JPS63102859A - 半導体板に面取り輪郭をつける方法 - Google Patents

半導体板に面取り輪郭をつける方法

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JPS63102859A
JPS63102859A JP62258180A JP25818087A JPS63102859A JP S63102859 A JPS63102859 A JP S63102859A JP 62258180 A JP62258180 A JP 62258180A JP 25818087 A JP25818087 A JP 25818087A JP S63102859 A JPS63102859 A JP S63102859A
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JP
Japan
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plate
polishing
semiconductor
board
molybdenum
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JP62258180A
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イーリー ドルーイ
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BBC Brown Boveri AG Switzerland
BBC Brown Boveri France SA
Original Assignee
BBC Brown Boveri AG Switzerland
BBC Brown Boveri France SA
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02021Edge treatment, chamfering
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers

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  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高出力半導体技術の分野に関し、特に中圧及
び高圧ダイオード用半導体に面取り輪郭をつける方法に
関する。
従来の技術 高い逆電圧の高出力半導体素子、特に合金接点を有する
中圧及び高圧ダイオードでは、表面の電界強度を低減し
且つ容量特性で得られるのと近い絶縁耐力を達成するた
めに、構造素子の下に位置する半導体板に適当に面取り
した(正角度の)縁輪郭を設けることは公知である。
現在の技術水準では、このように面取りした縁輪郭を種
々の方法で作ることができる。例えば、独国特許第15
89421号では、超音波ドリルのような超音波工具を
用いて半導体板に縁輪郭を設ける方法が開示されている
。又、米国特許第3262234号では、縁輪郭を形成
するためにサンドブラスト方式を導入している。さらに
、独国特許公開公報第1539101号では、半導体素
子の縁を面取りするのに、サンドブラストすなわち研磨
工程を導入できることが言及されているが、実際に実行
可能な方法に関しては詳細に開示されてはいない。
半導体の加工では、前述の超音波ドリル方式は比較的早
くからサンドブラスト方式によって排除されてきた。何
故ならば、超音波方式では、半導体板の結晶格子の損傷
及び縁の破損がしばしば生ずるからである。一方、サン
ドブラスト方式は量産する上で次のような欠点を有して
いる。即ち、サンドブラスト工程の公差には再現性が乏
しい。
又、サンドブラスト装置は特にノズルの損耗が極めて激
しく、このため保守、修理コストがかがる。
さらに、処理時間、従って製造ラインの能力が半導体板
の厚さに大きく左右されることである。以上のような欠
点にもかかわらず、サンドブラスト方式は広く採用され
てきたが、これはより優れた方法がなかったからである
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、実施が簡単で再現性のある製品を供給
し且つ比較的費用がかからない、面取りした縁輪郭の形
成方法を提供することである。
問題点を解決するための手段 以上の問題点は、半導体板を板面に旋回自在に保持し、
保持された半導体板の旋回軸に対して研磨板の軸を適当
な角度で配置した回転研磨板の前面で半導体板の縁輪郭
を研摩することにより達成される。
従って、本発明の要旨は、面取りした縁輪郭を研磨板に
よる純機械的な研磨によって達成し、その際、研磨装置
の特定の形状が維持されることにある。
好適な実施例によれば、半導体板を保持する前にモリブ
デン板上に合成し、半導体板とモリブデン板とからなる
研磨する層構造体が保持され、これにより、研磨中の半
導体板の機械的な応力を著しく軽減することができる。
さらに、好適な実施例によれば、ダイアモンド研磨板が
研磨板として使用され、この研磨板の刃の平均直径は2
5μm、精鉱度は約3.3カラント/cdでメタルボン
ドで取り付けられている。このような研磨板により、寿
命が長く且つ一様で公差が小さい面取りを達成できる。
その他の実施例は特許請求の範囲に記載されている。
次に、添付図面を参照して、本発明の詳細な説明する。
実施例 図面には、半導体板の面取り輪郭部を研磨する研磨装置
の概略図が示されている。
半導体1をまずモリブデン板2の上に合成するのが好ま
しく、この板は仕上げ素子の合金接点にもなる。
半導体板1とモリブデン板2とからなる層構造体は、図
示のように、適当な保持ナックル4によって2つの保持
部材3と6との間に保持される。
保持部材3.6が旋回自在に取り付けられているので、
研磨工程中、保持された半導体板1は旋回可能である。
研磨板の軸8には、保持部材3.6からなる保持装置の
旋回軸に対して角度をなして研磨板7が配置され、半導
体板1の所望の面取りができるようにその前面が位置決
めされている。その際、面取り角度は、保持装置の旋回
軸と研磨板の軸8との間の角度によって定められる。
半導体板1の全周にわたって一様な縁輪郭を作るために
は、半導体板1を保持する際、正確に心出しできるよう
な固定旋回軸をもった保持装置が必要である。このよう
に時間がかかり誤差が生じがちな心出しは、(図面の両
方向の矢印で示すように)旋回軸に対して垂直に移動す
る保持装置を用いることによって回避することができる
次いで、モリブデン板2は、保持された後、縁部が旋回
自在な削り板9と接触する。削り板の軸10の位置は固
定されている。
さて、研磨の際、モリブデン板2が削り板9と接触して
回転すると、保持装置に心出し状態に保持されていな(
とも、モリブデン板2、従って半導体板1は研磨板2に
対して回転する。保持の際の心出しが不良な場合には、
保持部材3.6が両矢印の方向に振動するので判定でき
る。
研磨工程の際、研磨板7は、(図面に片矢印で示した)
推力Vで半導体板の方へ移動する。後述するダイアモン
ド研磨板の場合には、4mm/分の推力を選定するのが
好ましく、これにより良好な表面仕上げを行うとともに
加工時間が短縮される。逆電圧300乃至6000Vで
半導体の厚さが200mm乃至1000mmのシリコン
ダイオードを量産するためには、以下の特徴をもったダ
イアモンド研磨板を使用するのが良い。すなわち、平均
直径25μmで精鉱度約3.3カラン) / crA(
C75)のダイアモンド刃を備えたメタルボンドで取り
付けた直径約150mmの研磨板である。
実証済みのこの研磨板を用いて、約22m/秒の研磨速
度で研磨するのが好ましい。その際、研磨中、半導体板
1が約30回転/分の速度で研磨板7とは逆方向に回転
するのが特に好ましい。
研磨装置を保護するために錆止め材を添加した水を冷却
液として使用するのが便利である。
要するに、本発明による方法によって次のことが達成さ
れる。即ち、再現可能な形状と正の角度の公差(縁の面
取り)が確実に得られる。装置の能力は、半導体板の厚
さによって左右されない。
装置が故障しに<<、保守が少なくて済む。
【図面の簡単な説明】 図面は、本発明の好適な実施例に基づく方法を実施する
のに使用する研磨装置の略図である。 ■・・・半導体、2・・・モリブデン板、3.6・・・
保持部材、 4.5・・・保持ナックル、 7・・・研磨板、8・・・研磨板の軸、9・・・削り板
、10・・・削り板の軸。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)中圧及び高圧ダイオード用半導体板に面取り輪郭
    をつける方法において、半導体板1は板面に旋回自在に
    保持され、研磨板の軸8を、保持する半導体板1の旋回
    軸に対して適当な角度で配置した回転研磨板7の前面に
    よって半導体板1の縁輪郭を研磨することを特徴とする
    方法。 (2)保持する前に、半導体板1をモリブデン板2の上
    に合成し、且つ半導体板1とモリブデン板2とからなる
    層構造体を保持することを特徴とする特許請求の範囲第
    (1)項に記載の方法。 (3)研磨板7は、研磨中、板面と平行な半導体板1の
    方向の推力Vで駆動され、推力Vは好適には約4mm/
    分であることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項に
    記載の方法。 (4)半導体板1とモリブデン板2とからなる構造体を
    心出しするために、研磨の際、旋回軸に対して垂直に移
    動できる保持装置が使用され、且つ研磨中、モリブデン
    板2の縁部は旋回自在な削り板9と接して回転し、前記
    削り板の軸10は固定位置にあることを特徴とする特許
    請求の範囲第(2)項に記載の方法。 (5)ダイアモンド研磨板が研磨板7として使用される
    ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項に記載の方
    法。 (6)研磨板7は、平均直径25μmのダイアモンド刃
    を含み、ダイアモンド刃の精鉱度は約 3.3カラット/cm^2であり、ダイアモンド刃は研
    磨板7にメタルボンドで取りつけられていることを特徴
    とする特許請求の範囲第(5)項に記載の方法。 (7)研磨板7の直径は約150mmであることを特徴
    とする特許請求の範囲第(5)項に記載の方法。 (8)研磨時の研削速度は約22m/秒であることを特
    徴とする特許請求の範囲第(6)項に記載の方法。 (9)半導体板1は、研磨中、研磨板7と逆方向に旋回
    し、回転速度は約30回転/分であることを特徴とする
    特許請求の範囲第(1)項に記載の方法。 (10)研磨時の冷却液として水を使用することを特徴
    とする特許請求の範囲第(5)項に記載の方法。
JP62258180A 1986-10-13 1987-10-13 半導体板に面取り輪郭をつける方法 Pending JPS63102859A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH4070/86A CH671116A5 (ja) 1986-10-13 1986-10-13
CH04070/86-0 1986-10-13

Publications (1)

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EP (1) EP0264679B1 (ja)
JP (1) JPS63102859A (ja)
CN (1) CN1005943B (ja)
CH (1) CH671116A5 (ja)
DE (1) DE3777528D1 (ja)

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