JPS63133421A - 消弧装置 - Google Patents
消弧装置Info
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- JPS63133421A JPS63133421A JP28037286A JP28037286A JPS63133421A JP S63133421 A JPS63133421 A JP S63133421A JP 28037286 A JP28037286 A JP 28037286A JP 28037286 A JP28037286 A JP 28037286A JP S63133421 A JPS63133421 A JP S63133421A
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- Breakers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、回路しゃ断器や電磁接触器等に適用される
消弧装置に関するものである。
消弧装置に関するものである。
回路しゃ断器等の接点部の開閉動作にともなって接点部
に発生するアークを消弧室に導くため、通常、接点部の
接点および接触子で構成されるU字形態により自己誘導
磁場を形成したり、積極的にブローアウトコイル等を接
点部に設けてアークを接点から離れる方向に磁気駆動す
るようにしている。このように駆動されたアークの消弧
は従来、第4図ないし第8図のような手段により行われ
ていた。
に発生するアークを消弧室に導くため、通常、接点部の
接点および接触子で構成されるU字形態により自己誘導
磁場を形成したり、積極的にブローアウトコイル等を接
点部に設けてアークを接点から離れる方向に磁気駆動す
るようにしている。このように駆動されたアークの消弧
は従来、第4図ないし第8図のような手段により行われ
ていた。
すなわち、第4図は絶縁材料による冷却消弧方式であり
、接点部50に隣接する消弧室51を絶縁材料で構成し
たものである。接点部5oは自己誘導磁場を形成するU
字形態に構成している。52はアークである。このもの
は、消弧室51を回路しゃ断器等のケースで構成するこ
とができ、構成がきわめて簡単でコストが安いという利
点がある。
、接点部50に隣接する消弧室51を絶縁材料で構成し
たものである。接点部5oは自己誘導磁場を形成するU
字形態に構成している。52はアークである。このもの
は、消弧室51を回路しゃ断器等のケースで構成するこ
とができ、構成がきわめて簡単でコストが安いという利
点がある。
しかし、磁気駆動されたアーク52は消弧室51で単に
冷却されるだiすのため、アーク電圧が低くしゃ断能力
は低いという欠点がある。
冷却されるだiすのため、アーク電圧が低くしゃ断能力
は低いという欠点がある。
第5図および第6図は磁性体による冷却方式であり、消
弧室51内にU字形をなす磁性体く通常は鉄板)53を
配置し、その開口側が接点部5゜に対向するようにして
いる。このものは、磁性体53にアーク52による磁束
が通り、この磁束によりアーク52を強力に吸引し、磁
性体53によりアーク52を急速に冷却することができ
る。しかも、構造が比較的筒車である。しかし、アーク
52を磁性体53により短絡するため、アーク52の伸
長効果(陽光柱電圧の上昇)は得られず、高いアーク電
圧を得ることができないという欠点がある。
弧室51内にU字形をなす磁性体く通常は鉄板)53を
配置し、その開口側が接点部5゜に対向するようにして
いる。このものは、磁性体53にアーク52による磁束
が通り、この磁束によりアーク52を強力に吸引し、磁
性体53によりアーク52を急速に冷却することができ
る。しかも、構造が比較的筒車である。しかし、アーク
52を磁性体53により短絡するため、アーク52の伸
長効果(陽光柱電圧の上昇)は得られず、高いアーク電
圧を得ることができないという欠点がある。
第7図および第8図は消弧グリッド56による分割方式
であり、アーク52を吸引する切欠54を形成した複数
のグリッド板55を連結板57により間隔をおいて積層
して消弧グリッド56を形成し、この消弧グリッド56
を消弧室51内に配置している。このものは、アーク5
2を磁気効果により吸引するとともに、図のようにグリ
ッド板55によりアーク52を分割するため、分割によ
る陰極降下電圧の上昇により高いアーク電圧を発生する
。しかし、第5図および第6図と比べて磁気吸引力が小
さく、しかも構造が複雑で大型化しコスト高になるとい
う欠点がある。
であり、アーク52を吸引する切欠54を形成した複数
のグリッド板55を連結板57により間隔をおいて積層
して消弧グリッド56を形成し、この消弧グリッド56
を消弧室51内に配置している。このものは、アーク5
2を磁気効果により吸引するとともに、図のようにグリ
ッド板55によりアーク52を分割するため、分割によ
る陰極降下電圧の上昇により高いアーク電圧を発生する
。しかし、第5図および第6図と比べて磁気吸引力が小
さく、しかも構造が複雑で大型化しコスト高になるとい
う欠点がある。
この発明の目的は、構造が簡単でしかも高いアーク電圧
が得られる消弧装置を提供することである。
が得られる消弧装置を提供することである。
この発明の消弧装置は、背板と一対の側板とでU字形に
形成されて前記背板側の一対の開口の一方をアーク進入
用開口部とし他方を排気用開口部とした磁性体と、この
磁性体の内側を被覆するとともに前記アーク進入用開口
部の背板側に前記アーク進入用開口部の一部を閉じるよ
うに形成された仕切り板を有してアーク熱により熱分解
ガスを発生する絶縁体とを備えたものである。
形成されて前記背板側の一対の開口の一方をアーク進入
用開口部とし他方を排気用開口部とした磁性体と、この
磁性体の内側を被覆するとともに前記アーク進入用開口
部の背板側に前記アーク進入用開口部の一部を閉じるよ
うに形成された仕切り板を有してアーク熱により熱分解
ガスを発生する絶縁体とを備えたものである。
この発明の構成によれば、磁性体によるアークの吸引に
よりアークを伸長することができ、また絶縁体からの熱
分解ガスによりアークを冷却することができ、しかもア
ーク進入用開口部の一部を閉じる仕切り板を形成したた
めアーク熱により絶縁体から発生した熱分解ガスやアー
クガスがアーク進入用開口部側に逆流するのを防止して
排気用開口部側への流れを増大することによりアークの
伸長および冷却を促進することができる。このため、構
造が簡単でしかも高いアーク電圧が得られる。
よりアークを伸長することができ、また絶縁体からの熱
分解ガスによりアークを冷却することができ、しかもア
ーク進入用開口部の一部を閉じる仕切り板を形成したた
めアーク熱により絶縁体から発生した熱分解ガスやアー
クガスがアーク進入用開口部側に逆流するのを防止して
排気用開口部側への流れを増大することによりアークの
伸長および冷却を促進することができる。このため、構
造が簡単でしかも高いアーク電圧が得られる。
実施例
この発明の一実施例を第1図ないし第3図に基づいて説
明する。すなわち、この消弧装置は、背板1と一対の側
板2.3とでU字形に形成されて背板1側の一対の開口
の一方をアーク進入用開口部4とし他方を排気用開口部
5とした磁性体6と、この磁性体6の内側を被覆すると
ともにアーク進入用開口部4の背板l側にアーク進入用
開口部4の一部を閉じるように形成された仕切り板7を
有してアーク熱により熱分解ガスを発生する絶縁体8と
を備えている。
明する。すなわち、この消弧装置は、背板1と一対の側
板2.3とでU字形に形成されて背板1側の一対の開口
の一方をアーク進入用開口部4とし他方を排気用開口部
5とした磁性体6と、この磁性体6の内側を被覆すると
ともにアーク進入用開口部4の背板l側にアーク進入用
開口部4の一部を閉じるように形成された仕切り板7を
有してアーク熱により熱分解ガスを発生する絶縁体8と
を備えている。
前記アーク進入用開口部4には接点部9が配置され、接
点部9は固定接点10を有する固定接触子11と、固定
接点10に接離する可動接点12を有する可動接触子1
3からなっている。
点部9は固定接点10を有する固定接触子11と、固定
接点10に接離する可動接点12を有する可動接触子1
3からなっている。
前記磁性体6は鉄等の金属を実施例としている。
前記絶縁体8は電気的絶縁性を有するとともに加熱によ
り熱分解ガスを発生する絶縁材料とくに高分子材料であ
るが、好ましい実施例を下表に示す。
り熱分解ガスを発生する絶縁材料とくに高分子材料であ
るが、好ましい実施例を下表に示す。
(以下余白)
この表中、ポリメチルペンテン樹脂、ポリブチレン樹脂
およびポリメチルメタクリレート樹脂が本発明に通用さ
れるものであり、ポリブチレンテレフタレート樹脂およ
びポリカーボネート樹脂は従来消弧室材料として用いら
れているもので比較の意味で示したものである。
およびポリメチルメタクリレート樹脂が本発明に通用さ
れるものであり、ポリブチレンテレフタレート樹脂およ
びポリカーボネート樹脂は従来消弧室材料として用いら
れているもので比較の意味で示したものである。
この表において、ポリメチルペンテン樹脂は、で特徴づ
けられる構造式(Rはアルキル基でCl1Hz−+、n
−1.2.L・・)中のn−m3の樹脂を指し、ポリブ
チレン樹脂は前記構造式のn −1すなわち で特徴づけられる構造式の樹脂を1旨し、ポリメチルメ
タクリレート樹脂は、 で特徴づけられる構造式の樹脂を指し、ポリブチレンテ
レフタレート樹脂は、 ボネート樹脂は、 で特徴づけられる構造式の樹脂を指している。
けられる構造式(Rはアルキル基でCl1Hz−+、n
−1.2.L・・)中のn−m3の樹脂を指し、ポリブ
チレン樹脂は前記構造式のn −1すなわち で特徴づけられる構造式の樹脂を1旨し、ポリメチルメ
タクリレート樹脂は、 で特徴づけられる構造式の樹脂を指し、ポリブチレンテ
レフタレート樹脂は、 ボネート樹脂は、 で特徴づけられる構造式の樹脂を指している。
ここで、△Hcpdは化合物を構成するすべての結合の
エネルギーの総和、ΔHcは化合物の熱分解反応におい
てカーボンを生成する結合のエネルギーの和、ΔHvo
lは揮発物(熱分解ガス)を生成する結合のエネルギー
の和、ΔH0−8は熱分解ガスとして水素を生成するC
−H結合のエネルギーの和である。またΔHvol/Δ
Hcpdは、揮発物の生成のし易さを示し、ΔHC−)
l/ΔHcpdは水素ガスの発生のし易さを示すもので
ある。この表に見られるように、本発明で用いるところ
のポリメチルペンテン樹脂、ポリブチレン樹脂およびポ
リメチルメタクリレート樹脂は従来の絶縁材料に比べて
熱分解反応時に熱分解生成物としてガス特に水素ガスを
発生しやすいことが分かる。
エネルギーの総和、ΔHcは化合物の熱分解反応におい
てカーボンを生成する結合のエネルギーの和、ΔHvo
lは揮発物(熱分解ガス)を生成する結合のエネルギー
の和、ΔH0−8は熱分解ガスとして水素を生成するC
−H結合のエネルギーの和である。またΔHvol/Δ
Hcpdは、揮発物の生成のし易さを示し、ΔHC−)
l/ΔHcpdは水素ガスの発生のし易さを示すもので
ある。この表に見られるように、本発明で用いるところ
のポリメチルペンテン樹脂、ポリブチレン樹脂およびポ
リメチルメタクリレート樹脂は従来の絶縁材料に比べて
熱分解反応時に熱分解生成物としてガス特に水素ガスを
発生しやすいことが分かる。
なお、結合エネルギーの値(単位 Kcal /mol
)は、C−C: 83、C−C:147、C−1(:9
9、C−Nニア0.C=N:213、C−0: 84、
C=O:171、C−F:lQ5、C−(1ニアB、C
−3i:69、N’−H: 93、o−H:tto、Q
ニア27である。
)は、C−C: 83、C−C:147、C−1(:9
9、C−Nニア0.C=N:213、C−0: 84、
C=O:171、C−F:lQ5、C−(1ニアB、C
−3i:69、N’−H: 93、o−H:tto、Q
ニア27である。
また第3図は各種の絶縁材料を用い、短絡試験を行った
場合のアーク電圧を示す。なお、短絡試験はコンデンサ
の放電により行った。すなわち、充電したコンデンサの
両端を限流抵抗を介して回路しゃ断器で短絡し、しゃ断
時の接点間のアーク電圧を測定した。この場合、短絡電
流のピーク値をIKA、接点材料を八g−W (W40
χ)、接点開離速度を3m/秒とした6図において、Q
lはポリメチルペンテン、Qtはポリメチルメタクリレ
ート、Q3はポリブチレンテレフタレート、Q、はセラ
ミックである。この図からQ、、Q、のアーク電圧が高
くしゃ断性能が優れていることがわかる。
場合のアーク電圧を示す。なお、短絡試験はコンデンサ
の放電により行った。すなわち、充電したコンデンサの
両端を限流抵抗を介して回路しゃ断器で短絡し、しゃ断
時の接点間のアーク電圧を測定した。この場合、短絡電
流のピーク値をIKA、接点材料を八g−W (W40
χ)、接点開離速度を3m/秒とした6図において、Q
lはポリメチルペンテン、Qtはポリメチルメタクリレ
ート、Q3はポリブチレンテレフタレート、Q、はセラ
ミックである。この図からQ、、Q、のアーク電圧が高
くしゃ断性能が優れていることがわかる。
また、前記絶縁材料にガラス繊維を重量比で5〜35重
量%充填すると、接点部の開閉により熱ヒートサイクル
を受けて熱劣化により絶縁体にクランクが発生するのを
防止する補強効果が得られる。なお、ガラス繊維を5〜
35重量%に限定したのは、5重量%以下ではガラス繊
維による補強効果がなくなるためであり、また35重量
%以上は絶縁体の熱分解の効果が少なくなるとともにガ
ラス繊維の成形性が悪くなり金型の損傷が激しくなるた
めで条る。
量%充填すると、接点部の開閉により熱ヒートサイクル
を受けて熱劣化により絶縁体にクランクが発生するのを
防止する補強効果が得られる。なお、ガラス繊維を5〜
35重量%に限定したのは、5重量%以下ではガラス繊
維による補強効果がなくなるためであり、また35重量
%以上は絶縁体の熱分解の効果が少なくなるとともにガ
ラス繊維の成形性が悪くなり金型の損傷が激しくなるた
めで条る。
(以下余白)
この消弧装置は、接点部9に過大電流が流れ、可動接触
子13が回路しゃ断器のトリップ機構等によりしゃ断動
作すると、可動接点12と固定接点10との間にアーク
14が発生する0発生したアーク14はアーク14のま
わりに発生する磁束が磁性体6に集中し、アーク進入用
開口部4の側板2,3間にアーク14に鎖交する磁束が
発生する。この磁束によりアーク14にローレンツ力が
作用し、磁性体6の背板l側にアーク14が吸引されて
アーク14が第2図に示すように伸長する。
子13が回路しゃ断器のトリップ機構等によりしゃ断動
作すると、可動接点12と固定接点10との間にアーク
14が発生する0発生したアーク14はアーク14のま
わりに発生する磁束が磁性体6に集中し、アーク進入用
開口部4の側板2,3間にアーク14に鎖交する磁束が
発生する。この磁束によりアーク14にローレンツ力が
作用し、磁性体6の背板l側にアーク14が吸引されて
アーク14が第2図に示すように伸長する。
またアーク14により絶縁体8が加熱されると絶縁体8
より熱分解ガスが発生して熱分解ガスによりアーク14
を冷却する。さらに仕切り板7により熱分解ガスおよび
アーク14の発生に伴うアークガスがアーク進入用開口
部4へ逆流するのを防止して排気用開口部5から排気す
るのを促進することによりアーク14が効果的に矢印の
方向に伸長でき、また冷却が促進されてアーク電圧が高
くなる。
より熱分解ガスが発生して熱分解ガスによりアーク14
を冷却する。さらに仕切り板7により熱分解ガスおよび
アーク14の発生に伴うアークガスがアーク進入用開口
部4へ逆流するのを防止して排気用開口部5から排気す
るのを促進することによりアーク14が効果的に矢印の
方向に伸長でき、また冷却が促進されてアーク電圧が高
くなる。
この実施例によれば、磁性体6によるアーク14の吸引
によりアーク14を伸長することができ、また絶縁体8
からの熱分解ガスによりアーク14を冷却することがで
き、しかもアーク進入用開口部4の一部を閉じる仕切り
板7を形成したためアーク熱により絶縁体8から発生し
た熱分解ガスやアークガスをアーク進入用開口部4側に
逆流するのを防止して排気用開口部5側への流れを増大
することによりアークの伸長および冷却を促進すること
ができる。このため、構造が簡単でしかも高いアーク電
圧が得られる。
によりアーク14を伸長することができ、また絶縁体8
からの熱分解ガスによりアーク14を冷却することがで
き、しかもアーク進入用開口部4の一部を閉じる仕切り
板7を形成したためアーク熱により絶縁体8から発生し
た熱分解ガスやアークガスをアーク進入用開口部4側に
逆流するのを防止して排気用開口部5側への流れを増大
することによりアークの伸長および冷却を促進すること
ができる。このため、構造が簡単でしかも高いアーク電
圧が得られる。
この発明の消弧装置によれば、磁性体によるアークの吸
引によりアークを伸長することができ、また絶縁体から
の熱分解ガスによりアークを冷却することができ、しか
もアーク進入用開口部の一部を閉じる仕切り板を形成し
たためアーク熱により絶縁体から発生した熱分解ガスや
アークガスがアーク進入用開口部側に逆流するのを防止
して排気用開口部側への流れを増大することによりアー
クの伸長および冷却を促進することができる。このため
、構造が簡単でしかも高いアーク電圧が得られるという
効果がある。
引によりアークを伸長することができ、また絶縁体から
の熱分解ガスによりアークを冷却することができ、しか
もアーク進入用開口部の一部を閉じる仕切り板を形成し
たためアーク熱により絶縁体から発生した熱分解ガスや
アークガスがアーク進入用開口部側に逆流するのを防止
して排気用開口部側への流れを増大することによりアー
クの伸長および冷却を促進することができる。このため
、構造が簡単でしかも高いアーク電圧が得られるという
効果がある。
第1図はこの発明の一実施例の斜視図、第2図はその断
面図、第3図は各種絶縁体のアーク電圧特性図、第4図
は従来例の要部断面図、第5図は他の従来例の要部断面
図、第6図はその磁性体の断面図、第7図はさらに他の
従来例の要部断面図、第8図はその消弧グリッドの正面
図である。 1・・・背板、2,3・・・側板、4・・・アーク進入
用開口部、5・・・排気用開口部、6・・・磁性体、7
・・・仕切り板、8・・・絶縁体 代 理 人 弁理士 官井暎夫 pp囚、]−+÷−
ffi1図 第2図 第3図 LIJ Ln
面図、第3図は各種絶縁体のアーク電圧特性図、第4図
は従来例の要部断面図、第5図は他の従来例の要部断面
図、第6図はその磁性体の断面図、第7図はさらに他の
従来例の要部断面図、第8図はその消弧グリッドの正面
図である。 1・・・背板、2,3・・・側板、4・・・アーク進入
用開口部、5・・・排気用開口部、6・・・磁性体、7
・・・仕切り板、8・・・絶縁体 代 理 人 弁理士 官井暎夫 pp囚、]−+÷−
ffi1図 第2図 第3図 LIJ Ln
Claims (1)
- 背板と一対の側板とでU字形に形成されて前記背板側の
一対の開口の一方をアーク進入用開口部とし他方を排気
用開口部とした磁性体と、この磁性体の内側を被覆する
とともに前記アーク進入用開口部の背板側に前記アーク
進入用開口部の一部を閉じるように形成された仕切り板
を有してアーク熱により熱分解ガスを発生する絶縁体と
を備えた消弧装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28037286A JPS63133421A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 消弧装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28037286A JPS63133421A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 消弧装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63133421A true JPS63133421A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17624096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28037286A Pending JPS63133421A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 消弧装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63133421A (ja) |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP28037286A patent/JPS63133421A/ja active Pending
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