JPS63200315A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、コバルトを主成分とする強磁性金属V#膜
層を磁気記録層とした磁気記録媒体に関し、さらに詳し
くは、耐食性および耐久性に優れた前記の磁気記録媒体
に関する。
層を磁気記録層とした磁気記録媒体に関し、さらに詳し
くは、耐食性および耐久性に優れた前記の磁気記録媒体
に関する。
コバルトを主成分とする強磁性金属薄膜層を磁気記録層
とする磁気記録媒体は、通常、コバルトもしくはコバル
ト合金などを真空蒸着、スパッタリング等によって基体
フィルム上に被着してつ(られ、高密度記録に適した特
性を有する。ところが、反面表面に金属が露出している
ため、空気中の酸素によって酸化されやすく、高温多湿
な環境下に長期間保存すると、強磁性金属薄膜層が腐食
されて、表面に粘性の高い水酸化第一コパル+−1Co
(OH)2が形成され、このため磁性層の摩擦係数が増
加して走行性が劣化するという難点がある。
とする磁気記録媒体は、通常、コバルトもしくはコバル
ト合金などを真空蒸着、スパッタリング等によって基体
フィルム上に被着してつ(られ、高密度記録に適した特
性を有する。ところが、反面表面に金属が露出している
ため、空気中の酸素によって酸化されやすく、高温多湿
な環境下に長期間保存すると、強磁性金属薄膜層が腐食
されて、表面に粘性の高い水酸化第一コパル+−1Co
(OH)2が形成され、このため磁性層の摩擦係数が増
加して走行性が劣化するという難点がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
そこで、本発明者はこの種のコバルトを主成分とする強
磁性金属薄膜層の腐食機構と防食法を検討した結果、こ
の種の強磁性金属薄膜層の表面を酸素と水分の存在下で
緩やかに酸化して、主に3価以上の高次のコバルトイオ
ンを含むコバルトオキシ水酸化物層からなるコバルト不
働態膜層を形成すると、耐食性、走行安定性および耐久
性が改善されることを既に見いだした。ところが、コバ
ルト不働態膜層を設けただけでは、実際のテープ走行中
に、ゴミの噛み込みや磁気ヘッドの異常な摺接によって
、コバルト不働態膜層が傷つけられた場合に引き起こさ
れる耐食性の劣化が、充分に抑制されないことが判明し
た。
磁性金属薄膜層の腐食機構と防食法を検討した結果、こ
の種の強磁性金属薄膜層の表面を酸素と水分の存在下で
緩やかに酸化して、主に3価以上の高次のコバルトイオ
ンを含むコバルトオキシ水酸化物層からなるコバルト不
働態膜層を形成すると、耐食性、走行安定性および耐久
性が改善されることを既に見いだした。ところが、コバ
ルト不働態膜層を設けただけでは、実際のテープ走行中
に、ゴミの噛み込みや磁気ヘッドの異常な摺接によって
、コバルト不働態膜層が傷つけられた場合に引き起こさ
れる耐食性の劣化が、充分に抑制されないことが判明し
た。
この発明はかかる現状に鑑み、鋭意研究を重ねた結果な
されたもので、基体上にコバルトを主成分とする強磁性
金属薄膜層を形成し、次いで、この強磁性金属薄H*層
上にコバルト不働態膜層を設けて、さらにこのコバルト
不働態膜層上に、2−メルカプトベンゾチアゾール、2
−ペンチルアミノベンジンイミダゾール、1.2.3−
ベンゾトリアゾール、2−ニトロソ−1−ナフトール、
1−ニトロソ−2−ナフトール、サリチルアルドキシム
、α−ベンゾインオキシム、フィチン酸、キナルジン酸
、8−ヒドロキシキノリン、2−メチル−8−ヒドロキ
シキノリン、ナフトアルデヒドおよびこれらの誘導体か
ら選ばれる少なくとも1種以上の防錆剤を被着して防錆
剤層を設けることによって、たとえ、コバルト不To!
’m膜層が実際のテープ走行中に、ゴミの噛み込みや磁
気ヘッドの異常な摺接によって、傷つけられた場合でも
、この損傷によって引き起こされる耐食性の劣化を防止
して、強磁性金属薄膜層の耐食性および耐久性を充分に
向上させたものである。また、このコバルト不働態膜層
上に設けた防錆剤層上に、さらに潤滑剤層を設けること
によって、耐食性および耐久性をさらに一段と向上させ
たものである。
されたもので、基体上にコバルトを主成分とする強磁性
金属薄膜層を形成し、次いで、この強磁性金属薄H*層
上にコバルト不働態膜層を設けて、さらにこのコバルト
不働態膜層上に、2−メルカプトベンゾチアゾール、2
−ペンチルアミノベンジンイミダゾール、1.2.3−
ベンゾトリアゾール、2−ニトロソ−1−ナフトール、
1−ニトロソ−2−ナフトール、サリチルアルドキシム
、α−ベンゾインオキシム、フィチン酸、キナルジン酸
、8−ヒドロキシキノリン、2−メチル−8−ヒドロキ
シキノリン、ナフトアルデヒドおよびこれらの誘導体か
ら選ばれる少なくとも1種以上の防錆剤を被着して防錆
剤層を設けることによって、たとえ、コバルト不To!
’m膜層が実際のテープ走行中に、ゴミの噛み込みや磁
気ヘッドの異常な摺接によって、傷つけられた場合でも
、この損傷によって引き起こされる耐食性の劣化を防止
して、強磁性金属薄膜層の耐食性および耐久性を充分に
向上させたものである。また、このコバルト不働態膜層
上に設けた防錆剤層上に、さらに潤滑剤層を設けること
によって、耐食性および耐久性をさらに一段と向上させ
たものである。
この発明において、コバルト不働態膜層上に被着して形
成される防錆剤層は、防錆剤を、たとえば、トルエン、
メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン、酢酸エチル、エチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、フレオン、テトラヒドロフラン、ジメ
チルホルムアミド、ジオキサン等の適当な溶剤に溶解し
、熔解によって得られた溶液中に前記のコバルト不働態
膜層を形成した強磁性金属薄膜層を浸漬するか、あるい
は前記溶液を前記のコバルト不働態膜層を形成した強磁
性金属薄1!i!層上に塗布または噴霧するなどの方法
で形成され、さらに防錆剤を前記のコバルト不(l]態
模膜層形成した強磁性金属薄膜層上に真空蒸着するなど
の方法でも形成される。また、この他、防錆剤を直接コ
バルト不働態膜層上に被着せず、表面に強磁性金属薄膜
層を有する基体の裏面に設けたバックコート層上に被着
するか、あるいはバックコート層中に含浸させ、このバ
ックコート層に含ませた防錆剤を、転写によって強磁性
金属薄膜層上のコバルト不働態膜層に間接的に被着する
方法でも形成される。
成される防錆剤層は、防錆剤を、たとえば、トルエン、
メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン、酢酸エチル、エチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、フレオン、テトラヒドロフラン、ジメ
チルホルムアミド、ジオキサン等の適当な溶剤に溶解し
、熔解によって得られた溶液中に前記のコバルト不働態
膜層を形成した強磁性金属薄膜層を浸漬するか、あるい
は前記溶液を前記のコバルト不働態膜層を形成した強磁
性金属薄1!i!層上に塗布または噴霧するなどの方法
で形成され、さらに防錆剤を前記のコバルト不(l]態
模膜層形成した強磁性金属薄膜層上に真空蒸着するなど
の方法でも形成される。また、この他、防錆剤を直接コ
バルト不働態膜層上に被着せず、表面に強磁性金属薄膜
層を有する基体の裏面に設けたバックコート層上に被着
するか、あるいはバックコート層中に含浸させ、このバ
ックコート層に含ませた防錆剤を、転写によって強磁性
金属薄膜層上のコバルト不働態膜層に間接的に被着する
方法でも形成される。
ここで使用される防錆剤としては、たとえば、2−メル
カプトベンゾチアゾール、2−ペンチルアミノベンジン
イミダゾール、1.2.3−ベンゾトリアゾール、2−
ニトロソ−1−ナフトール、1−ニトロソ−2−ナフト
ール、サリチルアルドキシム、α−ベンゾインオキシム
、フィチン酸、キナルジン酸、8−ヒドロキシキノリン
、ナフトアルデヒドおよびこれらの誘導体等が好適なも
のとして使用され、これらは1種または2種以上併用し
て使用される。
カプトベンゾチアゾール、2−ペンチルアミノベンジン
イミダゾール、1.2.3−ベンゾトリアゾール、2−
ニトロソ−1−ナフトール、1−ニトロソ−2−ナフト
ール、サリチルアルドキシム、α−ベンゾインオキシム
、フィチン酸、キナルジン酸、8−ヒドロキシキノリン
、ナフトアルデヒドおよびこれらの誘導体等が好適なも
のとして使用され、これらは1種または2種以上併用し
て使用される。
この種の防錆剤は、防錆効果がきわめて顕著で、コバル
ト不働態膜層上に被着しても、コバルト不働態膜層を変
質させたり劣化させることがなく、またコバルト不働態
膜層および強磁性金属薄膜層の耐摩耗性を劣化させるこ
ともない。従って、この種の防錆剤を用いてコバルト不
働態膜層上に防錆剤層を形成すると、強磁性金属薄膜層
に対する防錆効果が充分に発揮されて、たとえ、コバル
ト不働態膜層が実際のテープ走行中に、ゴミの噛み込み
や磁気ヘッドの異常な摺接によって傷つけられた場合で
も、この損傷によって引きおこされる耐食性の劣化が効
果的に抑制され、耐食性および耐久性が充分に向上され
る。また、この種の防錆剤は防錆剤層上にさらに形成さ
れる潤滑剤層の潤滑剤を著しく劣化させることがなく、
従って、防錆剤層上にさらに潤滑剤層が形成されると、
潤滑剤の潤滑効果が良好に発揮されて、耐食性および耐
久性がさらに一段と向上される。
ト不働態膜層上に被着しても、コバルト不働態膜層を変
質させたり劣化させることがなく、またコバルト不働態
膜層および強磁性金属薄膜層の耐摩耗性を劣化させるこ
ともない。従って、この種の防錆剤を用いてコバルト不
働態膜層上に防錆剤層を形成すると、強磁性金属薄膜層
に対する防錆効果が充分に発揮されて、たとえ、コバル
ト不働態膜層が実際のテープ走行中に、ゴミの噛み込み
や磁気ヘッドの異常な摺接によって傷つけられた場合で
も、この損傷によって引きおこされる耐食性の劣化が効
果的に抑制され、耐食性および耐久性が充分に向上され
る。また、この種の防錆剤は防錆剤層上にさらに形成さ
れる潤滑剤層の潤滑剤を著しく劣化させることがなく、
従って、防錆剤層上にさらに潤滑剤層が形成されると、
潤滑剤の潤滑効果が良好に発揮されて、耐食性および耐
久性がさらに一段と向上される。
このようにしてコバルト不働態膜層上に被着して形成さ
れる防錆剤層の層厚は、20〜200人の範囲内にする
のが好ましく、20人より膜厚が薄いと所期の効果が得
られず、200人より厚くするとスペーシングロスが大
きくなりすぎて電磁変換特性に悪影響を及ぼす。
れる防錆剤層の層厚は、20〜200人の範囲内にする
のが好ましく、20人より膜厚が薄いと所期の効果が得
られず、200人より厚くするとスペーシングロスが大
きくなりすぎて電磁変換特性に悪影響を及ぼす。
また、強磁性金属薄膜層上に形成するコバルト不働態膜
層は、コバルトを主成分とする強磁性金属薄膜層の表面
に、水分の吸湿付着処理と、脱水酸化処理とを、同時ま
たは分離して処理することによって形成され、これらの
水分の吸湿付着処理と脱水酸化処理とを同時に行う場合
は、水分の吸湿と脱水との矛盾する工程を同時に行う必
要から、50%RH以下の低湿度下で、40℃以上に加
熱して行われる。従って、水分の吸湿付着処理と脱水酸
化処理とを同時に行う場合は、制御が困難なきらいがあ
り1、この点、水分の吸湿付着処理と脱水酸化処理とを
別個に分離して行う場合は、制御が容易かつ確実に行え
る。
層は、コバルトを主成分とする強磁性金属薄膜層の表面
に、水分の吸湿付着処理と、脱水酸化処理とを、同時ま
たは分離して処理することによって形成され、これらの
水分の吸湿付着処理と脱水酸化処理とを同時に行う場合
は、水分の吸湿と脱水との矛盾する工程を同時に行う必
要から、50%RH以下の低湿度下で、40℃以上に加
熱して行われる。従って、水分の吸湿付着処理と脱水酸
化処理とを同時に行う場合は、制御が困難なきらいがあ
り1、この点、水分の吸湿付着処理と脱水酸化処理とを
別個に分離して行う場合は、制御が容易かつ確実に行え
る。
このような水分の吸湿付着処理は、水蒸気圧が10’ト
一ル以上の雰囲気内に強磁性金属薄膜層を曝せばよく、
強磁性金属薄膜層を飽和水蒸気圧下に曝した場合は、の
ちの脱水乾燥時に水分量を制御すればよい。しかしなが
ら、通常の作業性などを考慮すれば室温にて30〜80
%RHの湿度で0.1〜24時間放置するのが好ましい
。
一ル以上の雰囲気内に強磁性金属薄膜層を曝せばよく、
強磁性金属薄膜層を飽和水蒸気圧下に曝した場合は、の
ちの脱水乾燥時に水分量を制御すればよい。しかしなが
ら、通常の作業性などを考慮すれば室温にて30〜80
%RHの湿度で0.1〜24時間放置するのが好ましい
。
また脱水酸化処理は、適切な酸化反応を行わせるために
、酸化反応の反応系外に水分を除去する必要があり、そ
のため強磁性金N薄膜層を形成した磁気記録媒体を閉じ
た系内で乾燥した状態で酸化反応させるのが好ましい。
、酸化反応の反応系外に水分を除去する必要があり、そ
のため強磁性金N薄膜層を形成した磁気記録媒体を閉じ
た系内で乾燥した状態で酸化反応させるのが好ましい。
この乾燥した状態で酸化反応をさせる方法としては、減
圧した後、純酸素ガスなどの酸素が主成分となる雰囲気
下で酸化反応させる以外に、乾燥剤の存在下で酸化反応
させてもよく、加熱酸素ガスを流通させるなどの方法で
もよい。また、密閉缶などを使用して閉じた系内で行う
場合は、この缶内を一旦100トール以下、好ましくは
50トール以下に減圧し、その後酸素ガスを分圧で50
%以上含有する雰囲気、好ましくは2気圧以下の加圧下
で反応させるのが好ましい。なお、酸化反応時には、1
00%酸素の純酸素ガスである必要はなく、酸素ガスを
分圧で50%以上含有させ、残りをArガス、N2ガス
などの不活性ガスで占めるように混合したものを使用し
てもよい。
圧した後、純酸素ガスなどの酸素が主成分となる雰囲気
下で酸化反応させる以外に、乾燥剤の存在下で酸化反応
させてもよく、加熱酸素ガスを流通させるなどの方法で
もよい。また、密閉缶などを使用して閉じた系内で行う
場合は、この缶内を一旦100トール以下、好ましくは
50トール以下に減圧し、その後酸素ガスを分圧で50
%以上含有する雰囲気、好ましくは2気圧以下の加圧下
で反応させるのが好ましい。なお、酸化反応時には、1
00%酸素の純酸素ガスである必要はなく、酸素ガスを
分圧で50%以上含有させ、残りをArガス、N2ガス
などの不活性ガスで占めるように混合したものを使用し
てもよい。
このような、水分の吸湿付着処理と、脱水酸化処理とが
行われると、化学式Co3O4・nH2OないしCo2
O3・nH2Oで表されるような、主に3価以上の高次
のコバルトイオンを含むオキシ水酸化物層からなるコバ
ルト不働態膜層が強磁性金属薄膜層上に形成され、強磁
性金属薄膜層の腐食が良好に防止されて、耐食性、走行
性および耐久性が充分に改善される。
行われると、化学式Co3O4・nH2OないしCo2
O3・nH2Oで表されるような、主に3価以上の高次
のコバルトイオンを含むオキシ水酸化物層からなるコバ
ルト不働態膜層が強磁性金属薄膜層上に形成され、強磁
性金属薄膜層の腐食が良好に防止されて、耐食性、走行
性および耐久性が充分に改善される。
このように、強磁性金属薄膜層上にコバルト不働態膜層
を形成し、さらにコバルト不働態膜層上に防錆剤層を形
成すると、耐久性および耐食性が充分に向上されるが、
この防錆剤層上に、さらに潤滑剤層を形成すると、潤滑
剤層の潤滑効果が充分に発揮され、摩擦係数が充分に低
減されて、耐摩耗性が一段と向上される。
を形成し、さらにコバルト不働態膜層上に防錆剤層を形
成すると、耐久性および耐食性が充分に向上されるが、
この防錆剤層上に、さらに潤滑剤層を形成すると、潤滑
剤層の潤滑効果が充分に発揮され、摩擦係数が充分に低
減されて、耐摩耗性が一段と向上される。
このような潤滑剤層は、潤滑剤を、トルエン、メチルイ
ソブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルム
アミド、ジオキサン等の適当な溶剤に熔解し、溶解によ
って得られた溶液中に前記の防錆剤層を浸漬するか、あ
るいはこの溶液を前記の防錆剤層上に塗布または噴霧す
るなどの方法で形成され、この他、潤滑剤を前記の防錆
剤層上に真空蒸着するなどの方法でも形成される。この
ようにして前記の防錆剤層上に、潤滑剤層が形成される
と、潤滑剤層の潤滑効果が充分に発揮されて、摩擦係数
が充分に低減され、耐摩耗性が一段と向上される。
ソブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルム
アミド、ジオキサン等の適当な溶剤に熔解し、溶解によ
って得られた溶液中に前記の防錆剤層を浸漬するか、あ
るいはこの溶液を前記の防錆剤層上に塗布または噴霧す
るなどの方法で形成され、この他、潤滑剤を前記の防錆
剤層上に真空蒸着するなどの方法でも形成される。この
ようにして前記の防錆剤層上に、潤滑剤層が形成される
と、潤滑剤層の潤滑効果が充分に発揮されて、摩擦係数
が充分に低減され、耐摩耗性が一段と向上される。
使用される潤滑剤としては、脂肪族系潤滑剤、フッ素系
潤滑剤、シリコーン系潤滑剤および炭化水素系潤滑剤等
がいずれも好適なものとして使用され、脂肪族系潤滑剤
としては、脂肪酸、脂肪酸の金属塩、脂肪酸エステル、
脂肪酸アミド、脂肪族アルコールなどが使用される。脂
肪酸としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン
酸、ステアリン酸、ベヘン酸などが好ましく使用され、
脂肪酸の金属塩としては、これらの脂肪酸のマグネシウ
ム塩、アルミニウム塩、リチウム塩、ナトリウム塩、カ
ルシウム塩、コバルト塩、亜鉛塩、バリウム塩、鉛塩な
どが好適に使用される。また脂肪酸エステルとしては、
ステアリン酸ブチル、ミリスチン酸オクチル、ステアリ
ン酸モノグリセリド、パルミチン酸モノグリセリド、オ
レイン酸モノグリセリドなどが好ましく使用され、脂肪
酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸アミ
ド、ラウリン酸アミド、バルミチン酸アミド、ベヘン酸
アミド、オレイン酸アミド、リノール酸アミド、メチレ
ンビスステアリン酸アミドなどが好ましく使用される。
潤滑剤、シリコーン系潤滑剤および炭化水素系潤滑剤等
がいずれも好適なものとして使用され、脂肪族系潤滑剤
としては、脂肪酸、脂肪酸の金属塩、脂肪酸エステル、
脂肪酸アミド、脂肪族アルコールなどが使用される。脂
肪酸としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン
酸、ステアリン酸、ベヘン酸などが好ましく使用され、
脂肪酸の金属塩としては、これらの脂肪酸のマグネシウ
ム塩、アルミニウム塩、リチウム塩、ナトリウム塩、カ
ルシウム塩、コバルト塩、亜鉛塩、バリウム塩、鉛塩な
どが好適に使用される。また脂肪酸エステルとしては、
ステアリン酸ブチル、ミリスチン酸オクチル、ステアリ
ン酸モノグリセリド、パルミチン酸モノグリセリド、オ
レイン酸モノグリセリドなどが好ましく使用され、脂肪
酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸アミ
ド、ラウリン酸アミド、バルミチン酸アミド、ベヘン酸
アミド、オレイン酸アミド、リノール酸アミド、メチレ
ンビスステアリン酸アミドなどが好ましく使用される。
さらに脂肪族アルコールとしては、ステアリルアルコー
ル、ミリスチルアルコールなどが好ましく使用され、こ
の他、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド、
塩化ステアコイル等の塩化物、ステアリルアミン、ステ
アリルアミンアセテート、ステアリルアミンハイドロク
ロライド等のアミンなども使用される。
ル、ミリスチルアルコールなどが好ましく使用され、こ
の他、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド、
塩化ステアコイル等の塩化物、ステアリルアミン、ステ
アリルアミンアセテート、ステアリルアミンハイドロク
ロライド等のアミンなども使用される。
またフッ素系潤滑剤としては、トリクロロフルオロエチ
レン、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロアルキ
ルポリエーテル、パーフルオロアルキルカルボン酸など
が好適なものとして使用され、市販品の具体例としては
、ダイキン社製グイフロイル#20、デュポン社製タラ
イトックスM、タライトツクスH,パイダックスAR,
モンテジソン社製フォンブリン21フォンプリンZ−D
IOL、フォンブリンV 84/20等が挙げられる。
レン、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロアルキ
ルポリエーテル、パーフルオロアルキルカルボン酸など
が好適なものとして使用され、市販品の具体例としては
、ダイキン社製グイフロイル#20、デュポン社製タラ
イトックスM、タライトツクスH,パイダックスAR,
モンテジソン社製フォンブリン21フォンプリンZ−D
IOL、フォンブリンV 84/20等が挙げられる。
さらにシリコーン系潤滑剤としては、シリコーンオイル
、変性シリコーンオイル等が挙げられ、炭化水素系潤滑
剤としては、パラフィン、スクアラン、ワックス等が好
適なものとして使用される。
、変性シリコーンオイル等が挙げられ、炭化水素系潤滑
剤としては、パラフィン、スクアラン、ワックス等が好
適なものとして使用される。
このような潤滑剤を用いて形成される潤滑剤層の層厚は
、潤滑効果を充分に発揮させて耐摩耗性を充分に向上さ
せるため20Å以上にするのが好ましい。しかし、前記
のコバルト不働態膜層上に被着形成した防錆剤層との合
計厚が1000人より厚くなると、スペーシングロスが
大きくなって、電磁変換特性が劣化するおそれがあるた
め、前記防錆剤層との合計厚が1000Å以下となるよ
うにするのが好ましい。
、潤滑効果を充分に発揮させて耐摩耗性を充分に向上さ
せるため20Å以上にするのが好ましい。しかし、前記
のコバルト不働態膜層上に被着形成した防錆剤層との合
計厚が1000人より厚くなると、スペーシングロスが
大きくなって、電磁変換特性が劣化するおそれがあるた
め、前記防錆剤層との合計厚が1000Å以下となるよ
うにするのが好ましい。
また、この発明の磁気記録媒体は、強磁性金属薄膜層を
表面に有する基体の裏面に必要に応じてバックコート層
を設けてもよく、このバックコート層は、ベンガラ、硫
酸バリウム、炭酸カルシウム、カーボンブラックなどの
充填剤を、結合剤成分および有機溶剤等とともに混合分
散してバックコート層用塗料を調製し、このバックコー
ト層用塗料を基体の裏面に、塗布、乾燥して形成される
。なお、バックコート層用塗料中には、通常使用されて
いる各種添加剤、たとえば、分散剤、潤滑剤、研磨剤、
帯電防止剤などを適宜に添加使用してもよい。
表面に有する基体の裏面に必要に応じてバックコート層
を設けてもよく、このバックコート層は、ベンガラ、硫
酸バリウム、炭酸カルシウム、カーボンブラックなどの
充填剤を、結合剤成分および有機溶剤等とともに混合分
散してバックコート層用塗料を調製し、このバックコー
ト層用塗料を基体の裏面に、塗布、乾燥して形成される
。なお、バックコート層用塗料中には、通常使用されて
いる各種添加剤、たとえば、分散剤、潤滑剤、研磨剤、
帯電防止剤などを適宜に添加使用してもよい。
強磁性金属薄膜層の形成材料としては、COR体の他、
Coを主成分として含むCo−Cr合金、Co N
i合金、Go−P合金、Co−Fe合金、Co−Fe−
Cr合金等のCoo合金が好適なものとして使用され、
これらの強磁性材は、真空蒸着、イオンブレーティング
、スパッタリング、メッキ等の手段によって基体フィル
ム上に被着され、Coを主成分とした金属からなる強磁
性金属薄膜層が形成される。
Coを主成分として含むCo−Cr合金、Co N
i合金、Go−P合金、Co−Fe合金、Co−Fe−
Cr合金等のCoo合金が好適なものとして使用され、
これらの強磁性材は、真空蒸着、イオンブレーティング
、スパッタリング、メッキ等の手段によって基体フィル
ム上に被着され、Coを主成分とした金属からなる強磁
性金属薄膜層が形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィルム、アル
ミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを基
体とする磁気ディスクや磁気ドラム、さらに磁気カード
など、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含す
る。
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィルム、アル
ミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを基
体とする磁気ディスクや磁気ドラム、さらに磁気カード
など、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含す
る。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例1〜12
第1図に示す真空蒸着装置を使用し、厚さ12μmのポ
リエステルフィルムlを、真空槽2内の原反ロール3か
ら円筒状キャン4の周側面に沿って走行させ、巻き取り
ロール5に巻き取るようにセットした。同時に、真空槽
2内下部に配置した強磁性材蒸発源6内にコバルト−ニ
ッケル合金(原子比80:20)7をセットした。次い
で、真空槽2に連結した排気系8で真空槽2内を5×1
0°5トールまで減圧したのち、円筒状キャン4とその
直下に配設した防着板9との間に導入した酸素ガス導入
管10から酸素ガスを導入し、1.5×10″′4トー
ルの酸素雰囲気中で、強磁性材蒸発源6内のコバルト−
ニッケル合金7を加熱蒸発させて真空蒸着を行い、ポリ
エステルフィルム1上に厚さ1400人のコバルト−ニ
ッケル合金からなる強磁性金属薄膜層を形成した。
リエステルフィルムlを、真空槽2内の原反ロール3か
ら円筒状キャン4の周側面に沿って走行させ、巻き取り
ロール5に巻き取るようにセットした。同時に、真空槽
2内下部に配置した強磁性材蒸発源6内にコバルト−ニ
ッケル合金(原子比80:20)7をセットした。次い
で、真空槽2に連結した排気系8で真空槽2内を5×1
0°5トールまで減圧したのち、円筒状キャン4とその
直下に配設した防着板9との間に導入した酸素ガス導入
管10から酸素ガスを導入し、1.5×10″′4トー
ルの酸素雰囲気中で、強磁性材蒸発源6内のコバルト−
ニッケル合金7を加熱蒸発させて真空蒸着を行い、ポリ
エステルフィルム1上に厚さ1400人のコバルト−ニ
ッケル合金からなる強磁性金属薄膜層を形成した。
次いで、このコバルト−ニッケル合金からなる強磁性金
属薄膜層を形成したポリエステルフィルム1を、真空槽
2から取り出し、25℃、60%RHの条件下で3時間
静置して吸湿処理を行った。しかる後、密閉容器に移し
、15トールまで減圧して幾湿し、次に乾燥酸素ガスを
容器内に導入し、器内の酸素圧力を1.2気圧となるよ
うに加圧した。このまま1週間静置し、緩酸化反応をす
すめて強磁性金属薄膜層表面に、コバルト不働態膜層を
形成した。このコバルト不働態膜層をXPS分析したと
ころ、僅かに2価のコバルトイオンを含むが、殆ど3価
以上のコバルトイオンからなるコバルトオキシ水酸化物
であった。また、このコバルト不働態膜層を形成した強
磁性金属薄膜層の飽和磁束密度は6450ガウス、保磁
力は1050エルステツドであった。
属薄膜層を形成したポリエステルフィルム1を、真空槽
2から取り出し、25℃、60%RHの条件下で3時間
静置して吸湿処理を行った。しかる後、密閉容器に移し
、15トールまで減圧して幾湿し、次に乾燥酸素ガスを
容器内に導入し、器内の酸素圧力を1.2気圧となるよ
うに加圧した。このまま1週間静置し、緩酸化反応をす
すめて強磁性金属薄膜層表面に、コバルト不働態膜層を
形成した。このコバルト不働態膜層をXPS分析したと
ころ、僅かに2価のコバルトイオンを含むが、殆ど3価
以上のコバルトイオンからなるコバルトオキシ水酸化物
であった。また、このコバルト不働態膜層を形成した強
磁性金属薄膜層の飽和磁束密度は6450ガウス、保磁
力は1050エルステツドであった。
次ぎに、このコバルト不働態膜層を形成した強磁性金属
薄膜層上に、下記第1表に示す防錆剤をベンゼン、メチ
ルイソブチルケトン、エチルアルコール、テトラヒドロ
フラン等の溶剤に溶解した溶液濃度が5X10−5+m
ol/j!の溶液を塗布し、厚さが約100人の防錆剤
層を形成した。
薄膜層上に、下記第1表に示す防錆剤をベンゼン、メチ
ルイソブチルケトン、エチルアルコール、テトラヒドロ
フラン等の溶剤に溶解した溶液濃度が5X10−5+m
ol/j!の溶液を塗布し、厚さが約100人の防錆剤
層を形成した。
しかる後、さらにこの防錆剤層上に、フォンブリンZ−
DIOL (モンテジソン社製、フッ素オイル)とフォ
ンプリンV84/20 (モンテジソン社製、フッ素固
形物)の1:1の混合物をフロリナートFC77(住友
スリーエム社製、フレオン溶剤)に熔解した溶液濃度が
0.5g/Itの溶液を塗布し、乾燥して、フォンブリ
ンZ−D I OLとフォンブリンV 84/20から
なる厚さが約100人の潤滑剤層を形成した。
DIOL (モンテジソン社製、フッ素オイル)とフォ
ンプリンV84/20 (モンテジソン社製、フッ素固
形物)の1:1の混合物をフロリナートFC77(住友
スリーエム社製、フレオン溶剤)に熔解した溶液濃度が
0.5g/Itの溶液を塗布し、乾燥して、フォンブリ
ンZ−D I OLとフォンブリンV 84/20から
なる厚さが約100人の潤滑剤層を形成した。
次いで、強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィ
ルムの裏面に、下記のバックコート雇用塗料を塗布、乾
燥して厚さが1.0μmのバックコート層を形成した。
ルムの裏面に、下記のバックコート雇用塗料を塗布、乾
燥して厚さが1.0μmのバックコート層を形成した。
しかる後、所定の巾に裁断して二第2図に示すようなポ
リエステルフィルム1の表面に、強磁性金属薄膜層11
、コバルト不働態膜層12、防錆剤層13および潤滑剤
層14を順次に積層形成し、裏面にバンクコート層15
を形成した磁気テープAをつくった。
リエステルフィルム1の表面に、強磁性金属薄膜層11
、コバルト不働態膜層12、防錆剤層13および潤滑剤
層14を順次に積層形成し、裏面にバンクコート層15
を形成した磁気テープAをつくった。
第1表
バックコート層用塗料
パルカンXC−72(キャボフト 300ffi1部社
製、カーボンブラック) VAGH(tl、c、c社製、塩化ビ 100〃ニル−
酢酸ビニル−ビニルア ルコール共重合体) N−2301(日本ポリウレタンエ 70〃業社製、
ウレタン樹脂) コロネートしく日本ボリウレタ 30〃ン工業社製、
三官能性低分子 量イソシアネート化合物) ミリスチン酸 10〃ステアリン
酸−n−ブチル 5 〃シクロヘキサノン
750〃トルエン 7
50〃実施例13〜24 実施例1〜12において、潤滑剤層の形成を省いた以外
は実施例1〜12と同様にして、第3図に示すようなポ
リエステルフィルム1の表面に、強磁性金属薄膜層11
、コバルト不i’!h態膜層12および防錆剤層13を
順次に積層形成し、裏面にバックコート層15を形成し
た磁気テープBをつく った。
製、カーボンブラック) VAGH(tl、c、c社製、塩化ビ 100〃ニル−
酢酸ビニル−ビニルア ルコール共重合体) N−2301(日本ポリウレタンエ 70〃業社製、
ウレタン樹脂) コロネートしく日本ボリウレタ 30〃ン工業社製、
三官能性低分子 量イソシアネート化合物) ミリスチン酸 10〃ステアリン
酸−n−ブチル 5 〃シクロヘキサノン
750〃トルエン 7
50〃実施例13〜24 実施例1〜12において、潤滑剤層の形成を省いた以外
は実施例1〜12と同様にして、第3図に示すようなポ
リエステルフィルム1の表面に、強磁性金属薄膜層11
、コバルト不i’!h態膜層12および防錆剤層13を
順次に積層形成し、裏面にバックコート層15を形成し
た磁気テープBをつく った。
比較例1
実施例1において、防錆剤層の形成を省いた以外は、実
施例1と同様にして磁気テープをつくった。
施例1と同様にして磁気テープをつくった。
比較例2
実施例1における防錆剤層の形成において、2−メルカ
プトベンゾチアゾールに代えて、ラノリン脂肪酸カルシ
ウム石鹸を同量使用した以外は実施例1と同様にして防
錆剤層を形成し、さらにコバルト不働態膜層の形成を省
いた以外は、実施例1と同様にして磁気テープをつくっ
た。
プトベンゾチアゾールに代えて、ラノリン脂肪酸カルシ
ウム石鹸を同量使用した以外は実施例1と同様にして防
錆剤層を形成し、さらにコバルト不働態膜層の形成を省
いた以外は、実施例1と同様にして磁気テープをつくっ
た。
比較例3
実施例13において、防錆剤層の形成を省いた以外は、
実施例13と同様にして磁気テープをつく った。
実施例13と同様にして磁気テープをつく った。
比較例4
実施例13における防錆剤層の形成おいて、2−メルカ
プトベンゾチアゾールに代えて、トリエタノールアミン
を同量使用した以外は実施例13と同様にして防錆剤層
を形成し、さらにコバルト不働態膜層の形成を省いた以
外は、実施例13と同様にして磁気テープをつくった。
プトベンゾチアゾールに代えて、トリエタノールアミン
を同量使用した以外は実施例13と同様にして防錆剤層
を形成し、さらにコバルト不働態膜層の形成を省いた以
外は、実施例13と同様にして磁気テープをつくった。
各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
摩擦係数を測定した。また、25℃、50%RHの条件
下で、再生時のスチル寿命を測定した後、保存テストを
行った。保存テストは、ソニー社製8ミリVTR,EV
−3700を用イテ300回走行させた後、60℃、9
0%RH中で100時間保存して、保存前後のジッター
およびドロップアウトの変化を測定し、良好な結果が得
られたものを(○)、良好な結果が得られなかったもの
を(×)として評価した。
摩擦係数を測定した。また、25℃、50%RHの条件
下で、再生時のスチル寿命を測定した後、保存テストを
行った。保存テストは、ソニー社製8ミリVTR,EV
−3700を用イテ300回走行させた後、60℃、9
0%RH中で100時間保存して、保存前後のジッター
およびドロップアウトの変化を測定し、良好な結果が得
られたものを(○)、良好な結果が得られなかったもの
を(×)として評価した。
下記第2表はその結果である。
第2表
〔発明の効果〕
上記第2表から明らかなように、この発明で得られた磁
気テープ(実施例工ないし24)は、いずれも比較例1
ないし4で得られた磁気テープに比し、摩擦係数および
スチール寿命が同等で、保存テストの結果がよ(、この
ことからこの発明で得られる磁気テープは、耐久性およ
び走行性が良好で、耐食性が一段と向上されていること
がわかる。
気テープ(実施例工ないし24)は、いずれも比較例1
ないし4で得られた磁気テープに比し、摩擦係数および
スチール寿命が同等で、保存テストの結果がよ(、この
ことからこの発明で得られる磁気テープは、耐久性およ
び走行性が良好で、耐食性が一段と向上されていること
がわかる。
第1図はこの発明で使用する真空蒸着装置の概略断面図
、第2図および第3図はこの発明によって得られた磁気
テープの部分拡大断面図である。 1・・・ポリエステルフィルム(基体)、11・・・強
磁性金属薄膜層、12・・・コバルト不働態膜層、13
・・・防錆剤層、14・・・潤滑剤層、A、 B・・・
磁気テープ(磁気記録媒体) 第1図 第2図 第3図
、第2図および第3図はこの発明によって得られた磁気
テープの部分拡大断面図である。 1・・・ポリエステルフィルム(基体)、11・・・強
磁性金属薄膜層、12・・・コバルト不働態膜層、13
・・・防錆剤層、14・・・潤滑剤層、A、 B・・・
磁気テープ(磁気記録媒体) 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基体上にコバルトを主成分とする強磁性金属薄膜層
を設け、この強磁性金属薄膜層上にコバルト不働態膜層
を設けて、さらにこのコバルト不働態膜層上に、2−メ
ルカプトベンゾチアゾール、2−ペンチルアミノベンジ
ンイミダゾール、1,2,3−ベンゾトリアゾール、2
−ニトロソ−1−ナフトール、1−ニトロソ−2−ナフ
トール、サリチルアルドキシム、α−ベンゾインオキシ
ム、フィチン酸、キナルジン酸、8−ヒドロキシキノリ
ン、2−メチル−8−ヒドロキシキノリン、ナフトアル
デヒドおよびこれらの誘導体から選ばれる少なくとも1
種以上の防錆剤を被着して防錆剤層を設けたことを特徴
とする磁気記録媒体 2、コバルト不働態膜層が主に3価以上の高次のコバル
トイオンを含むオキシ水酸化物層である特許請求の範囲
第1項記載の磁気記録媒体 3、基体上にコバルトを主成分とする強磁性金属薄膜層
を設け、この強磁性金属薄膜層上にコバルト不働態膜層
を設けて、さらにこのコバルト不働態膜層上に、2−メ
ルカプトベンゾチアゾール、2−ペンチルアミノベンジ
ンイミダゾール、1,2,3−ベンゾトリアゾール、2
−ニトロソ−1−ナフトール、1−ニトロソ−2−ナフ
トール、サリチルアルドキシム、α−ベンゾインオキシ
ム、フィチン酸、キナルジン酸、8−ヒドロキシキノリ
ン、2−メチル−8−ヒドロキシキノリン、ナフトアル
デヒドおよびこれらの誘導体から選ばれる少なくとも1
種以上の防錆剤を被着して防錆剤層を設け、この防錆剤
層上にさらに潤滑剤層を設けたことを特徴とする磁気記
録媒体 4、コバルト不働態膜層が主に3価以上の高次のコバル
トイオンを含むオキシ水酸化物層である特許請求の範囲
第3項記載の磁気記録媒体
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3189387A JPS63200315A (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 磁気記録媒体 |
KR1019880001135A KR880009340A (ko) | 1987-02-14 | 1988-02-08 | 자기기록 매체 및 그 제조방법 |
EP88102102A EP0279381B1 (en) | 1987-02-14 | 1988-02-12 | Magnetic recording medium |
US07/155,483 US4983455A (en) | 1987-02-14 | 1988-02-12 | Magnetic recording medium and process for producing the same |
DE3889137T DE3889137D1 (de) | 1987-02-14 | 1988-02-12 | Magnetischer Aufzeichnungsträger. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3189387A JPS63200315A (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63200315A true JPS63200315A (ja) | 1988-08-18 |
Family
ID=12343696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3189387A Pending JPS63200315A (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63200315A (ja) |
-
1987
- 1987-02-14 JP JP3189387A patent/JPS63200315A/ja active Pending
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