JPS62275316A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 この発明は、コバルトを主成分とする強磁性金属ｉ膜層
を磁気記録層とした磁気記録媒体およびその製造方法に
関し、さらに詳しくは、耐食性に優れ、かつ摩擦係数が
小さくて走行安定性に優れた前記の磁気記録媒体および
その製造方法に関する。

〔従来の技術〕

コバルトを主成分とする強磁性金属薄膜層を磁気記録層
とした磁気記録媒体は、通常、コバルトもしくはコバル
ト合金などを真空蒸着、スパッタリング等によって基体
フィルム上に被着してつくられ、高密度記録に適した特
性を有するが、反面、表面に金属が露出しているため空
気中の酸素によって酸化されやすく、磁気特性が低下し
たり、また腐食生成物の成長によって磁気記録媒体の走
行不良を生じるなどの欠点がある。

このため、従来からこの種のコバルトを主成分とする強
磁性金属薄膜層の耐食性を改善すべく、強磁性金属薄膜
層を有する磁気テープを７０”Ｃ１８０％Ｒ）［のよう
な高温高湿の雰囲気下で処理して、結晶性のＣｏ３Ｏ４
を表面に形成する方法（米国特許第３４６０９６８号明
細りなどが提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、前述のように７０℃、８０％ＲＨのような高
温高湿の雰囲気下で強磁性金属薄膜層を処理すると、耐
食性や走行安定性が充分に改善されず、また６０℃、９
０％ＲＨのような高温高湿の雰囲気下に長時間保存する
と、強磁性金属薄膜層の表面に水酸化コバル）Ｃｏ　（
ＯＨ）２の腐食層が生成し、これが摩擦係数の増大をも
たらして、磁気記録媒体の耐摩耗性を向上させることが
できない。さらに腐食生成物による摩擦係数の経時的な
増大を防止することができない。

この発明はかかる現状に鑑みなされたもので、前述した
従来技術の欠点を解消し、耐食性ならびに耐摩耗性に優
れた磁気記録媒体を提供することを目的とするものであ
ある。

またこの発明は、耐食性ならびに耐摩耗性に優れた磁気
記録媒体を容易かつ確実に量産することが可能な磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明者らは前述の目的を達成するため、前記従来技
術について鋭意研究を重ねた結果、基体上にコバルトを
主成分とする強磁性金属ゴ膜層を形成した磁気テープ巻
回体を、５０％ＲＨ未満、好ましくは４５％ＲＨの低湿
度下、４０〜９０℃で酸化処理を施すと、磁気テープ巻
回層の内部でテープの幅方向の両端部の一部に、他の部
分と異なり耐食性に優れ、摩擦係数の経時的な増大を抑
制し得る不Ｔｏ態膜を有する磁気テープが得られること
を見いだした。

この不１ｆｈ態膜を有する磁気テープについて、強磁性
金属薄膜層の表面部分をＸ線光電子分光分析によって解
析した結果、他の不Ｉｌ］態膜のない部分と異なり、Ｘ
線光電子分光分析におけるＣｏ２Ｐスペクトルがその結
合エネルギー７８０．０±０．３ｅＶ（２Ｐ３／２）と
７９５．６±０．３　ｅ　Ｖ　（２Ｐ１７２）の両ピー
クの低結合エネルギー側立ち上がり点を遣ってスペクト
ルに接するように直線でバックグラウンドを引いたとき
、７８０．０±０，３ｅＶのピーク高さを１００とすれ
ば、７８５．９±０．３ｅＶにあるピークの高さが４０
以下であって、かつＯＩＳスペクトルがその結合エネル
ギー５３０．５±２．５ｅＶにある複合したピークの低
結合エネルギー側立ち上がり点と高結合エネルギー側立
ち上がり点を通ってスペクトルに接するように直線でバ
ックグラウンドを引いたとき、波形分離によって得られ
る５２９．３±０．４ｅＶにあるピークの高さと５３０
．８±０．４ｅＶにあるピークの高さの比が１００対１
１０から１００対５０の範囲にある非晶質のコバルト化
合物領域が生成し、しかも反射電子線解析により結晶性
を測定した結果、結晶物の解析パターンが認められず、
非晶質であることが判明した。

さらに、この不（６＝、膜について検討を重ねた結果、
基体上にコバルトを主成分とする強磁性金属薄膜層を形
成した磁気テープを１０”３ト一ル以上の水蒸気圧を有
する雰囲気に曝して強磁性金属薄膜層に水分を吸湿させ
、しかる後、この磁気テープを１００トール以下の減圧
下で乾燥し、その後、２気圧以下の酸素分圧が主成分と
なる雰囲気下で酸化反応させると、磁気テープのほぼ全
領域にわたり、均質な不働態膜が形成され、磁気テープ
の量産化が可能となることを解明した。

また、強磁性金属薄膜層の最表面から１ｏｏＡ内におけ
る平均酸素含有濃度が約２０〜５ｏ原子％の範囲内に規
制された層を存在させることにより、耐摩耗性を改善す
ることができた。

さらに、この不１！ｂ　態膜上に脂肪酸系有機化合物や
フッ素系有機化合物などからなる潤ン脅剤層を形成する
と、摩擦係数がより低減し、耐久性がより向上すること
を見いだした。

このような良好な結果が得られる理由は明確でないが、
前記コバルト不（ｅＪＢ膜は腐食の原因となっているコ
バルトカチオンの拡散を阻止し、特に、表面の腐食を良
好に阻止して強磁、性金属薄膜層の耐食性を充分に向上
させ、さらに高温高湿度下に放置した場合に水酸化コバ
ル）Ｇｏ（ＯＨ）２などの腐食生成物によって生じる走
行性の劣化を防止し、摩擦係数を充分に小さくして、走
行安定性を充分に向上させるものと考えられる。

〔実施例〕

以下、図面を参照しながらこの発明について説明する。

第１図は一実施例に係る真空蒸着装置の概略構成図、第
２図は本発明の方法によって製造された磁気記録媒体の
断面図、第３図ならびに第４図はその磁気記録媒体にお
ける強磁性金属薄膜層の拡大概念図である。

厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムか
らなるベースフィルム１の原反ロール２を、真空蒸着槽
３内にセットする。原反ロール２から繰出したベースフ
ィルム１は、ガイドローラ４を介して真空蒸着槽３の中
央に配置された円筒状キャン５の周面に巻き掛けられた
のち、ガイドローラ４を介して巻取りロール６に巻き取
られる。

前記キャン５の下方には蒸発源るつぼ７が配置され、そ
の中にニッケルを２０重量％含有するコバルト−ニッケ
ル合金からなる強磁性金属８がセットされている。キャ
ン５と蒸発源るつぼ７との間には防着板９が設けられて
いる。

真空蒸着槽３に付設された減圧手段１０により槽内を５
．ＯＸ　１０−６）−ルまで減圧したのち、酸素ガス供
給手段１１から酸素ガスを槽内に導入して８．ＯＸ　１
０’　）−ルに保つ。このような状態において前記キャ
ン５の周面に沿って移動するベースフィルム１に向けて
強磁性金属８を斜め蒸着して、膜厚１５００人のコバル
ト−ニッケル合金からなる強磁性金属薄膜層１２が形成
され、連続的に巻取ロール６に巻き取られる。このよう
にして形成された前記強磁性金属薄膜ｆｆ１１２の磁気
特性を測定したところ保磁力は１０００エルステツド、
角型比は０．７であった。

前述のように強磁性金属８を斜め蒸着することにより、
第３図ならびに第４図に示すように柱状粒子１３が傾斜
した状態で生成する。前述のように酸素ガスの存在下で
蒸着するため、柱状粒子１３の周囲に酸化物膜１４が形
成される。この酸化物膜１４の膜厚は、酸素導入量など
によって違うが約３００Å以下であると推測される。

前述のようにしてベースフィルム１の表面に所定の厚さ
を有する強磁性金属薄膜層１２を形成した後、これを真
空蒸着槽３から取り出し、少なくとも酸素ガスと水分の
存在下で加熱処理する。この処理により酸化物膜１４の
表面が主にアモルファスの３価コバルトの含水酸化物（
不働態Ｈ＠）１５に変成される（第３図ならびに第４図
参照）。

この含水酸化物１５の形成状態は、前記含水酸化物１５
を生成する際の加熱処理条件などにより、第３図に示す
ように柱状粒子１３の周囲の全体に形成されたり、ある
いは第４図に示すように柱状粒子１３０表面部分にのみ
形成されることがある。なおこの含水酸化物（不動！３
膜）１５からなるコバルト化合物領域は層であってもよ
い。

加熱処理が終了すると次ぎに潤滑剤塗布工程に運ばれ、
第２図に示すように強磁性金属薄膜層１２の表面に潤滑
剤層１６が設けられる。なお、この潤滑剤層１６の膜厚
は３０〜５００人程度が適当で、３０人より薄いと長期
間にわたって潤滑効果を発揮することが難しく、一方、
５００人より厚くなると電磁変換特性が低下するため、
潤滑剤層１６の膜厚は前述の範囲に規制する方が望まし
い。

次ぎに、本発明の具体的な実施例について説明する。

実施例１ 前述のようにして２５ｃｍ幅、１０００ｍ長のポリエチ
レンテレフタレートからなるベースフィルム１の表面に
、コバルトを８０ｍｆｆ１％、ニッケルを２Ｃ１量％含
有し、柱状粒子１３の表面に酸化物膜１４を設けた強磁
性金属薄膜層１２を真空蒸着槽３から取り出して、大気
圧に保たれた熱処理槽において処理温度６０℃、相対湿
度３０％で、３時間加熱処理し、処理後に所定の幅に裁
断して磁気テープを作った。このにょうにして得られた
磁気テープ中不動態膜が形成された部分は、幅方向で端
部から約’ｌ　ｃｎｉ以内であった。

実施例２ 処理時間を１０時間にした以外は、前記実施例１と同様
にして磁気テープを作った。

実施例３ 処理時間を２４時間にした以外は、前記実施例１と同様
にして磁気テープを作った。

実施例４ 処理温度を４０℃、相対湿度を４０％にした以外は、前
記実施例３と同様にして磁気テープを作った。

実施例５ 処理温度を９０℃、相対湿度を２５％、処理時間を１時
間にした以外は、前記実施例１と同様にして磁気テープ
を作った。

実施例６ 加熱処理後に強磁性金属薄膜層の上に脂肪酸の１種であ
るステアリン酸の潤滑剤層を形成した以外は、前記実施
例１と同様にして磁気テープを作った。

実施例７ 加熱処理後に強磁性金属薄膜層の上にステアリン酸の潤
滑剤層を形成した以外は、前記実施例４と同様にして磁
気テープを作った。

実施例８ 加熱処理後に強磁性金属薄膜層の上にステアリン酸の潤
滑剤層を形成した以外は、前記実施例５と同様にして磁
気テープを作った。

実施例９ 加熱処理後に強磁性金属薄膜層の上にフッ素系有機化合
物の１種であるパーフルオロアルキルポリエーテル（デ
ュポン社製、製品名クライトソクスＨ）の潤滑剤層を形
成した以外は、前記実施例１と同様にして磁気テープを
作った。

実施例１０ 加熱処理後に強磁性金属薄膜層の上にパーフルオロアル
キルポリエーテル（デュポン社製、製品名タライトソク
スＨ）の潤滑剤層を形成した以外は、前記実施例４と同
様にして磁気テープを作った。

実施例１１ 加熱処理後に強磁性金属薄膜層の上にパーフルオロアル
キルポリエーテル（デュポン社製、製品名タライトンク
スＨ）の潤滑剤層を形成した以外は、前記実施例５と同
様にして磁気テープを作った。

実施例１２ 処理時間を１００時間にした以外は、前記実施例１と同
様にして磁気テープを作った。このようにして得られた
磁気テープ中下Ｔｏｎ膜が形成された部分は、幅方向で
端部から約３備以内であった。

比較例１ 加熱処理を省略した以外は、前記実施例１と同様にして
磁気テープを作った。

比較例２ 強磁性全屈薄膜層上にステアリン酸の潤滑剤層を形成し
た以外は、前記比較例１と同様にして磁気テープを作っ
た。

比較例３ 加熱処理を７０℃、８０％ＲＨ下で３時間行った以外は
、前記実施例１と同様にして磁気テープを作った。

比較例４ 加熱処理後に強磁性金属１膜層の上にステアリン酸の潤
滑剤層を形成した以外は、前記比較例３と同様にして磁
気テープを作った。

比較例５ 真空蒸着槽内において、ベースフィルム上にコバルト（
８０重量％）−ニッケル（２０重量％）合金を斜め蒸着
して強磁性金属薄膜層を形成した、その後に真空蒸着槽
より取り出して、１００℃以上の加熱水蒸気を前記強磁
性金属薄膜層の表面に吹きつけて処理した磁気テープを
作った。

第５図は、前記各実施例中下ｉ＆態膜の形成された部分
ならびに各比較例によって得られた磁気テープの摩擦係
数の経時変化を示す図である。この摩擦係数の測定は、
摺動式動摩擦係数測定機を用い、初期の摩擦係数と、各
磁気テープを６０℃、９０％ＲＨの高温、高湿雰囲気中
で１週間静置して、摩擦係数の変化を測定した。なお、
図中の線Ａは実施例１〜５．１２によって得られた磁気
テープ、線Ｂは実施例６〜８によって得られた磁気テー
プ、線Ｃは実施例９〜１１によって得られた磁気テープ
、線りは比較例１によって得られた磁気テープ、線Ｅは
比較例２によって得られた磁気テープ、線Ｆは比較例３
によって得られた磁気テープ、線Ｇは比較例４によって
得られた磁気テープ、線Ｈは比較例５によって得られた
磁気テープの特性曲線である。

この図から明らかなように、比較例１．２．３．４．５
のものは高温、高湿の雰囲気下に長時間放置すると摩擦
係数は急激に増大する（噴量にある。これに対して本発
明に係る磁気記録媒体はいずれのものも摩擦係数の経時
変化がほとんどなく、常に安定した低い摩擦係数を有し
ているために走行性が非常に良好である。

次に前記実施例６によって得られた磁気テープの強磁性
金属薄膜層と潤滑剤層との界面付近並びに前記界面付近
から５０人深いところのＸＰＳ分析を行った。ＸＰＳ分
析にはＶ　Ｇ　　ＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＬｉｍｉｔｅｄ
社製、製品名ＥＳＣＡＬＡＢ５の分析機器を使用し、Ｘ
線出力がｌ０ＫＶ、２０ｍＡで、ＣＩＳピーク値を２８
４．６　ｅ　Ｖにセントし、脱出角を零度にして分析し
た。

第６図ないし第８図は前記ＸＰＳ分析に基づくＣｏ２Ｐ
Ｂのスペクトル図で、第６図は磁気記録媒体を製造した
初期のもの（試料Ｉ）のスペクトル、第７図は製造後に
磁気記録媒体を６０℃、９０％ＲＨの雰囲気中で４日間
静置したもの（試料■）のスペクトル、第８図は製造後
に磁気記録媒体を６０℃、９０％ＲＨの雰囲気中で１５
日間静置したもの（試料■）のスペクトルである。

なおこれらの各図において実線は強磁性金属薄膜層と潤
滑剤層との界面付近のスペクトル、点線は前記界面から
５０人深いところのスペクトルである。

また第９図および第１０図は製造した初期の磁気記録媒
体（試料■）のＯＩＳのスペクトル図で、実線は実測ス
ペクトルを示し、この実測スペクトルは各種ピークが合
成されて示されているから、分り易いようにこの実測ス
ペクトルを各ピーク毎に分解し、各ピークを点線で示し
た。この各ピークを解析すると、酸化物に基づ（０２−
のピーク（５２９，７ｅ　Ｖ　）　、含水酸化物に基づ
＜０）（−のピーク（５３１，１ｅ　Ｖ　）および吸着
した僅かな水あるいは有機物に基づくもののピーク（５
３２，４ｅ　Ｖ　）を示すことが判明した。

第９図は強磁性金属薄膜層と潤滑剤層との界面付近のス
ペクトル、第１０図は前記界面から５０人深いところの
スペクトルである。なお、試料■、■について各部のス
ペクトルもとったが、第９図および第１０図に示すスペ
クトルとほぼ同じであるので図示を省略した。

これら第６図ないし第１０図の分析結果に基づく考察を
界面部分ならびに内部部分にわけて記述する。まず磁気
記録媒体の強磁性金属薄膜層と潤滑剤層との界面部分で
あるが、第６図ないし第８図のＣｏ２Ｐつのスペクトル
から、試料■、■、■とも強磁性全屈Ｍ膜屓の界面では
コバルト酸化物またはこれらの含水酸化物のピーク（７
Ｂ０．Ｏｅ　Ｖ）に相当する強いピークが認められ、又
ＦＪ擦係数の経時変化の原因となるＣｏ（ＯＨ）２のピ
ーク（７Ｂ１．Ｏｅ　Ｖ　）に相当するものは認められ
ない。

さらに界面では、界面から５０人深いところでのスペク
トルで認められる顕著な２価のコバルトイオンの存在を
示すサテライトピーク（７８６，Ｏｅ　Ｖ）も極めて低
いことから、界面では３価のコバルトの酸化物か含水酸
化物が存在することを示しており、界面より５０人深い
ところでは２ｆ＋ｌＩｉのコバルトの酸化物が存在して
いることを示している。

一方、第９図のＯＩＳスペクトルから界面では酸化物に
基づり０２−のピーク（５２９，７ｅ　Ｖ　）と、含水
酸化物に基づ＜０）Ｉ−のピーク（５３１，１ｅ　Ｖ　
）が顕著に認められることと、上記Ｃｏ２Ｐｙ２のスペ
クトル結果を併せて考えると、界面では３価のコバルト
の含水酸化物が主体的に存在していることを示している
。

また界面より５０人深いところでは、第１０図のＯＩＳ
スペクトルの結果から、ＯＨ−のピークが著しく減少し
、Ｃ２−のピークが主体的となっており、この結果と前
記Ｃ０２Ｐ３／２のスペクトルの解析結果から、２価の
コバルト酸化物が主体的に存在していることを示してい
る。

さらに図示していないが、もう少し深くエツチングする
とコバルトの金属（７７８，Ｏｅ　Ｖ）を主体としたス
ペクトルを示す。

以上のことから本発明の磁気記録媒体では、強磁性金属
薄膜層の表面に３価コバルトの含水酸化物Ｃｏ２Ｏ３・
ｎＨ２Ｏを主体とする層が、その下に酸化物Ｃｏｏを主
体とする層が、さらにその下にコバルト金属を主体とす
る層が存在していることが分かる。

本発明の磁気記録媒体の強磁性金属薄膜層と潤滑剤層と
の界面を、日立製作所社製Ｈ−７００Ｈの反射電子線回
折装置　加速電圧７５ｋＶのものを使用して調べた結果
、酸化コバルトＣｏｏの回折パターンは認められたが、
３価コバルトの含水酸化物Ｃｏ２Ｏ３・ｎＨ２Ｏの回折
パターンは認められない。このことから柱状粒子の表面
側部分にある前記含水酸化物ＣＯ２０，・ｎＨ２Ｏはア
モルファスであることが分かる。

本発明における熱処理温度は、約１４０℃以下、特に約
３５〜１００℃の範囲、さらに好ましくは約４０〜９０
℃の範囲である。熱処理時間は熱処理温度との関係があ
り、処理温度が高ければ処理時間は短（てすみ、処理温
度が低ければ長時間熱処理する必要がある。

熱処理時における湿度は５０％ＲＨ未満が望ましい。湿
度がこれ以上高くなると、強磁性金属薄膜層の表面側部
分に３価コバルトの含水酸化物よりも水酸化コバル）Ｃ
ｏ（ＯＨ）２が生成しやすくなるため好ましくない。

本発明において、３価コバルトの含水酸化物Ｃｏ２０３
　・ｎＨ２０の式中のｎは０．１〜８の範囲、好ましく
は０．１〜２の範囲である。

本発明は前述のような構成になっており、簡単な処理に
より水酸化コバルトＣｏ　（ＯＨ）２の成長を抑制し、
摩擦係数の経時変化のない安定した走行性を有する信頼
性の高い磁気記録媒体を提供することができる。

上記実施例１〜１２および比較例１〜５で得られた磁気
テープについて、不１ｆ／ｈ態膜の生成率（不働態膜の
生成面積Ｘ１００／全強磁性金属薄膜層面積）を測定し
、またＸＰＳ分析に基づき、Ｃ０２Ｐ３／２のスペクト
ルのメインピークの高さＨ４に対するサテライトピーク
の高さＨ２の比、及びＯＩＳのスペクトルの波形分離後
の５２９．３±０．４ｅＶにあるピークの高さＨ３と５
３０．８±０．４ｅＶにあるピークの高さ■〜１４との
比を測定し、耐食性を試験した。耐食性試験は各試料の
磁気テープを６０℃、９０％ＲＨの環境下に５週間静置
し、静置前後の飽和磁化を測定して、静置後の飽和磁化
の減少を調べ、劣化率であられした。

下記第１表はその結果である。なお、第１表中Ｈ２／Ｈ
１、Ｈ４／Ｈ３、および耐食性の特性は、不働態膜生成
部分（Ａ部）と非生成部分（Ｂ部）の測定値を未した。

第　　１　　表 上記第１表から、各実施例で得られた磁気テープは、不
（ｉｂ態膜の生成率は低いが、不働態膜生成部分（Ａ部
）は、非生成部分（Ｂ部）と異なり、１（２／　ＨＩが
０．４０以下でかつＨ４／Ｈ，が０．５０〜１．１０の
範囲内に入り、耐食性が優れていることが明らかである
。

実施例１３ 次ぎに、第１１図および第１２図に示すような真空蒸着
装置を用いて強磁性Ｃｏ（８０重量％）−Ｎｉ（２０重
量％）薄膜層を１２μｍ厚の幅５０ａｎｓ約５０００ｍ
長のポリエチレンテレフタレートフィルム上に蒸着した
。この第１１図および第１２図中の記号は第１図中の記
号と同じで、この真空蒸着装置を用いる酸化性ガスの導
入法は、下記のようにして行われる。

すなわち、円筒状キャン５の周面に沿って高大斜角部か
ら低人斜角部へと移動するベースフィルム１に対して、
強磁性金属８の蒸気流を斜めに入射して蒸着する際、円
筒状キャン５の下方に配置した防着板９の先端部寄りの
上側から、酸化性ガスを少な（とも最低大斜角部を通過
しているベースフィルム１に直射するように吹きつける
。そして、この最低大斜角部に入射する酸化性ガスと強
磁性金属の蒸気流との交わり角度が約３０度を越えず、
かつ酸化性ガスの直射範囲が、最低入射角部から高入射
角の方向に円筒状キャン５の回転中心を基点とした角度
で約１０度を越えないようにして行われる。

具体的には、第１１図および第１２図に示すように、酸
化性ガス（酸素ガス）を導入する供給管１１は防着板９
の先端部内側に設置されている。

そして第１２図に示すように、供給管１１のガス吹き出
し口１１ａからベースフィルム１の最低入射角部Ａまで
の距離りが１５ｃ１１以内で、最低入射角θで差し向け
られる強磁性金属の蒸気流Ｂとのなす角度αが約３０度
以内となる位置に前記供給管１１の吹き出し口１１ａが
設けられている。そしてその吹き出し口１１ａから吹き
つけられる酸化性ガスが、最低入射角部Ａから高入射角
の方向に円筒状キャン５の回転中心Ｏを基点とした角度
βで１０度を越えない範囲Ｅ内に直射するように吹きつ
けるのが好ましい。

このような条件で酸化性ガスを少なくとも最低入射角部
Ａを通過するベースフィルム１に直射するように吹きつ
けると、最低入射角部Ａの近傍で酸化性ガスが最も多い
。それと同時に、最高入射角部Ｃの近傍ではベースフィ
ルム１上での強磁性金属の析出速度が遅いため、酸化性
ガスがとりこまれ易くなる。その結果、最高入射角部Ｃ
近傍のベースフィルム１上で強磁性粒子の核が生成する
際、酸素原子を含有した十分に小さい粒子が生成する。

そして、ベースフィルム１が最低入射角部Ａを通過する
ときに多量の酸化性ガスによって前記粒子が良好に成長
する。ここで、酸化性ガスとしては、酸素ガスが好適で
あるが、この他に酸素ガスと他のガスとを混合したもの
も使用可能である。また、強磁性金属を斜め入射蒸着す
る際の入射角θは、約６５度より大きくすると蒸着効率
が悪くなり、量産に適さないため、入射角θは６５度以
下にする方が好ましい。

このような酸化性ガス導入法によって、斜め入射蒸着に
よって形成される柱状粒子の柱状粒子本体と表面層に確
実に酸素原子を導入することができ、オージェ電子分光
分析による強磁性金属薄膜層の最表面から１００人深さ
の範囲の平均酸素含有濃度を２０〜５０原子％の範囲に
規制することが可能となり、このような平均酸素含有濃
度を有する表面層を介して前記コバルト不動態膜を形成
すると耐食性および耐久性ともより改善することが可能
となる。

このような酸化性ガス導入法による、ニッケルを２０ｆ
ｆｉ量％、コバルトを８０ｉｔ量％含有するコバルト−
ニッケル合金からなる強磁性金属８の蒸着を、真空蒸着
槽３に付設された減圧手段１０により槽内を５．ＯＸ　
１０’　トールまで減圧したのち、酸素ガス供給管１１
から酸素ガスを真空蒸着槽３内に流量２．０β／分で導
入して行った。このような状態において前記キャン５の
周面に沿って移動するベースフィルム１に向けて強磁性
金属８を斜めに入射するよう蒸着して、膜厚１５００人
のコバルト−ニッケル合金からなる強磁性金属薄膜層１
２を形成し、連続的に巻取ロール６に巻き取った。この
ようにして形成された前記強磁性金属薄膜層１２の磁気
特性を測定したところ、保磁力は１０００エルステツド
、角型比は０．７であった。また、オージェ電子分光分
析の結果、最表面から１００人深さの範囲の平均酸素含
有濃度は約３２原子％であった。前述のように強磁性金
属８を斜めに入射するように蒸着することにより、第１
３図に示すように柱状粒子１３が傾斜した状態で生成す
る。また前述のように酸素ガスの存在下で蒸着するため
、柱状金属粒子１３の周囲にコバルトの酸化物膜１４が
形成される。この表面Ｎ１４中の平均酸素含有濃度は、
酸素導入量を調整することによって制御することができ
る。なお、１５は次いで説明する酸化処理によって得ら
れたコバルト不Ｉｌｌ態膜である。

強磁性金属の蒸着終了時に真空蒸着装置内の真空度を約
３０分かけて２５℃、４０％ＲＨの大気圧に戻し、この
状態で約３時間放置した。しかる後、この磁気テープ巻
回体を密閉缶に封入し、密閉缶内を約１０）−ルまで減
圧後、酸素ガスを圧入して１．３気圧とし、室温（２５
℃）で約７０時間密閉缶内で磁気テープ巻回体の酸化処
理を施した。このようにして処理した磁気テープ巻回体
を所定幅で裁断して磁気テープを得た。このようにして
得られた磁気テープ巻回体は、はぼ全幅、全長にわたり
均質なコバルトの不働態膜が形成されていた。

このようにして得られた磁気テープの強磁性金属薄膜層
の表面のｘｐｓ分析を行った。ｘｐｓ分析にはＶＧ　　
５ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　Ｌｉｍｌｔｅｄ社製、製品名Ｅ
ＳＣＡＬＡＢ５の分析機器を使用し、Ｘ線出力がｌ０Ｋ
Ｖ、２０ｍＡで、ＣＩＳピーク値を２８４．６ｅＶにセ
ットし、脱出角を零度にして分析した。

第１４図は前記ｘｐｓ分析に基づ＜Ｃ０２Ｐ３／２のス
ペクトル図、第１５図はＯＩＳのスペクトル図、第１６
図は第１５図スペクトル図からバックグラウンドを引い
て２つのピークを波形分離したスペクトル図である。

これらの図から明らかなように、前記実施例１３によっ
て得られた磁気記録媒体の場合、強磁性金属薄膜層のう
ちの表面層のＸ線光電子分光分析におけるＣｏ２Ｐスペ
クトルの結合エネルギー７８０．０±０．３　ｅ　Ｖ　
（２Ｐ３／２）と７９５．６±０．３　ｅ　Ｖ　（２Ｐ
ｌ／２）の両ピークの低結合エネルギー側立上がり点を
通ってスペクトルに接するように直線でバックグランド
Ｂ、Ｇ、を引いたとき（第１４図参照）、メインピーク
（７８０，０±０．３ｅＶ）のピークの高さＨ４を１０
０としたサテライトピーク（７８５，９±０゜３ｅＶ）
のピークの高さＨｌが２５となる。

また第１５図に示すように、ＯＩＳスペクトルの結合エ
ネルギー５３０．５±２．５ｅＶにある複合したピーク
の低結合エネルギー側立上がり点と高結合エネルギー側
立上がり点を通ってスペクトルに接するように直線でバ
ックグランドｎ、ｃ、を引いたとき、第１６図に示すよ
うにこの複合したピークの低結合エネルギー側ピークと
高結合エネルギー側ピークの高さの比率（Ｈ３対Ｈ４）
が、１００対７１となる。

前述のピーク高さＨｌを１００とした場合のサテライト
ピークのピーク高さＨｌが４０より大きいと、耐食性が
不十分であり、高温高湿の走行性が経時的に劣化する傾
向があるため、メインピーク（７８０，０±０．３ｅＶ
）のピーク高さＨｌを１００としたサテライトピーク（
７８５，９±０．３ｅＶ）のピーク高さＨｌは４０以下
に抑える必要がある。

さらにＯＩＳスペクトルにおいて低結合エネルギー側ピ
ーク（酸化物の酸素に帰属）のピークの高さＨ３と高結
合エネルギー側ピーク（水酸基の酸素に帰属）の高さＨ
４の比率が１００／１１０より小さい場合は、例え前述
のＣ０２Ｐｙ２スペクトルが前記の範囲内にあっても走
行耐久性に欠ける。

この原因は十分に解明されていないが、コバルトが粘性
の高い水酸化物に近い状態で存在しているためであろう
と考えられる。

一方、Ｈ３／　Ｈ４の比率が１０ＯＩＳ０より大きい領
域では、表面層の形成が、一種の脱水過程を経ると見ら
れることから、長期間の処理が必要となり生産性の点で
問題がある。

第１４図ないし第１６図は実施例１３の磁気記録媒体の
スペクトル図を示したが、他の実施例に係る磁気記録媒
体においても、Ｘ線光電子分光分析での前記Ｈ，対ＩＩ
２の比率が１００対４０以下、１１３対Ｈ４の比率が１
００対５０〜１１０の範囲に入っていることは前述の分
析によって確認されている。

本発明の磁気記録媒体において、表面層の耐食性には水
酸基を含有することが本質的に重要であると考えられる
。これは表面層が水酸基を含む非晶質的なネットワーク
構造をとることによって、カチオンの拡散を防いでいる
と見られるからである。従って本発明においては、コバ
ルトならびに酸素のスペクトル特性が前述の範囲にある
ことが必要であり、これによって優れた耐久性と耐食性
とが兼備される。

このようなコバルトの不働態膜の形成は、コバルトを主
成分とする強磁性金属薄膜層表面に、（１）水分の付着
（吸湿）（２）脱水（乾燥）酸化の２つの要素が適切に
同時ないしは分離されて行われれば良く、同時に行われ
る場合には吸湿と脱水との相矛盾する工程を同時に行う
必要から前述の実施例１〜１２で示すように、５０％Ｒ
Ｈ以下の低湿度下で４０℃以上の加熱を必要とし、その
制御が困難である。一方、前記実施例１３で示すように
（１）、（２）の要素を別個独立して行う場合、その制
御が容易かつ確実であり推奨される。この場合、（１）
の吸湿については、水蒸気圧が１０−３以上の雰囲気内
に強磁性金属薄膜層を曝せばよく、仮に強磁性金属薄膜
層を飽和水蒸気圧下に曝らしたとしても、（２）の工程
で脱水乾燥時に水分量を制御すれば充分である。

しかし、通常、作業性などを考慮すれば室温で３０〜８
０％ＲＨの湿度で０．１〜２４時間、好ましくは０．１
〜６時間放置する方法が好適である。

（２）の要素の脱水酸化においては適切な酸化反応を行
わせるために、酸化反応の反応系外に水分を除去する必
要があり、そのため、磁気記録媒体を閉じた系内で乾燥
した状態で酸化反応させることが肝要である。この乾燥
した状態での酸化反応をさせる方法としては前述のよう
に減圧した後、純酸素ガスなどの酸素が主成分となる雰
囲気下で酸化反応させる以外に、乾燥剤の存在下で酸化
反応させる方法や、加熱酸素ガスの流通などの方法も採
用し得る。

前記実施例１３で示すように、密閉缶を使用し、この缶
を一旦１００トール以下、好ましくは５０トール以下に
減圧し、その後酸素ガスを分圧で５０％以上含有する雰
囲気、好ましくは２気圧以下の加圧下で反応させる方法
が好ましい。

酸化反応時には、１００％酸素の純酸素ガスである必要
はなく、酸素ガスを分圧で５０％以上含有させ、残りを
Ａｒガス、Ｎ２ガスなどの不活性ガスを混合したもので
も使用し得る。

また、前記コバルト不働態膜は、強磁性金属薄膜層表面
に直接形成しても良いが、コバルト酸化物層を介して形
成されるときは、より耐摩耗性が改善され、最表面から
１００人以内での平均酸素含有濃度を２０原子％以上含
有する表面層を介在させたときは強磁性金属薄膜層の耐
摩耗性が改善され好ましい。しかし、前記平均酸素含有
濃度が５０原子％以上とすると耐摩耗性が低下する傾向
にあるので２０〜５０原子％の範囲とするのが好ましい
。

実施例１４ 実施例１３において、強磁性金属の蒸着終了時に真空装
置内の真空度を約３０分かけて２５℃、４０％ＲＨの大
気圧に戻し、直ちに磁気テープ巻回体を密閉缶に封入し
、以下同様にして磁気テープを得た。

実施例１５ 実施例１３において、磁気テープ巻同体を密閉缶に封入
し、密閉缶を約ｌＯトールまで減圧後、酸素ガスを圧入
して０．６気圧、１気圧として室温でそれぞれ約１４０
時間、１００時間密閉缶内で磁気テープ巻回体の酸化処
理を施し、以下同様にして試料Ｎｏ１５−１（０，６気
圧、１４０時間処理）、１５−２　（１気圧、１００時
間処理）の磁気テープを得た。

実施例１６ 実施例１３において、強磁性金属薄膜層形成時に酸素ガ
スの吹きつけ量を制御して最表面から１００人以内の平
均酸素含有濃度（原子％）を２％（試料Ｎｏ１６−１）
　、１０％（試料Ｎ０１６−２）、２０％（試料Ｎｏ１
６−３＞　、４５％（試料Ｎｏ１６−４）　、５２％（
試料Ｎｏ１６−５）に変えて強磁性金属薄膜層を形成し
、以下同様にして磁気テープを得た。

実施例１７ 実施例１３において強磁性金属の蒸着終了時に、真空装
置内の真空度を約３０分かけて２５℃、６０％ＲＨの大
気圧に戻し、ただちに磁気テープ巻回体を密閉缶に封入
し、処理時間を５０時間とした以外は、同様にして磁気
テープを得た。

上記実施例１３〜１７で得られた磁気テープについて不
働態膜の生成率（不ｉ６態膜の生成面積×１００／全強
磁性金属薄膜層面禎）を測定し、また、ｘｐｓ分析にも
とずく、Ｃ０２Ｐ３／２のスペクトルのメインピークの
高さくＨｌ）に対するサテライトピークの高さくＨｌ）
の比およびＯＩＳのスペクトルの波形分離後の５２９．
３±０，４ｅＶにあるピークの高さくＨ３）と５３０．
８±０．４ｅＶにあるピークの高さくＨ４）の比を測定
し、耐食性を試験した。

耐食性試験は、各試料の磁気テープを６０℃、９０％Ｒ
Ｈの環境下に５週間静置し、静置前後の飽和磁化を測定
して、静置後の飽和磁化の減少を調べ劣化率であられし
た。

下記第２表はその結果である。なお、比較のため、実施
例１３において強磁性金属の蒸着終了時に、真空装置内
の真空度を酸素ガスで大気圧に戻して（水蒸気圧約１０
４トール）約１００時間放置し、以下同様にして磁気テ
ープを得たもの（比較例６）についての同様の試験結果
もあわせて示した。

第　　２　　表 上記第２表の結果からＨ２／Ｈ１が０．４０を越え、Ｈ
４／Ｈ３が１．１０を越える比較例のものに比べ各実施
例ものは％’　Ｈｌ　／Ｈ＋　が０．４０以内、Ｈ４／
Ｈ３が０．５０〜１．１０の範囲内にあり、良好な耐食
性を有し、しかも不ＩＩＩ態膜の生成率も良好である。

また、これら各実施例の強磁性金属薄膜層の表面を日立
製作所社製Ｈ−７００Ｈの反射電子線回折装置　加速電
圧７５ＫＶのものを使用して調べた結果、酸化コバルト
の回折パターンは認められたが、３価コバルトの含水酸
化物Ｃｏ２Ｏ３・ｎＨ２Ｏの回折パターンは認められな
かった。従って、不（ｉｂ！３膜を形成するコバルト化
合物は非晶質であることがわかる。

実施例１８ 実施例１３〜１７、比較例６で得られた各試料テープの
強磁性金属薄膜層の表面にフッ素系脂肪酸エステル（Ｃ
Ｆ３　　（ＣＦ２　）　ｓ　　（ＣＨ２）　２０Ｈ〕の
０．１重量％フレオン溶液を塗布し、乾燥してフッ素系
脂肪酸エステルからなる厚さが１５０人の潤滑剤層を形
成した。（試料Ｎｏ１３ａ、１４ａ、１５−１ａ、　１
５−２ａ、１６−１ａ、１６−２ａ、１６−３ａ、１６
−４ａ、１６−５ａ、１７ａ、比較例６ａ） 実施例１９ 実施例１３〜１７、比較例６で得られた試料テープの強
磁性金属薄膜層の表面にステアリン酸の０．１重量％メ
チルイソブチルケトン溶液を塗布し、乾燥して１５０人
厚０ステアリン酸からなる潤滑剤層を形成した。（試料
Ｎｏ１３ｂ、１４ｂ、１５−１ｂ、１５−２ｂ、１６−
１ｂ、１６−２ｂ、１６−３ｂＳ　１６−４ｂ、１６−
５ｂ、１７ｂ、比較例６ｂ） 実施例１３および実施例１８．１９で得られた磁気テー
プについて摩擦係数を測定した。摩擦係数は摺動式動摩
擦係数測定機を用い、各磁気テープを６０度、９０％Ｒ
Ｈの環境下に５週間静置したときの摩擦係数を経時的に
測定した。

第１７図はこのようにして測定した摩擦係数の経時的変
化を示したもので、この第１７図から明らかなように、
比較例６ａ、６ｂで得られた磁気テープは、高温高湿の
雰囲気下に長時間放置すると、摩擦係数は、急激に増大
する傾向にあるが、本発明による各実施例で得られた磁
気テープは、摩擦係数の経時変化が殆どなく、常に安定
した低い摩擦係数を有し、走行安定性が非常に良好であ
ることがわかる。

さらに、実施例１８．１９で得られた磁気テープについ
て、１／２インチＶ　ＨＳ方式ＶＴＲを用いて６０℃、
９０％ＲＨで１週間静置前後のスチル時間を測定した。

下記第３表はその結果である。

第　　３　　表 上記第３表の結果から吸湿が不十分でコバルトの不働態
膜の生成が不十分な比較例のものに比べ、各実施例のも
のは、６０°Ｃ１９０％ＲＨで１週間保存の前後におい
てスチル時間の変化がなく、耐摩耗性に経時変化がな（
、しかも、平均酸素含有濃度が２０〜５０原子％の範囲
で含有する実施例（実施例１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１
４ｂ、１５−１ａ、１５−１ｂ、１５−２ａ、１５−２
ｂ、１６−３ａ、１６−３ｂ、１６　４ａ、１６−４ｂ
、１７ａ、１７ｂ）のものは２０〜５０原子％の範囲外
で含有する実施例（１６−１ａ、１６−１ｂ、１６−２
ａ、１６−２ｂ、１６−５ａ、１６−５ｂ）のものに比
べ優れた耐摩耗性を有することが明らかである。

このような潤滑剤層は、潤滑剤を、たとえば、トルエン
、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、
フレオン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド
、ジオキサン等の適当な溶剤に溶解し、溶解によって得
られた溶液を少なくとも表面側部分または表面上に固有
の光電子スペクトルを示すコバルト不（！ｌＬ３層を形
成した強磁性金属薄膜層上に塗布または噴霧するか、あ
るいは前記溶液中に、少なくとも表面側部分または表面
上に固有の光電子スペクトルを示すコバルト不働態層を
形成した強磁性金属薄膜層を浸漬するなどの方法で形成
され、さらに少なくとも表面側部分または表面上に固有
の光電子スペクトルを示すコバルト不働態層を形成した
強磁性金属薄膜層上に潤滑剤を真空蒸着するなど、一般
に潤滑剤層形成に用いられる方法で形成される。このよ
うにして形成される潤滑剤層の層厚は、３０〜５００人
の範囲内にするのが好ましく、３０人より薄いとその優
れた潤滑効果を充分に発揮させて摩擦係数を充分に低減
することができず、５００人より厚くするとスペーシン
グロスが大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影響を及ぼ
す。

使用される潤滑剤としては、脂肪族系潤滑剤、フッ素系
潤滑剤、シリコーン系温湯剤および炭化水素系潤滑剤等
がいずれも好適なものとして使用され、脂肪族系潤滑剤
としては、脂肪酸、脂肪酸の金属塩、脂肪酸エステル、
脂肪酸アミド、脂肪族アルコールなどが使用される。

脂肪酸としては、たとえば、ラウリン酸、ミリスチン酸
、パルミチン酸、オレイン酸、ステアリン酸、ベヘン酸
などが好ましく使用され、またこれらの金属塩としては
、たとえば、これらのリチウム塩、ナトリウム塩、カル
シウム塩、マグネシウム塩、アルミニウム塩、鉄塩、コ
バルト塩、亜鉛塩、バリウム塩ならびに鉛塩などが好適
なものとして使用される。さらに脂肪酸エステルとして
は、たとえば、ステアリン酸ブチル、ミリスチン酸オク
チル、ステアリン酸モノグリセリド、パリミチン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド、ペンタエリス
リトールテトラステアレートなどが好ましく使用され、
脂肪酸アミドとしては、たとえば、カプロン酸アミド、
カプリン酸アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸ア
ミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、リノール酸
アミド、メチレンビスステアリン酸アミドなどが好まし
く使用される。また脂肪族アルコールとしては、たとえ
ば、ステアリルアルコール、ミリスチルアルコールなど
が好ましく使用され、この他、トリメチルステアリルア
ンモニウムクロライド、塩化ステアロイル等の塩化物、
ステアリルアミン、ステアリルアミンアセテート、ステ
アリルアミンハイドロクロライド等のアミンなども好適
なものとして使用される。

またフッ素系潤滑剤としては、例えばトリクロロフルオ
ロエチレン、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロ
アルキルポリエーテル、パーフルオロアルキルカルボン
酸などが好ましく使用され、市販品の具体例としては、
ダイキン社製グイフロン＃２０、デュポン社製タライト
フクスＭ、タライトックスＨ、パイダックスＡＲ、モン
テジソン社製フォンブリンＺなどが挙げられる。さらに
シリコーン系温湯剤としては、シリコーンオイル、変性
シリコーンオイル等が好適なものとして使用され、炭化
水素系潤滑剤としては、パラフィン、スクアラン、ワッ
クス等が好適なものとして使用される。

なお、前記潤滑剤層は前記の潤滑剤のみで構成する他、
防錆剤などの添加剤を混在させてもよく、防錆剤を混在
させると潤滑剤層の耐食性が向上する。

強磁性金属薄膜層の形成材料としては、Ｃｏ単体の他、
Ｃｏを主成分として含むＣｏ　−Ｎ　’ｉ金合金Ｃｏ−
Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｇｏ−Ｎｉ
−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合
金等のＧｏ金合金好適なものとして使用され、これらの
強磁性材は、真空蒸着、イオンブレーティング、スパッ
タリング、メッキ等の手段によって基体フィルム上に被
着され、ｃｏを主成分とした金属からなる強磁性金属薄
膜層が形成される。なお、強磁性材として、前記のＣｏ
−Ｎｉ合金ならびにＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ合金を使用する場合は、Ｎｉの含有率が４０重量％
以下であることが好ましく、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐ
合金、Ｃｏ−Ｆｅ合金ならびにＣｏ−Ｆｅ−Ｃｒ合金を
使用する場合は、Ｃｒ、ＰならびにＦｅの含有率が３０
重量％以下であることが好ましい。また強磁性金属薄膜
層の形成手段としては、真空蒸着、イオンブレーティン
グおよびスパッタリングによると、高保磁力が得られ、
耐食性および走行性の向上も良好であるため、特に好ま
しい。

また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルム、およびこ
れらの合成樹脂フィルム中に炭素繊維あるいは銅などの
無機物を混入した複合材料フィルムなどを基体とする磁
気テープ、合成樹脂フィルム、前記複合材料フィルム、
アルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラム
を基体とする磁気ディスクや磁気ドラム、さらに磁気カ
ードなど種々の形態を包含する。

【図面の簡単な説明】

図はすべて本発明を説明するためのもので、第１図は実
施例で用いる真空蒸着装置の概略構成図。第２図は磁気
記録媒体の断面図、第３図ならびに第４図は強磁性金属
薄膜層の拡大概念図、第５図は摩擦係数特性図、第６図
、第７図、第８図、第９図ならびに第１０図はｘＰＳ分
析によるスペクトル図、第１１図は本発明の他の実施例
で用いる真空蒸着装置の概略構成図、第１２図は酸化性
ガスの吹きつけの一例を示す説明図、第１３図は本発明
の他の実施例による強磁性金属薄膜層の拡大概念図、第
１４図、第１５図、第１６図は本発明の他の実施例によ
るｘＰＳ分析によるスペクトル図、第１７図は本発明の
他の実施例による摩擦係数特性図である。 １・・・ベースフィルム、３・・・真空蒸着槽、８・・
・強磁性金属、１１・・・酸素ガス供給手段、１２・・
・強磁性金属薄膜層、１３・・・柱状粒子、１４・・・
酸化物膜、１５・・・不働態膜（コバルト化合物領域）
、１６・・・潤滑剤層。 特許出願人　　日立マクセル株式会社 第２図 第３図 第５図 ６０’Ｃ，９０％Ｒ，ＨＪ置日数（日）第６図 Ｂ、Ｅ、（ｅＶ） 第７図 ７７５　　　　７８０　　　　７８５　　　、　　７９
０　　　　７９５Ｂ　、Ｅ、（ｅＶ） 第８図 第９図 Ｂ、Ｅ、（ｅＶ）’ 第１０図 Ｂ、Ｅ、（ｅＶ） 第１１図 １１酸累ガス供給手段 第１２図 第１３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基体上にコバルトを主成分とする強磁性金属薄膜層
   を形成し、この強磁性金属薄膜層の少なくとも表面側部
   分に、Ｘ線光電子分光分析におけるＣｏ２Ｐスペクトル
   がその結合エネルギー７８０．０±０．３ｅＶ（２Ｐ＿
   ３＿／＿２）と７９５．６±０．３ｅＶ（２Ｐ＿１＿／
   ＿２）の両ピークの低結合エネルギー側立ち上がり点を
   通ってスペクトルに接するように直線でバックグラウン
   ドを引いたとき、７８０．０±０．３ｅＶのピーク高さ
   を１００とすれば、７８５．９±０．３ｅＶにあるピー
   クの高さが４０以下であって、かつＯＩＳスペクトルが
   その結合エネルギー５３０．５±２．５ｅＶにある複合
   したピークの低結合エネルギー側立ち上がり点と高結合
   エネルギー側立ち上がり点を通ってスペクトルに接する
   ように直線でバックグラウンドを引いたとき、波形分離
   によって得られる５２９．３±０．４ｅＶにあるピーク
   の高さと５３０．８±０．４ｅＶにあるピークの高さの
   比が１００対１１０から１００対５０の範囲にある非晶
   質のコバルト化合物領域を存在させたことを特徴とする
   磁気記録媒体。 （２）強磁性金属薄膜層が、柱状粒子の集合体からなる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録
   媒体。 （３）柱状粒子の集合体からなる強磁性金属薄膜層がコ
   バルト酸化物層を介して非晶質のコバルト化合物領域を
   存在させたことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
   の磁気記録媒体。 （４）強磁性金属薄膜層の最表面から１００Å内におけ
   る平均酸素含有濃度が約２０〜５０原子％の範囲に規制
   された層が存在していることを特徴とする特許請求の範
   囲第２項および第３項記載の磁気記録媒体。 （５）強磁性金属薄膜層を構成する強磁性金属がコバル
   トを主成分とするコバルトとニッケルの合金であること
   を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の磁気記録媒体
   。 （６）基体上にコバルトを主成分とする強磁性金属薄膜
   層を形成し、この強磁性金属薄膜層の少なくとも表面側
   部分に、Ｘ線光電子分光分析におけるＣｏ２Ｐスペクト
   ルがその結合エネルギー７８０．０±０．３ｅＶ（２Ｐ
   ＿３＿／＿２）と７９５．６±０．３ｅＶ（２Ｐ＿１＿
   ／＿２）の両ピークの低結合エネルギー側立ち上がり点
   を通ってスペクトルに接するように直線でバックグラウ
   ンドを引いたとき、７８０．０±０．３ｅＶのピーク高
   さを１００とすれば、７８５．９±０．３ｅＶにあるピ
   ークの高さが４０以下であって、かつＯＩＳスペクトル
   がその結合エネルギー５３０．５±２．５ｅＶにある複
   合したピークの低結合エネルギー側立ち上がり点と高結
   合エネルギー側立ち上がり点を通ってスペクトルに接す
   るように直線でバックグラウンドを引いたとき、波形分
   離によって得られる５２９．３±０．４ｅＶにあるピー
   クの高さと５３０．８±０．４ｅＶにあるピークの高さ
   の比が１００対１１０から１００対５０の範囲にある非
   晶質のコバルト化合物領域を存在させ、さらにこのコバ
   ルト化合物領域上に潤滑剤層を設けたことを特徴とする
   磁気記録媒体。 （７）強磁性金属薄膜層が、柱状粒子の集合体からなり
   コバルト酸化物層を介して非晶質のコバルト化合物領域
   を存在させたことを特徴とする特許請求の範囲第６項記
   載の磁気記録媒体。 （８）強磁性金属薄膜層の最表面から１００Å内におけ
   る平均酸素含有濃度が約２０〜５０原子％の範囲に規制
   された層が存在していることを特徴とする特許請求の範
   囲第６項および第７項記載の磁気記録媒体。 （９）潤滑剤層が脂肪酸系有機化合物とフッ素系有機化
   合物から選ばれる１種を少なくとも含有することを特徴
   とする特許請求の範囲第６項記載の磁気記録媒体。 （１０）基体上に、コバルトを主成分とする強磁性金属
   薄膜層を形成し、次いで、この強磁性金属薄膜層を１０
   ＾−＾３トール以上の水蒸気圧を有する雰囲気に曝して
   強磁性金属薄膜層表面に水分を付着させ、しかる後、強
   磁性金属薄膜層を乾燥しながら酸素ガスを含む雰囲気下
   で酸化反応させたことを特徴とする磁気記録媒体の製造
   方法。 （１１）水分付着処理を、室温で３０〜８０％ＲＨの湿
   度下に強磁性金属薄膜層を０．１〜２４時間曝すことに
   よってなすことを特徴とする特許請求の範囲第１０項記
   載の磁気記録媒体の製造方法。 （１２）強磁性金属薄膜層を１００トール以下の減圧下
   で乾燥し、その後２気圧以下の酸素ガスが主成分となる
   雰囲気下で酸化反応させたことを特徴とする特許請求の
   範囲第１１項記載の磁気記録媒体の製造方法。 （１３）強磁性金属薄膜層が酸素の存在下において強磁
   性金属を蒸着することによって形成されることを特徴と
   する特許請求の範囲第１０項記載の磁気記録媒体の製造
   方法。 （１４）基体上に、コバルトを主成分とする強磁性金属
   薄膜層を形成し、次いで、この強磁性金属薄膜層を１０
   ＾−＾３トール以上の水蒸気圧を有する雰囲気に曝して
   強磁性金属薄膜層表面に水分を付着させ、しかる後、強
   磁性金属薄膜層を乾燥しながら酸素ガスを含む雰囲気下
   で酸化反応させ、さらに、この強磁性金属薄膜層上に潤
   滑剤層を設けたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
   法。