JPS62192342A - 新規のエステル系液晶化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶性化合物及び液晶組成物に関するもので、
特に強誘電性を有する液晶材料を提供するものであシ、
従来の液晶材料と比較して、特に応答性、メモリー性に
すぐれた液晶表示素子への利用可能性を有する液晶材料
を提供するものである。

液晶表示素子は、その低電圧作動性、低消費電力性、薄
型表示が可能なこと、受光型であるため明るい場所でも
使用でき、目が疲れないことなどの多くのすぐれた特徴
を有しているため、現在では各種の表示素子として、広
く用いられている。

現在のところ、表示方式としてはＴｓｕｔａｔａｄ　Ｎ
ａｔｎａ−ｔｉｅ（ＴＮ）型と呼ばれるものが、最も一
般的である。このＴＮ型表示方式はネマチック液晶を用
いるものであるが、これにおいては、前記のすぐれた特
徴をすべて有する反面、ＣＲＴをはじめとする他の発光
減表示方式と比較すると、その応答が非常に遅いという
欠点があった。また印加した電場を切ったときには、も
との状態にもどるため表示の記憶（メモリー効果）が得
られなかった。

これらのために、高速応答や、時分割作動が必要外光シ
ヤツター、プリンターヘッド、テレビ等への動画面への
応用には種々の制約を受け、適したものであるとは言え
なかった。

液晶表示素子としてはＴＮ型以外にもｒスト−ホスト（
ＧＥ）型、複屈折制御（Ｅ　ＣＢ　）　！、相転移＜ｐ
ｃ＞ｍ、熱効果型等が研究開発されておシ、それぞれ特
徴を有しているが、その応答性においては、いずれもＴ
Ｎ屋と比べて、特に改善がかされたものとは言えなかっ
た。これらに対し、高速応答が得られる液晶表示方式と
して二周波駆動型、およびスーパーＴＮ型と呼ばれるも
のが開発されておシ、その応答性においては、かなシの
改善がなされたが、それでも充分満足できるものとは言
えず、また二周波駆動型においてはその作動回路が複雑
になシすぎる、また、スーパーＴＮ型においては画面が
黄色に着色するためカラー表示に向かまい、などの欠点
を有していた。このため、さらに応答性にすぐれた新し
い液晶表示方式の開発が試みられてきた。

この目的に沿ったものとして最近、強誘電性液晶が発表
された。（Ｒ，Ｍａｙｅｒ　ａｔ　ａｌ、　Ｉ　Ｊ。

−ｐｈｙａぜｑ％ｅ３６　　Ｌ６９（１９７５））この
強誘電性液晶を利用した表示素子は、従来の液晶表示と
比較して、１００〜１０００倍という高速応答と、双安
定性によシもたらされるメモリー効果を有することが指
摘され（Ｎ、Ａ、Ｃ１αデｋ。

Ｓ、　Ｔ、　Ｌａｇｅｒｗａｌｌ　Ｉ　Ａ’Ｐｐｌ　Ｐ
ｈｙ８．　ＩＡｔｔ　；　３６８９９（１９８０））、
テレビ等の動画面や、高速光シャッター、プリンターヘ
ッド、コンピュータ一端末など多方面の表示素子への応
用が期待できるものである。

強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のカイラルス
メクチック相に属するものであるが、その中でも、実用
的に望ましいものは、最も粘度の低いカイラルスメクチ
ックＣ（以下Ｓｃ　　と略称する）相と呼ばれるもので
ある。

ＳＣ＊相を有する液晶化合物はこれまでにも検討されて
きており、既に数多く知られている。

代表的なものとしては初めて合成された強誘電性液晶と
して知られている（５）−２−メチルブチルｐ−デシル
オキシベンジリデンアミノシンナノ−）　（ＤＯＢＡＭ
ＢＣと略称されている）及びその同族体のシック塩基系
液晶をあげることができる。ＤＯＢＡＭＥＣは現在にお
いても、強誘電性液晶の物性や配向などの検討用として
、最もよく用いられている液晶化合物の１つであって自
発分極やらせんピッチなど強誘電性液晶における重要な
諸物性値の１つの基推ともなっている。しかし、ＤＯＢ
ＡＭＢＣとその系列化合物には■光に対する安定性に欠
ける■水分に対する安定性に欠ける■液晶化合物自体有
色である。■Ｓｅ＊相を示す温度範囲が、エナンチオト
ロピックで２０゜以内と狭く、かつ室温域から離れてい
る。等のべ点があって、実用的な面からみると満足でき
るものではなかった（　１　）　Ｐ、　Ｍａｌｌｅｒａ
ｔ　ａｌ　Ｉ　Ｊ。

ｄｅ　Ｐｈｙｓｉｑｕｅ　３７　　Ｃ５（１９７６）、
２）ｉｄｇｒｎｌ　Ａｅａｄ、　ＳＣ，ｐａｒｔｓ　２
８２　　Ｃｌ、　３９（１９７６）　、　３　　）Ｅ、
１．Ｏｓｔｒｏｗｓｋｔｔ　　ａｔ　　ａｌ。

Ｆｇｒｒｏｅｌｅｄｒｔａａ　　２　４　　３　０　９
　　（１９８０）　、４　）Ｋ、Ｙｏｓｈｉｎｏ　　ａ
ｔ　　ａｌ　Ｊａｐａｎｇａｔｔ　Ｊ、ｏｆ　Ａｐｐｌ
ｐｈν５ｉＣｓ　Ｑ３Ｌ１７５　（１９８４）、５）磯
貝ら、特開昭５９−９８０５１など〕。

アゾキシ性液晶においてもいくつか知られているが、そ
の強い着色性のためにやはシ実用には不適である。（ｐ
、　Ｋｇｌｌａｒ　ａｔ　ａｌ、　Ａｎ％、　ｐｈｙａ
。

３　１３９（１９７Ｂ）） こうした欠点を改良すべく、化学的に安定なエステル系
の液晶化合物が、最近検討されておシ既に報告例も多い
。

これらを多数紹介している総説としては１）Ｊ。

Ｗ、　Ｇｏｏｄｂｙ　ａｔ　ａｌ　ＩＡｑｓｉｄ　Ｃｒ
ｙｓｔａｌ　ａｎｄＯｒｄｅｒｅｄ　Ｆｌｓｉｄａ　　
Ｖｏｌ　　４　　　ｐ　１〜　２　）Ｊ、Ｗ。

Ｇｏｏｄｂｙ　Ｔ、Ｍ、　Ｌａｘｉｔ＃、　Ｍｏ１．　
Ｃｒｙｓｔ　ＩＡｑ。

（’ｒｙｓｔ、１１０　１７５（１９８４）などをあげ
ることかでき、また、同様に多数の化合物を含む文献と
しテ、Ｍ、　Ｉｓｏｇａｉ　ａｔ　ａｌ、　Ａ’Ｐ−０
１１０２９９をあげることができる。

しかしこれらに紹介されているエステル系化合物におい
ては、そのうち液晶分子内にベンゼン環等を２個有して
いる２１ｉ１性化合物においては、ＳＣ＊相は比較的室
温と近い低温域にあるものが多いが、その多くはＳＣ＊
相は降温時のみにあられれるいわゆるモノトロピックで
アシ、昇温時にもあられれるエナンチオトロピックなも
のでもその安定な温度域は非常に狭いものであった。一
方、分子内にベンゼン環等を３個含んでいる３３３１性
化合物においてはＳｔ＊相が安定に存在する温度域は広
く表るものの、その融点は室温よりはるかに高いものば
かりであって、そのため、これらの化合物においては多
くの種類管まぜあわせ、融点を下げ、その温度域を調整
する必要があった。

３３！性化合物は大きくわけて、（イ）ビフェニル環を
含むもの、←）ビフェニル環を含まないものに分類され
る。前者は比較的よく検討されておシ、報告されている
化合物も数多い。しかし麦から、このタイプの化合物で
はＳＣ＊相の温度域はかなシ広いものの、よシ低温域に
おいて、ＳＣ相よシ結晶相に近いスメクチック相を有す
ることが多く、そのため混合しても、ＳＣ相の温度範囲
そのものはあまシ広がらず、よシ低温域のスメクチック
相の温度域が広がってしまう場合が多かった。

前者のタイプの化合物は、あまシ知られていないが、た
とえば／、　Ｗ、　Ｇｏｏｄｂｙと　Ｔ、　Ｍ、　Ｌａ
−５ｌｉａにより紹介されている（Ｉ）、あるいは（１
１）などをあげることができる。（＊は不斉炭素である
ことをあられしている） （ここでＣデは結晶相、ＳＡはスメクチックＡ相、Ｉは
等方性液体相をあられす）これらを用いて室温域でＳＣ
＊相を示すような液晶組成物も得られてはいる。しかし
、これらの化合物はいずれも、その不斉中心の炭素と太
きカ、分子内双極子モーメントを有するカルボニル結合
とが、大きく離れておシ、そのために、自発分極が小さ
く、応答性は満足のいくものではなかった。そのため、
後者のタイプで自発分極がよシ大きいＳｅ＊液晶化合物
が望まれていた。

本発明者らは、光及び化学的安定性にすぐれた液晶化合
物として、エステル系化合物に着目し、単独もしくは配
合することによって、室温付近で強誘電性を有する液晶
相、特にカイラルスメクチックＣ相を広い範囲でとシう
る新規の液晶化合物であって、しかも自発分極が大きく
応答性にすぐれたものが得られないものかと鋭意検討し
、本発明に至ったものである。

また本発明はそのよう々液晶化合物、あるいは組成物を
用いて、高速応答性を有する液晶表示素子を提供しよう
というものである。

本発明における液晶化合物は次の一般式（Ｉ）であられ
される化合物であることを特徴としている。

Ｒ＋ＣＯＯ◎ｃｏｏ◎Ｃ００Ｑ１・・（Ｉ）（式中、Ｒ
は炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシ基をあ
られし、Ｑ＊は光学活性なアルキル基をあられす。） また、本発明における液晶組成物とは、一般式（Ｉ）で
あられされる化合物（以下に化合物（Ｉ）と略称する）
の複数よシ麦るか、化合物（Ｉ）の１種またはそれ以上
と、化合物（Ｉ）以外の液晶化合物とから立る液晶組成
物である。

前述の如く、液晶における強誘電性は、液晶がチルト系
であるカイラルスメクチック相、より具体的には、ＳＣ
＊相、Ｓ−相（カイラルスメクチックＦ相・・・・・・
以下同様に略する）、ＳＧ　相、Ｓ１相、ｓｘ”相、Ｓ
Ｊ＊相、ＳＫ＊相をとるときに出現するが、そのうち最
も実用的とされているのは、Ｓ６＊相である。他のいく
つかの相においてもスイッチング動作が検出されてはい
るが、それらはより結晶相に近く、粘性が大きいため、
応答速度は遅くなυ、実用的とはいえない。

化合物（Ｉ）においては、そのほとんどがＳｃ＊相を有
しておシ、その温度範囲が広いものも存在する。またＳ
ｃ　　相の低温域に他のスメクチック相をとらないため
、混合することによシ融点を下げて、その温度域を下方
に拡大することも容易である。

化合物（Ｉ）には、一般式（Ｉ）にも示されるように、
分子内に、ＤＯＢＡＭＢＣの上うに光に不安定なトラン
ス−２重結合や、水分に不安定なアゾメチン結合（−Ｃ
Ｈ＝Ｎ−）を有していない。そのために、化学的には全
く安定である。またＤＯＥＡＭＢＣやアゾキシ系にみも
れるように、着色しておらず、それ自体無色である。

液晶がＳｃ　相、あるいは他のカイラルスメクチック相
を示すためには、系がカイラルである必要がある。その
ために分子内にカイラルな基を導入するか、あるいは、
液晶中に他のカイラル物質を添加するなどの方法がとら
れているが、後者では、後述する自発分極が小さすぎる
ため、主に前者の方法がとられておシ、゛化合物（Ｉ）
においても（Ｓ）−２−メチルブチルアルコールをはじ
めとする光学活性アルコールをカイラルな原料として用
い分子内に導入している。

強誘電性液晶が、高速応答性を示すのは、自発分極を有
しておシ、それが、印加電場と直接に相互作用するから
である。液晶の粘度が一定であるならば、自発分極の値
が大きい程、その応答速度は速くなり、従って、強誘電
性液晶における最も重要な物性値の１つである。

自発分極を大きくするためには、大きな分子内永久双極
子であるカルボニル結合（〉Ｃ＝Ｏ）と不斉炭素ができ
るだけ近傍に存在することが望ましいとされている。現
在数ｎ　Ｃ／　ｃＩｉ以上の自発分極を有する強誘電液
晶化合物は、はとんどがそのような構造を有しておシ、
本化合物内においても、前述のように、光学活性のアル
コールをエステル結合で連結させることにより、その条
件を満たしておシ、後述するように同程度の自発分極を
有している。

次に化合物（Ｉ）の合成法について述べる。

化合物（Ｉ）の合成法としてはＡ法及びＢ法があり、Ａ
法は一般式（９） （式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコ
キシ基をあられす） で示される酸塩化物と一般式（ホ） （式中、Ｑ＊は光学活性なアルキル基をあられす） で示されるフェノール誘導体とを、ビリシン等の塩基性
物質存在下に反応させるものであって、Ｂ法は酸塩化物
（２）を４−ヒドロキシ安息香酸と反応させるか、ある
いは４−ヒドロキシベンズアルデヒドと反応させた後無
水クロム酸等で酸化して、一般式■ （式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、またはアル
コキシ基をあられす） で示されるカルボン酸とし、これを塩化チオニル等の塩
累化剤と反応させて酸塩化物とした後、光学活性アルコ
ールＱ＊０Ｈ（Ｑ＊は光学活性なアルキル基をあられす
）と反応させるものである。その合成経路を以下に図示
する。

（Ｉ） 用いる光学活性アルコールＱ　ＯＨが１級アルコールの
場合、Ａ法によゐ方が簡便であって、収率も高い。しか
し、Ｑ＊ＯＨが２級アルコールの場合、フェノール誘導
体価を合成する際にラセミ化の恐れがあシ、光学純度を
保ったまま（ホ）に導くのは複雑な工程を必要とするた
め、あまシ適しているとは言い難い。

Ｂ法はＡ法に比べて工程数が多いが、Ｑ　　ＯＨの如何
にかかわらず用いることができ、より一般的である。

ここで原料として用いる酸塩化物（至）は、次のように
して合成できる。

即ち、４−アルキル（または４−アルコキシ）安息香酸
塩化物と４−ヒドロキシ安息香酸とを反応させて、一般
式Ｍ （式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコ
キシ基をあられす） で示されるカルボン酸としたのち、塩化チオニル等の塩
素化剤を作用させて得ることができる。ここでカルボン
酸Ｍは４−ヒドロキシ安息香酸に換えて４−ヒト四キシ
ベンズアルデヒドを用いて反応させた後、無水クロム酸
等を用いて酸化することによっても得ることができる。

一方、Ａ法において用いられるフェノール誘導体−は、
Ｑ＊ＯＲが１級アルコールの場合には、４−ヒドロキシ
安息香酸と酸触媒存在下にベンゼンやトルエン、キシレ
ン中で脱水縮合することによシ容易に得ることができ、
Ｑ＊ＯＨが２級の場合には、４−ヒドロキシ安息香酸を
まず、その水酸基を適当な保護基、例えばベンジルエー
テルとして保護した後、塩化チオニル等の塩素化剤で酸
塩化物としてから、Ｑ＊ＯＨと反応させ、最後に保護基
をはずすことによシ得ることができるものでちる。

さて、得られた液晶化合物あるいは組成物は、２枚の透
明な電極板の間に、均−力厚さく１μ儒〜２０μ毒程度
）の薄膜とすることにより、液晶表示用セルとして使用
することができる。

表示用セル中においては、液晶の分子は分子長軸が電極
面に平行な、いわゆるホモジニアスの、かつ向きの均一
な配向をとったモノドメインである必要がある。このた
めに、電極板の表面に、ラビング、蒸着等による配向処
理を施すか、あるいは電場、または磁場を印加するか、
あるいは温度勾配をもたせるか、あるいはこれらの手段
の複数を併用した状態で、等方性液体相から、液晶相ま
で徐々に冷却して、配向させる方法が一般に採用されて
いる０本発明における化合物あるいは組成物においても
、このよう外方法によって均一に配向したモノドメイン
のセルを得ることができる。

本発明は、以上の如きものであるが、本発明の化合物（
Ｉ）は従来代表的強誘電性液晶化合物として知られてい
たＤＯＢＡＭＢＣに比して、後述する実施例にも示され
るごとく、工業的に容易に製造することができ、それ自
体無色であって、水、光に対する化学的安定性にまされ
るものである。また本発明の組成物においては一般の液
晶組成物と同様に単一化合物に比して、融点の降下がみ
とめられ、かつ低温部により結晶相に近いスメクチック
相を有さないためＳｃ　　相の温度範囲が広がり、室温
における利用も可能である。

更に、本発明の強誘電性液晶化合物、及び、組成物は、
従来の強誘電性液晶と同様に応答速度が、ネマチック液
晶の１００倍以上と極めて大きい。

従って、表示用光スイッチング素子として極めて有望で
ある。

以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、勿
論、本発明の主旨および適用範囲はこれらの実施例によ
って制限されるものではない。

尚、温度は℃を意味する。

実施例１ ４−　（（Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル）
フェニル　４−（４−７”シルオキシベンゾイルオキシ
）ベンゾエートの合成： 〔１−α：］　　４−（７’シルオキシベンゾイルオキ
シ）安息香酸の合成 ４−デシルオキシ安息香酸２７．８　ｆに塩化チオニル
６〇−及び１−のピリジンを加え加熱攪拌する。２時間
後、過剰の塩化チオニルを減圧下留去した。これにピリ
ジン３〇−及び塩化メチレンに溶解した４−ヒドロキシ
ベンズアルデヒドヲ加工、１時間加熱還流させる。放冷
後酢酸エチル２０〇−を加え、１０％塩酸、飽和重炭酸
ナトリウム水、水、飽和食塩水で順次、洗滌した後、無
水硫酸ナトリウムを加え乾燥した。

溶媒を留去して得られた粗結晶をエタノールから２回再
結晶を行って４−ホルミルフェニル　４−デシルオキシ
ベンゾエートの白色結晶１５．６Ｆを得た。（収率８２
％）（ＩＲ：１７４０　。

１７００．１６１０，１５８５，１５２０゜１４３０ｉ
２７０，１２２０，１１７０゜ツキニ、コの４−ホルミ
ルフェニル４−７’　−７ルオキシベンゾエート５．５
６　ｆニ酢酸５０　ｄｔ”加、ｔ、５０°で加熱攪拌し
、溶解した。これに５．５−の酢酸と１．７　ｔＲｔの
水に溶解した無水クロム酸１．５ｆを内温を５０°に保
ちながら６０分かけて滴下した。滴下終了後１時間、５
０６で攪拌した後、氷水中にあけ、沈澱を炉別して粗結
晶４．９７ｆを得た。エタノールから再結晶して４−（
４−デシルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸の白色結
晶！Ｌ８２ｆを得た。

ＩＲ（２７００，２５６０，１７４０，１（Ｓ９５゜１
６０５．１５２０，１４３’０ｉ２６０゜１２１０．１
１７０．１０７０，８４５，７６５また、この４−（４
−デシルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸は次のよう
にしても得ることができた。４−デシルオキシ安息香酸
より合成した４−デシルオキシ安息香酸塩化物２．９７
　Ｆを１５−の塩化メチレンに溶解し、これに、ピリジ
ン１５−に溶解した４−ヒドロキシ安息香酸１．５８ｔ
を滴下した。滴下終了後６時間加熱還流し、放冷した。

１０％塩酸１００−を加え生じた白色法澱をろ別し、水
で洗液が中性になるまで洗滌した。

得られた粗結晶をエタノールから、３回再結晶して、４
−（４−デシルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸２．
６３Ｆ（収率６６％）を得た。ＩＲスペクトル及び相転
移温度は、先に得られたものとよく一致した。

（１−ｂ〕　４−（（Ｓ）−２−メチルブチルオキシカ
ルボニル）フェニル　４−（４−デシルオキシベンゾイ
ルオキシ）ベンゾエートの合成１−ａで得られた４−（
４−デシルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸Ａ７０ｆ
に塩化チオニル２〇−及び♂リジン１−を加え、３時間
加熱攪拌した。過剰の塩化チオニルを減圧下留去して得
られた粗結晶にベンゼン１００−を加え、不溶物を傾瀉
で除去した。ベンゼンを留去径外−ヘキサンから再結晶
して、４−（４−デシルオキシベンゾイルオキシ）安息
香酸塩化物２．９６ｆを得た。

（収率７６％） この酸塩化物４１６．５ｗ９および、（５）−２−メチ
ルツチル、４−ヒドロキシベンゾエート５０〇岬を５−
の塩化メチレン及び３−のピリジンに溶解して３時間加
熱還流した。放冷後１００ｇ／の酢酸エチルを加え、１
０％塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食
塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水した。溶媒を
留去して得られた油状物をシリカｒルカラムクロマトグ
２フィーで精製し、（展開溶媒：クロロホルム）、さら
に、エタノールから再結晶して、４−（（５）−２−メ
チルブチルオキシカルボニル）フェニル　４−（４−−
７’シルオキシベンゾイルオキシ）ベンゾエートの白色
結晶４４０１１ｖを得・た。（収率７５％）化学構造は
核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、赤外吸収スペクトル
（ＩＲ）及び質量スペクトル＜ＸＳ　）を用いて決定し
た。

〃 （ｄ　ｄ　、　２　Ｈ、Ｃ−０−Ｃ馬−）、δ４．０２
（ｔ＊２　Ｈｅ　−ＣＨｔ−０−＠−）、ａ　１．６〜
２．０　（愼＊〜１．５（情、１６ｆｆ、その他のメチ
レン）、δ０．８５〜１，１ｏ（惧９９Ｈｅ−ＣＭ、）
　　（ｔｎは多重線、ｄは２重線、ｄｄは２重の２重線
、ｔは３重線をあられす） ＩＲ：１７３５ｔ１７２０ｉ６１０，１５２０＊　　’
１４７０．１４２０，１２７０．イ２０５゜１１６５．
１０６５，１０２０，８８５，８５０゜７６５ｔ６９０
，６２５（ａｍ−”） ＭＳ：ｔｎ／ａ＝５８８ＣＰ　　） この化合物はＳＣ＊相を示した。その相転移温度を以下
に示す。なお、転移温度は示差走査熱量計（ＤＥＣ）及
び、温度調節ステージを備えた偏光顕微値を併用して測
定したが、生成物の純度や測定条件によシ、若干変化す
るものである。

Ｓｅ”−５１＝１２７．５°、Ｓ）、−１”、１７３．
５°、融点８４．５°　（５ＡはスメクチックＡ相、Ｉ
は等方性液体相を示す６） 実施例２ 実施例１において、４−デシルオキシ安息香酸に換えて
、４−オクチルオキシ安息香酸、４−ドデシルオキシ安
息香酸、４−テトラデシルオキシ安息香酸を用いて、同
様に反応を行った。中間体として得られた、４−ホルミ
ルフェニル４−オクチルオキシベンゾエート、４−ホル
ミルフェニル４−ドデシルオキシベンゾエニト１．４−
ホルミルフェニル４−テトラデシルオキジペンゾエート
の相転移点を表１に、４−（４−オクチルオキシベンゾ
イルオキシ）安息香酸、４−（４−ドデシルオキシベン
ゾイルオキシ）　安ｌ香酸、４−　（４−テトラデシル
オキシベンゾイルオキシ）安息香酸の相転移点は表２に
示す。

得られた４−（（Ｓｉ２−メチルブチルオキシカルボニ
ル）フェニル　４−（４−オクチルオキシベンゾイルオ
キシ）ベンゾエート、４−（（Ｓ）−９ぢ　− −２−）ｆルプチルオキシカルボニル）フェニル４−（
４−ドデシルオキシベンゾイルオキシベンゾニー）、４
−（（５）−２−メチルブチルオキシカルボニル）フェ
ニル　４−（４−テトラデシルオキシベンゾイルオキシ
）ベンゾエートのＫＭＲ，ＪＲは実施例１における亀の
とほとんど同様であって、わずかにメチレン鎖に対応す
るピークあるいは吸収の強度比の異ったのみのチャート
を与えた。また、ＭＳはそれぞれの親♂−りｔｎ／ｓ＋
＝５６０，６１６，６４４を与えた。

これらの相転移点を表３に示す。

実施例５ ４−（（Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル）フ
ェニル４−（４−デシルベンゾイルオキシ）ベンゾエー
トの合成： 実施例１において、４−デシルオキシ安息香酸に換えて
、４−デシル安息香酸を用い同様に行って、４−（（Ｓ
）−２−メチルブチルオキシカルボニル）フェニル４−
（４−７”シルベンゾイルオキシ）ベンゾエートを得た
。

δｚ２〜ｚ４５（情、６Ｈ２その他の芳香族水素）、δ
４．１６　（ｄ　ｄ　、　２７７　、　ＣＯＯ−ＣＨ，
）、δ２．７０８１．１〜１．５　＜ｍ、　１６Ｈ、そ
の他のメチレン）、。

δα８〜１．０５（惧、　９Ｈ、−ＣＨ８）７Ｒ：１７
４０，１７２０，１６０５，１５２０゜１４７０．１４
２０，１２７５，１２１０゜１１８５．１１７０１１０
７０，１０２０゜８９０．７７０　ｔ　７００　＋　５
１５　ａｎ　−”ＭＳ：倶／ｇ＝５７２（Ｐ　　） この化合物はＳＣ＊相を示した。その相転移温度を表６
に示す。中間体として得られた４−ホルミルフェニル４
−デシルベンゾエート（ＪＲ”。

２７５０．１７４５，１７１０，１６０５；１５１５．
１４７０，１４２５，１２７０゜１２２０．１１８０．
１１６０，１０７０゜１０２０．８４０，７６０ｃｍ″
″１）及び４−（４−デシルベンゾイルオキシ）　安息
’ｌＦｍ１　（Ｉ　Ｒ”。

２６８０．２５６０，１７３５，１６９０゜１６０５．
１５１５，１４７０，１４３０゜１２７５．１２０５，
１１８０，１１６５゜１０６５．１０１５，８９０，８
６０，７６０ｗ−’）はともに液晶相を示した。その相
転移温度をそれぞれ表１、表２にまとめて示す。

実施例４ 実施例３において、４−デシル安息香酸に換えて、４−
オクチル安息香酸を用い、中間体の４−ホルミルフェニ
ル４−オクチルベンゾエート、４−（４−オクチルベン
ゾイルオキシ）安息香酸、及び、４−（（，５）−２−
メチルブチルオキシカルホニ／Ｉ／）フェニル４−（４
−オクチルベンツイルオキシ）ベンゾエートを得た。こ
れらの相転移温度はそれぞれ表１、表２、表５にまとめ
て示す。

表中、Ｎはネマチック相をあられし、・はその相が存在
すること、−は存在し々いことをあられし、（）内はそ
の相がモノトロピックであることをあられしている。＊
印は急冷下確認できるが結晶化が速く、転移点が測定で
きないものである。

表中、ＳＣはスメクチックＣ相をｉられす。

実施例５ 室温でＳｏ　　相を有する組成物の調製：実施例１で得
られた、４−（（Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボ
ニル）フェニル４−（４−デシルオキシベンゾイルオキ
シ）ベンゾエート２５％、及び、３−フルオロ−４−（
（Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル）フェニル
４−デシルオキシベンゾエート４６％、及び、３−クロ
ロ−４−（（Ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル
）フェニル４′−デシルオキシビフェニル−４−カルボ
キシレート２９％からなる液晶組成物を調製した。

この組成物は５４°以下でＳｃ＊相を示し、１０°以下
までＳｃ＊相を保ち、１ｏｏで長時間放置しても結晶化
しなかった。

これによって室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示す
、液晶組成物が得られたことになる。

実施例６ 液晶表示用薄膜セルの作成： 実施例１で得られた４−（（Ｓ）−２−メチルブチルオ
キシカルボニル）フェニル４−（４−デシルオキシベン
ゾイルオキシ）ペンゾエートヲ加熱して等方性液体相と
した。これを厚さ２．０μ情のスペーサーを介した２枚
の４リイミドーラビング配向処理を施したガラス透明電
極間に充填し、薄膜セルを作成した。

１分間に５°の割合で冷却し、スメクチックＡ相を配向
させ、さらに１２ｚ５°以下に冷却して均一なＳｅ　　
相のモノドメインを得た。

このセルに電場（１０Ｆ、１１００ｆｆの矩形波）を印
加し、透過光をフォトマルチプライヤ−で検出し、その
光スイッチング動作を測定したところ、その応答速度は
、３３μｓ＃Ｃ（αｔ１２３°）、４１μｓ−〇（αｔ
１１６°　）、１１９μｓｇｅ（αｔ９１°　）、２１
５ｔｔａａｅ　（αｔ７０’）であった。

またそのチルト角、及び自発分極は温度に依存するが、
１００℃でそれぞれ、約１０°約２ｔｓＣ／ｄであった
。

これによって、応答速度の大きい光表示素子が得られた
ことになる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコ
   キシ基をあらわし、Ｑ＾＊は光学活性なアルキル基をあ
   らわす） で示される化合物。 ２、一般式（ I ）においてＱ＾＊が（Ｓ）−２−メチ
   ルブチル基である特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ３、特許請求の範囲第１項記載の一般式（ I ）の化合
   物の少くとも１種を配合成分として含有する液晶組成物
   。 ４、一般式（ I ）の化合物の２種以上を含有する特許
   請求の範囲第３項記載の液晶組成物。 ５、カイラルスメクチツク相を有する特許請求の範囲第
   ３または４項記載の液晶組成物。 ６、特許請求の範囲第１項記載の一般式（ I ）の化合
   物の少くとも１種を構成要素とする光スイッチング素子
   。