定した。 C 体積抵抗率の測定 成形温度160℃、成形圧力70Kg/cm2、成形時間
2分の条件で成形して直径6cm、厚さ2mmの円板
を作り、これを180℃で4時間ポストキユアーし
たテストピースついて、150℃の加熱時における
値をJIS−K16911に準じて測定した。 D 耐湿特性の測定 上記Aと同様の成形条件、ポストキユア条件で
得たテストピースを120℃の水蒸気中に500時間保
持した後、JIS K 6911に準じて60Hzによる誘電
率および誘電正接を測定した。 E Al腐食テスト チツプにAl配線をおこなつている14ピンICを
トランスフアー成形材にて100個成形し、成形品
を180℃、4時間ポストキユアし、その後120℃の
水蒸気中に500時間放置し、アルミニウム配線の
断線を検出して不良判定を行なつた。 以上の諸試験の結果を第1表に示す。
INDUSTRIAL APPLICATION FIELD The present invention relates to an epoxy resin composition particularly suitable for use in encapsulating semiconductor devices. Problems to be Solved by the Prior Art and the Invention Epoxy resin molding materials generally have superior electrical properties, mechanical properties, adhesive properties, moisture resistance, etc., compared to other thermosetting resins, and It has sufficient fluidity even at low pressure and maintains characteristics such as not deforming or damaging inserts, so it is used as a highly reliable electrical insulating material.
It is widely used for sealing and impregnating electronic components such as ICs, LSIs, diodes, transistors, and resistors. Conventionally, typical curing agents for this epoxy resin molding material include acid anhydrides, aromatic amines, novolac type phenolic resins, etc. Among these, epoxy resin molding materials using novolak type phenolic resin as a curing agent Compared to epoxy resin molding materials that use other curing agents, it has the characteristics of being the best in terms of moisture resistance, reliability, moldability, etc., as well as being non-toxic and inexpensive. Widely used as a resin encapsulation material for semiconductor devices such as ICs, LSIs, diodes, and transistors. However, epoxy resin molding materials that use novolac-type phenolic resin as a curing agent have poor electrical properties at high temperatures, so using this material can reduce the operating temperature to 80°C.
When encapsulating a MOS type semiconductor device with the above characteristics,
This sealing device is used for chip wiring because leakage current flows between the electrodes, causing the chip to no longer exhibit normal semiconductor characteristics. It has disadvantages such as the aluminum wire corrodes over time and wire breakage occurs. For this reason, not only the epoxy resin and curing agent that make up the epoxy resin composition, but also various other components have been studied, but in addition, moisture resistance,
Epoxy resin compositions with excellent high-temperature electrical properties are desired. The present invention was made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an epoxy resin composition having excellent moisture resistance and high-temperature electrical properties. Means and Effects for Solving the Problems The present inventors have conducted various studies to achieve the above object, and as a result, firstly, the moisture resistance observed when an epoxy resin composition is used for semiconductor encapsulation,
We considered the reasons for the poor high-temperature electrical characteristics as shown in A and B below. B. Cause of poor high-temperature electrical properties for semiconductor encapsulation If the encapsulation resin contains trace amounts of ionic impurities or polar substances, these become active and move easily in a high-temperature atmosphere. Furthermore, the sealing resin is in direct contact with the surface of the semiconductor element, but when an electric field is generated on the semiconductor element, the action of the electric field promotes the movement of ionic impurities and polar substances in the resin part that is in contact with the element. As a result, the characteristics of the resin deteriorate at the interface between the element and the resin. As a result, a leakage current occurs between the electrodes of the device, which in turn causes a shoot phenomenon, and eventually the device no longer exhibits normal semiconductor characteristics. (b) Causes of corrosion of aluminum wiring of IC left in a high temperature and high humidity atmosphere (i) If the adhesiveness between the encapsulating resin and the element and lead frame is poor, Moisture penetrates the interface between the two and reaches the element. This moisture causes trace amounts of water-soluble substances, such as ionic impurities such as chlorine, sodium, and organic acids, and unreacted substances with polar groups to be eluted from the cured product of the epoxy resin composition.
It reaches the surface of the semiconductor element and corrodes the aluminum wiring. (ii) Since the cured product of the epoxy resin composition for semiconductor devices has hygroscopicity and water permeability, moisture from the outside penetrates into the interior through the cured product in a high-temperature, high-humidity atmosphere, causing damage to the semiconductor device. reach the surface. below
Corrode the aluminum wiring in the same manner as in (i). Therefore, the present inventors have conducted extensive studies on epoxy resin compositions that eliminate as much as possible the causes of deterioration in moisture resistance and high-temperature electrical properties based on the above (a) and (b). To reduce polar impurities, in particular the amount of organic acids, chloride ions and hydrolyzable chlorine in the epoxy resin, especially the amount of hydrolyzable chlorine present as α,β-chlorohydrin groups and the phenolic resin. In addition, reducing the amount of organic acids and free Na, Cl, and the amount of free phenol in the epoxy resin, the epoxy equivalent of the epoxy resin, the epoxy group a of the epoxy resin and the phenolic hydroxyl group b of the phenolic resin.
By adjusting the molar ratio (a/b) of the phenolic resin, adjusting the softening point of the phenolic resin, and further adjusting the blending amount of the curing accelerator and inorganic filler, the curing properties, electrical properties at high temperatures, This epoxy has excellent moisture resistance, and as a result, the aluminum wire will not corrode or break even if left in high temperature and high humidity conditions for long periods of time, and it also has excellent moldability and long-term storage stability. It was discovered that a resin composition could be obtained, and the present invention was completed. Therefore, the present invention provides: (1) The content of organic acids is 100 ppm or less, the content of chlorine ions is 2 ppm or less, the total content of hydrolyzable chlorine is 500 ppm or less, and the content is present as α,β-chlorohydrin groups. Hydrolyzable chlorine atoms
Cresol novolac epoxy resin with an epoxy equivalent of 180 to 230 or less, (2) a softening point of 80 to 120℃, and an organic acid content of 40 ppm or less.
100 ppm or less, free Na, Cl is 2 ppm or less, free phenol is 1% or less, and the molar ratio (a/b) of the epoxy group a of the epoxy resin and the phenolic hydroxyl group b of the phenolic resin is 0.8 to
a novolak type phenolic resin in a blending amount adjusted to a range of 1.5%, (3) a curing accelerator, and (4) an inorganic filler, and the curing accelerator is added in a total amount of 100 parts by weight of the epoxy resin and the phenolic resin. The present invention provides an epoxy resin composition containing 0.4 to 5 parts by weight per filler and 200 to 500 parts by weight of an inorganic filler. The present invention will be explained in more detail below. First, the epoxy resin (1) constituting the composition of the present invention has an average structural formula of This is a cresol novolak epoxy resin shown by In this case, the epoxy resin contains organic acid content of 100 ppm or less, more preferably 20 ppm or less, chlorine ion content of 2 ppm or less, more preferably 1 ppm or less, and hydrolyzable chlorine content of 500 ppm or less. The following, more preferably
It is necessary to use a material with an epoxy equivalent of 300 ppm or less and an epoxy equivalent of 180 to 230, more preferably 180 to 210. If even one of these conditions is not satisfied, the moisture resistance and high temperature electrical properties will deteriorate. In this case, the content of hydrolyzable chlorine should be kept below 500 ppm as mentioned above, but the amount of hydrolyzable chlorine atoms present as α,β-chlorohydrin groups is important;
It needs to be 40 ppm or less, more preferably 20 ppm or less. That is, the hydrolyzable chlorine atoms contained in the epoxy resin obtained by glycidylating a compound having a phenolic hydroxyl group with epichlorohydrin affect moisture resistance, but according to the results of the studies conducted by the present inventors, (i) to (iii) below, Among the chlorine atoms present in the form of chlorine atoms, it has been found that moisture resistance is significantly improved when the chlorine atoms present as α,β-chlorohydrin groups, which are most susceptible to hydrolysis, are reduced to 40 ppm or less. Therefore, among the hydrolyzable chlorine, α,
Reducing the amount of chlorine atoms present as β-chlorohydrin groups to 40 ppm or less is effective not only for cresol novolac epoxy resins but also for glycidylated products of various novolac resins such as phenol, bisphenol A, and bisphenol F in addition to cresol, and bisphenol. The use of epoxy resins having two or more epoxy groups in one molecule, such as the glycidylated product of A, is also highly recommended. Also, like this, α,
When using an epoxy resin in which the amount of chlorine atoms existing as β-chlorohydrin groups is 40 ppm or less,
In addition to organic phosphine compounds, other curing accelerators,
For example, curing accelerators such as various imidazole compounds and 1,8-diazabicyclo[5,4,0]undecene-7 can be effectively used. In addition, the above-mentioned cresol novolak type epoxy resin may be used with other epoxy resins, such as phenols other than cresol, bisphenol A,
It can be used in combination with various novolac resins such as bisphenol F, glycidyl ether type epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidyl amine type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, and these halogenated epoxy resins.
In this case, it is preferable to reduce the organic acid content and total chlorine content of these other epoxy resins as well. Further, the amount of these other epoxy resins used is preferably 50 parts by weight or less per 100 parts by weight of the novolak type epoxy resin. Furthermore, when using the above-mentioned component (1),
There is no problem in using a monoepoxy compound in combination as appropriate, and examples of the monoepoxy compound include styrene oxide, cyclohexene oxide, propylene oxide, methyl glycidyl ether, ethyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, allyl glycidyl ether, octylene oxide, and dodecene. Examples include oxides. In addition, the novolak type phenolic resin (2) used as the curing agent of the present invention has an average structural formula of This novolak type phenolic resin is obtained by reacting the phenol represented by the formula with formalin using an acid catalyst.Similar to the above-mentioned cresol novolak epoxy resin, this novolak type phenolic resin is free Na,
Cl must be 2 ppm or less. In addition, if the monomer phenol contained in this composition, that is, the amount of free phenol, exceeds 1%, in addition to having a negative effect on the above-mentioned moisture resistance, when molded products are made with this composition, voids and unfilled molded products may occur. , defects such as whiskers occur, so the amount of free phenol is 1.
% or less. Furthermore, the amount of organic acids such as formic acid that remains during the production of this novolac type phenolic resin and is generated by the Cannitzaro reaction of a small amount of formaldehyde is also important from the viewpoint of moisture resistance of semiconductors.
Must be 100ppm or less. Furthermore, if the softening point of novolak type phenolic resin becomes less than 80℃,
The Tg becomes low, which causes poor heat resistance, and if the softening point exceeds 120°C, the melt viscosity of the epoxy resin composition increases, resulting in poor workability. The softening point of the type phenolic resin needs to be 80 to 120°C. In addition, free
A more preferable range for Na and Cl is 2 ppm or less, a more preferable range for the amount of free phenol is 0.3% or less, a more preferable range for the amount of organic acid is 30 ppm or less, and a more preferable range for the softening point of the novolak type phenolic resin is 90%. ~110°C, and by adjusting the temperature within the above range, the object of the present invention can be more reliably achieved. Furthermore, in addition to the novolak type phenolic resin of the present invention, phenol-furfural resin, resorcinol-formaldehyde resin, these organopolysiloxane-modified phenolic resins, natural resin-modified phenolic resins, oil-modified phenolic resins, etc. may be used in combination as appropriate. do not have. As the curing accelerator used in the present invention, organic phosphine compounds, various imidazole compounds, 1,8
-diazabicyclo[5,4,0]undecene-7
However, it is particularly desirable to use tertiary organic phosphine compounds with small particle sizes that are solid at room temperature, especially those with an average particle size of 20 μm or less and a maximum particle size of 150 μm or less. By using a tertiary organic phosphine compound with fine particles, it is not only effective for the purpose of the present invention, but also the phenol-curable epoxy resin composition can be used as a transfer molding material for ICs, diodes,
When semiconductor devices such as transistors are sealed,
This has the effect of reducing transparent bleed, which has a high resin content, and occurs in the frame legs of ICs, the lead wires of diodes, and the heat sinks of transistors. On the other hand, those with an average particle size exceeding 20μm and those with a maximum particle size of
If the diameter exceeds 150 μm, bleeding may occur frequently. Examples of the tertiary organic phosphine compounds include triphenylphosphine, tricyclohexylphosphine, methyldiphenylphosphine, triparatolylphosphine, and the like.
One or more of these may be used. Among these, triphenylphosphine and triparatolylphosphine are particularly desirable for the purpose of the present invention.
The amount of these curing accelerators used should be 0.4 to 5 parts by weight, more preferably 0.8 to 2 parts by weight, per 100 parts by weight of the epoxy resin in (1) and the phenol resin in (2) above. If the amount is too small, the curability will be poor, and if the amount is too large, the storage stability, electrical properties at high temperatures, and moisture resistance properties of the epoxy resin composition will be poor. In addition, the more preferable range of the average particle diameter of the organic phosphine compound according to the present invention is 10 μm.
Hereinafter, a more preferable range of the maximum particle diameter is 50 μm or less. Although there are no particular restrictions on the method for producing a curing accelerator that satisfies the above-mentioned particle size, the following method can be suitably employed. That is, for an organic phosphine compound having a high melting point, the desired pulverized product can be obtained by repeatedly pulverizing it by conventional hammer pulverization or ball mill pulverization. However, some organic phosphine compounds that are effective as hardening accelerators have relatively low melting points.
The organic phosphine compound may melt and the desired particle size may not be obtained. For this purpose, the organic phosphine compound and the inorganic filler, especially quartz powder, are thoroughly mixed in advance using a mixer such as a Henschel mixer or a V blender, and then subjected to a mechanical crusher or ball mill until the desired level is obtained. Alternatively, the organic phosphine compound is dissolved in a solvent such as tetrahydrofuran, acetone, toluene, etc., and then the average particle size is determined.
Inorganic filler with a maximum particle size of 20μm or less, 150μm or less,
In particular, there is a method in which quartz powder is placed in this solution, thoroughly stirred, the vacuum is stopped, the solvent is removed, and the resulting inorganic filler adsorbing the organic phosphine compound is sieved until it reaches the desired particle size. can be suitably adopted. Examples of the inorganic filler (4) used in the present invention include quartz powder, alumina powder, talc, glass fiber, antimony trioxide, and among these, quartz powder is preferred. This quartz powder may be either amorphous or crystalline, or a mixture thereof, and may be natural or synthetic. When using equipment to protect against alpha rays, it is preferable to use powdered or spherical synthetic quartz with a low content of uranium, thorium, etc.
Crystalline material with a SiO 2 content of 98% or more or fused quartz in which SiO 2 is once melted is preferable. When using quartz powder as an inorganic filler, the preferred average particle diameter range of the quartz powder is 5 to 30 μm;
A more preferable range is 5 to 20 μm, and the amount of quartz powder blended is 200 to 500 parts by weight, more preferably 230 parts by weight, per 100 parts by weight of the total amount of the epoxy resin (1) and the phenol resin (2). It should be ~400 parts by weight. Quartz powder having the above particle size distribution can be obtained by crushing and classifying silica or fused silica, and spherical silica can be obtained by crushing silica or synthetic quartz and treating it in an oxyhydrogen flame. The particle size can be adjusted by classification if necessary. In addition, antimony trioxide can be blended as a flame retardant aid, but when blending antimony trioxide, it must have a softening point of 50°C to 120°C and contain less impurities such as hydrolyzable chlorine and chlorine ions. It is preferable to use a glycidyl ether type halogen compound in combination with a reduced halogen content. In other words, various studies have been made to make resin compositions non-flammable, but when it comes to epoxy resins, it is generally done today by using a combination of halides, especially Br compounds, and antimony trioxide. It is. However, if a semiconductor device sealed with an epoxy resin composition containing a halide is left in a high-temperature atmosphere of 200° C. or higher, phenomena such as a loss of necessary characteristics occur. This is because in halogen compounds, the bond energy between halogen and carbon is smaller than the bond energy between carbon and carbon, and the bond energy between carbon and carbon, so when the temperature exceeds 180℃, the bond between halogen and carbon breaks, and the halogen atom This is thought to be due to the fact that it allows the body to move freely. However, according to the results of various studies conducted by the present inventors, when the above-mentioned glycidyl ether type halogen compound is used in a reduced amount and used in combination with antimony trioxide of high purity and small particle size,
It has been discovered that an epoxy resin composition that is flame retardant and has excellent moisture resistance and high-temperature electrical properties can be obtained. Here, as the glycidyl ether type halogen compound, epoxy group-attached, that is, glycidyl ether type Br and Cl compounds are preferable in terms of dispersibility and electrical properties at high temperatures, and among them,
Although Br compounds are effective, from the viewpoint of moisture resistance of semiconductors, tetrabromobisphenol A-diglycidyl ether having the following structural formula (iv) or structural formula
Glycidyl ether of brominated phenol novolak type epoxy resin (v) is particularly preferred. In this case, the glycidyl ether type halogen compound contains hydrolyzable chlorine.
It is preferable to use a glycidyl ether type halogen compound containing chlorine ions of 500 ppm or less, and 5 ppm or less of chlorine ions.In order to ensure reliability at high temperatures, the halogen content in the glycidyl ether type halogen compound should be reduced to 100 ppm or less of the total resin component.
0.2 to 2 parts by weight per part by weight, preferably 0.2 to 1 part by weight, and when producing the epoxy resin composition by heating and kneading it at 50° to 120°C with a roll or extrusion material, the glycidyl ether type halogen compound In order to disperse the glycidyl ether type halogen compound well in the resin composition, the softening point of the glycidyl ether type halogen compound is
The temperature is preferably 50 to 120°C, preferably 60 to 100°C. If the softening point is lower than 50°C, the dispersibility will be good, but the viscosity of the epoxy resin composition will be low, which may cause voids or burrs to occur during molding, resulting in a high molding failure rate. ,120℃
If it is higher than this, the dispersibility deteriorates, and a large amount of the glycidyl ether type halogen compound is required for the flame retardant effect, which may result in poor electrical properties at high temperatures. In addition, in order to improve dispersibility, it is preferable to use the glycidyl ether type halogen compound in the form of fine powder. In addition, antimony trioxide has a purity of 98% or more, preferably 99% or more, and an extracted water conductivity of 5 μ/cm 2 or less, preferably 2 μ /cm 2 or less is preferably used. Furthermore, when used in combination with the above-mentioned glycidyl ether type halogen compound, it effectively exhibits the effect as a flame retardant aid in a small amount, so it is preferable to use one with good dispersibility. 5 μm
Hereinafter, it is more effective to set the particle size to 0.5 to 3 μm from the viewpoint of preventing secondary aggregation between particles, which occurs when the particle size becomes fine. The amount of antimony trioxide used is 3 to 100 parts by weight of all resin components.
It is preferably 20 parts by weight, particularly 5 to 15 parts by weight. In addition, as antimony trioxide, in order to improve its dispersibility, it is preferable to use antimony trioxide that has been surface-treated in advance with a silane compound with a functional group used in quartz powder, etc. Among these, as the silane compound Preference is given to using γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane. Therefore, in this way, a glycidyl ether type halogen compound having a softening point of 50 to 120°C, an amount of hydrolyzable chlorine of 500 ppm or less, and a chlorine ion content of 5 ppm or less is combined with the glycidyl ether type halogen compound, the epoxy resin, and the like. The total amount with the phenol resin, that is, the amount equivalent to 0.2 to 2 parts by weight of the halogen component in the glycidyl ether type halogen compound per 100 parts by weight of the total resin component, and as a flame retardant aid, an average particle size of 5 μm or less, By using 5 to 20 parts by weight of antimony trioxide with a purity of 98% or more and an extracted water conductivity of 5μ/cm2 or less per 100 parts by weight of the total resin component, the amount of halogen compounds in the resin composition can be reduced compared to conventional methods. However, it has flame retardancy even if it is extremely reduced, and it also contains chlorine ions, which are ionic or polar impurities.
An epoxy resin composition in which the amount of hydrolyzable chlorine and the like is properly controlled, has excellent moisture resistance and high-temperature electrical properties, and is suitable for use in encapsulating semiconductor devices and the like can be obtained. The composition of the present invention may further contain various additives depending on its purpose, use, etc., if necessary. For example, waxes, fatty acids such as steering acid and mold release agents such as their metal salts, pigments such as carbon black, dyes, flame retardants, surface treatment agents (γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, etc.), aging There is no problem in blending an inhibitor, a silicone-based flexibility imparting agent, and other additives. The composition of the present invention can be obtained by a method such as uniformly stirring and mixing the required amounts of the above-mentioned components, kneading with a roll or kneader preheated to 70 to 95°C, cooling, and pulverizing. can. Note that there is no particular restriction on the order of blending the components. The epoxy resin composition of the present invention is used for sealing semiconductor devices such as ICs, LSIs, transistors, thyristors, and diodes, and for manufacturing printed circuit boards. In the case of sealing the semiconductor device, conventionally used molding methods such as transfer molding, injection molding, and casting can be used. In this case, the molding temperature of the epoxy resin composition is preferably 150 to 180°C, and the post-curing is preferably carried out at 150 to 180°C for 2 to 16 hours. Effects of the Invention As explained above, the present invention provides an epoxy resin composition containing an epoxy resin, a phenolic resin as a curing agent, a curing accelerator, and an inorganic filler, in which the content of organic acid as the epoxy resin is reduced.
100ppm or less, chlorine ion content 2ppm or less,
The total content of hydrolyzable chlorine is 500 ppm or less, the content of hydrolyzable chlorine existing as α,β-chlorohydrin group is 40 ppm or less, and the epoxy equivalent is
Uses 180-230 cresol novolac epoxy resin, with a softening point of 80-120 as a phenolic resin.
°C, organic acid content less than 100ppm, free Na,
A novolac-type phenolic resin containing 2 ppm or less of Cl and 1% or less of free phenol is used, and the molar ratio (a/
b) is adjusted to a range of 0.8 to 1.5, and further, 0.4 to 5 parts by weight of a curing accelerator and an inorganic filler per 100 parts by weight of the total amount of the epoxy resin and the phenol resin.
By using 200 to 500 parts by weight, an epoxy resin composition can be obtained which has excellent moisture resistance and high temperature electrical properties and is suitable for use in encapsulating semiconductor devices. EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically explained by showing examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples. [Examples 1 to 4, Comparative Examples 1 to 3] Cresol novolak epoxy resin with an epoxy equivalent of 196 (chlorine ion 1 ppm, hydrolyzable chlorine
300ppm, hydrolyzable chlorine present as α,β-chlorohydrin groups 20ppm, organic acid content
20ppm), and phenolic novolak resin with a softening point of 100℃ (organic acid content 10ppm, Na ion, Cl
The blending ratios of 1 ppm each and 0.1% free phenol are shown in Table 1, and 30 parts by weight of antimony trioxide and 100 parts by weight of the total amount of these are shown in Table 1.
230 parts by weight of fused quartz, 1 part by weight of carnauba wax,
Thoroughly mix a composition containing 1 part by weight of carbon black, 1 part by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and 0.75 part by weight of triparatolylphosphine with an average particle size of 5 μ and a maximum particle size of 100 μ as a curing accelerator. After that, knead with heated rolls,
The mixture was then cooled and pulverized to obtain epoxy resin compositions (Examples 1 to 4, Comparative Examples 1 and 2). Using these epoxy resin compositions, the secondary transition temperature Tg and the following measurements of A to E were performed. A Spiral Flow A mold conforming to the EMMI standard was filled with epoxy resin, and measurements were taken under conditions of a molding temperature of 160°C and a molding pressure of 70 kg/cm 2 . B Barcol hardness Molding temperature of epoxy resin 160℃, molding pressure 70
Kg/cm 2 , molded in 2 minutes, Barcol hardness
The hardness during molding was measured using 935. C Measurement of volume resistivity A test in which a disk with a diameter of 6 cm and a thickness of 2 mm was made by molding at a molding temperature of 160°C, a molding pressure of 70 Kg/cm 2 , and a molding time of 2 minutes, and this was post-cured at 180°C for 4 hours. The value of the piece when heated at 150°C was measured according to JIS-K16911. D. Measurement of moisture resistance properties A test piece obtained under the same molding conditions and post-cure conditions as in A above was held in steam at 120°C for 500 hours, and then the dielectric constant and dielectric loss tangent were measured at 60Hz in accordance with JIS K 6911. E Al corrosion test 100 14-pin ICs with Al wiring on the chip were molded using transfer molding material, the molded products were post-cured at 180℃ for 4 hours, and then left in steam at 120℃ for 500 hours. , a failure was determined by detecting a break in the aluminum wiring. The results of the above tests are shown in Table 1.

【表】【table】

〔実施例5,6、比較例3〜9〕[Examples 5 and 6, Comparative Examples 3 to 9]

実施例3において使用したクレゾールノボラツ
クエポキシ樹脂、ノボラツク型フエノール樹脂の
純度を第2表に示したものとしたほかは実施例3
と同一の添加剤、配合比及び製造条件にてエポキ
シ樹脂組成物(実施例5,6及び比較例3〜9)
を作り、上記EのAl腐食テスト及び下記Fの成
形不良率の試験を行なつた。 F 成形不良率の測定 トランスフアー成形機で100個取りの14PIN IC
用金型を用いて10シヨツト成形し、この時の外観
不良率(ボイド、未充填、スネークアイ等の不
良)を測定した。 以上のE,Fの測定結果を第2表に示す。
Example 3 except that the purity of the cresol novolak epoxy resin and novolak type phenol resin used in Example 3 was as shown in Table 2.
Epoxy resin compositions (Examples 5 and 6 and Comparative Examples 3 to 9) using the same additives, blending ratio, and manufacturing conditions as
The aluminum corrosion test (E) above and the molding failure rate test (F) below were conducted. F Measurement of molding defect rate 14PIN IC made of 100 pieces with transfer molding machine
Ten shots were molded using the mold, and the appearance defect rate (defects such as voids, unfilling, snake eyes, etc.) was measured. The above measurement results of E and F are shown in Table 2.

【表】【table】

〔実施例7〜9、比較例10,11〕[Examples 7 to 9, Comparative Examples 10 and 11]

実施例3において使用したノボラツク型フエノ
ール樹脂の軟化点を第3表に示したものとしたほ
かは実施例3と同様の条件にてエポキシ樹脂組成
物(実施例7〜9、比較例10,11)を作り、これ
を用いてTg及び前記A,F測定を行なつた。結
果を第3表に示す。
Epoxy resin compositions (Examples 7 to 9, Comparative Examples 10, 11 ) was used to measure Tg and the above A and F measurements. The results are shown in Table 3.

〔実施例10〜12、比較例12〕[Examples 10-12, Comparative Example 12]

実施例3のトリパラトリルホスフインの配合量
のみを変えてエポキシ樹脂組成物(実施例10〜
12、比較例12)を作り、前述のA,B,E,Fの
測定を行ない、第4表に示す結果を得た。
Epoxy resin compositions (Examples 10-
12, Comparative Example 12) was prepared, and the aforementioned measurements of A, B, E, and F were performed, and the results shown in Table 4 were obtained.

〔実施例 13〜16〕[Examples 13 to 16]

トリパラトリルホスフインの平均粒子径、最大
粒子径を第5表に示したものとした以外は実施例
3と同様にしてエポキシ樹脂組成物を作り、ブリ
ードの発生率を実施例3の場合と同様の方法にて
測定した。 結果を第5表に示す。
An epoxy resin composition was prepared in the same manner as in Example 3, except that the average particle size and maximum particle size of triparatolylphosphine were as shown in Table 5, and the rate of occurrence of bleeding was the same as in Example 3. Measured using the method. The results are shown in Table 5.

〔実施例 17〕[Example 17]

500mlのフラスコにトリフエニルホスフイン10
grとトルエン200grを入れ、更に平均粒子径
3μm、最大粒子径100μmの石英粉末100grを加
え、室温下で2.0時間撹拌した。その後、減圧に
てトルエンを完全に除去し、さらさらのトリフエ
ニルホスフインの吸着した石英粉末110grを得
た。これを325メツシユのふるいに5回かけ、ふ
るいを通つたものの粒子径を測定したところ、平
均粒子径3μm、最大粒子径100μmで使用した石英
粉末とほとんど変らなかつた。 実施例1の平均粒子径5μm、最大粒子径100μm
のトリパラトリルホスフインの代りに、上記のト
リフエニルホスフインの吸着した石英粉末を7.5
重量部使用したほかは実施例1と同様にしてエポ
キシ樹脂組成物を作成した。上記組成物を用い前
記E,Fの測定を行なつたところ、Al腐食発生
率は0%であり、かつICでのブリード発生率は
1.0%であつた。 〔実施例 18〕 ヘンシルミキサーにトリフエニルホスフイン
200grと平均粒子径10μm、最大粒子径150μmの
石英粉末2000grを入れ、360rpmの回転にて5
分間撹拌し、内容物を取り出した後、0.5mmのふ
るいを取付けたサンプルミルで粉砕をおこない、
1200grの粉砕物を得た。この粉砕物を325メツ
シユふるいに5回かけた後のふるいを通つたもの
は、平均粒子径10μm、最大粒子径100μの白色粉
末であつた。 実施例1の平均粒子径5μm、最大粒子径100μm
のトリパラトリルホスフインの代りに上記白色粉
末を7.5重量部使用したほかは実施例1と同様に
してエポキシ樹脂組成物を作成した。上記組成物
を用い前記E,Fの測定を行つたところ、Al腐
食発生率は0%であり、かつICでのブリード発
生率は0.5%であつた。 〔実施例19〜22、比較例13〕 第6表に示される値のエポキシ当量、加水分解
性塩素の総量、α,β−クロルヒドリン基として
存在する加水分解性塩素の量のクレゾールノボラ
ツクエポキシ樹脂(塩素イオン1ppm、有機酸含
有量20ppm)62部、フエノール当量110、軟化点
100℃のノボラツク型フエノール樹脂(有機酸含
有量10ppm、Naイオン、Clイオン各々1ppm、フ
リーのフエノール0.1%)35部、エポキシ当量280
のフエノールノボラツク型エポキシ樹脂の臭素化
物(臭素含有量36%)3部、溶融シリカ(平均粒
径13μm)250部、トリフエニルホスフイン1部、
カルナバワツクス1部、カーボンブラツク1部、
純度99.5%の三酸化アンチモン10部、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン2部からなる
組成物を充分に混合した後、加熱ロールで混練
し、次いで冷却粉砕してエポキシ樹脂組成物(実
施例19〜22、比較例13)を得た。 これらのエポキシ樹脂組成物につき、前記C,
D,Eの諸試験を行なつた。 以上の諸試験の結果を第6表に示す。
Triphenylphosphine 10 in a 500ml flask
Add gr and 200gr of toluene, and then adjust the average particle size.
100g of quartz powder with a particle size of 3 μm and a maximum particle size of 100 μm was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2.0 hours. Thereafter, toluene was completely removed under reduced pressure to obtain 110 gr of free-flowing quartz powder adsorbed with triphenylphosphine. When this was passed through a 325 mesh sieve five times and the particle size of what passed through the sieve was measured, the average particle size was 3 μm and the maximum particle size was 100 μm, which was almost the same as the quartz powder used. Example 1 average particle size 5 μm, maximum particle size 100 μm
Instead of triphenylphosphine, 7.5% of the above triphenylphosphine adsorbed quartz powder was used.
An epoxy resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that parts by weight were used. When E and F were measured using the above composition, the Al corrosion occurrence rate was 0%, and the bleeding occurrence rate at IC was 0%.
It was 1.0%. [Example 18] Triphenylphosphine in a Henshil mixer
Add 200gr and 2000gr of quartz powder with an average particle size of 10μm and a maximum particle size of 150μm, and rotate at 360rpm for 5 minutes.
After stirring for a minute and taking out the contents, pulverize with a sample mill equipped with a 0.5 mm sieve.
1200g of ground material was obtained. This pulverized material was passed through a 325 mesh sieve five times, and what passed through the sieve was a white powder with an average particle size of 10 μm and a maximum particle size of 100 μm. Example 1 average particle size 5 μm, maximum particle size 100 μm
An epoxy resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 7.5 parts by weight of the above white powder was used in place of triparatolylphosphine. When E and F were measured using the above composition, the Al corrosion occurrence rate was 0%, and the IC bleed occurrence rate was 0.5%. [Examples 19 to 22, Comparative Example 13] Cresol novolac epoxy resin with epoxy equivalent, total amount of hydrolyzable chlorine, and amount of hydrolyzable chlorine present as α,β-chlorohydrin groups as shown in Table 6. (chloride ion 1ppm, organic acid content 20ppm) 62 parts, phenol equivalent 110, softening point
Novolac type phenolic resin at 100℃ (organic acid content 10ppm, Na ion, Cl ion each 1ppm, free phenol 0.1%) 35 parts, epoxy equivalent 280
3 parts of brominated phenol novolak type epoxy resin (bromine content 36%), 250 parts of fused silica (average particle size 13 μm), 1 part of triphenylphosphine,
1 part carnauba wax, 1 part carbon black,
A composition consisting of 10 parts of antimony trioxide with a purity of 99.5% and 2 parts of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane was thoroughly mixed, kneaded with heated rolls, and then cooled and ground to form an epoxy resin composition (Example). 19-22 and Comparative Example 13) were obtained. Regarding these epoxy resin compositions, the above C,
Tests D and E were conducted. The results of the above tests are shown in Table 6.

【表】【table】

〔実施例23〜25、比較例14〜16〕[Examples 23-25, Comparative Examples 14-16]

フエノール当量110、軟化点90℃のノボラツク
型フエノール樹脂(有機酸含有量8ppm、Naイオ
ン、Clイオン各1ppm、フリーのフエノール0.1
%)32部と第7表に示される加水分解性塩素の総
量、α,β−クロルヒドリン基として存在する加
水分解性塩素の量のクレゾールノボラツクエポキ
シ樹脂(エポキシ当量200、塩素イオン1ppm、有
機酸含有量20ppm)61部に第7表に示される種類
と量の硬化促進剤を加え、更にエポキシ当量280
のエポキシ化フエノールノボラツク樹脂の臭素化
物2部、フエノール官能性シリコーンオイル(シ
ロキサン分40%、フエノール当量190)5部、溶
融シリカ(平均粒径5μ)270部、カルナバワツク
ス0.7部、カーボンブラツク1部、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン1.5部を加えた
後、実施例19〜22と同様にしてエポキシ組成物
(実施例23〜25、比較例14〜16)を得た。 これらのエポキシ樹脂組成物につき、前記A,
E,Fの諸試験を行なつた。 以上の諸試験の結果を第7表に示す。
Novolac type phenolic resin with phenol equivalent weight 110 and softening point 90℃ (organic acid content 8ppm, Na ion, Cl ion each 1ppm, free phenol 0.1
%) 32 parts and the total amount of hydrolyzable chlorine shown in Table 7, the amount of hydrolyzable chlorine present as α,β-chlorohydrin groups of cresol novolac epoxy resin (epoxy equivalent 200, chlorine ion 1 ppm, organic acid To 61 parts (content 20 ppm) was added a curing accelerator of the type and amount shown in Table 7, and an epoxy equivalent of 280
2 parts of brominated epoxidized phenolic novolac resin, 5 parts of phenol-functional silicone oil (40% siloxane, 190 phenol equivalent), 270 parts of fused silica (average particle size 5μ), 0.7 parts of carnauba wax, carbon black. After adding 1 part of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and 1.5 parts of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, epoxy compositions (Examples 23 to 25, Comparative Examples 14 to 16) were obtained in the same manner as Examples 19 to 22. Regarding these epoxy resin compositions, the above A,
Tests E and F were conducted. The results of the above tests are shown in Table 7.

【表】【table】

〔実施例 26〜29〕[Example 26-29]

エポキシ当量196のクレゾールノボラツクエポ
キシ樹脂(塩素イオン1ppm、加水分解性塩素
300ppm、α,β−クロルヒドリン基として存在
する加水分解性塩素20ppm、有機酸含有量
20ppm)、軟化点100℃のノボラツク型フエノール
樹脂(有機酸含有量10ppm、Naイオン、Clイオ
ン各々1ppm、フリーのフエノール0.1%)及び臭
素化ノボラツク型フエノール樹脂のグリシジルエ
ーテル(軟化点70℃、加水分解性塩素100ppm、
塩素イオン3ppm)の各配合量、上記グリシジル
エーテル化合物中の臭素量が上記エポキシ樹脂と
フエノール樹脂と上記グリシジルエーテル化合物
との合計量に対して占める割合(以下、Br含有
率と称する)、純度99.5%の三酸化アンチモン
(抽出水電気伝導度3μ/cm)の平均粒子径及び
配合量を第8表に示した値とし、これに純度99.9
%のトリフエニルホスフイン(抽出水電気伝導度
1μ/cm)0.75部、溶融石英230部、カルナバワ
ツクス1部、カーボンブラツク1部、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン1部を加えて
なる組成物を充分に混合した後、加熱ロールで混
練し、次いで冷却し粉砕してエポキシ樹脂組成物
を得た。 これらのエポキシ樹脂組成物につき、前記Aの
スパイラルフロー及び以下G,Hの諸試験を行な
つた。 G 断熱テスト チツプにAl配線をおこなつている14ピンICを
トランスフアー成形材にて100個成形し、成形品
を180℃、4時間ポストキユアし、その後250℃の
雰囲気中に1000時間放置し、アルミニウム配線の
断線及びリーク電流が10倍になつたICを不良と
してカウントし、不良率を測定した。 H 難燃テスト UV規格に準じて、1mmの厚さの成形物がUV
−V−Oになるかどうかを判定した。 以上の諸試験の結果を第8表に示す。
Cresol novolac epoxy resin with epoxy equivalent weight 196 (1 ppm chlorine ion, hydrolyzable chlorine
300ppm, hydrolyzable chlorine present as α,β-chlorohydrin groups 20ppm, organic acid content
20ppm), novolac type phenolic resin with a softening point of 100℃ (organic acid content 10ppm, Na ion, Cl ion each 1ppm, free phenol 0.1%) and glycidyl ether of brominated novolac type phenolic resin (softening point 70℃, hydrated) Degradable chlorine 100ppm,
The amount of bromine in the glycidyl ether compound relative to the total amount of the epoxy resin, phenol resin, and glycidyl ether compound (hereinafter referred to as Br content), purity 99.5 % of antimony trioxide (extracted water electrical conductivity 3 μ/cm), the average particle diameter and blending amount are as shown in Table 8, and the purity is 99.9.
% triphenylphosphine (extract water electrical conductivity
1 μ/cm), 230 parts of fused quartz, 1 part of carnauba wax, 1 part of carbon black, and 1 part of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane were thoroughly mixed, and then mixed with a heating roll. The mixture was kneaded, then cooled and pulverized to obtain an epoxy resin composition. These epoxy resin compositions were subjected to spiral flow tests in A above and various tests in G and H below. G. Insulation test 100 14-pin ICs with Al wiring on the chip were molded using transfer molding material, the molded products were post-cured at 180℃ for 4 hours, and then left in an atmosphere at 250℃ for 1000 hours. ICs in which the aluminum wiring was disconnected and the leakage current increased 10 times were counted as defective, and the defective rate was measured. H Flame retardant test According to UV standards, molded products with a thickness of 1 mm are
-V-O was determined. The results of the above tests are shown in Table 8.

【表】 〔実施例 30〕 エポキシ当量196のクレゾールノボラツクエポ
キシ樹脂(塩素イオン1ppm、加水分解性塩素
200ppm、α,β−クロルヒドリン基として存在
する加水分解性塩素20ppm、有機酸含有量
10ppm)66部、軟化点110℃のノボラツク型フエ
ノール樹脂(有機酸含有量10ppm、Na,Clイオ
ン各々1ppm、フリーのフエノール0.1%)33部、
エポキシ当量340のテトラブロムビスフエノール
A−ジグリシジルエーテル1部、γ−グリシドオ
キシプロピルトリメトキシシランで表面処理した
純度99.5%の三酸化アンチモン(平均粒子径
1.0μm、抽出水電気伝導度3μ/cm)15部、純度
99.9%のトリフエニルホスフイン0.75部、溶融石
英230部、カルナバワツクス1.0部、カーボンブラ
ツク1.0部、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン1.0部からなる組成物を充分に混合し
た後、加熱ロールで混練し、次いで冷却し粉砕し
てエポキシ樹脂組成物を得た。 このエポキシ樹脂組成物を使用して前記G,H
の試験を行なつたところ、耐熱テストでの不良率
は0となり、難燃テストではV−O相当で不燃で
あり、前記実施例29〜32と同様、耐熱性、難燃性
がともに優れたエポキシ樹脂組成物が得られた。
[Table] [Example 30] Cresol novolac epoxy resin with an epoxy equivalent of 196 (chlorine ion 1 ppm, hydrolyzable chlorine
200ppm, hydrolyzable chlorine present as α,β-chlorohydrin groups 20ppm, organic acid content
10ppm) 66 parts, novolak type phenolic resin with a softening point of 110°C (organic acid content 10ppm, Na and Cl ions each 1ppm, free phenol 0.1%) 33 parts,
1 part of tetrabromobisphenol A-diglycidyl ether with an epoxy equivalent of 340, antimony trioxide with a purity of 99.5% (average particle size) surface treated with γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane
1.0μm, extracted water electrical conductivity 3μ/cm) 15 parts, purity
After thoroughly mixing a composition consisting of 0.75 parts of 99.9% triphenylphosphine, 230 parts of fused silica, 1.0 parts of carnauba wax, 1.0 parts of carbon black, and 1.0 parts of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, the mixture was heated with a heated roll. The mixture was kneaded, then cooled and pulverized to obtain an epoxy resin composition. Using this epoxy resin composition, the G, H
When the test was carried out, the defect rate in the heat resistance test was 0, and in the flame retardant test, it was equivalent to V-O and nonflammable, and as in Examples 29 to 32, both heat resistance and flame retardance were excellent. An epoxy resin composition was obtained.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 エポキシ樹脂と、硬化剤としてフエノール樹
脂と、硬化促進剤と、無機充填剤とを含有するエ
ポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として
有機酸の含有量が100ppm以下、塩素イオンの含
有量が2ppm以下、加水分解性塩素の総含有量が
500ppm以下で、かつα,β−クロルヒドリン基
として存在する加水分解性塩素の含有量が40ppm
以下、エポキシ当量が180〜230のクレゾールノボ
ラツクエポキシ樹脂を使用し、フエノール樹脂と
して軟化点が80〜120℃、有機酸の含有量が
100ppm以下、遊離のNa、Clが2ppm以下、フリ
ーのフエノールが1%以下のノボラツク型フエノ
ール樹脂を使用すると共に、該エポキシ樹脂のエ
ポキシ基aと該フエノール樹脂のフエノール性水
酸基bとのモル比(a/b)を0.8〜1.5の範囲に
調整し、更に硬化促進剤を該エポキシ樹脂と該フ
エノール樹脂との合計量100重量部あたり0.4〜5
重量部、無機充填剤を200〜500重量部使用するこ
とを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 2 軟化点50〜120℃、加水分解性塩素の総含有
量が500ppm以下、塩素イオンの含有量が5ppm以
下のグリシジルエーテル型ハロゲン化合物を全樹
脂成分量100重量部当り該グリシジルエーテル型
ハロゲン化合物中のハロゲン成分として0.2〜2
重量部の範囲で配合すると共に、平均粒子径5μm
以下、純度98%以上、抽出水伝導度5μ/cm2
下の三酸化アンチモンを全樹脂成分量100重量部
当り5〜20重量部配合した特許請求の範囲第1項
記載のエポキシ樹脂組成物。 3 該グリシジルエーテル型ハロゲン化合物とし
てテトラブロムビスフエノールA−ジグリシジル
エーテル又は臭素化フエノールノボラツク型エポ
キシ樹脂のジグリシジルエーテルを使用した特許
請求の範囲第2項記載のエポキシ樹脂組成物。 4 該三酸化アンチモンとして予め官能基のつい
たシラン化合物で表面処理した三酸化アンチモン
を使用した特許請求の範囲第2項記載のエポキシ
樹脂組成物。 5 該シラン化合物としてγ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシランを使用した特許請求の範
囲第4項記載のエポキシ樹脂組成物。 6 硬化促進剤として平均粒子径が20μm以下、
最大粒子径が150μm以下の常温で固体の第3級有
機ホスフイン化合物を使用した特許請求の範囲第
1項乃至第6項のいずれか1項に記載のエポキシ
樹脂組成物。 7 該有機ホスフイン化合物として、トリフエニ
ルホスフイン又はトリパラトリルホスフインを使
用した特許請求の範囲第6項記載のエポキシ樹脂
組成物。 8 無機充填剤粉末と第3級有機ホスフイン化合
物とを混合し、粉砕して得られる粉砕物を使用し
た特許請求の範囲第6項又は第7項記載のエポキ
シ樹脂組成物。 9 予め有機ホスフイン化合物を無機充填剤粉末
に吸着させたものを使用した特許請求の範囲第6
項又は第7項記載のエポキシ樹脂組成物。
[Scope of Claims] 1. An epoxy resin composition containing an epoxy resin, a phenolic resin as a curing agent, a curing accelerator, and an inorganic filler, wherein the epoxy resin has an organic acid content of 100 ppm or less and a chlorine ion content. The total content of hydrolyzable chlorine is 2ppm or less.
500ppm or less, and the content of hydrolyzable chlorine present as α,β-chlorohydrin group is 40ppm
Below, a cresol novolac epoxy resin with an epoxy equivalent of 180 to 230 is used, and a phenolic resin with a softening point of 80 to 120℃ and an organic acid content of
Use a novolac type phenolic resin with 100 ppm or less, free Na and Cl 2 ppm or less, and 1% or less free phenol, and the molar ratio of the epoxy group a of the epoxy resin to the phenolic hydroxyl group b of the phenolic resin ( a/b) in the range of 0.8 to 1.5, and further add a curing accelerator of 0.4 to 5 parts per 100 parts by weight of the epoxy resin and the phenolic resin.
An epoxy resin composition comprising 200 to 500 parts by weight of an inorganic filler. 2. A glycidyl ether type halogen compound with a softening point of 50 to 120°C, a total hydrolyzable chlorine content of 500 ppm or less, and a chlorine ion content of 5 ppm or less per 100 parts by weight of the total resin component in the glycidyl ether type halogen compound. As a halogen component of 0.2 to 2
In addition to blending within the range of parts by weight, the average particle size is 5 μm.
The epoxy resin composition according to claim 1, further comprising 5 to 20 parts by weight of antimony trioxide having a purity of 98% or more and an extracted water conductivity of 5 μ/cm 2 or less per 100 parts by weight of the total resin components. 3. The epoxy resin composition according to claim 2, wherein tetrabromobisphenol A-diglycidyl ether or diglycidyl ether of a brominated phenol novolac type epoxy resin is used as the glycidyl ether type halogen compound. 4. The epoxy resin composition according to claim 2, wherein the antimony trioxide is antimony trioxide whose surface has been previously treated with a silane compound having a functional group. 5. The epoxy resin composition according to claim 4, wherein γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane is used as the silane compound. 6 As a curing accelerator, the average particle size is 20 μm or less,
The epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 6, which uses a tertiary organic phosphine compound that is solid at room temperature and has a maximum particle size of 150 μm or less. 7. The epoxy resin composition according to claim 6, which uses triphenylphosphine or triphenylphosphine or triphenylphosphine as the organic phosphine compound. 8. The epoxy resin composition according to claim 6 or 7, which uses a pulverized product obtained by mixing and pulverizing an inorganic filler powder and a tertiary organic phosphine compound. 9 Claim 6 using an organic phosphine compound adsorbed in advance on inorganic filler powder
The epoxy resin composition according to item 1 or item 7.
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