JPS6339378B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6339378B2 JPS6339378B2 JP57084823A JP8482382A JPS6339378B2 JP S6339378 B2 JPS6339378 B2 JP S6339378B2 JP 57084823 A JP57084823 A JP 57084823A JP 8482382 A JP8482382 A JP 8482382A JP S6339378 B2 JPS6339378 B2 JP S6339378B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- spline shaft
- workpiece
- grinding
- support stand
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は研削装置に係り、特に、シリコンウエ
ハ外周端面にベベル加工を施す装置に関する。
ハ外周端面にベベル加工を施す装置に関する。
従来はR付ラツプ盤にシリコンウエハを押しつ
け遊離研粒にて、シリコンウエハ外周端面部にベ
ベル形状を得ていたが、この従来方式によるとベ
ベル角度が変更となる製品毎にR付ラツプ盤が必
要となり、交換及び保守に多大の工数が必要であ
つた。
け遊離研粒にて、シリコンウエハ外周端面部にベ
ベル形状を得ていたが、この従来方式によるとベ
ベル角度が変更となる製品毎にR付ラツプ盤が必
要となり、交換及び保守に多大の工数が必要であ
つた。
本発明の目的はシリコンウエハ等の被研削品の
外周端面に任意の深さで、任意の角度を高速でか
つ高精度に形成することができる研削装置を提供
することにある。
外周端面に任意の深さで、任意の角度を高速でか
つ高精度に形成することができる研削装置を提供
することにある。
本発明はゆつくり回転する被研削品に対して高
速で回転する研削材を角度をもつて当接させて、
外周端面のベベル加工を行なわせ、研削材の回転
は加工ひずみ層が少ないエアスピンドルを用いる
ことを特徴とする。
速で回転する研削材を角度をもつて当接させて、
外周端面のベベル加工を行なわせ、研削材の回転
は加工ひずみ層が少ないエアスピンドルを用いる
ことを特徴とする。
以下本発明の一実施例を図により説明する。
第1図において、エアスピンドル1は固定板2
に固定され、固定板2はハンドル4により傾斜角
が可変する傾斜台3に接続されている。又エアス
ピンドル1の砥石チヤツク部5にはダイヤ電着さ
れたカツプ状砥石(研削材)6がセツトされてい
る。さらに固定板2にはマイクロメータホルダ7
が接続され、一端にピン8を支点に上下するL字
形ストツパ9が接続されてスプリング10にて上
側に引上げられ、マイクロメータ11により任意
の位置で停止している。被研削品であるシリコン
ウエハ26は第2図、第3図で示すようにハンド
ル29を操作してコレツト12を押しスプリング
14でガイド13のテーパ部に押し当てることに
より、コレツト12の端部でチヤツクする。ガイ
ド13はシリコンウエハ26の中心を軸として回
転するようにスプライン軸18の上端に連結され
ている。スプライン軸18はボール17を介して
スプラインハウジング16に軸方向に摺動可能に
支持され、スプラインハウジング16はボールベ
アリング15を介してハウジング30に回転可能
に支持されている。さらにスプラインハウジング
16にはプーリー19が接続されている。又スプ
ライン軸下端の受け盤20にはロツド23を支点
にウエイト24がレバー22を介して加わる構造
となつている。従つて、スプライン軸18は、ハ
ウジング30に対して回転し、また、上下方向に
摺動できるようになつている。
に固定され、固定板2はハンドル4により傾斜角
が可変する傾斜台3に接続されている。又エアス
ピンドル1の砥石チヤツク部5にはダイヤ電着さ
れたカツプ状砥石(研削材)6がセツトされてい
る。さらに固定板2にはマイクロメータホルダ7
が接続され、一端にピン8を支点に上下するL字
形ストツパ9が接続されてスプリング10にて上
側に引上げられ、マイクロメータ11により任意
の位置で停止している。被研削品であるシリコン
ウエハ26は第2図、第3図で示すようにハンド
ル29を操作してコレツト12を押しスプリング
14でガイド13のテーパ部に押し当てることに
より、コレツト12の端部でチヤツクする。ガイ
ド13はシリコンウエハ26の中心を軸として回
転するようにスプライン軸18の上端に連結され
ている。スプライン軸18はボール17を介して
スプラインハウジング16に軸方向に摺動可能に
支持され、スプラインハウジング16はボールベ
アリング15を介してハウジング30に回転可能
に支持されている。さらにスプラインハウジング
16にはプーリー19が接続されている。又スプ
ライン軸下端の受け盤20にはロツド23を支点
にウエイト24がレバー22を介して加わる構造
となつている。従つて、スプライン軸18は、ハ
ウジング30に対して回転し、また、上下方向に
摺動できるようになつている。
第4図は研削加工前のシリコンウエハ26を示
しており、これはタングステン電極27にろう付
されている。前工程として、第5図に示すよう
に、例えばサンドブラストにより、シリコンウエ
ハ26に第1ベベル加工面26aが形成される。
次に、このシリコンウエハ26をコレツト12に
装着する。ハンドル4を操作して、砥石6とシリ
コンウエハ26の接触角を決める。
しており、これはタングステン電極27にろう付
されている。前工程として、第5図に示すよう
に、例えばサンドブラストにより、シリコンウエ
ハ26に第1ベベル加工面26aが形成される。
次に、このシリコンウエハ26をコレツト12に
装着する。ハンドル4を操作して、砥石6とシリ
コンウエハ26の接触角を決める。
次に、エアスピンドル1により砥石6を高速回
転させる。この回転速度は例えば12000回/分で
ある。
転させる。この回転速度は例えば12000回/分で
ある。
一方、ベルト25によりスプライン軸18を回
転し、軸18に連らなるコレツト12にチヤツク
されたシリコンウエハ26を回転させる。この回
転速度は例えば100回/分の低速である。次に、
スプライン軸18をウエイト24により上昇させ
て、シリコンウエハ26と砥石6を当接させ、研
削加工を行う。砥石6は例えば2000番程度の微細
なあらさを持つものであり、エアスピンドル1で
回転されると共に、ウエイト24による荷重は30
g程度であるため、シリコンウエハ26にはほと
んど歪を残さない。
転し、軸18に連らなるコレツト12にチヤツク
されたシリコンウエハ26を回転させる。この回
転速度は例えば100回/分の低速である。次に、
スプライン軸18をウエイト24により上昇させ
て、シリコンウエハ26と砥石6を当接させ、研
削加工を行う。砥石6は例えば2000番程度の微細
なあらさを持つものであり、エアスピンドル1で
回転されると共に、ウエイト24による荷重は30
g程度であるため、シリコンウエハ26にはほと
んど歪を残さない。
第6図は研削加工の終了時点を示している。即
ち、研削が進むにつれて、スプライン軸18を介
してシリコンウエハ26はウエイト24により上
昇され、マイクロメータ11で所定位置に停止さ
れているL字形ストツパ9に当接する。この当接
時点を研削加工の終了時点としている。従つて、
マイクロメータ11の調節により終了時点は変更
し得るものである。
ち、研削が進むにつれて、スプライン軸18を介
してシリコンウエハ26はウエイト24により上
昇され、マイクロメータ11で所定位置に停止さ
れているL字形ストツパ9に当接する。この当接
時点を研削加工の終了時点としている。従つて、
マイクロメータ11の調節により終了時点は変更
し得るものである。
研削終了をL字形ストツパ9により目視確認し
たら、ウエイト24を外し、エアスピンドル1、
ベルト25の回転を止める。シリコンウエハ26
は第3図に示すハンドル29を下方に押し下げる
とコレツト12は半径方向に拡がるので、コレツ
ト12から簡単に外すことができる。
たら、ウエイト24を外し、エアスピンドル1、
ベルト25の回転を止める。シリコンウエハ26
は第3図に示すハンドル29を下方に押し下げる
とコレツト12は半径方向に拡がるので、コレツ
ト12から簡単に外すことができる。
第7図、第8図は砥石6による研削加工後のシ
リコンウエハ26を示しており、26bは研削の
結果形成された第2ベベル加工面である。
リコンウエハ26を示しており、26bは研削の
結果形成された第2ベベル加工面である。
シリコンウエハ26と砥石6の接触角は第1図
のハンドル4により任意に変えられるから、第2
ベベル加工面26bは各種のものが得られる。
のハンドル4により任意に変えられるから、第2
ベベル加工面26bは各種のものが得られる。
即ち、目的とするシリコンウエハのベベル角が
変るたびにハンドル4により接触角を調節すれば
よいのである。
変るたびにハンドル4により接触角を調節すれば
よいのである。
また、砥石6は高速回転されるから加工処理時
間は短かい。
間は短かい。
以上、被加工品としてシリコンウエハを引用し
て、ベベル角を設ける例について説明したが、各
種の被加工品に適用できることは容易に理解でき
るであろう。
て、ベベル角を設ける例について説明したが、各
種の被加工品に適用できることは容易に理解でき
るであろう。
本発明装置によれば自在に傾斜角度変更がで
き、製品毎のR付ラツプ盤が不要でかつ、従来の
1/10の加工時間で斜め形状が形成できる。
き、製品毎のR付ラツプ盤が不要でかつ、従来の
1/10の加工時間で斜め形状が形成できる。
第1図は本発明による研削装置の正面図、第2
図は第1図に示す装置に用いたコレツトチヤツク
の正面図、第3図は第2図に示したコレツトチヤ
ツクの正面図、第4図は加工前のシリコンウエハ
の正面図、第5図は1段加工後のシリコンウエハ
の正面図、第6図は本発明装置による加工状態を
示す正面図、第7図は本発明装置による加工後の
シリコンウエハの平面図、第8図は本発明装置に
よる加工後のシリコンウエハの正面図である。 1……エアスピンドル、3……傾斜台、6……
カツプ状砥石、9……L字形ストツパ、11……
マイクロメータ、12……コレツト、15……ボ
ールベアリング、16……ハウジング、17……
ボール、18……スプライン軸、24……ウエイ
ト、25……ベルト、26……シリコンウエハ、
30……ハウジング。
図は第1図に示す装置に用いたコレツトチヤツク
の正面図、第3図は第2図に示したコレツトチヤ
ツクの正面図、第4図は加工前のシリコンウエハ
の正面図、第5図は1段加工後のシリコンウエハ
の正面図、第6図は本発明装置による加工状態を
示す正面図、第7図は本発明装置による加工後の
シリコンウエハの平面図、第8図は本発明装置に
よる加工後のシリコンウエハの正面図である。 1……エアスピンドル、3……傾斜台、6……
カツプ状砥石、9……L字形ストツパ、11……
マイクロメータ、12……コレツト、15……ボ
ールベアリング、16……ハウジング、17……
ボール、18……スプライン軸、24……ウエイ
ト、25……ベルト、26……シリコンウエハ、
30……ハウジング。
Claims (1)
- 1 ハウジングに回転かつ軸方向に摺動可能に支
持されたスプライン軸、このスプライン軸の一端
側に設けられ被研削品を着脱自在に支持する支持
台、上記支持台上の上記被研削品に対向して設け
られた回転研削材、上記回転研削材の上記被研削
品に対する接触角を上記被研削品から離れた状態
で任意に変える手段、上記スプライン軸を回転す
る手段、上記回転研削材を上記スプライン軸より
高速で回転させるエアスピンドル、研削加工時に
上記スプライン軸を上記支持台側に摺動させて上
記被研削品と上記回転研削材とを接触させる手段
を具備することを特徴とする研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8482382A JPS58202758A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8482382A JPS58202758A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 研削装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58202758A JPS58202758A (ja) | 1983-11-26 |
JPS6339378B2 true JPS6339378B2 (ja) | 1988-08-04 |
Family
ID=13841466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8482382A Granted JPS58202758A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58202758A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH671116A5 (ja) * | 1986-10-13 | 1989-07-31 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
CN112589572A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-02 | 金利 | 一种高跟鞋鞋跟加工处理装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501112U (ja) * | 1972-02-14 | 1975-01-08 |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP8482382A patent/JPS58202758A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501112U (ja) * | 1972-02-14 | 1975-01-08 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58202758A (ja) | 1983-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0516070A (ja) | ダイヤモンド研削砥石と、これのツルーイング法と、ツルーイング装置と、研削仕上げされた磁気ヘツド | |
JPH09103954A (ja) | ポリシング装置 | |
KR102507675B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
EP1089851A1 (en) | Wafer edge polishing method and apparatus | |
JP2008130808A (ja) | 研削加工方法 | |
JPS6339378B2 (ja) | ||
JPH11347953A (ja) | ウェーハ面取り砥石 | |
JP7413103B2 (ja) | ウェーハの研削方法 | |
JPS61146471A (ja) | ドレツシング装置 | |
JPS62264858A (ja) | 平面研削方法 | |
JPH08336741A (ja) | 表面研削方法 | |
JP3261897B2 (ja) | ホーニングヘッドの成形加工方法及び成形加工装置 | |
JP2613081B2 (ja) | ウエハ外周部の鏡面研磨方法 | |
JPS62213954A (ja) | 硬脆材の外周面研削方法およびその装置 | |
CN110634737B (zh) | 磨削磨具的修锐方法和修锐用晶片 | |
JPS59232758A (ja) | 球面加工装置 | |
JPH06328361A (ja) | 研削盤における砥石磨耗補正装置 | |
JPH11347901A (ja) | ツルーイング工具及びツルーイング工具付きウェーハ面取り装置 | |
JPH08323618A (ja) | 複合研削砥石によるダイヤモンド砥石の高精度・高能率ツルーイング及びドレッシング法 | |
JPH02185359A (ja) | 研削方法及びその装置 | |
JPH04201178A (ja) | ポリッシング装置とそのポリッシング方法 | |
JPH0740209A (ja) | 心なし研削盤の円筒状ワークの研削方法及びワーク保持装置 | |
JPH0637026B2 (ja) | 半導体素子の周面加工装置 | |
JPS6044263A (ja) | 球面加工装置 | |
JPH01199766A (ja) | 研削砥石と研削砥石のドレツシング方法および装置 |