JPH02108223A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、強磁性金属薄膜層を磁気記録層とした磁気
記録媒体およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、
耐食性および耐久性に優れた前記の磁気記録媒体および
その製造方法に関する。
記録媒体およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、
耐食性および耐久性に優れた前記の磁気記録媒体および
その製造方法に関する。
強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、
通常、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着、スパ
ッタリング等によって基体フィルム上に被着してつくら
れ、高密度記録に適した特性を有するが、反面磁気ヘノ
ドとの摩擦係数が大きくて摩耗や損傷を受は易く、また
長期間保存すると腐食されてドロップアウト数が増加す
るなどの問題が生じ易く、特に、保存環境が工業地帯等
の亜硫酸ガス濃度の高い地域ではこの傾向が著しい。
通常、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着、スパ
ッタリング等によって基体フィルム上に被着してつくら
れ、高密度記録に適した特性を有するが、反面磁気ヘノ
ドとの摩擦係数が大きくて摩耗や損傷を受は易く、また
長期間保存すると腐食されてドロップアウト数が増加す
るなどの問題が生じ易く、特に、保存環境が工業地帯等
の亜硫酸ガス濃度の高い地域ではこの傾向が著しい。
このため、従来から強磁性金属薄膜層に不働態化傾向の
強い金属元素を添加するなどして耐食性を改善すること
が行われており、たとえば、コバルトを主成分とする強
磁性金属薄膜層にCrなどの不働態化傾向の強い金属元
素を添加することが試みられている。(特開昭59−6
1105号)〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、コバルトを主成分とする強磁性金属薄膜層に
Crなどの不働態化傾向の強い金属元素を添加する方法
では、かなり耐食性が改善されるものの、亜硫酸ガスを
含む高温多湿下における防食効果が未だ充分でなく、腐
食の進行を防止することが困難であった。
強い金属元素を添加するなどして耐食性を改善すること
が行われており、たとえば、コバルトを主成分とする強
磁性金属薄膜層にCrなどの不働態化傾向の強い金属元
素を添加することが試みられている。(特開昭59−6
1105号)〔発明が解決しようとする課題〕 ところが、コバルトを主成分とする強磁性金属薄膜層に
Crなどの不働態化傾向の強い金属元素を添加する方法
では、かなり耐食性が改善されるものの、亜硫酸ガスを
含む高温多湿下における防食効果が未だ充分でなく、腐
食の進行を防止することが困難であった。
この発明はかかる現状に鑑み種々検討を行った結果なさ
れたもので、強磁性金属薄膜層上に、強磁性金属の硫化
物からなる保護膜層を設けることによって、特に、亜硫
酸ガスを含む高温多湿下における耐食性を充分に向上さ
せたものである。また、強磁性金属の硫化物からなる保
護膜層上にさらに潤滑剤層を設けることによって、耐食
性および耐久性をさらに一段と向上させたものである。
れたもので、強磁性金属薄膜層上に、強磁性金属の硫化
物からなる保護膜層を設けることによって、特に、亜硫
酸ガスを含む高温多湿下における耐食性を充分に向上さ
せたものである。また、強磁性金属の硫化物からなる保
護膜層上にさらに潤滑剤層を設けることによって、耐食
性および耐久性をさらに一段と向上させたものである。
この発明において、強磁性金属薄膜層上に形成される強
磁性金属の硫化物からなる保護膜層は、少なくとも硫化
水素を含む気体中で強磁性金属薄膜層の表面処理を行う
ことによって形成され、特に、強磁性金属薄膜層がコバ
ルトまたはニッケルを主成分とするものである場合は、
硫化水素と緩和な反応条件下で表面反応を進ませること
によって、酸またはアルカリ水溶液に難溶で、亜硫酸ガ
ス、硫化水素、酸化窒素、塩素等の腐食性ガスを含む高
温多湿下で安定な、コバルトまたはニッケルを主成分と
する強磁性金属の硫化物からなる保護膜層が形成され、
亜硫酸ガスを含む高温多湿下における耐食性が向上され
る。
磁性金属の硫化物からなる保護膜層は、少なくとも硫化
水素を含む気体中で強磁性金属薄膜層の表面処理を行う
ことによって形成され、特に、強磁性金属薄膜層がコバ
ルトまたはニッケルを主成分とするものである場合は、
硫化水素と緩和な反応条件下で表面反応を進ませること
によって、酸またはアルカリ水溶液に難溶で、亜硫酸ガ
ス、硫化水素、酸化窒素、塩素等の腐食性ガスを含む高
温多湿下で安定な、コバルトまたはニッケルを主成分と
する強磁性金属の硫化物からなる保護膜層が形成され、
亜硫酸ガスを含む高温多湿下における耐食性が向上され
る。
このようにして、強磁性金属薄膜層を少なくとも硫化水
素を含む気体中で表面処理する場合、磁気記録媒体が磁
気テープのように可撓性のよいベースフィルムを用いた
ものであるときは、ロール状に巻き込まれた磁気テープ
原反を、密閉容器中にて硫化水素ガスを含む気体で加圧
下で表面処理するなどの方法で行われ、このときの表面
処理は、表面処理を効果的に行うため加圧条件1kg/
cd以上の加圧下で行うのが好ましい。また、反応速度
を制御するため、反応温度、反応時間以外に気体中の硫
化水素ガスの濃度を調節したり、アンモニアガス等の反
応緩和剤を添加するなどの手段を講じてもよい。
素を含む気体中で表面処理する場合、磁気記録媒体が磁
気テープのように可撓性のよいベースフィルムを用いた
ものであるときは、ロール状に巻き込まれた磁気テープ
原反を、密閉容器中にて硫化水素ガスを含む気体で加圧
下で表面処理するなどの方法で行われ、このときの表面
処理は、表面処理を効果的に行うため加圧条件1kg/
cd以上の加圧下で行うのが好ましい。また、反応速度
を制御するため、反応温度、反応時間以外に気体中の硫
化水素ガスの濃度を調節したり、アンモニアガス等の反
応緩和剤を添加するなどの手段を講じてもよい。
この他、強磁性金属薄膜層上に形成される強磁性金属の
硫化物からなる保護膜層は、強磁性金属薄膜層の表面に
イオウ化合物をスパッタリングすることによっても形成
され、このときも強磁性金属薄膜層がコバルトまたはニ
ッケルを主成分とするものであると、前記の硫化水素を
含む気体中で表面処理する場合と同様に、酸またはアル
カリ水溶液に難溶で、亜硫酸ガス、硫化水素、酸化窒素
、塩素等の腐食性ガスを含む高温多湿下で特に安定な、
コバルトまたはニッケルを主成分とする強磁性金属の硫
化物からなる保護膜層が形成され、亜硫酸ガスを含む高
温多湿下における耐食性が向上される。
硫化物からなる保護膜層は、強磁性金属薄膜層の表面に
イオウ化合物をスパッタリングすることによっても形成
され、このときも強磁性金属薄膜層がコバルトまたはニ
ッケルを主成分とするものであると、前記の硫化水素を
含む気体中で表面処理する場合と同様に、酸またはアル
カリ水溶液に難溶で、亜硫酸ガス、硫化水素、酸化窒素
、塩素等の腐食性ガスを含む高温多湿下で特に安定な、
コバルトまたはニッケルを主成分とする強磁性金属の硫
化物からなる保護膜層が形成され、亜硫酸ガスを含む高
温多湿下における耐食性が向上される。
このようにして、少なくとも硫化水素を含む気体中で強
磁性金属薄膜層の表面処理を行うか、あるいは強磁性金
属薄膜層にイオウ化合物をスパッタリングするなどの方
法で形成されるこの種の強磁性金属の硫化物からなる保
護膜層は、強磁性金属をMで表すと、M、S型、MsS
z型、MS型、M3S4型、MtSz型、M S z型
、MS、型など種々の硫化物からなるものが得られ、い
ずれも優れた防食効果を有するが、MS型およびM。
磁性金属薄膜層の表面処理を行うか、あるいは強磁性金
属薄膜層にイオウ化合物をスパッタリングするなどの方
法で形成されるこの種の強磁性金属の硫化物からなる保
護膜層は、強磁性金属をMで表すと、M、S型、MsS
z型、MS型、M3S4型、MtSz型、M S z型
、MS、型など種々の硫化物からなるものが得られ、い
ずれも優れた防食効果を有するが、MS型およびM。
S4型のものは、とりわけ保護膜層を形成しやすく、特
に量産性に優れている。このような強磁性金属の硫化物
からなる保護膜層の膜厚は、50〜300人の範囲内に
するのが好ましく、30人より薄くては所期の効果が得
られず、500人より厚くするとスペーシングロスが大
きくなって電磁変換特性が劣化するおそれがある。
に量産性に優れている。このような強磁性金属の硫化物
からなる保護膜層の膜厚は、50〜300人の範囲内に
するのが好ましく、30人より薄くては所期の効果が得
られず、500人より厚くするとスペーシングロスが大
きくなって電磁変換特性が劣化するおそれがある。
このように、強磁性金属薄膜層上に強磁性金属の硫化物
からなる保護膜層を形成すると、特に、亜硫酸ガスを含
む環境下における耐食性が向上されるが、この保護膜層
上に、さらに潤滑剤層を形成すると、潤滑剤層の潤滑効
果が充分に発揮され、摩擦係数が充分に低減されて、耐
久性および耐食性が一段と向上される。
からなる保護膜層を形成すると、特に、亜硫酸ガスを含
む環境下における耐食性が向上されるが、この保護膜層
上に、さらに潤滑剤層を形成すると、潤滑剤層の潤滑効
果が充分に発揮され、摩擦係数が充分に低減されて、耐
久性および耐食性が一段と向上される。
このような潤滑剤層は、潤滑剤を、トルエン、メチルイ
ソブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルム
アミド、ジオキサンなどの適当な溶剤に溶解し、溶解に
よって得られた溶液中に前記の保護膜層を浸漬するか、
あるいはこの溶液を前記の保護膜層上に塗布または噴霧
するなどの方法で形成され、この他、潤滑剤を前記の保
護膜層上に真空蒸着するなどの方法でも形成される。
ソブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルム
アミド、ジオキサンなどの適当な溶剤に溶解し、溶解に
よって得られた溶液中に前記の保護膜層を浸漬するか、
あるいはこの溶液を前記の保護膜層上に塗布または噴霧
するなどの方法で形成され、この他、潤滑剤を前記の保
護膜層上に真空蒸着するなどの方法でも形成される。
使用される潤滑剤としては、脂肪族系潤滑剤、フッ素系
潤滑剤、シリコーン系潤滑剤および炭化水素系潤滑剤等
がいずれも好適なものとして使用され、脂肪族系潤滑剤
としては、脂肪酸、脂肪酸の金属塩、脂肪酸エステル、
脂肪酸アミド、脂肪族アルコールなどが使用される。脂
肪酸としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン
酸、ステアリン酸、ベヘン酸などが好ましく使用され、
脂肪酸の金属塩としては、これらの脂肪酸のマグネシウ
ム塩、アルミニウム塩、リチウム塩、ナトリウム塩、カ
ルシウム塩、コバルト塩、亜鉛塩、バリウム塩、鉛塩な
どが好適に使用される。また脂肪酸エステルとしては、
ステアリン酸ブチル、ミリスチン酸オクチル、ステアリ
ン酸モノグリセリド、パルミチン酸モノグリセリド、オ
レイン酸モノグリセリドなどが好ましく使用され、脂肪
酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸アミ
ド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ベヘン酸
アミド、オレイン酸アミド、リノール酸アミド、メチレ
ンビスステアリン酸アミドなどが好ましく使用される。
潤滑剤、シリコーン系潤滑剤および炭化水素系潤滑剤等
がいずれも好適なものとして使用され、脂肪族系潤滑剤
としては、脂肪酸、脂肪酸の金属塩、脂肪酸エステル、
脂肪酸アミド、脂肪族アルコールなどが使用される。脂
肪酸としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン
酸、ステアリン酸、ベヘン酸などが好ましく使用され、
脂肪酸の金属塩としては、これらの脂肪酸のマグネシウ
ム塩、アルミニウム塩、リチウム塩、ナトリウム塩、カ
ルシウム塩、コバルト塩、亜鉛塩、バリウム塩、鉛塩な
どが好適に使用される。また脂肪酸エステルとしては、
ステアリン酸ブチル、ミリスチン酸オクチル、ステアリ
ン酸モノグリセリド、パルミチン酸モノグリセリド、オ
レイン酸モノグリセリドなどが好ましく使用され、脂肪
酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸アミ
ド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ベヘン酸
アミド、オレイン酸アミド、リノール酸アミド、メチレ
ンビスステアリン酸アミドなどが好ましく使用される。
さらに脂肪族アルコールとしては、ステアリルアルコー
ル、ミリスチルアルコールなどが好ましく使用され、こ
の他、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド、
塩化ステアロイル等の塩化物、ステアリルアミン、ステ
アリルアミンアセテート、ステアリルアミンハイドロク
ロライド等のアミンなども使用される。
ル、ミリスチルアルコールなどが好ましく使用され、こ
の他、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド、
塩化ステアロイル等の塩化物、ステアリルアミン、ステ
アリルアミンアセテート、ステアリルアミンハイドロク
ロライド等のアミンなども使用される。
またフッ素系潤滑剤としては、トリクロロフルオロエチ
レン、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロアルキ
ルポリエーテル、パーフルオロアルキルカルボン酸など
が好適なものとして使用され、市販品の具体例としては
、ダイキン社製ダイフロイル#20、デュポン社製クラ
イトックスM、タライトツクスH1バイダックスAR,
モンテジソン社製フォンプリンZ等が挙げられる。さら
にシリコーン系潤滑剤としては1.シリコーンオイル、
変性シリコーンオイル等が挙げられ、炭化水素系潤滑剤
としては、パラフィン、スクアラン、ワックス等が好適
なものとして使用される。
レン、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロアルキ
ルポリエーテル、パーフルオロアルキルカルボン酸など
が好適なものとして使用され、市販品の具体例としては
、ダイキン社製ダイフロイル#20、デュポン社製クラ
イトックスM、タライトツクスH1バイダックスAR,
モンテジソン社製フォンプリンZ等が挙げられる。さら
にシリコーン系潤滑剤としては1.シリコーンオイル、
変性シリコーンオイル等が挙げられ、炭化水素系潤滑剤
としては、パラフィン、スクアラン、ワックス等が好適
なものとして使用される。
なお、これらの潤滑剤を使用して形成される潤滑剤層は
、これらの潤滑剤のみで構成する他、防錆剤や微粒子を
混在させてもよく、防錆剤とじては、ブチルヒドロキシ
アニソール、ジブチルヒドロキシトルエン、ベンゾトリ
アゾール、ベンゾトリアゾールラウリルアミン、ハイド
ロキノン、ジメチルアミノエチルメタクリレート、トリ
フェニルホスファイト、トリデシルホスファイト、トリ
ラウリルチオホスファイト、ブチルホスフェート、ジラ
ウリルチオジプロピオネート、ソルビトール、プロピレ
ングリコール、ヒドロキノンなどの、フェノール系、ア
ミン系、リン系、硫黄系、有機酸系、キノン系の防錆剤
が好適なものとして使用される。また微粒子としては、
Al2O3、Zr0z 、Cr、o3、Fe304 、
F ez 03、Ti1t 、S to、 、SnO2
などが好ましく使用される。
、これらの潤滑剤のみで構成する他、防錆剤や微粒子を
混在させてもよく、防錆剤とじては、ブチルヒドロキシ
アニソール、ジブチルヒドロキシトルエン、ベンゾトリ
アゾール、ベンゾトリアゾールラウリルアミン、ハイド
ロキノン、ジメチルアミノエチルメタクリレート、トリ
フェニルホスファイト、トリデシルホスファイト、トリ
ラウリルチオホスファイト、ブチルホスフェート、ジラ
ウリルチオジプロピオネート、ソルビトール、プロピレ
ングリコール、ヒドロキノンなどの、フェノール系、ア
ミン系、リン系、硫黄系、有機酸系、キノン系の防錆剤
が好適なものとして使用される。また微粒子としては、
Al2O3、Zr0z 、Cr、o3、Fe304 、
F ez 03、Ti1t 、S to、 、SnO2
などが好ましく使用される。
このような潤滑剤を用いて形成される潤滑剤層の層厚は
、潤滑効果を充分に発揮させて耐摩耗性を充分に向上さ
せるため50Å以上にするのが好ましい。しかし、前記
の強磁性金属薄膜層上に積層形成した保護膜層との合計
厚が500人より厚くなると、スペーシングロスが大き
くなって、電磁変換特性が劣化するおそれがあるため、
前記保護膜層との合計厚が500Å以下となるようにす
るのが好ましい。
、潤滑効果を充分に発揮させて耐摩耗性を充分に向上さ
せるため50Å以上にするのが好ましい。しかし、前記
の強磁性金属薄膜層上に積層形成した保護膜層との合計
厚が500人より厚くなると、スペーシングロスが大き
くなって、電磁変換特性が劣化するおそれがあるため、
前記保護膜層との合計厚が500Å以下となるようにす
るのが好ましい。
また、この発明の磁気記録媒体は、強磁性金属薄膜層を
表面に有する基体の裏面に必要に応じてバックコート層
を設けてもよく、このバックコート層は、ベンガラ、硫
酸バリウム、炭酸カルシウム、カーボンブラックなどの
充填剤を、結合剤成分および有機溶剤等とともに混合分
散してバックコート層用塗料を調製し、このバックコー
ト層用塗料を基体の裏面に、塗布、乾燥して形成される
。なお、バックコート層用塗料中には、通常使用されて
いる各種添加剤、たとえば、分散剤、潤滑剤、研磨剤、
帯電防止剤などを適宜に添加使用してもよい。
表面に有する基体の裏面に必要に応じてバックコート層
を設けてもよく、このバックコート層は、ベンガラ、硫
酸バリウム、炭酸カルシウム、カーボンブラックなどの
充填剤を、結合剤成分および有機溶剤等とともに混合分
散してバックコート層用塗料を調製し、このバックコー
ト層用塗料を基体の裏面に、塗布、乾燥して形成される
。なお、バックコート層用塗料中には、通常使用されて
いる各種添加剤、たとえば、分散剤、潤滑剤、研磨剤、
帯電防止剤などを適宜に添加使用してもよい。
強磁性金属薄膜層の形成材料としては、Co。
Ni等の金属、さらにCOおよびNiを主成分とするC
o−Ni、Co−Cr、Co−Fe、C。
o−Ni、Co−Cr、Co−Fe、C。
−Fe−Cr、Co−PL、Co−Ti等の合金が特に
好ましく使用されるが、これら以外に、Fe金属など、
通常、磁気記録媒体に使用される強磁性材がいずれも好
適なものとして使用され、これらの強磁性材からなる強
磁性金属薄膜層は、真空蒸着、イオンブレーティング、
スパッタリング、メツキ等の手段によって基体上に被着
形成される。
好ましく使用されるが、これら以外に、Fe金属など、
通常、磁気記録媒体に使用される強磁性材がいずれも好
適なものとして使用され、これらの強磁性材からなる強
磁性金属薄膜層は、真空蒸着、イオンブレーティング、
スパッタリング、メツキ等の手段によって基体上に被着
形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィルム、アル
ミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを基
体とする磁気ディスクや磁気ドラム、さらに磁気カード
など、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含す
る。
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィルム、アル
ミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを基
体とする磁気ディスクや磁気ドラム、さらに磁気カード
など、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含す
る。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例1
第1図に示す真空蒸着装置を使用し、厚さ12μmのポ
リエステルフィルム1を、真空槽2内の原反ロール3か
ら円筒状キャン4の周側面に沿って走行させ、巻き取り
ロール5に巻き取るようにセットした。同時に、真空槽
2内下部に配置した強磁性材蒸発源6内にコバルト−ニ
ッケル合金(原子比80;20)7をセットした。次い
で、真空槽2に連結した排気系8で真空槽2内を5×1
04トールまで減圧したのち、円筒状キャン4とその直
下に配設した防着板9との間に導入した酸素ガス導入管
10から酸素ガスを導入し、2×10−4トールの酸素
雰囲気中で、強磁性材蒸発源6内のコバルト−ニッケル
合金7を加熱蒸発させて、最低入射角50度で真空蒸着
を行い、ポリエステルフィルム1上に厚さl 200’
人のコバルト−ニッケル合金からなる強磁性金属薄膜層
を形成した。
リエステルフィルム1を、真空槽2内の原反ロール3か
ら円筒状キャン4の周側面に沿って走行させ、巻き取り
ロール5に巻き取るようにセットした。同時に、真空槽
2内下部に配置した強磁性材蒸発源6内にコバルト−ニ
ッケル合金(原子比80;20)7をセットした。次い
で、真空槽2に連結した排気系8で真空槽2内を5×1
04トールまで減圧したのち、円筒状キャン4とその直
下に配設した防着板9との間に導入した酸素ガス導入管
10から酸素ガスを導入し、2×10−4トールの酸素
雰囲気中で、強磁性材蒸発源6内のコバルト−ニッケル
合金7を加熱蒸発させて、最低入射角50度で真空蒸着
を行い、ポリエステルフィルム1上に厚さl 200’
人のコバルト−ニッケル合金からなる強磁性金属薄膜層
を形成した。
次いで、このコバルト−ニッケル合金からなる強磁性金
属薄膜層を形成したポリエステルフィルム1を、真空槽
2から取り出して、スチール製密閉容器に移し、硫化水
素ガス20%、アルゴンガス40%の組成のガスを1.
2kg/cIINとなるように加圧充填し、7日間処理
を行って、MS型のコ/N/ルトーニッケル合金の硫化
物からなる保護膜層を形成した。なお、処理時の反応温
度は25°Cに保持し、また反応開始2日後、微量のア
ンモニアガスを含む上記反応ガスの再充填を行った。
属薄膜層を形成したポリエステルフィルム1を、真空槽
2から取り出して、スチール製密閉容器に移し、硫化水
素ガス20%、アルゴンガス40%の組成のガスを1.
2kg/cIINとなるように加圧充填し、7日間処理
を行って、MS型のコ/N/ルトーニッケル合金の硫化
物からなる保護膜層を形成した。なお、処理時の反応温
度は25°Cに保持し、また反応開始2日後、微量のア
ンモニアガスを含む上記反応ガスの再充填を行った。
反応終了後、再び第1図に示す真空蒸着装置を使用して
、コバルト−ニッケル合金の硫化物からなる保護膜層上
に、ステアリン酸リチウムを真空蒸着して、約100人
の潤滑剤層を形成した。
、コバルト−ニッケル合金の硫化物からなる保護膜層上
に、ステアリン酸リチウムを真空蒸着して、約100人
の潤滑剤層を形成した。
次に、強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィル
ムの裏面に、下記のバックコート層用塗料を塗布、乾燥
して厚さが1.0μmのバックコート層を形成した。し
かる後、所定の巾に裁断して、第2図に示すようなポリ
エステルフィルム1の表面に、強磁性金属薄膜層11、
保護膜層12および潤滑剤層13を順次に積層形成し、
裏面にバックコート層14を形成した磁気テープAをつ
くった。
ムの裏面に、下記のバックコート層用塗料を塗布、乾燥
して厚さが1.0μmのバックコート層を形成した。し
かる後、所定の巾に裁断して、第2図に示すようなポリ
エステルフィルム1の表面に、強磁性金属薄膜層11、
保護膜層12および潤滑剤層13を順次に積層形成し、
裏面にバックコート層14を形成した磁気テープAをつ
くった。
バックコート層用塗料
パルカンXC−72(キャボッI−300重量部社製、
カーボンブラック) VAGH(U、C,C社製、塩化ビ 100〃ニル−酢
酸ビニル−ビニルア ルコール共重合体) N−2301(日本ポリウレタンエ 70〃業社製、
ウレタン樹脂) コロネートL(日本ポリウレタ 30〃ン工業社製、
三官能性低分子 量イソシアネート化合物) ミリスチン酸 10〃ステアリン酸
−n−ブチル 5 〃シクロヘキサノン
750〃トルエン 75
0〃実施例2 実施例1における強磁性金属薄膜層の形成において、コ
バルト−ニッケル合金(原子比80:20)に代えて、
ニッケルーコバルト合金(原子比85:15)を強磁性
材蒸発源6にセットした以外は、実施例1と同様にして
厚さ1200人のニッケルーコバルト合金からなる強磁
性金属薄膜層を形成し、さらに保護膜層、潤滑剤層、バ
ックコート層を形成し、磁気テープAをつくった。
カーボンブラック) VAGH(U、C,C社製、塩化ビ 100〃ニル−酢
酸ビニル−ビニルア ルコール共重合体) N−2301(日本ポリウレタンエ 70〃業社製、
ウレタン樹脂) コロネートL(日本ポリウレタ 30〃ン工業社製、
三官能性低分子 量イソシアネート化合物) ミリスチン酸 10〃ステアリン酸
−n−ブチル 5 〃シクロヘキサノン
750〃トルエン 75
0〃実施例2 実施例1における強磁性金属薄膜層の形成において、コ
バルト−ニッケル合金(原子比80:20)に代えて、
ニッケルーコバルト合金(原子比85:15)を強磁性
材蒸発源6にセットした以外は、実施例1と同様にして
厚さ1200人のニッケルーコバルト合金からなる強磁
性金属薄膜層を形成し、さらに保護膜層、潤滑剤層、バ
ックコート層を形成し、磁気テープAをつくった。
実施例3
実施例1において、潤滑剤層の形成を省いた以外は、実
施例1と同様にして、第3図に示すようなポリエステル
フィルム1の表面に、強磁性金属薄膜N11および保護
膜層12を順次に積層形成し、裏面にバックコート層1
4を形成した磁気テープBをつくった。
施例1と同様にして、第3図に示すようなポリエステル
フィルム1の表面に、強磁性金属薄膜N11および保護
膜層12を順次に積層形成し、裏面にバックコート層1
4を形成した磁気テープBをつくった。
実施例4
実施例2において、潤滑剤層の形成を省いた以外は、実
施例2と同様にして磁気テープBをつくった。
施例2と同様にして磁気テープBをつくった。
実施例5
実施例1と同様にして強磁性金属薄膜層を形成した後、
第4図に示すスパッタリング装置を使用し、強磁性金属
薄膜層を形成したポリエステルフィルム1を、真空槽1
5内の原反ロール16から円筒状キャン17の周側面に
沿って走行させ、巻き取りロール18に巻き取るように
セットした。
第4図に示すスパッタリング装置を使用し、強磁性金属
薄膜層を形成したポリエステルフィルム1を、真空槽1
5内の原反ロール16から円筒状キャン17の周側面に
沿って走行させ、巻き取りロール18に巻き取るように
セットした。
同時に、円筒状キャン17の下方に配設した電極19上
に、コバルト−ニッケル円板上にイオウ板を接着した複
合ターゲット20をセットした。次いで、真空槽15に
連結した排気系21で真空槽15内を2X10−bf−
−ルまで減圧したのち、真空槽15の側壁に取り付けた
ガス導入管22からアルゴンガスと水素ガスとをI:1
で混合した混合ガスを導入し、ガス圧をo、oos ト
ールにして、ポリエステルフィルム1を0.5m/分の
走行速度で走行させながら、イオウ板を接着した複合タ
ーゲット20に13.56M!Izの高周波を5W/a
aの電力密度で印加し、スパンタリングを行って、厚さ
200人のMS型のコバルトm;・7ケル合金の硫化物
からなる保護膜層を強磁性金属薄膜層、Lに形成した。
に、コバルト−ニッケル円板上にイオウ板を接着した複
合ターゲット20をセットした。次いで、真空槽15に
連結した排気系21で真空槽15内を2X10−bf−
−ルまで減圧したのち、真空槽15の側壁に取り付けた
ガス導入管22からアルゴンガスと水素ガスとをI:1
で混合した混合ガスを導入し、ガス圧をo、oos ト
ールにして、ポリエステルフィルム1を0.5m/分の
走行速度で走行させながら、イオウ板を接着した複合タ
ーゲット20に13.56M!Izの高周波を5W/a
aの電力密度で印加し、スパンタリングを行って、厚さ
200人のMS型のコバルトm;・7ケル合金の硫化物
からなる保護膜層を強磁性金属薄膜層、Lに形成した。
なお、回申23は電極19に高周波を印加するための高
周波電源である。
周波電源である。
しかる後、実施例1と同様にして潤滑剤層およびバック
コート層を形成し、磁気テープAをつくった。
コート層を形成し、磁気テープAをつくった。
実施例6
実施例5における保護膜層の形成において、複合ターゲ
ットのコバルト−ニッケル円板とイオウ板との面積を調
節して、厚さ200人のMzSa型のコバルト−ニッケ
ル合金の硫化物からなる保護膜層を形成した以外は、実
施例1と同様にして厚さ1200人のコバルト・−ニッ
ケル合金からなる強磁性金属薄膜層、潤滑剤層45よび
パンシシt−iを形成し、磁気テープAを・′フくった
。
ットのコバルト−ニッケル円板とイオウ板との面積を調
節して、厚さ200人のMzSa型のコバルト−ニッケ
ル合金の硫化物からなる保護膜層を形成した以外は、実
施例1と同様にして厚さ1200人のコバルト・−ニッ
ケル合金からなる強磁性金属薄膜層、潤滑剤層45よび
パンシシt−iを形成し、磁気テープAを・′フくった
。
実施例7
実施例5において、潤滑剤層の形成を省いた以外は、実
施例5と同様にし4て磁気テープBをつくった。
施例5と同様にし4て磁気テープBをつくった。
実施例8
実施例6において、潤滑剤層の形成を省いた以外は、実
施例6と同様にして磁気テープBりつく比較例1 実施例1において、強磁性材の硫化物からなる保護膜層
の形成を省いた以外は実施例1と同様にして磁気テープ
をつくった。
施例6と同様にして磁気テープBりつく比較例1 実施例1において、強磁性材の硫化物からなる保護膜層
の形成を省いた以外は実施例1と同様にして磁気テープ
をつくった。
比較例2
実施例2において、強磁性材の硫化物からなる保護膜層
の形成を省いた以外は実施例2と同様にして磁気テープ
をつくった。
の形成を省いた以外は実施例2と同様にして磁気テープ
をつくった。
比較例3
実施例3において、強磁性材の硫化物からなる保護膜層
の形成を省いた以外は実施例3と同様にして磁気テープ
をつくった。
の形成を省いた以外は実施例3と同様にして磁気テープ
をつくった。
比較例4
実施例4において、強磁性材の硫化物からなる保護膜層
の形成を省いた以外は実施例4と同様にして磁気テープ
をつくった。
の形成を省いた以外は実施例4と同様にして磁気テープ
をつくった。
比較例5
実施例5において、強磁性材の硫化物からなる保護膜層
の形成を省いた以外は実施例5と同様にして磁気テープ
をつくった。
の形成を省いた以外は実施例5と同様にして磁気テープ
をつくった。
比較例6
実施例6において、強磁性材の硫化物からなる保護膜層
の形成を省いた以外は実施例6と同様にして磁気テープ
をつくった。
の形成を省いた以外は実施例6と同様にして磁気テープ
をつくった。
比較例7
実施例7において、強磁性材の硫化物からなる保護膜層
の形成を省いた以外は実施例7と同様にして磁気テープ
をつくった。
の形成を省いた以外は実施例7と同様にして磁気テープ
をつくった。
比較例8
実施例8において、強磁性材の硫化物からなる保護膜層
の形成を省いた以外は実施例8と同様にして磁気テープ
をつ(った。
の形成を省いた以外は実施例8と同様にして磁気テープ
をつ(った。
各実施例および比較例で得られた磁気テ=−ブを、8m
1VTRカセツトに組み込み、インカセット状態で、S
Oz 0.lppm、 Hz So、05ppH,N
0zO,lppm、35゛C175%RHの雰囲気下に
24時間保存して腐食加速試験を行った。腐食加速試験
は、保存後の磁気テープの表面を走査型電子顕微鏡で観
察し、腐食生成物の有無を調べた。また、8mmVTR
を用いて磁気テープを実走行させ、その際の、ヘッド目
詰まり、VTRの回転シリンダ負荷電流の増加および再
生画像の画質劣化を調べた。
1VTRカセツトに組み込み、インカセット状態で、S
Oz 0.lppm、 Hz So、05ppH,N
0zO,lppm、35゛C175%RHの雰囲気下に
24時間保存して腐食加速試験を行った。腐食加速試験
は、保存後の磁気テープの表面を走査型電子顕微鏡で観
察し、腐食生成物の有無を調べた。また、8mmVTR
を用いて磁気テープを実走行させ、その際の、ヘッド目
詰まり、VTRの回転シリンダ負荷電流の増加および再
生画像の画質劣化を調べた。
その結果、比較例1ないし8で得られた磁気テープは、
いずれもVTRカセット内でリールに巻き込まれたテー
プ部分は腐食が認められないものの、VTRカセット内
の特に腐食性ガスに露出したVTRカセット蓋近傍と、
光透過率検出用窓近傍のテープ部分が腐食していた。そ
して、この腐食部は、ヘッド目詰まり、VTRの回転シ
リンダ負荷電流の増加が認められ、さらに再生画像の著
しい画質劣化が認められた。これに対し、実施例1ない
し8で得られた磁気テープは、いずれも腐食が全く認め
られず、磁気テープ目詰まり、VTRの回転シリンダ負
荷電流の増加もなく、さらに再生画像の画質劣化も認め
られなかった。
いずれもVTRカセット内でリールに巻き込まれたテー
プ部分は腐食が認められないものの、VTRカセット内
の特に腐食性ガスに露出したVTRカセット蓋近傍と、
光透過率検出用窓近傍のテープ部分が腐食していた。そ
して、この腐食部は、ヘッド目詰まり、VTRの回転シ
リンダ負荷電流の増加が認められ、さらに再生画像の著
しい画質劣化が認められた。これに対し、実施例1ない
し8で得られた磁気テープは、いずれも腐食が全く認め
られず、磁気テープ目詰まり、VTRの回転シリンダ負
荷電流の増加もなく、さらに再生画像の画質劣化も認め
られなかった。
以上の腐食加速試験の試験結果から明らかなように、こ
の発明で得られた磁気テープ(実施例1ないし8)は、
いずれも比較例工ないし8で得られた磁気テープに比し
、耐食性が一段と向上されていることがわかる。
の発明で得られた磁気テープ(実施例1ないし8)は、
いずれも比較例工ないし8で得られた磁気テープに比し
、耐食性が一段と向上されていることがわかる。
第1図はこの発明で使用する真空蒸着装置の概略断面図
、第2図および第3図はこの発明によって得られた磁気
テープの部分拡大断面図、第4図はこの発明で使用する
スパッタリング装置の概略断面図である。 1・・・ポリエステルフィルム(基体)、11・・・強
磁性金属薄膜層、12・・・保護膜層、13・・・潤滑
剤層、A、B・・・磁気テープ(磁気記録媒体)特許出
願人 日立マクセル株式会社 第1図 第2ス
、第2図および第3図はこの発明によって得られた磁気
テープの部分拡大断面図、第4図はこの発明で使用する
スパッタリング装置の概略断面図である。 1・・・ポリエステルフィルム(基体)、11・・・強
磁性金属薄膜層、12・・・保護膜層、13・・・潤滑
剤層、A、B・・・磁気テープ(磁気記録媒体)特許出
願人 日立マクセル株式会社 第1図 第2ス
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層を形成し、この強磁性金属薄膜層上に強磁性
金属の硫化物からなる保護膜層を設けたことを特徴とす
る磁気記録媒体 2、強磁性金属薄膜層がコバルトまたはニッケルを主成
分とする強磁性金属薄膜層である請求項1記載の磁気記
録媒体 3、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層を形成し、この強磁性金属薄膜層上に強磁性
金属の硫化物からなる保護膜層を設け、さらにこの保護
膜層上に潤滑剤層を設けたことを特徴とする磁気記録媒
体 4、強磁性金属薄膜層がコバルトまたはニッケルを主成
分とする強磁性金属薄膜層である請求項3記載の磁気記
録媒体 5、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層を形成し、次いで、この強磁性金属薄膜層を
少なくとも硫化水素を含む気体中で表面処理して、強磁
性金属薄膜層上に強磁性金属の硫化物からなる保護膜層
を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法 6、強磁性金属薄膜層がコバルトまたはニッケルを主成
分とする強磁性金属薄膜層である請求項5記載の磁気記
録媒体の製造方法 7、硫化水素を含む気体中での表面処理を硫化水素ガス
を主成分として含有する1kg/cm^2以上の加圧雰
囲気下で行う請求項5および6記載の磁気記録媒体の製
造方法 8、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層を形成し、次いで、この強磁性金属薄膜層の
表面にイオウ化合物をスパッタリングして、強磁性金属
薄膜層上に強磁性金属の硫化物からなる保護膜層を形成
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法 9、強磁性金属薄膜層がコバルトまたはニッケルを主成
分とする強磁性金属薄膜層である請求項8記載の磁気記
録媒体の製造方法 10、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁
性金属薄膜層を形成し、次いで、この強磁性金属薄膜層
を少なくとも硫化水素を含む気体中で表面処理して、強
磁性金属薄膜層上に強磁性金属の硫化物からなる保護膜
層を形成し、しかる後、この強磁性金属の硫化物からな
る保護膜層上に潤滑剤層を形成することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法 11、強磁性金属薄膜層がコバルトまたはニッケルを主
成分とする強磁性金属薄膜層である請求項10記載の磁
気記録媒体の製造方法 12、硫化水素を含む気体中での表面処理を硫化水素ガ
スを主成分として含有する1kg/cm^2以上の加圧
雰囲気下で行う請求項10および11記載の磁気記録媒
体の製造方法 13、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁
性金属薄膜層を形成し、次いで、この強磁性金属薄膜層
の表面にイオウ化合物をスパッタリングして、強磁性金
属薄膜層上に強磁性金属の硫化物からなる保護膜層を形
成し、しかる後、この強磁性金属の硫化物からなる保護
膜層上に潤滑剤層を形成することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法 14、強磁性金属薄膜層がコバルトまたはニッケルを主
成分とする強磁性金属薄膜層である請求項13記載の磁
気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26216988A JPH02108223A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26216988A JPH02108223A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02108223A true JPH02108223A (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=17372021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26216988A Pending JPH02108223A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02108223A (ja) |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP26216988A patent/JPH02108223A/ja active Pending
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