JPS639020A

JPS639020A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPS639020A
Application number: JP15065586A
Authority: JP
Inventors: Noboru Isoe; 磯江　昇; Kunio Wakai; 若居　邦夫; Tetsuo Mizumura; 哲夫水村; Hideaki Niimi; 秀明新見
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Ltd
Priority date: 1986-06-28
Filing date: 1986-06-28
Publication date: 1988-01-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は磁気記録媒体の製造方法に係り、特に非磁性基
板上に強磁性金属層を形成し、さらにその７＠磁性金屑
層上に保ｆｆ膜を形成する磁気記録媒体の製造方法に関
するものである。

〔従来の技術〕

プラスチックフィルムなどの非磁性基板上にコバルトあ
るいはコバルト合金などの強磁性金属層を形成した磁気
記録媒体は、高密度記録特性に優れているが、その反面
１表面に金属が露出しているから耐食性に劣り、そのた
めに磁気特性が低下したり、また腐食生成物の成長によ
って磁気記録媒体の走行不良を生じるなどの欠点がある
。

従来走行性を改善するため１種々の潤滑剤からなる保訝
層を設けることが提案されているが、一般に強磁性金属
層の上に直接潤滑剤からなる保護層を設けた磁気テープ
をカセットに組込んだ状態で４０℃、８０％Ｒ，Ｈ，の
条件下で実用テストを行なうと、数時間後には走行不良
を起してしまう、この原因を調べた結果、摩擦係数が増
大し大きいものでは摩擦係数が１．０以上になっており
。

潤滑剤の効果がなくなり、摩擦係数が経時的に増大して
いることが分かった。

また従来、特開昭５８−４１４３９号公報に記載されて
いるように、非磁性基板上に磁性膜を形成したのち、グ
ロー放電処理を施こすことにより、磁性膜の表面に少な
くともＣｏ　Ｏ，Ｃｏ　ｓ　Ｏａを含む保護層を形成す
る磁気記録媒体の製造方法が提案されている。

しかしこの方法で形成された保護層では、ある程度の耐
食効果は認められるが、高温、高湿下で摩擦係数が経時
的に増大するという欠点を有している。

本出願人はこのような従来技術の欠点を解消するため、
先に５強磁性全席層の表面側部分に主にアモルファスの
３価コバルトの含水酸化物からなる被膜を形成した磁気
記録媒体を提案した（特願昭６０−７８５６２号）。

この磁気記録媒体は具体的には、非磁性基板上にコバル
ト主成分とし表面にコバルトの酸化物膜を有する強磁性
金屑層を形成し、これを酸素と水分の存在下に熱処理す
ることによって裏道される。

確かにこの磁気記録媒体は摩擦係数の経時変化がなく、
安定した走行性を有しているが問題がない訳ではない。

すなわち前述の方法では１強磁性金ｒｉｏｔＮを酸素と
水分の存在下において熱処理することにより、表面側部
分を変成して３価コバルトの含水酸化物被膜を形成する
ため、熱処理条件などが少し変動するとコバルトの酸化
度や膜厚がばらつき、ｔに均質で一定した膜厚を有する
被膜を形成することが難しく、再現性の点で問題があっ
た。

本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、
耐食性に優れ、かつ常に低い摩擦係数を有する品質の安
定した磁気記録媒体の製造芳゛ｉを〜提供するにある。　　　　　　　　　　　　１”″【問
題点を解決するための手段〕前述の目的を達成するため、本発明は、例えばコバルト
またはコバルト合金などからなる強磁性金属層上に、ス
パッタリング法によりコバルトまたはコバルトを主成分
とする合金の酸化保ＩＦ！膜を形成し、その後少なくと
も酸素と水分の存在下において前記酸化保護膜を熱処理
することを特徴とするものである。

前述の目的を達成するため、さらに本発明は。

例えばコバルトまたはコバルト合金などからなる強磁性
金属層上に、スパッタリング法によりコバルトまたはコ
バルトを主成分とする合金の酸化保護膜を形成し、その
後少なくとも酸素と水分の存在下において前記酸化体Ｗ
ｉ膜を熱処理して、その酸化体Ｗｉ膜上に潤滑膜を形成
したことを特徴とするものである。

〔実施例〕

本発明において前記非磁性基板としては１例えばポリエ
チレンテレフタＬノート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエ
ステル樹脂などのプラスチックシート、プラスチック製
基板の中に例えば炭素繊維や銅などの無機物を混入した
複合材料の基板、あるいはアルミニウムなどの非磁性金
属板、またはガラスなどが用いられる。

本発明で用いられる強磁性金属材料としては。

コバルト、ニッケル、鉄などの金属あるいはコバルトを
主成分とするコバルト合金などがある。

このコバルト合金としては１例えばコバルト−ニッケル
合金、コバルト−クロム合金、コバルト−鉄合金、コバ
ルト−リン合金、コバルト−ニッケルーリン合金などが
用いられる。前記コバルト−ニッケル合金ならびにコバ
ルト−ニッケルーリン合金の場合は、ニッケルの含有率
は約４０重量％以下が望ましい。またコバルト−クロム
合金、コバルト−鉄合金、ならびにコバルト−リン合金
などの場合は、クロム、鉄ならびにリンの含有率は約３
０重量％以下が望ましい。

これら強磁性金属層の形成方法としては１例えば真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法なら
びにメッキ法などがある。

本発明において保護膜を形成する材料としてコバルト単
体あるいはコバルトを主成分とするコバルト合金が用い
られる。このコバルト合金としては例えばコバルト−ニ
ッケル合金、コバルト−クロム合金、コバルト−鉄合金
、コバルト−リン合金、コバルト−ニッケルーリン合金
ならびにコバルト−チタン合金などのコバルト合金が用
いられる。

このコバルトあるいはコバルト合金を強磁性金属層上に
スパッタリングする際、このスパッタリングを酸化性ガ
ス中で行なうことにより、コバルトあるいはコバルト合
金の斂化物保護膜を容易に形成することができる。

また本発明において保Ｓ膜形成時の酸化性ガスとしては
、空気、Ｗ１素、オゾン、二酸化炭素などの単体、ある
いはこれらの混合ガスなどの他に、これら酸化性ガスに
アルゴン、窒素、ヘリウムなどの不活性ガスを混入した
ものなどが用いられる。

この酸化性ガスあるいは（および）不活性ガスに、適度
の水分を含ませるかあるいは含まない状態で使用される
。

保護膜の膜厚は、１０〜１０００オングストロームの範
囲が好ましく、１０オングストロームより薄いと十分な
耐食効果が得られず、一方。

１０００オングストロームより厚いと電磁変換特性の低
下が生じる。

本発明における熱処理温度は、約１４０℃以下。

特に約常温〜１００℃の範囲、さらに好ましくは約４０
〜９０℃の範囲である。熱処理時間は熱処理温度との関
係があり、処理温度が高ければ処理時間は短かくてすみ
、処理温度が低ければ長時間熱処理する必要がある。

熱処理時における湿度は８０％Ｒ，Ｈ１以下が望ましい
、湿度がこれ以上高くなると、保２１膜の表面側部分に
酸化水和物よりも腐食生成物の水酸化コバルトＣｏ（Ｏ
Ｈ）ｚが生成しやすいため好ましくない。

保護膜の形成は水分を含む酸素、ガスの存在下において
大気圧で熱処理してもよいし、また減圧下で熱処理して
もよい。

また本発明において、前記潤滑剤としては１例えば脂肪
酸系有機化合物、フッ素系有機化合物ならびにシリコン
系有機化合物などが用いられる。

前記脂肪酸系潤滑剤としては１例えば脂肪酸、脂肪酸の
金肩塩、脂肪酸エステルならびに脂肪酸アミドなどが使
用される６前記脂肪酸の具体例としては１例えばミリス
チン酸、パルミチン酸、オレイン酸、ステアリン酸５ベ
ヘン酸などがある。

またこれらの金属塩としては、例えばリチウム塩、ナト
リウム塩、カルシウム塩、マグネシウム塩。

アルミニウム塩、鉄塩、コバルト塩、亜鉛塩、バリウム
塩ならびに鉛塩などがある。

前記脂肪酸エステルとしては、例えばステアリン酸ブチ
ル、ステアリン酸モノグリセリド、パルミ°チン酸モノ
グリセリ阻オレイン酸モノグリセリド４ペンタエリスリ
トールラステアレートなどがある。

脂肪酸アミドとしては１例えばカプロン酸アミド、カプ
リン酸アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド
、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、リノール酸アミ
ド、メチレンビスステアリン酸アミドなどがある。

またフッ素系潤滑剤としては１例えばトリクロロフルオ
ロエチレン、パーフルオロポリエーテル。

パーフルオロアルキルポリエーテルなどがある。

市激品の具体例としては、ダイキン社製ダイフロン＃２
０、デュポン社製タライトツクスＭ、タライトツクスＨ
などが挙られる。さらにシリコン系潤滑剤としてはシリ
コンオイルがある。

なお前記潤滑剤層は、前述のような潤滑剤のみで構成す
る場合もあるし、また潤滑剤中に例えば流動パラフィン
や防錆剤の如き添加剤を；昆布させて、潤滑剤層の耐食
性などを向上することもできる。

潤滑膜の膜厚は３０〜５００オンゲスＩ−ロームが適当
で、３０オングストロームより薄いと長期間にわたって
潤滑効果を発揮することが難しく。

一方、５００オングストロームより厚くなると電磁変換
特性が低下するため、潤滑膜の厚さは前述の範囲に規制
する方が望ましいゆ次に具体的な実施例について説明する。

実施例１第１図に示すように、真空槽１，２を隔壁３で区画して
連続蒸着装置とスパッタリング装置を連接した装置を用
い、厚さ１２μｍのポリエステルフィルム４を原反ロー
ル５からガイドロール６を介して真空槽１の中央部に配
設された円筒状キャン７の周側面に沿って移動する１次
いで、ガイドロール８および９を介して、真空槽２内に
導き。

それの中央部に配設された円筒状キャン１０の周側面に
沿って移動し、さらにガイドロール１１を介して巻き取
りロール１２に巻き取られるようにセットした。

真空槽ｌ内の円筒状キャン７の周側面に沿って移動する
ポリエステルフィルム４に対向して真空槽ｌ内の下部に
配設された強磁性材料の蒸Ｒｉ源１３ＩＣＣｏ１４をセ
ットし、真空槽２内の円筒状キャン１０の周側面に沿っ
て移動するポリエステルフィルム４に対向して１円筒状
キャン１０の下部に保ｆｆ１ｌｌ形成のためのスパッタ
ターゲットとしてＣ０１７をセットした。そして各真空
槽１および２に取り付けた排気系２０および２１で真空
槽１内をｌＸｌ０””ｈ−ルに、また真空槽２内を７Ｘ
ＩＯ’″７　トールに排気した後、排気した後ガス導入
０１８より０２ガスを導入して８×１Ｏ−１トールに保
持し、真空槽２に取り付けられたガス導入口１６より０
２ガスを導入し、真空槽２内を５×１０−’　　トール
に保持する。まず真空槽１内の強磁性材料蒸発′ｇ１３
にセットしたＣ０１４を加熱蒸発して、３０オングスト
ロ一ム／秒の速度で表面にＣｏ　Ｏ薄膜を有するＧｏか
らなる厚みが１０００オングストロームの強磁性金属薄
膜層を形成した。

引き続いて、真空槽２の絶縁端子２２を通して高周波１
！源１９により真空Ｎ２内の中央部に配設された円筒状
キャンｌＯと、それの下部に配設したスパッタターゲッ
トＣｏ１７に３００Ｗの電圧を加え、３オングストロ一
ム／秒の速度でスパッタリングし、Ｃｏの酸化物からな
る厚みが１００オングストロームの保Ｓ膜を形成した。

次に巻き取りロール１２を真空蒸着槽２から取す出して
、大気圧に保たれた熱処理槽において処理温度６０℃、
相対湿度３０％で、３時間加熱酸化処理する。

しかる後、脂肪酸系のミリスチン酸およびステアリン酸
ノルマルブチルとＭＩＢＫを混合し、ミリスチン酸／ス
テアリン酸ノルマルブチル＝０．０５１０．０５を量％
の潤滑剤を塗布し、潤滑膜を形成した。

次いで所定の幅に裁断して、第２図に示すような、ポリ
エステルフィルム４上に強磁性金属薄膜２４、Ｃｏ第化
物保ｌｌ！ｌ＠２５．潤滑膜２６を順次に積層した磁気
テープをつくった。なお、第１図において１５は強磁性
材料蒸発源１３からの強磁性金属材料１４の蒸気流を所
定角度で入射させるための防着板である。

第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は強磁性金属の蒸着から
加熱酸化処理までの変成状態を示す拡大概念図。

第４ならびに第５図は強磁性金属薄’／ＩＡＭの拡大概
念図である。

第１図に示すように酸素の存在下においてＣ。

１４１に斜め蒸着することにより、第３図（ａ）に示す
如く表面にＣｏｏ薄ｌ！Ｉ２７を形成したＣｏ柱状粒子
２８が形成され、この柱状粒子２８は第４図ならびに第
５図に示されているようにポリエステルフィルム４に対
して並んだ状態に形成される。

次に酸素の存在下においてＣｏ１７をスパッタリングす
ることにより、ＣｏＯ薄膜２７の表面にＣｏ　ｚ　Ｏｓ
あるいはＣｏ　ｓ　ＯＩのコバルト酸化物被膜２９が形
成される。このような３ｍあるいは４価のコバルト酸化
物は、コバルトのスパッタ量と酸素の導入量とをコント
ロールすることによって容易に生成することができる。

なおこの際、前述のように酸化性ガス中に水分を若干含
んでおれば、一部はコバルトの含水酸化物である。

このコバルト酸化物波第２９を形成したのち。

酸素と水分の存在下で熱処理することにより、第３図（
ｃ）に示すようにＣｏ２０Ｃｏ２０−Ｉ−あるいはＣｏ
　ｖ　Ｏａ　・ｎＨ＝ｏのコバルト含水酸化物被膜３０
に変成される。この３価のコバルト酸化物ＣｏＺ　０３
　・ｍＨ，：　Ｏは、ｘｖＡ回析の結果アモルファスで
あることが確認されている。

第４図に示すようにコバルト含水酸化物被膜３０は柱状
粒子の全体にわたって形成されるか。

あるいは第５図に示すように柱状粒子の表面側に形成さ
れる。なお第３図ないし第５図は微視的な櫃念図であり
、実際には第２図に示すように強磁性金Ｒ’ｆｌｔ＠Ｍ
　２４ならびに保護膜２５がほぼ層状になって形成され
ている。

第６図は、ａ素ガス圧を変化させた場合のコバルト酸化
物の生成状態を示す特性図である。この図から明らかな
ように、基板温度が１００℃以下（例えば常温）では、
酸素ガス圧が１０−’　トール以下であればＣｏＯの生
成は認められないが。

ａ、ｐ、４ス圧を約１０″″４〜１０−”−’　　トー
ルにするＩＱ７”ｉとによりＣｏＯが生成する。この酸
素分圧は。

強・磁性金属を基板上に蒸着する際の分圧に相当する。

一方、酸素ガス圧を１０−１〜１０−′　トールにする
ことにより、３価あるいは４価コバルト酸化物が生成し
、この酸素分圧はコバルトあるいはコバルト合金を酸化
物の状態で強磁性金属層上にスパッタリングするときの
分圧に相当する。同図に示すように基板温度が１００°
Ｃ以下の場合は。

酸素ガス圧の広い範囲（ｔｏ−’〜１０−’　トール）
においてｃｏ：！○ｓ、Ｃｏ３Ｏ４を生成することがで
き、また基板への熱的影響が少ないため好ましい。

実施例２前記実施例１において潤滑膜２６を省いた他は同様にし
て磁気テープを作った。

実施例３前記実施例１において、保護膜２５をＧｏ８０重量％、
Ｎ　ｉ　２０重量％の酸化物（膜厚１００オングストロ
ーム）とした他は同様にして磁気テープを作った。

実施例４前記実施例１において、熱処理を４０”Ｃ，１０時間に
した他は同様にして磁気テープを作った。

実施例５前記実施例１において、熱処理を９０”Ｃ１１時間にし
た他は同様にして磁気テープを作った。

比較例１前記実施例１において、保護膜２５を省いた他は同様に
して磁気テープを作った。

比較例２前記実施例１において、熱処理を省いた他は同様にして
磁気テープを作った。

比較例３前記実施例１において、保護膜形成時に不活性ガスであ
るアルゴンを用いた他は同様にして磁気テープを作った
。

比較例４前記実施例１において、熱処理を６０℃、９０％Ｒ，Ｈ
，で行った他は同様にして磁気テープを作った。

比較例５前記実施例１において、保Ｓ膜の形成と熱処理を省いた
代りに、酸素分圧３Ｘ１０−”　　トール。

３００Ｗで強磁性金属薄膜ＪＷ２４にグロー放電処理を
施こした他は同様にして磁気テープを作った。

〔発明の効果〕

これら実施例ならびに比較例によって得られた磁気テー
プを６０℃、９０％Ｒ，Ｈ，の条件下に７日間静置し、
静置前後の飽和磁化量の減少率を求め、それを耐食性の
評価として次の表に示した。

表第７図は、前記実施例ならびに比較例によって得られた
磁気テープにおける摩擦係数の経時変化を示す特性図で
ある。この摩擦係数は摺動式動摩擦係数測定機を用い、
初期のＳ擦傷数と各磁気テープを６０℃、９０％Ｒ，Ｈ
，の高湿下で静置した場合の摩擦係数を測定した。

なお図中の曲線Ａは実施例１．３．４，５で得られた磁
気テープ、曲Ｍ１１Ｃは比較例１．２，３で得られた磁
気テープ、曲、譲りは比較例４で得られた磁気テープ、
曲線Ｅは比較例５で得られた磁気テープの特性曲線であ
る。

本発明は前述のような構成になっており、前述の表なら
びに第７図から明らかなように、耐食性に優れ、かつ長
期間にわたって安定した低い摩擦係数を有する品質の安
定した磁気記録媒体の製造方法を提供することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例で用いる製造装置の概略構成図
、第２図は実施例に係る磁気記録媒体の拡大断面図、第
３図（、）、（ｂ）、（ｅ）は強磁性金属の蒸着から加
熱酸化処理までの変成状態を示す拡大概念図、第４図な
らびに第５図は強磁性金属薄膜層の拡大概念図、第６図
は酸素ガス圧と基板温度とを変化させた場合のコバルト
酸化物の生成状態を示す特性図、第７図は磁気記録媒体
の静置日数と摩擦係数との関係を示す特性図である。４・・・・・・ポリエステルフィルム、２４・・・・・
・強磁性金属″４膜層、２５・・・・・・保護膜、２６
・・・・・・潤滑膜。２７・・・・・・Ｃｏｏ＠膜、２８・・・・・・ＣＯ柱
状粒子粒子９・・・・・・コバルト酸化物被膜、３０・
・・・・・コバルト官水酸化物被膜。第１図つ第２図４　：汀ごリエステナレフ（ＩＶム２４・強漬１糎金、Ｌ；藁賑漫２５：イ呈１７ｔＡ＊２６：３関シプヒ月メ（第６図 η−４１０−１ｚ−１１０−１政業刀°゛スｒ（トー１し）第７図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）非磁性基板上に強磁性金属層を形成し、さらにそ
の強磁性金属層上に保護膜を形成する磁気記録媒体の製
造方法において、前記強磁性金属層上にスパッタリング
方法によりコバルトまたはコバルトを主成分とする合金
の酸化保護膜を形成した後、少なくとも酸素と水分の存
在下において前記酸化保護膜を熱処理することを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。
（２）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記強
磁性金属がコバルト、ニッケルならびに鉄のグループか
ら選択された少なくとも１種類の金属で構成されている
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（３）特許請求の範囲第（１）記載において、前記強磁
性金属層がコバルトを主成分とするコバルト合金である
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（４）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記強
磁性金属層が柱状粒子の集合体から構成され、その各柱
状粒子上に前記酸化保護膜が形成されることを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
（５）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記酸
化保護膜が、コバルトまたはコバルトを主成分とする合
金を酸化性ガス中でスパッタリングすることによつて形
成されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（６）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記熱
処理後の保護膜がＣｏ＿３Ｏ＿４・ｎＨ＿２ＯまたはＣ
ｏ＿２Ｏ＿３・ｍＨ＿２Ｏの含水酸化物を含有している
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（７）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記熱
処理後の保護膜が主にアモルファスの３価コバルトの含
水酸化物で構成されていることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。
（８）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記保
護層の膜厚が１０〜１０００オングストロームであるこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（９）特許請求の範囲第（１）記載において、前記熱処
理温度が１００℃以下であることを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
（１０）特許請求の範囲第（１）項または第（９）項記
載において、前記熱処理時の相対温度が８０％以下であ
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（１１）非磁性基板上に強磁性金属層を形成し、さらに
その強磁性金属層上に保護膜を形成する磁気記録媒体の
製造方法において、前記強磁性金属層上にスパッタリン
グ法によりコバルトまたはコバルトを主成分とする酸化
保護膜を形成した後、少なくとも酸素と水分の存在下に
おいて前記酸化保護膜を熱処理し、保護膜上に潤滑膜が
形成されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（１２）特許請求の範囲第（１１）項記載において、前
記磁性金属層がコバルト、ニッケルならびに鉄のグルー
プから選択された少なくとも１種類の金属で構成されて
いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（１３）特許請求の範囲第（１１）項記載において、前
記強磁性金属層がコバルトを主成分とするコバルト合金
であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（１４）特許請求の範囲第（１１）項記載において、前
記強磁性金属層が柱状粒子の集合体から構成され、その
各柱状粒子上に前記酸化保護膜が形成されていることを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（１５）特許請求の範囲第（１１）項記載において、前
記酸化保護膜がコバルトまたはコバルトを主成分とする
合金を酸化性ガス中でスパッタリングすることによつて
形成されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（１６）特許請求の範囲第（１１）項記載において、前
記熱処理後の保護膜がＣｏ＿３Ｏ＿４・ｎＨ＿２Ｏまた
はＣｏ＿２Ｏ＿３・ｍＨ＿２Ｏの含水酸化物を含有して
いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（１７）特許請求の範囲第（１１）項記載において、前
記熱処理後の保護膜が主にアモルファスの３価コバルト
の含水酸化物で構成されていることを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。
（１８）特許請求の範囲第（１１）項記載において、前
記保護層の膜厚が１０〜１０００オングストロームであ
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（１９）特許請求の範囲第（１１）項記載において、前
記熱処理温度が１００℃以下であることを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。
（２０）特許請求の範囲第（１１）項または第（１９）
項記載において、前記熱処理時の相対温度が８０％以下
であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２１）特許請求の範囲第（１１）項記載におて、前記
潤滑膜が脂肪酸系有機化合物を含むことを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。
（２２）特許請求の範囲第（１１）項記載において、前
記潤滑膜がフッ素系有機化合物を含むことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。
（２３）特許請求の範囲第（１１）項記載において、前
記潤滑膜がシリコン系化合物を含むことを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。
（２４）特許請求の範囲第（１１）項記載において、前
記潤滑膜の膜厚が３０〜５００オングストロームである
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。