JPH10147628A - Epoxy resin composition for sealing semiconductor - Google Patents

Epoxy resin composition for sealing semiconductor

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JPH10147628A
JPH10147628A JP31069596A JP31069596A JPH10147628A JP H10147628 A JPH10147628 A JP H10147628A JP 31069596 A JP31069596 A JP 31069596A JP 31069596 A JP31069596 A JP 31069596A JP H10147628 A JPH10147628 A JP H10147628A
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JP
Japan
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resin composition
formula
resin
curing agent
hydrogen
Prior art date
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Application number
JP31069596A
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Japanese (ja)
Inventor
Norihisa Hoshika
典久 星加
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an epoxy resin composition for sealing a semiconductor, excellent in solder stress resistance and solder moisture resistance. SOLUTION: This composition comprises (A) a crystalline epoxy compound having 50-150 deg.C melting point, (B) a resin curing agent composed of 30-100wt.% of a dihydroxybenzene/alkylaldehyde resin curing agent of the formula ((m) is 2-7: (n) is 0-10; Xs are each hydrogen or hydroxyl group and may be different or the same, and at least one of X is hydroxyl group) in the whole resin curing agent, (C) an inorganic filler and (D) a curing promoter as essential components.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
表面実装における、耐半田ストレス性に優れた半導体封
止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having excellent resistance to soldering stress in surface mounting of a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品を、熱硬化性樹脂組成物で封止してい
るが、特に集積回路では、耐熱性、耐湿性に優れたオル
ソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をフェノール・
ホルムアルデヒド樹脂で硬化させ、充填材として溶融シ
リカ、結晶シリカ等の無機充填材を配合したエポキシ樹
脂組成物(以下、樹脂組成物という)が用いられてい
る。ところが近年、集積回路の高集積化に伴いチップが
徐々に大型化し、且つパッケージは従来のDIPタイプ
から表面実装化された小型、薄型のQFP、SOP、S
OJ、TSOP、TQFP、PLCCに変わってきてい
る。即ち、大型チップを小型で薄いパッケージに封入す
ることになり、熱応力によりクラックが発生し、これら
のクラックによる耐湿性低下等の問題が大きくクローズ
アップされてきている。特に半田付け工程において、急
激に200℃以上の高温にさらされることにより、パッ
ケージの割れや樹脂組成物とチップの剥離により耐湿性
が劣化してしまうといった問題点が出てきている。従っ
て、これらの大型チップを封止するのに適した、信頼性
の高い樹脂組成物の開発が望まれている。
2. Description of the Related Art Conventionally, electronic components such as diodes, transistors, and integrated circuits have been sealed with a thermosetting resin composition. In particular, in an integrated circuit, an ortho-cresol novolac type excellent in heat resistance and moisture resistance is used. Epoxy resin with phenol
An epoxy resin composition (hereinafter, referred to as a resin composition) which is cured with a formaldehyde resin and blended with an inorganic filler such as fused silica or crystalline silica as a filler is used. However, in recent years, chips have been gradually increased in size with the increase in integration of integrated circuits, and small and thin QFPs, SOPs, SOPs, and SPSs that have been surface-mounted from conventional DIP types have been packaged.
OJ, TSOP, TQFP, PLCC have been changed. That is, a large chip is sealed in a small and thin package, cracks are generated by thermal stress, and problems such as a decrease in moisture resistance due to the cracks have been greatly highlighted. Particularly, in the soldering process, there is a problem in that the device is suddenly exposed to a high temperature of 200 ° C. or more, and the moisture resistance is deteriorated due to cracking of the package or separation of the chip from the resin composition. Therefore, development of a highly reliable resin composition suitable for sealing these large chips is desired.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題点に対して、樹脂硬化剤として式(1)で示されるジ
ヒドロキシベンゼン・アルキルアルデヒド樹脂硬化剤を
用いることにより、基板実装時における半導体パッケー
ジの耐半田ストレス性を向上させた半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を提供するところにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves such a problem by using a dihydroxybenzene / alkylaldehyde resin curing agent represented by the formula (1) as a resin curing agent. An object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation in which the solder stress resistance of a semiconductor package is improved.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)融点5
0〜150℃の結晶性エポキシ化合物、(B)下記式
(1)で示されるジヒドロキシベンゼン・アルキルアル
デヒド樹脂硬化剤を、全樹脂硬化剤中に30〜100重
量%含む樹脂硬化剤、(C)無機充填材、及び(D)硬
化促進剤を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。
According to the present invention, (A) a melting point of 5
A crystalline epoxy compound at 0 to 150 ° C., (B) a resin curing agent containing 30 to 100 wt% of a dihydroxybenzene / alkyl aldehyde resin curing agent represented by the following formula (1) in all resin curing agents, (C) An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing an inorganic filler and (D) a curing accelerator as essential components.

【化5】 (ただし、m=2〜7、n=0〜10、Xは水素又は水
酸基であり、互いに同一であっても異なってもよいが、
それらのうち少なくとも1つは水酸基である。)
Embedded image (However, m = 2 to 7, n = 0 to 10, X is hydrogen or a hydroxyl group, and may be the same or different,
At least one of them is a hydroxyl group. )

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】本発明で用いる融点50〜150
℃の結晶性エポキシ化合物の分子構造は、低分子で、平
面的な構造を有しており、常温では結晶化している固体
であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度
の液状に変化するものである。結晶性エポキシ化合物の
融点としては、50〜150℃が好ましく、50℃未満
だと、常温で溶融しており、作業性の問題や、これを用
いた樹脂組成物の常温保管性の低下が懸念される。15
0℃を越えると、混練時に充分融解せず、均一分散出来
ないので硬化性及び成形性が低下し、更に不均一な成形
品となり、強度が各部によって異なるために半導体パッ
ケージの性能が低下する。これらの条件を満たす結晶性
エポキシ化合物としては、例えば、式(2)のビフェニ
ル型エポキシ化合物、式(3)のビスフェノール型エポ
キシ化合物、式(4)のスチルベン型エポキシ化合物、
ナフタレン型エポキシ化合物等が挙げられ、これらは単
独でも混合して用いてもよい。特に、式(2)、式
(3)、及び式(4)のエポキシ化合物が好ましく、こ
れらは混合して用いてもよい。又、耐湿信頼性向上のた
めに、これらの結晶性エポキシ化合物中に含まれる塩素
イオン、ナトリウムイオン、その他フリーのイオンは極
力少ないことが望ましい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The melting point used in the present invention is 50 to 150.
The molecular structure of the crystalline epoxy compound at ℃ is low molecular, has a planar structure and is a solid that crystallizes at room temperature, but melts rapidly in the temperature range above the melting point and has a low viscosity. It changes to a liquid. The melting point of the crystalline epoxy compound is preferably from 50 to 150 ° C., and if it is lower than 50 ° C., the crystalline epoxy compound is melted at room temperature, and there is a concern about workability and a decrease in room temperature storage property of a resin composition using the same. Is done. Fifteen
If the temperature exceeds 0 ° C., the composition does not melt sufficiently during kneading and cannot be uniformly dispersed, so that the curability and moldability are reduced. Further, the molded product becomes non-uniform, and the strength differs depending on each part, so that the performance of the semiconductor package is reduced. Examples of the crystalline epoxy compound satisfying these conditions include a biphenyl type epoxy compound of the formula (2), a bisphenol type epoxy compound of the formula (3), a stilbene type epoxy compound of the formula (4),
Examples include naphthalene type epoxy compounds, which may be used alone or as a mixture. Particularly, the epoxy compounds of the formulas (2), (3) and (4) are preferable, and these may be used as a mixture. Further, in order to improve the moisture resistance reliability, it is desirable that the amount of chlorine ions, sodium ions and other free ions contained in these crystalline epoxy compounds is as small as possible.

【化6】 (式中のR1は、水素、アルキル基、ハロゲンの中から
選択される原子又は基であり、それらは互いに同一であ
っても異なってもよい。)
Embedded image (R 1 in the formula is an atom or a group selected from hydrogen, an alkyl group, and a halogen, and they may be the same or different from each other.)

【0006】[0006]

【化7】 (式中のR2は、水素、アルキル基、ハロゲンの中から
選択される原子又は基であり、それらは互いに同一であ
っても異なってもよい。)
Embedded image (R 2 in the formula is an atom or group selected from hydrogen, an alkyl group, and a halogen, and they may be the same or different from each other.)

【0007】[0007]

【化8】 (式中のR3は、水素、アルキル基、ハロゲンの中から
選択される原子又は基であり、それらは互いに同一であ
っても異なってもよい。)
Embedded image (R 3 in the formula is an atom or a group selected from hydrogen, an alkyl group, and a halogen, and they may be the same or different.)

【0008】又、結晶性エポキシ化合物の特性を損なわ
ない範囲で、他のエポキシ樹脂を併用してもよい。併用
するエポキシ樹脂としては、例えば、オルソクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エ
ポキシ化合物等が挙げられる。
Further, other epoxy resins may be used in combination as long as the properties of the crystalline epoxy compound are not impaired. Examples of the epoxy resin used in combination include an orthocresol novolak type epoxy resin and a triphenolmethane type epoxy compound.

【0009】本発明で用いる式(1)のジヒドロキシベ
ンゼン・アルキルアルデヒド樹脂硬化剤は、ジヒドロキ
シベンゼン、又は、ジヒドロキシベンゼン及びフェノー
ルとアルキルアルデヒドとを酸触媒存在下で重縮合させ
て得られる樹脂で、従来のフェノール・ホルムアルデヒ
ド樹脂とは異なり、樹脂中に疎水性のアルキル基を含ん
でいることにより、比較的吸湿量が抑えられ、リードフ
レーム等の金属類及びシリコンチップとの接着性に優れ
る。又、ジヒドロキシベンゼンの効果により、ゴム領域
における高温時の強度が向上する。式(1)中のnは、
0〜10であり、n=0〜2のものを50重量%以上含
むジヒドロキシベンゼン・アルキルアルデヒド樹脂が望
ましい。n=3以上のものが多くなると、成形時の溶融
粘度が高くなるため、流動性が低下し好ましくない。式
(1)中のmは2〜7であり、1だと疎水性のアルキル
基の効果が小さく十分な低吸湿性が得られない。又、8
以上だと立体障害が大きく、エポキシ基と水酸基との硬
化反応を阻害し、樹脂組成物の硬化性の低下、或いは硬
化物のガラス転移温度が低下するおそれがある。ジヒド
ロキシベンゼン・アルキルアルデヒド樹脂硬化剤の配合
量は、これを調節することにより、耐半田ストレス性を
最大限に引き出すことができる。耐半田ストレス性の効
果を引き出すためには、式(1)で示されるジヒドロキ
シベンゼン・アルキルアルデヒド樹脂硬化剤を、全樹脂
硬化剤中に30重量%以上、好ましくは50重量%以上
配合することが望ましい。30重量%未満だと、目標と
する耐半田ストレス性が不充分となり好ましくない。式
(1)で示されるジヒドロキシベンゼン・アルキルアル
デヒド樹脂と併用する場合の、他の樹脂としては、フェ
ノール性水酸基を有するポリマー全般を用いればよい。
例えば、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノー
ル樹脂、キシリレン変性フェノール樹脂、テルペン変性
フェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙げ
られ、特に好ましいものとしては、ジシクロペンタジエ
ン変性フェノール樹脂、キシリレン変性フェノール樹脂
等が挙げられ、これらは混合して用いてもよい。又、こ
れらの配合量としては、エポキシ基数と硬化剤のフェノ
ール性水酸基数を合わせるように配合することが好まし
い。
The dihydroxybenzene / alkyl aldehyde resin curing agent of the formula (1) used in the present invention is dihydroxybenzene or a resin obtained by polycondensation of dihydroxybenzene and phenol with an alkyl aldehyde in the presence of an acid catalyst. Unlike a conventional phenol-formaldehyde resin, the resin contains a hydrophobic alkyl group, so that the amount of moisture absorption is relatively suppressed, and the adhesion to metals such as lead frames and silicon chips is excellent. Further, the strength of the rubber region at a high temperature is improved by the effect of dihydroxybenzene. N in the equation (1) is
A dihydroxybenzene-alkyl aldehyde resin containing 0 to 10 and containing at least 50% by weight of n = 0 to 2 is preferable. If n = 3 or more, the melt viscosity at the time of molding becomes high, so that the fluidity decreases, which is not preferable. M in the formula (1) is 2 to 7, and if it is 1, the effect of the hydrophobic alkyl group is so small that sufficient low hygroscopicity cannot be obtained. Also, 8
As described above, the steric hindrance is large, and the curing reaction between the epoxy group and the hydroxyl group is inhibited, so that the curability of the resin composition may be lowered or the glass transition temperature of the cured product may be lowered. By adjusting the compounding amount of the dihydroxybenzene / alkyl aldehyde resin curing agent, the solder stress resistance can be maximized. In order to bring out the effect of the solder stress resistance, the dihydroxybenzene / alkyl aldehyde resin curing agent represented by the formula (1) should be blended in all the resin curing agents in an amount of 30% by weight or more, preferably 50% by weight or more. desirable. If it is less than 30% by weight, the target solder stress resistance is insufficient, which is not preferable. When used in combination with the dihydroxybenzene-alkyl aldehyde resin represented by the formula (1), as the other resin, any polymer having a phenolic hydroxyl group may be used.
For example, phenol-formaldehyde resin, cresol novolak resin, dicyclopentadiene-modified phenolic resin, xylylene-modified phenolic resin, terpene-modified phenolic resin, triphenolmethane compound and the like, and particularly preferred are dicyclopentadiene-modified phenolic resin Xylylene-modified phenolic resins and the like may be mentioned, and these may be used as a mixture. Further, it is preferable to mix them in such a manner that the number of epoxy groups and the number of phenolic hydroxyl groups of the curing agent are matched.

【0010】本発明で用いる無機充填材としては、例え
ば、溶融シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉
末、二次凝集シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、アルミナ
等が挙げられ、特に、球状シリカ粉末、及び溶融シリカ
粉末と球状シリカ粉末との混合物が好ましい。配合量と
しては、耐半田ストレス性から全樹脂組成物中に70〜
90重量%が好ましい。70重量%未満だと、低熱膨張
性、低吸湿性が得られず、耐半田ストレス性が不充分と
なる。90重量%を越えると、高粘度化による半導体パ
ッケージ中のダイパット、及び金線ワイヤーのずれ等の
不都合が生じる。
Examples of the inorganic filler used in the present invention include fused silica powder, spherical silica powder, crystalline silica powder, secondary aggregated silica powder, porous silica powder, and alumina. And a mixture of fused silica powder and spherical silica powder is preferred. The compounding amount is 70 to 70% in all resin compositions from the viewpoint of solder stress resistance.
90% by weight is preferred. If it is less than 70% by weight, low thermal expansion properties and low moisture absorption properties cannot be obtained, and solder stress resistance becomes insufficient. If the content exceeds 90% by weight, inconveniences such as displacement of a die pad and a gold wire in a semiconductor package due to an increase in viscosity occur.

【0011】本発明で用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に用いられているも
のを広く用いることができる。例えば、1,8−ジアザ
ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリフェニル
ホスフィン、ベンジルジメチルアミン、2−メチルイミ
ダゾール等が挙げられ、これらは単独でも混合して用い
てもよい。
As the curing accelerator used in the present invention, any one can be used as long as it accelerates the curing reaction between the epoxy group and the phenolic hydroxyl group, and those generally used in sealing materials can be widely used. For example, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, triphenylphosphine, benzyldimethylamine, 2-methylimidazole and the like can be mentioned, and these may be used alone or as a mixture.

【0012】本発明の樹脂組成物は、(A)〜(D)成
分の他、必要に応じてシランカップリング剤、臭素化エ
ポキシ樹脂、三酸化アンチモン、ヘキサブロムベンゼン
等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、
天然ワックス、合成ワックス等の離型剤、及びシリコー
ンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種々の添加剤を適
宜配合しても差し支えない。
The resin composition of the present invention comprises, in addition to the components (A) to (D), if necessary, a silane coupling agent, a brominated epoxy resin, a flame retardant such as antimony trioxide and hexabromobenzene, and carbon black. , Colorants such as bengalara,
Various additives such as release agents such as natural wax and synthetic wax, and low stress additives such as silicone oil and rubber may be appropriately compounded.

【0013】又、本発明の樹脂組成物を製造するには、
(A)〜(D)成分、及びその他の添加剤等を、ミキサ
ー等を用いて充分に均一に混合した後、更に熱ロール又
はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して封止材料と
することができる。これらの樹脂組成物は、電気部品或
いは電子部品であるトランジスタ、集積回路等の被覆、
絶縁、封止等に適用することができる。
In order to produce the resin composition of the present invention,
After sufficiently mixing the components (A) to (D) and other additives and the like using a mixer or the like, the mixture is further melt-kneaded with a hot roll or a kneader, and then cooled and ground to form a sealing material. can do. These resin compositions are used for coating electrical or electronic components such as transistors and integrated circuits,
It can be applied to insulation, sealing, and the like.

【0014】[0014]

【実施例】以下本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例1 YX4000H(油化シェルエポキシ(株)・製、融点105℃、エポキシ当 量195g/eq) 8.68重量部 式(5)で示されるジヒドロキシベンゼン・アルキルアルデヒド樹脂(軟化点 80℃、水酸基当量72g/eq) 1.51重量部The present invention will be specifically described below with reference to examples. Example 1 YX4000H (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., melting point 105 ° C., epoxy equivalent 195 g / eq) 8.68 parts by weight Dihydroxybenzene alkyl aldehyde resin represented by the formula (5) (softening point 80 ° C., Hydroxyl equivalent 72 g / eq) 1.51 parts by weight

【0015】[0015]

【化9】 (nの値は0から3を示す混合物であり、その重量割合
は、n=0が1に対し、n=1が0.67、n=2が
0.31、n=3が0.12である。)
Embedded image (The value of n is a mixture showing a value of 0 to 3, and the weight ratio is 1 for n = 0, 0.67 for n = 1, 0.31 for n = 2, and 0.12 for n = 3. Is.)

【0016】 フェノール・ホルムアルデヒド樹脂(軟化点75℃、水酸基当量106g/e q) 2.81重量部 溶融シリカ粉末(平均粒径10μm、比表面積2.0m2/g) 35.00重量部 溶融球状シリカ粉末(平均粒径30μm、比表面積2.5m2/g) 50.00重量部 1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという) 0.20重量部 臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量275g/eq) 0.80重量部 カーボンブラック 0.50重量部 カルナバワックス 0.50重量部 を常温においてミキサーで混合し、70〜100℃で二
軸ロールを用いて混練し、冷却後粉砕して樹脂組成物と
した。得られた樹脂組成物の曲げ強度、耐半田ストレス
性、半田耐湿性を次に示す方法で評価した。結果を表1
に示す。
Phenol / formaldehyde resin (softening point 75 ° C., hydroxyl equivalent 106 g / eq) 2.81 parts by weight Fused silica powder (average particle size 10 μm, specific surface area 2.0 m 2 / g) 35.00 parts by weight Fused spherical Silica powder (average particle size 30 μm, specific surface area 2.5 m 2 / g) 50.00 parts by weight 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 (hereinafter referred to as DBU) 0.20 parts by weight bromination Phenol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 275 g / eq) 0.80 parts by weight Carbon black 0.50 parts by weight Carnauba wax 0.50 parts by weight is mixed at room temperature with a mixer, and the mixture is mixed at 70 to 100 ° C. using a biaxial roll. It was kneaded, cooled and pulverized to obtain a resin composition. The bending strength, solder stress resistance, and solder moisture resistance of the obtained resin composition were evaluated by the following methods. Table 1 shows the results
Shown in

【0017】評価方法 曲げ強度試験:JIS K 6911に準じ、240℃
での曲げ強度を測定した。 耐半田ストレス性試験:80pQFP(厚み2mm、チ
ップサイズ7.5mm×7.5mm)を、金型温度17
5℃、圧力70kg/cm2、成形時間120秒で成形
した。ポストキュアとして175℃で8時間処理した。
パッケージ8個を85℃、相対湿度85%の環境下で7
2時間処理し、その後IRリフロー処理(240℃)を
行った。処理後の内部の剥離、クラックの有無を超音波
探傷機で観察し、不良パッケージの個数をカウントし
た。 半田耐湿性試験:16pSOP(チップサイズ3mm×
6mm)を、金型温度175℃、圧力70kg/c
2、成形時間120秒で成形した。ポストキュアとし
て175℃で8時間処理した。これを85℃、相対湿度
85%の環境下で24時間処理し、その後IRリフロー
処理(240℃)を行った。更に、プレッシャークッカ
ー試験(125℃、圧力2.4kg/cm2)を行い、
回路のオープン不良を測定した。
Evaluation method Bending strength test: 240 ° C. according to JIS K 6911
Was measured for bending strength. Solder stress resistance test: 80 pQFP (thickness 2 mm, chip size 7.5 mm × 7.5 mm) at mold temperature 17
Molding was performed at 5 ° C., a pressure of 70 kg / cm 2 , and a molding time of 120 seconds. Post-curing was performed at 175 ° C. for 8 hours.
8 packages in an environment of 85 ° C and 85% relative humidity.
After a treatment for 2 hours, an IR reflow treatment (240 ° C.) was performed. After the treatment, the presence or absence of internal peeling or cracking was observed with an ultrasonic flaw detector, and the number of defective packages was counted. Solder moisture resistance test: 16pSOP (chip size 3mm ×
6 mm) at a mold temperature of 175 ° C. and a pressure of 70 kg / c.
Molding was performed with m 2 and a molding time of 120 seconds. Post-curing was performed at 175 ° C. for 8 hours. This was treated for 24 hours in an environment of 85 ° C. and 85% relative humidity, and then subjected to IR reflow treatment (240 ° C.). Further, a pressure cooker test (125 ° C., pressure 2.4 kg / cm 2 ) was performed.
The open failure of the circuit was measured.

【0018】実施例2〜8 表1の処方に従って配合し、実施例1と同様にして樹脂
組成物を得、実施例1と同様にして評価した。結果を表
1に示す。実施例5、6のエポキシ化合物は式(6)
(融点96℃、エポキシ当量197g/eq)で示され
る。
Examples 2 to 8 Compounded according to the formulation shown in Table 1, a resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, and evaluated in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results. The epoxy compounds of Examples 5 and 6 have the formula (6)
(Melting point: 96 ° C., epoxy equivalent: 197 g / eq).

【化10】 Embedded image

【0019】実施例6、7、8のジヒドロキシベンゼン
・アルキルアルデヒド樹脂は式(7)(軟化点95℃、
水酸基当量77g/eq)で示される。
The dihydroxybenzene-alkyl aldehyde resins of Examples 6, 7, and 8 have the formula (7) (softening point of 95 ° C.,
It is shown by a hydroxyl equivalent of 77 g / eq).

【化11】 (n、kの値は0から4を示す混合物である。その重量
割合はn+k=1が1に対し、n+k=2が0.74、
n+k=3が0.45、n+k=4が0.18であ
る。)
Embedded image (The value of n and k is a mixture showing 0 to 4. The weight ratio is 1 for n + k = 1, 0.74 for n + k = 2,
n + k = 3 is 0.45 and n + k = 4 is 0.18. )

【0020】比較例1〜4 表2の処方に従って配合し、実施例1と同様にして成形
材料を得、実施例1と同様にして評価した。結果を表2
に示す。
Comparative Examples 1 to 4 Compounded according to the formulation shown in Table 2, a molding material was obtained in the same manner as in Example 1, and evaluated in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the results
Shown in

【0021】[0021]

【表1】 [Table 1]

【0022】[0022]

【表2】 [Table 2]

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明に従うと、半導体パッケージの基
板への実装時における耐半田ストレス性が向上し、且つ
半田耐湿性も向上する。
According to the present invention, the solder stress resistance when the semiconductor package is mounted on the substrate is improved, and the solder moisture resistance is also improved.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // C08G 8/04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI // C08G 8/04

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)融点50〜150℃の結晶性エポ
キシ化合物、(B)下記式(1)で示されるジヒドロキ
シベンゼン・アルキルアルデヒド樹脂硬化剤を、全樹脂
硬化剤中に30〜100重量%含む樹脂硬化剤、(C)
無機充填材、及び(D)硬化促進剤を必須成分とする半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (ただし、m=2〜7、n=0〜10、Xは水素又は水
酸基であり、互いに同一であっても異なってもよいが、
それらのうち少なくとも1つは水酸基である。)
1. A resin composition comprising: (A) a crystalline epoxy compound having a melting point of 50 to 150 ° C .; and (B) a dihydroxybenzene / alkyl aldehyde resin curing agent represented by the following formula (1): % Of resin curing agent, (C)
An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing an inorganic filler and (D) a curing accelerator as essential components. Embedded image (However, m = 2 to 7, n = 0 to 10, X is hydrogen or a hydroxyl group, and may be the same or different,
At least one of them is a hydroxyl group. )
【請求項2】 結晶性エポキシ化合物(A)が式
(2)、式(3)、又は式(4)である請求項1記載の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化2】 (式中のR1は、水素、アルキル基、ハロゲンの中から
選択される原子又は基であり、それらは互いに同一であ
っても異なってもよい。) 【化3】 (式中のR2は、水素、アルキル基、ハロゲンの中から
選択される原子又は基であり、それらは互いに同一であ
っても異なってもよい。) 【化4】 (式中のR3は、水素、アルキル基、ハロゲンの中から
選択される原子又は基であり、それらは互いに同一であ
っても異なってもよい。)
2. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the crystalline epoxy compound (A) is represented by the formula (2), (3) or (4). Embedded image (R 1 in the formula is an atom or a group selected from hydrogen, an alkyl group, and a halogen, and they may be the same or different from each other.) (R 2 in the formula is an atom or a group selected from hydrogen, an alkyl group, and a halogen, and they may be the same or different from each other.) (R 3 in the formula is an atom or a group selected from hydrogen, an alkyl group, and a halogen, and they may be the same or different.)
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