JPS6085548A - 集積回路装置 - Google Patents
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路装置に係り、特に高信頼を持った集積
回路装置に関する。
回路装置に関する。
集積回路装置は年々微細化高集積化が進むと共に高信頼
性化が要求されて来ている。特に、集積回路装置の低価
格化を実現するためにプラスチックパッケージによって
封入を行う場合には、該プラスチックパッケージを通し
て浸透する水分に起因する不安定性が大きな問題となっ
ている。プラスチックパッケージを通して来た水分は、
集積回路装置の表面のPSG膜(リンガラス膜)内のリ
ンと反応してリン酸を形成しこのリン酸がP8G膜上に
形成された配線のアルミを侵し、リーク電流の増大、甚
々し、〈は断線という問題を生せしめる。
性化が要求されて来ている。特に、集積回路装置の低価
格化を実現するためにプラスチックパッケージによって
封入を行う場合には、該プラスチックパッケージを通し
て浸透する水分に起因する不安定性が大きな問題となっ
ている。プラスチックパッケージを通して来た水分は、
集積回路装置の表面のPSG膜(リンガラス膜)内のリ
ンと反応してリン酸を形成しこのリン酸がP8G膜上に
形成された配線のアルミを侵し、リーク電流の増大、甚
々し、〈は断線という問題を生せしめる。
この様な問題を除去する為、従来はアルミ配線の上を更
に最終保睦の為の絶縁膜、例えば低温で形成されるプラ
ズマシリコン容化膜等で被覆し、プラスチックパッケー
ジを通して入シ込んだ水分をそのシリコン容化膜等で止
めてアルミ配線の下のリンガラス膜に到達しない様にし
て、耐湿性をよくしていた。しかしながら集積回路装置
の内部アルミ配線と、外部配線の電気的接続をとる為の
ボンデングパッド部分は、該最終保護膜がエツチング除
去されているから、この部分はグラスチックパッケージ
を通して入り込んだ水分に直接 される。この水分は、
最終保護膜と配線アルミの界波を通して配線下地PSG
膜に達し、パッド部分のアルミを腐蝕する。この為に、
集積回路装置の耐湿性が、このパッド部分のアルミの腐
蝕によって決ってし1うという大きな問題が生じていた
。
に最終保睦の為の絶縁膜、例えば低温で形成されるプラ
ズマシリコン容化膜等で被覆し、プラスチックパッケー
ジを通して入シ込んだ水分をそのシリコン容化膜等で止
めてアルミ配線の下のリンガラス膜に到達しない様にし
て、耐湿性をよくしていた。しかしながら集積回路装置
の内部アルミ配線と、外部配線の電気的接続をとる為の
ボンデングパッド部分は、該最終保護膜がエツチング除
去されているから、この部分はグラスチックパッケージ
を通して入り込んだ水分に直接 される。この水分は、
最終保護膜と配線アルミの界波を通して配線下地PSG
膜に達し、パッド部分のアルミを腐蝕する。この為に、
集積回路装置の耐湿性が、このパッド部分のアルミの腐
蝕によって決ってし1うという大きな問題が生じていた
。
従来、このパッド部分のアルミ腐蝕を防ぐため、ポンデ
ィングパッドと外部配線を金線、もしくはアルミ線等の
リード線によって接続した後、リード線もろともアルミ
パッド表面を光気相成長(光CVD)によって形成され
たシリコンナイトライド膜によって被覆してしまうとい
う方法が提案さnている。しかしながら我々の検討によ
れば光気相成長シリコンナイトライド膜を前記アルミパ
ッド上に形成しfC場合、該光CVDシリコン窒化膜が
耐湿性を持つ様になる2500以上の成長温度で成長さ
せると、膜厚が約aoooX以上ではグラスチックパッ
ケージした後該光CVDシリコン容化膜にクラックが入
シ、耐湿性がなくなってしまうという大きな問題がある
事が判っに0この問題を解決するには、該シリコン窒化
膜の厚さ會、クラックが入らなくなる程度に薄くすると
よいが、その様な薄い膜厚の光CVDシリコン窒化膜で
は、クラックが入らなくても、膜全体を通して水分が浸
透し、耐湿性を劣化させる。
ィングパッドと外部配線を金線、もしくはアルミ線等の
リード線によって接続した後、リード線もろともアルミ
パッド表面を光気相成長(光CVD)によって形成され
たシリコンナイトライド膜によって被覆してしまうとい
う方法が提案さnている。しかしながら我々の検討によ
れば光気相成長シリコンナイトライド膜を前記アルミパ
ッド上に形成しfC場合、該光CVDシリコン窒化膜が
耐湿性を持つ様になる2500以上の成長温度で成長さ
せると、膜厚が約aoooX以上ではグラスチックパッ
ケージした後該光CVDシリコン容化膜にクラックが入
シ、耐湿性がなくなってしまうという大きな問題がある
事が判っに0この問題を解決するには、該シリコン窒化
膜の厚さ會、クラックが入らなくなる程度に薄くすると
よいが、その様な薄い膜厚の光CVDシリコン窒化膜で
は、クラックが入らなくても、膜全体を通して水分が浸
透し、耐湿性を劣化させる。
従って、本発明は上記の問題を除去し7た高耐湿性の集
積回路装置を提供する事である。
積回路装置を提供する事である。
本発明の集積回路装置は、外部配線との接続部に於いて
、内部配線の金属パッドと、該金属パッドに接続された
リード線が光CVDシリコン酸化膜と光CVDシリコン
窒化膜の二層の絶縁膜もしくは、該二層構造が多数回繰
り返し、形成された構造をとる。
、内部配線の金属パッドと、該金属パッドに接続された
リード線が光CVDシリコン酸化膜と光CVDシリコン
窒化膜の二層の絶縁膜もしくは、該二層構造が多数回繰
り返し、形成された構造をとる。
本発明の集積回路装置に於いては、連続して一1偕のシ
リコン窒化膜の厚さは、クラックの入りづらい厚さに保
ちつつ、そのシリコン窒化膜が多層に存在するから、全
体としてのシリコン窒化膜の厚さは3000A以上に出
来るため、金属パッド部の耐湿性が飛躍的に向上すると
いう特徴を有する。
リコン窒化膜の厚さは、クラックの入りづらい厚さに保
ちつつ、そのシリコン窒化膜が多層に存在するから、全
体としてのシリコン窒化膜の厚さは3000A以上に出
来るため、金属パッド部の耐湿性が飛躍的に向上すると
いう特徴を有する。
本発明の集積回路装置は、グラスチックパッケージで組
立てられかつ耐湿性がよいため、低価格かつ高信頼性で
あるという大きな効菓を有する様になる。
立てられかつ耐湿性がよいため、低価格かつ高信頼性で
あるという大きな効菓を有する様になる。
次に本発明をよシよく理解するために、図面を用いて説
明する。
明する。
第1図は従来の集積回路装置を説明するための断面図で
ある。従来の集積回路装置の金属パッド部分はシリコン
基板101と、フィールド部分のシリコン酸化膜102
と、PSG膜 103と、アルミパッド104と、最終
保護膜となる低濃度PSG膜105と、該最終保護R1
05に開けられた開孔部106と、開孔部106を通し
てアルミパッド104に接続される金リード線107と
該金リード線107上から成長された光CVDシリコン
窒化膜108とから成る。この従来の集積回路装置に於
いては光CVDシリコンff1(f[1osは、アルミ
パッド104及び全リード線107上に直接、かつ一層
のみで形成されている。この光CVDシリコン窒化膜1
08は膜厚が大となると歪によってクラックが入シやす
いため、有効な耐湿性を有する膜質となる成長温度25
0’C〜300℃の温度範囲で成長させた場合、3oo
o^以上の膜厚にするとクラックが入シそのクラックか
ら水分がアルミパッド104表面に達(7、更にアルミ
パッド104と最終保護膜105の界波及び最終保護膜
105を通して下地のPEG膜103に達L7てアルミ
パッド104を腐蝕してしまう。この問題は集積回路装
置全体がプラスチックパッケージによって封入される場
合に特に顕著になる。即ち樹脂が流動状B力ら固化する
時に発生するストレスによって光CVDシリコン♀化膜
に歪が加ゎシフラックが入シやすくなる。この為にプラ
スチックパッケージを通して侵入した水分は容易にアル
ミパッド104表面に達する様になシ、耐湿性が著しく
劣化する。
ある。従来の集積回路装置の金属パッド部分はシリコン
基板101と、フィールド部分のシリコン酸化膜102
と、PSG膜 103と、アルミパッド104と、最終
保護膜となる低濃度PSG膜105と、該最終保護R1
05に開けられた開孔部106と、開孔部106を通し
てアルミパッド104に接続される金リード線107と
該金リード線107上から成長された光CVDシリコン
窒化膜108とから成る。この従来の集積回路装置に於
いては光CVDシリコンff1(f[1osは、アルミ
パッド104及び全リード線107上に直接、かつ一層
のみで形成されている。この光CVDシリコン窒化膜1
08は膜厚が大となると歪によってクラックが入シやす
いため、有効な耐湿性を有する膜質となる成長温度25
0’C〜300℃の温度範囲で成長させた場合、3oo
o^以上の膜厚にするとクラックが入シそのクラックか
ら水分がアルミパッド104表面に達(7、更にアルミ
パッド104と最終保護膜105の界波及び最終保護膜
105を通して下地のPEG膜103に達L7てアルミ
パッド104を腐蝕してしまう。この問題は集積回路装
置全体がプラスチックパッケージによって封入される場
合に特に顕著になる。即ち樹脂が流動状B力ら固化する
時に発生するストレスによって光CVDシリコン♀化膜
に歪が加ゎシフラックが入シやすくなる。この為にプラ
スチックパッケージを通して侵入した水分は容易にアル
ミパッド104表面に達する様になシ、耐湿性が著しく
劣化する。
第2図は本発明の実施例集積回路装置を説明するための
断面図である。本発明の集積回路装置は金属パッド部分
がシリコン基板201とフイールド部分のシリコン酸化
膜202と、PSG膜203と、アルミパッド204と
最終保護膜となる低濃度PSO膜゛205と、最終保護
膜205に開けられたし11孔部206と該開孔部20
6を通してアルミパッド204に接続された金リード線
207と、該金リード線207上から光CVDシリコン
酸化膜208.208’・・・・・・と、光CVDシリ
コン窒化LL!o9,2o9’・・・・・・が某互に形
成されfc槽構造とる。この本発明の集積回路装置に於
いては、連続した一層の光CVDシリコン窒化膜209
,209’の厚さは薄くしても全体としての厚さは、3
000^以上に出来るため、クラックが入りづらく、更
に該光CVDシリコン窒化膜209,209’全体を通
して浸透する水分も少くでき、耐湿性が飛躍的に向上す
るという効果を有す。
断面図である。本発明の集積回路装置は金属パッド部分
がシリコン基板201とフイールド部分のシリコン酸化
膜202と、PSG膜203と、アルミパッド204と
最終保護膜となる低濃度PSO膜゛205と、最終保護
膜205に開けられたし11孔部206と該開孔部20
6を通してアルミパッド204に接続された金リード線
207と、該金リード線207上から光CVDシリコン
酸化膜208.208’・・・・・・と、光CVDシリ
コン窒化LL!o9,2o9’・・・・・・が某互に形
成されfc槽構造とる。この本発明の集積回路装置に於
いては、連続した一層の光CVDシリコン窒化膜209
,209’の厚さは薄くしても全体としての厚さは、3
000^以上に出来るため、クラックが入りづらく、更
に該光CVDシリコン窒化膜209,209’全体を通
して浸透する水分も少くでき、耐湿性が飛躍的に向上す
るという効果を有す。
次に本発明の実施例について説明する。先づ下地PEG
膜として7モルチのP S G、[−1μmの厚さに成
長させた後、スパッタ法によシ1μmのアルミを成長さ
せ、写真蝕刻によって、3μmの巾で長さ0.1閣の細
線でつながった2つのパッドを形成した。最終保護膜と
して400℃、常圧下でシリコン酸化膜を1μmの厚さ
で成長させた。
膜として7モルチのP S G、[−1μmの厚さに成
長させた後、スパッタ法によシ1μmのアルミを成長さ
せ、写真蝕刻によって、3μmの巾で長さ0.1閣の細
線でつながった2つのパッドを形成した。最終保護膜と
して400℃、常圧下でシリコン酸化膜を1μmの厚さ
で成長させた。
該シリコン酸化膜を開孔後金線によって外部に接続後以
下の方法により光CVD膜の成長を行った。
下の方法により光CVD膜の成長を行った。
先づSi桟とH20ガスをt量のHg蒸気と混合した後
反応チャンバー内に4人しITorrの圧力に調整し。
反応チャンバー内に4人しITorrの圧力に調整し。
た。成長温度250℃で低圧水銀ランプからの253.
71mの■v光によって、上記故旧ガスを照射し、光C
VDシリコン酸化膜を5ooX成姻:させる。次にSi
H4とNH,ガスを用い、仙、は光CVDシリコン値化
バ(成長と同じ条件でシリコン窒化膜を1000久成畏
させる。この光CVDシリコン酸ct膜500久と光C
VDシリコン賢化膜1000Aを3回ダ互に成長でゼて
試料■とし、た。次に比較と為に全く光CV I)膜を
Iv長さセない試料■と、光CVDシリコンゼぜ化nj
;’、のみケ3000AJ5i長させて試料1とした。
71mの■v光によって、上記故旧ガスを照射し、光C
VDシリコン酸化膜を5ooX成姻:させる。次にSi
H4とNH,ガスを用い、仙、は光CVDシリコン値化
バ(成長と同じ条件でシリコン窒化膜を1000久成畏
させる。この光CVDシリコン酸ct膜500久と光C
VDシリコン賢化膜1000Aを3回ダ互に成長でゼて
試料■とし、た。次に比較と為に全く光CV I)膜を
Iv長さセない試料■と、光CVDシリコンゼぜ化nj
;’、のみケ3000AJ5i長させて試料1とした。
これらの試料を胆成長徽最終的にプラスチックパックー
ジに封入して耐湿性試験を行った。耐湿試駆は、湿度8
5チ、源用145℃の高温、高湿下に試料f、11.1
114保管する事により行った。試料■では20時間、
試料■では30時間前後で2つのパッド間のオープン不
良が発生しだしたのに対し、試料■では60時間までオ
ープン不良が発生しなかりた。こ扛らのオープン不良の
試料について、試験後パブクージを開刺しfc結果バッ
ト部分の黒化が不良の原因である事がわかった。
ジに封入して耐湿性試験を行った。耐湿試駆は、湿度8
5チ、源用145℃の高温、高湿下に試料f、11.1
114保管する事により行った。試料■では20時間、
試料■では30時間前後で2つのパッド間のオープン不
良が発生しだしたのに対し、試料■では60時間までオ
ープン不良が発生しなかりた。こ扛らのオープン不良の
試料について、試験後パブクージを開刺しfc結果バッ
ト部分の黒化が不良の原因である事がわかった。
従って、不発明の集積回路装置は、非常に耐湿性にすぐ
れ、h偏重3度なものとなる太き寵利点をも・りように
なる。伺、本発明の詳細な説明は、光CV i) Kよ
って成長するシリコン窒化膜、シリコン酸化膜を用いて
行ったが、本発明は400℃以下の低沢鼓で成長される
膜、例えはプラズマCVDによって成長された膜、スパ
ッタ法によって成長されfc股等にも適用されうる事は
自明の理であろう。
れ、h偏重3度なものとなる太き寵利点をも・りように
なる。伺、本発明の詳細な説明は、光CV i) Kよ
って成長するシリコン窒化膜、シリコン酸化膜を用いて
行ったが、本発明は400℃以下の低沢鼓で成長される
膜、例えはプラズマCVDによって成長された膜、スパ
ッタ法によって成長されfc股等にも適用されうる事は
自明の理であろう。
第1図は従来技術を示す断面図であり、第2図は本発明
の実施例を示す断面図である。 伺、図において、101,201はシリコン基板、10
2,202はフィールド(社)化膜、103゜203は
P2O膜、104,204はアルミバード、105,2
05は最終保護膜、106,206は開孔部、107.
207は金リード線、−08は光CVDシリコン窒化肢
、208,208’は光CVDシ’J コンf&化U、
209 、209’ ITJ、光CVDシリコン窒化腿
である。 Z 7 図 箔 z 図
の実施例を示す断面図である。 伺、図において、101,201はシリコン基板、10
2,202はフィールド(社)化膜、103゜203は
P2O膜、104,204はアルミバード、105,2
05は最終保護膜、106,206は開孔部、107.
207は金リード線、−08は光CVDシリコン窒化肢
、208,208’は光CVDシ’J コンf&化U、
209 、209’ ITJ、光CVDシリコン窒化腿
である。 Z 7 図 箔 z 図
Claims (1)
- (1)チップ内部金属配線と外部リードとが金属線によ
シ接続されてなる集積回路装置に於いて、チップ表面と
金属線が、400℃以下の温度で成長されたシリコン酸
化膜とシリコン♀化膜の多層膜によって被覆されている
事を特徴とする集積回路装置。 (2、特許請求の範囲(])に記載の集積回路装置に於
いて、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜が光によって
励起されたガスの反応によって形成されている事を特徴
とする集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58193798A JPS6085548A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58193798A JPS6085548A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6085548A true JPS6085548A (ja) | 1985-05-15 |
JPH0219625B2 JPH0219625B2 (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=16313950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58193798A Granted JPS6085548A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6085548A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0270369A2 (en) * | 1986-12-03 | 1988-06-08 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane |
EP0270231A2 (en) * | 1986-12-04 | 1988-06-08 | Dow Corning Corporation | Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsequioxane resin and metal oxides |
EP0270263A2 (en) * | 1986-12-04 | 1988-06-08 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramic coatings from metal oxides for protection of electronic devices |
JPS6411337A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58193798A patent/JPS6085548A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0270369A2 (en) * | 1986-12-03 | 1988-06-08 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane |
EP0270231A2 (en) * | 1986-12-04 | 1988-06-08 | Dow Corning Corporation | Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsequioxane resin and metal oxides |
EP0270263A2 (en) * | 1986-12-04 | 1988-06-08 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramic coatings from metal oxides for protection of electronic devices |
JPS6411337A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Nec Corp | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0219625B2 (ja) | 1990-05-02 |
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