JPS62276724A - 消弧装置 - Google Patents
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- JPS62276724A JPS62276724A JP12070186A JP12070186A JPS62276724A JP S62276724 A JPS62276724 A JP S62276724A JP 12070186 A JP12070186 A JP 12070186A JP 12070186 A JP12070186 A JP 12070186A JP S62276724 A JPS62276724 A JP S62276724A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔技術分野〕
この発明は、回路しゃ断器や電磁接触器等に適用される
消弧装置に関するものである。
消弧装置に関するものである。
回路しゃ断器等の接点部の開閉動作にともなって接点部
に発生ず−るアークを消弧室に導くため、通常、接点部
の接点および接触子で構成されるＵ字形態による自己誘
ＩＩ場を形成したり、積極的にブローアウトコイル等を
接点部に設けてアークを接点から離れ方向に磁気駆動す
るようにしている。このように駆動されたアークの消弧
は従来、第１１図ないし第１５図のような手段により行
われていた。
に発生ず−るアークを消弧室に導くため、通常、接点部
の接点および接触子で構成されるＵ字形態による自己誘
ＩＩ場を形成したり、積極的にブローアウトコイル等を
接点部に設けてアークを接点から離れ方向に磁気駆動す
るようにしている。このように駆動されたアークの消弧
は従来、第１１図ないし第１５図のような手段により行
われていた。
ずなわら、第１１図は′４ｆＡ８！材料による冷却消弧
方式であり、接点部５０に隣接する消弧室５１を絶縁材
料で構成したものである。接点部５０は自己ａ？ｒ 導
６ｎ 場を形成するＵ字形態に構成している。
方式であり、接点部５０に隣接する消弧室５１を絶縁材
料で構成したものである。接点部５０は自己ａ？ｒ 導
６ｎ 場を形成するＵ字形態に構成している。
５２はアークである。このものは、消弧室５１を回路し
ゃＷｔ２”ａ等のケースで構成することができ、構成が
きわめて簡単でコストが安いという利点がある。しかし
、磁気駆動されたアークは消弧室５１で単に冷却される
だけのため、アーク電圧が低くしゃ断能力は低いという
欠点がある。
ゃＷｔ２”ａ等のケースで構成することができ、構成が
きわめて簡単でコストが安いという利点がある。しかし
、磁気駆動されたアークは消弧室５１で単に冷却される
だけのため、アーク電圧が低くしゃ断能力は低いという
欠点がある。
第１２図および第１３図は磁性体による冷却方式であり
、消弧室５１内にＵ字形をなす磁性体（ｉｌｌｌ常は鉄
板）５３を配置し、そのＩｔｎ口側が接点部５０に対向
するようにしている。このものは、磁性体５３にアーク
５２による磁束が通り、この磁束によりアーク５２を強
力に吸引し、るｎ性体５３によりアーク５２を惣連に冷
却することができる。
、消弧室５１内にＵ字形をなす磁性体（ｉｌｌｌ常は鉄
板）５３を配置し、そのＩｔｎ口側が接点部５０に対向
するようにしている。このものは、磁性体５３にアーク
５２による磁束が通り、この磁束によりアーク５２を強
力に吸引し、るｎ性体５３によりアーク５２を惣連に冷
却することができる。
しかも、構造が比較的簡単である。しかし、アーり５２
を磁性体５３により短絡するため、アーク５２の伸長効
果（陽光柱電圧の上昇）は得られず、高いアーク電圧を
得ることができないという欠点がある。
を磁性体５３により短絡するため、アーク５２の伸長効
果（陽光柱電圧の上昇）は得られず、高いアーク電圧を
得ることができないという欠点がある。
第１４図および第１５図はグリッド５６による分割方式
であり、アーク５２を吸引する切欠５４を形成した複数
のグリッド板５５を連結板５７により間隔をおいて、積
層してグリッド５６を形成し、このグリッド５６を消弧
室５１内に配置している。
であり、アーク５２を吸引する切欠５４を形成した複数
のグリッド板５５を連結板５７により間隔をおいて、積
層してグリッド５６を形成し、このグリッド５６を消弧
室５１内に配置している。
このものは、アーク５２を磁気効果により吸引するとと
もに、図のようにグリッド板５５によりアーク５２を分
割するため、分割による陰極降下電圧の上昇により高い
アーク電圧を発生する。しかし、第１２図および第１３
図と比べて磁気吸引力が小さく、しかも構造が１５Ｊｇ
ｔｉで大型化しコスト高になるという欠点がある。
もに、図のようにグリッド板５５によりアーク５２を分
割するため、分割による陰極降下電圧の上昇により高い
アーク電圧を発生する。しかし、第１２図および第１３
図と比べて磁気吸引力が小さく、しかも構造が１５Ｊｇ
ｔｉで大型化しコスト高になるという欠点がある。
この発明の目的は、構造が簡単でしかも高いアーク電圧
が得られる消弧装置を提供することである。
が得られる消弧装置を提供することである。
この発明の消弧装置は、一対の側板と背板とでＵ字形に
形成されてアーク熱により熱分解ガスを発生する絶縁体
と、この絶縁体の内側で前記側板と平行な方向にアーク
を発生させる接点部とを備えたものである。
形成されてアーク熱により熱分解ガスを発生する絶縁体
と、この絶縁体の内側で前記側板と平行な方向にアーク
を発生させる接点部とを備えたものである。
この発明の構成によれば、絶縁体がアーク熱により熱分
解ガスを発生してその熱分解ガスによりアークを冷却す
るため、高いアーク電圧が得られる。さらに従来のグリ
ッドと比較して、構造力柚ｎ単である。
解ガスを発生してその熱分解ガスによりアークを冷却す
るため、高いアーク電圧が得られる。さらに従来のグリ
ッドと比較して、構造力柚ｎ単である。
実施例
この発明の第１の実施例を第１図に基づいて説明する。
すなわら、このン内弧装誼は、一対の側板１．２と背板
３とでＵ字形に形成されて了−り熱により熱分解ガスを
発生する絶縁体４と、この絶縁体４の内側で前記側板１
．２と平行な方向にアークを発生させる接点部５とを備
えている。
３とでＵ字形に形成されて了−り熱により熱分解ガスを
発生する絶縁体４と、この絶縁体４の内側で前記側板１
．２と平行な方向にアークを発生させる接点部５とを備
えている。
前記接点部５は、固定接点６を固着した固定接触子７と
、可動接点８を固着した可動接触子９からなる。また開
離時に接点部５に発生したアークＸは固定接触子７およ
び可動接触子９により形成される０字形態の電路を流れ
る電流により発生する磁束により絶縁体４側に自己誘導
磁場される。
、可動接点８を固着した可動接触子９からなる。また開
離時に接点部５に発生したアークＸは固定接触子７およ
び可動接触子９により形成される０字形態の電路を流れ
る電流により発生する磁束により絶縁体４側に自己誘導
磁場される。
この実施例の消弧装置の消弧動作について説明する。接
点部５の開閉動作により接点部５にアークＸが発生する
。アークＸは接点部５の自己誘導磁場により磁気駆動さ
れ、側板１．２の間に進入する。その結果、アークＸは
伸長するため、陽光柱の電圧が上昇し、アーク電圧が高
まる。また絶縁体４はアーク熱により加熱されて熱分解
ガスを発生し、熱分解ガスによりアークＸを冷却し、消
弧する。このとき、アークＸの磁気駆動によりアークＸ
が背板３に押付けられるため、冷却効果が高い。
点部５の開閉動作により接点部５にアークＸが発生する
。アークＸは接点部５の自己誘導磁場により磁気駆動さ
れ、側板１．２の間に進入する。その結果、アークＸは
伸長するため、陽光柱の電圧が上昇し、アーク電圧が高
まる。また絶縁体４はアーク熱により加熱されて熱分解
ガスを発生し、熱分解ガスによりアークＸを冷却し、消
弧する。このとき、アークＸの磁気駆動によりアークＸ
が背板３に押付けられるため、冷却効果が高い。
さらにこの実施例は絶縁性能および熱分解ガスの発生の
優れた絶縁体４を選択することにより前記効果を高める
ことができ、消弧性能を向上できる。絶縁体４の好まし
い実施例として、下表に記載する。
優れた絶縁体４を選択することにより前記効果を高める
ことができ、消弧性能を向上できる。絶縁体４の好まし
い実施例として、下表に記載する。
（以下余白）
この表において、ポリメチルペンテン樹脂は、で特徴づ
けられる構造式（ＲはＣ，、Ｈｚｓ＊＋、またＣ、Ｈは
鎖状）の樹脂を指し、ポリメチルメタクで特徴づけられ
る構造式（Ｃ，）１ ０は側鎖）の樹脂を指し、ポリア
セタール樹脂は、 Ｈ，Ｏは主鎖）の樹脂を指し、ポリブチレンテレで特徴
づけられる構造式（ヘンゼン環は主鎖）ので特１攻づけ
られる構造式の樹脂を指し、また化合物の熱分解反応は
、Δ＋１ｃｐｄ ＝Δ１１ｃ＋Δｌ１ｖｏｌである。
けられる構造式（ＲはＣ，、Ｈｚｓ＊＋、またＣ、Ｈは
鎖状）の樹脂を指し、ポリメチルメタクで特徴づけられ
る構造式（Ｃ，）１ ０は側鎖）の樹脂を指し、ポリア
セタール樹脂は、 Ｈ，Ｏは主鎖）の樹脂を指し、ポリブチレンテレで特徴
づけられる構造式（ヘンゼン環は主鎖）ので特１攻づけ
られる構造式の樹脂を指し、また化合物の熱分解反応は
、Δ＋１ｃｐｄ ＝Δ１１ｃ＋Δｌ１ｖｏｌである。
ここで、Δ１ｌｃｐｄは化合物を構成するすべての結合
のエネルギーの総和、ΔＩｌｃはカーボン（Ｃ−０−Ｈ
，Ｃ−０−Ｃ，Ｃ−Ｃ，）を生成する結合のエネルギー
の和、Δ１ｌｖｏｌは揮発物（ＣＨ，Ｃｏ、ＣＯｚ ）
としてカーボンを除く結合のエネルギーの和、ΔＨｃ−
＋＋は水素を生成するＣ−Ｈ結合のエネルギーの和であ
る。またΔ１ｖｏｌ／ΔＨｃｐｄは、揮発物の生成のし
易さを示し、ΔＨｅ−５／Δ１ｌｃｐｄは水素ガスの発
生のし易さを示すものである。
のエネルギーの総和、ΔＩｌｃはカーボン（Ｃ−０−Ｈ
，Ｃ−０−Ｃ，Ｃ−Ｃ，）を生成する結合のエネルギー
の和、Δ１ｌｖｏｌは揮発物（ＣＨ，Ｃｏ、ＣＯｚ ）
としてカーボンを除く結合のエネルギーの和、ΔＨｃ−
＋＋は水素を生成するＣ−Ｈ結合のエネルギーの和であ
る。またΔ１ｖｏｌ／ΔＨｃｐｄは、揮発物の生成のし
易さを示し、ΔＨｅ−５／Δ１ｌｃｐｄは水素ガスの発
生のし易さを示すものである。
なお、結合エネルギーの値は、ｃ−ｃ ： ｓ ３、Ｃ
−Ｃ：１４７、Ｃ−Ｈ： ９９、Ｃ−ＮニアＱ、Ｃ＝ｔ
Ｎ１１３、Ｃ−０： ８４、Ｃ＝Ｏ：１７１゜Ｃ−Ｆ：
１０５、Ｃ−Ｃｔニア８、Ｃ−３ｉ：６９、Ｎ−ＨＩ３
、Ｏ−Ｈ：１１０，５ｉ−０：８８、ニア２７とした。
−Ｃ：１４７、Ｃ−Ｈ： ９９、Ｃ−ＮニアＱ、Ｃ＝ｔ
Ｎ１１３、Ｃ−０： ８４、Ｃ＝Ｏ：１７１゜Ｃ−Ｆ：
１０５、Ｃ−Ｃｔニア８、Ｃ−３ｉ：６９、Ｎ−ＨＩ３
、Ｏ−Ｈ：１１０，５ｉ−０：８８、ニア２７とした。
（以下余白）
また第２図は各種の絶縁体４のアーク電圧を示す。図に
おいて、Ｑｌ はポリメチルペンテン、Ｑ２はポリメチ
ルメタクリレート、Ｑ、はポリブチレンテレフタレート
、Ｑ４は比較例であるセラミックである。また条件はＩ
ＫΔピーク、Ａｇ−Ｗ４０Ｘ、３ｍ八、２にＧａｕｓｓ
である。この図からＱｌ 、Ｑｚのアーク電圧が高くし
ゃ断性能が優れていることがわかる。
おいて、Ｑｌ はポリメチルペンテン、Ｑ２はポリメチ
ルメタクリレート、Ｑ、はポリブチレンテレフタレート
、Ｑ４は比較例であるセラミックである。また条件はＩ
ＫΔピーク、Ａｇ−Ｗ４０Ｘ、３ｍ八、２にＧａｕｓｓ
である。この図からＱｌ 、Ｑｚのアーク電圧が高くし
ゃ断性能が優れていることがわかる。
第３図は変形例であって、接点部５が側板１゜２間に位
置した例である。この変形例によれば、アークの発生直
後から絶縁体４によるアーク冷却効果が得られる。
置した例である。この変形例によれば、アークの発生直
後から絶縁体４によるアーク冷却効果が得られる。
この発明の第２の実施例を第４図に示す。すなわち、こ
の消弧装置は、絶縁体４の背板３の中央に溝ｌｌを形成
したものである。
の消弧装置は、絶縁体４の背板３の中央に溝ｌｌを形成
したものである。
この実施例によれば、アークＸが溝１１内に押し込まれ
ると、熱分解ガスの発生量が第１の実施例よりも多くな
り、７−りＸの冷却効果が大きくなる。また溝１１内の
圧力が高まり、アークＸが圧力消弧される作用もある。
ると、熱分解ガスの発生量が第１の実施例よりも多くな
り、７−りＸの冷却効果が大きくなる。また溝１１内の
圧力が高まり、アークＸが圧力消弧される作用もある。
第５図はこの第２の実施例の変形例であって、接点部５
が側板１．２間に位置した例である。
が側板１．２間に位置した例である。
この発明の第３の実施例を第６図ないし第８図に示す。
すなわち、この消弧装置は、接点部５の固定接触子７を
横Ｕ字に折返し、その折返し片１２に前記固定接点６の
両側に位置するアーチ形の電路を立設してなるアークド
ライバ１３を形成し、さらにアークドライバ１３と可動
接触子９との間に絶縁体４の側板１．２を介在させたも
のである。
横Ｕ字に折返し、その折返し片１２に前記固定接点６の
両側に位置するアーチ形の電路を立設してなるアークド
ライバ１３を形成し、さらにアークドライバ１３と可動
接触子９との間に絶縁体４の側板１．２を介在させたも
のである。
、第８図の矢印のようにアークＸを通してアークドライ
バ１３に電流ｉが流れると、アークドライバ１３の内側
に発生する磁束がＯに点の入った記号で示すように紙面
の裏から表側の方向に流れてアークＸに鎖交するため、
アークＸを背板３側に駆動する駆動力ｆが得られる。こ
のため、アークＸの駆動力を増大することができ、接点
部５の接点消耗も少なくなる。しかもアークドライバ１
３と可動接触子９との間に側板１．２が位置するため、
アークドライバ１３と可動接触子９の相互間のアークに
よる橋絡を防止することができる。
バ１３に電流ｉが流れると、アークドライバ１３の内側
に発生する磁束がＯに点の入った記号で示すように紙面
の裏から表側の方向に流れてアークＸに鎖交するため、
アークＸを背板３側に駆動する駆動力ｆが得られる。こ
のため、アークＸの駆動力を増大することができ、接点
部５の接点消耗も少なくなる。しかもアークドライバ１
３と可動接触子９との間に側板１．２が位置するため、
アークドライバ１３と可動接触子９の相互間のアークに
よる橋絡を防止することができる。
第９図および第１０図は変形例であって、回路しゃ断器
に適用したものである。すなわち、接点部５に対して絶
縁体４は背板３が上部に位置する縦姿勢に配置され、固
定接触子７の先端部７ａは絶縁体４０側部を上方に延出
している。なお、回路しゃ断器の電路は、負荷側端子１
４−過電流検出用バイメタル１５−ＩＪ−ド線１６−短
絡ＴＬ流検出用電磁石１７−リード線１８−可動接触子
９−可動接点８−固定接点６−固定接触７−７−電源側
端子Ｉ９で構成されている。２Ｑはハンドル、２１はト
リップリンクであり、トリップリンク２１により可動接
触子９をトリップ動作させるトリップ開閉機構は図示し
ていない。
に適用したものである。すなわち、接点部５に対して絶
縁体４は背板３が上部に位置する縦姿勢に配置され、固
定接触子７の先端部７ａは絶縁体４０側部を上方に延出
している。なお、回路しゃ断器の電路は、負荷側端子１
４−過電流検出用バイメタル１５−ＩＪ−ド線１６−短
絡ＴＬ流検出用電磁石１７−リード線１８−可動接触子
９−可動接点８−固定接点６−固定接触７−７−電源側
端子Ｉ９で構成されている。２Ｑはハンドル、２１はト
リップリンクであり、トリップリンク２１により可動接
触子９をトリップ動作させるトリップ開閉機構は図示し
ていない。
なお、この発明において、接点部５にはアークＸを磁性
体４に接近するように駆動させるアーク走行板を設けて
もよい。またアークＸの駆動手段として、ブローアウト
コイル等を接点部５に設けてもよい。
体４に接近するように駆動させるアーク走行板を設けて
もよい。またアークＸの駆動手段として、ブローアウト
コイル等を接点部５に設けてもよい。
この発明の消弧装置によれば、″ｅＡ縁体が７−り熱に
より熱分解ガスを発生してその熱分解ガスによりアーク
を冷却するため、高いアーク電圧が得られる。さらに従
来のグリッドと比較して、構造がＮ単であるという効果
がある。
より熱分解ガスを発生してその熱分解ガスによりアーク
を冷却するため、高いアーク電圧が得られる。さらに従
来のグリッドと比較して、構造がＮ単であるという効果
がある。
第１図はこの発明の第１の実施例の要部斜視図、第２図
は各種絶縁体のアーク電圧特性図、第３図は変形例の要
部斜視図、第４図は第２の実施例の要部斜視図、第５図
はその変形例の一部破断斜視図、第６図は第３の実施例
の一部破断斜視図、第７図はその側面図、第８図はアー
クの駆動原理を示す説明図、第９図は変形例の一部破断
斜視図、第１０図は回路しゃ断器に適用した断面図、第
１１図は従来例の断面図、第１２図は他の従来例の断面
図、第１３図はその（ｆｌ性体の断面図、第１４図はさ
らに他の実施例の断面図、第１５図はそのグリッドの側
面図である。 １．２・・・側板、３・・・背板、４・・・絶縁体、５
・・・接点部 第 １ 図 オ ２ 図 第３図 第５図 第７図 第８図 第９図 第１０図 万 ３ 手続ネ甫正書 〔自匍 昭和６１年０９月２０１」
は各種絶縁体のアーク電圧特性図、第３図は変形例の要
部斜視図、第４図は第２の実施例の要部斜視図、第５図
はその変形例の一部破断斜視図、第６図は第３の実施例
の一部破断斜視図、第７図はその側面図、第８図はアー
クの駆動原理を示す説明図、第９図は変形例の一部破断
斜視図、第１０図は回路しゃ断器に適用した断面図、第
１１図は従来例の断面図、第１２図は他の従来例の断面
図、第１３図はその（ｆｌ性体の断面図、第１４図はさ
らに他の実施例の断面図、第１５図はそのグリッドの側
面図である。 １．２・・・側板、３・・・背板、４・・・絶縁体、５
・・・接点部 第 １ 図 オ ２ 図 第３図 第５図 第７図 第８図 第９図 第１０図 万 ３ 手続ネ甫正書 〔自匍 昭和６１年０９月２０１」
Claims (1)
- 一対の側板と背板とでＵ字形に形成されてアーク熱によ
り熱分解ガスを発生する絶縁体と、この絶縁体の内側で
前記側板と平行な方向にアークを発生させる接点部とを
備えた消弧装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12070186A JPS62276724A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 消弧装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12070186A JPS62276724A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 消弧装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62276724A true JPS62276724A (ja) | 1987-12-01 |
| JPH0447417B2 JPH0447417B2 (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=14792841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12070186A Granted JPS62276724A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 消弧装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62276724A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157013A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 消弧装置 |
| WO2017198166A1 (zh) * | 2016-05-17 | 2017-11-23 | 浙江人民电器有限公司 | 一种直流断路器灭弧结构 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55152653U (ja) * | 1979-04-18 | 1980-11-04 | ||
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1986
- 1986-05-26 JP JP12070186A patent/JPS62276724A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447417B2 (ja) | 1992-08-03 |
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