JPS63144525A - 多層セラミック低温形成方法 - Google Patents

多層セラミック低温形成方法

Info

Publication number
JPS63144525A
JPS63144525A JP62303430A JP30343087A JPS63144525A JP S63144525 A JPS63144525 A JP S63144525A JP 62303430 A JP62303430 A JP 62303430A JP 30343087 A JP30343087 A JP 30343087A JP S63144525 A JPS63144525 A JP S63144525A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
coating
electronic device
preceramic
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62303430A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0642477B2 (ja
Inventor
ローレン アンドリュー ハルスカ
キース ウィントン マイケル
レオ ターヘイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=25469718&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPS63144525(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Publication of JPS63144525A publication Critical patent/JPS63144525A/ja
Publication of JPH0642477B2 publication Critical patent/JPH0642477B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5025Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
    • C04B41/5035Silica
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5053Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
    • C04B41/5062Borides, Nitrides or Silicides
    • C04B41/5066Silicon nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/52Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • C04B41/85Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/87Ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • C04B41/89Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02167Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/316Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/318Inorganic layers composed of nitrides
    • H01L21/3185Inorganic layers composed of nitrides of siliconnitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00844Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3121Layers comprising organo-silicon compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子デバイスの表面に薄い多層セラミック又
はセ“ラミック様被膜を低温で形成することにより、電
子デバイスの保護を促進することに関する。
〔従来技術及びその問題点〕
多様な環境条件下で用いられる電子デバイスには、種々
な環境応力の中でも特に、湿気、熱、摩擦に対する耐性
を有することが必要である。電子デバイスの信頼性を向
上させることのできる電子デバイス用被膜の製造に関し
て、かなりの研究報告がなされてきた。しかしながら、
セラミックパッケージ及び金属パンケージをはじめとす
る今日までに利用可能な公知の被膜のいずれも、単独で
は全ての環境応力に対して、電子デバイスを十分に保護
することはできない。
電子デバイスに関する故障の共通の原因の一つは、半導
体チップの表面バッシベーショ1ンにおいて微小亀裂あ
るいはボイドが生じ、そのため不純物が侵入することに
ある。従って、電子デバイスの無機被膜において微小亀
裂、ボイドあるいはピンホールの形成を防止する方法が
必要とされている。
電子デバイスに施されるパッシベーション被膜は、電子
デバイスに侵入し電子信号の伝達を妨害する塩素イオン
CCI!−)及びナトリウムイオン(Na ’ )等の
イオン性不純物に対fる障壁となる。
又、パッシベーション被膜は、湿気及び揮発性有機薬品
から電子デバイスを保護するのにも施すことができる。
非晶質ケイ素(以下、ra−SiJと称する)膜に関し
て、電子産業における種々の用途に用いることについて
鋭意研究がなされてきたが、a−3i膜を電子デバイス
の環境保護あるいは気密保護に用いることについては知
られていない。a−Si膜の形成については、これまで
に多数の方法が提案されてきた。例えば、非晶質ケイ素
膜の製造には、化学気相堆積法(CVD) 、プラズマ
化学気相堆積法(plasma enhanced C
VD)、反応スパッタリング、イオンブレーティング及
び光CVDなどの堆積法が用いられてきた。特に、プラ
ズマcvn法は、工業化され、a−Si膜の付着に広く
用いられている。
電子デバイス本体内及び金属化層間の中間層として、基
体の平坦化を利用することが当業者において公知である
。即ち、グプタ(Gupta)及びチン(Chin) 
(Microelectronics Process
ing 、第22章、”Characteristic
s of 5pin−On Glass Fils’s
 as aPlanarizing Dielectr
ic”、第349〜365頁、アメリカ化学会、198
6年〕は、ドープあるいはノンドープのSin、ガラス
層から成る従来の眉間誘電体絶縁層による、金属化層の
融離を伴った多層配線系を示した。しかしながら、CV
D誘電体膜は、せいぜい、上に被覆される金属化層によ
る連続的で且つ均一なステップ被覆に対して有用でない
、基体の形状に相似の被覆を提供するのみである。この
不十分なステップ被覆のため、導体ライン中に、不連続
点及び薄いスポットが生じ、金属化収率の低下のみなら
ずデバイスの信頼性に関する問題を招くことになる。金
属化層間の眉間隔離のために、スピン・オンガラス層が
利用されており、そ2の最上層には、後でリソグラフ法
によりパターンが形成される。但し、眉間誘電体層の平
坦化とは異なり、電子デバイス表面のトップコート平坦
化は知られていない。
従って、従来技術が教示するように、多くの場合、単一
材料では、電子産業の分野で見られるような特殊被膜用
途の絶えず増加する要求を満足させることはできない、
ミクロ硬度、防湿性、イオン障壁、密着性、展性、引っ
張り強度、熱膨張係数等の数多くの被膜特性は、異種被
膜の連続層により付与することが必要である。
シラザン等のケイ素及び窒素含有プレセラミック重合体
が、ガウル(Gaul)による1983年9月13日発
行の米国特許第4,404.153号等多くの特許に開
示されている。上記ガウル特許には、塩素含有ジシラン
を、(R’5SihNtl (但し、R゛は、ビニル基
、水素、炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基〕と
接触反応させることによる、R’zSiNH−含有シラ
ザン重合体の製造方法が開示されている。ガウルは、又
、同特許において、ケイ素炭素窒素含有セラミック材料
を製造におけるプレセラミックシラザン重合体の使用を
教示している。
又、ガウルは、1982年1月26日発行の米国特許第
4.312.970号に開示しているように、オルガノ
クロロシランとジシラザンを反応させ、得られたプレセ
ラミックシラザン重合体を熱分解して、セラミック材料
を製造した。
更に、ガウルは、1982年7月20日発行の米国特許
第4,340,619号に開示しているように、塩素含
有ジシランとジシラザンとを反応させ、得られたプレセ
ラミックシラザン重合体を熱分解して、セラミック材料
を製造した。
一方、キャナデ4− (Cannady)は、1985
年9月10日発行の米国特許第4,540.803号に
開示しているように、トリクロロシランとジシラザンと
を反応させ、得られたプレセラミンクシラザン重合体を
熱分解して、セラミック材料を製造した。
又、フライ(Frye )及びコリンズ(Collin
s)は、1971年10月26日発行の米国特許第3,
615.272号及びフライ等(Frye et at
)、ジャーナル・オン・アメリカン・ソサイアティ(J
、八−1Chem、 Soc、)、第92S、第558
6頁、1970年において、水素シルセスキオキサン樹
脂の生成を教示している。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、電子デバイスの表面に、薄い多層セラミック
あるいはセラミック様被膜を低温で形成し、電子デバイ
スの保護を促進することに関する。
即ち、触媒添加水素シルセスキオキサン樹脂とケイ素含
有材料、ケイ素及び炭素含有材料、ケイ素及び窒素含有
材料、又はケイ素炭素窒素含有材料からなる一種以上の
セラミック又はセラミック様被膜から、電子デバイス用
被膜を形成する方法に関する。
本発明は、電子デバイス保護用単一層及び多層被膜の低
温形成に関する9本発明の単一層被膜は、電子デバイス
上へ水素シルセスキオキサン樹脂()lsi(hz□)
、の溶媒溶液を付着しセラミック化して得られる二酸化
ケイ素被膜から成る8本発明の二層被膜は、(1)電子
デバイス上へ水素シルセスキオキサン樹脂(H3iOi
。)、の溶媒溶液を付着させ熱処理によってSiO□含
有材料にセラミック化して形成される被膜と、(2)ケ
イ素含有材料、又はケイ素窒素含有材料、又はケイ素炭
素窒素含有材料のトップコートから成る。
電子デバイス上に適用される第1層は、フローコート法
、スピンコード法、浸漬決心スプレー法等の公知技術を
用いて電子デバイス上に塗布されるSi0g平坦化及び
パッシベーション被膜である。
又、二III被膜の第2層は、アルカン及び/又はアン
モニアを加えたあるいは加えないシラン、ハロシラン、
ハロジシラン、ハロポリシラン、アルキルシラン、ある
いはそれらの混合物のCvD又はプラズマCVDにより
得られるケイ素含有材料のバーXチック型障壁被膜であ
る。金属アシストCVD法が5udarsanan V
araprathの’Siljlon−contain
ingCoating and a Method f
or Their Preparation’という名
称を有する並行米国特許出願第835,029号(19
86年2月28日出願)の特許請求の範囲に記載されて
いる。
又、本発明は、電子デバイス保護用三層被膜システムの
形成に関する。この被膜システムの第1層は、水素シル
セスキオキサン樹脂(H5iOzzt) nの溶媒溶液
から得たSiO□含有平坦化被膜であり、この被膜は、
加熱処理により、材料のセラミック化が起こり、実質的
にSin、含有材料を生成する。
パノシヘーションに用いられる第2w1は、プレセラミ
ックケイ素窒素含有重合体被膜のセラミック化により得
られるセラミック又はセラミック様被膜、あるいは熱、
uv、 cvo 、プラズマCVD又はレーザ法により
付着がなされるケイ素窒素含有層、ケイ素炭素窒素含有
層又はケイ素炭素含有層である。本発明の上記三層被膜
の第31は、(a)ハロシラン、ハロジシラン、ハロポ
リシラン又はこれらの混合物のCVO、プラズマCvD
又は金属アシストCvDにより施されるケイ素含有材料
、又は(b)ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラ
ン又はこれらの混合物とアルカン又はアルキルシランと
のCシロ又はプラズマCVDにより施されるケイ素炭素
含有材料、又は(c)ハロシラン、ハロジシラン、ハロ
ポリシラン又はこれらの混合物とアンモニアとのCVD
又はプラズマCvDにより施されるケイ素窒素含有材料
、又は(d)ヘキサメチルジシラザン又はシラン、アル
カン、アルキルシランとアンモニアとの混合物のCVD
又はプラズマCVOにより施されるケイ素炭素窒素含有
材料から成るトップ被膜である。
本発明は、水素シルセスキオキサン樹脂(H3iOsz
z) −78媒溶液のセラミック化により得られる二酸
化ケイ素(Si(b含有)セラミンク又はセラミック様
被膜を電子デバイス及び集積回路に適用してそのデバイ
ス又は回路を環境から保護することができるとの発見に
関する。
本発明の目的の一つは、炭素を含有しない前駆体材料か
ら、基本上にセラミック又はセラミック様平坦化被膜を
生成する方法を従供することにある。この目的は、水素
シルセスキオキサン樹脂(H5iOs7□) n 溶r
flを基体上に付着しセラミック化して用いることによ
り、本発明の方法で達成することができる。
本発明により被覆される基体の選択は分解容器の雰囲気
中の低い分解温度での熱的及び化学的安定性の必要によ
って制約されるだけである。
本発明のもう1つの目的は、炭素を含有しない前駆体材
料から電子デバイス上にセラミック又はセラミック様パ
フシベーション被膜を生成する方法を提供することにあ
る。この目的は、水素シルセスキオキサン樹脂(HSi
(hz□)7溶液を電子デバイス上に付着しセラミック
化して用いることにより、本発明の方法で達成すること
ができる。
更に、本発明は、これらの二酸化ケイ素(SiO□含有
)セラミック又はセラミック様被膜を、種々のケイ素、
炭素及び/又は窒素含有材料とともに被覆することによ
り、電子デバイス及び他の集積回路を保護することがで
きることについての発見に関する。
本発明による被膜は電子デバイスの環境からの保護のほ
かに機能的用途においても有用である。
本発明による被膜は誘導体層、トランジスタのようなデ
バイスを作るドープト誘導体層、キャパシタ及びキャパ
シタ様デバイスを作るケイ素含有顔料添加バインダ系、
多層デバイス、3−Dデバイス、シリコン・オン・絶縁
体(SOI)デバイス、超格子デバイス、等にも有用で
ある。
本発明で、「セラミック様」とは、残存炭素及び/又は
水素が全く含有しないというわけではないが、その他の
点ではセラミックに類似の性質を有する熱分解材料を意
味する。本発明において、「電子デバイス」は、限定す
るわけではないが、i子デバイス、シリコン基デバイス
、ガリウム砒素デバイス、フォーカルプレーンアレイ、
光電子デバイス、光電池、光デバイス、誘電体層、トラ
ンジスタ様デバイス製造のためのドープ誘電体層、コン
デンサ又はコンデンサ様デバイス、製造のためのケイ素
含有顔料添加バインダーシステム、多層デバイス、3−
Dデバイス、シリコン・オン・インシュレータ(Sol
)デバイス、超格子デバイス等を含む。
更に、本発明は、プラズマCVD 、金属アシストCV
D法等のCVD法によりトップコートを形成することか
ら成る、セラミック又はセラミック様材料で被覆された
電子デバイス用トップ被膜を形成する方法に関する。
更に、本発明は、(A)水素シルセスキオキサン樹脂(
HSiOz/z) *を溶媒で低固形濃度に希釈し、得
られる希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバ
イスに塗布することにより電子デバイスを平坦化被膜で
被覆し:(B)該希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液
を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
ス上に水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック被膜
を付着し;(C)該被覆されたデバイスを、150〜1
000℃の温度で加熱することにより、該水素シルセス
キオキサン樹脂プレセラミック被膜を二酸化ケイ素にセ
ラミック化し、該デバイス上にセラミック又はセラミッ
ク様5int平坦化被膜を生成させることからなる、基
体上にセラミック又はセラミック様5t(h被膜を形成
する方法に関する。
本発明の方法の従来技術の方法に優る利点は、150℃
という低温で調製される希釈水素シルセスキオキサン樹
脂(H5iO,7□)、、溶液から付着する被膜の安定
性にある。従って、本発明の好ましい態様は200〜4
00℃の温度で被膜を形成する上記の方法にある。この
温度範囲は従来技術の温度より著しく低い。
更に、本発明は、(A)水素シルセスキオキサン樹脂(
H3iO+z□)nを溶媒で希釈し、得られる希釈水素
シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
該希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を乾燥させて溶
媒を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素シル
セスキオキサン樹脂プレセラミック被膜を付着し、該被
覆された電子デバイスヲ150〜1000℃あ温度で加
熱することにより、該水素シルセスキオキサン樹脂プレ
セラミック被膜を二酸化ケイ素にセラミック化し、該電
子デバイス上にセラミック又はセラミック様5in2平
坦化被膜を生成し;(B)反応室中で、セラミック又は
セラミック様被膜の施された該デバイスの存在下で、シ
ラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又は
これらの混合物を気相にて200〜600℃の温度で分
解させることにより、セラミック又はセラミック様St
ow被膜の施された該電子デバイス上にケイ素含有被膜
を施し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆さ
れた電子デバイスを得ることからなる、基体上に多層セ
ラミック又はセラミック様被膜を形成する方法に関する
電子デバイスに平坦化又はパッシベーション被膜を施す
ことは、フローコート、スピンコード、スプレー法、浸
漬法等により行うことができるが、これらに限定される
ものではない。
更に、本発明は、(八)水素シルセスキオキサン樹脂(
HSiOiz□)、、を溶媒で希釈し、得られる希釈水
素シルセスキオキサン樹脂(HSiO+zz) n溶液
を電子デバイスに塗布し、該希釈水素シルセスキオキサ
ン樹脂溶液(HSio:+z□)fiを乾燥させて溶媒
を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素シルセ
スキオキサン樹脂(HSiO3/z) 、1プレセラミ
ツク材料被膜を付着し、該被覆された電子デバイスを1
50〜1000℃の温度で加熱することにより、該水素
シルセスキオキサン樹脂(tlsi037z)r+プレ
セラミック材料被膜を二酸化ケイ素にセラミック化し、
セラミック又はセラミック様被膜を生成し;(B)プレ
セラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に希釈し、得
られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重合体溶液を
セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバ
イスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発させ、セラ
ミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバイス
上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付着し、該電
子デバイスを不活性又はアンモニア含有雰囲気中で15
0〜1000℃の温度で加熱して該電子デバイス上にセ
ラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成す
ることにより、セラミック又はセラミック様被膜の施さ
れた該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からなるパ
ッシベーション被膜を施すことからなる、基体上に多層
セラミック又はセラミック様被膜を形成する方法に関す
る。
更に、本発明は、(A)水素シルセスキオキサン樹脂(
HSiO,、□)7を溶媒で希釈し、得られる希釈水素
シルセスキオキサン樹脂(HSiO3z□)、、溶液を
電子デバイスに塗布し、該希釈水素シルセスキオキサン
樹脂溶液(HSiOz;x)−を乾燥させて溶媒を蒸発
することにより、該電子デバイス上に水素シルセスキオ
キサン樹脂(HSi03z□)、、プレセラミック材料
被膜を付着し、該被覆された電子デバイスを150〜1
000℃の温度で加熱することにより、該水素シルセス
キオキサン樹脂(HSiO+/z) nプレセラミック
材料被膜を二酸化ケイ素にセラミック化してセラミック
又はセラミック様被膜を生成し;(B )反応室中で、
セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバ
イスの存在下で、シラン、アルキルシラン、ハロシラン
、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物、
及び炭素数1〜6のアルカン類、アルキルシラン類及び
アルキルハロシラン類よりなる群から選ばれた物質を気
相にて150〜1000℃の温度で分解させることによ
り、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子
デバイス上にケイ素炭素含有被膜を施し、多層セラミッ
ク又はセラミック様被膜で被覆された電子デバイスを得
る′ことからなる、基体上に多層セラミック又はセラミ
ック様被膜を形成する方法に関する。
更に、本発明は、(^)水素シルセスキオキサン樹脂(
H3iOs7g)−を溶媒で希釈し、得られる希釈水素
シルセスキオキサン樹Bu (HSi037z) 、溶
液を電子デバイスに塗布し、該希釈水素°シルセスキオ
キサン樹脂溶液(HSiO+/z)−を乾燥させて溶媒
を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素シルセ
スキオキサン樹脂(l(SiO+zz)r+プレセラミ
ック材料被膜を付着し、該被覆された電子デバイスを1
50〜1000℃の温度で加熱することにより、該水素
シルセスキオキサン樹脂(HSio、7□)7ブレセラ
ミツク材料被膜を二酸化ケイ素にセラミック化してセラ
ミック又はセラミック様被膜を生成し;(B )プレセ
ラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に希釈し、得ら
れる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重合体溶液をセ
ラミック又はセラミ・ノク様被膜の施された該電子デバ
イスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発させてセラ
ミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバイス
上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付着し、該被
覆された電子デバイスを不活性又はアンモニア含有雰囲
気中で150〜1000℃の温度で加熱してセラミック
又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成さることに
より、セラミック又はセラミック様被膜の施された該デ
バイス上にケイ素窒素含有材料からなるパッシベーショ
ン被膜を施し、(C)反応室中で、セラミック又はセラ
ミック様被膜の施された該電子デバイスの存在下で、シ
ラン、ハロシラン、ハロジシラン若しくはハロポリシラ
ン又はこれらの混合物を気相にて150〜600℃の温
度で分解させることにより、セラミック又はセラミック
様被膜が施された該電子デバイスにケイ素含有被膜を施
し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された
電子デバイスを得ることからなる、基体上に多層セラミ
ック又はセラミック様被膜を形成する方法に関する。
更に、本発明は、(A)水素シルセスキオキサン樹脂(
HSi03zz) *を溶媒で希釈し、得られる希釈水
素シルセスキオキサン樹脂(H3iO:+zz) n溶
液を電子デバイスに塗布し、該希釈水素シルセスキオキ
サン樹脂溶液(H5t(1+7z) nを乾燥させて溶
媒を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素シル
セスキオキサン樹脂(H5i(:hzz)−プレセラミ
ック材料被膜を付着し、該被覆された電子デバイスを1
50〜1000℃の温度で加熱することにより、該水素
シルセスキオキサン樹脂(HSiOiz□)、lプレセ
ラミック材料被膜を二酸化ケイ素にセラミック化し、セ
ラミック又はセラミック様被膜を生成し;(B)プレセ
ラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に希釈し、得ら
れる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重合体溶液をセ
ラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバイ
スに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素窒素含有重合
体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発させてセラミ
ック又はセラミック様被膜の施された該電子デバイス上
にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付着し、該被覆
された電子デバイスを不活性又はアンモニア含有雰囲気
中で150〜1000℃の温度で加熱してセラミック又
はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成さることによ
り、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子
デバイス上にケイ素窒素含有材料からなるパッシベーシ
ョン被膜を施し、(C)反応室中で、セラミック又はセ
ラミック様被膜の施された該電子デバイスの存在下で、
シラン、ハロシラン、ハロジシラン若しくはハロポリシ
ラン又はこれらの混合物とアンモニアとを気相にて15
0〜1000℃の温度で分解させることにより、セラミ
ック又はセラミック様被膜が施された該電子デバイスに
ケイ素窒素含有被膜を施し、多層セラミック又はセラミ
ック様被膜で被覆された電子デバイスを得ることからな
る、基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形
成する方法に関する。
更に、本発明は、(A)水素シルセスキオキサン樹脂(
H5i(hzz)++を溶媒で希釈し、得られる希釈水
素シルセスキオキサン樹脂(H5i(h7□)fi溶液
を電子デバイスに塗布し、該希釈水素シルセスキオキサ
ン樹脂溶液(H5iO:+z□)、Iを乾燥させて溶媒
を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素シルセ
スキオキサン樹脂(H3i(hzz)++lプレセラミ
ック材料被膜付着し、該被覆された電子デバイスヲ15
0〜1000℃の温度で加熱することにより、該触媒添
加水素シルセスキオキサン樹脂(H5i(llz□)7
プレセラミツク材料被膜を二酸化ケイ素にセラミック化
し、セラミック又はセラミック様被膜を生成し;(B)
プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に希釈し
、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重合体溶
液をセラミック又はセラミック様被膜の施された該電子
デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素窒素含
有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発させて
セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デバ
イス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付着し、
該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニア含有
雰囲気中で150〜1000”Cの温度で加熱してセラ
ミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成さる
ことにより、セラミック又はセラミック様被膜の施され
た該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からなるパッ
シベーション被膜を施し、(C)反応室中で、セラミッ
ク又はセラミック様被膜の施された該電子デバイスの存
在下で、シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
シラン、アルキルシラン又はこれらの混合物、と炭素数
1〜6のアルカン又はアルキルシランとを気相にて15
0〜1000℃の温度で分解させることにより、セラミ
ック又はセラミック様被膜の施された該電子デバイス上
にケイ素炭素含有被膜を施し、多層セラミック又はセラ
ミック様被膜で被覆された電子デバイスを得ることから
なる、基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を
形成する方法に関する。
本発明において、水素シルセスキオキサン樹脂(H3i
O,7□)7は、n−へブタンあるいはトルエン等の溶
媒で希釈される(例えば、0.1〜10重量%)。
その後、得られたプレセラミック溶媒溶液を、電子デバ
イスに塗布し、周囲条件下で乾燥して溶媒を蒸発させる
。電子デバイスへのプレセラミック重合体溶液の塗布は
、スピンコード、浸漬法、スプレー法あるいはフローコ
ートにより行うことができるが、これらの方法に限定さ
れるものではない。これによりプレセラミック重合体被
膜が電子デバイスに付着し、被覆された電子デバイスを
、例えば、400℃で約1時間加熱すると、被膜がセラ
ミック化される。このようにして、2μm未満(即ち約
3000〜5000人)の薄いセラミック又はセラミッ
ク様平坦化被膜が電子デバイス上に生成する。生成した
平坦化被膜は、次に、本発明によるケイ素窒素含有セラ
ミック又はセラミック様パフシベーシaン被膜あるいは
CVDで施したケイ素含有被膜、ケイ素炭素含有被膜ケ
イ素窒素含有被膜、若しくはケイ素炭素窒素含有被膜あ
るいはこれらの被膜の組み合わせにより被覆される。
本発明における複合被膜の第二及びパッシベーションケ
イ素窒素含有層は、イオン性不純物に対する耐性を付与
する0本発明に用いられる好ましいプレセラミックケイ
素窒素含有重合体は、この技術分野において公知のもの
でよく、例えば、シラザン類、ジシラザン類、ポリシラ
ザン類、環状シラザン類及び他のケイ素窒素含有物質が
挙げられるがこれらのものには限定されない。本発明に
用いられる好ましいプレセラミックケイ素窒素含有重合
体は、高温でセラミンク又はセラミック物質に変わるこ
とのできるものでなければならない。
又、プレセラミックシラザン重合体及び/又は他のケイ
素及び窒素含有物質の混合物も本発明に用いることがで
きる。本発明において用いるのに好ましいプレセラミッ
クシラザン重合体あるいはポリシラザン類としては、例
えば、米国特許第4.312.970号(1982年1
月26日発行)、米国特許第4,340,619号(1
982年7月20日発行)、米国特許第4,395,4
60号(1983年7月26日発行)及び米国特許第4
,404.153号(1983年9月13日発行)にお
いてガウルにより記載されているポリシラザン類が挙げ
られる。又、米国特許第4,482.689号(198
4年11月13日発行)においてハルスカ(Halus
ka)により記載されているもの、米国特許第4.39
7,828号(1983年8月9日発行)においてセイ
ファース等(Seyferth et al)により記
載されているもの及び米国特許第4.482,669号
(1984年11月13日発行)においてセイファース
等(Seyferthet al)により記載されてい
るものも好ましいポリシラザン類として挙げられる。本
発明において用いるのに好ましい他のポリシラザン類と
して、例えば、米国特許第4.540,803号(19
85年9月1o日発行)、米国特許第4.535,00
7号(1985年8月13日発行)及び米国特許第4,
543.344号(1985年9月24日発行)におい
てキャナディ(Cannady)により開示されている
もの、及び1984年9月21日出願の米国特許出願筒
652.939号においてバニー等(Baney et
 al)により記載されているものを挙げることができ
る。又、H,SiX、(但し、Xはハロゲン原子を示す
)とNH3との反応により得られるジヒドリドシラザン
重合体も本発明において好ましく用いられる。これらの
(11□5iONH)、1重合体は、この技術分野にお
いてよく知られているものであるが、いままで電子デバ
イスの保護には用いられたことはなかった(例えば、1
983年8月9日発行の米国特許第4.397.828
号参照)。
更に、本発明において、電子デバイスの保護に有効なケ
イ素窒素含有重合体物質として、環状シラザン類とハロ
ゲン化ジシラン類の反応から誘導した新規なプレセラミ
ック重合体、及び環状シラザン類とハロシラン類の反応
から誘導した新規なプレセラミック重合体が挙げられる
。これらの物質は、ローレン・エイ(Loren A)
により出願された”NovelPreceramic 
Polymers Derived FromCycl
ic  5ilazanes  And  Halog
enated  DisilanesAnd A Me
thod For Their Preparatio
n’ と題した米国特許出願第926.145号及び“
Novel PreceramicPolymers 
Derived Frot* Cyclic 5ila
zanes AndHalosilanes And 
A Method For Their Prepar
ation”と題した米国特許出願第926 、607
号に開示され且つ特許請求の範囲に記載されている。環
状シラザン類及びハロシラン類及び/又はハロゲン化ジ
シラン類より誘導された上記の新規なプレセラミックケ
イ素窒素含有重合体も、プレセラミック重合体のセラミ
ック化に必要な温度に耐えることのできるよう基体を保
護するのに有効である。更に他のケイ素及び/又は窒素
含有物質も本発明に好ましく使用することができる。
本発明において、ケイ素及び窒素を含有するプレセラミ
ック重合体は、低固形分濃度(例えば、0.1〜5重量
%)までトルエン又はn−へブタン等の溶媒で希釈する
。得られるケイ素窒素含有重合体溶媒溶液を、予めセラ
ミック化した5t02含有物質で被覆した電子デバイス
に塗布し、その後、不活性雰囲気あるいはアンモニア含
有雰囲気で乾燥して溶媒を蒸発させる。これによりプレ
セラミック重合体被膜が付着し、被覆された電子デバイ
スをアルゴン雰囲気中で最大400℃の温度で約1時間
加熱することによりこの膜をセラミック化する。このよ
うにして、2μm未満(即ち、約3000〜5000人
)の薄いセラミック又はセラミック様パッシベーション
被膜を、該電子デバイス上に生成する。
このケイ素窒素含有プレセラミック重合体をセラミック
化あるいは部分的にセラミック化するのに好ましい温度
範囲は、200〜400℃である。ケイ素窒素含有プレ
セラミック重合体をセラミック化するためのより好まし
い温度範囲は、300〜400℃である。しかしながら
、ケイ素窒素含有被膜のセラミック化あるいは部分セラ
ミック化のために熱を加える方法は、従来の熱的方法に
は限られない。本発明において、平坦化及びパッシベー
ション被膜として有用なケイ素窒素含有重合体被膜は、
例えば、レーザビームの照射等地の放射手段により硬化
してもよい。又、本発明におけるセラミック化温度は4
00℃には限定されない。即ち、最大1000℃あるい
は少なくとも1000℃を含む温度を使用してのセラミ
ック化法は、当業者において公知であり、基体がそのよ
うな温度に耐えうろことができる場合には本発明におい
て使用することができる。
本発明において、「硬化」とは、固体の高分子セラミッ
ク又はセラミック様被膜物質が生成するまでの加熱によ
る出発物質の共反応及びセラミック化又は部分セラミッ
ク化を意味する。
一方、本発明の三層被覆において、第二及びパッシベー
ション被膜は、ケイ素窒素含有物質、ケイ素炭素窒素含
有物質、及びケイ素炭素含有物質よりなる群から選ばれ
たものでよい。ケイ素窒素含有物質は、シラン、ハロシ
ラン類、ハロポリシラン類又はハロジシラン類とアンモ
ニアを反応させて得られる反応生成物のCvD又はプラ
ズマCV[)により適用する。又、ケイ素炭素含有物質
は、シラン、アルキルシラン、ハロシラン類、ハロポリ
シラン類又はハロジシラン類と炭素数1〜6のアルカン
又はアルキルシランを反応させて得られる反応生成物の
CVD又はプラズマCVOにより適用する。一方、ケイ
素炭素窒素含有物質は、ヘキサメチルジシラザンのCV
D若しくはPECVD 、又はシラン、アルキルシラン
、炭素数1〜6アルカンとアンモニアとからなる混合物
のCVD若しくはPECVDにより適用する。
又、本発明の複合被膜のケイ素含有第三層、即ちトップ
コートは、前出米国特許出願第835 、029号の特
許請求の範囲に記載されている上記の金属アシストCv
D法、又は従来の非金属アシストCvD若しくはプラズ
マCvO法により、比較的低い反応温度で得ることがで
きる。金属アシストCVD法は、5iC1,,5iBr
、 、H5iI3 、H5iCh及びHSiBr3から
被膜を堆積するのに特に適している。本発明により被覆
すべき基体及び電子デバイスは、分解容器の雰囲気にお
ける低い分解温度での基体の熱的及び化学的安定性の必
要性によってのみ制限される。
本発明の方法により、セラミック化した水素シルセスキ
オキサン樹脂()ISi(hz□)7材料及びセラミッ
ク化したケイ素窒素含有材料で被覆した電子デバイス上
にケイ素含有トップコートが施される。
この厚みは、還元されるハロゲン化ケイ素の濃度により
、任意に変えることができる。本発明のトップコートは
、公知の方法により付着することができる。
以下余白 〔発明の効果〕 本発明の方法により生成される被膜は、欠陥密度が低く
、電子デバイスの保護被膜、耐蝕及び耐摩耗被膜、耐熱
性及び耐湿性被膜、Na’及びC1−等のイオン性不純
物に対する拡散障壁並びに誘電体層として役立つ。本発
明によるケイ素窒素含有セラミック又はセラミック様被
覆は電子デバイス本体内及び金属化層間の中間絶縁体層
として有用であり、スピン・オン・ガラス層の代りに用
いることができる。
本発明による被膜は電子デバイスの環境からの保護のほ
かに機能的用途にも有用である。また、この被膜は、誘
電体層、トランジスタ様デバイス製造用ドープト誘電体
層、コンデンサ及びコンデンサ様デバイス製造用のケイ
素含有顔料添加バインダシステム、多層デバイス、3−
Dデバイス、シリコン・オン・インシュレータ(SOI
)デバイス並びに超格子装置、としても有用である。
本発明により製造される被膜の他の特有な点は、電磁線
に対する透明性にある。従って、本発明の被膜の特異な
利点は、電磁線が被覆した電子デバイスに入ったり出た
りすることのできるフォーカルブレーンアレイ、光起電
電池あるい′は光電子デバイスに利用できる点にある。
〔実施例〕
以下、本発明を次に示す例により更に説明するが、特許
請求の範囲はこれらのものに限定されない。
■土 1971年10月26日発行のフライ(Frye)等に
よる米国特許第3.615.272号に記載の方法によ
り製造される水素シルセスキオキサン樹脂を含有するプ
レセラミック重合体を、1重量%の低固形分濃度となる
ようにn−へブタンに希釈した。次に、プレセラミック
重合体溶媒溶液を、フローコート法によりCMO3電子
デ電子デバイ塗上し、60分間乾燥して溶媒を蒸発させ
た。水素シルセスキオキサン樹脂を、上記の被覆した電
、子デバイスを2インチのリンドベルグ炉中で約60分
間400℃で加熱することにより、セラミック化し、電
子デバイス上にSin。
含有膜を形成した。
■ 例1の1重量%の被膜溶液でRC44011CMOS電
子デバイスをフローコートした。その被膜を空気中で1
0分間乾燥した後、400℃1時間で熱硬化させた。こ
れによって電子デバイス上に厚み2μm未満(即ち、約
4000人)のセラミック又はセラミック様SiO□含
有平坦゛化被膜が形成された。
■ユ 米国特許第4.540.803号の例1に記載されてい
るキャナディの方法により製造したプレセラミックシラ
ザン重合体を、0.1重量%となるようにトルエンで希
釈した。その後、このプレセラミックシラザン重合体溶
媒溶液を、例1及び2の被覆電子デバイスにフローコー
ト法により塗布し、空気の不存在下で乾燥して溶媒を蒸
発させた。これにより、プレセラミック重合体パッシベ
ーション被膜が付着した。この被覆した電子デバイスを
、アルゴン雰囲気下で約1時間400℃で加熱すること
により、被膜をセラミック化した。このようにして、2
μm未満(即ち、約3000人)の薄いケイ素窒素含有
セラミック又はセラミック様パッシベーション被膜を電
子デバイス上に生成した。
■土 米国特許第4,482.689号の例13に記載されて
いるハルスカ(Haluska)の方法により製造した
、約5%のチタンを含有するプレセラミックシラザン重
合体を、例3と同様の方法により、被覆電子デバイスに
フローコート法により塗布し、乾燥して溶媒を蒸発させ
た。これにより、ケイ素窒素含有プレセラミック重合体
被膜が付着した。この被覆したデバイスを、アルゴン雰
囲気下で約1時間最高400℃の温度で加熱することに
より、被膜をセラミック化した。このようにして、2μ
m未満(即ち、約3000人)の薄いケイ素窒素含有セ
ラミック又はセラミック様パッシベーション被膜を電子
デバイス上に生成した。
肛 米国特許第4.395.460号の例1に記載されてい
るガウル(Gaul)の方法により製造したプレセラミ
ックシラザン重合体を、例3の手順により、SiO□含
有被膜を施した電子デバイス上に塗布し、乾燥して溶媒
を蒸発させた。これによりプレセラミック重合体被膜が
付着した。この被覆した電子デバイスを、アルゴン雰囲
気下で約1時間最高400℃の温度で加熱することによ
り、被膜をセラミック化した。このようにして、2゛μ
m未満(即ち、約3000人)の薄いケイ素窒素含有セ
ラミック文はセラミック様パッシベーション被膜を電子
デバイス上に生成した。
肛 米国特許第4.397,828号の例1に記載されてい
るセイフェルス(Seyferth)の方法により製造
したジヒドリドシラザン重合体の1〜2重量%ジエチル
エーテル溶液を、例1の方法により予め被覆を施した電
子デバイス上にフローコート法により塗布した。この被
覆電子デバイスを窒素雰囲気下で400℃の温度で1時
間加熱した。C?IO5回路試験機により、上記の被覆
及び熱分解処理がデバイスの機能に全く影響を及ぼさな
いことが確認された。
この被覆を施した電子デバイスは、4時間半以上の間0
.IMNa℃I溶液への暴露に耐え回路の故障を起こさ
なかった。一方、保護を施さないCMOSデバイスは、
1分未満の間の0.1MNaC1溶液への暴露の後故障
してその機能を果たさなくなる。
五1 例1〜6の平坦化及びパッシベーション被覆を施した電
子デバイス上に、次のようにして障壁被膜を施した。即
ち、500トル(Torr)のへキサフルオロジシラン
を、予めセラミック化したケイ素窒素含有物質被膜を施
した電子デバイスとともにパイレックスガラス製反応容
器に導入した。ヘキサフルオロジシランは、大気に触れ
ないようにしてガラス容器に移送した。その後、この反
応容器を、真空ラインに取りつけ、内部を排気し、容器
をガス・酸素トーチを用いて真空下で完全に加熱した。
容器を天然ガス・酸素トーチを用いてシールし、炉中で
30分間約360℃の温度で加熱した。この時に、出発
物質であるヘキサフルオロジシランが分解し、予め被覆
した電子デバイス上にケイ素含有トップコートが形成し
た。反応副生成物である種々のへロシラン及び未反応出
発物質を、容器を再び真空ラインに取りつけたのち排気
して除去した。
その後、出発物質であるヘキサフルオロジシランの分解
によりケイ素含有トップコートを施したセラミック被覆
電子デバイスを取り出した。
肛 例7と同様の操作により、ジクロロジシランを、セラミ
ック又はセラミック様ケイ素窒素含有材料で被覆した電
子デバイスの存在下で熱分解した。
これにより、アモルファスケイ素含有トップコートが、
セラミック又はセラミック様被膜を施した電子デバイス
上に付着した。この被覆電子デバイスを試験したところ
、全ての電子回路が動作可能であった。
以下余白

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、( I )(A)水素シルセスキオキサン樹脂を溶媒
    で希釈し、得られる希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を電子デバイスに塗布し; (B)該希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を乾燥し
    て溶媒を蒸発することにより、該電子デバイス上に水素
    シルセスキオキサン樹脂プレセラミック被膜を付着し; (C)該被覆された電子デバイスを、150〜1000
    ℃の温度で加熱することにより、該水素シルセスキオキ
    サン樹脂プレセラミック被膜を二酸化ケイ素にセラミッ
    ク化してセラミック又はセラミック様平坦化被膜を生成
    することにより、電子デバイスを平坦化被膜で被覆し; (II)該セラミック又はセラミック様平坦化被膜に、 (i)ケイ素窒素含有被膜、 (ii)ケイ素炭素含有被膜及び (iii)ケイ素炭素窒素含有被膜よりなる群から選ば
    れたパッシベーション被膜を施し、その際、該ケイ素窒
    素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上に施す場合
    、 (a)アンモニアの存在下における、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物の化学気相堆積法、 (b)アンモニアの存在下における、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物のプラズマ化学気相堆積法及び (c)ケイ素及び窒素含有プレセラミック重合体のセラ
    ミック化よりなる群から選ばれた手段により行い、該ケ
    イ素炭素窒素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上
    に施す場合、 (1)ヘキサメチルジシラザンの化学気相堆積法、 (2)ヘキサメチルジシラザンのプラズマ化学気相堆積
    法、 (3)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、
    アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
    シランあるいはそれらの混合物の化学気相堆積法及び (4)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、
    アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
    シランあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相堆積
    法よりなる群から選ばれた手段により行い、該ケイ素炭
    素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上に施す場合
    、 (i)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在下における、アルキルシラン、ハロシラン、ハロ
    ジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混合物の化
    学気相堆積法及び (ii)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシラ
    ンの存在下における、ハロシラン、ハロジシラン、ハロ
    ポリシランあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相
    堆積法よりなる群から選ばれた手段により行い、該セラ
    ミック又はセラミック様パッシベーション被膜を生成し
    ; (III)該セラミック又はセラミック様パッシベーショ
    ン被膜に、 (i)ケイ素被膜、 (ii)ケイ素炭素含有被膜、 (iii)ケイ素窒素含有被膜及び (iv)ケイ素炭素窒素含有被膜よりなる群から選ばれ
    たケイ素含有被膜を施し、その際、該ケイ素被膜を該パ
    ッシベーション被膜上に施す場合、 (a)シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシ
    ランあるいはそれらの混合物の化学気相堆積法、 (b)シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシ
    ランあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相堆積法
    及び (c)ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシランある
    いはそれらの混合物の金属アシスト化学気相堆積法より
    なる群から選ばれた手段により行い、該ケイ素炭素含有
    被膜を施す場合、 (1)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在下における、シラン、アルキルシラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物の化学気相堆積法及び (2)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在下における、アルキルシラン、ハロシラン、ハロ
    ジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混合物のプ
    ラズマ化学気相堆積法よりなる群から選ばれた手段によ
    り行い、該ケイ素窒素含有被膜を施す場合、(A)アン
    モニアの存在下における、シラン、ハロシラン、ハロジ
    シラン、ハロポリシランあるいはそれらの混合物の化学
    気相堆積法、 (B)アンモニアの存在下における、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物のプラズマ化学気相堆積法及び (C)ケイ素及び窒素含有プレセラミック重合体のセラ
    ミック化よりなる群から選ばれた手段により行い、又、
    該ケイ素炭素窒素含有被膜を施す場合、 (i)ヘキサメチルジシラザンの化学気相堆積法、 (ii)ヘキサメチルジシラザンのプラズマ化学気相堆
    積法、 (iii)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシ
    ランの存在及び更にアンモニアの存在下における、シラ
    ン、アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロ
    ポリシランあるいはそれらの混合物の化学気相堆積法及
    び (iv)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシラ
    ンの存在及び更にアンモニアの存在下における、シラン
    、アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポ
    リシランあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相堆
    積法よりなる群から選ばれた手段により行い、ケイ素含
    有被膜を生成して、それにより該電子デバイス上に多層
    セラミック又はセラミック様被膜を得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 2、( I )(A)水素シルセスキオキサン樹脂を溶媒
    で希釈し、得られる触媒添加希釈水素シルセスキオキサ
    ン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し; (B)該希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を乾燥さ
    せて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイス上に水
    素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック被膜を付着し
    ; (C)該被覆された電子デバイスを、150〜1000
    ℃の温度で加熱することにより、該水素シルセスキオキ
    サン樹脂プレセラミック被膜を二酸化ケイ素にセラミッ
    ク化してセラミック又はセラミック様平坦化被膜を生成
    することにより、電子デバイスを平坦化被膜で被覆し; (II)該セラミック又はセラミック様平坦化被膜に、 (i)ケイ素窒素含有被膜、 (ii)ケイ素炭素含有被膜及び (iii)ケイ素炭素窒素含有被膜よりなる群から選ば
    れたパッシベーション被膜を施し、その際、該ケイ素窒
    素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上に施す場合
    、 (a)アンモニアの存在下における、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物の化学気相堆積法、 (b)アンモニアの存在下における、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物のプラズマ化学気相堆積法及び (c)ケイ素及び窒素含有プレセラミック重合体のセラ
    ミック化よりなる群から選ばれた手段により行い、該ケ
    イ素炭素窒素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上
    に施す場合、 (1)ヘキサメチルジシラザンの化学気相堆積法、 (2)ヘキサメチルジシラザンのプラズマ化学気相堆積
    法、 (3)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、
    アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
    シランあるいはそれらの混合物の化学気相堆積法及び (4)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、
    アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
    シランあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相堆積
    法よりなる群から選ばれた手段により行い、該ケイ素炭
    素含有被膜を該電子デバイスの平坦化被膜上に施す場合
    、 (i)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシラン
    の存在下における、アルキルシラン、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの混
    合物の化学気相堆積法及び (ii)炭素数1〜6のアルカンあるいはアルキルシラ
    ンの存在下における、アルキルシラン、シラン、ハロシ
    ラン、ハロジシラン、ハロポリシランあるいはそれらの
    混合物のプラズマ化学気相堆積法よりなる群から選ばれ
    た手段により行い、該セラミック又はセラミック様パッ
    シベーション被膜を生成し、それにより該電子デバイス
    上に二層セラミック又はセラミック様被膜を得ることか
    らなる、 基体上に二層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 3、(A)水素シルセスキオキサン樹脂を溶媒で希釈し
    、得られる希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子
    デバイスに塗布することにより、該電子デバイスを平坦
    化被膜で被覆し; (B)該希釈水素シルセスキオキサン樹脂溶液を乾燥さ
    せて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイス上に触
    媒添加水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック被膜
    を付着し;(C)該被覆された電子デバイスを、150
    〜1000℃の温度で加熱することにより、該水素シル
    セスキオキサン樹脂プレセラミック被膜を二酸化ケイ素
    にセラミック化して、該電子デバイス上に単一層のセラ
    ミック又はセラミック様平坦化被膜を生成することから
    なる、 基体上に単一層のセラミック又はセラミック様平坦化被
    膜を形成する方法。 4、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに被覆を施し; (B)反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物
    を気相にて150〜600℃の温度で分解させることに
    より、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にケイ素含有被膜を施し、多層セラミック
    又はセラミック様被膜で被覆された電子デバイスを得る
    ことからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 5、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに被覆を施し; (B)反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物
    及びアンモニアを気相にて150〜1000℃の温度で
    分解させることにより、セラミック又はセラミック様被
    膜の施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有被膜を
    施し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆され
    た電子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 6、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに、被覆を施し; (B)反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、アルキルシラン、
    シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又
    はこれらの混合物、及び炭素数1〜6のアルカン又はア
    ルキルシランを気相にて150〜1000℃の温度で分
    解させることにより、セラミック又はセラミック様被膜
    の施された該電子デバイス上にケイ素炭素含有被膜を施
    し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された
    電子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 7、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに被覆を施し; (B)反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、ヘキサメチルジシ
    ラザンを気相にて150〜1000℃の温度で分解させ
    ることにより、セラミック又はセラミック様被膜の施さ
    れた該電子デバイス上にケイ素炭素窒素含有被膜を施し
    、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された電
    子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 8、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに被覆を施し; (B)プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で150〜1000℃の温度で加熱して
    セラミックケイ素窒素含有被膜を生成させることにより
    、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デ
    バイス上にケイ素窒素含有材料からなるパッシベーショ
    ン被膜を施し、 (C)反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシラン、又はこれらの混合
    物を気相にて150〜600℃の温度で分解させること
    により、セラミック又はセラミック様被膜が施された該
    電子デバイスにケイ素含有被膜を施し、多層セラミック
    又はセラミック様被膜で被覆された電子デバイスを得る
    ことからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 9、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミック
    材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水素
    シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し、
    該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶液
    を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバイ
    ス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電子
    デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水素
    シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック化
    することによりセラミック又はセラミック様被膜を生成
    して、該電子デバイスに被覆を施し; (B)プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で150〜1000℃の温度で加熱して
    セラミックケイ素窒素含有被膜を生成させることにより
    、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電子デ
    バイス上にケイ素窒素含有材料からなるパッシベーショ
    ン被膜を施し、 (C)反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、シラン、ハロシラ
    ン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物
    、及びアンモニアを気相にて190〜1000℃の温度
    で分解させることにより、セラミック又はセラミック様
    被膜が施された該電子デバイスにケイ素窒素含有被膜を
    施し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆され
    た電子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 10、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し; (B)プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で150〜1000℃の温度で加熱して
    セラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成
    させることにより、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からな
    る平坦化被膜を施し、 (C)反応室中で、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイスの存在下で、アルキルシラン、
    シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又
    はこれらの混合物、及び炭素数1〜6のアルカン又はア
    ルキルシランを気相にて150〜1000℃の温度で分
    解させることにより、セラミック又はセラミック様被膜
    が施された該電子デバイスにケイ素炭素含有被膜を施し
    、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された電
    子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 11、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し; (B)プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で150〜1000℃の温度で加熱して
    セラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成
    させることにより、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からな
    るパッシベーション被膜を施し、 (C)セラミック又はセラミック様被膜の施されたされ
    た該電子デバイスの存在下で、150〜1000℃の温
    度でヘキサメチルジシラザンの化学気相堆積法を行うこ
    とにより、セラミック又はセラミック様被膜が施された
    該電子デバイスにケイ素炭素窒素含有被膜を施し、多層
    セラミック又はセラミック様被膜で被覆された電子デバ
    イスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 12、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し; (B)プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で150〜1000℃の温度で加熱して
    セラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成
    させることにより、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からな
    る平坦化被膜を施し、 (C)セラミック又はセラミック様被膜の施されたされ
    た該電子デバイスの存在下で、150〜1000℃の温
    度でヘキサメチルジシラザンのプラズマ化学気相堆積法
    を行うことにより、セラミック又はセラミック様被膜が
    施された該電子デバイスにケイ素炭素窒素含有被膜を施
    し、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された
    電子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 13、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し; (B)プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で150〜1000℃の温度で加熱して
    セラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成
    させることにより、セラミック又はセラミック様被膜の
    施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料からな
    るパッシベーション被膜を施し、 (C)炭素数1〜6のアルカン又はアルキルシランの存
    在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、アル
    キルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラ
    ンあるいはそれらの混合物の化学気相堆積を行なうこと
    により、セラミック又はセラミック様被膜が施された該
    電子デバイスにケイ素炭素窒素含有被膜を施し、多層セ
    ラミック又はセラミック様被膜で被覆された電子デバイ
    スを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 14、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    液を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し; (B)プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された・該
    電子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を
    付着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモ
    ニア含有雰囲気中で150〜1000℃の温度で加熱し
    てセラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生
    成させることにより、セラミック又はセラミック様被膜
    の施された該電子デバイス上にケイ素窒素含有材料から
    なる平坦化被膜を施し、 (C)炭素数1〜6のアルカン又はアルキルシランの存
    在及び更にアンモニアの存在下における、シラン、アル
    キルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラ
    ンあるいはそれらの混合物のプラズマ化学気相堆積を行
    なうことにより、セラミック又はセラミック様被膜が施
    された該電子デバイスにケイ素炭素窒素含有被膜を施し
    、多層セラミック又はセラミック様被膜で被覆された電
    子デバイスを得ることからなる、 基体上に多層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 15、(A)水素シルセスキオキサン樹脂プレセラミッ
    ク材料を溶媒で希釈し、得られる希釈プレセラミック水
    素シルセスキオキサン樹脂溶液を電子デバイスに塗布し
    、該希釈プレセラミック水素シルセスキオキサン樹脂溶
    媒を乾燥させて溶媒を蒸発することにより、該電子デバ
    イス上にプレセラミック被膜を付着し、該被覆された電
    子デバイスを150〜1000℃の温度で加熱して該水
    素シルセスキオキサン樹脂を二酸化ケイ素にセラミック
    化することによりセラミック又はセラミック様被膜を生
    成して、該電子デバイスに被覆を施し; (B)プレセラミックケイ素窒素含有重合体を溶媒中に
    希釈し、得られる希釈プレセラミックケイ素窒素含有重
    合体溶液をセラミック又はセラミック様被膜の施された
    該電子デバイスに塗布し、該希釈プレセラミックケイ素
    窒素含有重合体溶液を乾燥することにより該溶媒を蒸発
    させてセラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にプレセラミックケイ素窒素含有被膜を付
    着し、該被覆された電子デバイスを不活性又はアンモニ
    ア含有雰囲気中で150〜400℃の温度で加熱してセ
    ラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を生成さ
    せて、セラミック又はセラミック様被膜の施された該電
    子デバイス上にケイ素窒素含有材料からなる平坦化被膜
    を施すことにより該電子デバイス上に二層セラミック又
    はセラミック様被膜を生成することからなる、 基体上に二層セラミック又はセラミック様被膜を形成す
    る方法。 16、(1)環状シラザン又は環状シラザン混合物と、
    ハロジシラン類及びハロシラン類よりなる群から選ばれ
    たケイ素含有物質とを反応させて得たケイ素及び窒素含
    有プレセラミック重合体を溶媒で希釈し; (2)得られる希釈プレセラミック重合体溶媒溶液を基
    体に塗布し; (3)該希釈プレセラミック重合体溶媒溶液を、空気の
    不存在下で乾燥して該溶媒を蒸発させることにより、該
    基体上にプレセラミック重合体被膜を付着させ; (4)該被覆された基体を、空気の不存在下で加熱して
    セラミック又はセラミック様被膜を得る、以上の工程か
    らなる基体をセラミック又はセラミック様ケイ素窒素含
    有物質で被覆する方法。 17、基体が電子デバイスである特許請求の範囲第16
    項記載の方法。 18、前記被膜が層間誘導体層である特許請求の範囲第
    1項記載の方法。
JP62303430A 1986-12-03 1987-12-02 多層セラミック低温形成方法 Expired - Lifetime JPH0642477B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US937274 1986-12-03
US06/937,274 US4756977A (en) 1986-12-03 1986-12-03 Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63144525A true JPS63144525A (ja) 1988-06-16
JPH0642477B2 JPH0642477B2 (ja) 1994-06-01

Family

ID=25469718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62303430A Expired - Lifetime JPH0642477B2 (ja) 1986-12-03 1987-12-02 多層セラミック低温形成方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4756977A (ja)
EP (1) EP0270369B1 (ja)
JP (1) JPH0642477B2 (ja)
KR (1) KR950014273B1 (ja)
CA (1) CA1329737C (ja)
DE (1) DE3789606T2 (ja)
ES (1) ES2005469A6 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6764718B2 (en) 2000-01-31 2004-07-20 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Method for forming thin film from electrically insulating resin composition

Families Citing this family (174)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5128494A (en) * 1985-04-26 1992-07-07 Sri International Hydridosiloxanes as precursors to ceramic products
KR910003742B1 (ko) * 1986-09-09 1991-06-10 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 Cvd장치
US4808653A (en) * 1986-12-04 1989-02-28 Dow Corning Corporation Coating composition containing hydrogen silsesquioxane resin and other metal oxide precursors
US4753855A (en) * 1986-12-04 1988-06-28 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from metal oxides for protection of electronic devices
JPS63215578A (ja) * 1987-02-28 1988-09-08 株式会社豊田中央研究所 セラミツク材料表面への固体潤滑被膜の形成方法
US5004625A (en) * 1987-08-11 1991-04-02 North American Philips Corporation Solid state light modulator incorporating metallized gel and method of metallization
JP2632879B2 (ja) * 1987-11-17 1997-07-23 東京応化工業株式会社 シリコーン系被膜の形成方法
US4847162A (en) * 1987-12-28 1989-07-11 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics coatings from the ceramification of hydrogen silsequioxane resin in the presence of ammonia
US4877651A (en) * 1988-05-31 1989-10-31 Olin Corporation Process for thermally depositing silicon nitride and silicon dioxide films onto a substrate
US5336532A (en) * 1989-02-21 1994-08-09 Dow Corning Corporation Low temperature process for the formation of ceramic coatings
US4999397A (en) * 1989-07-28 1991-03-12 Dow Corning Corporation Metastable silane hydrolyzates and process for their preparation
CA2027031A1 (en) * 1989-10-18 1991-04-19 Loren A. Haluska Hermetic substrate coatings in an inert gas atmosphere
US5183684A (en) * 1989-11-20 1993-02-02 Dow Corning Corporation Single and multilayer coatings containing aluminum nitride
US4973526A (en) * 1990-02-15 1990-11-27 Dow Corning Corporation Method of forming ceramic coatings and resulting articles
US5116637A (en) * 1990-06-04 1992-05-26 Dow Corning Corporation Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica
US5262201A (en) * 1990-06-04 1993-11-16 Dow Corning Corporation Low temperature process for converting silica precursor coatings to ceramic silica coatings by exposure to ammonium hydroxide or an environment to which water vapor and ammonia vapor have been added
US5133993A (en) * 1990-08-20 1992-07-28 General Atomics Fiber-reinforced refractory composites
US5091162A (en) * 1990-10-01 1992-02-25 Dow Corning Corporation Perhydrosiloxane copolymers and their use as coating materials
US5021711A (en) * 1990-10-29 1991-06-04 Gte Products Corporation Quartz lamp envelope with molybdenum foil having oxidation-resistant surface formed by ion implantation
US5063267A (en) * 1990-11-28 1991-11-05 Dow Corning Corporation Hydrogen silsesquioxane resin fractions and their use as coating materials
US5380553A (en) * 1990-12-24 1995-01-10 Dow Corning Corporation Reverse direction pyrolysis processing
US5238787A (en) * 1991-04-22 1993-08-24 Dow Corning Corporation Photodelineable coatings from hydrogen silsesquioxane resin
US5445894A (en) * 1991-04-22 1995-08-29 Dow Corning Corporation Ceramic coatings
US5339211A (en) * 1991-05-02 1994-08-16 Dow Corning Corporation Variable capacitor
US5422982A (en) * 1991-05-02 1995-06-06 Dow Corning Corporation Neural networks containing variable resistors as synapses
US5312684A (en) * 1991-05-02 1994-05-17 Dow Corning Corporation Threshold switching device
US5165955A (en) * 1991-05-28 1992-11-24 Dow Corning Corporation Method of depositing a coating containing silicon and oxygen
US5145723A (en) * 1991-06-05 1992-09-08 Dow Corning Corporation Process for coating a substrate with silica
US5194341A (en) * 1991-12-03 1993-03-16 Bell Communications Research, Inc. Silica electrolyte element for secondary lithium battery
CA2088107A1 (en) * 1992-02-24 1993-08-25 Ronald Howard Baney Silicone infiltrated ceramic nanocomposite coatings
US5436029A (en) * 1992-07-13 1995-07-25 Dow Corning Corporation Curing silicon hydride containing materials by exposure to nitrous oxide
CA2104340A1 (en) * 1992-08-31 1994-03-01 Grish Chandra Hermetic protection for integrated circuits
US5310583A (en) * 1992-11-02 1994-05-10 Dow Corning Corporation Vapor phase deposition of hydrogen silsesquioxane resin in the presence of nitrous oxide
JP3174417B2 (ja) * 1992-12-11 2001-06-11 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション 酸化ケイ素膜の形成方法
JP3210457B2 (ja) * 1992-12-14 2001-09-17 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション 酸化ケイ素膜の形成方法
US5258334A (en) * 1993-01-15 1993-11-02 The U.S. Government As Represented By The Director, National Security Agency Process of preventing visual access to a semiconductor device by applying an opaque ceramic coating to integrated circuit devices
DE69416881T2 (de) * 1993-02-05 1999-11-04 Dow Corning Corp., Midland Beschichtung von elektronischen Substraten mit Silika aus Polysilazanen
US5380555A (en) * 1993-02-09 1995-01-10 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Methods for the formation of a silicon oxide film
TW347149U (en) * 1993-02-26 1998-12-01 Dow Corning Integrated circuits protected from the environment by ceramic and barrier metal layers
US5492958A (en) * 1993-03-08 1996-02-20 Dow Corning Corporation Metal containing ceramic coatings
US5387480A (en) * 1993-03-08 1995-02-07 Dow Corning Corporation High dielectric constant coatings
US5912047A (en) * 1993-03-25 1999-06-15 Dow Corning Corporation Borosilicate electronic coatings
TW387924B (en) * 1993-07-19 2000-04-21 Dow Corning A method of forming a coating on optical fiber with hydrogen silsesquioxane resin
JP3418458B2 (ja) * 1993-08-31 2003-06-23 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US5320868A (en) * 1993-09-13 1994-06-14 Dow Corning Corporation Method of forming SI-O containing coatings
JPH07169020A (ja) * 1993-09-21 1995-07-04 Eastman Kodak Co 磁気薄膜ヘッドのための基板表面の平坦化プロセス
US5441765A (en) * 1993-09-22 1995-08-15 Dow Corning Corporation Method of forming Si-O containing coatings
JP2739902B2 (ja) * 1993-09-30 1998-04-15 東京応化工業株式会社 酸化ケイ素系被膜形成用塗布液
US5403748A (en) * 1993-10-04 1995-04-04 Dow Corning Corporation Detection of reactive gases
CA2133898A1 (en) * 1993-12-29 1995-06-30 Keith Winton Michael Integrated circuits with passivation and metallization for hermetic protection
US5436083A (en) * 1994-04-01 1995-07-25 Dow Corning Corporation Protective electronic coatings using filled polysilazanes
US5547703A (en) * 1994-04-11 1996-08-20 Dow Corning Corporation Method of forming si-o containing coatings
US5399441A (en) * 1994-04-12 1995-03-21 Dow Corning Corporation Method of applying opaque coatings
US5530293A (en) 1994-11-28 1996-06-25 International Business Machines Corporation Carbon-free hydrogen silsesquioxane with dielectric constant less than 3.2 annealed in hydrogen for integrated circuits
US5508062A (en) * 1994-12-02 1996-04-16 Dow Corning Corporation Method for forming an insoluble coating on a substrate
US5516596A (en) * 1994-12-19 1996-05-14 Dow Corning Corporation Method of forming a composite, article and composition
US5607773A (en) * 1994-12-20 1997-03-04 Texas Instruments Incorporated Method of forming a multilevel dielectric
US5501875A (en) 1994-12-27 1996-03-26 Dow Corning Corporation Metal coated silica precursor powders
US5656555A (en) * 1995-02-17 1997-08-12 Texas Instruments Incorporated Modified hydrogen silsesquioxane spin-on glass
US5618878A (en) * 1995-04-07 1997-04-08 Dow Corning Corporation Hydrogen silsesquioxane resin coating composition
CA2175433A1 (en) * 1995-05-11 1996-11-12 Gregg Alan Zank Ceramic matrix composites using modified hydrogen silsesquioxane resin
US5508238A (en) * 1995-05-11 1996-04-16 Dow Corning Corporation Monolithic ceramic bodies using modified hydrogen silsesquioxane resin
US5635240A (en) * 1995-06-19 1997-06-03 Dow Corning Corporation Electronic coating materials using mixed polymers
JP3070450B2 (ja) * 1995-07-14 2000-07-31 ヤマハ株式会社 多層配線形成法
JP3149739B2 (ja) * 1995-07-14 2001-03-26 ヤマハ株式会社 多層配線形成法
US5613993A (en) * 1995-08-29 1997-03-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Process for encapsulating a shaped body for hot isostatic pressing by sol-gel method
US5661092A (en) * 1995-09-01 1997-08-26 The University Of Connecticut Ultra thin silicon oxide and metal oxide films and a method for the preparation thereof
US5814397A (en) * 1995-09-13 1998-09-29 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method for waterproofing ceramic materials
US5693701A (en) * 1995-10-26 1997-12-02 Dow Corning Corporation Tamper-proof electronic coatings
TW308719B (ja) 1995-10-23 1997-06-21 Dow Corning
US5753374A (en) * 1995-11-27 1998-05-19 Dow Corning Corporation Protective electronic coating
US5609925A (en) 1995-12-04 1997-03-11 Dow Corning Corporation Curing hydrogen silsesquioxane resin with an electron beam
US5707683A (en) * 1996-02-22 1998-01-13 Dow Corning Corporation Electronic coating composition method of coating an electronic substrate, composition and article
US5682065A (en) 1996-03-12 1997-10-28 Micron Technology, Inc. Hermetic chip and method of manufacture
US5789325A (en) * 1996-04-29 1998-08-04 Dow Corning Corporation Coating electronic substrates with silica derived from polycarbosilane
US6114186A (en) * 1996-07-30 2000-09-05 Texas Instruments Incorporated Hydrogen silsesquioxane thin films for low capacitance structures in integrated circuits
US5885654A (en) * 1996-08-14 1999-03-23 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Polysilazane-based coating solution for interlayer insulation
US5730792A (en) * 1996-10-04 1998-03-24 Dow Corning Corporation Opaque ceramic coatings
US5776235A (en) * 1996-10-04 1998-07-07 Dow Corning Corporation Thick opaque ceramic coatings
US5863595A (en) * 1996-10-04 1999-01-26 Dow Corning Corporation Thick ceramic coatings for electronic devices
US6020410A (en) * 1996-10-29 2000-02-01 Alliedsignal Inc. Stable solution of a silsesquioxane or siloxane resin and a silicone solvent
JP3123449B2 (ja) * 1996-11-01 2001-01-09 ヤマハ株式会社 多層配線形成法
JP3082688B2 (ja) * 1996-11-05 2000-08-28 ヤマハ株式会社 配線形成法
JP3225872B2 (ja) 1996-12-24 2001-11-05 ヤマハ株式会社 酸化シリコン膜形成法
JPH10247686A (ja) * 1996-12-30 1998-09-14 Yamaha Corp 多層配線形成法
US5707681A (en) * 1997-02-07 1998-01-13 Dow Corning Corporation Method of producing coatings on electronic substrates
US5981354A (en) * 1997-03-12 1999-11-09 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor fabrication employing a flowable oxide to enhance planarization in a shallow trench isolation process
JP3415741B2 (ja) * 1997-03-31 2003-06-09 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法
US6143855A (en) * 1997-04-21 2000-11-07 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
US6743856B1 (en) 1997-04-21 2004-06-01 Honeywell International Inc. Synthesis of siloxane resins
US6218497B1 (en) 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
US6015457A (en) * 1997-04-21 2000-01-18 Alliedsignal Inc. Stable inorganic polymers
EP0881668A3 (en) 1997-05-28 2000-11-15 Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. Deposition of an electrically insulating thin film with a low dielectric constant
US5866197A (en) * 1997-06-06 1999-02-02 Dow Corning Corporation Method for producing thick crack-free coating from hydrogen silsequioxane resin
TW392288B (en) * 1997-06-06 2000-06-01 Dow Corning Thermally stable dielectric coatings
JP3729226B2 (ja) * 1997-09-17 2005-12-21 富士通株式会社 半導体集積回路装置及びその製造方法
US6018002A (en) * 1998-02-06 2000-01-25 Dow Corning Corporation Photoluminescent material from hydrogen silsesquioxane resin
US6177199B1 (en) 1999-01-07 2001-01-23 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
US6218020B1 (en) 1999-01-07 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content
US6008070A (en) * 1998-05-21 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Wafer level fabrication and assembly of chip scale packages
US5906859A (en) * 1998-07-10 1999-05-25 Dow Corning Corporation Method for producing low dielectric coatings from hydrogen silsequioxane resin
JP2000143810A (ja) 1998-11-18 2000-05-26 Dow Corning Asia Ltd 水素シルセスキオキサン樹脂の製造方法
US6231989B1 (en) 1998-11-20 2001-05-15 Dow Corning Corporation Method of forming coatings
KR100308213B1 (ko) * 1999-02-12 2001-09-26 윤종용 반도체 장치를 위한 저유전 층간 절연막의 제조 방법
JP3543669B2 (ja) 1999-03-31 2004-07-14 信越化学工業株式会社 絶縁膜形成用塗布液及び絶縁膜の形成方法
CA2374944A1 (en) * 1999-06-10 2000-12-21 Nigel Hacker Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6544880B1 (en) * 1999-06-14 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Method of improving copper interconnects of semiconductor devices for bonding
US6197913B1 (en) 1999-08-26 2001-03-06 Dow Corning Corporation Method for making microporous silicone resins with narrow pore-size distributions
US6440550B1 (en) * 1999-10-18 2002-08-27 Honeywell International Inc. Deposition of fluorosilsesquioxane films
US6472076B1 (en) 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
EP1094506A3 (en) * 1999-10-18 2004-03-03 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
US6541107B1 (en) 1999-10-25 2003-04-01 Dow Corning Corporation Nanoporous silicone resins having low dielectric constants
US6313045B1 (en) 1999-12-13 2001-11-06 Dow Corning Corporation Nanoporous silicone resins having low dielectric constants and method for preparation
US6232424B1 (en) 1999-12-13 2001-05-15 Dow Corning Corporation Soluble silicone resin compositions having good solution stability
US6359096B1 (en) 1999-10-25 2002-03-19 Dow Corning Corporation Silicone resin compositions having good solution solubility and stability
US6143360A (en) 1999-12-13 2000-11-07 Dow Corning Corporation Method for making nanoporous silicone resins from alkylydridosiloxane resins
JP2001247819A (ja) * 2000-03-03 2001-09-14 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 電気絶縁性架橋薄膜形成性有機樹脂組成物、および電気絶縁性架橋薄膜の形成方法
US6759098B2 (en) 2000-03-20 2004-07-06 Axcelis Technologies, Inc. Plasma curing of MSQ-based porous low-k film materials
US6576300B1 (en) 2000-03-20 2003-06-10 Dow Corning Corporation High modulus, low dielectric constant coatings
US6913796B2 (en) * 2000-03-20 2005-07-05 Axcelis Technologies, Inc. Plasma curing process for porous low-k materials
US6558755B2 (en) 2000-03-20 2003-05-06 Dow Corning Corporation Plasma curing process for porous silica thin film
US7011868B2 (en) * 2000-03-20 2006-03-14 Axcelis Technologies, Inc. Fluorine-free plasma curing process for porous low-k materials
JP2001291427A (ja) * 2000-04-06 2001-10-19 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 電気絶縁性薄膜形成性樹脂組成物、および電気絶縁性薄膜の形成方法
US6891237B1 (en) * 2000-06-27 2005-05-10 Lucent Technologies Inc. Organic semiconductor device having an active dielectric layer comprising silsesquioxanes
US6368400B1 (en) * 2000-07-17 2002-04-09 Honeywell International Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6524881B1 (en) 2000-08-25 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for marking a bare semiconductor die
AU2001296737A1 (en) 2000-10-12 2002-04-22 North Carolina State University Co2-processes photoresists, polymers, and photoactive compounds for microlithography
US6399210B1 (en) 2000-11-27 2002-06-04 Dow Corning Corporation Alkoxyhydridosiloxane resins
US6528432B1 (en) 2000-12-05 2003-03-04 Advanced Micro Devices, Inc. H2-or H2/N2-plasma treatment to prevent organic ILD degradation
US6436808B1 (en) 2000-12-07 2002-08-20 Advanced Micro Devices, Inc. NH3/N2-plasma treatment to prevent organic ILD degradation
US6653718B2 (en) 2001-01-11 2003-11-25 Honeywell International, Inc. Dielectric films for narrow gap-fill applications
US6444495B1 (en) * 2001-01-11 2002-09-03 Honeywell International, Inc. Dielectric films for narrow gap-fill applications
US6599839B1 (en) 2001-02-02 2003-07-29 Advanced Micro Devices, Inc. Plasma etch process for nonhomogenous film
US6455409B1 (en) 2001-02-28 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Damascene processing using a silicon carbide hard mask
US6713874B1 (en) 2001-03-27 2004-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor devices with dual nature capping/arc layers on organic-doped silica glass inter-layer dielectrics
US6518646B1 (en) 2001-03-29 2003-02-11 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor device with variable composition low-k inter-layer dielectric and method of making
US6576545B1 (en) 2001-03-29 2003-06-10 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor devices with dual nature capping/ARC layers on fluorine doped silica glass inter-layer dielectrics and method of forming capping/ARC layers
JP2005501131A (ja) * 2001-04-06 2005-01-13 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド 低誘電率材料およびその調製方法
US6872456B2 (en) * 2001-07-26 2005-03-29 Dow Corning Corporation Siloxane resins
US6596404B1 (en) 2001-07-26 2003-07-22 Dow Corning Corporation Siloxane resins
US6596834B2 (en) 2001-09-12 2003-07-22 Dow Corning Corporation Silicone resins and porous materials produced therefrom
US6756085B2 (en) * 2001-09-14 2004-06-29 Axcelis Technologies, Inc. Ultraviolet curing processes for advanced low-k materials
US20030096090A1 (en) * 2001-10-22 2003-05-22 Boisvert Ronald Paul Etch-stop resins
US20040247896A1 (en) * 2001-12-31 2004-12-09 Paul Apen Organic compositions
US7169685B2 (en) 2002-02-25 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Wafer back side coating to balance stress from passivation layer on front of wafer and be used as die attach adhesive
US6967172B2 (en) 2002-07-03 2005-11-22 Honeywell International Inc. Colloidal silica composite films for premetal dielectric applications
US7758911B2 (en) * 2003-05-08 2010-07-20 Honeywell International Inc. Microelectronic security coatings
KR100506695B1 (ko) * 2003-06-02 2005-08-08 삼성전자주식회사 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막
JP4465233B2 (ja) 2003-06-30 2010-05-19 三星電子株式会社 多官能性環状シロキサン化合物、この化合物から製造されたシロキサン系重合体及びこの重合体を用いた絶縁膜の製造方法
KR100507967B1 (ko) * 2003-07-01 2005-08-10 삼성전자주식회사 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막
KR100504291B1 (ko) * 2003-07-14 2005-07-27 삼성전자주식회사 게르마늄을 포함하는 실록산계 수지 및 이를 이용한반도체 층간 절연막 형성 방법
KR20050024721A (ko) * 2003-09-01 2005-03-11 삼성전자주식회사 신규 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막
KR100979355B1 (ko) * 2003-10-09 2010-08-31 삼성전자주식회사 다반응성 환형 실리케이트 화합물, 상기 화합물로부터제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막제조방법
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
CN1680466A (zh) * 2003-11-24 2005-10-12 三星电子株式会社 用多面体分子倍半硅氧烷,形成半导体器件用层间电介质膜的方法
KR101007807B1 (ko) * 2003-12-13 2011-01-14 삼성전자주식회사 다반응성 선형 실록산 화합물, 상기 화합물로부터 제조된실록산 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법
WO2005097883A2 (en) * 2004-03-26 2005-10-20 King Industries, Inc. Method of producing a crosslinked coating in the manufacture of integrated circuits
KR20060020830A (ko) * 2004-09-01 2006-03-07 삼성코닝 주식회사 계면활성제를 템플릿으로 이용한 저유전성 메조포러스박막의 제조방법
US7756384B2 (en) * 2004-11-08 2010-07-13 Dow Corning Corporation Method for forming anti-reflective coating
KR20060057778A (ko) * 2004-11-24 2006-05-29 삼성코닝 주식회사 저유전성 메조포러스 박막의 제조방법
KR20060068348A (ko) * 2004-12-16 2006-06-21 삼성코닝 주식회사 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법
KR101202955B1 (ko) * 2004-12-31 2012-11-19 삼성코닝정밀소재 주식회사 다공성 나노 입자를 포함하는 저유전 박막 형성용 조성물및 이를 이용한 저유전 박막의 제조방법
KR101119141B1 (ko) * 2005-01-20 2012-03-19 삼성코닝정밀소재 주식회사 폴리머 나노 입자를 포함하는 저유전 박막 형성용 조성물및 이를 이용한 저유전 박막의 제조방법
CN101185160A (zh) * 2005-06-15 2008-05-21 陶氏康宁公司 固化氢倍半硅氧烷和在纳米级沟槽内致密化的方法
US7779776B2 (en) * 2005-07-18 2010-08-24 Tessera, Inc. Polyceramic-coated tool for applying a flowable composition
JP5043317B2 (ja) * 2005-08-05 2012-10-10 東レ・ダウコーニング株式会社 環状ジハイドロジェンポリシロキサン、ハイドロジェンポリシロキサン、それらの製造方法、シリカ系ガラス成形体およびその製造方法、光学素子およびその製造方法
JP5192687B2 (ja) * 2006-12-25 2013-05-08 三菱重工業株式会社 熱処理方法
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
KR101224514B1 (ko) 2010-07-05 2013-01-22 한국과학기술연구원 환형 실세스퀴옥산을 이용한 실록산계 저유전막 및 이의 제조방법
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
EP2736981A4 (en) * 2011-07-29 2015-03-25 SiOx ApS ANTICORROSIVE TREATMENT FACILITATED BY A REACTIVE SILICON OXIDE PRECURSOR
WO2016167892A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
KR20180114099A (ko) 2016-02-19 2018-10-17 다우 실리콘즈 코포레이션 에이징된 중합체 실세스퀴옥산

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US652939A (en) * 1900-04-10 1900-07-03 Patent Button Co Garment-fastener.
US835029A (en) * 1906-03-07 1906-11-06 Louis Mayer Excavating apparatus.
US926145A (en) * 1908-01-30 1909-06-29 Edwin M Skinner Trenching device.
US926607A (en) * 1908-07-22 1909-06-29 William E Rickey Envelop.
US4330569A (en) * 1979-05-25 1982-05-18 Ncr Corporation Method for conditioning nitride surface
US4404153A (en) * 1981-01-15 1983-09-13 Dow Corning Corporation Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom
US4340619A (en) * 1981-01-15 1982-07-20 Dow Corning Corporation Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom
US4312970A (en) * 1981-02-20 1982-01-26 Dow Corning Corporation Silazane polymers from {R'3 Si}2 NH and organochlorosilanes
US4395460A (en) * 1981-09-21 1983-07-26 Dow Corning Corporation Preparation of polysilazane polymers and the polymers therefrom
DE3278567D1 (en) * 1981-10-03 1988-07-07 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same
JPS5866335A (ja) * 1981-10-16 1983-04-20 Fujitsu Ltd 集積回路
US4397828A (en) * 1981-11-16 1983-08-09 Massachusetts Institute Of Technology Stable liquid polymeric precursor to silicon nitride and process
CA1204527A (en) * 1982-08-13 1986-05-13 Theodore F. Retajczyk, Jr. Polymeric films for electronic circuits
JPS6085548A (ja) * 1983-10-17 1985-05-15 Nec Corp 集積回路装置
US4543344A (en) * 1983-11-28 1985-09-24 Dow Corning Corporation Silicon nitride-containing ceramic material prepared by pyrolysis of hydrosilazane polymers from (R3 Si)2 NH and HSiCl3
US4540803A (en) * 1983-11-28 1985-09-10 Dow Corning Corporation Hydrosilazane polymers from [R3 Si]2 NH and HSiCl3
US4482669A (en) * 1984-01-19 1984-11-13 Massachusetts Institute Of Technology Preceramic organosilazane polymers
US4482689A (en) * 1984-03-12 1984-11-13 Dow Corning Corporation Process for the preparation of polymetallo(disily)silazane polymers and the polymers therefrom
US4535007A (en) * 1984-07-02 1985-08-13 Dow Corning Corporation Silicon nitride-containing ceramics
US4822697A (en) * 1986-12-03 1989-04-18 Dow Corning Corporation Platinum and rhodium catalysis of low temperature formation multilayer ceramics
US4826733A (en) * 1986-12-03 1989-05-02 Dow Corning Corporation Sin-containing coatings for electronic devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6764718B2 (en) 2000-01-31 2004-07-20 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Method for forming thin film from electrically insulating resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
DE3789606D1 (de) 1994-05-19
EP0270369A2 (en) 1988-06-08
DE3789606T2 (de) 1994-11-24
KR950014273B1 (ko) 1995-11-24
EP0270369A3 (en) 1989-12-13
JPH0642477B2 (ja) 1994-06-01
US4756977A (en) 1988-07-12
EP0270369B1 (en) 1994-04-13
CA1329737C (en) 1994-05-24
ES2005469A6 (es) 1989-03-01
KR880008438A (ko) 1988-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63144525A (ja) 多層セラミック低温形成方法
US4749631A (en) Multilayer ceramics from silicate esters
EP0270229B1 (en) Platinum and rhodium catalysis of low temperature formation multilayer ceramics
US4753855A (en) Multilayer ceramic coatings from metal oxides for protection of electronic devices
KR950011561B1 (ko) 백금 또는 로듐 촉매 작용시킨 수소 실세스퀴옥산 수지 및 금속 산화물로부터의 다층 세라믹 피막의 형성방법 및 이로써 형성된 다층 세라믹 피막
US4808653A (en) Coating composition containing hydrogen silsesquioxane resin and other metal oxide precursors
CA1317822C (en) Multilayer ceramics coatings from the ceramification of hydrogen silsesquioxane resin in the presence of ammonia
US5008320A (en) Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides
JPS63178532A (ja) 珪酸エステルおよび金属酸化物から多層セラミック被膜を形成する方法
US4898907A (en) Compositions of platinum and rhodium catalyst in combination with hydrogen silsesquioxane resin
JPH06103690B2 (ja) 基材上にセラミックコーティングを形成する方法
US4826733A (en) Sin-containing coatings for electronic devices