JPS6245697B2 - - Google Patents
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- JPS6245697B2 JPS6245697B2 JP58014052A JP1405283A JPS6245697B2 JP S6245697 B2 JPS6245697 B2 JP S6245697B2 JP 58014052 A JP58014052 A JP 58014052A JP 1405283 A JP1405283 A JP 1405283A JP S6245697 B2 JPS6245697 B2 JP S6245697B2
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- electrostatic adsorption
- adsorption device
- electrodes
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- glass epoxy
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は、耐プラズマ性に優れ、且つ塩素系ガ
ス雰囲中での使用に適した静電吸着装置の製造方
法に関する。
ス雰囲中での使用に適した静電吸着装置の製造方
法に関する。
(2) 技術の背景
かかる静電吸着装置は静電的に試料を吸着する
もので、真空チヤツクを使用できない低圧下で処
理を行なう蒸着、CVD、プラズマエツチング装
置リアクテイブイオンエツチング装置に有効であ
る。
もので、真空チヤツクを使用できない低圧下で処
理を行なう蒸着、CVD、プラズマエツチング装
置リアクテイブイオンエツチング装置に有効であ
る。
(3) 従来技術と問題点
第１図は静電吸着装置の基本構造を示す断面図
であり、１は試料、２は第１絶縁層、３は第２絶
縁層、４，５は電極、６はアルミ基板、７は絶縁
体、８は電源である。
であり、１は試料、２は第１絶縁層、３は第２絶
縁層、４，５は電極、６はアルミ基板、７は絶縁
体、８は電源である。
静電吸着装置は電極４，５上に第１絶縁層２を
介して試料１、例えばシリコンウエハを載置し、
電極４，５間に１〜2KVの電圧を印加して静電的
に試料を吸着させるものである。この様な静電吸
着装置をプラズマエツチング装置及びリアクテイ
ブイオンエツチング装置等に於いて使用する場
合、絶縁層２，３には耐プラズマ性、耐薬品性が
要求される。絶縁層２，３の材料としてはポリイ
ミド樹脂あるいはシリコーン樹脂等が知られてい
るがいずれも上記の要求を満足させることはでき
ない。
介して試料１、例えばシリコンウエハを載置し、
電極４，５間に１〜2KVの電圧を印加して静電的
に試料を吸着させるものである。この様な静電吸
着装置をプラズマエツチング装置及びリアクテイ
ブイオンエツチング装置等に於いて使用する場
合、絶縁層２，３には耐プラズマ性、耐薬品性が
要求される。絶縁層２，３の材料としてはポリイ
ミド樹脂あるいはシリコーン樹脂等が知られてい
るがいずれも上記の要求を満足させることはでき
ない。
例えばポリイミド樹脂を使用した場合には、試
料におおわれていない第１、２絶縁層２，３の端
部がプラズマにさらされると炭化してしまうため
大パワーのプラズマエツチング装置又はリアクテ
イブイオンエツチング装置には使用できない。ま
たシリコーン樹脂を使用した場合には耐プラズマ
性は良好であるが、アルミニウムやポリシリコン
をエツチングするためにCl2、BCl4、CCl4、
SiCl4、PCl3等の塩素系ガスを使用すると、シリ
コーン樹脂が塩素系ガスと反応して腐食してしま
う。従つてシリコーン樹脂は不活性ガスやフツ素
系ガス雰囲気で処理を行なう場合にしか使用に耐
えない。
料におおわれていない第１、２絶縁層２，３の端
部がプラズマにさらされると炭化してしまうため
大パワーのプラズマエツチング装置又はリアクテ
イブイオンエツチング装置には使用できない。ま
たシリコーン樹脂を使用した場合には耐プラズマ
性は良好であるが、アルミニウムやポリシリコン
をエツチングするためにCl2、BCl4、CCl4、
SiCl4、PCl3等の塩素系ガスを使用すると、シリ
コーン樹脂が塩素系ガスと反応して腐食してしま
う。従つてシリコーン樹脂は不活性ガスやフツ素
系ガス雰囲気で処理を行なう場合にしか使用に耐
えない。
(4) 発明の目的
本発明は上記の問題を解消し、耐プラズマ性に
優れ、且つ塩素ガラス雰囲気中でも使用可能な静
電吸着装置を提供することを目的としている。
優れ、且つ塩素ガラス雰囲気中でも使用可能な静
電吸着装置を提供することを目的としている。
(5) 発明の構成
上記目的は一対又は複数対の電極を埋設した絶
縁板を金属基板上に形成し、該電極間に電圧を印
加し、該絶縁板上に載置された試料を静電的に吸
着せしめる静電吸着装置の製造において、該電極
を形成したガラスエポキシプリント板とガラスエ
ポキシプリプレグを金型を用いて熱圧着すること
により前記絶縁板を形成した事を特徴とする静電
吸着装置の製造方法により達成される。
縁板を金属基板上に形成し、該電極間に電圧を印
加し、該絶縁板上に載置された試料を静電的に吸
着せしめる静電吸着装置の製造において、該電極
を形成したガラスエポキシプリント板とガラスエ
ポキシプリプレグを金型を用いて熱圧着すること
により前記絶縁板を形成した事を特徴とする静電
吸着装置の製造方法により達成される。
(6) 発明の実施例
本発明の実施例に於いては第１図に於ける絶縁
層２，３をエポキシ樹脂を含浸したガラス繊維で
形成することによつて前述の問題を解消した。
層２，３をエポキシ樹脂を含浸したガラス繊維で
形成することによつて前述の問題を解消した。
本実施例では、第１絶縁層２を厚さ150μｍの
ガラスエポキシプリント板で形成し、第２絶縁層
３を厚さ100μｍのガラスエポキシプリプレグ２
枚で熱圧着することにより形成した静電吸着装置
を第２図に示すリアクテイブイオンエツチング装
置に適用して実験を行つた。尚、第２図に於い
て、１０は静電吸着装置、１１はシリコンウエハ
ー、１２は石英板、１３は水冷電極、１４は絶縁
スペーサー、１５は直流電源、１６は高周波整合
器、１７は高周波電源、１８はガス導入口、１９
は真空排気口、２０は真空チヤンバーを示す。か
かるリアクテイブイオンエツチング装置に於い
て、高周波電源１７より800Wの高周波電力を印
加して真空チヤンバー２０内にプラズマを発生さ
せたが、第１絶縁層２、第２絶縁層３共にプラズ
マによる炭化等の劣化は見られなかつた。また同
リアクテイブイオンエツチング装置により、
BCl3＋Cl2＋SiCl4のガスを使用し、圧力
0.2Torr、高周波電力300Wでアルミニウムを、
CCl4又はCl2ガスを使用し、圧力0.3Torr、高周波
電力300Wでポリシリコンを、CF4＋H2のガスを
使用し、圧力0.3Torr、高周波電力800WでSiO2を
それぞれリアクテイブイオンエツチングしたが、
塩素系ガスおよびフツ素系ガス雰囲気中に於いて
もガスとの反応による腐食は見られなかつた。ま
た、硬さについてもガラスエポキシは前記シリコ
ーンとポリイミドの中間程度であるため、試料１
とのなじみも良く十分な冷却効果も得られ、良好
なエツチング効果が得られた。
ガラスエポキシプリント板で形成し、第２絶縁層
３を厚さ100μｍのガラスエポキシプリプレグ２
枚で熱圧着することにより形成した静電吸着装置
を第２図に示すリアクテイブイオンエツチング装
置に適用して実験を行つた。尚、第２図に於い
て、１０は静電吸着装置、１１はシリコンウエハ
ー、１２は石英板、１３は水冷電極、１４は絶縁
スペーサー、１５は直流電源、１６は高周波整合
器、１７は高周波電源、１８はガス導入口、１９
は真空排気口、２０は真空チヤンバーを示す。か
かるリアクテイブイオンエツチング装置に於い
て、高周波電源１７より800Wの高周波電力を印
加して真空チヤンバー２０内にプラズマを発生さ
せたが、第１絶縁層２、第２絶縁層３共にプラズ
マによる炭化等の劣化は見られなかつた。また同
リアクテイブイオンエツチング装置により、
BCl3＋Cl2＋SiCl4のガスを使用し、圧力
0.2Torr、高周波電力300Wでアルミニウムを、
CCl4又はCl2ガスを使用し、圧力0.3Torr、高周波
電力300Wでポリシリコンを、CF4＋H2のガスを
使用し、圧力0.3Torr、高周波電力800WでSiO2を
それぞれリアクテイブイオンエツチングしたが、
塩素系ガスおよびフツ素系ガス雰囲気中に於いて
もガスとの反応による腐食は見られなかつた。ま
た、硬さについてもガラスエポキシは前記シリコ
ーンとポリイミドの中間程度であるため、試料１
とのなじみも良く十分な冷却効果も得られ、良好
なエツチング効果が得られた。
尚、本発明にかかる静電吸着装置は第３図に示
す様に、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸したガ
ラスエポキシプリント板よりなる第１の絶縁層２
とガラスエポキシプリプレグよりなる第２の絶縁
層３とを金型９を用いて熱圧着することで容易に
形成することができる。
す様に、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸したガ
ラスエポキシプリント板よりなる第１の絶縁層２
とガラスエポキシプリプレグよりなる第２の絶縁
層３とを金型９を用いて熱圧着することで容易に
形成することができる。
(7) 発明の効果
以上説明した様に本発明によれば、耐プラズマ
性が良好で且つ塩素ガス雰囲気中でも使用可能
で、かつ耐圧が高く、表面精度のよい（吸着性の
よい）絶縁板を有する静電吸着装置が提供され
る。
性が良好で且つ塩素ガス雰囲気中でも使用可能
で、かつ耐圧が高く、表面精度のよい（吸着性の
よい）絶縁板を有する静電吸着装置が提供され
る。
第１図は静電吸着装置の構造を示す断面図、第
２図は本発明の静電吸着装置を備えたリアクテイ
ブイオンエツチング装置を示す図、第３図は本発
明にかかる静電吸着装置の製法を説明するための
図である。 １……試料、２……第１絶縁層、３……第２絶
縁層、４，５……電極、６……アルミ基板、８…
…電源、９……金型、１０……静電吸着装置、１
１……シリコンウエハー、１２……石英板、１３
……水冷電極、１４……絶縁スペーサー、１５…
…直流電源、１６……高周波整合器、１７……高
周波電源、１８……ガス導入口、１９……真空排
気口、２０……真空チヤンバー。
２図は本発明の静電吸着装置を備えたリアクテイ
ブイオンエツチング装置を示す図、第３図は本発
明にかかる静電吸着装置の製法を説明するための
図である。 １……試料、２……第１絶縁層、３……第２絶
縁層、４，５……電極、６……アルミ基板、８…
…電源、９……金型、１０……静電吸着装置、１
１……シリコンウエハー、１２……石英板、１３
……水冷電極、１４……絶縁スペーサー、１５…
…直流電源、１６……高周波整合器、１７……高
周波電源、１８……ガス導入口、１９……真空排
気口、２０……真空チヤンバー。
Claims (1)
- １ 一対又は複数対の電極を埋設した絶縁板を金
属基板上に形成し、該電極間に電圧を印加し、該
絶縁板上に載置された試料を静電的に吸着せしめ
る静電吸着装置の製造において、該電極を形成し
たガラスエポキシプリント板とガラスエポキシプ
リプレグを金型を用いて熱圧着することにより前
記絶縁板を形成した事を特徴とする静電吸着装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1405283A JPS59139641A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 静電吸着装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1405283A JPS59139641A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 静電吸着装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59139641A JPS59139641A (ja) | 1984-08-10 |
| JPS6245697B2 true JPS6245697B2 (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=11850315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1405283A Granted JPS59139641A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 静電吸着装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59139641A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61257733A (ja) * | 1986-05-21 | 1986-11-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | 静電チヤツク |
| JPH01240243A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Tokuda Seisakusho Ltd | 電極およびその製造方法 |
| JP3238925B2 (ja) * | 1990-11-17 | 2001-12-17 | 株式会社東芝 | 静電チャック |
| JPH08274150A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | 静電吸着ステージ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267353A (en) * | 1975-12-01 | 1977-06-03 | Hitachi Ltd | Electrostatic chuck |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP1405283A patent/JPS59139641A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267353A (en) * | 1975-12-01 | 1977-06-03 | Hitachi Ltd | Electrostatic chuck |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59139641A (ja) | 1984-08-10 |
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