JPS62276724A - 消弧装置 - Google Patents
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- JPS62276724A JPS62276724A JP12070186A JP12070186A JPS62276724A JP S62276724 A JPS62276724 A JP S62276724A JP 12070186 A JP12070186 A JP 12070186A JP 12070186 A JP12070186 A JP 12070186A JP S62276724 A JPS62276724 A JP S62276724A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔技術分野〕
この発明は、回路しゃ断器や電磁接触器等に適用される
消弧装置に関するものである。
消弧装置に関するものである。
回路しゃ断器等の接点部の開閉動作にともなって接点部
に発生ず−るアークを消弧室に導くため、通常、接点部
の接点および接触子で構成されるU字形態による自己誘
II場を形成したり、積極的にブローアウトコイル等を
接点部に設けてアークを接点から離れ方向に磁気駆動す
るようにしている。このように駆動されたアークの消弧
は従来、第11図ないし第15図のような手段により行
われていた。
に発生ず−るアークを消弧室に導くため、通常、接点部
の接点および接触子で構成されるU字形態による自己誘
II場を形成したり、積極的にブローアウトコイル等を
接点部に設けてアークを接点から離れ方向に磁気駆動す
るようにしている。このように駆動されたアークの消弧
は従来、第11図ないし第15図のような手段により行
われていた。
ずなわら、第11図は′4fA8!材料による冷却消弧
方式であり、接点部50に隣接する消弧室51を絶縁材
料で構成したものである。接点部50は自己a?r 導
6n 場を形成するU字形態に構成している。
方式であり、接点部50に隣接する消弧室51を絶縁材
料で構成したものである。接点部50は自己a?r 導
6n 場を形成するU字形態に構成している。
52はアークである。このものは、消弧室51を回路し
ゃWt2”a等のケースで構成することができ、構成が
きわめて簡単でコストが安いという利点がある。しかし
、磁気駆動されたアークは消弧室51で単に冷却される
だけのため、アーク電圧が低くしゃ断能力は低いという
欠点がある。
ゃWt2”a等のケースで構成することができ、構成が
きわめて簡単でコストが安いという利点がある。しかし
、磁気駆動されたアークは消弧室51で単に冷却される
だけのため、アーク電圧が低くしゃ断能力は低いという
欠点がある。
第12図および第13図は磁性体による冷却方式であり
、消弧室51内にU字形をなす磁性体(illl常は鉄
板)53を配置し、そのItn口側が接点部50に対向
するようにしている。このものは、磁性体53にアーク
52による磁束が通り、この磁束によりアーク52を強
力に吸引し、るn性体53によりアーク52を惣連に冷
却することができる。
、消弧室51内にU字形をなす磁性体(illl常は鉄
板)53を配置し、そのItn口側が接点部50に対向
するようにしている。このものは、磁性体53にアーク
52による磁束が通り、この磁束によりアーク52を強
力に吸引し、るn性体53によりアーク52を惣連に冷
却することができる。
しかも、構造が比較的簡単である。しかし、アーり52
を磁性体53により短絡するため、アーク52の伸長効
果(陽光柱電圧の上昇)は得られず、高いアーク電圧を
得ることができないという欠点がある。
を磁性体53により短絡するため、アーク52の伸長効
果(陽光柱電圧の上昇)は得られず、高いアーク電圧を
得ることができないという欠点がある。
第14図および第15図はグリッド56による分割方式
であり、アーク52を吸引する切欠54を形成した複数
のグリッド板55を連結板57により間隔をおいて、積
層してグリッド56を形成し、このグリッド56を消弧
室51内に配置している。
であり、アーク52を吸引する切欠54を形成した複数
のグリッド板55を連結板57により間隔をおいて、積
層してグリッド56を形成し、このグリッド56を消弧
室51内に配置している。
このものは、アーク52を磁気効果により吸引するとと
もに、図のようにグリッド板55によりアーク52を分
割するため、分割による陰極降下電圧の上昇により高い
アーク電圧を発生する。しかし、第12図および第13
図と比べて磁気吸引力が小さく、しかも構造が15Jg
tiで大型化しコスト高になるという欠点がある。
もに、図のようにグリッド板55によりアーク52を分
割するため、分割による陰極降下電圧の上昇により高い
アーク電圧を発生する。しかし、第12図および第13
図と比べて磁気吸引力が小さく、しかも構造が15Jg
tiで大型化しコスト高になるという欠点がある。
この発明の目的は、構造が簡単でしかも高いアーク電圧
が得られる消弧装置を提供することである。
が得られる消弧装置を提供することである。
この発明の消弧装置は、一対の側板と背板とでU字形に
形成されてアーク熱により熱分解ガスを発生する絶縁体
と、この絶縁体の内側で前記側板と平行な方向にアーク
を発生させる接点部とを備えたものである。
形成されてアーク熱により熱分解ガスを発生する絶縁体
と、この絶縁体の内側で前記側板と平行な方向にアーク
を発生させる接点部とを備えたものである。
この発明の構成によれば、絶縁体がアーク熱により熱分
解ガスを発生してその熱分解ガスによりアークを冷却す
るため、高いアーク電圧が得られる。さらに従来のグリ
ッドと比較して、構造力柚n単である。
解ガスを発生してその熱分解ガスによりアークを冷却す
るため、高いアーク電圧が得られる。さらに従来のグリ
ッドと比較して、構造力柚n単である。
実施例
この発明の第1の実施例を第1図に基づいて説明する。
すなわら、このン内弧装誼は、一対の側板1.2と背板
3とでU字形に形成されて了−り熱により熱分解ガスを
発生する絶縁体4と、この絶縁体4の内側で前記側板1
.2と平行な方向にアークを発生させる接点部5とを備
えている。
3とでU字形に形成されて了−り熱により熱分解ガスを
発生する絶縁体4と、この絶縁体4の内側で前記側板1
.2と平行な方向にアークを発生させる接点部5とを備
えている。
前記接点部5は、固定接点6を固着した固定接触子7と
、可動接点8を固着した可動接触子9からなる。また開
離時に接点部5に発生したアークXは固定接触子7およ
び可動接触子9により形成される0字形態の電路を流れ
る電流により発生する磁束により絶縁体4側に自己誘導
磁場される。
、可動接点8を固着した可動接触子9からなる。また開
離時に接点部5に発生したアークXは固定接触子7およ
び可動接触子9により形成される0字形態の電路を流れ
る電流により発生する磁束により絶縁体4側に自己誘導
磁場される。
この実施例の消弧装置の消弧動作について説明する。接
点部5の開閉動作により接点部5にアークXが発生する
。アークXは接点部5の自己誘導磁場により磁気駆動さ
れ、側板1.2の間に進入する。その結果、アークXは
伸長するため、陽光柱の電圧が上昇し、アーク電圧が高
まる。また絶縁体4はアーク熱により加熱されて熱分解
ガスを発生し、熱分解ガスによりアークXを冷却し、消
弧する。このとき、アークXの磁気駆動によりアークX
が背板3に押付けられるため、冷却効果が高い。
点部5の開閉動作により接点部5にアークXが発生する
。アークXは接点部5の自己誘導磁場により磁気駆動さ
れ、側板1.2の間に進入する。その結果、アークXは
伸長するため、陽光柱の電圧が上昇し、アーク電圧が高
まる。また絶縁体4はアーク熱により加熱されて熱分解
ガスを発生し、熱分解ガスによりアークXを冷却し、消
弧する。このとき、アークXの磁気駆動によりアークX
が背板3に押付けられるため、冷却効果が高い。
さらにこの実施例は絶縁性能および熱分解ガスの発生の
優れた絶縁体4を選択することにより前記効果を高める
ことができ、消弧性能を向上できる。絶縁体4の好まし
い実施例として、下表に記載する。
優れた絶縁体4を選択することにより前記効果を高める
ことができ、消弧性能を向上できる。絶縁体4の好まし
い実施例として、下表に記載する。
(以下余白)
この表において、ポリメチルペンテン樹脂は、で特徴づ
けられる構造式(RはC,、Hzs*+、またC、Hは
鎖状)の樹脂を指し、ポリメチルメタクで特徴づけられ
る構造式(C,)1 0は側鎖)の樹脂を指し、ポリア
セタール樹脂は、 H,Oは主鎖)の樹脂を指し、ポリブチレンテレで特徴
づけられる構造式(ヘンゼン環は主鎖)ので特1攻づけ
られる構造式の樹脂を指し、また化合物の熱分解反応は
、Δ+1cpd =Δ11c+Δl1volである。
けられる構造式(RはC,、Hzs*+、またC、Hは
鎖状)の樹脂を指し、ポリメチルメタクで特徴づけられ
る構造式(C,)1 0は側鎖)の樹脂を指し、ポリア
セタール樹脂は、 H,Oは主鎖)の樹脂を指し、ポリブチレンテレで特徴
づけられる構造式(ヘンゼン環は主鎖)ので特1攻づけ
られる構造式の樹脂を指し、また化合物の熱分解反応は
、Δ+1cpd =Δ11c+Δl1volである。
ここで、Δ1lcpdは化合物を構成するすべての結合
のエネルギーの総和、ΔIlcはカーボン(C−0−H
,C−0−C,C−C,)を生成する結合のエネルギー
の和、Δ1lvolは揮発物(CH,Co、COz )
としてカーボンを除く結合のエネルギーの和、ΔHc−
++は水素を生成するC−H結合のエネルギーの和であ
る。またΔ1vol/ΔHcpdは、揮発物の生成のし
易さを示し、ΔHe−5/Δ1lcpdは水素ガスの発
生のし易さを示すものである。
のエネルギーの総和、ΔIlcはカーボン(C−0−H
,C−0−C,C−C,)を生成する結合のエネルギー
の和、Δ1lvolは揮発物(CH,Co、COz )
としてカーボンを除く結合のエネルギーの和、ΔHc−
++は水素を生成するC−H結合のエネルギーの和であ
る。またΔ1vol/ΔHcpdは、揮発物の生成のし
易さを示し、ΔHe−5/Δ1lcpdは水素ガスの発
生のし易さを示すものである。
なお、結合エネルギーの値は、c−c : s 3、C
−C:147、C−H: 99、C−NニアQ、C=t
N113、C−0: 84、C=O:171゜C−F:
105、C−Ctニア8、C−3i:69、N−HI3
、O−H:110,5i−0:88、ニア27とした。
−C:147、C−H: 99、C−NニアQ、C=t
N113、C−0: 84、C=O:171゜C−F:
105、C−Ctニア8、C−3i:69、N−HI3
、O−H:110,5i−0:88、ニア27とした。
(以下余白)
また第2図は各種の絶縁体4のアーク電圧を示す。図に
おいて、Ql はポリメチルペンテン、Q2はポリメチ
ルメタクリレート、Q、はポリブチレンテレフタレート
、Q4は比較例であるセラミックである。また条件はI
KΔピーク、Ag−W40X、3m八、2にGauss
である。この図からQl 、Qzのアーク電圧が高くし
ゃ断性能が優れていることがわかる。
おいて、Ql はポリメチルペンテン、Q2はポリメチ
ルメタクリレート、Q、はポリブチレンテレフタレート
、Q4は比較例であるセラミックである。また条件はI
KΔピーク、Ag−W40X、3m八、2にGauss
である。この図からQl 、Qzのアーク電圧が高くし
ゃ断性能が優れていることがわかる。
第3図は変形例であって、接点部5が側板1゜2間に位
置した例である。この変形例によれば、アークの発生直
後から絶縁体4によるアーク冷却効果が得られる。
置した例である。この変形例によれば、アークの発生直
後から絶縁体4によるアーク冷却効果が得られる。
この発明の第2の実施例を第4図に示す。すなわち、こ
の消弧装置は、絶縁体4の背板3の中央に溝llを形成
したものである。
の消弧装置は、絶縁体4の背板3の中央に溝llを形成
したものである。
この実施例によれば、アークXが溝11内に押し込まれ
ると、熱分解ガスの発生量が第1の実施例よりも多くな
り、7−りXの冷却効果が大きくなる。また溝11内の
圧力が高まり、アークXが圧力消弧される作用もある。
ると、熱分解ガスの発生量が第1の実施例よりも多くな
り、7−りXの冷却効果が大きくなる。また溝11内の
圧力が高まり、アークXが圧力消弧される作用もある。
第5図はこの第2の実施例の変形例であって、接点部5
が側板1.2間に位置した例である。
が側板1.2間に位置した例である。
この発明の第3の実施例を第6図ないし第8図に示す。
すなわち、この消弧装置は、接点部5の固定接触子7を
横U字に折返し、その折返し片12に前記固定接点6の
両側に位置するアーチ形の電路を立設してなるアークド
ライバ13を形成し、さらにアークドライバ13と可動
接触子9との間に絶縁体4の側板1.2を介在させたも
のである。
横U字に折返し、その折返し片12に前記固定接点6の
両側に位置するアーチ形の電路を立設してなるアークド
ライバ13を形成し、さらにアークドライバ13と可動
接触子9との間に絶縁体4の側板1.2を介在させたも
のである。
、第8図の矢印のようにアークXを通してアークドライ
バ13に電流iが流れると、アークドライバ13の内側
に発生する磁束がOに点の入った記号で示すように紙面
の裏から表側の方向に流れてアークXに鎖交するため、
アークXを背板3側に駆動する駆動力fが得られる。こ
のため、アークXの駆動力を増大することができ、接点
部5の接点消耗も少なくなる。しかもアークドライバ1
3と可動接触子9との間に側板1.2が位置するため、
アークドライバ13と可動接触子9の相互間のアークに
よる橋絡を防止することができる。
バ13に電流iが流れると、アークドライバ13の内側
に発生する磁束がOに点の入った記号で示すように紙面
の裏から表側の方向に流れてアークXに鎖交するため、
アークXを背板3側に駆動する駆動力fが得られる。こ
のため、アークXの駆動力を増大することができ、接点
部5の接点消耗も少なくなる。しかもアークドライバ1
3と可動接触子9との間に側板1.2が位置するため、
アークドライバ13と可動接触子9の相互間のアークに
よる橋絡を防止することができる。
第9図および第10図は変形例であって、回路しゃ断器
に適用したものである。すなわち、接点部5に対して絶
縁体4は背板3が上部に位置する縦姿勢に配置され、固
定接触子7の先端部7aは絶縁体40側部を上方に延出
している。なお、回路しゃ断器の電路は、負荷側端子1
4−過電流検出用バイメタル15−IJ−ド線16−短
絡TL流検出用電磁石17−リード線18−可動接触子
9−可動接点8−固定接点6−固定接触7−7−電源側
端子I9で構成されている。2Qはハンドル、21はト
リップリンクであり、トリップリンク21により可動接
触子9をトリップ動作させるトリップ開閉機構は図示し
ていない。
に適用したものである。すなわち、接点部5に対して絶
縁体4は背板3が上部に位置する縦姿勢に配置され、固
定接触子7の先端部7aは絶縁体40側部を上方に延出
している。なお、回路しゃ断器の電路は、負荷側端子1
4−過電流検出用バイメタル15−IJ−ド線16−短
絡TL流検出用電磁石17−リード線18−可動接触子
9−可動接点8−固定接点6−固定接触7−7−電源側
端子I9で構成されている。2Qはハンドル、21はト
リップリンクであり、トリップリンク21により可動接
触子9をトリップ動作させるトリップ開閉機構は図示し
ていない。
なお、この発明において、接点部5にはアークXを磁性
体4に接近するように駆動させるアーク走行板を設けて
もよい。またアークXの駆動手段として、ブローアウト
コイル等を接点部5に設けてもよい。
体4に接近するように駆動させるアーク走行板を設けて
もよい。またアークXの駆動手段として、ブローアウト
コイル等を接点部5に設けてもよい。
この発明の消弧装置によれば、″eA縁体が7−り熱に
より熱分解ガスを発生してその熱分解ガスによりアーク
を冷却するため、高いアーク電圧が得られる。さらに従
来のグリッドと比較して、構造がN単であるという効果
がある。
より熱分解ガスを発生してその熱分解ガスによりアーク
を冷却するため、高いアーク電圧が得られる。さらに従
来のグリッドと比較して、構造がN単であるという効果
がある。
第1図はこの発明の第1の実施例の要部斜視図、第2図
は各種絶縁体のアーク電圧特性図、第3図は変形例の要
部斜視図、第4図は第2の実施例の要部斜視図、第5図
はその変形例の一部破断斜視図、第6図は第3の実施例
の一部破断斜視図、第7図はその側面図、第8図はアー
クの駆動原理を示す説明図、第9図は変形例の一部破断
斜視図、第10図は回路しゃ断器に適用した断面図、第
11図は従来例の断面図、第12図は他の従来例の断面
図、第13図はその(fl性体の断面図、第14図はさ
らに他の実施例の断面図、第15図はそのグリッドの側
面図である。 1.2・・・側板、3・・・背板、4・・・絶縁体、5
・・・接点部 第 1 図 オ 2 図 第3図 第5図 第7図 第8図 第9図 第10図 万 3 手続ネ甫正書 〔自匍 昭和61年09月201」
は各種絶縁体のアーク電圧特性図、第3図は変形例の要
部斜視図、第4図は第2の実施例の要部斜視図、第5図
はその変形例の一部破断斜視図、第6図は第3の実施例
の一部破断斜視図、第7図はその側面図、第8図はアー
クの駆動原理を示す説明図、第9図は変形例の一部破断
斜視図、第10図は回路しゃ断器に適用した断面図、第
11図は従来例の断面図、第12図は他の従来例の断面
図、第13図はその(fl性体の断面図、第14図はさ
らに他の実施例の断面図、第15図はそのグリッドの側
面図である。 1.2・・・側板、3・・・背板、4・・・絶縁体、5
・・・接点部 第 1 図 オ 2 図 第3図 第5図 第7図 第8図 第9図 第10図 万 3 手続ネ甫正書 〔自匍 昭和61年09月201」
Claims (1)
- 一対の側板と背板とでU字形に形成されてアーク熱によ
り熱分解ガスを発生する絶縁体と、この絶縁体の内側で
前記側板と平行な方向にアークを発生させる接点部とを
備えた消弧装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12070186A JPS62276724A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 消弧装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12070186A JPS62276724A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 消弧装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62276724A true JPS62276724A (ja) | 1987-12-01 |
JPH0447417B2 JPH0447417B2 (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=14792841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12070186A Granted JPS62276724A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 消弧装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62276724A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01157013A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 消弧装置 |
WO2017198166A1 (zh) * | 2016-05-17 | 2017-11-23 | 浙江人民电器有限公司 | 一种直流断路器灭弧结构 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55152653U (ja) * | 1979-04-18 | 1980-11-04 | ||
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