JPS58202758A - 研削装置 - Google Patents
研削装置Info
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- JPS58202758A JPS58202758A JP8482382A JP8482382A JPS58202758A JP S58202758 A JPS58202758 A JP S58202758A JP 8482382 A JP8482382 A JP 8482382A JP 8482382 A JP8482382 A JP 8482382A JP S58202758 A JPS58202758 A JP S58202758A
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- grindstone
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- wafer
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は研削装置に係り、特に、シリコンワエハ外周熾
面にベベル加工を施すi!直に関する。
面にベベル加工を施すi!直に関する。
従来はB付2ツノ重にシリコンフェノ・を押しつけ遊離
研粒にて、シリコンワエハ外周層面iKベベル形状を侍
ていたが、この従来方式によるとベベル角度がgRXと
なる製品毎にR付うップ盤が必要となり、交換及び保守
に多大の工数が必要でめった。
研粒にて、シリコンワエハ外周層面iKベベル形状を侍
ていたが、この従来方式によるとベベル角度がgRXと
なる製品毎にR付うップ盤が必要となり、交換及び保守
に多大の工数が必要でめった。
本発明の目的はシリコンクエバ等の被研削品の外周4I
iilに任意の深さで、任意の角[t−高速でかつ為I
ll直に形成することができる研削装m’i従供するこ
とにおる。
iilに任意の深さで、任意の角[t−高速でかつ為I
ll直に形成することができる研削装m’i従供するこ
とにおる。
本発明はゆつ〈シ回転する被研削品に対して高速で回転
する研削材を角1Lt−もって蟲接させて、外周端面の
ベベル加工を行なわせ、研削材の回転は加工ひずみ層が
少ないエアスピンドルを用いること′t%倣とする。
する研削材を角1Lt−もって蟲接させて、外周端面の
ベベル加工を行なわせ、研削材の回転は加工ひずみ層が
少ないエアスピンドルを用いること′t%倣とする。
以下本!11明の1夷m例を図によシ説明する。
第1図において、エアスピンドルlは固定板2に固定嘔
れ、固定板2はハンドル4によシ傾胴角が可変する傾斜
台3に接続されている。又エアスピンドル1の砥石チャ
ック部5にはダイヤ電着され九カップ状砥石(研削材)
6がセットされている。さらに固定板2にはマイクロメ
ータホルグ7が接続され、−趨にビン8を支点に上下す
るL字形ストッパ9が接続されてスプリング10にて上
側に引上げられ、マイクロメーター1により任意の位置
で停止している。被研削品でめるシリコンウェハ26は
第2図、第3図で示すようにハンドル29を操作してコ
レット12を押しスプリングし 14でガイド13のテーバ部に押魂当てることにより、
コレット120層部でチャックする。又ガイド13fl
ボールベアリング15によシリコン9エバ26の中心を
軸として回転するようにスプラインハヮジング16を配
置しボール17を介したスプライン軸18に連結しであ
る。さらにスプラインハワジング16にはプーリー19
が接続されている。又スプライン軸下趨の受は盤20に
はロッド23を支点にワエ、、イ辱24がレバー22を
介して加わる構造となっている。従って、スプライン軸
18は、ハワジング30に対して回転し、また、上下方
向に摺動できるようになっている。
れ、固定板2はハンドル4によシ傾胴角が可変する傾斜
台3に接続されている。又エアスピンドル1の砥石チャ
ック部5にはダイヤ電着され九カップ状砥石(研削材)
6がセットされている。さらに固定板2にはマイクロメ
ータホルグ7が接続され、−趨にビン8を支点に上下す
るL字形ストッパ9が接続されてスプリング10にて上
側に引上げられ、マイクロメーター1により任意の位置
で停止している。被研削品でめるシリコンウェハ26は
第2図、第3図で示すようにハンドル29を操作してコ
レット12を押しスプリングし 14でガイド13のテーバ部に押魂当てることにより、
コレット120層部でチャックする。又ガイド13fl
ボールベアリング15によシリコン9エバ26の中心を
軸として回転するようにスプラインハヮジング16を配
置しボール17を介したスプライン軸18に連結しであ
る。さらにスプラインハワジング16にはプーリー19
が接続されている。又スプライン軸下趨の受は盤20に
はロッド23を支点にワエ、、イ辱24がレバー22を
介して加わる構造となっている。従って、スプライン軸
18は、ハワジング30に対して回転し、また、上下方
向に摺動できるようになっている。
@4図は研削加工前のシリコンクエバ26を示してお9
、これはタングステン電極27にろう付されている。前
工根として、@5凶に示すように、例えばテンドプラス
トにニジ、シリコンウェハ26に第1ベベル加工面26
aが形成される。次に、このシリコンクエバ26をコレ
ット12に装着する。ハンドル4を操作して、砥石6と
シリコンウェハ26の接触角teめる。
、これはタングステン電極27にろう付されている。前
工根として、@5凶に示すように、例えばテンドプラス
トにニジ、シリコンウェハ26に第1ベベル加工面26
aが形成される。次に、このシリコンクエバ26をコレ
ット12に装着する。ハンドル4を操作して、砥石6と
シリコンウェハ26の接触角teめる。
次に、エアスピンドル1によシ砥石6t−高速圓転させ
る。この回転速度は例えば12000回/分でるる。
る。この回転速度は例えば12000回/分でるる。
一方、ベルト25によりスプライン軸18を介してシリ
コンクエバ26′を回転させる。この回転速度は例えば
100回/分の低速であシ、次に、スプライン軸18t
−9エイト24により上昇させて、シリコン9エバ26
と砥石6を当接させ、研削加工を行う。砥石6は例えば
2000査楊度の微細なりらさを持つものでメ〕、エア
スピンドル1で回転されると共に、ワエイト24による
荷重は30g楊匿であるため、シリコンウェハ26には
ほとんど歪を残さない。
コンクエバ26′を回転させる。この回転速度は例えば
100回/分の低速であシ、次に、スプライン軸18t
−9エイト24により上昇させて、シリコン9エバ26
と砥石6を当接させ、研削加工を行う。砥石6は例えば
2000査楊度の微細なりらさを持つものでメ〕、エア
スピンドル1で回転されると共に、ワエイト24による
荷重は30g楊匿であるため、シリコンウェハ26には
ほとんど歪を残さない。
186図は研削加工の終了時点を示している。即ち、研
削が進むにつれて、スプライン軸1st介してシリコン
9エバ26はワエイト24によp上昇され、マイクロメ
ータ11で所定位置に停止されているL字形ストッパ9
に当接する。この当接時点を研8u力ロエの終了時点と
している。従って、マイクロメータ11の調節に工p終
了時点Fi変史し得るものでおる。
削が進むにつれて、スプライン軸1st介してシリコン
9エバ26はワエイト24によp上昇され、マイクロメ
ータ11で所定位置に停止されているL字形ストッパ9
に当接する。この当接時点を研8u力ロエの終了時点と
している。従って、マイクロメータ11の調節に工p終
了時点Fi変史し得るものでおる。
研削終了tL芋杉ストッパ9に19目視確認したら、ワ
エイト24を外し、エアスピンドル1゜ベルト250回
転を止める。シリコン9エバ26は第3図に示すハンド
ル29t−下方に押し下げるとコレット12は牛径方向
に拡がるので、コレット12から簡単に外すことができ
る。
エイト24を外し、エアスピンドル1゜ベルト250回
転を止める。シリコン9エバ26は第3図に示すハンド
ル29t−下方に押し下げるとコレット12は牛径方向
に拡がるので、コレット12から簡単に外すことができ
る。
第7図、#!8図は砥石6による研削加工後のシリコン
ウェハ26を示しており、26bは研削の結果形成され
た第2ベベル加工面である。
ウェハ26を示しており、26bは研削の結果形成され
た第2ベベル加工面である。
シリコン9エバ26と砥石6の接触角は第1図のハンド
ル曝により任意に変えられるから、第2ベベル加工面1
6bは各種のものが侍らnる。
ル曝により任意に変えられるから、第2ベベル加工面1
6bは各種のものが侍らnる。
即ち、目的とする7リコンクエハのベベル角が変るたび
にハンドル4によ〕接触角を調節すnばよいのである。
にハンドル4によ〕接触角を調節すnばよいのである。
また、砥石6は高速回転されるから加工処理時間は短か
い。
い。
以上、被加工品としてシリコンウェハを引用して、ベベ
ル角を設ける例について説明したが、各機の被加工品に
適用できることは容易に理解できるでるろう。
ル角を設ける例について説明したが、各機の被加工品に
適用できることは容易に理解できるでるろう。
本発明装置によれは自在に傾斜角度変更ができ、製品傷
のB付うップ鉦が不賛でかつ、従来の1/10の加工時
間で斜め形状が形成できる。
のB付うップ鉦が不賛でかつ、従来の1/10の加工時
間で斜め形状が形成できる。
【図面の簡単な説明】
l1l−は本発明による研削装置の正面図、第2図Fi
第1図に示す装置に用いたコレットチャックの正面図、
#!3図は#!2図に示し次コレントテヤツクの正面図
、If!4図は加工前のシリコンウェハの正面図、菖5
図は1段加工後のシリコンウェハの正面図、籐6−は本
発明装置による加工秋慈を示す正面図、第7図は本発明
装置による加工後のシリコンワエハの平面図、第8図は
本発#1!!置による加工後のシリコンワエハの正面図
でめる。 1・・・エアスピンドル、3・・・傾斜台、6・・・カ
ップ状砥石、9・・・L字形ストンバ、11・・・マイ
クロメータ、12・・・コレット、15・・・ボールペ
ア’):#、16・・・ハヮジング、17・・・ボール
、18・・・スプライン軸、24・・・クエイト、25
・・・ベルト、26・・・第2図 に3図 第4図 第7図 肘8・図
第1図に示す装置に用いたコレットチャックの正面図、
#!3図は#!2図に示し次コレントテヤツクの正面図
、If!4図は加工前のシリコンウェハの正面図、菖5
図は1段加工後のシリコンウェハの正面図、籐6−は本
発明装置による加工秋慈を示す正面図、第7図は本発明
装置による加工後のシリコンワエハの平面図、第8図は
本発#1!!置による加工後のシリコンワエハの正面図
でめる。 1・・・エアスピンドル、3・・・傾斜台、6・・・カ
ップ状砥石、9・・・L字形ストンバ、11・・・マイ
クロメータ、12・・・コレット、15・・・ボールペ
ア’):#、16・・・ハヮジング、17・・・ボール
、18・・・スプライン軸、24・・・クエイト、25
・・・ベルト、26・・・第2図 に3図 第4図 第7図 肘8・図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ハワジングに回転かつm動可能に設けられ喝部に1
10品を保持し得る軸、上記被研削品に則する接触角が
自由に質シ侍る回転研削材、上記軸を回転する+段、上
記S+t−上記回転研削材の方向へ搦−させる手段、上
記回転研削材tJ:紀輪の回転手段よりも高速で回転さ
せる手段1−肩し、高速で回転する上記回転研削材に対
し、41L6PtAII品を回転させつつ接触させ、所
定の研1lSIIt行うことt脣畝とする研削装*。 2、上記1に%1機において、被研削品はシリコン9エ
バであり、回転研削材の回転手段はエアスピンドルで6
9、回転研削材は被研削品の周端部に接触してベベル加
工taすことt−%黴とする研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8482382A JPS58202758A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8482382A JPS58202758A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 研削装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58202758A true JPS58202758A (ja) | 1983-11-26 |
JPS6339378B2 JPS6339378B2 (ja) | 1988-08-04 |
Family
ID=13841466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8482382A Granted JPS58202758A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58202758A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4793102A (en) * | 1986-10-13 | 1988-12-27 | Bbc Brown Boveri Ag | Method of producing a beveled peripheral profile on a semiconductor disc |
CN112589572A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-02 | 金利 | 一种高跟鞋鞋跟加工处理装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501112U (ja) * | 1972-02-14 | 1975-01-08 |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP8482382A patent/JPS58202758A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501112U (ja) * | 1972-02-14 | 1975-01-08 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4793102A (en) * | 1986-10-13 | 1988-12-27 | Bbc Brown Boveri Ag | Method of producing a beveled peripheral profile on a semiconductor disc |
CN112589572A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-02 | 金利 | 一种高跟鞋鞋跟加工处理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6339378B2 (ja) | 1988-08-04 |
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