JPH04336442A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPH04336442A
JPH04336442A JP3138487A JP13848791A JPH04336442A JP H04336442 A JPH04336442 A JP H04336442A JP 3138487 A JP3138487 A JP 3138487A JP 13848791 A JP13848791 A JP 13848791A JP H04336442 A JPH04336442 A JP H04336442A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pads
input
pad
signal
potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3138487A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Yano
矢野 稔
Satoru Kishida
悟 岸田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3138487A priority Critical patent/JPH04336442A/ja
Publication of JPH04336442A publication Critical patent/JPH04336442A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路に関し
、特にプローブカードを用いたウエハテストの効率向上
のためのパッド配置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、LSIチップのは図3(a) に
示すようにチップ6の周辺の各辺にほぼ一列にパッド9
が並べられた構造を有しており、また、パッド9に信号
を入力する、あるいはパッド9から信号を取り出すため
に用いるテストプローブカードは図3(b) に示すよ
うに、パッド9との接触をとるための針10を有し、L
SIチップ6のプローブ針10と1対1対応する方法で
接触していた。このような構成では、プローブカード1
1を作る上で隣接する針10の間隔を90μmピッチ程
度までしかせばめられないため、パッド9側のピッチも
約90μm以上にしておくことが必要であった。
【0003】しかし近年、半導体製造技術の向上に伴い
、半導体装置の集積度はますます高くなってきており、
パッド9ピッチを90μm以下に縮め、より入出力ピン
数を増加させたい要求が高まっている。これを解決する
ために、図4のようにパッドを配置し、テストプローブ
カード11をずらして、チップに2回接触(添字aは一
回目に接触するパッドを、また添字bは2回目で接触す
るパッドを示す。)することにより、すべてのパッドに
最低1回は接触できるようにすることで、パッドピッチ
を従来の倍に増加させることが考えられている。このよ
うに配置されたパッドを用いてウェハテストを行う際に
は、未接触のパッドの電位がフローティング状態となる
と、そのパッドではH,Lが区別できなくなるため、テ
ストプローブカード11と未接触の入力信号用パッド(
図では添字bのパッド)の電位を一定にしておく必要が
ある。
【0004】以下、上記のようなウェハテストをする際
に用いられるプルアップ,プルダウンされた入力バッフ
ァを有する半導体装置を例にとって説明する。図5は従
来のプルアップ,プルダウンするための入力バッファを
備えた入力パッドを示す回路図である。図において、1
は入力専用のパッド、2は入力バッファ、11aはプル
アップ抵抗、11bはプルダウン抵抗である。
【0005】次に動作について説明する。図5において
、入力専用のパッド1から入力がない場合、図(a) 
のプルアップ抵抗を有する場合では、入力バッファ2の
入力は、プルアップ抵抗11aによりプルアップされて
Highに固定される。一方、図(b) のプルダウン
抵抗を有する場合では、入力バッファ2の入力は、プル
ダウン抵抗11bによりプルダウンされてLowに固定
される。
【0006】次に入力専用のパッド1からの入力がある
場合を考える。図5(a) において、入力専用のパッ
ド1にHighの入力があった場合、プルアップされて
いるため入力バッファ2の入力は入力がない場合と変わ
らず同じである。反対に入力専用のパッド1にLowの
信号が入力されたとき、プルアップ抵抗11aによるプ
ルアップは、入力専用のパッド1から入力されたLow
の信号に比べると弱いので、入力バッファ2の入力はL
owとなる。
【0007】一方、図5(b) において、入力専用の
パッド1にLowの入力があった場合、入力バッファ2
の入力はプルダウンされているため入力がない場合と同
じである。逆に入力専用のパッド1にHighの信号が
入力されたとき、プルダウン抵抗11bによるプルダウ
ンは、入力専用のパッド1から入力されたHighの信
号に比べると弱いので、入力バッファ2の入力はHig
hとなる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
のパッド部は以上のように構成されているので、パッド
から信号が与えられていないときには、High、ある
いはLowいずれかに固定されており、その信号を変化
させることができないために、例えばプルダウンされた
2つのパッドのうち、針が接触している側のパッドに信
号を加えた時には、他方のパッドはLに固定されている
ため、両方のパッドが共にHighとなる状態で試験を
行うことができず、得られたテスト結果が必ずしも正し
いものとは限らず、テスト時の故障検出率が低下するこ
とがあるという問題点があった。
【0009】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、パッドを複数のグループに分け
てプローブカードをずらして試験するときにおいて、故
障検出率が低下することのない半導体集積回路を得るこ
とを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路は、複数のグループに分けられたパッドのうちプ
ローブカードと接触していないグループのパッドの電位
を所定の電位に固定する電位固定手段を設けたものであ
る。
【0011】
【作用】この発明における電位固定手段は、パッドにL
SI外部から信号が与えられていないグループの双方向
バッファを出力モードにするとともに、パッドにLSI
外部から信号が与えられているグループの双方向バッフ
ァを入力モードにする、あるいは、インバータ回路にL
SI内部信号を印加し、LSI内部信号に応じたレベル
をパッドに接続するバッファに出力することで、パッド
と接続するバッファの入力をLowまたはHighに設
定することができる。
【0012】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1はこの発明の一実施例による入力バッファと
その制御回路を示す回路図である。図において、1aは
第1のパッド群に属する入力専用のパッド、1bは第2
のパッド群に属する入力専用のパッド、2aは入力専用
のパッド1aを入力とする入力バッファ、2bは入力専
用のパッド1bを入力とする入力バッファ、3aは第1
のパッド群に属し入力専用のパッド1aと同時にテスト
プローブカードに接する制御用パッド、3bは第2のパ
ッド群に属し入力専用のパッド1bと同時にテストプロ
ーブカードに接する制御用パッド、4aは入力バッファ
2aを制御するトライステートバッファ、4bは入力バ
ッファ2bを制御するトライステートバッファ、5aは
トライステートバッファ4aの制御信号をプルダウンす
るプルダウン抵抗、5bはトライステートバッファ4b
の制御信号をプルダウンするプルダウン抵抗、6はチッ
プを示す。
【0013】次に動作について説明する。いま入力専用
のパッド1aに図示しないテストプローブカードから針
を介して信号が与えられ、一方、入力専用のパッド1b
は針が接触せずに開放されている場合、すなわち第1の
パッド群に属するパッドによる試験を考える。この場合
、制御用パッド3bも開放されるため、トライステート
バッファ4aの制御信号はプルダウン抵抗5aによりプ
ルダウンされる。したがって、トライステートバッファ
4bはハイインピーダンス状態となり、入力バッファ2
aには入力専用のパッド1aからの信号が入力される。 さらにこの時、テストプローブカードは同時に制御用パ
ッド3aにも接している。制御用パッド3aにHigh
の信号を与えると、プルダウン抵抗5bによるプルダウ
ンはこの信号に比べると弱いので、トライステートバッ
ファ4bの制御信号はHighになり、トライステート
バッファ4bはLSI内部の信号をそのまま出力する。 これが入力バッファ2bの入力となる。すなわちプロー
ブ針が接触していない第2のパッド群に属するパッド1
bの電位をLSI内部の信号と同電位とすることができ
る。
【0014】逆に、第2のパッド群に属する入力専用の
パッド1bにテストプローブカードからの信号が与えら
れ、第1のパッド群に属する入力専用のパッド1aは開
放されている場合を考える。この場合、制御用パッド3
aも開放されるため、トライステートバッファ4bの制
御信号はプルダウン抵抗5bによりプルダウンされる。 したがって、トライステートバッファ4bはハイインピ
ーダンス状態となり、入力バッファ2bには入力専用の
パッド1bからの信号が入力される。さらにこの時、テ
ストプローブカードは同時に制御用パッド3bにも接し
ており、制御用パッド3bにHighの信号が加わると
、プルダウン抵抗5aによるプルダウンはこの信号は比
べると弱いので、トライステートバッファ4aの制御信
号はHighになり、トライステートバッファ4aはL
SI内部の信号をそのまま出力する。これが入力バッフ
ァ2aの入力となる。すなわちプローブ針が接触してい
ない第1のパッド群に属するパッド1aの電位をLSI
内部の信号と同電位とすることができる。
【0015】このように本実施例によれば、第1のパッ
ド群及び第2パッド群それぞれに制御用パッドを設け、
一方のパッド群にプローブ針が接触している時に他方の
パッド群の制御用パッドに同時に接触を行いテスト信号
を与え、パッドにテストプローブカードが接している入
力バッファには外部からのテスト信号が直接入力される
とともに、テストプローブカードが接していないパッド
の入力バッファにはLSI内部からの信号が与えられる
ようにしたから、一方のパッド群にプローブカードが接
触している時に、他方のプローブカードが接触していな
いパッド群の電位を所定の電位に固定し、相補的に同条
件下で試験を行うことができ、パッドを複数のグループ
に分けてプローブカードをずらして試験する場合でも故
障検出率が低下することがない。
【0016】なお本実施例では、正優位のトライステー
トバッファを用いたが、逆に負優位のトライステートバ
ッファを用いてもよく、その時はプルダウン抵抗をプル
アップ抵抗に置き換えておく必要がある。
【0017】次にこの発明の他の実施例を図について説
明する。図2はこの発明の他の実施例による半導体集積
回路のパッド部周辺の回路構成図である。図において、
7はプルアップ用p形トランジスタ、8はプルダウン用
n形トランジスタである。
【0018】次に動作について説明する。まず、入力専
用のパッド1が開放されている場合を考える。このとき
、LSI内部からの信号がHighであれば、プルダウ
ン用n形トランジスタ8がONするために入力バッファ
2の入力はプルダウンされ、逆にLSI内部からの信号
がLowであれば、プルアップ用p形トランジスタ7が
ONするために入力バッファ2の入力はプルアップされ
る。
【0019】次に入力専用のパッド1から信号が入力し
た場合を考える。このとき、プルアップ回路,プルダウ
ン回路に用いられるプルアップ用p形トランジスタ7、
あるいは、プルダウン用n形トランジスタ8のサイズは
これ以外に用いられているトランジスタのサイズに比べ
ると小さいので、プルアップ,プルダウンする力は入力
専用のパッド1からの信号のほうが強くなり、この信号
がそのまま入力バッファ2の入力として用いられること
となる。
【0020】このように、入力専用のパッド1にLSI
外部から信号が入力されている場合でも入力されていな
い場合でも、LSI内部信号を用いて入力バッファ2に
加わる電位を制御することができる。
【0021】なおこの実施例で用いたプルアップ用p形
トランジスタ7,プルダウン用n形トランジスタ8は、
他の部分に用いられているトランジスタサイズに比べて
、小さいサイズのトランジスタを用いたが、他の部分の
トランジスタと同サイズのものと抵抗とを直列接続させ
て、プルアップ,プルダウンを実現させてもよい。
【0022】また、上記各実施例では第1のパッド群と
第2のパッド群はそのパッド形状が正方形のもので、各
群を平行移動させたようなパッド配置のものを示したが
、本発明は第1,第2の各パッドを包含するように、図
6に示すような長方形の大きなパッド12を設けた構成
としてもよく、このようにすることで上記実施例と同様
にしてウェハテストを行うことができるとともに、テス
ト後のチップをパッケージ等に実装する場合のワイヤや
タブの長さを各パッド全て同一とすることができ作業性
を向上させることができる。
【0023】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体集
積回路によれば、複数のグループに分けられたパッドの
うちプローブカードと接触していないグループのパッド
の電位を所定の電位に固定する電位固定手段を設け、プ
ローブカードに未接触のパッドに接続する入力バッファ
をLSI内部の信号により制御するとともに、テストプ
ローブカードに接したパッドに接続する入力バッファを
、パッドに与えられるLSI外部からの信号により制御
する、あるいはパッドにLSI外部から信号が与えられ
ていない場合でも、LSI内部の信号により入力バッフ
ァをプルアップ,プルダウンすることができ、従って、
1つのプローブカードで複数回に分けて、チップのパッ
ドに接触させるウェハテストを行っても、各回において
同一条件下でテストを行うことができ、故障検出率がむ
やみに落ちることはなく、しかもパッド間隔を縮めた多
ピンLSIを得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による半導体集積回路のパ
ッド部周辺の回路構成図。
【図2】この発明の他の実施例による半導体集積回路の
パッド部周辺の回路構成図。
【図3】従来の半導体集積回路におけるウェハテストの
方法を説明するための模式図。
【図4】従来及びこの発明のウェハテストの方法を説明
するための模式図。
【図5】従来の半導体集積回路におけるパッド部周辺の
回路構成図。
【図6】この発明の半導体集積回路のパッド部の変形例
を示す模式図。
【符号の説明】
1a,1b  入力専用パッド 2a,2b  入力バッファ 3a,3b  制御用パッド 4a,4b  トライステートバッファ5a,5b  
プルダウン抵抗 6          チップ 7          プルアップ用p型トランジスタ
8          プルダウン用n型トランジスタ
10        プローブ針 11        プローブカード 12        パッド

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  チップのパッドを複数のグループに分
    け、各グループ毎のパッドにプローブカードを接触させ
    てウェハテストを行うように入出力パッドが配置された
    半導体集積回路において、上記複数のグループに分けら
    れたパッドのうちプローブカードと接触していないグル
    ープのパッドの電位を所定の電位に固定する電位固定手
    段を設けたことを特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】  上記電位固定手段は、上記複数のグル
    ープ毎にパッドに接続され、チップ内信号と外部信号と
    を入力とする双方向バッファであり、該双方向バッファ
    はプローブカードと接触しているグループ内に含まれる
    制御用パッドに加えられる外部信号により制御され、チ
    ップ内信号を用いてプローブカードと接触していない他
    のグループのパッドの電位を固定するものであることを
    特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
  3. 【請求項3】  上記電位固定手段は、上記複数のグル
    ープ毎にパッドに接続されたインバータであり、該イン
    バータにチップ内信号を入力して、同一グループ内のパ
    ッドの電位を上記チップ内信号のレベルに応じた電位に
    固定するものであることを特徴とする請求項1記載の半
    導体集積回路。
  4. 【請求項4】  上記チップ表面には上記複数のグルー
    プを構成するパッドを配置するパッド配置領域が複数設
    定されており、上記各グループのパッドは、上記全ての
    パッド配置領域にまたがるよう所定の形状に形成されて
    いることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
JP3138487A 1991-05-13 1991-05-13 半導体集積回路 Pending JPH04336442A (ja)

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JP (1) JPH04336442A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005303279A (ja) * 2004-03-16 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US7400134B2 (en) 2004-01-20 2008-07-15 Nec Electronics Corporation Integrated circuit device with multiple chips in one package

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7400134B2 (en) 2004-01-20 2008-07-15 Nec Electronics Corporation Integrated circuit device with multiple chips in one package
JP2005303279A (ja) * 2004-03-16 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP4611067B2 (ja) * 2004-03-16 2011-01-12 パナソニック株式会社 半導体装置

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