JPH0372655A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0372655A JPH0372655A JP20503590A JP20503590A JPH0372655A JP H0372655 A JPH0372655 A JP H0372655A JP 20503590 A JP20503590 A JP 20503590A JP 20503590 A JP20503590 A JP 20503590A JP H0372655 A JPH0372655 A JP H0372655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- terminal
- output
- cell
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 36
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に係り、特にマスタースラ
イス方式の半導体集積回路装置に関する。
イス方式の半導体集積回路装置に関する。
コンピュータ、端末装置、その他の一般制御装置の大規
模集積回路(LSI)化が活発に展開されている。これ
らの半導体集積回路装置は多品種少量生産の傾向が特に
強く、製造コストの低減と製造期間の短縮化のためマス
タースライス(master 5lice)方式による
製造が多用されている。
模集積回路(LSI)化が活発に展開されている。これ
らの半導体集積回路装置は多品種少量生産の傾向が特に
強く、製造コストの低減と製造期間の短縮化のためマス
タースライス(master 5lice)方式による
製造が多用されている。
マスタースライス方式の半導体集積回路装置においては
一つの半導体チップ上にマグロスと呼ばれる共通素子パ
ターンをあらかじめ例えばマトリクス状に作成、装置し
ておき、開発品種に応じて専用配線マスクを作成するこ
とにより、」1記マグロス間の相互配線を行って所望の
回路機能を有する半導体集積回路装置を完成させるもの
である。
一つの半導体チップ上にマグロスと呼ばれる共通素子パ
ターンをあらかじめ例えばマトリクス状に作成、装置し
ておき、開発品種に応じて専用配線マスクを作成するこ
とにより、」1記マグロス間の相互配線を行って所望の
回路機能を有する半導体集積回路装置を完成させるもの
である。
第1図はマスタースライス方式半導体集積回路装置の構
成を簡略化して示したものである。
成を簡略化して示したものである。
図において、10は半導体チップで、その周辺に入出力
ピンとの接続のための入出力パッド11が複数個配置さ
れ、さらに、入出力パッド11の内側に中間セルである
入出力セル12が配置されている。13はマグロスで、
半導体チップ10の中央にマトリクス状に配置されてい
る。マグロス13は例えば論理ゲートセルを0MO8で
構成する場合、複数のNMOSトランジスタとPMOS
トランジスタがあらかじめ配設されており、マスタース
ライスの工程で、トランジスタ相互間の接続が行われ、
NANDゲートやフリップフロップなどが実現される。
ピンとの接続のための入出力パッド11が複数個配置さ
れ、さらに、入出力パッド11の内側に中間セルである
入出力セル12が配置されている。13はマグロスで、
半導体チップ10の中央にマトリクス状に配置されてい
る。マグロス13は例えば論理ゲートセルを0MO8で
構成する場合、複数のNMOSトランジスタとPMOS
トランジスタがあらかじめ配設されており、マスタース
ライスの工程で、トランジスタ相互間の接続が行われ、
NANDゲートやフリップフロップなどが実現される。
14はあらかじめ定められた配線用のチャネルで、マグ
ロス13の相互間および、マグロス13と入出力セル1
2との間に設けられており、この配線チャネル14を使
ってマグロス12間の相互配線およびマグロス13と入
出力セル12間の相互配線が行われ、これにより所望の
半導体集積回路が完成される。
ロス13の相互間および、マグロス13と入出力セル1
2との間に設けられており、この配線チャネル14を使
ってマグロス12間の相互配線およびマグロス13と入
出力セル12間の相互配線が行われ、これにより所望の
半導体集積回路が完成される。
ここで、中間セルとなる入出力セル12の機能を簡単に
説明する。入力セルは半導体集積回路の外部から半導体
集積回路の内部、すなわちマグロスに信号を導入するた
めのインタフェース回路であり、レベル変換の動作を行
う。例えば、半導体集積回路の外部からの信号がTTL
回路から出力されたものであり、半導体集積回路の内部
がCMO3回路で構成されている場合、TTL信号レベ
ルからCMO8信号レベルへのレベル変換を行う。
説明する。入力セルは半導体集積回路の外部から半導体
集積回路の内部、すなわちマグロスに信号を導入するた
めのインタフェース回路であり、レベル変換の動作を行
う。例えば、半導体集積回路の外部からの信号がTTL
回路から出力されたものであり、半導体集積回路の内部
がCMO3回路で構成されている場合、TTL信号レベ
ルからCMO8信号レベルへのレベル変換を行う。
次に出力セルは半導体集積回路の内部から半導体集積回
路の外部へ信号を導出するためのインタフェース回路で
あり、例えば、半導体集積回路内部のCMO8信号レベ
ルから半導体集積回路外部のTTL信号レベルへのレベ
ル変換を行う。また、出力セルは外部負荷を直接駆動す
るため、内部のマグロス13に比べて、より高い負荷駆
動能力を持たせるのが一般的である。
路の外部へ信号を導出するためのインタフェース回路で
あり、例えば、半導体集積回路内部のCMO8信号レベ
ルから半導体集積回路外部のTTL信号レベルへのレベ
ル変換を行う。また、出力セルは外部負荷を直接駆動す
るため、内部のマグロス13に比べて、より高い負荷駆
動能力を持たせるのが一般的である。
第2図は従来から多用されているマスタースライス用の
中間セルとなる入出力セルの拡大図である。
中間セルとなる入出力セルの拡大図である。
第2図において100は入出力セル全体を示し、200
は半導体集積回路の外部ピンと半導体集積回路の内部を
接続するための入出力パッドである。
は半導体集積回路の外部ピンと半導体集積回路の内部を
接続するための入出力パッドである。
101は入力バッファ、102は出力バッファで3−
ある。入出力セル100を入力用として使用する場合、
端子103と端子108が接続され、外部信号が入出力
パッド200、入力バッファ101、端子104を通っ
て内部のマグロスに導入される。
端子103と端子108が接続され、外部信号が入出力
パッド200、入力バッファ101、端子104を通っ
て内部のマグロスに導入される。
次に入出力セル100を出力用として使用する場合、端
子106と端子108が接続され、内部回路の出力が端
子105、出力バッファ102、入出力パッド200を
通って半導体集積回路の外部に出力される。なお、端子
107は出力バッファ102をトライステート(高イン
ピーダンス)状態に切換えるための制御端子である。
子106と端子108が接続され、内部回路の出力が端
子105、出力バッファ102、入出力パッド200を
通って半導体集積回路の外部に出力される。なお、端子
107は出力バッファ102をトライステート(高イン
ピーダンス)状態に切換えるための制御端子である。
また、入出力セル100を入力と出力に兼用する場合は
端子103と端子108が接続されるとともに端子10
6と端子108が接続される。
端子103と端子108が接続されるとともに端子10
6と端子108が接続される。
この様な従来の中間セルは論理レベルの信号の入力また
は出力を目的としているため、非論理レベルのアナログ
信号の入力や出方は不可能である。
は出力を目的としているため、非論理レベルのアナログ
信号の入力や出方は不可能である。
本発明の目的は論理レベル信号の入出力ばかりでなく、
非論理レベルの入出力にも適用し得る半4 導体集積回路装置を提供することにある。
非論理レベルの入出力にも適用し得る半4 導体集積回路装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を遠戚するために、半導体チップ上
に設けられた複数個のマグロスと、該半導体チップの周
辺に設けられる複数個の入出力パッドと、該マグロスと
該入出力パッドの間に設けられ、入力バッファまたは出
力バッファを有する中間セルとを具備する半導体集積回
路装置において、前記マグロスで構成される内部回路の
素子と、前記入出力パッドとを接続するスルーチャネル
配線を有することを特徴とする。
に設けられた複数個のマグロスと、該半導体チップの周
辺に設けられる複数個の入出力パッドと、該マグロスと
該入出力パッドの間に設けられ、入力バッファまたは出
力バッファを有する中間セルとを具備する半導体集積回
路装置において、前記マグロスで構成される内部回路の
素子と、前記入出力パッドとを接続するスルーチャネル
配線を有することを特徴とする。
以下、本発明を図面に従って説明する。以下の図面で第
2図と同一番号は同一物または相当物を示す。
2図と同一番号は同一物または相当物を示す。
第3図において、210は例えば金属配線によるスルー
チャネルで、211はマグロスからなる内部回路と接続
するための接続端子、212は入出力パッド接続端子1
08と接続するための接続端子である。220は金属配
線によりマグロスからなる内部回路に基準電位を与える
内部接地バス、230は金属配線による接地引出線、2
31は接地引出線230を端子108に接続するための
接続端子である。240は金属配線によりマグロスから
なる内部回路に電源電位を供給する電源バス、250は
金属配線による電源引出線、251は電源引出線を端子
108に接続するための接続端子である。第3図に示し
た本実施例の中間セルとなる入出力セル100では従来
の論理レベルの入出力機能に加えて、端子212で端子
108を接続することにより、非論理レベルの入出力を
行うことができる。
チャネルで、211はマグロスからなる内部回路と接続
するための接続端子、212は入出力パッド接続端子1
08と接続するための接続端子である。220は金属配
線によりマグロスからなる内部回路に基準電位を与える
内部接地バス、230は金属配線による接地引出線、2
31は接地引出線230を端子108に接続するための
接続端子である。240は金属配線によりマグロスから
なる内部回路に電源電位を供給する電源バス、250は
金属配線による電源引出線、251は電源引出線を端子
108に接続するための接続端子である。第3図に示し
た本実施例の中間セルとなる入出力セル100では従来
の論理レベルの入出力機能に加えて、端子212で端子
108を接続することにより、非論理レベルの入出力を
行うことができる。
また、端子231と端子108を接続することにより、
信号の入出力に使用されない不使用ピンを付加的な接地
ピンとして使用することができる。
信号の入出力に使用されない不使用ピンを付加的な接地
ピンとして使用することができる。
さらにまた、端子251と端子108を接続することに
より信号の入出力に使用されない不使用ピンを付加的な
電源ピンとして使用することができる。
より信号の入出力に使用されない不使用ピンを付加的な
電源ピンとして使用することができる。
尚、中間セルとなる入出力セル100に上記のいずれの
機能を持たせるかは品種毎に配線マスクを作成する際に
、同時に入出力セル用の配線マスクを作成することによ
り自由に決定できる。
機能を持たせるかは品種毎に配線マスクを作成する際に
、同時に入出力セル用の配線マスクを作成することによ
り自由に決定できる。
第4図に本実施例をアナログ入力セルとして用いる場合
の配線例を示す。
の配線例を示す。
図において、300はマグロスで構成される内部回路部
分を示している。310はアナログコンパレータで、3
11,312はその入力端子、313は出力端子である
。図において、スルーチャネル210の一方の端子21
2は入出力パッドの端子108と接続されており、他方
の端子211はアナログコンパレータ310の一方の入
力端子311に接続される。したがって、本実施例では
入出力セル100はアナログ入力セルとして機能し、ア
ナログコンパレータ310の出力端子313には入力端
子311に印加されたアナログ信号と入力端子312に
印加された他のアナログ信号との比較結果が出力される
。
分を示している。310はアナログコンパレータで、3
11,312はその入力端子、313は出力端子である
。図において、スルーチャネル210の一方の端子21
2は入出力パッドの端子108と接続されており、他方
の端子211はアナログコンパレータ310の一方の入
力端子311に接続される。したがって、本実施例では
入出力セル100はアナログ入力セルとして機能し、ア
ナログコンパレータ310の出力端子313には入力端
子311に印加されたアナログ信号と入力端子312に
印加された他のアナログ信号との比較結果が出力される
。
第5図に本実施例をアナログ出力セルとして用いる場合
の配線例を示す。
の配線例を示す。
第5図において、320は演算増幅器であり、32]、
、322は夫々入力抵抗、帰還抵抗、また、323.3
24は夫々演算増幅器の入力端子、出力端子である。第
5図において、入力端子323に印加されたアナログ信
号V2は増幅され、出力端子324に出力・される。演
算増幅器320の出力端子324は端子211、スルー
チャネル210端子212.端子108を経て入出力パ
ッド200に接続されている。したがって、第5図では
入出力セル100はアナログ出力セルとして機能する。
、322は夫々入力抵抗、帰還抵抗、また、323.3
24は夫々演算増幅器の入力端子、出力端子である。第
5図において、入力端子323に印加されたアナログ信
号V2は増幅され、出力端子324に出力・される。演
算増幅器320の出力端子324は端子211、スルー
チャネル210端子212.端子108を経て入出力パ
ッド200に接続されている。したがって、第5図では
入出力セル100はアナログ出力セルとして機能する。
なお、本実施例の構成要素の一つであるスルーチャネル
210は端子211と212を結ぶ単なる配線であって
もよいし、第6図に示すように、端子211と212間
に設けられた抵抗、ダイオード、トランジスタなどから
構成された直列回路あるいは並列回路215を含むもの
であっても入力または、出力としてのスルー機能を損わ
ないものであればよい。
210は端子211と212を結ぶ単なる配線であって
もよいし、第6図に示すように、端子211と212間
に設けられた抵抗、ダイオード、トランジスタなどから
構成された直列回路あるいは並列回路215を含むもの
であっても入力または、出力としてのスルー機能を損わ
ないものであればよい。
第7図に本実施例を接地強化セルとして用いる場合の配
線例を示す。
線例を示す。
−
第7図において、内部接地バス220は接地引出線23
0.端子231.端子108を経て入出力パッド200
に接続されている。したがって、第7図では入出力セル
100は接地強化セルとして機能する。
0.端子231.端子108を経て入出力パッド200
に接続されている。したがって、第7図では入出力セル
100は接地強化セルとして機能する。
第8図に本実施例を電源強化セルとして用いる場合の配
線例を示す。
線例を示す。
第8図において内部電源バス240は電源引出線250
.端子251.端子108を経て入出力パッド200に
接続されている。したがって、第8図では入出力セル1
00は電源強化セルとして機能する。
.端子251.端子108を経て入出力パッド200に
接続されている。したがって、第8図では入出力セル1
00は電源強化セルとして機能する。
なお、本発明の実施例ではスルーチャネルが1本の場合
を示したが、必要に応じて入力専用のスルーチャネル、
出力専用のスルーチャネルに分けるなど、複数のスルー
チャネルを設けてもよい。
を示したが、必要に応じて入力専用のスルーチャネル、
出力専用のスルーチャネルに分けるなど、複数のスルー
チャネルを設けてもよい。
また、接地引出線、電源引出線についても、2系統以上
の内部接地バス、電源バスがある場合、複数の接地引出
線、電源引出線を設けてもよい。また、スルーチャネル
210.接地引出線230゜電源引出線250はその長
さが零であってもよい。
の内部接地バス、電源バスがある場合、複数の接地引出
線、電源引出線を設けてもよい。また、スルーチャネル
210.接地引出線230゜電源引出線250はその長
さが零であってもよい。
すなわち、接続端子211と212は同一端子であって
もよいし、接続端子231は内部接地バス220上の任
意の点に設けられていてもよい。同様に接続端子251
は内部電源バス240上の任意の点に設けられていても
よい。
もよいし、接続端子231は内部接地バス220上の任
意の点に設けられていてもよい。同様に接続端子251
は内部電源バス240上の任意の点に設けられていても
よい。
さらにまた、本発明による中間セルではスルーチャネル
、接地引出線、電源引出線のすべてを設ける必要はなく
、必要なものだけ設けておけばよい。
、接地引出線、電源引出線のすべてを設ける必要はなく
、必要なものだけ設けておけばよい。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば論理レベ
ルの信号の入出力ばかりでなく、非論理レベルの信号の
入出力にも適用できるため、とくにディジタルとアナロ
グが混在したマスタースライス方式の半導体集積回路装
置の場合、その効果が大である。
ルの信号の入出力ばかりでなく、非論理レベルの信号の
入出力にも適用できるため、とくにディジタルとアナロ
グが混在したマスタースライス方式の半導体集積回路装
置の場合、その効果が大である。
第1図はマスタースライス方式半導体集積回路の概略を
示す平面図、第2図は第1図に於ける従来例である入出
力セルの回路図、第3図は本発明の一実施例による入出
力セルの回路図、第4図は本発明の一実施例による入出
力セルとアナログ入力セルとして用いる場合の回路図、
第5図は本発明の一実施例による入出力セルをアナログ
出力セルとして用いる場合の回路図、第6図は本発明の
他の実施例によるスルーチャネルを示す図、第7図は本
発明の一実施例による入出力セルを接地強化セルとして
用いる場合の回路図、第8図は本発明の一実施例による
入出力セルを電源強化セルとして用いる場合の回路図で
ある。 11.200・・・入出力パッド、12,100・・・
入出力セル、13・・・マグロス、210・・・スルー
チャネル、220・・・内部接地バス、230・・・接
地引出線、240・・・電源バス、250・・・電源引
出線。
示す平面図、第2図は第1図に於ける従来例である入出
力セルの回路図、第3図は本発明の一実施例による入出
力セルの回路図、第4図は本発明の一実施例による入出
力セルとアナログ入力セルとして用いる場合の回路図、
第5図は本発明の一実施例による入出力セルをアナログ
出力セルとして用いる場合の回路図、第6図は本発明の
他の実施例によるスルーチャネルを示す図、第7図は本
発明の一実施例による入出力セルを接地強化セルとして
用いる場合の回路図、第8図は本発明の一実施例による
入出力セルを電源強化セルとして用いる場合の回路図で
ある。 11.200・・・入出力パッド、12,100・・・
入出力セル、13・・・マグロス、210・・・スルー
チャネル、220・・・内部接地バス、230・・・接
地引出線、240・・・電源バス、250・・・電源引
出線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体チップ上に設けられる複数個のマグロスと、
該半導体チップの周辺に設けられる複数個の入出力パッ
ドと、該マグロスと該入出力パッドの間に設けられ、入
力バッファまたは出力バッファを有する中間セルとを具
備する半導体集積回路装置において、前記マグロスで構
成される内部回路の素子と、前記入出力パッドとを接続
するスルーチャネル配線を有することを特徴とする半導
体集積回路装置。 2、特許請求の範囲第1項において、前記内部回路の素
子は、アナログ素子であることを特徴とする半導体集積
回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20503590A JPH0372655A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20503590A JPH0372655A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半導体集積回路装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7985682A Division JPS58197746A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0372655A true JPH0372655A (ja) | 1991-03-27 |
JPH0586067B2 JPH0586067B2 (ja) | 1993-12-09 |
Family
ID=16500367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20503590A Granted JPH0372655A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0372655A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10396114B2 (en) | 2013-03-14 | 2019-08-27 | Invensas Corporation | Method of fabricating low CTE interposer without TSV structure |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS561545A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | Input/output buffer cell for semiconductor integrated circuit |
-
1990
- 1990-08-03 JP JP20503590A patent/JPH0372655A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS561545A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | Input/output buffer cell for semiconductor integrated circuit |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10396114B2 (en) | 2013-03-14 | 2019-08-27 | Invensas Corporation | Method of fabricating low CTE interposer without TSV structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0586067B2 (ja) | 1993-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0364925B1 (en) | Semiconductor integrated circuit having i/o terminals allowing independent connection test | |
JPH0247862B2 (ja) | ||
JPS6381944A (ja) | 集積回路用共通セルi/oインタフエ−ス回路 | |
JPH06105284B2 (ja) | 大規模集積回路のテストデ−タ作成方法 | |
JPH0372655A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH058576B2 (ja) | ||
JP2594541B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JP7498388B2 (ja) | パッド制限構成可能論理デバイス | |
US6833286B2 (en) | Semiconductor device with variable pin locations | |
US5502404A (en) | Gate array cell with predefined connection patterns | |
JP3335682B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH01111365A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH02306650A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6089955A (ja) | 半導体装置 | |
JPS60251643A (ja) | 半導体ゲ−トアレイ装置 | |
JPH02232577A (ja) | 出力回路 | |
JP2727994B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS63124443A (ja) | 半導体装置 | |
JPS60174963A (ja) | 電子パツケ−ジ試験回路 | |
JPS61100024A (ja) | マスタスライス型半導体集積回路 | |
JPS58163048A (ja) | 内部信号チエツク機能付集積回路 | |
JPH04220575A (ja) | 集積回路装置 | |
JPS6346756A (ja) | システムlsi | |
JPH01125952A (ja) | マスタスライス集積回路 | |
JPS6132456A (ja) | スタンダ−ド・セル集積回路の製造方法 |