JPH0940748A - Epoxy resin composition for semiconductor sealing - Google Patents

Epoxy resin composition for semiconductor sealing

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JPH0940748A
JPH0940748A JP19468395A JP19468395A JPH0940748A JP H0940748 A JPH0940748 A JP H0940748A JP 19468395 A JP19468395 A JP 19468395A JP 19468395 A JP19468395 A JP 19468395A JP H0940748 A JPH0940748 A JP H0940748A
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JP
Japan
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epoxy resin
formula
represented
phenol
curing agent
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JP19468395A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeyuki Maeda
重之 前田
Naoki Mogi
直樹 茂木
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an epoxy resin compsn. for semiconductor sealing excellent in resistance to soldering stress by compounding an epoxy resin contg. a specified amt. of an epoxy resin represented by a specific formula with a phenol resin curative and a cure accelerator. SOLUTION: A xylene compd. and cresol are copolymerized and the resulting product is converted into a glycidyl ether by reacting with epichlorohydrin, giving an epoxy resin represented by formula I (n is 0-20). Pref. o-cresol is used in place of cresol in the above process, giving an epoxy resin represented by formula II. An epoxy resin contg. 30-100wt.% epoxy resin represented by formula I or II is compounded with a phenol resin curative contg. 30-100wt.% phenol resin curative represented by fomrula III R1 and R2 are each H, halogen, or alkyl), pref. by formula IV, an inorg. filler (e. g. a fused silica powder) in an amt. of about 80-90wt.% of the objective compsn., a cure accelerator (e.g. triphenylphosphine), and if necessary other additives, then kneaded at about 70-100 deg.C on a hot roll, etc., cooled, and ground, giving an epoxy resin compsn. for seinconductor sealing.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの表面
実装化における、耐半田ストレス性に優れた半導体封止
用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation which is excellent in solder stress resistance in surface mounting of semiconductor devices.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路などの電子部品を熱硬化性樹脂で封止しているが、
特に集積回路では、耐熱性、耐湿性に優れたオルソクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂をフェノールノボラッ
ク樹脂で硬化させ、充填材として溶融シリカ、結晶シリ
カ等の無機充填材を配合したエポキシ樹脂組成物が用い
られている。ところが近年、集積回路の高集積化に伴い
チップがだんだん大型化し、かつパッケージは従来のD
IPタイプから表面実装化された小型、薄型のQFP、
SOP、SOJ、TSOP、TQFP、PLCCに変わ
ってきている。即ち、大型チップを小型で薄いパッケー
ジに封入することになるため、熱応力によりクッラクが
発生し、これらのクラックによる耐湿性低下などの問題
が大きくクローズアップされている。特に半田付け工程
において、急激に200℃以上の高温にさらされること
により、パッケージの割れや樹脂とチップの剥離により
耐湿性が劣化してしまうといった問題点がでてきてい
る。従って、これらの大型チップを封止するのに適し
た、信頼性の高い半導体封止用エポキシ樹脂組成物の開
発が望まれている。
2. Description of the Related Art Conventionally, electronic components such as diodes, transistors, and integrated circuits are sealed with a thermosetting resin.
Particularly, in an integrated circuit, an epoxy resin composition obtained by curing an ortho-cresol novolak type epoxy resin having excellent heat resistance and moisture resistance with a phenol novolak resin and blending an inorganic filler such as fused silica or crystalline silica as a filler is used. ing. However, in recent years, chips have become larger and larger due to the higher integration of integrated circuits, and packages have been
Small and thin QFP surface mounted from IP type,
SOP, SOJ, TSOP, TQFP and PLCC have been changed. That is, since a large chip is enclosed in a small and thin package, thermal stress causes cracking, and problems such as deterioration of moisture resistance due to these cracks are greatly highlighted. In particular, in the soldering process, when exposed to a high temperature of 200 ° C. or more, the moisture resistance is deteriorated due to cracking of the package or peeling of the resin and the chip. Therefore, development of a highly reliable epoxy resin composition for semiconductor encapsulation suitable for encapsulating these large chips is desired.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題点に対して、エポキシ樹脂として式(1)で示される
エポキシ樹脂を用い、フェノール樹脂硬化剤として式
(3)で示されるフェノール樹脂硬化剤を用いることに
より、実装時における半導体パッケージの耐半田ストレ
ス性を著しく向上させた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供するところにある。
The present invention addresses these problems by using the epoxy resin represented by formula (1) as the epoxy resin and the phenol represented by formula (3) as the phenol resin curing agent. It is an object of the present invention to provide an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, in which the solder stress resistance of a semiconductor package during mounting is remarkably improved by using a resin curing agent.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)式
(1)で示されるエポキシ樹脂を、総エポキシ樹脂量に
対して30〜100重量%含むエポキシ樹脂、
The present invention provides an epoxy resin containing (A) the epoxy resin represented by the formula (1) in an amount of 30 to 100% by weight based on the total amount of the epoxy resin,

【0005】[0005]

【化5】 (n=0〜20)Embedded image (N = 0 to 20)

【0006】(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)無機
充填材、(D)硬化促進剤を必須成分とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物であり、従来のエポキシ樹脂組成
物に比べ、優れた信頼性として耐半田ストレス性と半田
処理後の耐湿性を有するものである。
An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation which contains (B) a phenol resin curing agent, (C) an inorganic filler, and (D) a curing accelerator as essential components, and is superior to conventional epoxy resin compositions. It also has resistance to soldering stress and moisture resistance after soldering.

【0007】式(1)の分子構造で示されるエポキシ樹
脂は、キシレン類とクレゾールをフリーデル・クラフツ
・アルキル化反応により重合し、エピクロルヒドリンで
グリシジルエーテル化することによって得られる。従来
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂に較べて、硬化
物のゴム領域での弾性率が低く、低吸湿性、リードフレ
ーム(42アロイ、銅合金)等の金属類との接着性に優
れている。また、式(5)の分子構造で示されるパラキ
シレンとフェノールをフリーデル・クラフツ・アルキル
化反応で重合し、エピクロルヒドリンでグリシジルエー
テル化したエポキシ樹脂(特公昭62−28165号公
報、特開平3−14819号公報、特開平6−2282
76号公報)に対し、本発明の式(1)のエポキシ樹脂
は、フェノールの部分にクレゾールを用いているので、
式(5)の樹脂に較べ低吸湿性を有するため、耐半田ス
トレス性に優れた特徴を有している。クレゾールの中で
は、オルソクレゾールを用いた式(2)のエポキシ樹脂
が好ましい。
The epoxy resin represented by the molecular structure of the formula (1) is obtained by polymerizing xylenes and cresol by Friedel-Crafts alkylation reaction and glycidyl etherification with epichlorohydrin. Compared with the conventional cresol novolac type epoxy resin, it has a lower elastic modulus in the rubber region of the cured product, low hygroscopicity, and excellent adhesiveness to metals such as lead frame (42 alloy, copper alloy). Further, an epoxy resin obtained by polymerizing paraxylene represented by the molecular structure of the formula (5) and phenol by Friedel-Crafts alkylation reaction and glycidyl etherified with epichlorohydrin (Japanese Patent Publication No. 62-28165, JP-A-3-28165). 14819, JP-A-6-2282
76), the epoxy resin of the formula (1) of the present invention uses cresol for the phenol part,
Since it has a lower hygroscopicity than the resin of the formula (5), it has an excellent solder stress resistance. Among the cresols, the epoxy resin of the formula (2) using orthocresol is preferable.

【0008】[0008]

【化6】 [Chemical 6]

【0009】このエポキシ樹脂の使用量は、これを調節
することにより、耐半田ストレス性を最大限に引き出す
ことができる。耐半田ストレス性の効果を引き出すため
には、式(1)で示されるエポキシ樹脂を、総エポキシ
樹脂量に対して30重量%以上、好ましくは50重量%
以上の使用が望ましい。30重量%未満であると、目標
とした耐半田ストレス性が不充分である。式(1)で示
されるエポキシ樹脂以外に、他のエポキシ樹脂を併用す
る場合は、エポキシ基を2個以上有する化合物あるいは
ポリマー全般を用いればよい。例えば、ビフェニル型エ
ポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノール
メタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメ
タン型エポキシ樹脂などがある。
By adjusting the amount of the epoxy resin used, solder stress resistance can be maximized. In order to bring out the effect of resistance to solder stress, the epoxy resin represented by the formula (1) is used in an amount of 30% by weight or more, preferably 50% by weight, based on the total amount of epoxy resin.
The above use is desirable. If it is less than 30% by weight, the intended solder stress resistance is insufficient. When other epoxy resin is used in combination with the epoxy resin represented by the formula (1), compounds or polymers having two or more epoxy groups may be used in general. For example, biphenyl type epoxy compound, phenol novolac type epoxy resin,
Examples include cresol novolac type epoxy resin, triphenol methane type epoxy resin, and alkyl modified triphenol methane type epoxy resin.

【0010】本発明のフェノール樹脂硬化剤としては、
フェノール性水酸基を2個以上有する化合物あるいはポ
リマー全般を用いればよい。例えばフェノールノボラッ
ク樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジ
エン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹
脂、トリフェノールメタン化合物、前記した式(3)で
示されるフェノール樹脂などが挙げられ、単独でも混合
して用いてもよい。これらの中では式(3)の分子構造
で示されるフェノール樹脂が好ましい。即ち、従来のフ
ェノールノボラック樹脂に比べて、硬化物のゴム領域で
の弾性率が低く、低吸湿性、リードフレーム(42アロ
イ、銅合金)などの金属類との接着性に優れていること
による。更に式(3)の中では、架橋点間距離の影響に
より熱時強度が向上するメタキシレンを用いた前記した
式(4)のフェノール樹脂が好ましい。この式(4)の
フェノール樹脂は、メタキシレンとフェノールをフリー
デル・クラフツ・アルキル化反応により重合させること
によって得られる。このフェノール樹脂の使用量は、こ
れを調整することにより耐半田ストレス性を最大限に引
き出すことができる。耐半田ストレス性の効果を引き出
すためには、式(3)で示されるフェノール樹脂を総フ
ェノール樹脂硬化剤量に対して30重量%以上、好まし
くは50重量%以上の使用が望ましい。また、これらの
フェノール樹脂硬化剤の配合量としては、エポキシ化合
物のエポキシ基数と硬化剤の水酸基数を合わせるように
配合することが望ましい。
As the phenol resin curing agent of the present invention,
Any compound or polymer having two or more phenolic hydroxyl groups may be used. Examples thereof include phenol novolac resin, cresol novolac resin, dicyclopentadiene modified phenol resin, terpene modified phenol resin, triphenol methane compound, and phenol resin represented by the above formula (3), which may be used alone or in combination. Good. Among these, the phenol resin represented by the molecular structure of the formula (3) is preferable. That is, as compared with the conventional phenol novolac resin, the elastic modulus of the cured product is low in the rubber region, low hygroscopicity, and excellent adhesion to metals such as lead frame (42 alloy, copper alloy). . Further, in the formula (3), the phenol resin of the above formula (4) using meta-xylene whose strength at the time of heating is improved due to the influence of the distance between the crosslinking points is preferable. The phenol resin of the formula (4) can be obtained by polymerizing metaxylene and phenol by Friedel-Crafts alkylation reaction. By adjusting the amount of the phenol resin used, solder stress resistance can be maximized. In order to bring out the effect of resistance to soldering stress, it is desirable to use the phenol resin represented by the formula (3) in an amount of 30% by weight or more, preferably 50% by weight or more based on the total amount of the curing agent for the phenol resin. Further, it is desirable that the amount of these phenol resin curing agents is such that the number of epoxy groups of the epoxy compound and the number of hydroxyl groups of the curing agent are matched.

【0011】本発明で用いる無機充填材としては、溶融
シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、二次凝
集シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、アルミナなどが挙げ
られ、特に球状シリカ粉末、及び溶融シリカ粉末と球状
シリカ粉末との混合物が好ましい。また、無機充填材の
配合量としては、耐半田ストレス性から総エポキシ樹脂
組成物量に対して80〜90重量%が好ましい。無機充
填材量が80重量%未満だと低熱膨張化、低吸水化が得
られず、耐半田ストレス性が不充分である。また、無機
充填材量が90重量%を越えると高粘度化による半導体
パッケージ中のダイパット、金線ワイヤーのずれ等の不
都合が生じる。本発明で用いる硬化促進剤としては、エ
ポキシ基と水酸基との硬化反応を促進させるものであれ
ばよく、一般に封止材料に用いられているものを広く用
いることができる。例えば、ジアザビシクロウンデセ
ン、トリフェニルホスフィン、ジメチルベンジルアミ
ン、2−メチルイミダゾールなどが単独でも混合して用
いてもよい。
Examples of the inorganic filler used in the present invention include fused silica powder, spherical silica powder, crystalline silica powder, secondary agglomerated silica powder, porous silica powder, alumina, and the like. In particular, spherical silica powder and fused silica are used. A mixture of powder and spherical silica powder is preferred. Further, the compounding amount of the inorganic filler is preferably 80 to 90% by weight based on the total amount of the epoxy resin composition in view of resistance to solder stress. When the amount of the inorganic filler is less than 80% by weight, low thermal expansion and low water absorption cannot be obtained, and the solder stress resistance is insufficient. Further, if the amount of the inorganic filler exceeds 90% by weight, there arises inconveniences such as die pad in the semiconductor package and displacement of the gold wire wire due to high viscosity. The curing accelerator used in the present invention may be any one as long as it accelerates the curing reaction between the epoxy group and the hydroxyl group, and those generally used for encapsulating materials can be widely used. For example, diazabicycloundecene, triphenylphosphine, dimethylbenzylamine, 2-methylimidazole and the like may be used alone or in combination.

【0012】本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂硬化剤、無機充填材及び硬化促進
剤を必須成分とするが、これ以外に必要に応じてシラン
カップリング剤、ブロム化エポキシ樹脂、酸化アンチモ
ン、ヘキサブロムベンゼンなどの難燃剤、カーボンブラ
ック、ベンガラなどの着色剤、天然ワックス、合成ワッ
クスなどの離型剤及びシリコーンオイル、ゴムなどの低
応力添加剤など、種々の添加剤を配合して 差し支えな
い。また本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料
として製造するには、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、充填剤、その他の添加剤をミキサーなどによって充
分に均一に混合した後、更に熱ロールまたはニーダーな
どで溶融混練し、冷却後粉砕して封止材料とすることが
できる。これらの成形材料は、電気部品あるいは電子部
品であるトランジスタ、集積回路などの被覆、絶縁、封
止などに適用することができる。
The epoxy resin composition of the present invention contains an epoxy resin, a phenol resin curing agent, an inorganic filler and a curing accelerator as essential components, but in addition to this, a silane coupling agent, a brominated epoxy resin may be added if necessary. Various additives such as flame retardants such as antimony oxide and hexabromobenzene, colorants such as carbon black and red iron oxide, mold release agents such as natural wax and synthetic wax, and low stress additives such as silicone oil and rubber. It doesn't matter. In order to produce the encapsulating epoxy resin composition of the present invention as a molding material, the epoxy resin, the curing agent, the curing accelerator, the filler, and other additives are sufficiently uniformly mixed with a mixer or the like, and then, It can be melt-kneaded with a hot roll or a kneader, cooled, and then pulverized to obtain a sealing material. These molding materials can be applied to coating, insulation, sealing, etc. of transistors, integrated circuits, etc., which are electric or electronic parts.

【0013】本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例1 式(2)のエポキシ樹脂(軟化点57℃,エポキシ当量254g/eq) (nの値は0〜3を示す混合物であり、その重量割合はn=0が1に対してn= 1が0.71、n=2が0.44、n=3が0.27である。) 6.80重量部 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点58℃,エポキシ当量2 00g/eq) 1.70重量部 式(4)で示されるフェノール樹脂硬化剤(軟化点65℃,水酸基当量170 g/eq) (nの値は0〜3を示す混合物であり、その重量割合はn=0が1に対してn= 1が0.65、n=2が0.41、n=3が0.28である。) 4.24重量部 フェノールノボラック樹脂硬化剤(軟化点65℃,水酸基当量105g/eq ) 1.06重量部 溶融シリカ粉末(平均粒径10μm,比表面積2.0m2/g) 35重量部 球状シリカ粉末(平均粒径30μm,比表面積2.5m2/g) 50重量部 トリフェニルホスフィン 0.2重量部 カーボンブラック 0.5重量部 カルナバワックス 0.5重量部 を常温においてミキサーで混合し、70〜100℃で2
軸ロールにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とし
た。
The present invention will be specifically described with reference to examples. Example 1 Epoxy resin of the formula (2) (softening point 57 ° C., epoxy equivalent 254 g / eq) (n is a mixture showing a value of 0 to 3, and the weight ratio is n = 0 when 1 is n = 1 is 0.71, n = 2 is 0.44, and n = 3 is 0.27.) 6.80 parts by weight Orthocresol novolac type epoxy resin (softening point 58 ° C., epoxy equivalent 200 g / eq) 1 70 parts by weight Phenolic resin curing agent represented by the formula (4) (softening point 65 ° C., hydroxyl group equivalent 170 g / eq) (a value of n is a mixture of 0 to 3, and a weight ratio thereof is n = 0. N = 1 is 0.65, n = 2 is 0.41 and n = 3 is 0.28 with respect to 1. 4.24 parts by weight Phenol novolac resin curing agent (softening point 65 ° C., hydroxyl equivalent 105 g) / Eq) 1.06 parts by weight Fused silica powder (average particle size 10μ A specific surface area of 2.0m 2 / g) 35 parts by weight of spherical silica powder (average particle size 30 [mu] m, a specific surface area of 2.5m 2 / g) 50 parts by weight of triphenylphosphine 0.2 part by weight of carbon black 0.5 parts by weight of carnauba Mix 0.5 parts by weight of wax with a mixer at room temperature and mix at 70-100 ° C for 2
The mixture was kneaded by a shaft roll, cooled and pulverized to obtain a molding material.

【0014】粉砕して得られた成形材料は、EMMI−
I−66に準じた試験用金型を用い、175℃、70k
g/cm2、120秒の条件でスパイラルフローを測定
した。更に、得られた成形材料をタブレット化し、低圧
トランスファー成形機にて175℃、70kg/c
、120秒の条件で半田ストレス試験用として6×
6mmのチップを52pQFPに封止し、また半田耐湿
性試験用として3×6mmのチップを16pSOPに封
止した。封止したテスト用素子について、下記の半田ス
トレス試験、半田耐湿性試験を行った。 半田ストレス試験:封止したテスト用素子を、85℃、
85%RHの環境下で24時間、48時間、72時間及
び120時間処理し、その後260℃の半田槽に10秒
間浸漬した後、顕微鏡で外部クラックを観察した。クラ
ック発生数/総数で表した。 半田耐湿性試験:封止したテスト用素子を、85℃、8
5%RHの環境下で72時間処理し、その後260℃の
半田槽に10秒間浸漬した後、プレッシャークッカー試
験を行い、回路のオープン不良を測定した(試験片の数
は16個)。 試験結果を表1に示す。
The molding material obtained by crushing was EMMI-
Using a test mold according to I-66, 175 ° C, 70k
The spiral flow was measured under the conditions of g / cm 2 and 120 seconds. Further, the obtained molding material is made into tablets, which are then subjected to a low pressure transfer molding machine at 175 ° C. and 70 kg / c.
m 2 for 6 seconds for soldering stress test under the condition of 120 seconds
A 6 mm chip was encapsulated in 52 pQFP, and a 3 × 6 mm chip was encapsulated in 16 pSOP for a solder moisture resistance test. The sealed test element was subjected to the following solder stress test and solder moisture resistance test. Solder stress test: Sealed test element at 85 ° C
After treatment for 24 hours, 48 hours, 72 hours, and 120 hours in an environment of 85% RH, and after dipping in a solder bath at 260 ° C. for 10 seconds, external cracks were observed with a microscope. It was expressed by the number of cracks generated / total number. Solder moisture resistance test: Sealed test element at 85 ° C, 8
After being treated for 72 hours in an environment of 5% RH and then immersed in a solder bath at 260 ° C. for 10 seconds, a pressure cooker test was performed to measure open defects of the circuit (the number of test pieces is 16). Table 1 shows the test results.

【0015】実施例2〜7 表1の処方に従って配合し、実施例1と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例1と同様に半田ストレス
試験及び半田耐湿性試験を行った。試験結果を表1に示
す。 比較例1〜5 表2の処方に従って配合し、実施例1と同様にして成形
材料を得た。なお比較例4、5に用いる式(5)のエポ
キシ樹脂は、軟化点63℃、エポキシ当量239g/e
q、nの値は0〜3を示す混合物であり、その重量割合
はn=0が1に対して、n=1が0.75、n=2が
0.46、n=3が0.22である。これらの成形材料
で試験用の封止した成形品を得、この成形品を用いて実
施例1と同様に半田ストレス試験及び半田耐湿性試験を
行った。試験結果を表2に示す。
Examples 2 to 7 Compounding was carried out according to the formulation shown in Table 1, and molding materials were obtained in the same manner as in Example 1. A sealed molded product for testing was obtained from this molding material, and a solder stress test and a solder moisture resistance test were conducted in the same manner as in Example 1 using this molded product. Table 1 shows the test results. Comparative Examples 1 to 5 Compounding was performed according to the formulation shown in Table 2, and a molding material was obtained in the same manner as in Example 1. The epoxy resin of the formula (5) used in Comparative Examples 4 and 5 has a softening point of 63 ° C. and an epoxy equivalent of 239 g / e.
The value of q and n is a mixture showing 0 to 3, and the weight ratio is such that n = 0 is 1, n = 1 is 0.75, n = 2 is 0.46, and n = 3 is 0. 22. Sealed molded products for testing were obtained from these molding materials, and solder stress tests and solder moisture resistance tests were conducted using the molded products in the same manner as in Example 1. The test results are shown in Table 2.

【0016】[0016]

【表1】 [Table 1]

【0017】[0017]

【表2】 [Table 2]

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明に従うと、実装時における半導体
パッケージの耐半田ストレス性に優れ、且つ耐湿性に優
れたものである。
According to the present invention, the semiconductor package is excellent in soldering stress resistance and moisture resistance during mounting.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)式(1)で示されるエポキシ樹脂
を、総エポキシ樹脂量に対して30〜100重量%含む
エポキシ樹脂、 【化1】 (n=0〜20)(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)
無機充填材、(D)硬化促進剤を必須成分とする半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。
1. An epoxy resin containing (A) the epoxy resin represented by the formula (1) in an amount of 30 to 100% by weight based on the total amount of the epoxy resin, (N = 0 to 20) (B) Phenolic resin curing agent, (C)
An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, which comprises an inorganic filler and (D) a curing accelerator as essential components.
【請求項2】 式(1)のエポキシ樹脂が、式(2)で
ある請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化2】 (n=0〜20)
2. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the epoxy resin of the formula (1) is the formula (2). Embedded image (N = 0 to 20)
【請求項3】 フェノール樹脂硬化剤が、式(3)であ
る請求項1、又は請求項2記載の半導体封止用エポキシ
樹脂組成物。 【化3】 (式中のR1、R2は、水素、ハロゲン類、アルキル基の
中から選択される、同一もしくは異なる原子または基) (n=0〜20)
3. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the phenol resin curing agent has the formula (3). Embedded image (Wherein R 1 and R 2 are the same or different atoms or groups selected from hydrogen, halogens and alkyl groups) (n = 0 to 20)
【請求項4】 式(3)のフェノール樹脂硬化剤が、総
フェノール樹脂硬化剤に対して30〜100重量%含む
請求項1、請求項2、又は請求項3記載の半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。
4. The epoxy resin for semiconductor encapsulation according to claim 1, 2 or 3, wherein the phenol resin curing agent of the formula (3) contains 30 to 100% by weight based on the total phenol resin curing agent. Composition.
【請求項5】 式(3)のフェノール樹脂硬化剤が、式
(4)である請求項1、請求項2、請求項3、又は請求
項4記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化4】 (n=0〜20)
5. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, claim 2, claim 3, or claim 4, wherein the phenol resin curing agent of formula (3) is of formula (4). Embedded image (N = 0 to 20)
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002128869A (en) * 2000-10-24 2002-05-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor device
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TWI482815B (en) * 2006-03-31 2015-05-01 Sumitomo Bakelite Co Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
US10165877B2 (en) 2012-10-02 2019-01-01 Runway Blue, Llc Stackable container system

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