JP3310447B2 - Epoxy resin composition - Google Patents

Epoxy resin composition

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JP3310447B2
JP3310447B2 JP03255094A JP3255094A JP3310447B2 JP 3310447 B2 JP3310447 B2 JP 3310447B2 JP 03255094 A JP03255094 A JP 03255094A JP 3255094 A JP3255094 A JP 3255094A JP 3310447 B2 JP3310447 B2 JP 3310447B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの表面実
装化における耐半田ストレス性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation which is excellent in resistance to soldering stress in surface mounting of semiconductor devices.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特
に集積回路では耐熱性、耐湿性に優れたオルソクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂をフェノールノボラック樹
脂で硬化させ、充填材として溶融シリカ、結晶シリカ等
の無機充填材を配合したエポキシ樹脂組成物が用いられ
ている。ところが近年、集積回路の高集積化に伴いチッ
プがだんだん大型化し、かつパッケージは従来のDIP
タイプから表面実装化された小型、薄型のQFP、SO
P、SOJ、TSOP、TQFP、PLCCに変わって
きている。即ち大型チップを小型で薄いパッケージに封
入することになり、熱応力によりクラックが発生し、こ
れらのクラックによる耐湿性の低下等の問題が大きくク
ローズアップされている。特に半田付けの工程において
急激に200℃以上の高温にさらされることにより、パ
ッケージの割れや樹脂とチップの剥離により耐湿性が劣
化してしまうといった問題点がでてきている。従って、
これらの大型チップを封止するのに適した信頼性の高い
半導体封止用樹脂組成物の開発が望まれている。
2. Description of the Related Art Conventionally, electronic components such as diodes, transistors, and integrated circuits are sealed with a thermosetting resin. In particular, in an integrated circuit, an ortho-cresol novolac type epoxy resin having excellent heat resistance and moisture resistance is replaced with phenol. An epoxy resin composition cured with a novolak resin and blended with an inorganic filler such as fused silica or crystalline silica as a filler is used. However, in recent years, the chip has been gradually increased in size with the increase in the integration degree of the integrated circuit, and the package has been changed to the conventional DIP.
Small and thin QFP, SO surface mounted from type
P, SOJ, TSOP, TQFP, PLCC have been changed. That is, a large chip is sealed in a small and thin package, and cracks are generated due to thermal stress. Problems such as a decrease in moisture resistance due to these cracks are greatly highlighted. In particular, there has been a problem in that the device is suddenly exposed to a high temperature of 200 ° C. or more in the soldering process, and the moisture resistance is deteriorated due to cracking of the package or separation of the resin and the chip. Therefore,
The development of a highly reliable resin composition for semiconductor encapsulation suitable for encapsulating these large chips has been desired.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題点に対してエポキシ樹脂として式(1)で示されるエ
ポキシ樹脂を用い、フェノール樹脂硬化剤として式
(2)で示されるフェノール樹脂硬化剤を用いることに
より、実装時における半導体パッケージの耐半田ストレ
ス性を著しく向上させた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供するところにある。
The present invention solves such problems by using an epoxy resin represented by the formula (1) as an epoxy resin and a phenol resin represented by the formula (2) as a phenol resin curing agent. An object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation in which the use of a curing agent has significantly improved the solder stress resistance of a semiconductor package during mounting.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)下記式
(1)で示されるエポキシ化合物を総エポキシ樹脂量に
対して30〜100重量%含むエポキシ樹脂、
According to the present invention, there is provided an epoxy resin containing (A) an epoxy compound represented by the following formula (1) in an amount of 30 to 100% by weight based on the total epoxy resin amount:

【0005】[0005]

【化3】 (式中のR1 4 はメチル基、R 5 〜R 8 は水素原子、R
9 、R 10 はターシャルブチル基
Embedded image (Wherein R 1 to R 4 are a methyl group, R 5 to R 8 are a hydrogen atom,
9 and R 10 are tert-butyl groups )

【0006】(B)下記式(2)で示されるフェノール
樹脂硬化剤を総フェノール樹脂硬化剤量に対して30〜
100重量%含むフェノール樹脂硬化剤、
(B) The phenolic resin curing agent represented by the following formula (2) is used in an amount of 30 to 30% based on the total amount of the phenolic resin curing agent.
A phenolic resin curing agent containing 100% by weight,

【0007】[0007]

【化4】 (式中のRは水素、ハロゲン類、炭素数1〜5のアルキ
ル基の中から選択される同一もしくは異なる原子または
基)
Embedded image (R in the formula is the same or different atom or group selected from hydrogen, halogens, and alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms)

【0008】(C)無機充填材、(D)硬化促進剤を必
須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物であり、
従来のエポキシ樹脂組成物に比べ、優れた信頼性として
耐半田クラック性と半田処理後の耐湿性を有するもので
ある。
An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation comprising (C) an inorganic filler and (D) a curing accelerator as essential components,
Compared with the conventional epoxy resin composition, it has solder crack resistance and moisture resistance after soldering as excellent reliability.

【0009】式(1)の分子構造で示されるエポキシ化
合物は、2官能性のビスフェノールタイプの化合物をエ
ピクロルヒドリンを用いグリシジルエーテル化すること
により得られる。従来のクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂に比べ、溶融時に低粘性が得られ、無機充填材の
更なる高配合化を図ることができる。従って組成物の硬
化物物性として低吸湿化、低熱膨張化、高強度化が得ら
れる。このエポキシ化合物の使用量はこれを調節するこ
とにより、耐半田クラック性を最大限に引き出すことが
できる。耐半田クラック性の効果を引き出すためには式
(1)で示されるエポキシ化合物を総エポキシ樹脂量に
対して30重量%以上、好ましくは50重量%以上の使
用が望ましい。30重量%未満だと目標とした耐半田ク
ラック性が不充分である。更に式中のR1 4 はメチル
基、R 5 〜R 8 水素原子である。またR9、R10は樹脂の
疎水性を考慮してターシャリーブチル基である。式中の
nは0〜20であり、20を越えると流動性が劣る。よ
り好ましいnは0〜10である。
The epoxy compound represented by the molecular structure of the formula (1) can be obtained by subjecting a bifunctional bisphenol type compound to glycidyl etherification using epichlorohydrin. Compared with the conventional cresol novolak type epoxy resin, low viscosity is obtained at the time of melting, and the inorganic filler can be further compounded. Therefore, the cured product can have low moisture absorption, low thermal expansion, and high strength. By adjusting the amount of the epoxy compound used, solder crack resistance can be maximized. In order to bring out the effect of solder crack resistance, it is desirable to use the epoxy compound represented by the formula (1) in an amount of 30% by weight or more, preferably 50% by weight or more based on the total epoxy resin amount. If it is less than 30% by weight, the intended solder crack resistance is insufficient. Further, R 1 to R 4 in the formula are methyl
And R 5 to R 8 are hydrogen atoms. R 9 and R 10 are tertiary butyl groups in consideration of the hydrophobicity of the resin . N in the formula is from 0 to 20, and when it exceeds 20, the fluidity is poor. More preferably, n is 0-10.

【0010】式(1)で示されるエポキシ樹脂以外の他
のエポキシ樹脂を併用する場合、エポキシ基を2個以上
有する化合物あるいはポリマー全般を言う。例えば、ビ
フェニル型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ
化合物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン
型エポキシ化合物、アルキル変性トリフェノールメタン
型エポキシ化合物等のことを言う。
When an epoxy resin other than the epoxy resin represented by the formula (1) is used in combination, it refers to a compound or polymer in general having two or more epoxy groups. For example, it refers to a biphenyl type epoxy compound, a bisphenol type epoxy compound, a phenol novolak type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, a triphenolmethane type epoxy compound, an alkyl-modified triphenolmethane type epoxy compound and the like.

【0011】式(2)で示されるフェノール樹脂硬化剤
はメタキシレンとフェノール類をフリーデル・クラフツ
・アルキル化反応により重合させることによって得られ
る。従来のフェノールノボラック樹脂に比べ、硬化物の
ゴム領域での弾性率が低く、低吸湿性、リードフレーム
(42アロイ、銅合金)等の金属類との接着性に富む。
このフェノール樹脂硬化剤の使用量はこれを調節する
ことにより耐半田クラック性を最大限に引き出すことが
できる。耐半田クラック性の効果を引き出すためには式
(2)で示されるフェノール樹脂硬化剤を総フェノール
樹脂硬化剤量に対して30重量%以上、好ましくは50
重量%以上の使用が望ましい。30重量%未満だと目標
とした耐半田クラック性が不充分である。更に式中のR
は水素、ハロゲン類、炭素数1〜5のアルキル基の中か
ら選択される同一もしくは異なる原子または基であり、
これらの内では水素原子が好ましい。炭素数が5を越え
るアルキル基であると、硬化性が劣る。式中のnは0〜
20であり、20を越えると流動性が劣る。より好まし
いnは0〜10である。
The phenol resin curing agent represented by the formula (2) is obtained by polymerizing meta-xylene and phenols by a Friedel-Crafts alkylation reaction. Compared to the conventional phenol novolak resin, the cured product has a lower elastic modulus in the rubber region, lower moisture absorption, and better adhesion to metals such as lead frames (42 alloy, copper alloy).
By adjusting the amount of the phenol resin curing agent used, solder crack resistance can be maximized. In order to bring out the effect of the solder crack resistance, the phenol resin curing agent represented by the formula (2) is used in an amount of 30% by weight or more, preferably 50% by weight, based on the total amount of the phenol resin curing agent.
It is desirable to use not less than weight%. If it is less than 30% by weight, the intended solder crack resistance is insufficient. Furthermore, R in the formula
Are the same or different atoms or groups selected from hydrogen, halogens, and alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms;
Of these, a hydrogen atom is preferred. If the alkyl group has more than 5 carbon atoms, the curability will be poor. N in the formula is 0
When it exceeds 20, the fluidity is poor. More preferably, n is 0-10.

【0012】式(2)で示されるフェノール樹脂硬化剤
以外に他のフェノール樹脂硬化剤を併用する場合、フェ
ノール性水酸基を有するポリマー全般を言う。例えば、
フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、パラキ
シリレン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール
樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙げられ、特に
フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性
フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、
テルペン変性フェノール樹脂及びこれらの混合物が好ま
しい。また、これらの硬化剤の配合量としてはエポキシ
化合物のエポキシ基数と硬化剤の水酸基数を合わせるよ
うに配合することが好ましい。
When other phenolic resin curing agents are used in addition to the phenolic resin curing agent represented by the formula (2), it generally refers to polymers having phenolic hydroxyl groups. For example,
Phenol novolak resin, cresol novolak resin, dicyclopentadiene-modified phenol resin, paraxylylene-modified phenol resin, terpene-modified phenol resin, triphenolmethane compound, etc. ,
Terpene-modified phenolic resins and mixtures thereof are preferred. The amount of these curing agents is preferably such that the number of epoxy groups in the epoxy compound and the number of hydroxyl groups in the curing agent match.

【0013】本発明で用いる無機充填材としては、溶融
シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、2次凝
集シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、アルミナ等が挙げら
れ、特に球状シリカ粉末、及び溶融シリカ粉末と球状シ
リカ粉末との混合物が好ましい。また、無機充填材の配
合量としては、耐半田クラック性から総エポキシ樹脂組
成物量に対して80〜90重量%が好ましい。無機充填
材量が80重量%未満だと低熱膨張化、低吸水化が得ら
れず耐半田クラック性が不充分である。また、無機充填
材量が90重量%を越えると高粘度化による半導体パッ
ケージ中のダイパッド、金線ワイヤーのずれ等の不都合
が生じる。
Examples of the inorganic filler used in the present invention include fused silica powder, spherical silica powder, crystalline silica powder, secondary aggregated silica powder, porous silica powder, and alumina. Mixtures of powder and spherical silica powder are preferred. The amount of the inorganic filler is preferably 80 to 90% by weight based on the total amount of the epoxy resin composition from the viewpoint of solder crack resistance. If the amount of the inorganic filler is less than 80% by weight, low thermal expansion and low water absorption cannot be obtained, and solder crack resistance is insufficient. On the other hand, if the amount of the inorganic filler exceeds 90% by weight, problems such as displacement of a die pad and a gold wire in a semiconductor package due to an increase in viscosity occur.

【0014】本発明に使用される硬化促進剤はエポキシ
基と水酸基との硬化反応を促進させるものであればよ
く、一般に封止材料に使用されているものを広く使用す
ることができる。例えば1,8−ジアザビシクロウンデ
セン、トリフェニルホスフィン、ジメチルベンジルアミ
ンや2−メチルイミダゾール等が単独もしくは2種類以
上混合して用いられる。
The curing accelerator used in the present invention may be any one which promotes a curing reaction between an epoxy group and a hydroxyl group, and those generally used for a sealing material can be widely used. For example, 1,8-diazabicycloundecene, triphenylphosphine, dimethylbenzylamine, 2-methylimidazole and the like are used alone or as a mixture of two or more.

【0015】本発明のエポキシ樹脂組成物はエポキシ樹
脂、フェノール樹脂硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤
を必須成分とするが、これ以外に必要に応じてシランカ
ップリング剤、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモ
ン、ヘキサブロムベンゼン等の難燃剤、カーボンブラッ
ク、ベンガラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス
等の離型剤及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加
剤等の種々の添加剤を適宜配合しても差し支えがない。
また、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料と
して製造するには、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化
剤、硬化促進剤、無機充填材、その他の添加剤をミキサ
ー等によって充分に均一に混合した後、更に熱ロールま
たはニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して封止材料
とすることができる。これらの成形材料は電気部品ある
いは電子部品であるトランジスタ、集積回路等の被覆、
絶縁、封止等に適用することができる。
The epoxy resin composition of the present invention comprises an epoxy resin, a phenolic resin curing agent, an inorganic filler and a curing accelerator as essential components. In addition to this, a silane coupling agent, a brominated epoxy resin, Various additives such as flame retardants such as antimony trioxide and hexabromobenzene, coloring agents such as carbon black and red iron oxide, release agents such as natural wax and synthetic wax, and low stress additives such as silicone oil and rubber are appropriately used. It is safe to mix.
In addition, in order to manufacture the epoxy resin composition for encapsulation of the present invention as a molding material, epoxy resin, phenol resin curing agent, curing accelerator, inorganic filler, and other additives are sufficiently and uniformly mixed by a mixer or the like. After that, the mixture is further melt-kneaded with a hot roll or a kneader, cooled and pulverized to obtain a sealing material. These molding materials are used for coating electric or electronic components such as transistors and integrated circuits,
It can be applied to insulation, sealing, and the like.

【0016】以下本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例1 下記組成物 式(3)で示されるエポキシ化合物(融点85℃、エポキシ当量240℃) 6.68重量部Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples. Example 1 The following composition: an epoxy compound represented by the formula (3) (melting point: 85 ° C., epoxy equivalent: 240 ° C.) 6.68 parts by weight

【0017】[0017]

【化5】 Embedded image

【0018】 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点58℃、エポキシ当量2 00g/eq) 1.67重量部 式(4)で示されるフェノール樹脂硬化剤(軟化点63℃、水酸基当量170 g/eq) 4.36重量部Orthocresol novolak type epoxy resin (softening point: 58 ° C., epoxy equivalent: 200 g / eq) 1.67 parts by weight A phenol resin curing agent represented by the formula (4) (softening point: 63 ° C., hydroxyl equivalent: 170 g / eq) 4.36 parts by weight

【0019】[0019]

【化6】 (nの値は0から3を示す混合物であり、その重量割合
はn=0が1に対してn=1が0.65、n=2が0.
41、n=3が0.28である。)
Embedded image (The value of n is a mixture showing a value of 0 to 3, and the weight ratio is 0.65 for n = 1, 0.65 for n = 1, and 0.1 for n = 2.
41, n = 3 is 0.28. )

【0020】 フェノールノボラック樹脂硬化剤(軟化点65℃、水酸基当量105g/eq ) 1.09重量部 溶融シリカ粉末(平均粒径10μm、比表面積2.0m2/g) 35重量部 球状シリカ粉末(平均粒径30μm、比表面積2.5m2/g) 50重量部 トリフェニルホスフィン 0.2重量部 カーボンブラック 0.5重量部 カルナバワックス 0.5重量部 をミキサーで常温で混合し、70〜100℃で2軸ロー
ルにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とした。粉砕
して得られた成形材料は、EMMI−I−66に準じた
金型を用い、175℃、70kg/cm2、120秒の
条件でスパイラルフローを測定した。更に得られた成形
材料をタブレット化し、低圧トランスファー成形機にて
175℃、70kg/cm2、120秒の条件で半田ク
ラック試験用として6×6mmのチップを52pQFP
に封止し、また半田耐湿性試験用として3×6mmのチ
ップを16pSOPに封止した。封止したテスト用素子
について下記の半田クラック試験及び半田耐湿性試験を
行った。
Phenol novolak resin curing agent (softening point 65 ° C., hydroxyl equivalent 105 g / eq) 1.09 parts by weight Fused silica powder (average particle diameter 10 μm, specific surface area 2.0 m 2 / g) 35 parts by weight Spherical silica powder ( Average particle size 30 μm, specific surface area 2.5 m 2 / g) 50 parts by weight Triphenylphosphine 0.2 parts by weight Carbon black 0.5 parts by weight Carnauba wax 0.5 parts by weight was mixed at room temperature with a mixer, and mixed at 70-100. The mixture was kneaded with a biaxial roll at ℃, cooled and pulverized to obtain a molding material. The spiral flow of the molding material obtained by pulverization was measured at 175 ° C., 70 kg / cm 2 , and 120 seconds using a mold conforming to EMMI-I-66. Further, the obtained molding material is tableted, and a 6 × 6 mm chip is used for a solder crack test at 175 ° C., 70 kg / cm 2 , and 120 seconds by a low pressure transfer molding machine.
And a 3 × 6 mm chip was sealed in 16 pSOP for solder moisture resistance test. The sealed test element was subjected to the following solder crack test and solder moisture resistance test.

【0021】半田クラック試験:封止したテスト用素子
を85℃、85%RHの環境下で24時間、48時間、
72時間及び120時間処理し、その後260℃の半田
槽に10秒間浸漬後顕微鏡で外部クラックを観察した。 半田耐湿性試験:封止したテスト用素子を85℃、85
%RHの環境下で72時間処理し、その後260℃の半
田槽に10秒間浸漬後、プレッシャークッカー試験(1
25℃、100%RH)を行い、回路のオープン不良を
測定した。試験結果を表1に示す。
Solder crack test: The sealed test element was subjected to an environment of 85 ° C. and 85% RH for 24 hours and 48 hours.
The treatment was carried out for 72 hours and 120 hours, then immersed in a solder bath at 260 ° C. for 10 seconds, and external cracks were observed with a microscope. Solder moisture resistance test: Sealed test element at 85 ° C, 85
% RH environment for 72 hours, and then immersed in a solder bath at 260 ° C. for 10 seconds, followed by a pressure cooker test (1
(25 ° C., 100% RH), and the open failure of the circuit was measured. Table 1 shows the test results.

【0022】実施例2〜6 表1の処方に従って配合し、実施例1と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例1と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行った。試験結果を表1に示
す。
Examples 2 to 6 Compounded according to the formulation shown in Table 1, and a molding material was obtained in the same manner as in Example 1. A sealed molded product for a test was obtained from this molding material, and a solder crack test and a solder moisture resistance test were performed using this molded product in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the test results.

【0023】比較例1〜4 表2の処方に従って配合し、実施例1と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例1と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行った。試験結果を表2に示
す。
Comparative Examples 1 to 4 Compounded according to the formulation shown in Table 2, and a molding material was obtained in the same manner as in Example 1. A sealed molded product for a test was obtained from this molding material, and a solder crack test and a solder moisture resistance test were performed using this molded product in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the test results.

【0024】[0024]

【表1】 [Table 1]

【0025】[0025]

【表2】 [Table 2]

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明の樹脂組成物を用いることによ
り、半導体パッケージの表面実装時の耐半田クラック
性、半田処理後の耐湿性に優れる半導体パッケージを得
ることができる。
By using the resin composition of the present invention, it is possible to obtain a semiconductor package having excellent solder crack resistance at the time of surface mounting of the semiconductor package and excellent moisture resistance after the solder processing.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 23/31 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 59/24 C08G 59/62 C08K 3/00 C08L 63/00 - 63/10 H01L 23/29 ──────────────────────────────────────────────────の Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI H01L 23/31 (58) Investigated field (Int.Cl. 7 , DB name) C08G 59/24 C08G 59/62 C08K 3/00 C08L 63/00-63/10 H01L 23/29

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 (A)下記式(1)で示されるエポキシ
化合物を総エポキシ樹脂量に対し30〜100重量%含
むエポキシ樹脂、 【化1】 (式中のR1 4 はメチル基、R 5 〜R 8 は水素原子、R
9 、R 10 はターシャルブチル基) (B)下記式(2)で示されるフェノール樹脂硬化剤を
総フェノール樹脂硬化剤に対し30〜100重量%含む
フェノール樹脂硬化剤、 【化2】 (式中のRは水素、ハロゲン類、炭素数1〜5のアルキ
ル基の中から選択される同一もしくは異なる原子または
基) (C)無機充填材、 (D)硬化促進剤を必須成分とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。
(A) an epoxy resin containing an epoxy compound represented by the following formula (1) in an amount of 30 to 100% by weight based on the total epoxy resin amount: (Wherein R 1 to R 4 are a methyl group, R 5 to R 8 are a hydrogen atom,
9, R 10 is tert-butyl group) (B) phenolic resin curing agent comprising 30-100% by weight based on the total phenolic resin curing agent a phenolic resin curing agent represented by the following formula (2), ## STR2 ## (R in the formula is the same or different atom or group selected from hydrogen, halogens, and alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms) (C) Inorganic filler, (D) Hardening accelerator as an essential component Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.
【請求項2】 式(2)のRが水素である請求項1記載
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
2. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein R in the formula (2) is hydrogen.
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