JPH04112875A - フェニルピリダジン誘導体 - Google Patents
フェニルピリダジン誘導体Info
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- JPH04112875A JPH04112875A JP23049990A JP23049990A JPH04112875A JP H04112875 A JPH04112875 A JP H04112875A JP 23049990 A JP23049990 A JP 23049990A JP 23049990 A JP23049990 A JP 23049990A JP H04112875 A JPH04112875 A JP H04112875A
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特に応答性、メモリー性に優れた強誘電性液
晶表示用材料として有用な新規なフェニルピリダジン誘
導体からなるラセミ体に関する。
晶表示用材料として有用な新規なフェニルピリダジン誘
導体からなるラセミ体に関する。
液晶表示素子は、その優れた特徴(低電圧作動、低消費
電力、薄型表示か可能、明るい場所でも使用でき、目が
疲れない。)によって、現在広く用いられている。しか
しながら、最も一般的であるTN型表示方式では、CR
Tなどの発光型表示方式と比較すると応答が極めて遅く
、かつ印加電場を切った場合の表示の記憶(メモリー効
果)が得られないため、高速応答の必要な光シャター
プリンターヘッド、時分割駆動の必要なテレビなどの動
画面などへの応用には多くの制約があり、適した表示方
式とは言えなかった。
電力、薄型表示か可能、明るい場所でも使用でき、目が
疲れない。)によって、現在広く用いられている。しか
しながら、最も一般的であるTN型表示方式では、CR
Tなどの発光型表示方式と比較すると応答が極めて遅く
、かつ印加電場を切った場合の表示の記憶(メモリー効
果)が得られないため、高速応答の必要な光シャター
プリンターヘッド、時分割駆動の必要なテレビなどの動
画面などへの応用には多くの制約があり、適した表示方
式とは言えなかった。
しかしながら、最近報告された強誘電性液晶を用いる表
示方式によると、TN型表示方式の100〜1000倍
という高速応答とメモリー効果が得られるため、次世代
の液晶表示素子として期待され、現在、盛んに研究開発
か進められている。
示方式によると、TN型表示方式の100〜1000倍
という高速応答とメモリー効果が得られるため、次世代
の液晶表示素子として期待され、現在、盛んに研究開発
か進められている。
強銹電性液晶は、液晶相としては、チルト系のキラルス
メクチノク相に属するものであるか、実用的には、その
中で最も低粘性であるキラルスメクチノクC(以下、S
c”と省略する。)相か最も望ましい。
メクチノク相に属するものであるか、実用的には、その
中で最も低粘性であるキラルスメクチノクC(以下、S
c”と省略する。)相か最も望ましい。
Sc”相を示す液晶化合物は、既に数多く合成され、検
討されている。しかしながら、強誘電性液晶表示素子と
して用いるための条件、即ち、(イ)室温を含む広い温
度範囲でSc”相を示すこと、 (ロ)良好な配向を得るために、Sc”相の高温側に適
当な相系列を有し、かつその螺旋ピッチか大きいこと、 (ハ)適当なチルト角を有すること、 (ニ)粘性が小さいこと、 (ホ)自発分極がある程度大きいこと、などの条件を単
独ですべて満足するものは知られていなかった。
討されている。しかしながら、強誘電性液晶表示素子と
して用いるための条件、即ち、(イ)室温を含む広い温
度範囲でSc”相を示すこと、 (ロ)良好な配向を得るために、Sc”相の高温側に適
当な相系列を有し、かつその螺旋ピッチか大きいこと、 (ハ)適当なチルト角を有すること、 (ニ)粘性が小さいこと、 (ホ)自発分極がある程度大きいこと、などの条件を単
独ですべて満足するものは知られていなかった。
このため、混合によって、Sc’相を示す液晶組成物(
以下、Sc”液晶組成物という。)として用いられてい
る。
以下、Sc”液晶組成物という。)として用いられてい
る。
Sc”液晶組成物の調製方法としては、スメクチックC
(以下、Scと省略する。)相を示す母体液晶に光学活
性化合物からなるキラルドーパントを添加する方法が高
速応答の達成に有利であり、現在、最も一般的に用いら
れている方法である。
(以下、Scと省略する。)相を示す母体液晶に光学活
性化合物からなるキラルドーパントを添加する方法が高
速応答の達成に有利であり、現在、最も一般的に用いら
れている方法である。
これまで、Sc相、あるいはSc”相の上限温度(以下
、Tc点という。)を上昇させるために用いられてきた
化合物には、下記一般式(■)、〜(n) rで表され
る化合物のように、3個の芳香環を有するものが一般的
である。
、Tc点という。)を上昇させるために用いられてきた
化合物には、下記一般式(■)、〜(n) rで表され
る化合物のように、3個の芳香環を有するものが一般的
である。
(式中、R“及びRbは各々独立的にアルキル基を表わ
す。) しかしながら、上記3現型化合物はいずれも、2現型化
合物に比べると粘度か大きいという欠点を有していた。
す。) しかしながら、上記3現型化合物はいずれも、2現型化
合物に比べると粘度か大きいという欠点を有していた。
一方、2現型化合物でTcを上昇させる効果か大きい化
合物としては、下記一般式(■)、て表されるフェニル
ピリダジン誘導体が知られている。
合物としては、下記一般式(■)、て表されるフェニル
ピリダジン誘導体が知られている。
(式中、R”及びRbは各々独立的にアルキル基を表わ
す。) しかしながら、この化合物は、その粘度が小さいものの
、融点が高いという問題点を有しており、またSc相の
低温域に他のスメクチック相を有しており、Sc相の温
度範囲そのものは比較的狭いという問題点も有していた
。
す。) しかしながら、この化合物は、その粘度が小さいものの
、融点が高いという問題点を有しており、またSc相の
低温域に他のスメクチック相を有しており、Sc相の温
度範囲そのものは比較的狭いという問題点も有していた
。
そこで、さらに低融点で、Sc相の温度範囲か広く、T
c点を上昇させる効果が大きい化合物の提供か望まれて
いた。
c点を上昇させる効果が大きい化合物の提供か望まれて
いた。
本発明が解決しようとする課題は、低粘度であって、か
つ、Sc相を示し、混合によりTc点を上昇させる効果
が大きく、さらに低融点の化合物を提供し、また、それ
を用いることにより、広い温度範囲でSc(あるいはS
c”)相を示す低粘度の液晶組成物を提供し、また、そ
のような組成物を構成要素として用いた液晶表示素子を
提供することにある。
つ、Sc相を示し、混合によりTc点を上昇させる効果
が大きく、さらに低融点の化合物を提供し、また、それ
を用いることにより、広い温度範囲でSc(あるいはS
c”)相を示す低粘度の液晶組成物を提供し、また、そ
のような組成物を構成要素として用いた液晶表示素子を
提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するために、下記−般式(I
)で表されるラセミ体であるピリダジン誘導体を提供す
るものである。
)で表されるラセミ体であるピリダジン誘導体を提供す
るものである。
CH。
式中、R1は炭素原子数4〜18の直鎖状アルキル基を
表わすか、特に炭素原子数6〜12の直鎖状アルキル基
が好ましい。mは2〜8の整数を表わすが、3〜5の整
数か好ましく、nは1〜4の整数を表わすか、1又は2
が好ましい。
表わすか、特に炭素原子数6〜12の直鎖状アルキル基
が好ましい。mは2〜8の整数を表わすが、3〜5の整
数か好ましく、nは1〜4の整数を表わすか、1又は2
が好ましい。
本発明の一般式(I)で表される化合物は、例えば、以
下の方法に従って製造することができる。
下の方法に従って製造することができる。
即ち、一般式(I[)
(式中、R1は一般式(I)と同じ意味を表わす。)で
表される3−(4−ヒドロキンフェニル)−6アルキル
ビリダジンと 一般式(m) CH。
表される3−(4−ヒドロキンフェニル)−6アルキル
ビリダジンと 一般式(m) CH。
Br−(CH2)−−CH−(CH2)、−CH−(式
中、m及びnは各々一般式(I)と同じ意味を表わす。
中、m及びnは各々一般式(I)と同じ意味を表わす。
)
て表される臭化物とを強塩基存在下に反応させることに
よって、容易に一般式(I)で表される化合物を製造す
ることができる。
よって、容易に一般式(I)で表される化合物を製造す
ることができる。
一般式(n)で表される化合物は、既知の化合物である
。
。
一般式(m)で表される臭化物は、そのm及びnの値に
応じて市販の化合物を原料として、例えば以下のように
して容易に製造することができる。
応じて市販の化合物を原料として、例えば以下のように
して容易に製造することができる。
<1)n=1及びn=2の場合
市販の式
HO−CH2CHC2H5の化合物及び式H3
HO−CH2Cl−n−C3H7の化合物を出発物質に
して衆知の炭素鎖伸長反応を行なうことにより容易に製
造することができる。
して衆知の炭素鎖伸長反応を行なうことにより容易に製
造することができる。
(2) n = 3の場合
市販の2−ブロモヘキサンをグリニヤール化合物とした
後、ホルムアルデヒドと反応させるか、あるいは二酸化
炭素と反応させた後、還元してアルコール(2−メチル
ヘキサノール)トシ、ついで臭素化することにより容易
に製造することかできる。
後、ホルムアルデヒドと反応させるか、あるいは二酸化
炭素と反応させた後、還元してアルコール(2−メチル
ヘキサノール)トシ、ついで臭素化することにより容易
に製造することかできる。
(3) n = 4の場合
n=3の場合と同様にして製造することがてきる。
斯くして得られる本発明の一般式(I)で表される化合
物は、融点、相転移温度、赤外線吸収スペクトル(IR
)、核磁気共鳴スペクトル(NMR)等の手段により確
認することかできる。
物は、融点、相転移温度、赤外線吸収スペクトル(IR
)、核磁気共鳴スペクトル(NMR)等の手段により確
認することかできる。
その代表的な化合物の相転移温度を第1表に示した。
第 1 表
表中、Cは結晶相、■は等方性液体相、s6はスメクチ
ックG相を各々表わす。
ックG相を各々表わす。
一般式(I)から明らかなように、このビリタジン誘導
体は2現型化合物であるうえに、エステル結合をはじめ
とする粘性の高い基を含んでぃないのでその粘性は低い
。
体は2現型化合物であるうえに、エステル結合をはじめ
とする粘性の高い基を含んでぃないのでその粘性は低い
。
さらに、高い温度までSc相を示し、しがもSc相の温
度範囲が広いので、混合することにより液晶組成物のS
c相の上限温度を上昇させ、広い温度範囲でSc相を示
す組成物を得ることか可能である。
度範囲が広いので、混合することにより液晶組成物のS
c相の上限温度を上昇させ、広い温度範囲でSc相を示
す組成物を得ることか可能である。
またさらに、その融点が比較的低いので、Sc母体液晶
用の化合物として非常に優れている。
用の化合物として非常に優れている。
類似の構造を有する式
で表される化合物のC−+ S c相転移温度は943
°C15c−*Sc相転移温度は897°C,5c−I
相転移温度は117.2°Cである。この化合物は低粘
性であり、高い温度までSc相を示し、混合することに
よって組成物のSc相の上限温度を高くする効果が大き
いという特徴を有している。その反面、融点が高く、S
c相の温度範囲が狭く、組成物とした場合にも、低温ま
で安定にSc相を存在させることが難しく、他の化合物
との相溶性も良好でないため、低温で長時間放置すると
Sc相以外の相が析出する危険があった。
°C15c−*Sc相転移温度は897°C,5c−I
相転移温度は117.2°Cである。この化合物は低粘
性であり、高い温度までSc相を示し、混合することに
よって組成物のSc相の上限温度を高くする効果が大き
いという特徴を有している。その反面、融点が高く、S
c相の温度範囲が狭く、組成物とした場合にも、低温ま
で安定にSc相を存在させることが難しく、他の化合物
との相溶性も良好でないため、低温で長時間放置すると
Sc相以外の相が析出する危険があった。
一般式(I)で表される化合物においては、メチル分岐
側鎖を導入することによって、上記の粘性や温度特性を
悪化させることなく、その融点やSc相への転移点を著
しく降下させて、Sc相湿温度範囲拡大し、他のSc相
を示す化合物等と混合することにより、より容易に高温
から低温まで安定にSc相を示す液晶組成物を得ること
か可能となった。
側鎖を導入することによって、上記の粘性や温度特性を
悪化させることなく、その融点やSc相への転移点を著
しく降下させて、Sc相湿温度範囲拡大し、他のSc相
を示す化合物等と混合することにより、より容易に高温
から低温まで安定にSc相を示す液晶組成物を得ること
か可能となった。
良好な配向性を得るためにはSc”相の高温域に、SA
相を有する相系列か好ましいとされている。
相を有する相系列か好ましいとされている。
数式(I)で表される化合物では、そのような配向に適
した好ましい相系列を有するような組成物の調製が容易
である。
した好ましい相系列を有するような組成物の調製が容易
である。
本発明の一般式(I)で表される化合物を用いた液晶組
成物では、−数式(1)で表される化合物から成るラセ
ミ体と、これ以外の液晶組成物とから成るものであって
、特に強誘電性液晶表示素子として用いる場合には、−
数式(I)で表される化合物以外の物質としては、主成
分としてSc相を示す液晶化合物あるいは液晶組成物と
、少量成分として光学活性化合物から成る組成物が望ま
しい。
成物では、−数式(1)で表される化合物から成るラセ
ミ体と、これ以外の液晶組成物とから成るものであって
、特に強誘電性液晶表示素子として用いる場合には、−
数式(I)で表される化合物以外の物質としては、主成
分としてSc相を示す液晶化合物あるいは液晶組成物と
、少量成分として光学活性化合物から成る組成物が望ま
しい。
本発明の一般式(I)で表される化合物と共にSc液晶
組成物として用いるへきSc化合物としては、例えば、
下記−数式(A)で表されるようなフェニルベンゾエー
ト系化合物や下記−数式(B)で表されるピリミンン系
化合物等をあげることができる。
組成物として用いるへきSc化合物としては、例えば、
下記−数式(A)で表されるようなフェニルベンゾエー
ト系化合物や下記−数式(B)で表されるピリミンン系
化合物等をあげることができる。
(式中、R゛及びR6は各々独立的にアルキル基又はア
ルコキシル基を表わす。) 斯くして、得られたSc液晶組成物に、光学活性化合物
から成るキラルドーバントを加えることにより、容易に
室温を含む広い温度範囲でSc”相を示す低粘性の液晶
組成物を得ることができる。
ルコキシル基を表わす。) 斯くして、得られたSc液晶組成物に、光学活性化合物
から成るキラルドーバントを加えることにより、容易に
室温を含む広い温度範囲でSc”相を示す低粘性の液晶
組成物を得ることができる。
以下に実施例をあげて、本発明を具体的に説明するが、
勿論、本発明の主旨、及び適用範囲はこれらの実施例に
より制限される物ではない。
勿論、本発明の主旨、及び適用範囲はこれらの実施例に
より制限される物ではない。
なお、化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル(NMR)
、及び赤外吸収スペクトル(IR)、質量スペクトル
(MS)により確認した。相転移温度の測定は温度調節
ステージを備えた偏光顕微鏡、及び、示差走査熱量計(
DSC)を併用して行った。IRにおける(Nujol
)は、流動パラフィン中の懸濁状態での測定を表わす。
、及び赤外吸収スペクトル(IR)、質量スペクトル
(MS)により確認した。相転移温度の測定は温度調節
ステージを備えた偏光顕微鏡、及び、示差走査熱量計(
DSC)を併用して行った。IRにおける(Nujol
)は、流動パラフィン中の懸濁状態での測定を表わす。
NMRにおける(CDC1,)は溶媒を、Sは1重線、
dは2重線、tは3重線、qは4重線をmは多重線を、
broadは幅広い吸収を表わし、Jはカップリング定
数を表わす。また、温度は°Cを表わす。組成物中にお
ける%はすべて重量%を表わす。
dは2重線、tは3重線、qは4重線をmは多重線を、
broadは幅広い吸収を表わし、Jはカップリング定
数を表わす。また、温度は°Cを表わす。組成物中にお
ける%はすべて重量%を表わす。
実施例1 (3−[:4− (6−メチルノニルオキシ
)フェニルツー6−オクチルピリダジン(第1表N。
)フェニルツー6−オクチルピリダジン(第1表N。
1の化合物)の合成〕
3−(4−ヒドロ牛ジフェニル)−6−オクチルピリダ
ジン500+ngをジメチルホルムアミド(以下、DM
Fという。)6mlに溶解した。この溶液にt−ブトキ
シカリウム198mgを加え、室温で30分間攪拌した
。この混合物に、2mlのDMFに溶解したラセミ体の
臭化6−メチルノニル364mgの溶液を滴下し、さら
に室温で6時間攪拌した。
ジン500+ngをジメチルホルムアミド(以下、DM
Fという。)6mlに溶解した。この溶液にt−ブトキ
シカリウム198mgを加え、室温で30分間攪拌した
。この混合物に、2mlのDMFに溶解したラセミ体の
臭化6−メチルノニル364mgの溶液を滴下し、さら
に室温で6時間攪拌した。
反応混合物に、水及びエーテルを加え、塩酸酸性とした
後、有機相と水相に分離した。水相はエーテルで抽出し
、有機相に合わせた。有機相を水、次いて飽和食塩水で
洗滌し、無水硫酸す) リウムて乾燥させた。有機相か
ら溶媒を溜去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(溶媒:ヘキサン/酢酸エチル−10/
1)を用いて精製して、表記化合物133mgを得た。
後、有機相と水相に分離した。水相はエーテルで抽出し
、有機相に合わせた。有機相を水、次いて飽和食塩水で
洗滌し、無水硫酸す) リウムて乾燥させた。有機相か
ら溶媒を溜去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(溶媒:ヘキサン/酢酸エチル−10/
1)を用いて精製して、表記化合物133mgを得た。
NMR(CDC1,) :
δ6.90−8.07 (m、 6 H)、4.00
(t、 2 H)、2.97 (t、 2 )(
)、1.03−2.00 (m、 25 H)、0、
70−1.03 (m、 9 H)I R(Nujo
l) 1610.1580.1520.1430.1285.
1265 cmの化合物315%、式 の化合物31.5%、式 の化合物270%及び実施例1て得た化合物100%か
ら成るSc母体液晶を調製した。
(t、 2 H)、2.97 (t、 2 )(
)、1.03−2.00 (m、 25 H)、0、
70−1.03 (m、 9 H)I R(Nujo
l) 1610.1580.1520.1430.1285.
1265 cmの化合物315%、式 の化合物31.5%、式 の化合物270%及び実施例1て得た化合物100%か
ら成るSc母体液晶を調製した。
次に、このSc母体液晶80%及び以下の組成から成る
キラルドーパント20%から成るSc”液晶組成物を調
製した。
キラルドーパント20%から成るSc”液晶組成物を調
製した。
式
実施例2[Sc*液晶組成物の調製と表示素子の作成]
式
の化合物73%及び式
CH。
H,C○
の化合物27%
このSc“液晶組成物は、62.5°C以下てSc”相
を、65°C以下でSA相を各々示した。
を、65°C以下でSA相を各々示した。
このSc”液晶組成物をI相まて加熱した後、配向処理
(ポリイミドコーティング−ラビング)を施した間隔約
2μmの2枚のガラス透明電極板からなるセルに充填し
た。■相から室温まて徐冷を行ない、均一に配向したS
c”相のモノドメインを得た。
(ポリイミドコーティング−ラビング)を施した間隔約
2μmの2枚のガラス透明電極板からなるセルに充填し
た。■相から室温まて徐冷を行ない、均一に配向したS
c”相のモノドメインを得た。
25℃でこのセルに電界強度10■、−ア/μmの矩形
波を印加して、その電気光学応答速度を測定したところ
、45μ秒と非常に高速であった。このときのチルト角
は、24°であり、コントラストも良好であった。また
、この時の自発分極は、12.8nC/cm ”であっ
た。
波を印加して、その電気光学応答速度を測定したところ
、45μ秒と非常に高速であった。このときのチルト角
は、24°であり、コントラストも良好であった。また
、この時の自発分極は、12.8nC/cm ”であっ
た。
本発明の一般式(I)で表される化合物は、融点が低く
、Sc相を示し、かつ比較的低粘性であり、他のSc液
晶化合物等との相溶性もよく、共に母体液晶として用い
ることにより、Sc相(或いはSc”相)を示す温度範
囲が広く、粘性の低い液晶組成物を得ることができる。
、Sc相を示し、かつ比較的低粘性であり、他のSc液
晶化合物等との相溶性もよく、共に母体液晶として用い
ることにより、Sc相(或いはSc”相)を示す温度範
囲が広く、粘性の低い液晶組成物を得ることができる。
その結果、特にSc液晶組成物においては、広い温度範
囲で高速応答を可能にすることができる。
囲で高速応答を可能にすることができる。
また、本発明の一般式(I)で表される化合物は、実施
例にも示したように工業的にも容易に製造でき、無色で
水、光、熱等に対する化学的安定性に優れており実用的
である。
例にも示したように工業的にも容易に製造でき、無色で
水、光、熱等に対する化学的安定性に優れており実用的
である。
さらに、本発明の一般式(I)で表される化合物を用い
たキラルスメクチック液晶材料では、50μ秒以下とい
う高速応答を実現することも可能であり、表示用光スイ
ツチング素子として極めて有用である。
たキラルスメクチック液晶材料では、50μ秒以下とい
う高速応答を実現することも可能であり、表示用光スイ
ツチング素子として極めて有用である。
代理人 弁理士 高 橋 勝 利
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は炭素原子数4〜18の直鎖状アルキル
基を表わし、mは2〜8の整数を表わし、nは1〜4の
整数を表わす。) で表される化合物から成るラセミ体。 2、nが2である請求項1記載の化合物から成るラセミ
体。 3、請求項1項記載のラセミ体を含有する液晶組成物。 4、キラルスメクチック相を示すところの特許請求の範
囲3項記載の液晶組成物 5、特許請求の範囲3項又は4項記載の液晶組成物を用
いて構成される液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23049990A JPH04112875A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | フェニルピリダジン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23049990A JPH04112875A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | フェニルピリダジン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04112875A true JPH04112875A (ja) | 1992-04-14 |
Family
ID=16908729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23049990A Pending JPH04112875A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | フェニルピリダジン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04112875A (ja) |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP23049990A patent/JPH04112875A/ja active Pending
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