JPS63234031A - ポリイミド−シロキサン、製法と用途 - Google Patents
ポリイミド−シロキサン、製法と用途Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 43
- -1 siloxane units Chemical group 0.000 claims description 35
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 24
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 claims description 20
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 18
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 15
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 125000006159 dianhydride group Chemical group 0.000 claims description 5
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 15
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims 3
- XZOQPRNOAGCWNT-UHFFFAOYSA-N 4-[[(3,4-dicarboxyphenyl)-dimethylsilyl]oxy-dimethylsilyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 XZOQPRNOAGCWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims 1
- 125000006160 pyromellitic dianhydride group Chemical group 0.000 claims 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 5
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- UHUUYVZLXJHWDV-UHFFFAOYSA-N trimethyl(methylsilyloxy)silane Chemical compound C[SiH2]O[Si](C)(C)C UHUUYVZLXJHWDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- WOXLZEFTEXVELG-UHFFFAOYSA-N 5-trichlorosilyl-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 WOXLZEFTEXVELG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 2
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- QPIOXOJERGNNMX-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminopropylsulfanyl)propan-1-amine Chemical compound NCCCSCCCN QPIOXOJERGNNMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POTQBGGWSWSMCX-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(3-aminopropoxy)ethoxy]propan-1-amine Chemical compound NCCCOCCOCCCN POTQBGGWSWSMCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCN GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminocyclohexyl)methyl]cyclohexan-1-amine Chemical compound C1CC(N)CCC1CC1CCC(N)CC1 DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCSINQLTXLABIQ-UHFFFAOYSA-N 4-dimethylsilyloxy-2-benzofuran-1,3-dione Chemical group C[SiH](OC1=C2C(C(=O)OC2=O)=CC=C1)C CCSINQLTXLABIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKUZSYAAZQXXHT-UHFFFAOYSA-N 4-silyl-2-benzofuran-1,3-dione Chemical group [SiH3]C1=C2C(C(=O)OC2=O)=CC=C1 FKUZSYAAZQXXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXANMBAQBXMBFJ-UHFFFAOYSA-N 5-(dichloromethylsilyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound ClC(Cl)[SiH2]C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 FXANMBAQBXMBFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBRGOFWKNLPACT-UHFFFAOYSA-N 5-methylnonane-1,9-diamine Chemical compound NCCCCC(C)CCCCN MBRGOFWKNLPACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N anhydrous trimellitic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJPIDIRJSIUWRJ-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,4-tricarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=C(C(Cl)=O)C(C(Cl)=O)=C1 CJPIDIRJSIUWRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000068 chlorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCN YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011067 equilibration Methods 0.000 description 1
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- DUJKMJZZYGMSQR-UHFFFAOYSA-N fluoromethylsulfonyl fluoromethanesulfonate Chemical compound FCS(=O)(=O)OS(=O)(=O)CF DUJKMJZZYGMSQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N heptane-1,7-diamine Chemical compound NCCCCCCCN PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- KMBPCQSCMCEPMU-UHFFFAOYSA-N n'-(3-aminopropyl)-n'-methylpropane-1,3-diamine Chemical compound NCCCN(C)CCCN KMBPCQSCMCEPMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N nonane-1,9-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCN SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHWKGJOTGCSFNF-UHFFFAOYSA-N norbornene anhydride Chemical compound C1CC2C3C(=O)OC(=O)C3=C1C2 CHWKGJOTGCSFNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- HIFJUMGIHIZEPX-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid;sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O.OS(O)(=O)=O HIFJUMGIHIZEPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920006352 transparent thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000725 trifluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C(F)(F)F 0.000 description 1
- BMOGDWCLOBWOSC-UHFFFAOYSA-N trimethyl-[methyl(diphenyl)silyl]oxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(O[Si](C)(C)C)C1=CC=CC=C1 BMOGDWCLOBWOSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
一部継続出願であり、元のその出願は、本発明と田
1984年12月5日出願の一部継続出願である。
発明の背景
本発明の以前に、ポリジオルガノシロキサンとポリイミ
ドの化学的に結合されたブロックより本質的に成るポリ
イミドシロキサンを調製するためにいろいろの方法が用
いられた。l1olubに付与された米国特許第332
5450号は、末端ジオルガノアミノシロキシ単位をも
つポリジオルガノシロキサンとベンゾフェノン酸二無水
物との、結果としてポリイミド−シロキサンを生じる相
互縮合を示している。もう一つの手順は、l1eath
などに付与された米国特許第3847867号によって
示されているように末端アルキルアミノ基を持つポリジ
オルガノシロキサンと芳香族ビス(エーテル無水物)と
の相互縮合を含んでいる。ポリイミドシロキサンの更に
他の例は、Ryangに付与された米国特許第4404
350号によって示されており、有機ジアミンと相互縮
合されたノルボルネン酸無水物末端のオルガノポリシロ
キサンおよび任意的に他の芳香族ビス酸無水物を利用す
る。
ドの化学的に結合されたブロックより本質的に成るポリ
イミドシロキサンを調製するためにいろいろの方法が用
いられた。l1olubに付与された米国特許第332
5450号は、末端ジオルガノアミノシロキシ単位をも
つポリジオルガノシロキサンとベンゾフェノン酸二無水
物との、結果としてポリイミド−シロキサンを生じる相
互縮合を示している。もう一つの手順は、l1eath
などに付与された米国特許第3847867号によって
示されているように末端アルキルアミノ基を持つポリジ
オルガノシロキサンと芳香族ビス(エーテル無水物)と
の相互縮合を含んでいる。ポリイミドシロキサンの更に
他の例は、Ryangに付与された米国特許第4404
350号によって示されており、有機ジアミンと相互縮
合されたノルボルネン酸無水物末端のオルガノポリシロ
キサンおよび任意的に他の芳香族ビス酸無水物を利用す
る。
1.3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサン酸二無水物の合
成はJ、 R,Pratt等によりJournalor
Organlc Choslstry 36巻 2
5号、1973年(4271−4274ページ)に示さ
れている。Pratt等の“シロキサン酸無水物”、−
そして式: のシロキサン酸無水物(式中Rとnは以下で定義される
)−は1985年8月13日に出願された係属中の出願
番号ff1765089号に示されていて、それは本発
明と同じ譲受は人に譲渡されていてここに参照として組
み入れられている。これらのシロキサン酸無水物は、有
効量の遷移金属触媒の存在下で、機能化されたジシラン
と芳香族アシルハライドとの間の反応を行わせ、そのあ
と結果として生じるハロシリル芳香族酸無水物を加水分
解することにより調製することが出来る。
1,3,3−テトラメチルジシロキサン酸二無水物の合
成はJ、 R,Pratt等によりJournalor
Organlc Choslstry 36巻 2
5号、1973年(4271−4274ページ)に示さ
れている。Pratt等の“シロキサン酸無水物”、−
そして式: のシロキサン酸無水物(式中Rとnは以下で定義される
)−は1985年8月13日に出願された係属中の出願
番号ff1765089号に示されていて、それは本発
明と同じ譲受は人に譲渡されていてここに参照として組
み入れられている。これらのシロキサン酸無水物は、有
効量の遷移金属触媒の存在下で、機能化されたジシラン
と芳香族アシルハライドとの間の反応を行わせ、そのあ
と結果として生じるハロシリル芳香族酸無水物を加水分
解することにより調製することが出来る。
本発明は、式(1)のシロキサン酸無水物、式:の芳香
族酸無水物末端の有機ポリシロキサン、あるいはそれら
の平衡混合物は、式: %式%(3) を持つ有機ジアミン(式中RはCの一価の(1−14,
) 炭化水素基あるいは、相互縮合中に中性である同一ある
いは異なった基で置換されたC(1−14)の一価の炭
化水素基であり、R1はCの三価の芳香族有機基であり
、R2はC(2−20)の二価の有機基であり、そして
nは1から約2000までの整数である。式(2)では
、nはまた5から約2000までの数でもあり得る)と
相互縮合することによりポリイミドシロキサンを調製す
るために使用することが出来るという発見に基づいてい
る。
族酸無水物末端の有機ポリシロキサン、あるいはそれら
の平衡混合物は、式: %式%(3) を持つ有機ジアミン(式中RはCの一価の(1−14,
) 炭化水素基あるいは、相互縮合中に中性である同一ある
いは異なった基で置換されたC(1−14)の一価の炭
化水素基であり、R1はCの三価の芳香族有機基であり
、R2はC(2−20)の二価の有機基であり、そして
nは1から約2000までの整数である。式(2)では
、nはまた5から約2000までの数でもあり得る)と
相互縮合することによりポリイミドシロキサンを調製す
るために使用することが出来るという発見に基づいてい
る。
式(1)と(2)のシロキサン酸無水物およびその混合
物は、また式: のシクロポリジオルガノシロキサン(式中Rは前に定義
されたものであり、pは3から8までの整数である)と
平衡させることもでき、あるいは式(1)のシロキサン
酸無水物は式(4)のシクロポリジオルガノシロキサン
とヘキサメチルジシロキサンのようなトリオルガノシロ
キサン連鎖停止剤との混合物と平衡させることができる
。テトラメチルジフェニルジシロキサン、1.3−ジビ
ニルテトラメチルジシロキサンのようなこれに加えた連
鎖停止剤、あるいはそれらの混合物もまた使うことがで
きる。
物は、また式: のシクロポリジオルガノシロキサン(式中Rは前に定義
されたものであり、pは3から8までの整数である)と
平衡させることもでき、あるいは式(1)のシロキサン
酸無水物は式(4)のシクロポリジオルガノシロキサン
とヘキサメチルジシロキサンのようなトリオルガノシロ
キサン連鎖停止剤との混合物と平衡させることができる
。テトラメチルジフェニルジシロキサン、1.3−ジビ
ニルテトラメチルジシロキサンのようなこれに加えた連
鎖停止剤、あるいはそれらの混合物もまた使うことがで
きる。
発明の開示
本発明によれば、
(A)式:
の化学的に結合された単位をもつシロキサン酸無水物、
あるいは、そのようなシロキサン酸無水物単位と式: %式%(6) のシロキサン単位との化学的に結合させられた混合物お
よび (B)式(3)の有機ジアミン(式中にとR「は前の定
義通りで、aは0から2までの整数、モしてbは0から
3までの整数である)の相互綜合反応の生成物より成る
反復する化学的に結合されたイミドシロキサン基をもつ
ポリイミド−シロキサンが与えられる。
あるいは、そのようなシロキサン酸無水物単位と式: %式%(6) のシロキサン単位との化学的に結合させられた混合物お
よび (B)式(3)の有機ジアミン(式中にとR「は前の定
義通りで、aは0から2までの整数、モしてbは0から
3までの整数である)の相互綜合反応の生成物より成る
反復する化学的に結合されたイミドシロキサン基をもつ
ポリイミド−シロキサンが与えられる。
好ましくは、本発明のポリイミド−シロキサンは、(3
)式の有機ジアミンと式: (式中Rは前に定義された通りで、mは1から3までの
整数で最も好ましくは1である)のシロキサン酸無水物
との相互縮合によって調製される。
)式の有機ジアミンと式: (式中Rは前に定義された通りで、mは1から3までの
整数で最も好ましくは1である)のシロキサン酸無水物
との相互縮合によって調製される。
本発明のもう一つの面では、式:
の反復する化学的に結合されたシロキサンイミド基、あ
るいは、そのようなシロキサンイミド基の約5から95
![r量%混合と式: のイミド基の95から51!il1%混合を持つ反復す
る混合基(式中R,R1、R2およびmは、前に定義さ
れた通りで、R3は下に定義される四価のC(B−14
)の芳香族有機基で、Cは1から200までの整数であ
る)より成るポリイミドシロキサンが与えられる。
るいは、そのようなシロキサンイミド基の約5から95
![r量%混合と式: のイミド基の95から51!il1%混合を持つ反復す
る混合基(式中R,R1、R2およびmは、前に定義さ
れた通りで、R3は下に定義される四価のC(B−14
)の芳香族有機基で、Cは1から200までの整数であ
る)より成るポリイミドシロキサンが与えられる。
本発明の更にもう一つの面で、式:
(式中R,R1およびR2は、前に定義された通りであ
る)の反復する化学的に結合された基をもつポリイミド
−シロキサンが与えられる。
る)の反復する化学的に結合された基をもつポリイミド
−シロキサンが与えられる。
式(1,2,4−8および10)のRに含まれる基は、
例えばCアルキル基とハロゲン化アルキル基、例えば、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、トリフ
ルオロプロピル等;アルケニル基、例えばビニル、アリ
ル、シクロヘキセニル等;アリール基、アルカリル基、
アルコキシアリル基、およびハロアリル基、例えばフェ
ニル、クロロフェニル、メトキシフェニル、トリル、キ
シリル、ビフェニル、ナフチル等で R1に含まれる基は、例えば、 で、式中R4はR1八へ、モしてCアルコキシのような
一価の中性基であり、bは1から3までの値の整数であ
る。
例えばCアルキル基とハロゲン化アルキル基、例えば、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、トリフ
ルオロプロピル等;アルケニル基、例えばビニル、アリ
ル、シクロヘキセニル等;アリール基、アルカリル基、
アルコキシアリル基、およびハロアリル基、例えばフェ
ニル、クロロフェニル、メトキシフェニル、トリル、キ
シリル、ビフェニル、ナフチル等で R1に含まれる基は、例えば、 で、式中R4はR1八へ、モしてCアルコキシのような
一価の中性基であり、bは1から3までの値の整数であ
る。
R2に含まれる基は、例えば、Cの芳香族炭化水素基、
ハロゲン化C芳香族炭化水素基、アルキレン基およびシ
クロアルキレン基より成る群から選択される二価のCの
有機基、C(2−8)のオルガノ末端のポリジオルガノ
シロキサン、および式: によって包含される二価の基であり、 式中Q′は、 −o−、−c−、−s−、−s−,および−CxH2に より成る群から選択されるIMで、Xは1から5までの
整数である。
ハロゲン化C芳香族炭化水素基、アルキレン基およびシ
クロアルキレン基より成る群から選択される二価のCの
有機基、C(2−8)のオルガノ末端のポリジオルガノ
シロキサン、および式: によって包含される二価の基であり、 式中Q′は、 −o−、−c−、−s−、−s−,および−CxH2に より成る群から選択されるIMで、Xは1から5までの
整数である。
式(9)のR3に含まれる基は、例えばおよび
で、式中りは、
It II II−O−、−8
−、−CNR2NC−、−C−。
−、−CNR2NC−、−C−。
R5R5
−OR60−およびC0R6QC
から選択されるIP!で、式中R2は前に定義された通
りで、R5は水素とRから選択され R6はCH,CH
l 113CBr Br CHl By
Brと一般式: の二価の有機基から選択される1種で、式中Xは式: %式% (式中mは0または1%yは1から5までの整数である
)の二価の基より成る群から選択される1種である。
りで、R5は水素とRから選択され R6はCH,CH
l 113CBr Br CHl By
Brと一般式: の二価の有機基から選択される1種で、式中Xは式: %式% (式中mは0または1%yは1から5までの整数である
)の二価の基より成る群から選択される1種である。
本発明の追加面は、本発明に従って調製された電子装置
を示す図面によって例証される。特に示されているのは
シリコン、炭化シリコン、ゲルマニウムおよびひ化ガリ
ウムのような半導体物質から成る半導体装置である。そ
の半導体装置は、二つの大きな半導体領域、20と30
.および22におけるP−N接合をもつ。
を示す図面によって例証される。特に示されているのは
シリコン、炭化シリコン、ゲルマニウムおよびひ化ガリ
ウムのような半導体物質から成る半導体装置である。そ
の半導体装置は、二つの大きな半導体領域、20と30
.および22におけるP−N接合をもつ。
更に35で電気的接触が示されており、それはハンダの
ような導電体29を通して領域30へ導電的に接合され
ている。第二の電気的接触は25で示され、それはハン
ダのような導電物質21を通して領域20に接合されて
いる。
ような導電体29を通して領域30へ導電的に接合され
ている。第二の電気的接触は25で示され、それはハン
ダのような導電物質21を通して領域20に接合されて
いる。
二酸化ケイ素あるいは窒化ケイ素のような絶縁被覆は2
8に示されている。整合性被覆の誘電体層、絶縁層ある
いは受動化層は本発明のポリイミドシロキサンから成る
38で示されている。
8に示されている。整合性被覆の誘電体層、絶縁層ある
いは受動化層は本発明のポリイミドシロキサンから成る
38で示されている。
ポリイミドシロキサン誘電体層を持つ半導体装置に加え
て、接希剤としてのポリイミド−シロキサンの中間層を
持つ、Ka9ton (登録商標)ポリイミドのような
ポリイミドと金属や半金属基板の複合材もまた本発明で
与えられる。例えば、Kaptonポリイミドとアルミ
ニュウム、シリコン、ゲルマニウムのような金属や半金
属の複合材は、Kaptonポリイミドの基板あるいは
金属基板を式(8)の化学的に結合された単位より成る
ポリイミドシロキサンの有機溶媒溶液で処理し、ポリイ
ミドシロキサンの残渣をその上に残すため基板を乾かす
ことにより調製することができる。その結果生じる処理
された基板は、ポリイミドシロキサンを中間層としても
つポリイミド−金属あるいは半金属調合材を調製するた
めに他の基板とその後で積層することができる。150
から450℃の温度で100から10000pslの8
2層圧力を用いることができる。用いることができる溶
剤は、例えば、アニソール、p−メチルアニソール、キ
シレンあるいはグイダラムである。
て、接希剤としてのポリイミド−シロキサンの中間層を
持つ、Ka9ton (登録商標)ポリイミドのような
ポリイミドと金属や半金属基板の複合材もまた本発明で
与えられる。例えば、Kaptonポリイミドとアルミ
ニュウム、シリコン、ゲルマニウムのような金属や半金
属の複合材は、Kaptonポリイミドの基板あるいは
金属基板を式(8)の化学的に結合された単位より成る
ポリイミドシロキサンの有機溶媒溶液で処理し、ポリイ
ミドシロキサンの残渣をその上に残すため基板を乾かす
ことにより調製することができる。その結果生じる処理
された基板は、ポリイミドシロキサンを中間層としても
つポリイミド−金属あるいは半金属調合材を調製するた
めに他の基板とその後で積層することができる。150
から450℃の温度で100から10000pslの8
2層圧力を用いることができる。用いることができる溶
剤は、例えば、アニソール、p−メチルアニソール、キ
シレンあるいはグイダラムである。
ある場合には、N−メチルピロリドンのような双極性の
非プロトン有機溶剤のポリアミド酸溶液の形で塗布する
ことができるポリイミド−シロキサンにより最初に適当
なポリイミドあるいは金属基板を処理することにより、
腹合材はもっと有利に作ることが出来る。溶剤の蒸発と
そのあとに続く200から500℃の温度での加熱は、
ポリアミド酸をポリイミドの形態に変換することが出来
る。
非プロトン有機溶剤のポリアミド酸溶液の形で塗布する
ことができるポリイミド−シロキサンにより最初に適当
なポリイミドあるいは金属基板を処理することにより、
腹合材はもっと有利に作ることが出来る。溶剤の蒸発と
そのあとに続く200から500℃の温度での加熱は、
ポリアミド酸をポリイミドの形態に変換することが出来
る。
本発明の、更にその他の面では、ポリイミドに本発明の
ポリイミド−シロキサンを接着剤として用いて接合され
たKaptonポリイミドのようなポリイミドと多層マ
イクロエレクトロニック構造のシリコンの上で絶縁また
は接着剤被覆としてこのようなポリイミド−シロキサン
を用いて成る複合材もまた意図されている。
ポリイミド−シロキサンを接着剤として用いて接合され
たKaptonポリイミドのようなポリイミドと多層マ
イクロエレクトロニック構造のシリコンの上で絶縁また
は接着剤被覆としてこのようなポリイミド−シロキサン
を用いて成る複合材もまた意図されている。
本発明の実施において、式(1)および(2)のシロキ
サン酸無水物あるいはその混合物と共に用いることが出
来る有機酸二無水物は、例えば、ピロメリット酸二無水
物、ベンゾフェノン酸二無水物、3.3’、4,4’
−ビフェニルテトラカルボン酸無水物、スルホニル−ビ
ス−(4−無水フタル酸)、3.3’、4.4’ −ジ
フェニルスルフィドテトラカルボン酸無水物および2,
2−ビス(4−無水フタル酸’)1,1,1,3.3゜
3へキサフルオロプロパンのような芳香族有機酸二無水
物、l1eath等(米国特許第3847867号)の
芳香族ビス(エーテル無水物)およびオキ゛シービス−
(4−無水フタル酸)である。加えて、本発明と同じ譲
受は人に譲渡されたRyangによる米国特許第438
1396号に示されているようなシリルノルボルネン酸
無水物もまた用いることができる。
サン酸無水物あるいはその混合物と共に用いることが出
来る有機酸二無水物は、例えば、ピロメリット酸二無水
物、ベンゾフェノン酸二無水物、3.3’、4,4’
−ビフェニルテトラカルボン酸無水物、スルホニル−ビ
ス−(4−無水フタル酸)、3.3’、4.4’ −ジ
フェニルスルフィドテトラカルボン酸無水物および2,
2−ビス(4−無水フタル酸’)1,1,1,3.3゜
3へキサフルオロプロパンのような芳香族有機酸二無水
物、l1eath等(米国特許第3847867号)の
芳香族ビス(エーテル無水物)およびオキ゛シービス−
(4−無水フタル酸)である。加えて、本発明と同じ譲
受は人に譲渡されたRyangによる米国特許第438
1396号に示されているようなシリルノルボルネン酸
無水物もまた用いることができる。
式(3)の有機ジアミンに含まれるのは、以下のような
化合物あるいはその混合物である:即ち3.3′ −ジ
アミノベンゾフェノン。
化合物あるいはその混合物である:即ち3.3′ −ジ
アミノベンゾフェノン。
4.4′ −ジアミノベンゾフェノン。
4.4′−ジアミノジフェニルエーテル。
m−フェニレンジアミン。
p−フェニレンジアミン。
4.4′−ジアミノジフェニルプロパン。
4.4′−ジアミノジフェニルメタン。
ベンジジン。
4.4′−ジアミノジフェニルスルフィド。
4.4′−ジアミノジフェニルスルフォン。
1.5−ジアミノナフタリン。
3.3′−ジメチルベンジジン。
3.3′−ジメトキシベンジジン。
2.4−ジアミノトルエン。
2.6−ジアミノトルエン。
2.4−ビス(p−アミノ−t−ブチル)トルエン。
1.3−ジアミノ−4−イソプロピルベンゼン。
、 1,2−ビス(3−アミノプロポキシ)エタン。
m−キシリレンジアミン。
p−キシリレンジアミン。
ビス(4−アミノシクロへキシル)メタン。
デカメチレンジアミン。
3−メチルへブタメチレンジアミン。
4.4−ジメチルへブタメチレンジアミン。
2.11−ドデカンジアミン。
2.2−ジメチルプロピレンジナミン。
オクタメチレンジアミン。
3−メトキシヘキサメチレンジアミン。
2.5−メチルへキサメチレンジアミン。
2.5−ジメチルへブタメチレンジアミン。
3−メチルへブタメチレンジアミン。
5−メチルノナメチレンジアミン。
1.4−シクロヘキサンジアミン。
1.15−オクタデカンジアミン。
ビス(3−アミノプロピル)スルフィド。
N−メチル−ビス(3−アミノプロピル)アミン、
″ ヘキサメチレンジアミン。
″ ヘキサメチレンジアミン。
ヘプタメチレンジアミン。
ノナメチレンジアミン。
3.3′−ジアミノジフェニルエーテル。
3.4′−ジアミノジフェニルエーテル。
ビス−(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサ
ン、など。
ン、など。
本発明のポリイミドシロキサンは、150℃から350
℃までの温度範囲で、シロキサン酸無水物あるいはシロ
キサン酸無水物と有機酸二無水物の混合物および有機ジ
アミンの実質的に等モル量を不活性な有機溶剤の存在下
で反応させることにより合成することができる。
℃までの温度範囲で、シロキサン酸無水物あるいはシロ
キサン酸無水物と有機酸二無水物の混合物および有機ジ
アミンの実質的に等モル量を不活性な有機溶剤の存在下
で反応させることにより合成することができる。
用いることが出来る不活性溶剤は、例えばオルソジクロ
ロベンゼン、キシレン、および双極性非プロトン溶剤、
例えばジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトアミド
、N−メチルピロリドンである。nが1よりも大きい、
例えばnが約5から2000までの値を持つ場合の式(
2)・のシロキサン酸無水物は、nが1の場合の式(2
)のシロキサン酸二無水物をヘキサオルガノシクロトリ
シロキサンあ−るいはオクタオルガノシクロテトラシロ
キサンのようなシクロポリシロキサンと通常の平衡触媒
の存在下で平衡させることによって調製することができ
る。
ロベンゼン、キシレン、および双極性非プロトン溶剤、
例えばジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトアミド
、N−メチルピロリドンである。nが1よりも大きい、
例えばnが約5から2000までの値を持つ場合の式(
2)・のシロキサン酸無水物は、nが1の場合の式(2
)のシロキサン酸二無水物をヘキサオルガノシクロトリ
シロキサンあ−るいはオクタオルガノシクロテトラシロ
キサンのようなシクロポリシロキサンと通常の平衡触媒
の存在下で平衡させることによって調製することができ
る。
ポリイミドシロキサンのあるものはブロックポリマーで
あることができ、電気伝導体に対する絶縁材、接着剤、
成型材料、フィルム、被覆材、ラミネート、強靭なエラ
ストマー、および、ガラス繊維、炭素繊維、あるいはK
evlarポリアミドポリ凌合材の如きポリアラミド繊
維−のような腹合材に対するマトリックス材料、として
使うことができる。
あることができ、電気伝導体に対する絶縁材、接着剤、
成型材料、フィルム、被覆材、ラミネート、強靭なエラ
ストマー、および、ガラス繊維、炭素繊維、あるいはK
evlarポリアミドポリ凌合材の如きポリアラミド繊
維−のような腹合材に対するマトリックス材料、として
使うことができる。
該技術に熟達した者が、本発明を実施することが出歩る
ように、次の例は、例証として与えられるもので、制限
としてではない。すべての割合は重量で表示されている
。
ように、次の例は、例証として与えられるもので、制限
としてではない。すべての割合は重量で表示されている
。
例1
1.3−ビス−(4′−無水フタル酸)テトラメチルジ
シロキサン20.0g、メタ−フェニレンジアミン5.
1gおよびオルソ−ジクロロベンゼン71m1より成る
混合物を還流温度に加熱した。
シロキサン20.0g、メタ−フェニレンジアミン5.
1gおよびオルソ−ジクロロベンゼン71m1より成る
混合物を還流温度に加熱した。
その混合物を、共沸水を絶えず除去しながら2時間還流
した。物質が溶液から沈澱し始め、加熱を停止した。混
合物を冷却した後、メチレンクロライド100m1を加
え、発生すち均質な生成物を速い速度で撹拌されている
メタノール500m1の中に注入した。白い生成物が沈
澱した。その手順を繰り返し、更に生成物を得、生じた
生成物を真空で乾燥した。23.4g即ち原料の100
%収率を得た。製法によれば、生成物は式: の化学的に結合され、た単位より本質的に成るポリイミ
ド−シロキサンであった。GPCによる分析は、生成物
は約75000g1モルの分子量を持つことを示してい
る。そのポリイミド−シロキサンは、169℃のTgと
クロロホルムで0.76dL/ gのIVをもっている
。銅線を、そのポリマーの10%クロロホルム溶液に浸
漬しそれから空気乾燥すれば、価値ある絶縁被覆が銅線
の上に形成される。
した。物質が溶液から沈澱し始め、加熱を停止した。混
合物を冷却した後、メチレンクロライド100m1を加
え、発生すち均質な生成物を速い速度で撹拌されている
メタノール500m1の中に注入した。白い生成物が沈
澱した。その手順を繰り返し、更に生成物を得、生じた
生成物を真空で乾燥した。23.4g即ち原料の100
%収率を得た。製法によれば、生成物は式: の化学的に結合され、た単位より本質的に成るポリイミ
ド−シロキサンであった。GPCによる分析は、生成物
は約75000g1モルの分子量を持つことを示してい
る。そのポリイミド−シロキサンは、169℃のTgと
クロロホルムで0.76dL/ gのIVをもっている
。銅線を、そのポリマーの10%クロロホルム溶液に浸
漬しそれから空気乾燥すれば、価値ある絶縁被覆が銅線
の上に形成される。
例2
1.3−ビス(4′−無水フタル酸)テトラメチルジシ
ロキサン5gとオクタメチルシクロテトラシロキサン2
0.84gの混合物を、発煙硫酸0.5mlと濃硫酸1
.0mlを含むオルソジクロロベンゼン50m1中で1
8時間110℃に加熱した。
ロキサン5gとオクタメチルシクロテトラシロキサン2
0.84gの混合物を、発煙硫酸0.5mlと濃硫酸1
.0mlを含むオルソジクロロベンゼン50m1中で1
8時間110℃に加熱した。
その混合物を、室温に冷却しメチレンクロライド100
m1を加え、酸を中和するために過剰の重炭酸ナトリウ
ムを加えた。溶液を脱色用カーボンと共に濾過し、溶剤
を真空で除去した。それから、揮発性生成物を除去する
ため、生成物を高度の真空0.01)ルの下で80℃に
加熱した。透明な粘性油が得られ、それは末端ジメチル
シリコン酸無水物シロキシ単位で平均的16の化学的に
結合されたジメチルシロキシ単位をもつ、ポリジメチル
シロキサンであった。製法およびプロトンNMRとIR
分析により生成物は、次の式:%式% トルエン50m1、ビス(無水フタル酸)テトラメチル
ジシロキサン7g、オクタメチルシクロテトラシロキサ
ン29g−1およびフルオロメタン無水スルホン酸75
μg1水26μgの混合物を67℃に加熱した。48時
間後、生じた均質溶液を室温に冷却し、酸を無水酸化マ
グネジニウム300ngで中和した。メチレンクロライ
ド約100m1をその混合物に入れ、溶液を脱色用カー
ボンを用いて濾過した。真空で混合物の溶剤を除去し、
生成する粘性油を揮発性のシクロシロキサンを除去する
ため0.01)ル真空で80℃に加熱した。
m1を加え、酸を中和するために過剰の重炭酸ナトリウ
ムを加えた。溶液を脱色用カーボンと共に濾過し、溶剤
を真空で除去した。それから、揮発性生成物を除去する
ため、生成物を高度の真空0.01)ルの下で80℃に
加熱した。透明な粘性油が得られ、それは末端ジメチル
シリコン酸無水物シロキシ単位で平均的16の化学的に
結合されたジメチルシロキシ単位をもつ、ポリジメチル
シロキサンであった。製法およびプロトンNMRとIR
分析により生成物は、次の式:%式% トルエン50m1、ビス(無水フタル酸)テトラメチル
ジシロキサン7g、オクタメチルシクロテトラシロキサ
ン29g−1およびフルオロメタン無水スルホン酸75
μg1水26μgの混合物を67℃に加熱した。48時
間後、生じた均質溶液を室温に冷却し、酸を無水酸化マ
グネジニウム300ngで中和した。メチレンクロライ
ド約100m1をその混合物に入れ、溶液を脱色用カー
ボンを用いて濾過した。真空で混合物の溶剤を除去し、
生成する粘性油を揮発性のシクロシロキサンを除去する
ため0.01)ル真空で80℃に加熱した。
無水フタル酸の昇華は認められず、これは平衡が末端基
の切断なしに起こったことを示していた。
の切断なしに起こったことを示していた。
単離収率59%を示す21.4gの透明な粘性油を得た
。製法、プロロトンNMRおよび赤外分析より、生成物
は、平均27の化学的に結合されたジメチルシロキシ単
位と末端ジメチルシロキシ無水フタル酸シロキシ単位を
持つポリジメチルシロキサンであった。
。製法、プロロトンNMRおよび赤外分析より、生成物
は、平均27の化学的に結合されたジメチルシロキシ単
位と末端ジメチルシロキシ無水フタル酸シロキシ単位を
持つポリジメチルシロキサンであった。
上記の平衡させられたシロキサン酸二無水物5g、1.
3−ビス(4′−無水フタル酸)テトラメチルジシロキ
サン4gおよびメタフェニレンジアミン1.24gの混
合物を触媒的量の4−ジメチルアミノピリジンの存在下
でオルソジクロロベンゼン30m1中で還流まで加熱し
た。反応中、水が生成され、それは2時間の加熱中は、
絶えず除去された。冷却後、沈澱物を再び溶かすため、
メチレンクロライド75m1を混合物に追加した。混合
物を、それからメタノールの中に注ぎ、生成物を二度沈
澱させ、分離し乾燥した。2gの生成物が得られ、クロ
ロホルム10m1に溶かした。型に流し込むと、10■
11の透明な熱可塑性エラストマーフィルムを得た。製
法より、生成物は式:(式中rとSは以前に定義された
nの定義の範囲内で正の整数である)の化学的に結合さ
れた単位より本質的に成るポリイミド−シロキサンであ
った。GPC分析は、そのポリアミド−シロキサンは、
約173000g1モルの分子量とクロロホルム中1.
2dL/gのIVをもつことを確証した。
3−ビス(4′−無水フタル酸)テトラメチルジシロキ
サン4gおよびメタフェニレンジアミン1.24gの混
合物を触媒的量の4−ジメチルアミノピリジンの存在下
でオルソジクロロベンゼン30m1中で還流まで加熱し
た。反応中、水が生成され、それは2時間の加熱中は、
絶えず除去された。冷却後、沈澱物を再び溶かすため、
メチレンクロライド75m1を混合物に追加した。混合
物を、それからメタノールの中に注ぎ、生成物を二度沈
澱させ、分離し乾燥した。2gの生成物が得られ、クロ
ロホルム10m1に溶かした。型に流し込むと、10■
11の透明な熱可塑性エラストマーフィルムを得た。製
法より、生成物は式:(式中rとSは以前に定義された
nの定義の範囲内で正の整数である)の化学的に結合さ
れた単位より本質的に成るポリイミド−シロキサンであ
った。GPC分析は、そのポリアミド−シロキサンは、
約173000g1モルの分子量とクロロホルム中1.
2dL/gのIVをもつことを確証した。
そのポリイミドシロキサンは容易に銅線の上に押し出す
ことが出来ることおよび価値ある絶縁および誘電特性を
示すことが見い出された。
ことが出来ることおよび価値ある絶縁および誘電特性を
示すことが見い出された。
例 4
例3に述べた平衡させられたシロキサン酸二無水物5「
、ベンゾフェノン酸二無水物1.7gおよびm−フェニ
レンジアミン1.24gの混合物を触媒的量の4−ジメ
チルアミノピリジンの存在下で0−ジクロロベンゼン3
0m1中で還流まで加熱した。反応中、水が生成され、
それは2時間の加熱中は、絶えず除去された。例3に述
べたのに似た方法で生成物を分離した。製法により、生
成物は式: (式中tとUは、例3で「とSに定義された通りである
)の化学的に結合された単位より本質的に成るポリイミ
ド−シロキサンであった。
、ベンゾフェノン酸二無水物1.7gおよびm−フェニ
レンジアミン1.24gの混合物を触媒的量の4−ジメ
チルアミノピリジンの存在下で0−ジクロロベンゼン3
0m1中で還流まで加熱した。反応中、水が生成され、
それは2時間の加熱中は、絶えず除去された。例3に述
べたのに似た方法で生成物を分離した。製法により、生
成物は式: (式中tとUは、例3で「とSに定義された通りである
)の化学的に結合された単位より本質的に成るポリイミ
ド−シロキサンであった。
例5
4−ジクロロメチルシリル無水フタル酸0. 5gを含
むメチレンクロライド溶液25m1に、5倍モル過剰の
水を加えた。乾燥し、真空中で溶剤を除去した後、NM
R分析とIR分析が示すところによれば、式1の範囲内
の、ペンダントのシリル無水フタル酸基をもつメチルシ
ロキサンの定量的収穫を得た。そのメチルシロキサンを
、末端ジメチルシロキシ無水フタル酸単位と平均27の
化学的に結合されたジメチルシロキシ単位をもつポリジ
メチルシロキサンの液体5gに加えた。その混合物をト
ルエン50m1に溶かしてから、濃硫酸2滴を加えた。
むメチレンクロライド溶液25m1に、5倍モル過剰の
水を加えた。乾燥し、真空中で溶剤を除去した後、NM
R分析とIR分析が示すところによれば、式1の範囲内
の、ペンダントのシリル無水フタル酸基をもつメチルシ
ロキサンの定量的収穫を得た。そのメチルシロキサンを
、末端ジメチルシロキシ無水フタル酸単位と平均27の
化学的に結合されたジメチルシロキシ単位をもつポリジ
メチルシロキサンの液体5gに加えた。その混合物をト
ルエン50m1に溶かしてから、濃硫酸2滴を加えた。
その溶液を80℃で4時間加熱した。
冷却した後、メチレンクロライド50m1を加え、溶液
を重炭酸ナトリウムで中和し、乾燥してから、溶剤を真
空で除去した。その結果生じたシリコーン液体にm−フ
ェニレンジアミン0.5mgを加え、その混合物を水を
除去するために加熱した。その結果生じた架橋したポリ
マーは、価値ある絶縁および誘電特性を持った強靭なゴ
ムであった。
を重炭酸ナトリウムで中和し、乾燥してから、溶剤を真
空で除去した。その結果生じたシリコーン液体にm−フ
ェニレンジアミン0.5mgを加え、その混合物を水を
除去するために加熱した。その結果生じた架橋したポリ
マーは、価値ある絶縁および誘電特性を持った強靭なゴ
ムであった。
例6
例5の4−無水フタル酸−メチルシロキサン3゜0g、
オクタメチルシクロテトラシロキサン3゜0gおよび連
鎖停止剤としてのヘキサメチルジシロキサン6mgを含
む50m1のトルエン溶液を75℃に加熱した。触媒的
量のNation酸性樹脂を加え15時間75℃に加熱
した。
オクタメチルシクロテトラシロキサン3゜0gおよび連
鎖停止剤としてのヘキサメチルジシロキサン6mgを含
む50m1のトルエン溶液を75℃に加熱した。触媒的
量のNation酸性樹脂を加え15時間75℃に加熱
した。
触媒を枦取しトルエン溶剤を真空で除去すると、ジメチ
ルシロキシおよび4−無水フタル酸メチルシロキシ単位
を含むトリメチルシロキシ末端コポリマーを得た。NM
Rおよび赤外分析は、そのコポリマー構造と一致してい
た。そのポリマーは、ガンマアミノプロピルテトラメチ
ルジシロキサンのようなポリアミンで容易に架橋し、強
靭な架橋したシリコーンエラストマーを形成した。
ルシロキシおよび4−無水フタル酸メチルシロキシ単位
を含むトリメチルシロキシ末端コポリマーを得た。NM
Rおよび赤外分析は、そのコポリマー構造と一致してい
た。そのポリマーは、ガンマアミノプロピルテトラメチ
ルジシロキサンのようなポリアミンで容易に架橋し、強
靭な架橋したシリコーンエラストマーを形成した。
例 7
ヘキサクロロジシラン30g(0,11モル)と無水ト
リメリット酸塩化物23g(0,11モル)の混合物を
シリカゲル上の1モルのバラジュウム(11)の存在下
で窒素雰囲気中145℃で反応させる。−酸化炭素の発
生があり、テトラクロロシランを発生し次第絶えず除去
する。その結果の混合物を真空蒸留すると、4−トリク
ロロシリル無水フタル酸を与えることがわかる。その4
−トリクロロシリル無水フタル酸を加水分解すると、式
: をもつ架橋した樹脂を与える。
リメリット酸塩化物23g(0,11モル)の混合物を
シリカゲル上の1モルのバラジュウム(11)の存在下
で窒素雰囲気中145℃で反応させる。−酸化炭素の発
生があり、テトラクロロシランを発生し次第絶えず除去
する。その結果の混合物を真空蒸留すると、4−トリク
ロロシリル無水フタル酸を与えることがわかる。その4
−トリクロロシリル無水フタル酸を加水分解すると、式
: をもつ架橋した樹脂を与える。
4−トリクロロシリル無水フタル酸とジメチルジクロロ
シランの混合物を水中で共加水分解すると、シリコーン
の液体を形成する。そのシリコーン液体は本質的に、ジ
メチルシロキシ単位と化学的に結合されたシロキシ無水
フタル酸単位の化学、的結合で成る。硬化したポリイミ
ド−シロキサンは、そのシリコーン液体をγ−アミノプ
ロピルテトラメチルジシロキサンと相互縮合することに
より形成される。
シランの混合物を水中で共加水分解すると、シリコーン
の液体を形成する。そのシリコーン液体は本質的に、ジ
メチルシロキシ単位と化学的に結合されたシロキシ無水
フタル酸単位の化学、的結合で成る。硬化したポリイミ
ド−シロキサンは、そのシリコーン液体をγ−アミノプ
ロピルテトラメチルジシロキサンと相互縮合することに
より形成される。
例8
シロキサンイミドの熱安定性とシリコンへのブライマー
がない場合の付着性を測定するため、各種の有機酸二無
水物、シロキサン酸二無水物とその混合物、および、各
種の芳香族有機ジアミン、シロキサンジアミンとその混
合物とから、一連のポリイミドシロキサンを調製した。
がない場合の付着性を測定するため、各種の有機酸二無
水物、シロキサン酸二無水物とその混合物、および、各
種の芳香族有機ジアミン、シロキサンジアミンとその混
合物とから、一連のポリイミドシロキサンを調製した。
イミドシロキサンを調製するのに使用した酸二無水物は
、ピロメリット酸二無水物(PMDA) 、オキシ−ビ
ス(4−無水フタル酸)(ODAN) 、1.2−ビス
(4−無水フタル酸) −1,1,2,2−テトラメチ
ルジシロキサン(PADS)および2,2−ビス(4−
)3.4−ジカルボキシフェノキシフェニル〔プロパン
酸二無水物)(BPADA)である。イミドシロキサン
の調製に使用された芳香族有機ジアミンは、4,4′オ
キシジアニリン(ODA) 、メチレンジアニリン(M
DA) 、および平均8の化学的に結合されたポリジメ
チルシロキシ単位と末端γ−アミノプロピルジメチルシ
ロキシ単位(GAP)をもつポリジメチルシロキサンで
あった。−トルエンジアミン(TDA)と09 GAP
(9の化学的に結合されたジメチルシロキシ単位を持
つアミノプロピル−末端ポリジメチルシロキサン)もま
た有機ジアミン源として使用することが出来た。イミド
シロキサンは、15−30重量%の固形分濃度をもつ溶
液を提供するため、窒素雰囲気下で、等モル量の酸二無
水物とジアミンを十分なジメチルアセトアミドあるいは
N−メチルピロリドンと共に撹拌することによって調製
された。結果として生じたポリアミド酸は、室温で少な
くとも2−3時間撹拌した。
、ピロメリット酸二無水物(PMDA) 、オキシ−ビ
ス(4−無水フタル酸)(ODAN) 、1.2−ビス
(4−無水フタル酸) −1,1,2,2−テトラメチ
ルジシロキサン(PADS)および2,2−ビス(4−
)3.4−ジカルボキシフェノキシフェニル〔プロパン
酸二無水物)(BPADA)である。イミドシロキサン
の調製に使用された芳香族有機ジアミンは、4,4′オ
キシジアニリン(ODA) 、メチレンジアニリン(M
DA) 、および平均8の化学的に結合されたポリジメ
チルシロキシ単位と末端γ−アミノプロピルジメチルシ
ロキシ単位(GAP)をもつポリジメチルシロキサンで
あった。−トルエンジアミン(TDA)と09 GAP
(9の化学的に結合されたジメチルシロキシ単位を持
つアミノプロピル−末端ポリジメチルシロキサン)もま
た有機ジアミン源として使用することが出来た。イミド
シロキサンは、15−30重量%の固形分濃度をもつ溶
液を提供するため、窒素雰囲気下で、等モル量の酸二無
水物とジアミンを十分なジメチルアセトアミドあるいは
N−メチルピロリドンと共に撹拌することによって調製
された。結果として生じたポリアミド酸は、室温で少な
くとも2−3時間撹拌した。
熱安定性を測定する時には、ポリアミド酸溶液をPyr
oxガラス板の上に流した。その結果出来るフィルムを
70℃で12時間、窒素を絞り出しながら不完全真空下
で加熱した。それから、そのフィルムを窒素雰囲気下で
ホットプレートの上で、100℃2時間、150℃2時
間、200℃165時間、300℃1時間、および45
0℃30分の加熱をした。熱安定性は、ガラス板からそ
ぎ取ったポリイミドフィルムの450℃−30分加熱後
の初めの重さから二度目の450℃−30分加熱後の終
わりの重さへの重量減少パーセントを計算することによ
り測定した。
oxガラス板の上に流した。その結果出来るフィルムを
70℃で12時間、窒素を絞り出しながら不完全真空下
で加熱した。それから、そのフィルムを窒素雰囲気下で
ホットプレートの上で、100℃2時間、150℃2時
間、200℃165時間、300℃1時間、および45
0℃30分の加熱をした。熱安定性は、ガラス板からそ
ぎ取ったポリイミドフィルムの450℃−30分加熱後
の初めの重さから二度目の450℃−30分加熱後の終
わりの重さへの重量減少パーセントを計算することによ
り測定した。
イミドシロキサンの接着性は、1−1/2mlのアミド
−酸溶液を0.5ミクロンのフィルターを通して枦遇す
ることにより測定した。この濾過した溶液を、清浄な直
径4インチのシリコンウェーファーに塗布する際、その
処理されたウェーファーは5000rp−で25秒間回
転させられそれから、100℃−夜、250℃2時間、
300℃1時間、の加熱をした。硬化したウェーファー
に1×1ミリ格子の刻みをつけた。用いられた接着性テ
ストは、刻み目をつけたウェーファー表面から3M71
0テープを90”の角度で急速に剥がすやり方であった
。そのテストに不合格と言うのは、処理された四角形群
あるいはその一部がテープで除去されることを意味した
。次の結果が得られた:以下余白 上記の結果は、式(7)の(PADS)シロキサン酸二
無水物、あるいはそれと他の有機酸二無水物との混合物
を用いる本発明のやり方に従って調製されたイミドシロ
キサンは、このようなシロキサン酸二無水物を含まない
イミドシロキサンに比べて、大きく改良された熱安定性
とブライマーなしの接着性の両方を与えることを示して
いる。
−酸溶液を0.5ミクロンのフィルターを通して枦遇す
ることにより測定した。この濾過した溶液を、清浄な直
径4インチのシリコンウェーファーに塗布する際、その
処理されたウェーファーは5000rp−で25秒間回
転させられそれから、100℃−夜、250℃2時間、
300℃1時間、の加熱をした。硬化したウェーファー
に1×1ミリ格子の刻みをつけた。用いられた接着性テ
ストは、刻み目をつけたウェーファー表面から3M71
0テープを90”の角度で急速に剥がすやり方であった
。そのテストに不合格と言うのは、処理された四角形群
あるいはその一部がテープで除去されることを意味した
。次の結果が得られた:以下余白 上記の結果は、式(7)の(PADS)シロキサン酸二
無水物、あるいはそれと他の有機酸二無水物との混合物
を用いる本発明のやり方に従って調製されたイミドシロ
キサンは、このようなシロキサン酸二無水物を含まない
イミドシロキサンに比べて、大きく改良された熱安定性
とブライマーなしの接着性の両方を与えることを示して
いる。
上記の例は、本発明のポリイミド−シロキサンを調製す
るに当たり用いることが出来る極めて多くの変形のほん
の少しのものに向けられたに過ぎないが、本発明はこれ
らの例に先立つ記述で示されたようなシロキサン酸無水
物と有機ジアミンの間の反応を行うことにより調製する
ことが出来るポリイミド−シロキサンの遥かに広範囲の
多様性に向けられているということを理解されるべきで
ある。
るに当たり用いることが出来る極めて多くの変形のほん
の少しのものに向けられたに過ぎないが、本発明はこれ
らの例に先立つ記述で示されたようなシロキサン酸無水
物と有機ジアミンの間の反応を行うことにより調製する
ことが出来るポリイミド−シロキサンの遥かに広範囲の
多様性に向けられているということを理解されるべきで
ある。
図面は本発明に従って製造された電子装置を示す図。
20.30:半導体材料、
22、P−N接合、
28;絶縁被覆、
38;誘電体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (A)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ の化学的に結合された単位をもつシロキサン酸無水物、
あるいはそのようなシロキサン酸無水物単位と式: (R)_bSiO_(_4_−_b_/_2_)のシロ
キサン単位との化学的に結合された混合物、および (B)式: NH_2R^2NH_2 の有機ジアミン(式中RはC_(_1_−_1_4_)
の一価の炭化水素基あるいは、相互縮合中に中性である
同一あるいは異なった基で置換されたC_(_1_−_
1_4_)の一価の炭化水素基であり、R^1はC_(
_6_−_1_4_)の三価の芳香族有機基であり、R
^2はC_(_2_−_1_4_)の二価の有機基であ
り、aは0から2までの整数、そしてbは0から3まで
の整数である)の相互縮合反応の生成物より成る反復す
る化学的に結合されたイミドシロキサン基を持つポリイ
ミド−シロキサン。 2 式: ▲数式、化学式、表等があります▼ その混合基、およびそのような基と式: ▲数式、化学式、表等があります▼ のイミド基との混合基(式中RはC_(_1_−_1_
4_)の一価の炭化水素基および相互縮合中に中性であ
る基で置換されたC_(_1_−_1_4_)の一価の
炭化水素基より成る群から選択され、R^1はC_(_
6_−_1_4_)の三価の芳香族有機基であり、R^
2はC_(_2_−_1_4_)の二価の有機基であり
、R^3は四価のC_(_6_−_1_4_)の芳香族
有機基であり、そしてnは1から約2000までの整数
である)より成る群より選択される反復する基から成る
ポリイミド−シロキサン。 3 式: ▲数式、化学式、表等があります▼ の化学的に結合されたシロキサン−イミド反復基、ある
いはそのようなシロキサンイミド基の5から95重量%
(混合重量に基づいて)と式: ▲数式、化学式、表等があります▼ のイミド基の95から5重量%(混合重量に基づいて)
の混合基(式中RはC_(_1_−_1_4_)の一価
の炭化水素基あるいは置換されたC_(_1_−_1_
4_)の一価の炭化水素基で、R^1はC_(_6_−
_1_4_)の三価の芳香族有機基であり、R^2はC
_(_2_−_1_3_)の二価の有機基であり、R^
3は四価のC_(_6_−_1_3_)の芳香族有機基
であり、cは1から200までの整数であり、mは1か
ら約3までの整数である)より成る請求項2記載のポリ
イミド−シロキサン。 4 式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中RはC_(_1_−_1_4_)の一価の炭化水
素基あるいは、相互縮合中に中性である同一あるいは異
なった基で置換されたC_(_1_−_1_4_)の一
価の炭化水素基である)のシロキサン酸無水物の反応に
よる相互縮合反応生成物より成る請求項1記載のポリイ
ミド−シロキサン。 5 式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中RはC_(_1_−_1_4_)の一価の炭化水
素基あるいは相互縮合中に中性である同じ又は異なった
基で置換されたC_(_1_−_1_4_)の一価の炭
化水素基で、R^1はC_(_6_−_1_4_)の三
価の芳香族有機基であり、R^2はC_(_2_−_1
_4_)の二価の有機基である)の化学的に結合された
基より成る請求項2記載のポリイミド−シロキサン。 6 Rがメチル、R^1が ▲数式、化学式、表等があります▼ そしてR^2が ▲数式、化学式、表等があります▼ である請求項1記載のポリイミド−シロキサン。 7 ガラス繊維、炭素繊維あるいはポリアラミド繊維お
よび請求項3記載のポリイミド−シロキサンから成る複
合材。 8 請求項3記載のポリイミド−シロキサンから成るフ
ィルム。 9 下記式(式中rとsは正の整数である)のポリイミ
ド−シロキサン。 式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 10 下記式(式中tとuは正の整数である)のポリイ
ミド−シロキサン。 式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 11 ポリイミド−シロキサンの製法において、(1)
不活性な有機溶剤の存在下で150−350℃の温度範
囲で、 (A)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ の化学的に結合された単位より成るシロキサン酸無水物
、あるいは、そのようなシロキサン酸無水物単位と化学
的に結合された式: (R)_bSiO_(_4_−_b_/_2_)のシロ
キサン単位との混合物、および (B)式: NH_2R^2NH_2 の有機ジアミンの間の反応を行い、 (2)ポリイミド−シロキサンを(1)の混合物から回
収する(式中RはC_(_1_−_1_4_)の一価の
炭化水素基あるいは相互縮合中に中性である同じ又は異
なった基で置換されたC_(_1_−_1_4_)の一
価の炭化水素基で、R^1はC_(_6_−_1_4_
)の三価の芳香族有機基であり、R^2はC_(_2_
−_1_4_)の二価の有機基であり、aは0から2ま
での整数であり、そしてbは0から3までの整数である
)ことより成る方法。 12 シロキサン酸無水物が、1,3−ビス(3,4−
ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン酸二無水物である請求項11記載の方法
。 13 シロキサン酸無水物と芳香族有機酸二無水物より
成る混合物および有機ジアミンの間で反応が行われる請
求項11記載のポリイミド−シロキサンの方法。 14 ポリイミド−シロキサンの製法において、(1)
温度150−350℃で、双極性の非プロトン溶剤の存
在下で、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル
)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンと芳香
族有機酸二無水物の混合物および4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテルの間で反応を行い、そして (2)ポリイミド−シロキサンを(1)の混合物より回
収することより成る方法。 15 芳香族有機酸二無水物がピロメリット酸二無水物
である請求項14記載の方法。 16 芳香族有機酸二無水物がオキシ−ビス(4−無水
フタル酸)である請求項14記載の方法。 17 (A)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ の化学的に結合された単位をもつシロキサン酸無水物、
あるいは、そのようなシロキサン酸無水物単位と式: (R)_bSiO_(_4_−_b_/_2_)のシロ
キサン単位との化学的に結合された混合物(B)式: NH_2R^2NH_2 の有機ジアミン(式中RはC_(_1_−_1_4_)
の一価の炭化水素基あるいは、相互縮合中に中性である
同じ又は異なった基で置換されたC_(_1_−_1_
4_)の一価の炭化水素基で、R^1はC_(_6_−
_1_4_)の三価の芳香族有機基であり、R^2はC
_(_2_−_1_4_)の二価の有機基であり、aは
0から2までの整数であり、そしてbは0から3までの
整数である)の相互縮合反応生成物より成る反復する化
学的に結合されたイミドシロキサン基をもつポリイミド
−シロキサンの層を有する半導体装置。 18 化学的に結合された式: ▲数式、化学式、表等があります▼ のシロキサンイミド反復基、あるいはこのようなシロキ
サンイミド基と式: ▲数式、化学式、表等があります▼ のイミド基との混合基(式中RはC_(_1_−_1_
4_)の一価の炭化水素基あるいは置換されたC_(_
1_−_1_4_)の一価の炭化水素基で、R^1はC
_(_6_−_1_4_)の三価の芳香族有機基であり
、R^2はC_(_2_−_1_3_)の二価の有機基
であり、R^3は四価のC_(_6_−_1_3_)の
芳香族有機基であり、aは1から200までの整数であ
り、mは1から約3までの整数である)から成るポリイ
ミド−シロキサンを誘電体層としてもつ半導体装置。 19 ポリイミド−シロキサン層が1,3−ビス(3、
4−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサン酸二無水物と4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテルの相互縮合反応生成物から成る請求項
17記載の半導体装置。 20 1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン酸二無水
物とオキシ−ビス(4−無水フタル酸)の混合物および
4,4′−ジアミノジフェニルエーテルの相互縮合より
由来する請求項18記載の半導体装置。 21 1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン酸二無水
物とピロメリット酸二無水物の混合物およびパラフェニ
レンジアミンとメタフェニレンジアミンの混合物の相互
縮合生成物より由来する請求項18記載の半導体装置。 22 1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン酸二無水
物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物とパラフェ
ニレンジアミンとメタフェニレンジアミンの混合物の相
互縮合生成物より由来する請求項18記載の半導体装置
。 23 1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン酸二無水
物、オキシ−ビス(4−無水フタル酸)およびパラフェ
ニレンジアミンとメタフェニレンジアミンの混合物の相
互縮合生成物より由来する請求項18記載の半導体装置
。 24 ポリイミド層と金属層および (A)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ の化学的に結合された単位をもつシロキサン酸無水物、
あるいは、そのようなシロキサン酸無水物単位と式: (R_)bSiO_(_4_−_b_/_2_)のシロ
キサン単位との化学的に結合させられた混合物、および (B)式: NH_2R^2NH_2 の有機ジアミン(式中RはC_(_1_−_1_4_)
の一価の炭化水素基あるいは、相互縮合中に中性である
同一あるいは異なった基で置換されたC_(_1_−_
1_4_)の一価の炭化水素基であり、R^1はC_(
_6_−_1_4_)の三価の芳香族有機基であり、R
^2はC_(_2_−_1_4_)の二価の有機基であ
り、aは0から2までの整数、そしてbは0から3まで
の整数である)の相互縮合反応生成物より成るポリイミ
ドシロキサンの中間層から成る複合材。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/011,185 US4795680A (en) | 1986-05-09 | 1987-02-05 | Polyimide-siloxanes, method of making and use |
US011,185 | 1987-02-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63234031A true JPS63234031A (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=21749225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63024107A Pending JPS63234031A (ja) | 1987-02-05 | 1988-02-05 | ポリイミド−シロキサン、製法と用途 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4795680A (ja) |
JP (1) | JPS63234031A (ja) |
KR (1) | KR960015451B1 (ja) |
DE (1) | DE3803088A1 (ja) |
FR (1) | FR2610634B1 (ja) |
GB (1) | GB2200647A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH0598234A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能なフイルム状接着剤 |
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JPH05117622A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な高熱伝導性フイルム状接着剤 |
JPH05117597A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な高熱伝導性フイルム状接着剤 |
JPH05117599A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な高熱伝導性フイルム状接着剤 |
JPH05125336A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な導電性フイルム状接着剤 |
JPH05125335A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な導電性フイルム状接着剤 |
JPH05125334A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱圧着可能な導電性フイルム状接着剤 |
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USRE34431E (en) * | 1986-07-21 | 1993-11-02 | General Electric Company | Macrocyclic oligomers containing spiro(bis)indane moieties |
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US4950727A (en) * | 1988-01-20 | 1990-08-21 | General Electric Company | Spiro(bis)indane polyamide and polyimide copolysiloxanes and method of preparation |
US5243009A (en) * | 1989-03-06 | 1993-09-07 | General Electric Company | Hydroxyarylestersiloxanes |
US5141817A (en) * | 1989-06-13 | 1992-08-25 | International Business Machines Corporation | Dielectric structures having embedded gap filling RIE etch stop polymeric materials of high thermal stability |
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US5032279A (en) * | 1989-09-21 | 1991-07-16 | Occidental Chemical Corporation | Separation of fluids using polyimidesiloxane membrane |
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FR2610634A1 (fr) | 1988-08-12 |
FR2610634B1 (fr) | 1994-07-29 |
GB8720411D0 (en) | 1987-10-07 |
DE3803088A1 (de) | 1988-08-18 |
KR960015451B1 (ko) | 1996-11-14 |
GB2200647A (en) | 1988-08-10 |
US4795680A (en) | 1989-01-03 |
KR880010024A (ko) | 1988-10-06 |
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