JPS62274277A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS62274277A JPS62274277A JP61117235A JP11723586A JPS62274277A JP S62274277 A JPS62274277 A JP S62274277A JP 61117235 A JP61117235 A JP 61117235A JP 11723586 A JP11723586 A JP 11723586A JP S62274277 A JPS62274277 A JP S62274277A
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- circuits
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路装置に関するもので、例え
ばコトロールド・コラプス・ボンディング技術(以下、
CCB技術と称する)によってボンディングが行われる
半導体!!積回路装置に利用して有効な技術に関するも
のである。
ばコトロールド・コラプス・ボンディング技術(以下、
CCB技術と称する)によってボンディングが行われる
半導体!!積回路装置に利用して有効な技術に関するも
のである。
半導体集積回路装置をCCB技術によってボンディング
することは、例えば、麹サンエンスフオーラム、昭和5
8年11月28日付「超LSIデバイスハンドブック1
頁253〜頁238により知られている。
することは、例えば、麹サンエンスフオーラム、昭和5
8年11月28日付「超LSIデバイスハンドブック1
頁253〜頁238により知られている。
1つの配m基板に複数の半導体集積回路装置を上記CC
B技術によってポンディグさせる場合、その接続が正常
に行われているか否かをチェックすることが極めて困難
となってしまう。すなわち、テストピンを用いるとピン
数が増大する。これとともに1つのビン当たり数gのよ
うな針圧が必要となるので、約数百本からなる超LSI
では全体のピン圧力が膨大となってしまう、また、目視
では正確な判定ができない。
B技術によってポンディグさせる場合、その接続が正常
に行われているか否かをチェックすることが極めて困難
となってしまう。すなわち、テストピンを用いるとピン
数が増大する。これとともに1つのビン当たり数gのよ
うな針圧が必要となるので、約数百本からなる超LSI
では全体のピン圧力が膨大となってしまう、また、目視
では正確な判定ができない。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、外部端子の信号を所定のテストモード信号に
従ってフリップフロップ回路に取り込むゲート回路と、
上記フリップフロップ回路を単位回路とし、その保持情
報をシリアルに入力又は出力させるシフトレジスタを構
成する。
従ってフリップフロップ回路に取り込むゲート回路と、
上記フリップフロップ回路を単位回路とし、その保持情
報をシリアルに入力又は出力させるシフトレジスタを構
成する。
上記した手段によれば、外部入力端子に供給した信号を
シフトレジスタに取り込みこと及びシフトレジスタの信
号を外部出力端子へ送出することによって、バンプ電極
と配線基板との電気的接続を調べることができる。
シフトレジスタに取り込みこと及びシフトレジスタの信
号を外部出力端子へ送出することによって、バンプ電極
と配線基板との電気的接続を調べることができる。
(実施例1〕
第1図には、この発明が適用された半導体集積回路装置
の入力回路の一実施例の回路図が示されている。同図の
各回路は、公知の半導体集積回路の製造技術によって、
特に制限されないが、単結晶シリコンのような1個の半
導体基板上°において形成される。特に制限されないが
、同図の半導体集積回路は、ECL (エミッタ・カッ
プルド・ロジック)回路により構成される。
の入力回路の一実施例の回路図が示されている。同図の
各回路は、公知の半導体集積回路の製造技術によって、
特に制限されないが、単結晶シリコンのような1個の半
導体基板上°において形成される。特に制限されないが
、同図の半導体集積回路は、ECL (エミッタ・カッ
プルド・ロジック)回路により構成される。
端子A、B等は、半導体基板上に形成されるバンプ電極
のような電極とされる。この端子A、 B等は、面付
は技術のような半導体ペレット取り付は技術によって、
配線基板のような取付基板の電極と結合される。
のような電極とされる。この端子A、 B等は、面付
は技術のような半導体ペレット取り付は技術によって、
配線基板のような取付基板の電極と結合される。
入力端子Aに対応された単位の入力回路INIは、外部
信号を内部回路に伝える入力機能と、後述するようなテ
ストm能を持つようにされる。すなわち、外部端子Aの
信号は、大力バッフ回路を構成するノア(NOR)ゲー
ト回路G1の一方の入力端子に供給される。このノアゲ
ート回路G1の反転出力から反転の内部信号aが送出さ
れ、非反転出力から非反転信号aが送出される。
信号を内部回路に伝える入力機能と、後述するようなテ
ストm能を持つようにされる。すなわち、外部端子Aの
信号は、大力バッフ回路を構成するノア(NOR)ゲー
ト回路G1の一方の入力端子に供給される。このノアゲ
ート回路G1の反転出力から反転の内部信号aが送出さ
れ、非反転出力から非反転信号aが送出される。
上記入力端子Aの信号は、アンド(AND)ゲート回路
G3の一方の入力に供給される。このアンドゲート回路
G3の他方に入力には、テストモード端子MODからの
テストモード信号を受けるノアゲート回路G5の非反転
出力信号が供給される。このゲート回路G5の反転出力
信号は、アンドゲート回路G4の一方の入力端子に供給
される。
G3の一方の入力に供給される。このアンドゲート回路
G3の他方に入力には、テストモード端子MODからの
テストモード信号を受けるノアゲート回路G5の非反転
出力信号が供給される。このゲート回路G5の反転出力
信号は、アンドゲート回路G4の一方の入力端子に供給
される。
このアンドゲート回路G4の他方の入力端子には、テス
ト端子TDの信号を受けるノアゲート回路G11の反転
出力信号が供給される。上記ゲート回路G3と04の出
力端子は、特に制限されないが、ワイヤードオア構成に
接続され、フリップフロップ回路FFIの入力端子に結
合される。
ト端子TDの信号を受けるノアゲート回路G11の反転
出力信号が供給される。上記ゲート回路G3と04の出
力端子は、特に制限されないが、ワイヤードオア構成に
接続され、フリップフロップ回路FFIの入力端子に結
合される。
このフリップフロップ回路FFIの出力信号は、一方に
おいて上記アンドアゲート回路G3と同じテストモード
信号によって制御されるアンドゲート回路G2を介して
上記入力バッファ回路を構成するノアゲート回路G1の
他方の入力端子に供給される。
おいて上記アンドアゲート回路G3と同じテストモード
信号によって制御されるアンドゲート回路G2を介して
上記入力バッファ回路を構成するノアゲート回路G1の
他方の入力端子に供給される。
入力端子Bに対応された単位の入力回路IN2も上記単
位回路と類似の回路により構成される。
位回路と類似の回路により構成される。
すなわち、外部端子Bの信号は、入力パンツ回路を構成
するノア(NOR)ゲート回路G6の一方の入力端子に
供給される。このノアゲート回路G6の反転出力から反
転の内部信号すが送出され、非反転出力から非反転信号
すが送出される。
するノア(NOR)ゲート回路G6の一方の入力端子に
供給される。このノアゲート回路G6の反転出力から反
転の内部信号すが送出され、非反転出力から非反転信号
すが送出される。
上記入力端子Bの信号は、アンドゲート回路G8の一方
の入力に供給される。このアントゲート回路G8の他方
に入力には、テストモード端子MODからの上記テスト
モード信号を受けるノアゲート、回路GIOの非反転出
力信号が供給される。
の入力に供給される。このアントゲート回路G8の他方
に入力には、テストモード端子MODからの上記テスト
モード信号を受けるノアゲート、回路GIOの非反転出
力信号が供給される。
このゲート回路GIOの反転出力信号は、アンドゲート
回路G9の一方の入力端子に供給される。
回路G9の一方の入力端子に供給される。
このアンドゲート回路G9の他方の入力端子には、上記
フリップフロップ回路FFIの出力信号が供給される。
フリップフロップ回路FFIの出力信号が供給される。
これにより、上記フリップフロップ回路FFIとFF2
が縦列接続されることによってシフトレジスタ構成にさ
れる。
が縦列接続されることによってシフトレジスタ構成にさ
れる。
上記ゲート回路G8と09の出力端子は、特に制限され
ないが、ワイヤードオア構成に接続され、フリップフロ
ップ回路FF2の入力端子に結合される。
ないが、ワイヤードオア構成に接続され、フリップフロ
ップ回路FF2の入力端子に結合される。
このフリップフロップ回路FFIの出力信号は、一方に
おいて上記アンドアゲート回路G8と同じテストモード
信号によりて制御されるアンドゲート回路G7を介して
上記入力バッファ回路を構成するノアゲート回路G6の
他方の入力端子に供給される。
おいて上記アンドアゲート回路G8と同じテストモード
信号によりて制御されるアンドゲート回路G7を介して
上記入力バッファ回路を構成するノアゲート回路G6の
他方の入力端子に供給される。
以下、他の外部入力端子も、上記単位回路IN2と同様
な単位回路が設けられ、そのフリップフロップ回路が上
記のように縦列接続される。そして、最終段とされた単
位回路の出力信号は、テスト出力回路を介して外部端子
へ送出される。これによって、端子A、B等と取付基板
との間の接続チェックが可能となる。すなわち、後で更
に詳細に説明するように、取付基板の端子と図示の端子
A、 Bとの接続が悪いなら、取付基板からの信号が端
子A、B等に供給されなくなる。これに応じて、テスト
用出力回路から正常接続状態時に期待されるようなパタ
ーンの信号が出力されなくなる。
な単位回路が設けられ、そのフリップフロップ回路が上
記のように縦列接続される。そして、最終段とされた単
位回路の出力信号は、テスト出力回路を介して外部端子
へ送出される。これによって、端子A、B等と取付基板
との間の接続チェックが可能となる。すなわち、後で更
に詳細に説明するように、取付基板の端子と図示の端子
A、 Bとの接続が悪いなら、取付基板からの信号が端
子A、B等に供給されなくなる。これに応じて、テスト
用出力回路から正常接続状態時に期待されるようなパタ
ーンの信号が出力されなくなる。
なお、上記フリップフロップ回路FF1.FF2等から
なるシフトレジスタのシフト動作を実現するためのクロ
ック信号線は、図面が複雑化されてしまうのを防ぐため
省略されている。
なるシフトレジスタのシフト動作を実現するためのクロ
ック信号線は、図面が複雑化されてしまうのを防ぐため
省略されている。
〔実施例2〕
第2図には、この発明が適用された半導体集積回路装置
の出力回路の一実施例の回路図が示されている。
の出力回路の一実施例の回路図が示されている。
出力端子Xに対応された単位の出力回路0UT1は、内
部信号を外部端子Xに伝える出力機能と、後述するよう
なテストa能を持つようにされる。
部信号を外部端子Xに伝える出力機能と、後述するよう
なテストa能を持つようにされる。
すなわち、内部信号は、出力バッフ回路を構成するノア
ゲート回路G16の入力に供給される。このノアゲート
回路G16の出力信号が上記外部端子Xへ送出される。
ゲート回路G16の入力に供給される。このノアゲート
回路G16の出力信号が上記外部端子Xへ送出される。
上記ノアゲート回路G16の出力端子の信号は、アンド
ゲート回路G17の一方の入力端子に供給される。この
アンドゲート回路G17の他方に入力には、上記11慎
のテストモード信号MOD’ を受けるノア・ゲート回
路019の非反転出力信号が供給される。このノアゲー
ト回路G19の反転出力信号は、アンドゲート回路G1
8の一方の入力に供給される。これによって、上記アン
ドゲート回路G17と018は、相補的に切り換えられ
る。上記アンドゲート回路G17と018の出力端子は
、特に制限されないが、ワイヤードオア構成に接続され
、フリップフロップ回路FF3の入力端子に結合される
。
ゲート回路G17の一方の入力端子に供給される。この
アンドゲート回路G17の他方に入力には、上記11慎
のテストモード信号MOD’ を受けるノア・ゲート回
路019の非反転出力信号が供給される。このノアゲー
ト回路G19の反転出力信号は、アンドゲート回路G1
8の一方の入力に供給される。これによって、上記アン
ドゲート回路G17と018は、相補的に切り換えられ
る。上記アンドゲート回路G17と018の出力端子は
、特に制限されないが、ワイヤードオア構成に接続され
、フリップフロップ回路FF3の入力端子に結合される
。
上記フリップフロップ回路FF3は、図示しない同様な
単位の出力回路のフリップフロップ回路の出力信号が上
記アンドゲート回路G18を介して伝えられることによ
って縦列形態にされる。
単位の出力回路のフリップフロップ回路の出力信号が上
記アンドゲート回路G18を介して伝えられることによ
って縦列形態にされる。
出力端子Yに対応された単位の出力回路0UT2は、上
記単位回路0UTIと同様な回路により構成されろ。す
なわち、内部信号は、出力バッフ回路を構成するノアゲ
ート回路G12の入力に供給される。このノアゲート回
路G12の出力信号が上記外部端子Yへ送出される。上
記ノアゲート回路G12の出力端子の信号は、アンドゲ
ート回路G13の一方の入力端子に供給される。このア
ンドゲート回路G13の他方に入力には、上記テストモ
ード信号MOD’を受けるノアゲート回路G15の非反
転出力信号が供給される。このノアゲート回路C,15
の反転出力信号は、アンドゲート回路G14の一方の入
力に供給される。これによって、上記アンドゲート回路
G 13とG14は、相補的に切り換えられる。上記ア
ンドゲート回路G13とG14の出力端子は、特に制限
されないが、ワイヤードオア構成に接読され、7971
7071回路FF4の入力端子に結合される。
記単位回路0UTIと同様な回路により構成されろ。す
なわち、内部信号は、出力バッフ回路を構成するノアゲ
ート回路G12の入力に供給される。このノアゲート回
路G12の出力信号が上記外部端子Yへ送出される。上
記ノアゲート回路G12の出力端子の信号は、アンドゲ
ート回路G13の一方の入力端子に供給される。このア
ンドゲート回路G13の他方に入力には、上記テストモ
ード信号MOD’を受けるノアゲート回路G15の非反
転出力信号が供給される。このノアゲート回路C,15
の反転出力信号は、アンドゲート回路G14の一方の入
力に供給される。これによって、上記アンドゲート回路
G 13とG14は、相補的に切り換えられる。上記ア
ンドゲート回路G13とG14の出力端子は、特に制限
されないが、ワイヤードオア構成に接読され、7971
7071回路FF4の入力端子に結合される。
上記フリップフロップ回路FF4は、上記単位回路OU
Tのフリップフロップ回路FF3の出力信号が上記アン
ドゲート回路G14を介して伝えられることによって縦
列形態にされる。すなわち、出力側回路における各フリ
ップフロップ回路FF3、FF4等も前記同様にシフト
レジスタ構成とされる。
Tのフリップフロップ回路FF3の出力信号が上記アン
ドゲート回路G14を介して伝えられることによって縦
列形態にされる。すなわち、出力側回路における各フリ
ップフロップ回路FF3、FF4等も前記同様にシフト
レジスタ構成とされる。
この実施例では、テストを容易にするために、上記各出
力バッファを構成するノアゲート回路G12、G16等
は、第3図に示すような出力レベル設定機能が設けられ
る。すなわち、入力信号を受けるトランジスタT1ない
しT3と、基準電圧■□を受けるトランジスタT6が差
動形態にされる。これらトランジスタT1ないしT3と
トランジスタT6の共通のエミッタに定電流源!0が設
けられ、トランジスタT1ないしT3の共通化さされた
コレクタには、負荷抵抗Rが設けられる。
力バッファを構成するノアゲート回路G12、G16等
は、第3図に示すような出力レベル設定機能が設けられ
る。すなわち、入力信号を受けるトランジスタT1ない
しT3と、基準電圧■□を受けるトランジスタT6が差
動形態にされる。これらトランジスタT1ないしT3と
トランジスタT6の共通のエミッタに定電流源!0が設
けられ、トランジスタT1ないしT3の共通化さされた
コレクタには、負荷抵抗Rが設けられる。
上記トランジスタT1ないしT3のコレクタの信号は、
エミッタフォロワ出力トランジスタT7を介して上記外
部端子X (Y)に伝えられろ。以上構成のECL回路
において、入力側トランジスタT1ないしT3及び基準
電位側トランジスタT6に対してそれぞれ並列形態にト
ランジスタT4とT5が設けられる。上記トランジスタ
T4のベースには、出力信号をロウレベルに設定する′
@御信号DLが供給され、トランジスタT5のベースに
は、出力信号をハイレベルに設定する制御信号DHが供
給される。すなわち、上記基本電位に対して、制御信号
DLをハイレベルにすると、トランジスタT4がオン状
態になって、出力信号を強制的にロウレベルにする。ま
た、入力信号のハイレベルに対して制御信号DHをハイ
レベルにすると、入力信号に無関係にトランジスタT5
がオン状態になって、言い換えるならば、入力信号を受
けるトランジスタT1ないしT3を強制的にオフ状態に
して、出力信号をハイレベルにする。
エミッタフォロワ出力トランジスタT7を介して上記外
部端子X (Y)に伝えられろ。以上構成のECL回路
において、入力側トランジスタT1ないしT3及び基準
電位側トランジスタT6に対してそれぞれ並列形態にト
ランジスタT4とT5が設けられる。上記トランジスタ
T4のベースには、出力信号をロウレベルに設定する′
@御信号DLが供給され、トランジスタT5のベースに
は、出力信号をハイレベルに設定する制御信号DHが供
給される。すなわち、上記基本電位に対して、制御信号
DLをハイレベルにすると、トランジスタT4がオン状
態になって、出力信号を強制的にロウレベルにする。ま
た、入力信号のハイレベルに対して制御信号DHをハイ
レベルにすると、入力信号に無関係にトランジスタT5
がオン状態になって、言い換えるならば、入力信号を受
けるトランジスタT1ないしT3を強制的にオフ状態に
して、出力信号をハイレベルにする。
上記第1図の入力回路と第2図の出力回路を備えた半導
体集積回路装置が、1つの配線基板にCCB技術により
ボンディングされている場合、次のようにしてそのテス
トを行うものである。
体集積回路装置が、1つの配線基板にCCB技術により
ボンディングされている場合、次のようにしてそのテス
トを行うものである。
例えば、入力端子バンプと配線との電気的接続を調べる
場合、その入力端子に基板の配線を介して接続される他
の半導体集積回路装置の出力回路を利用して、上記のよ
うなハイレベル又はロウレベルの信号を設定する。第1
図のテスト端子をハイレベルにして、各入力単位回路I
N1.IN2等のアンドゲート回路G3.G8のゲート
を開いして、外部端子A、B等の信号をフリップフロッ
プ回路FF1.FF2等に取り込む。この後テスト端子
MODの信号をロウレベルにして、上記アンドゲート回
路G3.G8に代え、アンドゲート回路G2.G7のゲ
ートを開く、上記各単位回路IN1.IN2等のフリッ
プフロップ回路FFI。
場合、その入力端子に基板の配線を介して接続される他
の半導体集積回路装置の出力回路を利用して、上記のよ
うなハイレベル又はロウレベルの信号を設定する。第1
図のテスト端子をハイレベルにして、各入力単位回路I
N1.IN2等のアンドゲート回路G3.G8のゲート
を開いして、外部端子A、B等の信号をフリップフロッ
プ回路FF1.FF2等に取り込む。この後テスト端子
MODの信号をロウレベルにして、上記アンドゲート回
路G3.G8に代え、アンドゲート回路G2.G7のゲ
ートを開く、上記各単位回路IN1.IN2等のフリッ
プフロップ回路FFI。
FF2等をシフトレジスタ構成にして、所定のクロック
信号を供給して、上記取り込んだ信号をシリアルに適当
な外部端子から送出させることによって、上記ハイレベ
ル又はロウレベルの取り込みが行われた否かの判定を行
うことができる。これによって、2つの半導体集積回路
装置における出力回路の外部端子と入力回路の外部端子
の正常な電気的接続及び配vA基板の断線の有無を同時
に識別できるものである。なお、配線基板の外部端子に
配線を介して接続される入力回路及び出力回路は、それ
ぞれに外部端子に適当なテストピンを接続することによ
って、そのレベル設定やレベル判定を行うものである。
信号を供給して、上記取り込んだ信号をシリアルに適当
な外部端子から送出させることによって、上記ハイレベ
ル又はロウレベルの取り込みが行われた否かの判定を行
うことができる。これによって、2つの半導体集積回路
装置における出力回路の外部端子と入力回路の外部端子
の正常な電気的接続及び配vA基板の断線の有無を同時
に識別できるものである。なお、配線基板の外部端子に
配線を介して接続される入力回路及び出力回路は、それ
ぞれに外部端子に適当なテストピンを接続することによ
って、そのレベル設定やレベル判定を行うものである。
また、内部回路の機能試験においては、上記外部端子A
、 Bには、ロウレベル(論理“0”)が与えられる
。そして、テスト端子MODをロウレベルにして、入力
側の各単位回路INL、IN2等のアンドゲート回路G
4.G9のゲートを開いて各フリップフロップ回路FF
I、FF2等のシフトレジスタ構成とする。この状態で
外部端子TDからシフトクロック信号に同期してシリア
ルにテストパターン信号を供給する0次いで、上記テス
)i子MODをロウレベルからハ・Cレベルにすると、
各フリップフロップ回路FFi、FF2等に保持された
テストビットが、アンドゲート回路G2.G7等を介し
て入力バッファを構成するノアゲート回路G1.G6に
伝えられる。これによって、内部回路に供給される信号
は、上記テストパターンに従った信号とされる。
、 Bには、ロウレベル(論理“0”)が与えられる
。そして、テスト端子MODをロウレベルにして、入力
側の各単位回路INL、IN2等のアンドゲート回路G
4.G9のゲートを開いて各フリップフロップ回路FF
I、FF2等のシフトレジスタ構成とする。この状態で
外部端子TDからシフトクロック信号に同期してシリア
ルにテストパターン信号を供給する0次いで、上記テス
)i子MODをロウレベルからハ・Cレベルにすると、
各フリップフロップ回路FFi、FF2等に保持された
テストビットが、アンドゲート回路G2.G7等を介し
て入力バッファを構成するノアゲート回路G1.G6に
伝えられる。これによって、内部回路に供給される信号
は、上記テストパターンに従った信号とされる。
一方、出力側の単位回路においては、テストモード信号
MOD“がハイレベルにされていることによって、各出
力バッファ回路を構成するノアゲ−ト回路G16.G1
2の信号が、アンドゲート回路G17.G13を介して
各フリップフロップ回路FF3.FF4等に取り込まれ
る。
MOD“がハイレベルにされていることによって、各出
力バッファ回路を構成するノアゲ−ト回路G16.G1
2の信号が、アンドゲート回路G17.G13を介して
各フリップフロップ回路FF3.FF4等に取り込まれ
る。
このようにしてフリップフロップ回路FF3゜FF4に
取り込まれた信号は、上記テストモード信号M OD
’がロウレベルにされることによって、各フリップフロ
ップ回路FF3.FF4等がシフI・レジスタ構成にさ
れ、上記同様にシフトクロック信号に同期して1つのテ
スト用外部端子からシリアルに送出される。これによっ
て、少ないテスト月ピンを設けるだけで、半導体集積回
路装置の機能試験を行うことができる。
取り込まれた信号は、上記テストモード信号M OD
’がロウレベルにされることによって、各フリップフロ
ップ回路FF3.FF4等がシフI・レジスタ構成にさ
れ、上記同様にシフトクロック信号に同期して1つのテ
スト用外部端子からシリアルに送出される。これによっ
て、少ないテスト月ピンを設けるだけで、半導体集積回
路装置の機能試験を行うことができる。
以上の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。すなわち、 ill単位の入力回路に、テストモート12号により制
御されるゲート回路とフリップフロップ回路を設けて、
外部端子から供給された信号をフリップフロップ回路に
取り込み、それを上記フリップフロップ回路をシフトレ
ジスタ構成としてシリアルに出力させることによって、
配線基板と半導体集積回路装置のバンプとの電気的な接
続を正確に判定することができるという効果が得られる
。
る。すなわち、 ill単位の入力回路に、テストモート12号により制
御されるゲート回路とフリップフロップ回路を設けて、
外部端子から供給された信号をフリップフロップ回路に
取り込み、それを上記フリップフロップ回路をシフトレ
ジスタ構成としてシリアルに出力させることによって、
配線基板と半導体集積回路装置のバンプとの電気的な接
続を正確に判定することができるという効果が得られる
。
(2)上記フリップフロップ回路をシフトレジスタ構成
として、テストパターンをシリアルに供給して、ぞれを
各入力回路に供給することによって、内部回路の機能試
験を行う入カバターン信号の供給を少ないテストピンを
設けるだけで行うことができるという効果が得られる。
として、テストパターンをシリアルに供給して、ぞれを
各入力回路に供給することによって、内部回路の機能試
験を行う入カバターン信号の供給を少ないテストピンを
設けるだけで行うことができるという効果が得られる。
(3)単位の出力回路に、出力レベルを設定する制御信
号を設けることによって、上記外部端子と配線基板との
電位的な接続を調べるテスト用45号を簡単に形成する
ことができるという効果が得られる。
号を設けることによって、上記外部端子と配線基板との
電位的な接続を調べるテスト用45号を簡単に形成する
ことができるという効果が得られる。
(4)単位の出力回路に、テストモード信号により制御
されるゲート回路とフリップフロップ回路を設けて、内
部回路により形成された出力すべき信号をフリップフロ
ップ回路に取り込み、上記フリップフロップ回路をシフ
トレジスタ構成として、シリアルに外部端子へ送出させ
ることによって、内部回路の機能試験を行う出カバター
ン信号を少ないテストピンを設けるだけで行うことがで
きるという効果が得られる。
されるゲート回路とフリップフロップ回路を設けて、内
部回路により形成された出力すべき信号をフリップフロ
ップ回路に取り込み、上記フリップフロップ回路をシフ
トレジスタ構成として、シリアルに外部端子へ送出させ
ることによって、内部回路の機能試験を行う出カバター
ン信号を少ないテストピンを設けるだけで行うことがで
きるという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない0例えば、入力バッファ
に対しては、テストモード信号に従い外部端子からの信
号とフリップフロップ回路の出力信号を選択的に伝える
ゲート回路を設けるものであってもよい、この場合には
、外部端子をロウレベルに固定する必要がない、また、
各ゲート回路の構成は、上記実施例と同様な動作を行う
ものであれば何であってもよい、また、半導体集積回路
装置は、TTL回路や0M03回路により構成されても
よい、 −以上の説明では主として本発明者によ
ってなされた発明をその背景となった利用分野であるC
CB技術を利用して共通の配線基板に実装される半導体
集積回路装置に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、例えば、ゲートアレイ等の
ように、多数の外部端子を持つことを条件として各種半
導体集積回路装置に広く利用できる。
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない0例えば、入力バッファ
に対しては、テストモード信号に従い外部端子からの信
号とフリップフロップ回路の出力信号を選択的に伝える
ゲート回路を設けるものであってもよい、この場合には
、外部端子をロウレベルに固定する必要がない、また、
各ゲート回路の構成は、上記実施例と同様な動作を行う
ものであれば何であってもよい、また、半導体集積回路
装置は、TTL回路や0M03回路により構成されても
よい、 −以上の説明では主として本発明者によ
ってなされた発明をその背景となった利用分野であるC
CB技術を利用して共通の配線基板に実装される半導体
集積回路装置に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、例えば、ゲートアレイ等の
ように、多数の外部端子を持つことを条件として各種半
導体集積回路装置に広く利用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、単位の入力及び出力回路に、テストモード
信号により制御されるゲート回路とフリップフロップ回
路を設けて、外部端子又は内部回路から供給された信号
をフリップフロップ回路に取り込み、それを上記フリッ
プフロップ回路をシフトレジスタ構成としてシリアルに
出力させることによって、配線基板と半導体集積回路装
置のバンプとの電気的接続を判定する出力信号やテスト
用出カバターン信号を少ないテストピンにより得ること
ができるものとなる。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、単位の入力及び出力回路に、テストモード
信号により制御されるゲート回路とフリップフロップ回
路を設けて、外部端子又は内部回路から供給された信号
をフリップフロップ回路に取り込み、それを上記フリッ
プフロップ回路をシフトレジスタ構成としてシリアルに
出力させることによって、配線基板と半導体集積回路装
置のバンプとの電気的接続を判定する出力信号やテスト
用出カバターン信号を少ないテストピンにより得ること
ができるものとなる。
第1図は、この発明に係る入力回路の一実施例を示す回
路図、 第2図は、この発明に係る出力回路の一実施例を示す回
路図、 第3図は、上記出力回路を構成する化カバソファの一実
施例を示す回路図である。 INI、IN2・・単位の入力回路、0UTI。 0UT2・・単位の出力回路 ・−m= 、 代理人弁理士 小川 勝馬、 ′ 第1図 ll 第2図 第3図
路図、 第2図は、この発明に係る出力回路の一実施例を示す回
路図、 第3図は、上記出力回路を構成する化カバソファの一実
施例を示す回路図である。 INI、IN2・・単位の入力回路、0UTI。 0UT2・・単位の出力回路 ・−m= 、 代理人弁理士 小川 勝馬、 ′ 第1図 ll 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、外部端子の信号を所定のテストモード信号に従って
フリップフロップ回路に取り込むゲート回路と、上記フ
リップフロップ回路を単位回路とし、その保持情報をシ
リアルに入力又は出力させるシフトレジスタとを含むこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。 2、上記外部端子は、半田バンプによって配線基板に接
続されるものであることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の半導体集積回路装置。 3、上記外部端子は入力信号が供給される端子であり、
その入力信号と上記テストモード信号によって制御され
るゲート回路を介してそれに対応したフリップフロップ
回路の出力信号は、その出力信号を内部回路に伝える入
力バッファ回路に供給されるものであることを特徴とす
る特許請求の範囲第1又は第2項記載の半導体集積回路
装置。 4、上記外部端子は、出力信号が送出される端子であり
、その出力端子に対応された出力バッファ回路は、所定
の出力モード信号に応じて出力レベルが設定されるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第1又は第2項
記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61117235A JP2515705B2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61117235A JP2515705B2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62274277A true JPS62274277A (ja) | 1987-11-28 |
JP2515705B2 JP2515705B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=14706727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61117235A Expired - Lifetime JP2515705B2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2515705B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6397342B1 (en) | 1998-02-17 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Device with a clock output circuit |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6025463U (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-21 | 内田 寿子 | 取り替え簡単な寝具カバ− |
JPS60202370A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-12 | Nec Corp | 双方向シフトパス試験方式 |
JPS62228177A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-07 | Toshiba Corp | 半導体集積回路用許容入力電圧検査回路 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6025463B2 (ja) * | 1975-06-24 | 1985-06-18 | 大日本インキ化学工業株式会社 | 高固形分被覆用組成物 |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP61117235A patent/JP2515705B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6025463U (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-21 | 内田 寿子 | 取り替え簡単な寝具カバ− |
JPS60202370A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-12 | Nec Corp | 双方向シフトパス試験方式 |
JPS62228177A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-07 | Toshiba Corp | 半導体集積回路用許容入力電圧検査回路 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6397342B1 (en) | 1998-02-17 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Device with a clock output circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2515705B2 (ja) | 1996-07-10 |
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