JPS62502930A - 基板より気相法で膜除去する方法及び装置 - Google Patents

基板より気相法で膜除去する方法及び装置

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は反応性のガスで基板材料から膜を除去する方法に係る。更に特定すると 、本発明は、シリコン又はポリシリコンのような基板の表面の酸化物又は窒化物 層又は膜を、例えば無水ぶつ化水素ガスのような無水の反応性ガスで除去するた め、基板をエツチング処理することに係るものである。本発明に基づく方法は、 半導体の集積回路チップの製造時に使用するシリコン・ウェハーの処理工程のみ ならず、他の工程でのエツチングやクリーニング工程でも極めて重要度が高い。
現在、半導体集積回路チップや薄膜の製造時のエツチング工程は、湿式酸エツチ ング法又はプラズマ法で実施されている。湿式エツチング法としては、エツチン グすべき表面を適当なフォトレジスト・マスクで覆い、このマスクしを回路を、 エツチング面は溶かすが、他のマスクした所はそのま〜にしてお（ような薬液に 浸漬する方法である。又、酸液なエツチング面にスプレーすることもある。この ような公知の湿式エツチング法では、エツチングは約５０〜２，０００　Ｘ７分 の速さで進められ、この範囲では速さは制御可能である。
しかし、エツチング面に明確なエツジを得ることは現在公知の化学エツチング法 では困難とされている。この理由は湿式エツチング剤の化学作用が等方的に進行 することにある。即ち、エツチング剤は下方に進むと同じ距離だけマスクの下部 も削り取る。このため微細な構造を得るには、湿式化学エツチング法を採用する ことは極めて不利とされている。湿式エツチングのもう一つの難点は、このエツ チング法を完結させるには、残存するエツチング剤及び其の他の異物を除去する ためウェハーの徹底的な洗浄が必要とされることである。
即ち、ウェハーをエツチングした後、別工程で洗浄せねばならず、この洗浄が新 しい特殊な問題点をもたらし、特にウェハー表面に集まる重金属に係るものがあ る。エツチング後のウェハー洗浄工程では塩酸と過酸化水素、又はアンモニアと 過酸化水素のような化学薬品が使用され、これらの薬品は洗浄工程を過ぎた後、 ウェハー表面から洗浄除去しなげればならない。
更にウェハーの湿式エツチング法では処理するが困難な他の問題点がある。例え ば、液体のエツチング剤や洗浄剤には厳しい環境処理の問題がある。多くの場合 、これらのエツチング剤や洗浄剤は厳格な政府規制に基づいて収集・処分しなけ ればならない。
前記の湿式液体エツチング法に伴う上記及びそれ以外の問題点を解決するために 、気体エツチング剤を用いる気相エツチング法の開発のため種々の研究が進めら れている。ウェハーを気相法でエツチングする公知の方法は、プラズマ・エツチ ング法又は反応性イオンエツチング法（ＲＩＥ）　で、この場合低圧力の気体が 詰められた真空容器が必要であった。エツチングする表面即ち基板をフォトレジ スト・マスクで覆い、反応性エツチング・ガスと一緒にこの容器中に入れる。エ ツチング工程を完結するため、電圧を加えてガスを活性化し、解離させて、種々 の陽・陰イオン、反応性の中性種、及び電子を作る。こうしてできた解離種がエ ツチング表面と相互作用を起して種々の気相反応生成物を作り出す。
気体を使ったエツチングについては他にも種々の研究が進められているが、極端 で、かつ好ましくない状況下にあり、現在の所実用性の面からまだ不成功に略本 発明の目的の１つは、種々の反応性ガスで処理した膜又は層を除去するための、 及び室温付近の条件で操作でき、制御可能で再現性があり、均等な結果の得られ る、経済的にも操作上からも好ましい作業性を持った、基板の気相エツチング又 はクリーニング方法を提供することにある。
原理的には、本方法は、室温下、大気圧付近で乾燥不活性ガスと水蒸気を基板上 に通した後、無水ぶつ化水素ガスを連続して流し込み接触させることにより成立 っている。非吸湿性の膜を除くために、ふっ化水素ガスを流入する間は水蒸気の 流通なつｇけ、エツチングを停止する時にはふつ化水素ガスと共に水蒸気の流入 も止めるが、不活性ガスの流入はなおつｙける。吸湿性の膜を除くときには、本 方法ではふつ化素ガス流入開始の直前に水蒸気の流入を中止するが、それ以外は 全く前の方法と同じにする。
本発明によれば、無水の反応性ガスを不活性ガス及び／又は湿った不活性ガスと 混合することにより室温付近で再現性のある、均質で、制御可能なエツチングが 可能となることが発見された。本発明に基づく方法は、集積回路チップの製造時 に、種々の材料の上にあるシリコン、ポリシリコン、ＧａＡｓ　（砒化ガリウム ）、遷移金属、アルミニウムの酸化物、窒化物の層又は膜又は各種シリサイド膜 のエツチング除去に使用する。
本発明によれば、エツチング基板は、反応室内の圧力を「大気圧付近」に保つよ うに、雰囲気を連続的に換気した反応室内に閉じ込められている。この反応室内 の圧力状態を大気圧付近に保つという条件は、室内の換気部に絞り弁のような制 御装置を使って得られる大気圧と同等又はそれよりやへ高いものでよい。反応室 の圧力は大気圧より水柱で約３５インチ（約８９０ｔｎｍ、０．０８６気圧）程 度高（ても好結果が得られる。
反応室は基本的には室温に保ち、加熱する必要はない。
除去すべき膜や層を持った基板やエツチングすべき幾伺学的パターンの基板をこ の反応室に置く。反応室とガスの流路系は凡て乾燥した不活性ガス流で洗浄する 。
この後無水の反応性ガスと無水の不活性ガスと、できれば追加する湿った不活性 ガスの混合物を、この反応室に導（。反応性ガスを流入するとエツチング即ち膜 除去が起る。このガス流入は大抵の場合５〜３０秒間続ける。エツチングが終る と反応性ガスの流入を止め七室内より排出し、エツチングを停止させる。
反応性ガス処理の特殊例としては、シリカ膜や他のエツチング可能膜のエツチン グに無水ふつ化水素ガスを使用しているものがある。制御された湿度を持った窒 素ガスのような不活性ガスを無水ふつ化水素ガスと混合する。この混合ガスを反 応室内に流して、反応室を室温、大気圧付近の条件に維持させる。反応室は換気 なつｇけ、こうして圧力を大気圧付近に保つ。反応室内の圧力は、普通換気を制 御することによって起る僅かな背圧を連続ガス流入維持を必要とする分だけ高く なる。逆に、換気部の調節装置で反応室内の圧力は水柱で２５インチ（６３５ｍ ｍ、０．０６５気圧）〜３５インチ（８９０ｍｍ、０．０８６気圧）も高くする ことができる。不活性ガス中の水分は、無水ぶつ化水素ガスとエツチングの必要 な基板上の膜との間に反応を起させ、それを維持する。
基板からこれらの膜及び層のエツチングによる除去はシリーズの基板及び一枚の 基板のエツチングの時は再現性があり、制御可能で、しかもエツチングは基板表 面上を全く均一に進行する。エツチングはその処理速さが広い範囲に亘って制御 可能である。−例として、シリカの場合１００〜１４．０００　Ａ／分の速さで 行われている。反応室ではウェハーが僅か１枚から多数枚まで同時に処理できる 。
本発明のもう１つの特徴は、こ〜に述べて述べる方法で得られる改良された製品 である。本改良品はこれまでの製品では１度も見られなかった特徴を組合せて保 有している。
これらの重要な組合せの中には、エツチングが終った後のシリコン基板の表面が 滑らかであること、エツチングによる表面の損傷、粗化がないこと、幾何エツチ ングの際線巾が細くできること、エツチング終了後シリコン基板上に遊離するふ っ素原子のレベルが高い性ガスに室温・大気圧付近でさらすことによって除去出 来る膜を少くとも１部分持った基板よりできている。
更に詳しく言うと、この改良品は、水分好ましくは乾燥窒素ガス又は他の不活性 ガスに運ばれた水蒸気の存在下で無水ふつ化水素のような無水のハロゲン化水素 ガスに基板と膜をさらすことによって除去できる酸化物又は窒化物膜を少（とも １部分に持つシリコン・ウェハーからできたものである。
本発明の改良品とそれの持つ特徴は、高級な回路チップの調製に極めて適合した 利点を提供する。
本発明の又別の特徴は、基板から膜を除去するための加工機械である。本発明の 特徴は、処理すべき基板を収めた、室温付近に温度維持され、連続的に換気され 、開放可能とした反応室でもある。無水ふつ化水素のような反応性ガス、及び乾 燥窒素ガスのような洗浄用不活性ガス用のバルブ付のガス供給源をこの反応室に 連結する。水蒸気用のパルプ付の供給源も、水蒸気を不活性ガスの一部と一緒に この反応室へ送入できるように、連結してお（。無水の反応性ガスの供給源及び そのガスの流量調節器は、ガスの凝縮が防止できるように加温できることか好ま しい。
この処理装置は、基板から膜を選択的にエツチングして除去することを、最少の 機構と、最少の制御しか必要としない条件で、実施を可能とする利点を提供する ものである。本装置を利用してエツチングを行うと、高品質の回路チップの生産 と改良製品が得られる。
図面の簡単な説明 第１図は本発明の方法を実施するための装置の配置図である。
第２図は本発明の方法に基づいて除去されたエツチング可能な膜を一部に持つ基 板の概略図である。
第３図はエツチング可能な膜が本発明の方法に基づいて完全に除去された表面を 持った基板の概略図である。
発明の詳細な説明 本方法により処理できる基板材料は、一般に〕・ロゲン含有のガス・エツチング 剤に悪影響を受けない基板材料であればどんなものでもよい。この基板材料が、 集積回路チップ製造時に処理されるウエノ・−である時には、これらの材料は、 シリコン、ポリシリコン、ガーネット、及び砒化ガリウム、燐化インジウムのよ うな２枚分化合物、及びＣｄ　−Ｈｙ　−Ｔｅ、Ｇａ−１ｄｌ−Ａｓ、Ｇａ・Ｉ ｎ　−Ｐのような３枚分化合物、及びＧａ−Ｉｎ・Ａｓ　−Ｐ　のような４枚分 化合物等の材料より成立つのが普通である。又、このようなエツチング、洗浄、 及び／又は研磨工程で処理できる他の基板材料にはステンレス鋼、石英、アルミ ニウム、ケルマニウム、カリウム、セレンがある。
これらのウェハー基板は１度に１個のエツチングであっても、ススに示すように 同時に複数個のエツチングを行ってもかまわない。２５個のウエノ・−が入るボ ート又はキャリヤーを、大型反応室における同時にエツチングで使用する。
基板が変ると特性の違う膜を作ることがある。シリコンウェハー上の酸化物膜は 高温下で酸素と接触することにより熱的に成長したものであり、高温のスチーム や酸素で発生する水蒸気でもできるし、化学的な蒸気析出法で発生することもあ る。その上、シリコンウェハー上の酸化物膜は燐、砒素、硼素のような材料でド ープされる。これら各種の膜が本発明の方法でエツチングできる。燐をドープし た膜が本発明の方法によりエツチングされることも特別に確認されている。酸素 と水蒸気で成長した膜についての本発明に基づく方法に関する多くの研究と実験 が行なわれている。
熱的に成長した膜が極めて緻密で、エツチング速度が最も遅く、エツチング工程 では反応性ガスの濃度の調整が多少必要となることが認められている。高温の水 蒸気と酸素中で成長する水蒸気発生膜は、シリコンウェハーをエツチングする時 にできる一般的な膜で、エツチング膜としては代表的なものと考えられている。
これらの水蒸気発生膜は熱的に成長した膜よりは低濃度の反応性ガスで容易にエ ツチングできる。化学的蒸気析出膜は通常できる膜よりは緻密度が粗く、低濃度 の反応性ガスで迅速にエツチングできる。
ドーピング膜は無水ぶつ化水素ガスのような無水の反応性ガスで高度にエツチン グされ、必要なエツチングを行うのに、より希薄な濃度の反応性ガスしか必要と しない。このようなドーピング膜は親水性で、不活性ガス中に水分を混合添加し なくても容易にエツチングできる。
シリコン基板はその上にポリシリコン層を一層持っていることがあり、このポリ シリコンが酸化物膜を作ることがあるので、酸化珪素と同じ方法で部分的に或い は完全にエツチングし除去できる。
本発明によるガス処理方法は上記のいづれの材料の除去にも適している。例えば 集積回路チップの製造時に種々の処理方法で多数のウェハー支持に使われる石英 ポートも正規のメンテナンス時に除去しなければならないような好ましからぬ酸 化物や窒化物層を成長させる。多数のポートをクリーニングするある方法では、 このようなポート約５０〜６０個を収容できるような大型のステンレス鋼製のチ ャンバーが必要となる。蓄積した酸化物や窒化物を除去するため、チャンバーを 真空にし、約４００℃に加熱した後無水のふっ化水素ガスを注入する。この従来 技術による方法は非常に緩慢で、装置も高価につき、ふつ化水素が真空ポンプに たまってその機能を低下させ、メンテナンスを困難にしている。反応室を、これ らの石英ポートが収容できる程大きくすることによって、本発明の方法では、こ のクリーニングを容易に、かつ効果的にすることができるようになった。
本発明の方法は、前述の基板材料のどれでものエツチング、洗浄及び／又は研磨 に使用できる。例えば、この方法は光導波管の製造用のガラス又はシリカ製管の 内面のコーティング調整用にも使用できる。
本方法で使用する不活性ガスは、処理される材料には不活性で、本処理条件下で は気相でいるような、いかなるガスであってもよい。好適な：ガスとしては、窒 素、アルゴン、ネオン、ヘリウム、クリプトン、キセノンがある。本発明に基づ く、最適の不活性ガスは窒素である。本発明の方法では、例えばクロマトグラフ 用の窒素ガスとか、半導体規格に適合する窒素ガスのような高純度の窒素ガスの 使用が好ましい。半導体用窒素ガス規格としては下記のものがある。
量産用　ＶＬＳ　ｒ用 純度　９９．９９８７係以上　９９．９９９４チ以上炭酸ガス　１　ｐｐｍ　以 下　０．５　ｐｐｍ以下−酸化炭素　５　／／　／／　Ｑ、５　／／　／／水素 　２　〃　〃　２　〃　〃 酸素　３　１／　／ｌ　Ｑ　、　５　／／　／／メタンとしての　ｌ　／／　ｌ 　／／　／１炭化水素 水　１　１／　／／　’　ｌ　／／　１１個 （注）粒子レベルでは、２０／ｉ方フイート（７０６イシ１３）以下直径では　 ０．２ｐｍ以上 不活性ガスは反応室及び反応工程の前後の連結ガス配管系の洗浄と、反応性ガス の希釈、及びエツチング剤を構成する反応性ガスと混合する湿った不活性ガス調 整との両方に使用する不活性ガスは前に述べたと同じであっても又違った不活性 ガスであってもかまわない。乾燥した及び湿った不活性ガスが窒素ガスであるこ とが、本発明の方法では特に好ましい。
反応性ガスは、無水のハロゲン含有ガスを定常流で提供され、反応系を全て完全 な気相の条件に維持できるものであればどんな供給源から供給を受けても支障は ない。ふつ化水素は、この方法で使用するのに好ましい・・ロゲン含有ガスであ る。例えば、純粋な無水ふつ化水素は一供給源として使用できる。ふつ化水素ガ ス゛のこれ以外の供給源としては次の２つの場合がある。
（１）ぶつ化水素と水の希薄混合液（ふつ化アンモニウムが共存することもある ）も容易に気化して気相化できるので、気相ふつ化水素供給源として使用できる 。
普通、この希薄混合液は、ぶつ化水素４９チ、水５１チを含んでいるが、これよ りぶつ化水素含有量の少い混合液も市販されている。　（２）窒素ガスのような キャリヤーガスを、種々の濃度及び温度のふっ化水素酸及び／又は緩衝剤の水溶 液中で泡立たせたものであってもよい。
特に好ましい供給源は高圧をかけて液化貯蔵した無水ぶつ化水素である。又、ウ ェハー表面の膜を除去する反応速度と均一性を制御するのに適している。
後に示す図には、エツチングするウェハーをＷで、エツチング又はクリーニング 反応を受けるウェハー表面をＦで示した。前述したように、完全又は選択的のど ちらかに除去されるウェハーＷの表面Ｆ上にある膜は、普通、酸化硅素、ポリシ リコン、ダイオキサイド、窒化硅素等からできており、ウェハーＷはシリコン又 はポリシリコンでできている。
第１図には本発明に基ずく方法を実施するのに適した装置を図示した。こ＼では エツチング基板は一枚のウェハーの単独表面となっており、該ウェハーは後で半 導体集積回路チップに加工される。ハウジング１０は、エツチング用のウェハー Ｗを出し入れするために開くことができ、又密封した反応室１２が形成できるよ うに閉じることもできる。排気管１３を反応室１２のハウジング１０の中に設け 、本方法の種々の反応中洗浄ガスやエツチングガスを大気中に排出するよう普通 開かれている。又この排気管１３は、反応室内にいかなる大きさの背圧をも発生 させないように十分口を太き（しであるが、ガス流量を僅かに絞ったり、反応室 １２内の圧力をごく僅か引上げたりするための調節用絞り弁１３ａを設けてもよ い。ハウジング１０は、本方法の各条件でのエツチングガスに侵されないもので あればどんな材料でできたものでもよい。これに適した材料としては、例えば、 ステンレス鋼、超高分子量ポリエチレン、ポリプロピレン、テフロンＰＦＡ　（ Ｅ、Ｉ。
Ｄｕｐｏｎｔ　Ｄｅ　Ｎｅｍｏｕｒｓ　ｏｆ　Ｗｉｌｌｍｉｎｇｔｏｎ　、　Ｄ ｅｌ、社の商品名）がある。該ハウジング用に特に好ましい材料はテフロンＰＦ Ａ　又は超高分子量ポリエチレンである。
ウェハーＷは、クリーニング又はエツチングを行うその上面Ｆが全く触れるもの がなく、ごみを含まず、妨害物がないようにして、水平な回転台１４上に置く。
この回転台１４は個々の処理条件に基ずいて調節できるように、可変速モーター １５で駆動する。回転速度は約１〜１５　ｒｐｍが適当で、約６　ｒｐｍが好ま しい。点線で示した別のウェハーＷは、同時エツチングを行う時にはこの回転台 上に追加して置いてもよい。
乾燥窒素ガスの供給源１６も準備する。この窒素ガスは、例えばボンベ詰めのク ロマトグラフ用乾燥窒素ガスのような超高純度のものであることが必要とされる 。窒素ガス供給源１６は室温に保っておく。
気体ふつ化水素の供給源１７も準備する。ふつ化水素供給源１７はボンベ詰めの 液体として供給され、この供給源から気体のふつ化水素の自由流体が得られる温 度で気化させる。９９．９９％純度の技術用ぶつ化水素を用いる代りに、ふつ化 水素４９チ、水５１係の壜詰めのふつ化水素液を購入し、これを適当に加熱して 本方法で使う乾燥ふつ化水素としてもよい。加熱源１８はふつ化水素ボンベ１７ の下に設けても、ぶつ化水素ボンベの周囲に巻いてもよい。加熱器１８は、ヒー ターに電気エネルギーを供給してヒータ一温度を制御する制御回路１８，１に連 結する。ふつ化水素供給源は、ぶつ化水素が無水のガス状態を保つことができる ように適当な温度を維持しておく。従って、無水ぶつ化水素供給源は約４３℃に 保持される。
水蒸気発生用の水供給源１９も準備する。水の供給源１９は、例えば脱イオン水 のような高純度のものでなければならない。　、 水蒸気発生器の主要な部分は水蒸気室２０である。
特に好ましい表現をすれば、水蒸気室２０はステンレス鋼製で、大きさが約１０ ００ｊ＋／のものである。この水蒸気室の外周には、該水蒸気室をどんな所望の 反応温度にも加熱できる加熱源２１がある。普通水蒸気室２０の操作範囲は約４ ５〜約１２０℃の範囲にある。
この加熱源には、そこから伸びて加熱源に電気エネルギーを供給し、加熱を調節 して水蒸気室内を所望の温度に保つための電気配線がなされている。
気化する水は、ソレノイド２３で操作される計量ダイヤフラムポンプ２２を経て 水蒸気室２０へ供給される。この計量ダイヤフ〉ムポンプの操作を制御するソレ ノイド２３を制御回路２３，１に連結して、ダイヤフラムポンプの操作が本装置 の他の部分の操作と同調できるようにする。脱イオン水の流路２４は、計量され た水を、フィルター２５を経て制御パルプ２６に運ぶ。この流路２４は、ダイヤ フラムポンプ２２の操作によって、噴霧状又はジェット状の水を水蒸気室２０に 送入するよう水蒸気室内へ通じている。水が水蒸気室２０内に噴霧状又シまジェ ット状で導入されると、小さな水滴となり、ヒーター２１で加熱される。流路２ ７を通って水蒸気室２０に送り込まれた少量の窒素ガスが、この水蒸気室２０内 でできた水と混ざり、水蒸気として、水蒸気室から運び出して、窒素ボンベ１６ から来た乾燥窒素ガスと混合するため、流通ダクト又は管２８に送る役をする。
水蒸気にならなかった噴霧水は、運転中この水蒸気室２０の底に集められ、流路 ２７から来る窒素ガスをこの中に泡立たせて、窒素ガス流中に水蒸気を補給する 。この窒素ガスは、分岐配管３０に連結された窒素ガス供給源１６から流路２７ に供給される。窒素ガス幌分岐配管３０と分岐流路２７を通って水蒸気室２０に 供給され、又別の分岐流路３１にも供給される。窒素ガスの流量調節器３２゜３ ３を分岐流路３１．２７に取付けて、夫々の流路中の窒素ガスの流量を調節する 。これらの流量調節器は、０〜１００％におよぶ種々の割合の流速能力で操作で きるよう調節でき、更に流路中にオン／オフ式のバルブを追加してもよい。この 流量調節器３２．３３には夫々流量調節回路３２，１及び３３，１が連結されて いて、夫々流路３１．２７の流量が調節できる。流量調節器３２は、０〜３０． Ｏｓｌｍ　（毎分当りの標準リットル）という広範囲の流量操作ができる。又、 流量調節器３３では、０〜２．Ｏｓｌｍの範囲での窒素ガスの流量操作ができる 。
水蒸気室２０からの流路２８は、流量調節器３２と流路３１を通る乾燥窒素ガス と、水蒸気室２０から来る湿った窒素ガスとを混合するため、標準Ｔ型フィッテ ィング３４を使って流量３１に連結する。
このＴ型フィッティング３４０所で、流量調節器３２から来る乾燥窒素ガスが、 水蒸気室２０から来る湿った窒素ガスと混合される。この混合窒素ガスは供給配 管３５と混合装置３６に送られる。この混合装置は、各種・多数ある中でどんな ものを選んでもよいが、無水の反応性ガスと水蒸気を含んだ不活性ガスとを混合 するのにアスピレータ−が有効に働らくことが確認されている。
流路３７を通る反応性ガスは、場合によっては、供給源１７から来る無水ふつ化 水素ガスである。この供給源１７から来る流路３８はオン／オフ式パルプ３９と フィルター４０を通って、無水ぶつ化水素ガス供給用の流量調節器４１に連り、 こへから一定量の無水ふつ化水素ガスが別のオン／オフ式パルプ４２を持っ流路 ３７へ送られる。流量調節器４１は流量調節範囲が０〜１．０　ｓｌｍであるこ とを除けば前記の流量調節器３２．３３と同種のものである。この流量調節器４ １は、これとダク）３７．３８を通るガス流量を調節する回路４１．１に連結さ れている。
流量調節器４１とフィルター４０、及び流量調節器とガス供給源１７どの間の流 路３８は凡て加熱して、無水ふつ化水素ガスを気体でかつ無水状態に保っておく 。これらの場所の加熱は、流量調節器４１が置かれ、フィルター４０が取付けら れている加熱板４３で行う。
フィルター４０と流量調節器４１を加温し、流路３８も加温して、ふつ化水素ガ スを所定の温度に保つ。流路３７．３８は無水のふつ化水素ガスの凝縮の可能性 を最小限に留めるためできるだけ短くする。
オン／オフ・パルプ４５を取付けた窒素ガス流路４４を水蒸気室２０と流量調節 器３３０間の流路２７に連結し、更にこの他端を窒素ガス分岐配管３０に連結し て流量調節器３３の周囲の洗浄用分流路とする。
モラ一つの流路４６は、フィルター４０とパルプ３９の間の流路３８と、窒素ガ ス分岐配管３０とに連結され、必要量の窒素ガスが流量調節器４１と流路３７を 通って、無水ぶつ化水素ガス流路のこの部分の洗浄用に分流できるようにオン／ オフ式パルプ４７に連結されている。　゛ 水蒸気室２０で水蒸気を発生させるのに、もし同じような好ましい結果が得られ るのであれば、別の方法を使用してもかまわない。例えば、ノズルを通る水流を 非常に微細な水滴にするため高周波振動を利用する超音波ノズルを、必要な水蒸 気の発生用に使ってもよい。水蒸気発生の別の方法として、非常に小さなオリフ ィス・ノズルからの高圧水流を水蒸気室２０内に吸引してもよい。これらの方法 で得られる水蒸気は、前記の方法のように加熱する必要がないことがわかる。
又、別の水蒸気発生法としては脱イオン水槽を加熱しないで、又は４５〜１２０ ℃の温度に加熱して、この中で少量の乾燥窒素ガスを泡立たせるか又はこの上を 通して水分を含ませて、混合装置３６へ水分を運ばせる。この水槽は細長（て、 表面積が約２４平方インチ（１５５ｃｍ”）以上あればよい。
一般に、エツチング工程は、少量の無水ふっ化水素ガスと、このガスの希釈剤の 役目をする大部分の乾燥不活性窒素ガスと、少量の水蒸気含有窒素ガスとを混合 して実施される。この混合ガスは、ウェハーＷの表面Ｆ上の膜が、その希釈され た反応性ガスにさらされるようにして、反応室１２に送り込まれ、それに含まれ ている少量の水蒸気によって酸化物膜と無水の反応性ガス間に反応を開始させ、 エツチング操作中この反応を維持させる。エツチングは５〜３０秒間つｙき、排 気口１３は開いたまへにしてエツチングガスが反応室から連続して排出されると 共に、新しいガスを室内に送入するように換気する。少量の無水の反応性ガスと 水蒸気含有窒素ガスは室温よりゃへ高い温度に加温されているが、ずっと大量の 流量調節器３２から来る乾燥窒素ガスははｙ室温であるので、反応室の温度はエ ツチング操作時中はは父室温に近くなる。エツチング操作時中ウェハーを回転さ せることが不可欠とは思われないが、反応室内を流れるガスの拡散が十分確信で きなければ、ウェハーを回転させることは好ましいことである。
更に詳しく述べると、エツチング工程サイクルの初めにウェハーＷを反応室内に 置き、反応室を閉じるが換気のためにガス流路は開けておく。洗浄用の乾燥窒素 ガスを、混合装置３６を通して反応室１２に流し、反応室から他のガスや不純物 を排除する。洗浄用窒素ガスはオン／オフ・パルプ４７、フィルター４０．流量 調節器４１、流路３７にも流して、反応装置の夫々の部分からふつ化水素を完全 に除去し、又装置内に液滴が全く残っていないことを確かめる。同時に大量の洗 浄用乾燥窒素ガスを流量調節器３３と分流流路４４とを経て水蒸気室２０に流し 、水蒸気室２０と流路２８から水分及び水蒸気を完全に排除する。勿論、窒素ガ スによる洗浄はつｇいているので、全ての水分・不純物が反応室１２から除去さ れる。
流路の洗浄が終ると、パルプ４７．４５を閉じ、少量の窒素ガスを水蒸気室２０ を通して流しつｇける。
計量ダイヤフラムポンプ２２を単独サイクルで操作して、先づ脱イオン水を水蒸 気室２０に少量噴霧し、加熱・気化してこの中に乾燥窒素ガスを流入混合し、流 量調節器３２を通った乾燥窒素ガスと混合するため、水蒸気室からＴ型フィッテ ィング３４へ運ぶ。
ダイヤフラムポンプ２３を操作して、水蒸気室２０内で水蒸気発生開始後直ちに オン／オフ・パルプ３９を開いて無水ふつ化水素ガスを、流路及び加温流量調節 器４１を通して送入し、次に無水ぶつ化水素ガスを混合装置３６に送ってこ〜で 少量の水分と大量の乾燥した希釈用窒素ガスとを混合する。この混合ガスを反応 室１２に送り込んで、ウェハーを回転させながら、ウェハーの表面及び上方に流 す。エツチングははｙ大気圧下でつｇけるが適当な時間の経過後、パルプ３９゜ ４２を閉じてぶつ化水素の、又、パルプ２９を閉じて水蒸気の流入を止めること により、ふつ化水素と水蒸気の流入を停止する。一方流量調節器３２を通る乾燥 窒素ガスは流しつｇける。エツチング工程を迅速に停止させるために反応室１２ からふつ化水素を排除する＝パルプ４５を開いて水蒸気室２０から水蒸気の排出 を完了させる。
更に詳細に説明すると、流量調節器３２，３３゜４１は凡て、容積型流量調節器 で、容積で流量を調節していることが理解されよう。
図示した装置により本工程実施の場合及び検討中の酸化物のエツチングの場合に は、流量調節器３３は普通その能力の４０係で操作し、約０．８　ｓｌｍの流速 となる。１枚のウェハー表面をエツチング混合ガスにさらす各エツチング工程で は、約０．２５〜２．０ｃｃの脱イオン水がダイヤフラムポンプで計量・送出さ れ、水蒸気室２０で噴霧される。普通約０．５〜１．５ｃｃの脱イオン水をダイ ヤフラムポンプで計量送出し、各エツチングサイクル中水蒸気室に噴霧させる。
水蒸気室２０からりる水蒸気含有窒素ガスの流入は無水の反応性ガスが流れてい る時間中ずつとつｇけることが必要で、従って水蒸気含有窒素ガスが無水のふつ 化水素ガスの流・人を始める前とこのガスの流入を止めるまでのある時間乾燥窒 素ガスと混合するため水蒸気室から送り出すことを確認する注意が必要である。
エツチング速度と全エツチング時間の制御状態を改善するには、反応室に無水の ふつ化水素を送入する前に水蒸気でシリコンウエノ・−を前処理しておくとよい ことが分った。又、水槽上の密閉空間に窒素ガスを通して水蒸気含有窒素ガスに 水蒸気を含ませることが好ましい。反応室は、まず最初乾燥窒素ガスで洗浄する 。
この洗浄の際、シリコンウエノ・−又は基板上の膜の前処理のために水蒸気含有 窒素ガスを反応室に送り込む。
水蒸気含有窒素ガスで膜を前処理すると、膜は普通親水性とは認めら、れていな いが、膜に少量の水分の吸収が起される。ウェハーと膜に対するこのような前処 理で、膜の全表面に均一な状態が創られる。ウェハーを前処理した後無水ふつ化 水素ガスの流入を開始し、エツチング相に接触を開始する。適当なエツチング時 間の経過後無水ふつ化水素と水蒸気含有窒素ガスの流入を同時に停止するが、乾 燥窒素ガスの送入はエツチングを停止して反応室を洗浄し終るまでつｙける。
ウェハー上の膜が可成りな量の水分を吸収するような親水性の高いものである場 合には、前処理が前項に述べたような通常の酸化物の場合と若干具ってくる。
親水性膜のついたウエノ・−を処理する時は、反応室を先づ乾燥窒素ガスで洗浄 し、この洗浄時に、水蒸気含有窒素ガスも反応室に送入して親水性の膜に水分を 飽和させる。この水蒸気含有窒素ガスは膜表面にごく僅かだが過剰水分を与える 。水蒸気含有窒素ガスの送入による数秒間の前処理の後、水蒸気含有窒素ガスの 送入は止めるが、乾燥窒素ガスの送入はつｇけて、膜表面の過剰水分は霧散させ 、吸収された水分が親水性の膜中に残るようにする。乾燥窒素ガスだけを数秒間 送入した後、無水のぶつ化水素ガスを送入してエツチング層に接触を開始させる 。送入されたふつ化水素は親水性膜に吸収された水分及び膜中の酸化物と反応し て、少くとも膜の一部を剥脱する。適当なエツチング時間の経過後、無水ぶつ化 水素の送入は止めるが乾燥窒素ガスはエツチングの終了するまで送りつｙけた後 反応室を再度洗浄する。
乾燥窒素ガスの流量調節器３２は０〜３０　ｓｌｍの範囲の流量調節能力を持っ ているが、１０〜約２０　ｓｌｍの範囲で操作するのが好ましい。一般的には流 量調節器３２は、最大能力のはｒ５０％、即ち１５　ｓｌｍで操作される。前述 したように、脱イオン水の量は、流路３５の湿度を５〜２５４　ＲＨにするよう に水蒸気量を供給できればよい。一般的には、この湿度は、混合装置に入る前に は７〜１０％ＲＨの範囲にあればよい。
これに近い範囲の湿度で、良いエツチング結果が得られている。
一方無水ふつ化水素ガスの、流量を調節する流量調節器４１は、０〜１．Ｏｓｌ ｍの範囲の流量調節能力を持っているが、この流量調節器４１は最大能力の３０ 〜９０チの範囲で操作されており、従って無水ふつ化水素ガスの流量は０．３〜 ０．９　ｓｌｍの範囲にある。
エツチング反応は、エツチング用混合ガス中のふつ化水素ガスの相対濃度によっ て決まるが、除去される酸化珪素、ポリシリコン・ダイオキサイド・窒化珪素等 の膜との間で極めて迅速に進行する。こへに示したパラメーターによる、これら の膜への無水ふつ化水素ガスのエツチング速度は１００〜１４．０００　Ａ／分 の範囲にある。５，０００　Ｘ／分以下のエツチング速度が非常に制御し易く、 効果的でもある。
ふつ化水素が水蒸気含有窒素ガスと混合装置中で完全に混合していると考えると 、この混合ガスが反応室に入る時の混合ガスの濃度は、ふつ化水素ガス１容量部 に対し水蒸気含有窒素ガス約１５〜３００容量部で、好ましくは、ぶつ化水素ガ ス１容量部に対し、水蒸気含有窒素ガス約３０容量部である。
上記のように、エツチング工程は、乾燥窒素ガスによる前洗浄、次いで反応性ガ スの反応室への流入・通過によるウェハーＷからの膜の実質的エツチング、及び 該反応性ガスの流入停止後の最終的な後洗浄より成立っている。
シリコンウェハーの表面から酸化珪素を除去するエツチング工程では、生成物は ガス状である。実際のエツチング工程は極めて複雑で、幾つかの段階からできて いる。反応の正式な機構は不明であるが、本方法の開発時に行った実験から次式 の示唆を得た。
１６表面のエツチング工程で、ふつ化水素ガスは化学反応を起して酸化珪素を除 去し、固体の酸化珪素を多分５ＩＦ４（四ふつ化珪素）としてガス状にする。
ふつ化水素　エツチング　触　媒　排出反応副成物（注）こ〜に示した結果は、 必らずしも実験の化学反応機構を示すものではない。
水は２，３の中間体を生成しながらこの反応の触媒の働らきをする。
＊　このガスは、２量体（ＨＦ　）２．６量体（ＨＦ）６等の形でいることがあ る。
この反応の気体生成物は、不活性ガスで反応室から排出され、酸化珪素の除去を 完了する。水蒸気はエツチング速度を均一化するのに必要である。その上に酸化 珪素膜を持つ多数のウエノ・−をエツチングして、ウェハーの表面から膜の一部 又は全部を除去する。窒化珪素膜もエツチングできるが酸化珪素膜よりもエツチ ング速度が遅く、酸化珪素エツチング速度の約１０％に過ぎない。
除去された膜の厚さは、本技術に熟練した者にとっては公知の、開発法の装置で 測定でき、大の単位で測定する。この後に示した実施例の凡ての所で、無水ふつ 化水素ガスの流量を調節する流量調節器はぶつ化水素ガスの凝縮を避けるのに十 分な温度、即ち４３℃に保持した。ふつ化水素ガス供給源は、同様にして、ふつ 化水素ガスを発生させ、流路中でふつ化水素が凝縮しないようにするため加温し た。又返応室は換気口を開けつｙけて反応室内の圧力を大気圧付近に保持した。
従って、反応室はそこに流入するガスは別として特に加熱はしなかった。
エツチング工程では、エツチングガス混合物を反応室１２に流し、排出孔１・３ を通して換気・排出するが、排出孔は大気中に開いたま〜でいるか又は反応室に 僅かな圧力を加えるために僅かに絞られる。本発明の方法では、反応室１２にお けるエツチング用混合ガスの保持時間が工程完了に対して不必要とできるように 、エツチング速度を極めて高くした。反応室１２への流入が終ると、パルプ４７ と２８を閉じ、乾燥窒素ガスの装置への送入はつｙけて、流路２４．２５．４３ 、水蒸気室４１、混合室５０及び反応室１２からエツチング用混合ガスを排除す る。
この例では、酸化珪素膜を持ったシリコン・ウエノ・−を、無水ぶつ化水素ガス の流速を漸増させてウエノ・−に接触する無水ぶつ化水素ガスの濃度を漸増させ る以外は、凡てのパラメーターを一定に保つ方法でエツチングを行なった。即ち 、乾燥窒素ガスの流量は１５１／分に保ち、脱イオン水１　ｃｃを、処理するウ エノ・−１枚毎に水蒸気室に注入し、水蒸気室は１２０℃に保持した。水蒸気室 の窒素ガス洗浄は０．８　ｌ１分の速度で実施。水魚室への水注入と洗浄速度を この速度にすると流路３５の相対湿度は９φＲＨとなる。ウエノ・−は６　ｒｐ ｍで回転させた。水蒸気室からの流路を透明管にしてサイクル毎に無水ふつ化水 素ガスの流入中ずつと、水蒸気が反応室のガス混合物中に供給されるように十分 な量の水蒸気使用が観測できた。反応室の圧力は大気圧、又はこの室を通過しつ ｙけるガス流により誘起される分だけや〜高圧力となった。換気口は故意には絞 らなかった。無水ふつ化水素ガスの流入するエツチング時間はウェハー１枚当り ８秒に保った。次に示す第１表の２４回のエツチング・サイクルの結果から、エ ツチングの良好な制御性と再現性が認められた。
第　１　表 膜厚の変化 ０．７５　４８２７　１０７７．７５　８６．５５０．８５　４８２７　１３３ ０．７５　７７．１７０．９０　５０５７　１４３５．５０　２４．４１実施例 　２ この例では、エツチング時間以外はエツチング工程の凡てのパラメーターを一定 に保った。窒素ガスの流速は１５１／分に、無水ふつ化水素ガスの流速は０．５ １／分に保ち、エツチングサイクル毎に即ちウェハー１枚毎に脱イオン水１　ｃ ｃの割合で水蒸気室に水を計量供給した。水蒸気室は１２０°Ｃに、窒素ガスに よる水蒸気室の洗浄速度は０．８１７分に保ち、ウェハー６ｒｐｍの速さで回転 させた。サイクル毎の無水ぶつ化水素ガス流入中ずつと、反応室で水蒸気がガス 混合物中に供給されているように、十分な水蒸気を使用していることが、水蒸気 室に連結された流路に透明パイプを使って観察した。
第２表は、２７回のエツチングサイクルによる結果る。
実施例　３ この例では、酸化物膜の除去量を、ウェハー１枚毎に５カ所で、即ち中央と、周 辺部の各中央部のふ〜内側の４カ所−上部（Ｔ）、中央（Ｍ）、下部（Ｂ）、左 部（Ｌ）、右部（Ｒ）−で測定した。凡てのパラメーターを一定に保ち、一連の ウェハーをエツチングし、各ウェハーについて 第　２　表 膜厚の変化 ２５　４９２６　２５８６．００　８２．９３前記Ｔ６Ｍ、Ｂ、Ｌ、Ｒの５ケ所 の膜エツチング量を測定した。無水ふつ化水素ガスの流量調節量は、最大能力の ５０係に当る０、５　ｓｌｍに調節した。エツチングは１２秒間つｇけ、水蒸気 は１２秒間連続して送入した。
無水ふつ化水素供給部は３０°Ｃに加温し、無水ふつ化水素ガスの流量調節器は ４０°Ｃに予熱した。乾燥窒素ガスの流量調節器は最大能力の５０％に当る１　 ５　ｓｌｍに、又水蒸気室の窒素ガス洗浄も最大能力の５０係に当る０、８　ｓ ｌｍに調節した。水蒸気の送入は無水ふつ化水素ガスの流入中ずつとつｙけてい た。第３表は、ウェハー表面の種々の位置での 第　３　表 エツチングが、良い制御性、再現性及び均一性を与えることを示している。
酸化物膜の極めて迅速な除去を、希釈用の窒素ガスを使わずに、水蒸気発生室に おける窒素ガス洗浄を０．６〜０．７　ｓｌｍの速度で、操作サイクル毎即ちウ ェハー１枚毎に少くともＱ、３ｃｃの脱イオン水を噴霧させて生じる水蒸気を使 用して実験を行なった。酸化物は３秒間のエツチングでウェハーから除去され、 除去膜の厚さは５，０００〜６．００　ＯＡであった。反応室に送入した無水ぶ つ化水素ガスの温度は、流量調節器の所で約４０°Ｃであった。
別の実施例では、親水性を示し、膜に吸収された水分を持ったドーピング膜付の ウェハーを、乾燥窒素ガスで１０〜１５チの濃度に希釈した無水ぶつ化水素ガス を用いて、特別に水分を加えないで、エツチングを行った。エツチング時間２０ 〜３０秒で、ウェハーから１．００　ＯＡ以上の膜が除去された。
更に別の実施例では、流量調節器３３で窒素ガスの流量を２５係即ち０．５　ｓ ｌｍに調節し、次に流量調節器３２で乾燥窒素ガスの流量を５０％即ち１５　ｓ ｌｍに調節し、水蒸気を流路３５の相対湿度が７俤となるように発生させ、前回 と同じ範囲で無水ふつ化水素ガスを送入した所、良好なエツチング結果を得た。
同様にして、水蒸気室を通る窒素洗浄ガスと乾燥窒素ガスの流速を夫々０．６と ｌ　５　ｓＩ！ｍに変へ、流路３５の水蒸気の相対湿度を７４ＲＨにし、前回と 同様に無水ふつ化水素ガスの流入範囲を保持させた結果、満足できるエツチング 結果を得た。
別の実施例では、絞り弁１３，１を調節して換気口への流れを制約し、反応室の 圧力を水柱約２３インチ（約５８０朋、０．０５７気圧）だけ高くし、無水ぶつ 化水素ガス流量に対する゛窒素ガスの流量比を１：３５〜４０の範囲にし、非加 熱水槽でガスを泡立てて発生した水蒸気を反応室に送入する混合ガス中に２２〜 ２３　％　ＲＨとなるように加えた所、エツチング速度は約３．０００＾／１８ 秒即ち、約１０，０００　Ｘ／分Ｋ　モ達シた。
エツチングを受けたウニ／％−Ｗを第２図と第３図に示した。ウェハーの本来の 表面Ｆは破線で示した。ウェハーの基板８は前述の材料ならばどんなものでもよ いがシリコンが最も多く使われている。基板上のエツチングできる膜９は、第２ 図に見られるようにエツチングで膜の一部が除去されて新しい表面９，１を作る か、或いは、完全に除去されて第３図に見られるように基板の表面８，１を露出 する。先に述べたように、これらの表面８，１と９，１はエツチング完了後はな めらかで、エツチングによる表面の「きず」、「粗れ」はない。又、エツチング 終了後の表面８，１と９．１上には遊離のふっ素原子のレベルが増加している。
更に、幾何エツチングの場合には巾の狭い線も確立されよう。
国際調査報告

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. １．基板をハロゲン化水素ガスと水分にさらすことから或る基板をエツチングす る方法において、流入する無水ハロゲン化水素ガスと水分とが別個に制御された 供給源から供給され、お互に反応して膜の一部を除去し、基板を、送入する無水 ハロゲン化水素ガスにさらす前及びさらしている間及びさらした後に、基板及び 膜上を、乾燥不活性希釈ガスを連続的に流すことを特徴とする、基板上から少く とも膜の１部を除去する方法。
  2. ２．該ハロゲン化水素ガスがふつ化水素ガスであることを特徴とする、特許請求 範囲第１項に記載の方法に基づく基板上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  3. ３．水分が、同時に流れる水蒸気として供給されるが、無水ふつ化水素ガスとは 異る供給源から供給されることを特徴とする、特許請求の範囲第１項又は第２項 のいずれかに記載の方法に基づく基板上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  4. ４．膜が親水性で、水分が無水ふつ化水素ガスと接触する前に、該膜によつて吸 収されていることを特徴とする、特許請求の範囲第１項又は第２項のいずれかに 記載の方法に基づく基板上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  5. ５．基板と不活性ガスの接触が室温付近で行なわれることを特徴とする、特許請 求の範囲第１項又は第２項のいずれかに記載の方法に基づく基板上から少くとも 膜の１部を除去する方法。
  6. ６．基板のガス処理が大気圧付近で行なわれることを特徴とする、特許請求の範 囲第１項又は第２項のいずれかに記載の方法に基づく基板上から少くとも膜の１ 部を除去する方法。
  7. ７．基板のガス処理が水柱３５インチ（８９０ｍｍ、０．０８９気圧）以下の加 圧条件下で行なわれることを特徴とする、特許請求の範囲第１項又は第２項のい ずれかに記載の方法に基づく基板上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  8. ８．基板を無水のふつ化水素ガスに接触させる前に、水蒸気を基板上に流して、 膜を前処理することを特徴とする、特許請求の範囲第３項に記載の方法に基づく 基板上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  9. ９．前処理の間及び基板を無水ふつ化水素ガスに接触させている間中水蒸気を連 続して基板上に流していることを特徴とする、特許請求の範囲第８項に記載の方 法に基づく基板上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  10. １０．無水ふつ化水素ガス及び水蒸気の流入が膜の除去停止と本質的に同時に停 止されることを特徴とする、特許請求の範囲第３項に記載する方法に基づく基板 上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  11. １１．基板を無水ふつ化水素ガスに接触させる前には送入しているが、接触中は その流入を停止している水分として、水蒸気を適用することを特徴とする、特許 請求の範囲第４項に記載する方法に基づく基板上から少くとも膜の１部を除去す る方法。
  12. １２．無水ふつ化水素ガスの流入を停止する一方で膜の除去が終るまで希釈剤と して不活性ガスを流しつゞけることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２ 項のいずれかに記載する方法に基ずく基板上から少くとも膜の１部を除去する方 法。
  13. １３．不活性ガスが乾燥窒素ガスより成ることを特徴とする、特許請求の範囲第 １項又は第２項のいずれかに記載する方法に基づく基板上から少くとも膜の１部 を除去する方法。
  14. １４．基板がその多数の面上に膜をもつ物より成ることを特徴とする、特許請求 の範囲第１項又は第２項のいずれかに記載の方法に基づく基板上から少くとも膜 の１部を除去する方法。
  15. １５．複数の基板が該乾燥した希釈剤不活性ガスの存在下に、該無水ふつ化水素 ガスに同時に接触せしめられることを特徴とする、特許請求の範囲第３項に記載 の方法に基づく基板上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  16. １６．その中に水蒸気を存在させるために、水蒸気が不活性ガスによつて無水ふ つ化水素ガスに運び込まれることを特徴とする、特許請求の範囲第３項に記載す る方法に基づく基板上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  17. １７．基板の反応性ガス接触を、５〜３０秒の範囲の時間間隔でつゞけることを 特徴とする、特許請求の範囲第１項又は第２項のいずれかに記載する方法に基づ く基板上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  18. １８．膜の除去速度を変える為に、無水ふつ化水素ガスと乾燥した希釈剤不活性 ガスの相対比を変えることを特徴とする、特許請求の範囲第１項又は第２項のい ずれかに記載する方法に基づく基板上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  19. １９．基板を反応性ガスと接触しつゞけている間、該基板を回転させることを特 徴とする、特許請求の範囲第１項又は第２項のいずれかに記載する方法に基づく 基板上から少くとも膜の１部を除去する方法。
  20. ２０．そこから膜を除去するために基板を処理し、該基板を閉じ込める反応室を 構成し、かつ外気に対して開放された換気口を持つ装置において、処理ガス混合 装置が、混合ガスを反応室に供給するため反応室に流体搬送的に連結され、無水 ふつ化水素ガス第１供給源が該ガス混合装置と連結され、第２供給源が乾燥窒素 ガスより成り、第３供給源が水蒸気より成り、不活性ガスと水蒸気を無水ふつ化 水素ガスと混合するため第２供給源と第３供給源を該ガス混合装置に連結して、 基板上の膜に反応を起させるために反応室に一緒に運び込む装置より成ることを 特徴とする、基板処理装置。
  21. ２１．水蒸気源が、水槽と該水槽上に不活性ガスを指向させる流通手段とを持つ ことを特徴とする、特許請求の範囲第２０項に記載する基板処理装置。
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