JPS63144525A - 多層セラミック低温形成方法 - Google Patents

多層セラミック低温形成方法

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JPS63144525A
JPS63144525A JP62303430A JP30343087A JPS63144525A JP S63144525 A JPS63144525 A JP S63144525A JP 62303430 A JP62303430 A JP 62303430A JP 30343087 A JP30343087 A JP 30343087A JP S63144525 A JPS63144525 A JP S63144525A
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レオ　ターヘイ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子デバイスの表面に薄い多層セラミック又
はセ“ラミック様被膜を低温で形成することにより、電
子デバイスの保護を促進することに関する。
〔従来技術及びその問題点〕
多様な環境条件下で用いられる電子デバイスには、種々
な環境応力の中でも特に、湿気、熱、摩擦に対する耐性
を有することが必要である。電子デバイスの信頼性を向
上させることのできる電子デバイス用被膜の製造に関し
て、かなりの研究報告がなされてきた。しかしながら、
セラミックパッケージ及び金属パンケージをはじめとす
る今日までに利用可能な公知の被膜のいずれも、単独で
は全ての環境応力に対して、電子デバイスを十分に保護
することはできない。
電子デバイスに関する故障の共通の原因の一つは、半導
体チップの表面バッシベーショ１ンにおいて微小亀裂あ
るいはボイドが生じ、そのため不純物が侵入することに
ある。従って、電子デバイスの無機被膜において微小亀
裂、ボイドあるいはピンホールの形成を防止する方法が
必要とされている。
電子デバイスに施されるパッシベーション被膜は、電子
デバイスに侵入し電子信号の伝達を妨害する塩素イオン
ＣＣＩ！−）及びナトリウムイオン（Ｎａ　’　）等の
イオン性不純物に対ｆる障壁となる。
又、パッシベーション被膜は、湿気及び揮発性有機薬品
から電子デバイスを保護するのにも施すことができる。
非晶質ケイ素（以下、ｒａ−ＳｉＪと称する）膜に関し
て、電子産業における種々の用途に用いることについて
鋭意研究がなされてきたが、ａ−３ｉ膜を電子デバイス
の環境保護あるいは気密保護に用いることについては知
られていない。ａ−Ｓｉ膜の形成については、これまで
に多数の方法が提案されてきた。例えば、非晶質ケイ素
膜の製造には、化学気相堆積法（ＣＶＤ）　、プラズマ
化学気相堆積法（ｐｌａｓｍａ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃ
ＶＤ）、反応スパッタリング、イオンブレーティング及
び光ＣＶＤなどの堆積法が用いられてきた。特に、プラ
ズマｃｖｎ法は、工業化され、ａ−Ｓｉ膜の付着に広く
用いられている。
電子デバイス本体内及び金属化層間の中間層として、基
体の平坦化を利用することが当業者において公知である
。即ち、グプタ（Ｇｕｐｔａ）及びチン（Ｃｈｉｎ）　
（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｉｎｇ　、第２２章、”Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
ｓ　ｏｆ　５ｐｉｎ−Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ　Ｆｉｌｓ’ｓ
　ａｓ　ａＰｌａｎａｒｉｚｉｎｇ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒ
ｉｃ”、第３４９〜３６５頁、アメリカ化学会、１９８
６年〕は、ドープあるいはノンドープのＳｉｎ、ガラス
層から成る従来の眉間誘電体絶縁層による、金属化層の
融離を伴った多層配線系を示した。しかしながら、ＣＶ
Ｄ誘電体膜は、せいぜい、上に被覆される金属化層によ
る連続的で且つ均一なステップ被覆に対して有用でない
、基体の形状に相似の被覆を提供するのみである。この
不十分なステップ被覆のため、導体ライン中に、不連続
点及び薄いスポットが生じ、金属化収率の低下のみなら
ずデバイスの信頼性に関する問題を招くことになる。金
属化層間の眉間隔離のために、スピン・オンガラス層が
利用されており、そ２の最上層には、後でリソグラフ法
によりパターンが形成される。但し、眉間誘電体層の平
坦化とは異なり、電子デバイス表面のトップコート平坦
化は知られていない。
従って、従来技術が教示するように、多くの場合、単一
材料では、電子産業の分野で見られるような特殊被膜用
途の絶えず増加する要求を満足させることはできない、
ミクロ硬度、防湿性、イオン障壁、密着性、展性、引っ
張り強度、熱膨張係数等の数多くの被膜特性は、異種被
膜の連続層により付与することが必要である。
シラザン等のケイ素及び窒素含有プレセラミック重合体
が、ガウル（Ｇａｕｌ）による１９８３年９月１３日発
行の米国特許第４，４０４．１５３号等多くの特許に開
示されている。上記ガウル特許には、塩素含有ジシラン
を、（Ｒ’５ＳｉｈＮｔｌ　（但し、Ｒ゛は、ビニル基
、水素、炭素数１〜３のアルキル基又はフェニル基〕と
接触反応させることによる、Ｒ’ｚＳｉＮＨ−含有シラ
ザン重合体の製造方法が開示されている。ガウルは、又
、同特許において、ケイ素炭素窒素含有セラミック材料
を製造におけるプレセラミックシラザン重合体の使用を
教示している。
又、ガウルは、１９８２年１月２６日発行の米国特許第
４．３１２．９７０号に開示しているように、オルガノ
クロロシランとジシラザンを反応させ、得られたプレセ
ラミックシラザン重合体を熱分解して、セラミック材料
を製造した。
更に、ガウルは、１９８２年７月２０日発行の米国特許
第４，３４０，６１９号に開示しているように、塩素含
有ジシランとジシラザンとを反応させ、得られたプレセ
ラミックシラザン重合体を熱分解して、セラミック材料
を製造した。
一方、キャナデ４−　（Ｃａｎｎａｄｙ）は、１９８５
年９月１０日発行の米国特許第４，５４０．８０３号に
開示しているように、トリクロロシランとジシラザンと
を反応させ、得られたプレセラミンクシラザン重合体を
熱分解して、セラミック材料を製造した。
又、フライ（Ｆｒｙｅ　）及びコリンズ（Ｃｏｌｌｉｎ
ｓ）は、１９７１年１０月２６日発行の米国特許第３，
６１５．２７２号及びフライ等（Ｆｒｙｅ　ｅｔ　ａｔ
）、ジャーナル・オン・アメリカン・ソサイアティ（Ｊ
、八−１Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、）、第９２Ｓ、第５５８
６頁、１９７０年において、水素シルセスキオキサン樹
脂の生成を教示している。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、電子デバイスの表面に、薄い多層セラミック
あるいはセラミック様被膜を低温で形成し、電子デバイ
スの保護を促進することに関する。
即ち、触媒添加水素シルセスキオキサン樹脂とケイ素含
有材料、ケイ素及び炭素含有材料、ケイ素及び窒素含有
材料、又はケイ素炭素窒素含有材料からなる一種以上の
セラミック又はセラミック様被膜から、電子デバイス用
被膜を形成する方法に関する。
本発明は、電子デバイス保護用単一層及び多層被膜の低
温形成に関する９本発明の単一層被膜は、電子デバイス
上へ水素シルセスキオキサン樹脂（）ｌｓｉ（ｈｚ□）
、の溶媒溶液を付着しセラミック化して得られる二酸化
ケイ素被膜から成る８本発明の二層被膜は、（１）電子
デバイス上へ水素シルセスキオキサン樹脂（Ｈ３ｉＯｉ
。）、の溶媒溶液を付着させ熱処理によってＳｉＯ□含
有材料にセラミック化して形成される被膜と、（２）ケ
イ素含有材料、又はケイ素窒素含有材料、又はケイ素炭
素窒素含有材料のトップコートから成る。
電子デバイス上に適用される第１層は、フローコート法
、スピンコード法、浸漬決心スプレー法等の公知技術を
用いて電子デバイス上に塗布されるＳｉ０ｇ平坦化及び
パッシベーション被膜である。
又、二ＩＩＩ被膜の第２層は、アルカン及び／又はアン
モニアを加えたあるいは加えないシラン、ハロシラン、
ハロジシラン、ハロポリシラン、アルキルシラン、ある
いはそれらの混合物のＣｖＤ又はプラズマＣＶＤにより
得られるケイ素含有材料のバーＸチック型障壁被膜であ
る。金属アシストＣＶＤ法が５ｕｄａｒｓａｎａｎ　Ｖ
ａｒａｐｒａｔｈの’Ｓｉｌｊｌｏｎ−ｃｏｎｔａｉｎ
ｉｎｇＣｏａｔｉｎｇ　ａｎｄ　ａ　Ｍｅｔｈｏｄ　ｆ
ｏｒ　Ｔｈｅｉｒ　Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ’という名
称を有する並行米国特許出願第８３５，０２９号（１９
８６年２月２８日出願）の特許請求の範囲に記載されて
いる。
又、本発明は、電子デバイス保護用三層被膜システムの
形成に関する。この被膜システムの第１層は、水素シル
セスキオキサン樹脂（Ｈ５ｉＯｚｚｔ）　ｎの溶媒溶液
から得たＳｉＯ□含有平坦化被膜であり、この被膜は、
加熱処理により、材料のセラミック化が起こり、実質的
にＳｉｎ、含有材料を生成する。
パノシヘーションに用いられる第２ｗ１は、プレセラミ
ックケイ素窒素含有重合体被膜のセラミック化により得
られるセラミック又はセラミック様被膜、あるいは熱、
ｕｖ、　ｃｖｏ　、プラズマＣＶＤ又はレーザ法により
付着がなされるケイ素窒素含有層、ケイ素炭素窒素含有
層又はケイ素炭素含有層である。本発明の上記三層被膜
の第３１は、（ａ）ハロシラン、ハロジシラン、ハロポ
リシラン又はこれらの混合物のＣＶＯ、プラズマＣｖＤ
又は金属アシストＣｖＤにより施されるケイ素含有材料
、又は（ｂ）ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラ
ン又はこれらの混合物とアルカン又はアルキルシランと
のＣシロ又はプラズマＣＶＤにより施されるケイ素炭素
含有材料、又は（ｃ）ハロシラン、ハロジシラン、ハロ
ポリシラン又はこれらの混合物とアンモニアとのＣＶＤ
又はプラズマＣｖＤにより施されるケイ素窒素含有材料
、又は（ｄ）ヘキサメチルジシラザン又はシラン、アル
カン、アルキルシランとアンモニアとの混合物のＣＶＤ
又はプラズマＣＶＯにより施されるケイ素炭素窒素含有
材料から成るトップ被膜である。
本発明は、水素シルセスキオキサン樹脂（Ｈ３ｉＯｓｚ
ｚ）　−７８媒溶液のセラミック化により得られる二酸
化ケイ素（Ｓｉ（ｂ含有）セラミンク又はセラミック様
被膜を電子デバイス及び集積回路に適用してそのデバイ
ス又は回路を環境から保護することができるとの発見に
関する。
本発明の目的の一つは、炭素を含有しない前駆体材料か
ら、基本上にセラミック又はセラミック様平坦化被膜を
生成する方法を従供することにある。この目的は、水素
シルセスキオキサン樹脂（Ｈ５ｉＯｓ７□）　ｎ　溶ｒ
ｆｌを基体上に付着しセラミック化して用いることによ
り、本発明の方法で達成することができる。
本発明により被覆される基体の選択は分解容器の雰囲気
中の低い分解温度での熱的及び化学的安定性の必要によ
って制約されるだけである。
本発明のもう１つの目的は、炭素を含有しない前駆体材
料から電子デバイス上にセラミック又はセラミック様パ
フシベーション被膜を生成する方法を提供することにあ
る。この目的は、水素シルセスキオキサン樹脂（ＨＳｉ
（ｈｚ□）７溶液を電子デバイス上に付着しセラミック
化して用いることにより、本発明の方法で達成すること
ができる。
更に、本発明は、これらの二酸化ケイ素（ＳｉＯ□含有
）セラミック又はセラミック様被膜を、種々のケイ素、
炭素及び／又は窒素含有材料とともに被覆することによ
り、電子デバイス及び他の集積回路を保護することがで
きることについての発見に関する。
本発明による被膜は電子デバイスの環境からの保護のほ
かに機能的用途においても有用である。
本発明による被膜は誘導体層、トランジスタのようなデ
バイスを作るドープト誘導体層、キャパシタ及びキャパ
シタ様デバイスを作るケイ素含有顔料添加バインダ系、
多層デバイス、３−Ｄデバイス、シリコン・オン・絶縁
体（ＳＯＩ）デバイス、超格子デバイス、等にも有用で
ある。
本発明で、「セラミック様」とは、残存炭素及び／又は
水素が全く含有しないというわけではないが、その他の
点ではセラミックに類似の性質を有する熱分解材料を意
味する。本発明において、「電子デバイス」は、限定す
るわけではないが、ｉ子デバイス、シリコン基デバイス
、ガリウム砒素デバイス、フォーカルプレーンアレイ、
光電子デバイス、光電池、光デバイス、誘電体層、トラ
ンジスタ様デバイス製造のためのドープ誘電体層、コン
デンサ又はコンデンサ様デバイス、製造のためのケイ素
含有顔料添加バインダーシステム、多層デバイス、３−
Ｄデバイス、シリコン・オン・インシュレータ（Ｓｏｌ
）デバイス、超格子デバイス等を含む。
更に、本発明は、プラズマＣＶＤ　、金属アシストＣＶ
Ｄ法等のＣＶＤ法によりトップコートを形成することか
ら成る、セラミック又はセラミック様材料で被覆された
電子デバイス用トップ被膜を形成する方法に関する。
更に、本発明は、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂（
ＨＳｉＯｚ／ｚ）　＊を溶媒で低固形濃度に希釈し、得
られる希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバ
イスに塗布することにより電子デバイスを平坦化被膜で
被覆し：（Ｂ）該希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液
を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
ス上に水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック被膜
を付着し；（Ｃ）該被覆されたデバイスを、１５０〜１
０００℃の温度で加熱することにより、該水素シルセス
キオキサン樹脂プレセラミック被膜を二酸化ケイ素にセ
ラミック化し、該デバイス上にセラミック又はセラミッ
ク様５ｉｎｔ平坦化被膜を生成させることからなる、基
体上にセラミック又はセラミック様５ｔ（ｈ被膜を形成
する方法に関する。
本発明の方法の従来技術の方法に優る利点は、１５０℃
という低温で調製される希釈水素シルセスキオキサン樹
脂（Ｈ５ｉＯ，７□）、、溶液から付着する被膜の安定
性にある。従って、本発明の好ましい態様は２００〜４
００℃の温度で被膜を形成する上記の方法にある。この
温度範囲は従来技術の温度より著しく低い。
更に、本発明は、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂（
Ｈ３ｉＯ＋ｚ□）ｎを溶媒で希釈し、得られる希釈水素
シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
該希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を乾燥させて溶
媒を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素シル
セスキオキサン樹脂プレセラミック被膜を付着し、該被
覆された電子デバイスヲ１５０〜１０００℃あ温度で加
熱することにより、該水素シルセスキオキサン樹脂プレ
セラミック被膜を二酸化ケイ素にセラミック化し、該電
子デバイス上にセラミック又はセラミック様５ｉｎ２平
坦化被膜を生成し；（Ｂ）反応室中で、セラミック又は
セラミック様被膜の施された該デバイスの存在下で、シ
ラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又は
これらの混合物を気相にて２００〜６００℃の温度で分
解させることにより、セラミック又はセラミック様Ｓｔ
ｏｗ被膜の施された該電子デバイス上にケイ素含有被膜
を施し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆さ
れた電子デバイスを得ることからなる、基体上に多層セ
ラミック又はセラミック様被膜を形成する方法に関する
。
電子デバイスに平坦化又はパッシベーション被膜を施す
ことは、フローコート、スピンコード、スプレー法、浸
漬法等により行うことができるが、これらに限定される
ものではない。
更に、本発明は、（八）水素シルセスキオキサン樹脂（
ＨＳｉＯｉｚ□）、、を溶媒で希釈し、得られる希釈水
素シルセスキオキサン樹脂（ＨＳｉＯ＋ｚｚ）　ｎ溶液
を電子デバイスに塗布し、該希釈水素シルセスキオキサ
ン樹脂溶液（ＨＳｉｏ：＋ｚ□）ｆｉを乾燥させて溶媒
を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素シルセ
スキオキサン樹脂（ＨＳｉＯ３／ｚ）　、１プレセラミ
ツク材料被膜を付着し、該被覆された電子デバイスを１
５０〜１０００℃の温度で加熱することにより、該水素
シルセスキオキサン樹脂（ｔｌｓｉ０３７ｚ）ｒ＋プレ
セラミック材料被膜を二酸化ケイ素にセラミック化し、
セラミック又はセラミック様被膜を生成し；（Ｂ）プレ
セラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に希釈し、得
られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重合体溶液を
セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバ
イスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発させ、セラ
ミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバイス
上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付着し、該電
子デバイスを不活性又はアンモニア含有雰囲気中で１５
０〜１０００℃の温度で加熱して該電子デバイス上にセ
ラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成す
ることにより、セラミック又はセラミック様被膜の施さ
れた該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からなるパ
ッシベーション被膜を施すことからなる、基体上に多層
セラミック又はセラミック様被膜を形成する方法に関す
る。
更に、本発明は、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂（
ＨＳｉＯ，、□）７を溶媒で希釈し、得られる希釈水素
シルセスキオキサン樹脂（ＨＳｉＯ３ｚ□）、、溶液を
電子デバイスに塗布し、該希釈水素シルセスキオキサン
樹脂溶液（ＨＳｉＯｚ；ｘ）−を乾燥させて溶媒を蒸発
することにより、該電子デバイス上に水素シルセスキオ
キサン樹脂（ＨＳｉ０３ｚ□）、、プレセラミック材料
被膜を付着し、該被覆された電子デバイスを１５０〜１
０００℃の温度で加熱することにより、該水素シルセス
キオキサン樹脂（ＨＳｉＯ＋／ｚ）　ｎプレセラミック
材料被膜を二酸化ケイ素にセラミック化してセラミック
又はセラミック様被膜を生成し；（Ｂ　）反応室中で、
セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバ
イスの存在下で、シラン、アルキルシラン、ハロシラン
、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物、
及び炭素数１〜６のアルカン類、アルキルシラン類及び
アルキルハロシラン類よりなる群から選ばれた物質を気
相にて１５０〜１０００℃の温度で分解させることによ
り、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子
デバイス上にケイ素炭素含有被膜を施し、多層セラミッ
ク又はセラミック様被膜で被覆された電子デバイスを得
る′ことからなる、基体上に多層セラミック又はセラミ
ック様被膜を形成する方法に関する。
更に、本発明は、（＾）水素シルセスキオキサン樹脂（
Ｈ３ｉＯｓ７ｇ）−を溶媒で希釈し、得られる希釈水素
シルセスキオキサン樹Ｂｕ　（ＨＳｉ０３７ｚ）　、溶
液を電子デバイスに塗布し、該希釈水素°シルセスキオ
キサン樹脂溶液（ＨＳｉＯ＋／ｚ）−を乾燥させて溶媒
を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素シルセ
スキオキサン樹脂（ｌ（ＳｉＯ＋ｚｚ）ｒ＋プレセラミ
ック材料被膜を付着し、該被覆された電子デバイスを１
５０〜１０００℃の温度で加熱することにより、該水素
シルセスキオキサン樹脂（ＨＳｉｏ、７□）７ブレセラ
ミツク材料被膜を二酸化ケイ素にセラミック化してセラ
ミック又はセラミック様被膜を生成し；（Ｂ　）プレセ
ラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に希釈し、得ら
れる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重合体溶液をセ
ラミック又はセラミ・ノク様被膜の施された該電子デバ
イスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発させてセラ
ミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバイス
上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付着し、該被
覆された電子デバイスを不活性又はアンモニア含有雰囲
気中で１５０〜１０００℃の温度で加熱してセラミック
又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成さることに
より、セラミック又はセラミック様被膜の施された該デ
バイス上にケイ素窒素含有材料からなるパッシベーショ
ン被膜を施し、（Ｃ）反応室中で、セラミック又はセラ
ミック様被膜の施された該電子デバイスの存在下で、シ
ラン、ハロシラン、ハロジシラン若しくはハロポリシラ
ン又はこれらの混合物を気相にて１５０〜６００℃の温
度で分解させることにより、セラミック又はセラミック
様被膜が施された該電子デバイスにケイ素含有被膜を施
し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された
電子デバイスを得ることからなる、基体上に多層セラミ
ック又はセラミック様被膜を形成する方法に関する。
更に、本発明は、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂（
ＨＳｉ０３ｚｚ）　＊を溶媒で希釈し、得られる希釈水
素シルセスキオキサン樹脂（Ｈ３ｉＯ：＋ｚｚ）　ｎ溶
液を電子デバイスに塗布し、該希釈水素シルセスキオキ
サン樹脂溶液（Ｈ５ｔ（１＋７ｚ）　ｎを乾燥させて溶
媒を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素シル
セスキオキサン樹脂（Ｈ５ｉ（：ｈｚｚ）−プレセラミ
ック材料被膜を付着し、該被覆された電子デバイスを１
５０〜１０００℃の温度で加熱することにより、該水素
シルセスキオキサン樹脂（ＨＳｉＯｉｚ□）、ｌプレセ
ラミック材料被膜を二酸化ケイ素にセラミック化し、セ
ラミック又はセラミック様被膜を生成し；（Ｂ）プレセ
ラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に希釈し、得ら
れる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重合体溶液をセ
ラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバイ
スに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素窒素含有重合
体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発させてセラミ
ック又はセラミック様被膜の施された該電子デバイス上
にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付着し、該被覆
された電子デバイスを不活性又はアンモニア含有雰囲気
中で１５０〜１０００℃の温度で加熱してセラミック又
はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成さることによ
り、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子
デバイス上にケイ素窒素含有材料からなるパッシベーシ
ョン被膜を施し、（Ｃ）反応室中で、セラミック又はセ
ラミック様被膜の施された該電子デバイスの存在下で、
シラン、ハロシラン、ハロジシラン若しくはハロポリシ
ラン又はこれらの混合物とアンモニアとを気相にて１５
０〜１０００℃の温度で分解させることにより、セラミ
ック又はセラミック様被膜が施された該電子デバイスに
ケイ素窒素含有被膜を施し、多層セラミック又はセラミ
ック様被膜で被覆された電子デバイスを得ることからな
る、基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形
成する方法に関する。
更に、本発明は、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂（
Ｈ５ｉ（ｈｚｚ）＋＋を溶媒で希釈し、得られる希釈水
素シルセスキオキサン樹脂（Ｈ５ｉ（ｈ７□）ｆｉ溶液
を電子デバイスに塗布し、該希釈水素シルセスキオキサ
ン樹脂溶液（Ｈ５ｉＯ：＋ｚ□）、Ｉを乾燥させて溶媒
を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素シルセ
スキオキサン樹脂（Ｈ３ｉ（ｈｚｚ）＋＋ｌプレセラミ
ック材料被膜付着し、該被覆された電子デバイスヲ１５
０〜１０００℃の温度で加熱することにより、該触媒添
加水素シルセスキオキサン樹脂（Ｈ５ｉ（ｌｌｚ□）７
プレセラミツク材料被膜を二酸化ケイ素にセラミック化
し、セラミック又はセラミック様被膜を生成し；（Ｂ）
プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に希釈し
、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重合体溶
液をセラミック又はセラミック様被膜の施された該電子
デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素窒素含
有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発させて
セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバ
イス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付着し、
該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニア含有
雰囲気中で１５０〜１０００”Ｃの温度で加熱してセラ
ミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成さる
ことにより、セラミック又はセラミック様被膜の施され
た該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からなるパッ
シベーション被膜を施し、（Ｃ）反応室中で、セラミッ
ク又はセラミック様被膜の施された該電子デバイスの存
在下で、シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
シラン、アルキルシラン又はこれらの混合物、と炭素数
１〜６のアルカン又はアルキルシランとを気相にて１５
０〜１０００℃の温度で分解させることにより、セラミ
ック又はセラミック様被膜の施された該電子デバイス上
にケイ素炭素含有被膜を施し、多層セラミック又はセラ
ミック様被膜で被覆された電子デバイスを得ることから
なる、基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を
形成する方法に関する。
本発明において、水素シルセスキオキサン樹脂（Ｈ３ｉ
Ｏ，７□）７は、ｎ−へブタンあるいはトルエン等の溶
媒で希釈される（例えば、０．１〜１０重量％）。
その後、得られたプレセラミック溶媒溶液を、電子デバ
イスに塗布し、周囲条件下で乾燥して溶媒を蒸発させる
。電子デバイスへのプレセラミック重合体溶液の塗布は
、スピンコード、浸漬法、スプレー法あるいはフローコ
ートにより行うことができるが、これらの方法に限定さ
れるものではない。これによりプレセラミック重合体被
膜が電子デバイスに付着し、被覆された電子デバイスを
、例えば、４００℃で約１時間加熱すると、被膜がセラ
ミック化される。このようにして、２μｍ未満（即ち約
３０００〜５０００人）の薄いセラミック又はセラミッ
ク様平坦化被膜が電子デバイス上に生成する。生成した
平坦化被膜は、次に、本発明によるケイ素窒素含有セラ
ミック又はセラミック様パフシベーシａン被膜あるいは
ＣＶＤで施したケイ素含有被膜、ケイ素炭素含有被膜ケ
イ素窒素含有被膜、若しくはケイ素炭素窒素含有被膜あ
るいはこれらの被膜の組み合わせにより被覆される。
本発明における複合被膜の第二及びパッシベーションケ
イ素窒素含有層は、イオン性不純物に対する耐性を付与
する０本発明に用いられる好ましいプレセラミックケイ
素窒素含有重合体は、この技術分野において公知のもの
でよく、例えば、シラザン類、ジシラザン類、ポリシラ
ザン類、環状シラザン類及び他のケイ素窒素含有物質が
挙げられるがこれらのものには限定されない。本発明に
用いられる好ましいプレセラミックケイ素窒素含有重合
体は、高温でセラミンク又はセラミック物質に変わるこ
とのできるものでなければならない。
又、プレセラミックシラザン重合体及び／又は他のケイ
素及び窒素含有物質の混合物も本発明に用いることがで
きる。本発明において用いるのに好ましいプレセラミッ
クシラザン重合体あるいはポリシラザン類としては、例
えば、米国特許第４．３１２．９７０号（１９８２年１
月２６日発行）、米国特許第４，３４０，６１９号（１
９８２年７月２０日発行）、米国特許第４，３９５，４
６０号（１９８３年７月２６日発行）及び米国特許第４
，４０４．１５３号（１９８３年９月１３日発行）にお
いてガウルにより記載されているポリシラザン類が挙げ
られる。又、米国特許第４，４８２．６８９号（１９８
４年１１月１３日発行）においてハルスカ（Ｈａｌｕｓ
ｋａ）により記載されているもの、米国特許第４．３９
７，８２８号（１９８３年８月９日発行）においてセイ
ファース等（Ｓｅｙｆｅｒｔｈ　ｅｔ　ａｌ）により記
載されているもの及び米国特許第４．４８２，６６９号
（１９８４年１１月１３日発行）においてセイファース
等（Ｓｅｙｆｅｒｔｈｅｔ　ａｌ）により記載されてい
るものも好ましいポリシラザン類として挙げられる。本
発明において用いるのに好ましい他のポリシラザン類と
して、例えば、米国特許第４．５４０，８０３号（１９
８５年９月１ｏ日発行）、米国特許第４．５３５，００
７号（１９８５年８月１３日発行）及び米国特許第４，
５４３．３４４号（１９８５年９月２４日発行）におい
てキャナディ（Ｃａｎｎａｄｙ）により開示されている
もの、及び１９８４年９月２１日出願の米国特許出願筒
６５２．９３９号においてバニー等（Ｂａｎｅｙ　ｅｔ
　ａｌ）により記載されているものを挙げることができ
る。又、Ｈ，ＳｉＸ、（但し、Ｘはハロゲン原子を示す
）とＮＨ３との反応により得られるジヒドリドシラザン
重合体も本発明において好ましく用いられる。これらの
（１１□５ｉＯＮＨ）、１重合体は、この技術分野にお
いてよく知られているものであるが、いままで電子デバ
イスの保護には用いられたことはなかった（例えば、１
９８３年８月９日発行の米国特許第４．３９７．８２８
号参照）。
更に、本発明において、電子デバイスの保護に有効なケ
イ素窒素含有重合体物質として、環状シラザン類とハロ
ゲン化ジシラン類の反応から誘導した新規なプレセラミ
ック重合体、及び環状シラザン類とハロシラン類の反応
から誘導した新規なプレセラミック重合体が挙げられる
。これらの物質は、ローレン・エイ（Ｌｏｒｅｎ　Ａ）
により出願された”ＮｏｖｅｌＰｒｅｃｅｒａｍｉｃ　
Ｐｏｌｙｍｅｒｓ　Ｄｅｒｉｖｅｄ　ＦｒｏｍＣｙｃｌ
ｉｃ　　５ｉｌａｚａｎｅｓ　　Ａｎｄ　　Ｈａｌｏｇ
ｅｎａｔｅｄ　　ＤｉｓｉｌａｎｅｓＡｎｄ　Ａ　Ｍｅ
ｔｈｏｄ　Ｆｏｒ　Ｔｈｅｉｒ　Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏ
ｎ’　と題した米国特許出願第９２６．１４５号及び“
Ｎｏｖｅｌ　ＰｒｅｃｅｒａｍｉｃＰｏｌｙｍｅｒｓ　
Ｄｅｒｉｖｅｄ　Ｆｒｏｔ＊　Ｃｙｃｌｉｃ　５ｉｌａ
ｚａｎｅｓ　ＡｎｄＨａｌｏｓｉｌａｎｅｓ　Ａｎｄ　
Ａ　Ｍｅｔｈｏｄ　Ｆｏｒ　Ｔｈｅｉｒ　Ｐｒｅｐａｒ
ａｔｉｏｎ”と題した米国特許出願第９２６　、６０７
号に開示され且つ特許請求の範囲に記載されている。環
状シラザン類及びハロシラン類及び／又はハロゲン化ジ
シラン類より誘導された上記の新規なプレセラミックケ
イ素窒素含有重合体も、プレセラミック重合体のセラミ
ック化に必要な温度に耐えることのできるよう基体を保
護するのに有効である。更に他のケイ素及び／又は窒素
含有物質も本発明に好ましく使用することができる。
本発明において、ケイ素及び窒素を含有するプレセラミ
ック重合体は、低固形分濃度（例えば、０．１〜５重量
％）までトルエン又はｎ−へブタン等の溶媒で希釈する
。得られるケイ素窒素含有重合体溶媒溶液を、予めセラ
ミック化した５ｔ０２含有物質で被覆した電子デバイス
に塗布し、その後、不活性雰囲気あるいはアンモニア含
有雰囲気で乾燥して溶媒を蒸発させる。これによりプレ
セラミック重合体被膜が付着し、被覆された電子デバイ
スをアルゴン雰囲気中で最大４００℃の温度で約１時間
加熱することによりこの膜をセラミック化する。このよ
うにして、２μｍ未満（即ち、約３０００〜５０００人
）の薄いセラミック又はセラミック様パッシベーション
被膜を、該電子デバイス上に生成する。
このケイ素窒素含有プレセラミック重合体をセラミック
化あるいは部分的にセラミック化するのに好ましい温度
範囲は、２００〜４００℃である。ケイ素窒素含有プレ
セラミック重合体をセラミック化するためのより好まし
い温度範囲は、３００〜４００℃である。しかしながら
、ケイ素窒素含有被膜のセラミック化あるいは部分セラ
ミック化のために熱を加える方法は、従来の熱的方法に
は限られない。本発明において、平坦化及びパッシベー
ション被膜として有用なケイ素窒素含有重合体被膜は、
例えば、レーザビームの照射等地の放射手段により硬化
してもよい。又、本発明におけるセラミック化温度は４
００℃には限定されない。即ち、最大１０００℃あるい
は少なくとも１０００℃を含む温度を使用してのセラミ
ック化法は、当業者において公知であり、基体がそのよ
うな温度に耐えうろことができる場合には本発明におい
て使用することができる。
本発明において、「硬化」とは、固体の高分子セラミッ
ク又はセラミック様被膜物質が生成するまでの加熱によ
る出発物質の共反応及びセラミック化又は部分セラミッ
ク化を意味する。
一方、本発明の三層被覆において、第二及びパッシベー
ション被膜は、ケイ素窒素含有物質、ケイ素炭素窒素含
有物質、及びケイ素炭素含有物質よりなる群から選ばれ
たものでよい。ケイ素窒素含有物質は、シラン、ハロシ
ラン類、ハロポリシラン類又はハロジシラン類とアンモ
ニアを反応させて得られる反応生成物のＣｖＤ又はプラ
ズマＣＶ［）により適用する。又、ケイ素炭素含有物質
は、シラン、アルキルシラン、ハロシラン類、ハロポリ
シラン類又はハロジシラン類と炭素数１〜６のアルカン
又はアルキルシランを反応させて得られる反応生成物の
ＣＶＤ又はプラズマＣＶＯにより適用する。一方、ケイ
素炭素窒素含有物質は、ヘキサメチルジシラザンのＣＶ
Ｄ若しくはＰＥＣＶＤ　、又はシラン、アルキルシラン
、炭素数１〜６アルカンとアンモニアとからなる混合物
のＣＶＤ若しくはＰＥＣＶＤにより適用する。
又、本発明の複合被膜のケイ素含有第三層、即ちトップ
コートは、前出米国特許出願第８３５　、０２９号の特
許請求の範囲に記載されている上記の金属アシストＣｖ
Ｄ法、又は従来の非金属アシストＣｖＤ若しくはプラズ
マＣｖＯ法により、比較的低い反応温度で得ることがで
きる。金属アシストＣＶＤ法は、５ｉＣ１，，５ｉＢｒ
、　、Ｈ５ｉＩ３　、Ｈ５ｉＣｈ及びＨＳｉＢｒ３から
被膜を堆積するのに特に適している。本発明により被覆
すべき基体及び電子デバイスは、分解容器の雰囲気にお
ける低い分解温度での基体の熱的及び化学的安定性の必
要性によってのみ制限される。
本発明の方法により、セラミック化した水素シルセスキ
オキサン樹脂（）ＩＳｉ（ｈｚ□）７材料及びセラミッ
ク化したケイ素窒素含有材料で被覆した電子デバイス上
にケイ素含有トップコートが施される。
この厚みは、還元されるハロゲン化ケイ素の濃度により
、任意に変えることができる。本発明のトップコートは
、公知の方法により付着することができる。
以下余白 〔発明の効果〕 本発明の方法により生成される被膜は、欠陥密度が低く
、電子デバイスの保護被膜、耐蝕及び耐摩耗被膜、耐熱
性及び耐湿性被膜、Ｎａ’及びＣ１−等のイオン性不純
物に対する拡散障壁並びに誘電体層として役立つ。本発
明によるケイ素窒素含有セラミック又はセラミック様被
覆は電子デバイス本体内及び金属化層間の中間絶縁体層
として有用であり、スピン・オン・ガラス層の代りに用
いることができる。
本発明による被膜は電子デバイスの環境からの保護のほ
かに機能的用途にも有用である。また、この被膜は、誘
電体層、トランジスタ様デバイス製造用ドープト誘電体
層、コンデンサ及びコンデンサ様デバイス製造用のケイ
素含有顔料添加バインダシステム、多層デバイス、３−
Ｄデバイス、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ
）デバイス並びに超格子装置、としても有用である。
本発明により製造される被膜の他の特有な点は、電磁線
に対する透明性にある。従って、本発明の被膜の特異な
利点は、電磁線が被覆した電子デバイスに入ったり出た
りすることのできるフォーカルブレーンアレイ、光起電
電池あるい′は光電子デバイスに利用できる点にある。
〔実施例〕
以下、本発明を次に示す例により更に説明するが、特許
請求の範囲はこれらのものに限定されない。
■土 １９７１年１０月２６日発行のフライ（Ｆｒｙｅ）等に
よる米国特許第３．６１５．２７２号に記載の方法によ
り製造される水素シルセスキオキサン樹脂を含有するプ
レセラミック重合体を、１重量％の低固形分濃度となる
ようにｎ−へブタンに希釈した。次に、プレセラミック
重合体溶媒溶液を、フローコート法によりＣＭＯ３電子
デ電子デバイ塗上し、６０分間乾燥して溶媒を蒸発させ
た。水素シルセスキオキサン樹脂を、上記の被覆した電
、子デバイスを２インチのリンドベルグ炉中で約６０分
間４００℃で加熱することにより、セラミック化し、電
子デバイス上にＳｉｎ。
含有膜を形成した。
■ 例１の１重量％の被膜溶液でＲＣ４４０１１ＣＭＯＳ電
子デバイスをフローコートした。その被膜を空気中で１
０分間乾燥した後、４００℃１時間で熱硬化させた。こ
れによって電子デバイス上に厚み２μｍ未満（即ち、約
４０００人）のセラミック又はセラミック様ＳｉＯ□含
有平坦゛化被膜が形成された。
■ユ 米国特許第４．５４０．８０３号の例１に記載されてい
るキャナディの方法により製造したプレセラミックシラ
ザン重合体を、０．１重量％となるようにトルエンで希
釈した。その後、このプレセラミックシラザン重合体溶
媒溶液を、例１及び２の被覆電子デバイスにフローコー
ト法により塗布し、空気の不存在下で乾燥して溶媒を蒸
発させた。これにより、プレセラミック重合体パッシベ
ーション被膜が付着した。この被覆した電子デバイスを
、アルゴン雰囲気下で約１時間４００℃で加熱すること
により、被膜をセラミック化した。このようにして、２
μｍ未満（即ち、約３０００人）の薄いケイ素窒素含有
セラミック又はセラミック様パッシベーション被膜を電
子デバイス上に生成した。
■土 米国特許第４，４８２．６８９号の例１３に記載されて
いるハルスカ（Ｈａｌｕｓｋａ）の方法により製造した
、約５％のチタンを含有するプレセラミックシラザン重
合体を、例３と同様の方法により、被覆電子デバイスに
フローコート法により塗布し、乾燥して溶媒を蒸発させ
た。これにより、ケイ素窒素含有プレセラミック重合体
被膜が付着した。この被覆したデバイスを、アルゴン雰
囲気下で約１時間最高４００℃の温度で加熱することに
より、被膜をセラミック化した。このようにして、２μ
ｍ未満（即ち、約３０００人）の薄いケイ素窒素含有セ
ラミック又はセラミック様パッシベーション被膜を電子
デバイス上に生成した。
肛 米国特許第４．３９５．４６０号の例１に記載されてい
るガウル（Ｇａｕｌ）の方法により製造したプレセラミ
ックシラザン重合体を、例３の手順により、ＳｉＯ□含
有被膜を施した電子デバイス上に塗布し、乾燥して溶媒
を蒸発させた。これによりプレセラミック重合体被膜が
付着した。この被覆した電子デバイスを、アルゴン雰囲
気下で約１時間最高４００℃の温度で加熱することによ
り、被膜をセラミック化した。このようにして、２゛μ
ｍ未満（即ち、約３０００人）の薄いケイ素窒素含有セ
ラミック文はセラミック様パッシベーション被膜を電子
デバイス上に生成した。
肛 米国特許第４．３９７，８２８号の例１に記載されてい
るセイフェルス（Ｓｅｙｆｅｒｔｈ）の方法により製造
したジヒドリドシラザン重合体の１〜２重量％ジエチル
エーテル溶液を、例１の方法により予め被覆を施した電
子デバイス上にフローコート法により塗布した。この被
覆電子デバイスを窒素雰囲気下で４００℃の温度で１時
間加熱した。Ｃ？ＩＯ５回路試験機により、上記の被覆
及び熱分解処理がデバイスの機能に全く影響を及ぼさな
いことが確認された。
この被覆を施した電子デバイスは、４時間半以上の間０
．ＩＭＮａ℃Ｉ溶液への暴露に耐え回路の故障を起こさ
なかった。一方、保護を施さないＣＭＯＳデバイスは、
１分未満の間の０．１ＭＮａＣ１溶液への暴露の後故障
してその機能を果たさなくなる。
五１ 例１〜６の平坦化及びパッシベーション被覆を施した電
子デバイス上に、次のようにして障壁被膜を施した。即
ち、５００トル（Ｔｏｒｒ）のへキサフルオロジシラン
を、予めセラミック化したケイ素窒素含有物質被膜を施
した電子デバイスとともにパイレックスガラス製反応容
器に導入した。ヘキサフルオロジシランは、大気に触れ
ないようにしてガラス容器に移送した。その後、この反
応容器を、真空ラインに取りつけ、内部を排気し、容器
をガス・酸素トーチを用いて真空下で完全に加熱した。
容器を天然ガス・酸素トーチを用いてシールし、炉中で
３０分間約３６０℃の温度で加熱した。この時に、出発
物質であるヘキサフルオロジシランが分解し、予め被覆
した電子デバイス上にケイ素含有トップコートが形成し
た。反応副生成物である種々のへロシラン及び未反応出
発物質を、容器を再び真空ラインに取りつけたのち排気
して除去した。
その後、出発物質であるヘキサフルオロジシランの分解
によりケイ素含有トップコートを施したセラミック被覆
電子デバイスを取り出した。
肛 例７と同様の操作により、ジクロロジシランを、セラミ
ック又はセラミック様ケイ素窒素含有材料で被覆した電
子デバイスの存在下で熱分解した。
これにより、アモルファスケイ素含有トップコートが、
セラミック又はセラミック様被膜を施した電子デバイス
上に付着した。この被覆電子デバイスを試験したところ
、全ての電子回路が動作可能であった。
以下余白

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、（ I ）（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂を溶媒
    で希釈し、得られる希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を電子デバイスに塗布し； （Ｂ）該希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を乾燥し
    て溶媒を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素
    シルセスキオキサン樹脂プレセラミック被膜を付着し； （Ｃ）該被覆された電子デバイスを、１５０〜１０００
    ℃の温度で加熱することにより、該水素シルセスキオキ
    サン樹脂プレセラミック被膜を二酸化ケイ素にセラミッ
    ク化してセラミック又はセラミック様平坦化被膜を生成
    することにより、電子デバイスを平坦化被膜で被覆し； （II）該セラミック又はセラミック様平坦化被膜に、 （ｉ）ケイ素窒素含有被膜、 （ｉｉ）ケイ素炭素含有被膜及び （ｉｉｉ）ケイ素炭素窒素含有被膜よりなる群から選ば
    れたパッシベーション被膜を施し、その際、該ケイ素窒
    素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上に施す場合
    、 （ａ）アンモニアの存在下における、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物の化学気相堆積法、 （ｂ）アンモニアの存在下における、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物のプラズマ化学気相堆積法及び （ｃ）ケイ素及び窒素含有プレセラミック重合体のセラ
    ミック化よりなる群から選ばれた手段により行い、該ケ
    イ素炭素窒素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上
    に施す場合、 （１）ヘキサメチルジシラザンの化学気相堆積法、 （２）ヘキサメチルジシラザンのプラズマ化学気相堆積
    法、 （３）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、
    アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
    シランあるいはそれらの混合物の化学気相堆積法及び （４）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、
    アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
    シランあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相堆積
    法よりなる群から選ばれた手段により行い、該ケイ素炭
    素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上に施す場合
    、 （ｉ）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在下における、アルキルシラン、ハロシラン、ハロ
    ジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混合物の化
    学気相堆積法及び （ｉｉ）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシラ
    ンの存在下における、ハロシラン、ハロジシラン、ハロ
    ポリシランあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相
    堆積法よりなる群から選ばれた手段により行い、該セラ
    ミック又はセラミック様パッシベーション被膜を生成し
    ； （III）該セラミック又はセラミック様パッシベーショ
    ン被膜に、 （ｉ）ケイ素被膜、 （ｉｉ）ケイ素炭素含有被膜、 （ｉｉｉ）ケイ素窒素含有被膜及び （ｉｖ）ケイ素炭素窒素含有被膜よりなる群から選ばれ
    たケイ素含有被膜を施し、その際、該ケイ素被膜を該パ
    ッシベーション被膜上に施す場合、 （ａ）シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシ
    ランあるいはそれらの混合物の化学気相堆積法、 （ｂ）シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシ
    ランあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相堆積法
    及び （ｃ）ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシランある
    いはそれらの混合物の金属アシスト化学気相堆積法より
    なる群から選ばれた手段により行い、該ケイ素炭素含有
    被膜を施す場合、 （１）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在下における、シラン、アルキルシラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物の化学気相堆積法及び （２）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在下における、アルキルシラン、ハロシラン、ハロ
    ジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混合物のプ
    ラズマ化学気相堆積法よりなる群から選ばれた手段によ
    り行い、該ケイ素窒素含有被膜を施す場合、（Ａ）アン
    モニアの存在下における、シラン、ハロシラン、ハロジ
    シラン、ハロポリシランあるいはそれらの混合物の化学
    気相堆積法、 （Ｂ）アンモニアの存在下における、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物のプラズマ化学気相堆積法及び （Ｃ）ケイ素及び窒素含有プレセラミック重合体のセラ
    ミック化よりなる群から選ばれた手段により行い、又、
    該ケイ素炭素窒素含有被膜を施す場合、 （ｉ）ヘキサメチルジシラザンの化学気相堆積法、 （ｉｉ）ヘキサメチルジシラザンのプラズマ化学気相堆
    積法、 （ｉｉｉ）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシ
    ランの存在及び更にアンモニアの存在下における、シラ
    ン、アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロ
    ポリシランあるいはそれらの混合物の化学気相堆積法及
    び （ｉｖ）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシラ
    ンの存在及び更にアンモニアの存在下における、シラン
    、アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポ
    リシランあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相堆
    積法よりなる群から選ばれた手段により行い、ケイ素含
    有被膜を生成して、それにより該電子デバイス上に多層
    セラミック又はセラミック様被膜を得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 ２、（ I ）（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂を溶媒
    で希釈し、得られる触媒添加希釈水素シルセスキオキサ
    ン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し； （Ｂ）該希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を乾燥さ
    せて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイス上に水
    素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック被膜を付着し
    ； （Ｃ）該被覆された電子デバイスを、１５０〜１０００
    ℃の温度で加熱することにより、該水素シルセスキオキ
    サン樹脂プレセラミック被膜を二酸化ケイ素にセラミッ
    ク化してセラミック又はセラミック様平坦化被膜を生成
    することにより、電子デバイスを平坦化被膜で被覆し； （II）該セラミック又はセラミック様平坦化被膜に、 （ｉ）ケイ素窒素含有被膜、 （ｉｉ）ケイ素炭素含有被膜及び （ｉｉｉ）ケイ素炭素窒素含有被膜よりなる群から選ば
    れたパッシベーション被膜を施し、その際、該ケイ素窒
    素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上に施す場合
    、 （ａ）アンモニアの存在下における、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物の化学気相堆積法、 （ｂ）アンモニアの存在下における、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物のプラズマ化学気相堆積法及び （ｃ）ケイ素及び窒素含有プレセラミック重合体のセラ
    ミック化よりなる群から選ばれた手段により行い、該ケ
    イ素炭素窒素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上
    に施す場合、 （１）ヘキサメチルジシラザンの化学気相堆積法、 （２）ヘキサメチルジシラザンのプラズマ化学気相堆積
    法、 （３）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、
    アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
    シランあるいはそれらの混合物の化学気相堆積法及び （４）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、
    アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
    シランあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相堆積
    法よりなる群から選ばれた手段により行い、該ケイ素炭
    素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上に施す場合
    、 （ｉ）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在下における、アルキルシラン、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物の化学気相堆積法及び （ｉｉ）炭素数１〜６のアルカンあるいはアルキルシラ
    ンの存在下における、アルキルシラン、シラン、ハロシ
    ラン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの
    混合物のプラズマ化学気相堆積法よりなる群から選ばれ
    た手段により行い、該セラミック又はセラミック様パッ
    シベーション被膜を生成し、それにより該電子デバイス
    上に二層セラミック又はセラミック様被膜を得ることか
    らなる、 基体上に二層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 ３、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂を溶媒で希釈し
    、得られる希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子
    デバイスに塗布することにより、該電子デバイスを平坦
    化被膜で被覆し； （Ｂ）該希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を乾燥さ
    せて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイス上に触
    媒添加水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック被膜
    を付着し；（Ｃ）該被覆された電子デバイスを、１５０
    〜１０００℃の温度で加熱することにより、該水素シル
    セスキオキサン樹脂プレセラミック被膜を二酸化ケイ素
    にセラミック化して、該電子デバイス上に単一層のセラ
    ミック又はセラミック様平坦化被膜を生成することから
    なる、 基体上に単一層のセラミック又はセラミック様平坦化被
    膜を形成する方法。 ４、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに被覆を施し； （Ｂ）反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物
    を気相にて１５０〜６００℃の温度で分解させることに
    より、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にケイ素含有被膜を施し、多層セラミック
    又はセラミック様被膜で被覆された電子デバイスを得る
    ことからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 ５、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに被覆を施し； （Ｂ）反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物
    及びアンモニアを気相にて１５０〜１０００℃の温度で
    分解させることにより、セラミック又はセラミック様被
    膜の施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有被膜を
    施し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆され
    た電子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 ６、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに、被覆を施し； （Ｂ）反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、アルキルシラン、
    シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又
    はこれらの混合物、及び炭素数１〜６のアルカン又はア
    ルキルシランを気相にて１５０〜１０００℃の温度で分
    解させることにより、セラミック又はセラミック様被膜
    の施された該電子デバイス上にケイ素炭素含有被膜を施
    し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された
    電子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 ７、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに被覆を施し； （Ｂ）反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、ヘキサメチルジシ
    ラザンを気相にて１５０〜１０００℃の温度で分解させ
    ることにより、セラミック又はセラミック様被膜の施さ
    れた該電子デバイス上にケイ素炭素窒素含有被膜を施し
    、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された電
    子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 ８、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに被覆を施し； （Ｂ）プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で１５０〜１０００℃の温度で加熱して
    セラミックケイ素窒素含有被膜を生成させることにより
    、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デ
    バイス上にケイ素窒素含有材料からなるパッシベーショ
    ン被膜を施し、 （Ｃ）反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシラン、又はこれらの混合
    物を気相にて１５０〜６００℃の温度で分解させること
    により、セラミック又はセラミック様被膜が施された該
    電子デバイスにケイ素含有被膜を施し、多層セラミック
    又はセラミック様被膜で被覆された電子デバイスを得る
    ことからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 ９、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに被覆を施し； （Ｂ）プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で１５０〜１０００℃の温度で加熱して
    セラミックケイ素窒素含有被膜を生成させることにより
    、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デ
    バイス上にケイ素窒素含有材料からなるパッシベーショ
    ン被膜を施し、 （Ｃ）反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物
    、及びアンモニアを気相にて１９０〜１０００℃の温度
    で分解させることにより、セラミック又はセラミック様
    被膜が施された該電子デバイスにケイ素窒素含有被膜を
    施し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆され
    た電子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 １０、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し； （Ｂ）プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で１５０〜１０００℃の温度で加熱して
    セラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成
    させることにより、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からな
    る平坦化被膜を施し、 （Ｃ）反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、アルキルシラン、
    シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又
    はこれらの混合物、及び炭素数１〜６のアルカン又はア
    ルキルシランを気相にて１５０〜１０００℃の温度で分
    解させることにより、セラミック又はセラミック様被膜
    が施された該電子デバイスにケイ素炭素含有被膜を施し
    、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された電
    子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 １１、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し； （Ｂ）プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で１５０〜１０００℃の温度で加熱して
    セラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成
    させることにより、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からな
    るパッシベーション被膜を施し、 （Ｃ）セラミック又はセラミック様被膜の施されたされ
    た該電子デバイスの存在下で、１５０〜１０００℃の温
    度でヘキサメチルジシラザンの化学気相堆積法を行うこ
    とにより、セラミック又はセラミック様被膜が施された
    該電子デバイスにケイ素炭素窒素含有被膜を施し、多層
    セラミック又はセラミック様被膜で被覆された電子デバ
    イスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 １２、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し； （Ｂ）プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で１５０〜１０００℃の温度で加熱して
    セラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成
    させることにより、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からな
    る平坦化被膜を施し、 （Ｃ）セラミック又はセラミック様被膜の施されたされ
    た該電子デバイスの存在下で、１５０〜１０００℃の温
    度でヘキサメチルジシラザンのプラズマ化学気相堆積法
    を行うことにより、セラミック又はセラミック様被膜が
    施された該電子デバイスにケイ素炭素窒素含有被膜を施
    し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された
    電子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 １３、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し； （Ｂ）プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で１５０〜１０００℃の温度で加熱して
    セラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成
    させることにより、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からな
    るパッシベーション被膜を施し、 （Ｃ）炭素数１〜６のアルカン又はアルキルシランの存
    在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、アル
    キルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラ
    ンあるいはそれらの混合物の化学気相堆積を行なうこと
    により、セラミック又はセラミック様被膜が施された該
    電子デバイスにケイ素炭素窒素含有被膜を施し、多層セ
    ラミック又はセラミック様被膜で被覆された電子デバイ
    スを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 １４、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し； （Ｂ）プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された・該
    電子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を
    付着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモ
    ニア含有雰囲気中で１５０〜１０００℃の温度で加熱し
    てセラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生
    成させることにより、セラミック又はセラミック様被膜
    の施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料から
    なる平坦化被膜を施し、 （Ｃ）炭素数１〜６のアルカン又はアルキルシランの存
    在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、アル
    キルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラ
    ンあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相堆積を行
    なうことにより、セラミック又はセラミック様被膜が施
    された該電子デバイスにケイ素炭素窒素含有被膜を施し
    、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された電
    子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 １５、（Ａ）水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    媒を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを１５０〜１０００℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し； （Ｂ）プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で１５０〜４００℃の温度で加熱してセ
    ラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成さ
    せて、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にケイ素窒素含有材料からなる平坦化被膜
    を施すことにより該電子デバイス上に二層セラミック又
    はセラミック様被膜を生成することからなる、 基体上に二層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 １６、（１）環状シラザン又は環状シラザン混合物と、
    ハロジシラン類及びハロシラン類よりなる群から選ばれ
    たケイ素含有物質とを反応させて得たケイ素及び窒素含
    有プレセラミック重合体を溶媒で希釈し； （２）得られる希釈プレセラミック重合体溶媒溶液を基
    体に塗布し； （３）該希釈プレセラミック重合体溶媒溶液を、空気の
    不存在下で乾燥して該溶媒を蒸発させることにより、該
    基体上にプレセラミック重合体被膜を付着させ； （４）該被覆された基体を、空気の不存在下で加熱して
    セラミック又はセラミック様被膜を得る、以上の工程か
    らなる基体をセラミック又はセラミック様ケイ素窒素含
    有物質で被覆する方法。 １７、基体が電子デバイスである特許請求の範囲第１６
    項記載の方法。 １８、前記被膜が層間誘導体層である特許請求の範囲第
    １項記載の方法。
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