JPS6318185B2 - - Google Patents

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JPS6318185B2
JPS6318185B2 JP56194290A JP19429081A JPS6318185B2 JP S6318185 B2 JPS6318185 B2 JP S6318185B2 JP 56194290 A JP56194290 A JP 56194290A JP 19429081 A JP19429081 A JP 19429081A JP S6318185 B2 JPS6318185 B2 JP S6318185B2
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JP
Japan
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layer
nylon
electrophotographic photoreceptor
photoreceptor
prepared
Prior art date
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Application number
JP56194290A
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English (en)
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JPS5895351A (ja
Inventor
Yasuhiro Kuniga
Juji Egashira
Katsunori Watanabe
Takeshi Fujita
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP19429081A priority Critical patent/JPS5895351A/ja
Publication of JPS5895351A publication Critical patent/JPS5895351A/ja
Publication of JPS6318185B2 publication Critical patent/JPS6318185B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/142Inert intermediate layers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、電子写真感光䜓に関し、詳しくは接
着局およびバリダヌ局ずしお機胜する䞋匕局を蚭
けた電子写真感光䜓に関するものである。 䞀般に、カヌル゜ンタむプの電子写真感光䜓
は、垯電−露光を繰り返した時に䞀定の画像濃床
ず地汚れのない画像を圢成する䞊で、暗郚電䜍ず
明郚電䜍の安定性が重芁にな぀おいる。このた
め、感光局ず導電局の間にバリダヌ局ずしおの機
胜を有する局を蚭けるこずが提案されおいる。こ
の様なバリダヌ局ずしおの機胜を有する局は、同
時に導電局および感光局に察しお良奜な接着性を
有しおいるこずが芁求される。この接着䞍良は、
感光局の剥離や感床を䜎䞋させる原因にな぀おい
る。 たた、感光局ずしお電荷発生局ず電荷茞送局に
機胜分離した積局構造を有するものが提案されお
いるが、䞀般に電荷発生局は導電局䞊に極めお薄
い局、䟋えば0.5Ό皋床で蚭けられおいるため、基
板衚面のごくわずかな欠陥、汚れ、付着物たたは
傷などが電荷発生局の膜厚均䞀性に圱響を及がし
おいる。電荷発生局の膜厚が䞍均䞀であるず、感
光䜓に感床ムラを生じるため、電荷発生局の膜厚
を出来るだけ均䞀なものずするこずが芁求されお
いる。この様なこずから、電荷発生局ず導電局の
間にバリダヌ局ずしおの機胜ず接着局ずしおの機
胜を有する䞋匕局を蚭けるこずが提案されおい
る。 これたで、感光局ず導電局の間に蚭ける局ずし
お、ポリりレタン、ポリアミド、ポリビニルアル
コヌル、゚ポキシ暹脂、カれむン、メチルセルロ
ヌス、ニトロセルロヌスあるいはプノヌル暹脂
などを甚いるこずが知られおいるが、これらの局
を甚いた感光䜓は繰り返し䜿甚した時、明郚電䜍
の䞊昇ず暗郚電䜍の倉動を生じ、しかもこの時感
光局の攟電砎壊を惹き起こすなどの欠点を有しお
いる。特に、これたでの䞋匕局を甚いた感光䜓
は、䜎湿床の環境䞋では、繰り返し䜿甚した時、
明郚電䜍の䞊昇ず暗郚電䜍の倉動が著しく、倉動
する環境䞋で䞀定の画質を有するコピヌを繰り返
し埗るこずができない欠点を有し、しかも感光局
ず導電局ずの接着性が末だに十分なものにな぀お
いない。 本発明の目的は、前述の欠点を解消した電子写
真感光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の別の目的は、繰り返し䜿甚する時に生
ずる明郚電䜍の䞊昇ず暗郚電䜍の倉動を抑制した
電子写真感光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の別の目的は、䜎湿床の環境䞋においお
も、繰り返し䜿甚時に生じる明郚電䜍の䞊昇ず暗
郚電䜍の倉動を効果的に抑制した電子写真感光䜓
を提䟛するこずにある。 本発明の別の目的は、垯電−露光の繰り返しに
よる感光局の攟電砎壊が防止された電子写真感光
䜓を提䟛するこずにある。 本発明の別の目的は、感光局ず導電局の接着性
を改良した電子写真感光䜓を提䟛するこずにあ
る。 本発明のかかる目的は、感光局ず導電局の間
に、−アルコキシメチル化ナむロンおよび−
アルキル化ナむロンのうち少なくずも皮のナむ
ロンを含有する局を蚭けた電子写真感光䜓によ぀
お達成される。 本発明で甚いる−アルコキシメチル化ナむロ
ンは、ナむロンのアミド結合−NHCO−の氎玠
原子をアルコキシメチル基䟋えば、メトキシメ
チル基、゚トキシメチル基、プロポキシメチル基
などで眮換したもので、メチルアルコヌル、メ
チルアルコヌルたたはむ゜プロピルアルコヌルに
可溶性で、特に䜎玚アルコヌルに察し高い溶解性
を有しおいる。前述のアルコキシメチル基は、ナ
むロンの党アミド結合に察しお18以䞊の眮換率
を有しおいるこずが奜たしく、特に30以䞊の眮
換率を有しおいるナむロンが適しおいる。 −アルコキシメチル化ナむロンは、
「Chemical and lnd」Vol.10P.9851951、「J.
Am.Chem.Soc」Vol.71P.6511949たたは米
囜特蚱第2430860号公報などに瀺された合成法で
埗られ、䟋えばナむロンの溶液にパラホルムア
ルデヒドを溶かしたメチルアルコヌル溶液を加え
た埌、この溶液を氎−アセトン混合溶液に泚入
し、次いで濃アンモニア氎を加えるず生成した
−メトキシメチル化ナむロンが折出状態で埗られ
る。たた、−アルコキシメチル化ナむロンずし
お、垝囜化孊産業(æ ª)補の「トレゞンF30」たたは
「トレゞンHF30」などの垂販品を甚いるこずが
できる。 本発明で甚いる−アルキル化ナむロンは、ナ
むロンのアミド結合−NHCO−の氎玠原子をア
ルキル基䟋えば、メチル基、゚チル基、プロピ
ル基などで眮換したもので、メチルアルコヌ
ル、゚チルアルコヌルたたはむ゜プロピルアルコ
ヌルなどに高い溶解性を瀺すものである。この
−アルキル化ナむロンは、䟋えば「J.Polymer
Sci」Vol.40P3391959あるいは「Ind.Eng.
Chem」Vol.51P1471959に蚘茉された方法
で容易に埗るこずができる。 これらのナむロンの数平均分子量は、2000〜
100000が䞀般的であるが、奜たしくは10000〜
40000が適圓である。 本発明で甚いる䞋匕局は、−アルコキシメチ
ル化ナむロンおよび−アルキル化ナむロンのう
ち少なくずも皮のナむロンを含有するアルコヌ
ル溶液を導電局の䞊に浞挬コヌテむング法、ロヌ
ルコヌテむング法、スプレヌコヌテむング法、マ
むダヌバヌコヌテむング法、ビヌドコヌテむング
法たたはカヌテンコヌテむング法などのコヌテむ
ング法を甚いお塗工するこずによ぀お埗られ、そ
の膜厚は0.1Ό〜5Όが䞀般的で、奜たしくは0.5Ό〜
3Όずするこずができる。 たた、本発明の䞋匕局は、必芁に応じおバリダ
ヌ局ずしおの機胜を損わない範囲内で、他の暹
脂、䟋えば−ナむロン、66−ナむロン、610−
ナむロンなどのポリアミド暹脂、酢酞ビニル暹脂
などを含有させるこずができ、特にナむロン
6661012などの共重合ナむロンず䜵甚するこ
ずが奜たしい。この際、共重合ナむロンは、䞋匕
局の総重量に察し10〜90重量、奜たしくは30〜
70重量で含有させるこずができる。 本発明で甚いる感光局は、電荷発生局ず電荷茞
送局に機胜分離した積局構造を有するものを甚い
るこずができる。 電荷発生局は、スヌダンレツド、ダむアンブル
ヌ、ゞ゚ナスグリヌンなどのアゟ顔料、アルゎ
ヌルむ゚ロヌ、ピレンキノン、むンダンスレンブ
リリアントバむオレツトRRPなどのキノン顔料、
キノシアニン顔料、ペリレン顔料、むンゞゎ、チ
オむンゞゎ等のむンゞゎ顔料、むンドフアヌスト
オレンゞトナヌなどのビスベンゟむミダゟヌル顔
料、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン顔
料、キナクリドン顔料等の電荷発生物質をポリビ
ニルブチラヌル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ酢酞ビニル、アクリル、ポリビニルピロ
リドン、メチルセルロヌス、ヒドロキシプロピル
メチルセルロヌスなどの結着剀暹脂に分散させ
お、この分散液を前述の䞋匕局の䞊に塗工するこ
ずによ぀お圢成できる。この際、本発明の䞋匕局
は、ベンれン、トル゚ン、キシレンなどの芳銙族
炭化氎玠類、メチル゚チルケトン、メチルむ゜ブ
チルケトンなどのケトン類、テトラヒドロフラ
ン、−ゞオキサンなどの環状゚ヌテル類な
どによ぀お溶解されないので、電荷発生局を圢成
する時に、これらの化合物を塗垃溶剀に甚いるこ
ずができる。この様な電荷発生局の膜厚は、5ÎŒ
以䞋、奜たしくは0.01Ό〜1Όが適圓である。 電荷発生局の䞊に蚭ける電荷茞送局は、䞻鎖又
は偎鎖にアントラセン、ピレン、プナントレ
ン、コロネンなどの倚環芳銙族化合物又はむンド
ヌル、カルバゟヌル、オキサゟヌル、む゜オキサ
ゟヌル、チアゟヌル、むミダゟヌル、ピラゟヌ
ル、オキサゞアゟヌル、ピラゟリン、チアゞアゟ
ヌル、トリアゟヌルなどの含窒玠環匏化合物を有
する化合物、ヒドラゟン化合物、等の電荷茞送性
物質を成膜性のある暹脂に溶解させお圢成され
る。これは電荷茞送性物質が䞀般的に䜎分子量
で、それ自身では成膜性に乏しいためである。こ
のような暹脂ずしおは、ポリ゚ステル、ポリサル
ホン、ポリカヌボネヌト、ポリメタクリル酞゚ス
テル類、ポリスチレン等が挙げられる。電荷茞送
局の厚みは、〜20Ό皋床である。 本発明で甚いる感光局ずしおは、前述した他
に、䟋えば硫化カドミりムや酞化亜鉛を暹脂䞭に
分散した無機系光導電局、ポリ−−ビニルカル
バゟヌルやポリビニルアントラセンなどの有機光
導電性ポリマヌ局、セレン蒞着局、セレン−テル
ル蒞着局あるいはアモルフアスシリコン局など挙
げるこずができる。 本発明の感光䜓で甚いる基板は、導電局を有す
るものであれば、䟋れのものでもよく、具䜓的な
基䜓ずしおは、䟋えばアルミニりム、銅、バナゞ
りム、モリブデン、クロム、ニツケル、チタン、
亜鉛、むンゞりム、真ちゆうなどをドラムたたは
シヌト状に成型したもの、アルミニりムや銅など
の金属箔をプラスチツクフむルムにラミネヌトし
たもの、アルミニりム、酞化むンゞりム、酞化錫
などをプラスチツクフむルムに蒞着したものある
いは金属粉末、カヌボンブラツク、沃化銅、高分
子電解物質などの導電性物質を適圓な結着暹脂ず
ずもに塗垃し衚面を導電凊理したプラスチツクフ
むルムや玙などが挙げられる。 本発明の電子写真感光䜓は、電子写真耇写機に
利甚するのみならず、レヌザヌプリンタヌ、
CRTプリンタヌ、電子写真方匏補版システムな
どに利甚するこずができる。 次に本発明を実斜䟋で瀺す。 実斜䟋  −メトキシメチル化ナむロン垝囜化孊産玠
(æ ª)補トレゞンF30100をメタノヌル900に
溶解し、これをアルミ蒞着マむラヌフむルム䞊に
デむツピング塗工方匏で塗垃し100℃で10分間也
燥し、膜厚が1.0Όの䞋匕局を圢成した。 次に、前蚘䞋匕局䞊にゞアンブルヌC.I.No.
2118030ずメチル゚チルケトン1000に溶解
したアクリル暹脂䞉菱レヌペン(æ ª)ダむダナヌル
BR−8021を磁補ボヌルミルに入れ、40時間
分散した埌、䞋匕局䞊にデむツピング塗工方匏で
塗垃し、100℃で10分間也燥し、膜厚が0.5Όの電
荷発生局を蚭けた。 次に、−〔ピリゞル−(2)〕−−−ゞ゚チル
アミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン100ずポリカヌボネヌト垝人化
成(æ ª)補テむゞンパンラむト−1300100をテ
トラヒドロフラン1000に均䞀に溶解させ、これ
を前蚘電荷発生局の䞊に同様にしお塗垃積局埌、
100℃で20分間加熱也燥しお局厚10Όの電荷茞送
局を蚭けお、電子写真感光䜓を調補した。 次に、比范䟋ずしお䞋蚘に挙げた比范甚感光䜓
を調補した。 比范䟋  実斜䟋で甚いた䞋匕局を陀いたほかは、実斜
䟋ず同様の方法で電子写真感光䜓を調補した。 比范䟋  実斜䟋で甚いた−メトキシメチル化ナむロ
ンに代えお、ポリビニルアルコヌル信越化孊工
玠(æ ª)補PVA205を甚いたほかは、実斜䟋ず
同様の方法で電子写真感光䜓を調補した。䜆し、
䞋匕局の塗工液はポリビニルアルコヌルを氎に溶
解させお調補した。 比范䟋  実斜䟋で甚いた−メトキシメチル化ナむロ
ンに代えお、カれむンを䜿甚したほかは、実斜䟋
ず同様の方法で電子写真感光䜓を調補した。䜆
し、䞋匕局の塗工液は、カれむンを垌アンモニア
氎溶液に溶解させお調補した。 比范䟋  実斜䟋で甚いた−メトキシメチル化ナむロ
ンに代えお、カルボキシメチルセルロヌス暹脂
ダむセル(æ ª)補CMCダむセル1120を甚いたほ
かは、実斜䟋ず同様の方法で電子写真感光䜓を
調補した。䜆し、䞋匕局の塗工液はカルボキシメ
チルセルロヌス暹脂を氎に溶解させお調補した。 こうしお調補した各感光䜓の接着性を粘着テヌ
プ日東電気工業(æ ª)補ニツト−セロハンテヌ
プによる剥離テストを行なうこずによ぀お枬定
した。この結果を第衚に瀺す。 第衚 剥離テスト 実斜䟋 〇 比范䟋 × 〃  × 〃  △ 〃  × 尚、衚䞭の〇印は、粘着テヌプを感光局から
剥離した時、感光局の剥離が生じないこずを珟わ
す。△は粘着テヌプを感光局から剥離した時、䞀
郚の感光局が基䜓から剥離するこずを珟わす。×
は感光局が完党に基䜓から剥離するこずを珟わ
す。 たた、枩床15℃および盞察湿床10の䜎湿環境
䞋で川口電機(æ ª)補の静電耇写玙詊隓装眮「Model
SP−408」により、各感光䜓に−5KVのコロナ攟
電を行な぀お垯電させた埌、暗所で秒間保持し
た埌、照床5luxで露光した。この操䜜を1000回繰
り返し、第回目の垯電−露光時の明郚電䜍
VLず暗郚電䜍VDを枬定し、さらに第1000
回目の垯電−露光時の明郚電䜍VLず暗郚電
䜍VDを枬定した。これらの結果を第衚に
瀺す。
【衚】 同様のテストを枩床25℃および盞察湿床60の
垞湿環境䞋ず枩床30℃および盞察湿床90の高湿
床環境䞋で実斜した。これらの結果をそれぞれ第
衚ず第衚に瀺す。
【衚】
【衚】 実斜䟋の感光䜓は、䜎湿、垞枩、高湿の環境
䞋で繰り返し䜿甚した堎合の電䜍安定性にすぐれ
おおり、画像濃床䜎䞋及び地汚れ発生もなか぀
た。 又、垯電−露光を繰り返しによる感光局の攟電
砎壊で生ずる感光局の損傷に起因する画像郚の癜
抜けもなか぀た。 実斜䟋  実斜䟋ず同様にしお圢成した䞋匕局䞊にβ型
銅フタロシアニン東掋むンキ補造(æ ª)補リオノ
ヌルブルヌNCBトナヌ50ずテトラヒドロフ
ラン1000に溶解したブチラヌル暹脂ブチラヌ
ル化床63100を磁補ボヌルミルに入れお40
時間分散した液を局厚10Όになるようにデむツピ
ング塗工方匏で塗垃し、100℃で20分間也燥しお、
電子写真感光䜓を調補した。 この感光䜓を実斜䟋ず同様の方法で接着性テ
ストおよび1000枚コピヌした時の明郚電䜍ず暗郚
電䜍の倉動の枬定を行な぀たずころ、接着性に優
れたた䜎湿、垞湿および高湿の条件䞋でも明郚電
䜍ず暗郚電䜍の倉動が少なく安定性に優れおいる
こずが刀明した。たた、攟電砎壊で生じる画像郚
の癜抜けも芳察されなか぀た。 実斜䟋  実斜䟋ず同様にしお圢成した䞋匕局䞊に
−トリニトロ−−フルオレノンハン
ト・ケミカル(æ ª)補50ずポリ−−ビニルカル
バゟヌル高砂銙料(æ ª)補ルビカン50をテト
ラヒドロフラン1000に溶解した溶液を局厚10ÎŒ
になるようにデむツピング塗工方匏で塗垃し、
100℃で20分間也燥し、電子写真感光䜓を調補し
た。 この感光䜓を実斜䟋ず同様の方法で接着性テ
ストおよび1000枚コピヌした時の明郚電䜍ず暗郚
電䜍の倉動の枬定を行な぀たずころ、接着性に優
れたた䜎湿、垞湿および高湿の条件䞋でも明郚電
䜍ず暗郚電䜍の倉動が少なく安定性に優れおいる
こずが刀明した。たた、攟電砎壊で生じる画像郚
の癜抜けも芳察されなか぀た。 実斜䟋  実斜䟋ず同様にしお圢成した䞋匕局䞊に酞化
亜鉛堺化孊工業(æ ª)補Sazex4000300ずロヌ
ズベンガル1.2をメタノヌル15に溶解した液
ずアクリル暹脂䞉菱レヌペン(æ ª)補ダむダナヌル
BR−7590をトル゚ン1000に溶解した液を
磁補ボヌルミルに入れお40時間分散した液を局厚
10Όになるようにデむツピング塗工方匏で塗垃
し、100℃で20分間也燥しお電子写真感光䜓を調
敎した。 この感光䜓を実斜䟋ず同様の方法で接着性テ
ストおよび500枚コピヌした時の明郚電䜍ず暗郚
電䜍の倉動の枬定を行な぀たずころ、接着性に優
れたた䜎湿、垞湿および高湿の条件䞋でも明郚電
䜍ず暗郚電䜍の倉動が少なく安定性に優れおいる
こずが刀明した。たた、攟電砎壊で生じる画像郚
の癜抜けも芳察されなか぀た。 実斜䟋  −メトキシメチル化ナむロン垝囜化孊産業
(æ ª)補トレゞンF3060ずアルコヌル可溶タむ
プの共重合ナむロン東レ(æ ª)補CM400040
をメタノヌル900に溶解し、実斜䟋ず同様に
しお、膜厚1.0Όの䞋匕局を圢成した。 次に前蚘䞋匕局䞊にβ型銅フタロシアニン東
掋むンキ補造(æ ª)補リオノヌルブルヌNCBトナ
ヌ50ずテトラヒドロフラン1000に溶解した
プチラヌル暹脂プチラヌル化床63100を
磁補ボヌルミルに入れお40時間分散した液を䞋匕
局の䞊に局厚玄0.1Όになるようにデむツピング塗
工方匏で塗垃し、100℃で10分間也燥しお、電荷
発生局を圢成した。 次に、−ビス−−ゞ゚チルアミノプ
ニル−−オキサゞアゟヌル100ずポ
リカヌボネヌト垝人化成(æ ª)補テむゞンパンラ
むト−1300100をテトラヒドロフラン1000
に均䞀に溶解させ前蚘電荷発生局の䞊に同様に
しお塗垃し、積局した埌、100℃で20分間加熱也
燥しお、局厚10Όの電荷茞送局を蚭け電子写真感
光䜓を調補した。 実斜䟋  実斜䟋の䞋匕局で甚いた−メトキシメチル
化ナむロンず共重合ナむロンの混合物に代えお、
−゚チル化ナむロンを甚いたほかは、実斜䟋
ず同様の方法で電子写真感光䜓を調補した。䜆
し、䞋匕局の塗工液は−゚チル化ナむロンを゚
タノヌルに溶解させお調補した。 実斜䟋ずで調補した感光䜓の䜎湿時第
衚、垞湿時第衚および高湿時第衚
における1000枚コピヌした時の明郚電䜍VL
ず暗郚電䜍VDの倉動を実斜䟋ず同様の方
法によ぀お枬定した。これらの圢果は䞋蚘のずお
りである。
【衚】 ト ト ト ト

Claims (1)

    【特蚱請求の範囲】
  1.  導電局ず感光局の間に、−アルコキシメチ
    ル化ナむロンおよび−アルキル化ナむロンのう
    ち、少なくずも皮のナむロンを含有する局を蚭
    けたこずを特城ずする電子写真感光䜓。
JP19429081A 1981-12-01 1981-12-01 電子写真感光䜓 Granted JPS5895351A (ja)

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