JPH0940748A - Epoxy resin composition for semiconductor sealing - Google Patents

Epoxy resin composition for semiconductor sealing

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JPH0940748A
JPH0940748A JP19468395A JP19468395A JPH0940748A JP H0940748 A JPH0940748 A JP H0940748A JP 19468395 A JP19468395 A JP 19468395A JP 19468395 A JP19468395 A JP 19468395A JP H0940748 A JPH0940748 A JP H0940748A
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Shigeyuki Maeda
Naoki Mogi
重之 前田
直樹 茂木
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
住友ベークライト株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an epoxy resin compsn. for semiconductor sealing excellent in resistance to soldering stress by compounding an epoxy resin contg. a specified amt. of an epoxy resin represented by a specific formula with a phenol resin curative and a cure accelerator. SOLUTION: A xylene compd. and cresol are copolymerized and the resulting product is converted into a glycidyl ether by reacting with epichlorohydrin, giving an epoxy resin represented by formula I (n is 0-20). Pref. o-cresol is used in place of cresol in the above process, giving an epoxy resin represented by formula II. An epoxy resin contg. 30-100wt.% epoxy resin represented by formula I or II is compounded with a phenol resin curative contg. 30-100wt.% phenol resin curative represented by fomrula III R1 and R2 are each H, halogen, or alkyl), pref. by formula IV, an inorg. filler (e. g. a fused silica powder) in an amt. of about 80-90wt.% of the objective compsn., a cure accelerator (e.g. triphenylphosphine), and if necessary other additives, then kneaded at about 70-100 deg.C on a hot roll, etc., cooled, and ground, giving an epoxy resin compsn. for seinconductor sealing.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの表面実装化における、耐半田ストレス性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。 The present invention relates, in the surface mounting of semiconductor devices, to a semiconductor encapsulating epoxy resin composition having excellent solder stress resistance.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積回路などの電子部品を熱硬化性樹脂で封止しているが、 Conventionally, diodes, transistors, and sealing the electronic components such as integrated circuits in thermosetting resin,
特に集積回路では、耐熱性、耐湿性に優れたオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をフェノールノボラック樹脂で硬化させ、充填材として溶融シリカ、結晶シリカ等の無機充填材を配合したエポキシ樹脂組成物が用いられている。 In a particularly integrated circuits, heat resistance, excellent ortho-cresol novolak type epoxy resin in moisture resistance cured with phenol novolac resin, fused silica, epoxy resin composition containing an inorganic filler such as crystalline silica are used as filler ing. ところが近年、集積回路の高集積化に伴いチップがだんだん大型化し、かつパッケージは従来のD However, in recent years, chip is gradually increased in size with higher integration of integrated circuits, and package the conventional D
IPタイプから表面実装化された小型、薄型のQFP、 Small size, which are surface mounting from the IP type, thin QFP,
SOP、SOJ、TSOP、TQFP、PLCCに変わってきている。 SOP, have changed SOJ, TSOP, TQFP, the PLCC. 即ち、大型チップを小型で薄いパッケージに封入することになるため、熱応力によりクッラクが発生し、これらのクラックによる耐湿性低下などの問題が大きくクローズアップされている。 That is, since that will encapsulate the large chip thin package compact, Kurraku is generated by thermal stress, problems such as moisture resistance reduction due to these cracks is greatly closeup. 特に半田付け工程において、急激に200℃以上の高温にさらされることにより、パッケージの割れや樹脂とチップの剥離により耐湿性が劣化してしまうといった問題点がでてきている。 In particular soldering, by exposure rapidly to temperatures higher than 200 ° C., and come out is a problem that the moisture resistance is deteriorated by the separation of the package crack or resin and the chip. 従って、これらの大型チップを封止するのに適した、信頼性の高い半導体封止用エポキシ樹脂組成物の開発が望まれている。 Therefore, these large chips suitable for sealing, the development of highly reliable semiconductor encapsulating epoxy resin composition is desired.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問題点に対して、エポキシ樹脂として式(1)で示されるエポキシ樹脂を用い、フェノール樹脂硬化剤として式(3)で示されるフェノール樹脂硬化剤を用いることにより、実装時における半導体パッケージの耐半田ストレス性を著しく向上させた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するところにある。 [SUMMARY OF THE INVENTION The present invention, with respect to such a problem, an epoxy resin represented by the formula (1) as an epoxy resin, a phenol of formula (3) as a phenolic resin curing agent by using a resin curing agent, it is to provide a semiconductor encapsulating epoxy resin composition significantly improves the solder stress resistance of the semiconductor package during mounting.

【0004】 [0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)式(1)で示されるエポキシ樹脂を、総エポキシ樹脂量に対して30〜100重量%含むエポキシ樹脂、 Means for Solving the Problems The present invention, (A) formula of the epoxy resin represented by (1) an epoxy resin containing 30 to 100% by weight, based on the total epoxy resin amount,

【0005】 [0005]

【化5】 [Of 5] (n=0〜20) (N = 0~20)

【0006】(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物であり、従来のエポキシ樹脂組成物に比べ、優れた信頼性として耐半田ストレス性と半田処理後の耐湿性を有するものである。 [0006] (B) a phenolic resin curing agent, a (C) inorganic filler, (D) an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation to curing accelerator as essential components, compared with the conventional epoxy resin composition, excellent and those having a solder stress resistance and soldering after moisture resistance as reliability.

【0007】式(1)の分子構造で示されるエポキシ樹脂は、キシレン類とクレゾールをフリーデル・クラフツ・アルキル化反応により重合し、エピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化することによって得られる。 [0007] Epoxy resin represented by the molecular structure of formula (1) may, xylenes and cresol were polymerized by Friedel-Crafts alkylation reaction is obtained by glycidyl etherification with epichlorohydrin. 従来のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂に較べて、硬化物のゴム領域での弾性率が低く、低吸湿性、リードフレーム(42アロイ、銅合金)等の金属類との接着性に優れている。 Compared to conventional cresol novolak type epoxy resin, the elastic modulus of the rubber area of ​​the cured product is low, has excellent adhesion to low hygroscopicity, a lead frame (42 alloy, copper alloy) and a metal such as. また、式(5)の分子構造で示されるパラキシレンとフェノールをフリーデル・クラフツ・アルキル化反応で重合し、エピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂(特公昭62−28165号公報、特開平3−14819号公報、特開平6−2282 Further, the formula (5) paraxylene and phenol represented by the molecular structure and polymerization with Friedel-Crafts alkylation reaction of epichlorohydrin with glycidyl etherified epoxy resin (JP-B 62-28165, JP-A No. 3- 14819, JP-A No. 6-2282
76号公報)に対し、本発明の式(1)のエポキシ樹脂は、フェノールの部分にクレゾールを用いているので、 To 76 JP), epoxy resin of formula (1) of the present invention, because of the use of cresol in the portion of the phenol,
式(5)の樹脂に較べ低吸湿性を有するため、耐半田ストレス性に優れた特徴を有している。 Because having a low hygroscopic property compared to the resin of formula (5), it has excellent characteristics in solder stress resistance. クレゾールの中では、オルソクレゾールを用いた式(2)のエポキシ樹脂が好ましい。 Among cresol epoxy resin of formula (2) with ortho-cresol is preferred.

【0008】 [0008]

【化6】 [Omitted]

【0009】このエポキシ樹脂の使用量は、これを調節することにより、耐半田ストレス性を最大限に引き出すことができる。 [0009] The amount of the epoxy resin, by adjusting this, it is possible to maximize the solder stress resistance. 耐半田ストレス性の効果を引き出すためには、式(1)で示されるエポキシ樹脂を、総エポキシ樹脂量に対して30重量%以上、好ましくは50重量% In order to bring out the effect of the solder stress resistance, the epoxy resin represented by the formula (1), 30 wt% or more based on the total epoxy resin amount, preferably 50 wt%
以上の使用が望ましい。 More use is desirable. 30重量%未満であると、目標とした耐半田ストレス性が不充分である。 If it is less than 30 wt%, a solder stress that aims are insufficient. 式(1)で示されるエポキシ樹脂以外に、他のエポキシ樹脂を併用する場合は、エポキシ基を2個以上有する化合物あるいはポリマー全般を用いればよい。 Besides the epoxy resin represented by the formula (1), when used in combination with other epoxy resins may be used a compound or polymer in general has two or more epoxy groups. 例えば、ビフェニル型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、 For example, biphenyl-type epoxy compounds, phenol novolac type epoxy resin,
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂などがある。 Cresol novolac type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resins, and the like alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resin.

【0010】本発明のフェノール樹脂硬化剤としては、 [0010] As the phenolic resin curing agent of the present invention,
フェノール性水酸基を2個以上有する化合物あるいはポリマー全般を用いればよい。 Phenolic hydroxyl groups may be used compounds or polymers in general with 2 or more. 例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物、前記した式(3)で示されるフェノール樹脂などが挙げられ、単独でも混合して用いてもよい。 Such as phenol novolac resins, cresol novolac resins, dicyclopentadiene-modified phenolic resin, terpene-modified phenol resins, triphenolmethane compounds and the like phenolic resin represented by the formula (3), be used individually or as a mixture good. これらの中では式(3)の分子構造で示されるフェノール樹脂が好ましい。 Phenolic resin represented by the molecular structure of formula (3) Among these are preferred. 即ち、従来のフェノールノボラック樹脂に比べて、硬化物のゴム領域での弾性率が低く、低吸湿性、リードフレーム(42アロイ、銅合金)などの金属類との接着性に優れていることによる。 That is, due to the fact that as compared with the conventional phenol novolak resin, the elastic modulus of the rubber area of ​​the cured product is low, has excellent adhesion to the metal such as low hygroscopicity, a lead frame (42 alloy, copper alloy) . 更に式(3)の中では、架橋点間距離の影響により熱時強度が向上するメタキシレンを用いた前記した式(4)のフェノール樹脂が好ましい。 Further in the formula (3), a phenolic resin is preferably of the formula (4) described above using a meta-xylene hot strength is improved due to the influence of the distance between crosslinking points. この式(4)のフェノール樹脂は、メタキシレンとフェノールをフリーデル・クラフツ・アルキル化反応により重合させることによって得られる。 The phenolic resin of formula (4) is obtained by polymerizing meta-xylene and phenol by Friedel-Crafts alkylation reaction. このフェノール樹脂の使用量は、これを調整することにより耐半田ストレス性を最大限に引き出すことができる。 The amount of the phenol resin can maximize the solder stress resistance by adjusting this. 耐半田ストレス性の効果を引き出すためには、式(3)で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂硬化剤量に対して30重量%以上、好ましくは50重量%以上の使用が望ましい。 In order to bring out the effect of the solder stress resistance, the formula (3) in the phenol resin 30 wt% or more of the total phenolic resin curing agent amount indicated, preferably is desirably used for more than 50 wt%. また、これらのフェノール樹脂硬化剤の配合量としては、エポキシ化合物のエポキシ基数と硬化剤の水酸基数を合わせるように配合することが望ましい。 As the amount of phenolic resin curing agent, it is desirable to formulate to match the number of hydroxyl groups of the epoxy groups and a curing agent for the epoxy compound.

【0011】本発明で用いる無機充填材としては、溶融シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、二次凝集シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、アルミナなどが挙げられ、特に球状シリカ粉末、及び溶融シリカ粉末と球状シリカ粉末との混合物が好ましい。 [0011] As the inorganic filler used in the present invention, fused silica powder, spherical silica powder, crystalline silica powder, secondary agglomerated silica powder, porous silica powder, alumina and the like, in particular spherical silica powder and fused silica a mixture of powder and spherical silica powder is preferred. また、無機充填材の配合量としては、耐半田ストレス性から総エポキシ樹脂組成物量に対して80〜90重量%が好ましい。 As the amount of the inorganic filler is preferably 80 to 90% by weight relative to the total epoxy resin amount of the composition from the solder stress resistance. 無機充填材量が80重量%未満だと低熱膨張化、低吸水化が得られず、耐半田ストレス性が不充分である。 Inorganic filler weight and less than 80 wt% low thermal expansion, low water absorption can not be obtained, it is insufficient solder stress. また、無機充填材量が90重量%を越えると高粘度化による半導体パッケージ中のダイパット、金線ワイヤーのずれ等の不都合が生じる。 Further, the die pad of the inorganic filler content is in a semiconductor package due to the high viscosity exceeds 90 wt%, the inconvenience of the deviation or the like of the gold wires occurs. 本発明で用いる硬化促進剤としては、エポキシ基と水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一般に封止材料に用いられているものを広く用いることができる。 The curing accelerator used in the present invention, as long as it can accelerate the curing reaction between the epoxy group and a hydroxyl group in general can be widely used those used in the sealing material. 例えば、ジアザビシクロウンデセン、トリフェニルホスフィン、ジメチルベンジルアミン、2−メチルイミダゾールなどが単独でも混合して用いてもよい。 For example, diazabicycloundecene, triphenylphosphine, dimethylbenzylamine, and 2-methylimidazole may be used singly or in admixture.

【0012】本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を必須成分とするが、これ以外に必要に応じてシランカップリング剤、ブロム化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、ヘキサブロムベンゼンなどの難燃剤、カーボンブラック、ベンガラなどの着色剤、天然ワックス、合成ワックスなどの離型剤及びシリコーンオイル、ゴムなどの低応力添加剤など、種々の添加剤を配合して 差し支えない。 [0012] The epoxy resin composition of the present invention, an epoxy resin, a phenolic resin curing agent, although an inorganic filler and a curing accelerator as essential components, a silane coupling agent as needed in addition to this, brominated epoxy resin , blending antimony oxide, flame retardants such as hexabromobenzene, carbon black, colorants such as red iron oxide, natural waxes, mold release agents and silicone oils such as synthetic waxes, such as low stress additive such as rubber, various additives no problem with. また本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として製造するには、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、充填剤、その他の添加剤をミキサーなどによって充分に均一に混合した後、更に熱ロールまたはニーダーなどで溶融混練し、冷却後粉砕して封止材料とすることができる。 Also in the production of epoxy resin composition of the present invention as a molding material, an epoxy resin, curing agent, curing accelerator, a filler, after the other additives were mixed sufficiently uniformly by a mixer, further kneaded at such a heat roll or a kneader, it can be a sealing material was crushed after cooling. これらの成形材料は、電気部品あるいは電子部品であるトランジスタ、集積回路などの被覆、絶縁、封止などに適用することができる。 These molding materials, electric parts or transistor is an electronic component, coating, such as integrated circuits, insulation can be applied to a sealing.

【0013】本発明を実施例で具体的に説明する。 [0013] specifically described in the embodiments the present invention. 実施例1 式(2)のエポキシ樹脂(軟化点57℃,エポキシ当量254g/eq) (nの値は0〜3を示す混合物であり、その重量割合はn=0が1に対してn= 1が0.71、n=2が0.44、n=3が0.27である。) 6.80重量部 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点58℃,エポキシ当量2 00g/eq) 1.70重量部 式(4)で示されるフェノール樹脂硬化剤(軟化点65℃,水酸基当量170 g/eq) (nの値は0〜3を示す混合物であり、その重量割合はn=0が1に対してn= 1が0.65、n=2が0.41、n=3が0.28である。) 4.24重量部 フェノールノボラック樹脂硬化剤(軟化点65℃,水酸基当量105g/eq ) 1.06重量部 溶融シリカ粉末(平均粒径10μ Epoxy resin of Example 1 set (2) the value of (softening point 57 ° C., epoxy equivalent 254 g / eq) (n is a mixture illustrating the 0 to 3, n the weight proportions is n = 0 for a = 1 is 0.71, n = 2 is 0.44, n = 3 is 0.27.) 6.80 parts by weight of o-cresol novolak type epoxy resin (softening point 58 ° C., epoxy equivalent weight 2 200 g / eq) 1 .70 parts by weight (4) phenolic resin curing agent represented by the value of (softening point 65 ° C., hydroxyl equivalent 170 g / eq) (n is a mixture illustrating the 0-3, the weight ratio is n = 0 n = 1 is 0.65 with respect to 1, n = 2 is 0.41, n = 3 is 0.28.) 4.24 parts by weight of phenol novolak resin curing agent (softening point 65 ° C., a hydroxyl equivalent of 105g / eq) 1.06 parts by weight of fused silica powder (average particle size 10μ ,比表面積2.0m 2 /g) 35重量部 球状シリカ粉末(平均粒径30μm,比表面積2.5m 2 /g) 50重量部 トリフェニルホスフィン 0.2重量部 カーボンブラック 0.5重量部 カルナバワックス 0.5重量部 を常温においてミキサーで混合し、70〜100℃で2 A specific surface area of 2.0m 2 / g) 35 parts by weight of spherical silica powder (average particle size 30 [mu] m, a specific surface area of 2.5m 2 / g) 50 parts by weight of triphenylphosphine 0.2 part by weight of carbon black 0.5 parts by weight of carnauba 0.5 parts by weight wax were mixed in a mixer at a room temperature, 2 at 70 to 100 ° C.
軸ロールにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とした。 It was kneaded by a core roll, and a molding material by pulverizing after cooling.

【0014】粉砕して得られた成形材料は、EMMI− [0014] The molding material obtained by grinding, EMMI-
I−66に準じた試験用金型を用い、175℃、70k Using a test mold conforming to I-66, 175 ℃, 70k
g/cm 2 、120秒の条件でスパイラルフローを測定した。 It was measured spiral flow under the conditions of g / cm 2, 120 seconds. 更に、得られた成形材料をタブレット化し、低圧トランスファー成形機にて175℃、70kg/c Further, a molding material obtained by tableting, 175 ° C. at low pressure transfer molding machine, 70 kg / c
、120秒の条件で半田ストレス試験用として6× m 2, 6 × as solder stress test at 120 seconds conditions
6mmのチップを52pQFPに封止し、また半田耐湿性試験用として3×6mmのチップを16pSOPに封止した。 Sealed 6mm chips 52PQFP, also a 3 × 6mm chips as for solder moisture resistance test was sealed in 16PSOP. 封止したテスト用素子について、下記の半田ストレス試験、半田耐湿性試験を行った。 The sealed test element, solder stress test of the following, were carried out solder moisture resistance test. 半田ストレス試験:封止したテスト用素子を、85℃、 Solder stress test: the element for the sealed test, 85 ℃,
85%RHの環境下で24時間、48時間、72時間及び120時間処理し、その後260℃の半田槽に10秒間浸漬した後、顕微鏡で外部クラックを観察した。 24 hours in an environment of 85% RH, 48 hours, for 72 hours and 120 hours, was immersed for 10 seconds in a solder bath subsequently 260 ° C., was observed external cracks under a microscope. クラック発生数/総数で表した。 Expressed in cracking number / Total. 半田耐湿性試験:封止したテスト用素子を、85℃、8 Solder Moisture Resistance Test: The sealed test element, 85 ° C., 8
5%RHの環境下で72時間処理し、その後260℃の半田槽に10秒間浸漬した後、プレッシャークッカー試験を行い、回路のオープン不良を測定した(試験片の数は16個)。 Under an environment of 5% RH for 72 hours, was immersed for 10 seconds in a solder bath subsequently 260 ° C., subjected to pressure cooker test was measured open circuit failure (number of specimen 16). 試験結果を表1に示す。 The test results are shown in Table 1.

【0015】実施例2〜7 表1の処方に従って配合し、実施例1と同様にして成形材料を得た。 [0015] formulated according to the recipe of Example 2-7 Table 1, to obtain a molded material in the same manner as in Example 1. この成形材料で試験用の封止した成形品を得、この成形品を用いて実施例1と同様に半田ストレス試験及び半田耐湿性試験を行った。 Obtain the molding compositions in molded article sealed for testing was subjected to the same soldering stress test and solder moisture resistance test as in Example 1 by using this molded article. 試験結果を表1に示す。 The test results are shown in Table 1. 比較例1〜5 表2の処方に従って配合し、実施例1と同様にして成形材料を得た。 Formulated according to the formulation of Comparative Example 1-5 in Table 2, to obtain a molding material in the same manner as in Example 1. なお比較例4、5に用いる式(5)のエポキシ樹脂は、軟化点63℃、エポキシ当量239g/e Incidentally epoxy resin of formula (5) used in Comparative Examples 4 and 5, a softening point of 63 ° C., epoxy equivalent 239 g / e
q、nの値は0〜3を示す混合物であり、その重量割合はn=0が1に対して、n=1が0.75、n=2が0.46、n=3が0.22である。 q, the value of n is a mixture illustrating the 0-3, the weight ratio with respect to n = 0 is 1, n = 1 is 0.75, n = 2 is 0.46, n = 3 is 0. it is 22. これらの成形材料で試験用の封止した成形品を得、この成形品を用いて実施例1と同様に半田ストレス試験及び半田耐湿性試験を行った。 Obtain these moldings sealed for testing the molding material, it was subjected to the same soldering stress test and solder moisture resistance test as in Example 1 by using this molded article. 試験結果を表2に示す。 The test results are shown in Table 2.

【0016】 [0016]

【表1】 [Table 1]

【0017】 [0017]

【表2】 [Table 2]

【0018】 [0018]

【発明の効果】本発明に従うと、実装時における半導体パッケージの耐半田ストレス性に優れ、且つ耐湿性に優れたものである。 According to the present invention, excellent soldering stress of the semiconductor package at the time of mounting, it is and has excellent moisture resistance.

Claims (5)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 (A)式(1)で示されるエポキシ樹脂を、総エポキシ樹脂量に対して30〜100重量%含むエポキシ樹脂、 【化1】 1. A Formula (A) an epoxy resin represented by (1) an epoxy resin containing 30 to 100% by weight, based on the total epoxy resin amount, ## STR1 ## (n=0〜20)(B)フェノール樹脂硬化剤、(C) (N = 0~20) (B) phenolic resin curing agent, (C)
    無機充填材、(D)硬化促進剤を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 Inorganic filler, an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation as an essential component (D) a curing accelerator.
  2. 【請求項2】 式(1)のエポキシ樹脂が、式(2)である請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 Wherein the epoxy resin of formula (1) has the formula (2) in which claim 1 semiconductor encapsulating epoxy resin composition. 【化2】 ## STR2 ## (n=0〜20) (N = 0~20)
  3. 【請求項3】 フェノール樹脂硬化剤が、式(3)である請求項1、又は請求項2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 3. A phenolic resin curing agent is of the formula (3) in a claim 1 or claim 2 semiconductor encapsulating epoxy resin composition. 【化3】 [Formula 3] (式中のR 1 、R 2は、水素、ハロゲン類、アルキル基の中から選択される、同一もしくは異なる原子または基) (n=0〜20) (R 1, R 2 in the formula is hydrogen, halogens, selected from among alkyl groups, the same or different atom or group) (n = 0~20)
  4. 【請求項4】 式(3)のフェノール樹脂硬化剤が、総フェノール樹脂硬化剤に対して30〜100重量%含む請求項1、請求項2、又は請求項3記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 Phenolic resin curing agent wherein formula (3) is, according to claim 1 containing 30 to 100% by weight, based on the total phenolic resin curing agent, according to claim 2, or claim 3 semiconductor encapsulating epoxy resin according Composition.
  5. 【請求項5】 式(3)のフェノール樹脂硬化剤が、式(4)である請求項1、請求項2、請求項3、又は請求項4記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 Phenolic resin curing agent wherein formula (3) is, according to claim 1 is of formula (4), according to claim 2, claim 3, or claim 4 semiconductor encapsulating epoxy resin composition. 【化4】 [Of 4] (n=0〜20) (N = 0~20)
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