JPS62192344A - フエニルプロピオン酸誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶化合物及び液晶組成物に関するもので、特
に強誘電性を有する液晶材料を提供するものであり、従
来の液晶材料と比較して、特に応答性、メモリー性にす
ぐれた液晶表示素子への利用可能性を有する液晶材料を
提供するものである。

液晶表示素子は、その低電圧作動性、低消費電力性、薄
型表示が可能なこと、受光型であるため明るい場所でも
使用で外、目が疲れないことなどの多くのすぐれた特徴
を有しているため、現在では各種の表示素子として、広
く用いられている。

現在のところ、表示方式としては、Ｔ　ｗｉｓｔｅｓ　
　Ｎｅ納ａｔｉｃ（Ｔ　Ｎ　）型と呼ばれるものが、最
も一般的である。このＴＮ型表示方式は、ネマチック液
晶を用いるものであるが、これにおいては、前記のすぐ
れたｌ＃ｆ徴をすべて特徴をすべて有する反面、ＣＲＴ
をはじめとする他の発光型表示方式と比較すると、その
応答が非常に遅いという欠点がありた。

また印加した電場を切ったときには、もとの状態にもど
るため表示の記憶（メモリー効果）が得られなかった。

これらのために、高速応答や、時分割作動が必要な光シ
ヤツター、プリンターヘッド、テレビ党への動画面への
応用には種々の制約を受け、適したものであるとは言え
なかった。

液晶表示素子としてはＴＮ型以外にもデストーホス）（
ＧＨ）型、複屈折制御（Ｅ　ＣＢ　）型、相献移（ｐｃ
）型、熱効果型等が研究開発されており、それぞれ特徴
を有しているが、その応答性においでは、いずれもＴＮ
型と比べて、特に改善がなされたものとは言えなかった
。これらに対し、高速応答が得られる液晶表示方式とし
て二周波駆動型、およびスーパー′ｒＮ型と呼ばれるも
のが開発されており、そ゛の応答性においては、かなり
の改善がなされたが、それでも充分満足できるものとは
言えず、また二周波駆動型においては、その作動回路が
複雑になりすぎる。＊た、スーパー′ｒＮ型においては
画面が黄色に着色するためカラー表示に向かない、など
の欠点を有していた。このため、さらに応答性にすぐれ
た新しい液晶表示方式の開発が試みられてきた。

この目的に沿ったものとして最近、強誘導電性液晶が発
表された。（Ｒ，Ｍａｙｅｒ　　ｅｔ　　ａｌ、；Ｊ。

Ｐｈｙｓｉｑｕｅ　　３６　１．６９（Ｉ９７５））こ
の強誘電性液晶を利用した表示素子は、従来の液晶表示
と比較して、１００〜１０００倍という高速応答と、双
安定性によりもたらされるメモリー効果を有することが
指摘され（Ｎ、　Ａ、　Ｃ１ｏａｒｋ、Ｓ、　Ｔ、　Ｌ
ａｇｅｒｗａｌｌ：Ａｐｐｌ　　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ
”、３６　８９９（Ｉ９８０））、テレビ等の動画面や
亮速光シャッタープリンターヘッド・コンピュータ一端
末など多方面の表示素子への応用が期待でトるものであ
る。

強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のカイラルス
メクチック相に属するものであるが、その中でも、実用
的に望ましいものは、最も粘度の低いカイラルスメクチ
ックＣ（以下ＳＣ＊と略称する）相と呼ばれるものであ
る。

ＳＣ車相を有する液晶化合物はこれまでにも検討されて
鯵でおり、既に数多く知られている。

代表的なものとしては初めて合成された強誘電性液晶と
して知られている（ｓ）　−２−メチルブチルｐ−デシ
ルオキシベンシリデンアミノシンナメ−）（ＤＯＢＡＭ
Ｂと略称されている）及びその同族体のシップ塩基系液
晶をあげることができる。

ＤＯＢＡＭＢＣは現在においても、強誘電性液晶の物性
や配向などの検討用として、最もよ（用いられている液
晶化合物の１つであって自発分極やらせんピッチなど強
誘電性液晶における重要な諸物性値の１つの基準ともな
っている。しかし、ＤＯＢＡＭＢＣとその系列化合物に
は、■光に対する安定性に欠ける。■水分に対する安定
性に欠ける。■液晶化合物自体有色である。■ＳＣＳＣ
全相す温度範囲が、エナンチオトロピックで２０゜以内
と狭く、かつ、室温域から離れている。等の欠点があっ
て、実用的な面からみると満足できるものではなかった
［１）Ｐ、　Ｋｅｌｌｅｒ　　ｅｔ　　ａｔ、　　Ｊ。

ｄｅ　　Ｐｈｙｓｉｑｕｅ　　：（７Ｃ３（Ｉ９７６）
、２）ｉｄｅＩｌｌ；Ａｃａｄ、　　Ｓｃ、　　Ｐａｒ
ｉｓ　　２８２　　Ｃ６３９（Ｉ９７６）、３）Ｂ、　
　１．　０ｓｔｓｏｕｓｋｉｉ　　ｅｔ　　ａｌ、　　
Ｆｅｒｒｏｅｌｅｄｓｉｃｓ２４　　：（０９（Ｉ９８
０）、４）Ｋ、Ｙｏｓｈｉｎｏ　　ｅｔ　　ａｌ、　　
Ｊａｐａｎｅｓｅ　　Ｊｌｌｏｆ　　ＡｐｐｌＰｈｙｓ
ｉｃｓ　　２３　　Ｌｉ２Ｓ（Ｉ９８４）、５）磯貝ら
、特開昭５９−９８０５１などＪ。

アゾキシ性液晶においてもいくつか知られているが、そ
の強い着色性のためにやはり実用には不適である。（Ｐ
、　Ｋｅｌｌｅｒ　　ｅｔ　　ａｌ、Ａｎｎ、　Ｐｈｙ
ｓ。

こうした欠点を改良すべく、化学的に安定なエステル系
の液晶化合物が、最近検討されており既に報告例も多い
。

これらを多数紹介している総説としては１）Ｊ。

Ｗ、　Ｇｏｏｄｂｙ　　ｅｔ　　ｉｆ、　Ｌｉｑｕｉｄ
　　Ｃｒｙｓｔａｌ　　ａｎｓＯｒｄｅｒｅｄ　　Ｆｌ
ｕｉｄｓＶｏｌ、　４　　ｐ、　　１−　２）Ｊ。

Ｗ、　Ｇｏｏｄｂｙ　　Ｔ、　Ｍ、　Ｌｅｓ目ｅｔ　　
Ｍｏ１．Ｃｒｙｓｔ、、Ｌｉｑ　　Ｃｒｙｓｔ、１１０
　１７５（Ｉ９８４）などをあげることができ、また、
同様に多数の化合物を含む文献として、Ｍ、　　Ｉｓｏ
ｇａｉ　　ｅｔ　　ａｌ、ＥＰ−０１１０２９９をあげ
ることができる。

しかしながら、これらに紹介されている液晶化合物にお
いてはその温度域が、室温に近いものでは安定なＳＣ＊
相の温度範囲は狭く、あるいは降温時のみに出現するモ
ノトロピックであることがほとんどであり、一方ある程
度広い温度範囲をもつものでは、その温度域は室温より
はるかに高いものが、はとんどであった。そのため、こ
れらの化合物においては単独で、室温作動の可能なもの
はなく、そのいくつかをまぜあわせて組成物を調製し、
融点を下げ、ＳＣ＊相の温度域を室温に近づける必要が
あった。このような組成物の調製は従来のネマチック液
晶においても一般におこなわれてきたことであるが、ネ
マチック液晶においては、側鎖炭素数の多少異った化合
物の混合によって容易に融点がｆったのに対して、ＳＣ
＊相を有するような化合物において、そのような混合に
よってはあまり融点の降下がなく、液晶分子骨格のある
程度異った化合物を混合する必要があるといわれている
。そこで、室温付近で安定なＩｉ！ＩＮ誘電性液晶組成
物を得るためには、骨格構造が若干異っである程度以上
の温度範囲でＳＣ＊相を有する液晶化合物をなるべく多
数所持している必要があった。

本発明者らは、光及び化学的安定性にすぐれた液晶化合
物として、エステル系化合物に着目し、単独もしくは配
合することによって、室温付近で強誘電性を有する液晶
相、特にカイラルスメクチックＣ相を広い範囲でとりう
る新規の液晶化合物であって、しかも自発分極が大トく
応答性にすぐれたものかえられないものかと鋭意検討し
、本発明に至ったものである。

また本発明は、そのような液晶化合物、あるいは組成物
を用いて、高速応答性を有する液晶表示素子を提供しよ
うというものである。

本発明における液晶化合物は次の一般式（Ｉ）であられ
される、３−フェニルプロピオン酸誘導体であることを
特徴としている。

７一 式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、またはアルコ
キシ基、またはアイルカッイルオキシ基をあられし、ｎ
は１＊たは２の整数をあられし、９本は光学活性なアル
キル基をあられしている。

また本発明における液晶組成物とは一般式（Ｉ）であら
される化合物（以下に化合物（Ｉ）と略称する）の複数
よりなるか、化合物（Ｉ）の１種またはそれ以上と、化
合物＜１）以外の液晶化合物とからなる液晶組成物をい
う。

前述の如く、液晶における強誘電性は、チルト系のカイ
ラルスメクチック相において出現するが、それらのうち
、粘性が最も小さく、取り扱いが容易であり、実用的で
あるのはカイラルスメクチックＣ（以下にＳＣ木と略称
する）相である。化合物（Ｉ）においては、そのほとん
どがこのＳＣ＊相を有している。

一般式においてｎ＝１の場合、化合物（Ｉ）は２環性で
ある。この場合にはＳＣ＊相の温度域は融息よりかなり
低いか、あるいはＳＣ＊相を示さないこともある。しか
し、組成物として、自発分極を小さくすることなく融点
の降下等の目的に使用することができる。

ｎ−２の場合化合物（Ｉ）は３環性となり、その温度域
はやや高いけれどもＳＣ＊相の温度範囲は４０〜５０℃
とかなり広い化合物が多く、混合した場合にも広い温度
範囲を得ることも容易である。

化合物（Ｉ）は一般式（Ｉ）にも示されるように、その
分子骨格中に、ＤＯＢＡＭＢＣのように光に不安定なト
ランス２重粘合や、あるいは水分に不安定な７ジメチン
結合（−ＣＨ＝　Ｎ　−）などを全く有していない。そ
のため化学的には全く安定であり、長期の使用に耐える
ことができる。

また化合物（Ｉ）はＤＯＢＡＭＢＣやアゾキシ系にみら
れるような着色はなく、それ自体無色であり、カフ−表
示にも好適である。

強誘電性液晶が、高速応答を示すのは、液晶が自発分極
を有しており、それが印加電場と直接に相互作用するか
らである。液晶の粘性が一定であるならば、自発分極の
値が大きい程、速い応答を得ることができる。従って、
自発分極は強誘電性液晶における最も重要な物性値の一
つである。

自発分極を有する液晶はＳＣ本相、あるいは他のカイラ
ルスメクチック相であるが、液晶がこのような相を示す
ためには、系がカイラルである必要がある。そのために
分子内にカイラルな基を導入するか、あるいは液晶中に
他のカイラル物質を添加するなどの方法が採られている
。しかし、後者では自発分極が小さくなりすぎるため、
主に前者の方法が用いられている。化合＃（Ｉ）におい
ても、（ｓ）−２−メチルブタノールをはじめとする光
学活性アルコールをカイラル源として用い、分子内に導
入している。

自発分極は前述のように、大きい程望ましいわけである
が、そのためには、大きな分子内永久双極子（カルボニ
ル基が最も望ましい）と不斉炭素が品切るだけ近傍に存
在することが望ましいとされており、現在ある程度以上
の大きな自発分極を有する強誘電性液晶化合物は、はと
んどがその上うな構造を有しており、本化合物（Ｉ）に
おいても光学活性アルコールをエステル結合により導入
してその条件を満たしている。次に化合物（Ｉ）の合成
法について述べる。

化合物（Ｉ）は、一般式（ＩＩ） （式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキシ
基、またはアルカノイルオキシ基をあられし、ｎは１＊
たは２の整数をあられす。

以下酸塩化物（Ｉ目と称する。） で示される酸塩化物と一般式（■１） （式中、Ｑ＊は光学活性のアルキル基をあられす。以下
、ヒドロキシエステル（ＩＩＩ）と称する。）で示され
る３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸の光学
活性アルコールエステルとをピリジン等の塩基性物質存
在下に反応させることにより、容易に得ることができる
。

ここで酸塩化物（Ｕ）はＲがアルキルまたはアルコキシ
基の場合はよく知られている化合物であり、Ｒがアルカ
ノイル基の場合、Ｒ’ＣＯＣｌであられされる酸塩化物
（Ｒ’は炭素数１〜２０のアルキル基であられされる４
−ヒドロキシ安息香酸（ｎ；１の場合）＊たけ４′−ヒ
ドロキシビフェニル−４−カルボン酸（ｎ＝２の場合）
を反応させた後、塩化チオニル等で処理して得ることが
できる。

一方、ヒドロキシエステル（Ｉｌｌ）は、３−（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオン酸と（ｓ）　　２−メチ
ルブチルアルコールとを硫酸、あるいは＋１−）ルエン
スルホン酸などの触媒の存在下に脱水縮合させることに
より得ることができる。この方法によると光学活性アル
コールＱ＊ＯＨが２級アルコールの場合にはラセミ化の
恐れがあるため、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロ
ピオン酸の水酸基を例えばペンシルエーテル等としで保
護した後、塩化チオニルで酸塩化物とし、光学活性アル
コ−ルと反応させて、光学活性エステルとし最後に水酸
基の保護基をはずすことにより得ることができる。

また、化合物（Ｉ）は、次のようにしても得ることがで
きる。即ち、酸塩化物（ＩＩ）と３−（４−ヒドロキシ
フェニル）プロピオン酸とをピリジン存在下反応させで
、式（ＩＶ） （式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキシ
基、またはアイルカッイルオキシ基をあられし、ｎは１
または２の整数をあられす。） で示されるカルボン酸とし、これを塩化チオニルで酸塩
化−として後、光学活性アルコールＱ＊ＯＨと反応させ
ることによるものである。この方法によるとＱ＊ＯＨが
１級アルコールでも２級アルコールでも同様に用いるこ
とができ、適用範囲は広い。しかし、Ｑ＊ＯＨが」級ア
ルコールの場合には前述の方法がより簡便であって、こ
の方法は２級アルコールの場合に適しでいるといえる。

さて、得られた液晶化合物あるいは組成物は、２枚の透
明な電極板の間に均一な厚さく１μＩ１１〜２０μ■程
度）の薄膜とすることにより、液晶表示用セルとして使
用することができる。

表示用セル中においでは、液晶の分子は分子長軸が電極
面に平行ないわゆるホモジとアスの、がつ向きの均一な
配向をとったモノドメインである必要がある。このため
に電極板の表面に、ラビング、蒸着等による配向処理を
施すか、あるいは電場または磁場を印加するか、あるい
は温度勾配をもたせるか、あるいはこれらの手段の複数
を併用した状態で、等方性液体相から、液晶相まで徐々
に冷却して、配向させる方向が一般［こ採用されている
。本発明における化合物あるいは組成物においてもこの
ような方法によって均一・に配向したモノドメインを得
ることができる。

本発明は、以上の如トものであるが、本発明の化合物（
Ｉ）は従来代表的強誘電性液晶化合物として知られてい
たＩ）　ＯＢ　Ａ　Ｍ　Ｂ　Ｃに比して、後述する実施
例にも示されるごとく、工業的に容易に製造することが
でき、それ自体無色であって、光に対する化学的安定性
にまされるものである。また本発明の組成物においては
一般の液晶組成物と同様に単一化合物に比して、融点の
降下がみとめられ、室温における利用も可能である。

更に、本発明のｖＡ誘電性液晶化合物及び組成物は、従
来の強誘電性液晶と同様に応答速度が、ネマチック液晶
の１００倍以上と極めて大きν１．従って表示用光スイ
ッチング素子として極めて有望である。

以下に実施例をあげて、本発明を具体的に説明するが、
勿論、本発明の土日ならびに適用範囲はこれらの実施例
によって制＠されるものではな＋１１゜尚、転移温度の
測定は、温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡、及び示
差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行ったが、その試料
の純度、ある−一は測定条件によって、若干変動するも
のである。温度は℃を意味する。

実施例１ ４　　［２−（（ｓ）　−２−メチルブチルオキシカル
ボニル）エチル１フエニル　４′−デシルオキシビフェ
ニル−４−カルボキシレート Ｃ１１゜ の合成： ［１−ａｌ　　（ｓ）　−２−メチルブチル　３−（４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネート ３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸２５゜０
ｇ（０，１５ｍｏｌ）及び（ｓ）　−２−メチルブタノ
ール１６、Ｏｇ（０，１８ｍｏｌ）をトルエン１００１
に溶解した。パラトルエンスルホン酸０，３６ｇを加え
、加熱攪拌し、シーンスターク水分定量受器を用い、共
沸する水を除去した。途中、（ｓ）−２−メチルブタノ
ールＳ、Ｏ，，を２回に分けて追加しながら、１０８〜
１１０°での９時間反応させた。薄層クロマトグラフイ
ーで、原料の消失を確認後、５０゜以下まで放冷し、水
２００１及び酢エチ３００＠１を加えた。有機層を水で
洗液が中性になるまで洗い、さらに飽和食塩水で洗浄後
、無水硫酸ナトリウムで脱水した。減圧上溶媒を留去し
、さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
して（溶出溶媒＝ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）
油状の（ｓ）−２−メチルブチル　３−（４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート３５．２ｇを得た。　（［
率９９％） 構造はＮＭＲ及びＩＲで確認した。

ＨＯ−）、δ３，８９（ｄｄ、　２　Ｈ，Ｃ−０−ＣＨ
２）、δ２．５５〜３．０（＋、４Ｈ ＩＨ，−０Ｈ−）、　５１．１〜１．４（ｍ、　２Ｈ。

その他のメチレン水素）、５０．７５〜１．０（−１６
Ｈ，−ＯＨ，） （ｄは２重線、ｄｄは２重の２重線、腸は多重線をあら
れす） ＩＲ：３４００．１７３５．１６１５．１５２５．１２
７０．１２２０．１１０５．１０５０゜８３０　（ｃｍ
−’） ［１−ｂｌｌ−ａで合成した３−（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオン酸２３６ｍｇ及び別途合成しり４’　
−７’シルオキシビアエニルー４−カルボン酸塩化物３
７２．５ｍｇを、塩化メチレン２１及びピリジン２醜１
中で、還流下３時間反応させた。

酢酸エチル２５■Ｉを加えたのち、１０％塩酸、飽和重
炭酸す）　リウム水、水、飽和食塩水で順次洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで脱水した。減圧上溶媒を留去して得
られた粗結晶６０８ｍｇをシリカゲルクロマトグツフィ
ーにかけ、さらにエタノールから再結晶して、４−　（
２（（ｓ）　−２−メチルブチルオキシカルボニル）エ
チル１フェニル４′−デシルオキシビフェニル−４−カ
ルボキシレートの白色結晶２９５Ｂを得た。（精製収率
５１．６％）ｍ造ＥｔＮＭＲ，ＩＲ，ｔ’１ｌｌｌｌし
た。

δ６．８〜７．３（＋、６Ｈ，その他の芳昏族水素）、
Ｉ　３，９４（ｔ、　２　Ｈ％ＣＨ２０）、δ３．８６
（ｄｄ、　２　Ｈ，Ｃ−０−ＣＩ□）、　δ２．４δ１
，５−１．９（ａ＋、３Ｈ，−ＣＨ−及び６Ｈ１その他
のメチレン水素）、δｏ、７５〜０．９５（ｍ、　９Ｈ
，−ＣＨ５） Ｉ　Ｒ：１７３５．１６１０，１５２０，１４００゜１
３００．１１００，１０４０，８９５．８５０．７８０
．７３５　（ａ＋ｓ″″賦）この化合物はＳＣ＊相を有
した。その相転移温度以下に記す。

５ｓ−８重本１０６．５’、８０本−８Ａ１１７°、５
Ａ−１１４２°１ 、融点８１°（Ｓ−はより結晶相に近いスメクチック相
をあられす） 実施例２ 実施例１において、４′−デシルオキシビ７ユニルー４
−カルボン酸塩化物に換えて、４′−オクチルオキシビ
アユニルー４−カルボン酸塩化物、４’　−１’ｙ’シ
ルオキシビア二二ルー４−カルボン酸塩化物、４−テト
ラドシルオキシビアユニルー４−カルボン酸塩化物をそ
れぞれ用い、同様に反応、精製を行い、４−（２−（（
ｓ）　−２−メチルブチルオキシカルボニル）エチル）
フェニル４′−オクチルオキシビフェニル−４−カルボ
キシレート、４−　ｉ２−（（ｓ）　−２−メチルブチ
ルオキシカルボ二ル）エチル）フェニル４′−ドデシル
オキシビフェニル−４−カルボキシレート、４−ｉ２−
（（８）−２−メチルブチルオキシカルボニル）エチル
）フェニル４′−テトフデシルオキシビアユニルー４−
カルボキシレートを得た。

これらのＮＭＲ，ＩＲは実施例１におけるものとほぼ同
様であって、わずかにメチレン鎖に対応するピークある
いは吸収の強度比のみの、ことなったスペクトルチャー
トを与えた。

これらはすべてＳＣ＊相を有しておりその相転移温度を
表１に示す。

実施例３ ４−（２−（（ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニ
ル）エチル）フェニル４′−ドデカフィルオキシビフェ
ニル−４−カルボキシレートの合成：実施例１において
、４′−デシルオキシビフェニル−４−カルボン酸塩化
物に換えて４′−ドデカノイルオキシビフェニル−４−
カルボン酸塩化物を用いて、同様に反応精製を行い、４
−１２−（（ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル
）エチル）フェニル４′−ドデカノイルオキシビアユニ
ルー４−カルボキシレートを得た。

水素）、δ３．８５（ｄｄ、　２　Ｈ，Ｃ−０−ＣＬ）
、δ２．４８Ｈ，その他のメチレン水素）、δ０．７〜
１．０　（ｗ、　９　Ｈ１ＣＨ３） Ｉ　Ｒ：１７３５．１６１０．１５２０．１４２０．１
２７５、１１９０、１１５０、１０８０．１０１０、９
２５、８８０、８４５、フ７０（Ｃｍ−’） この化合物はＳＣ本相合示した。その相転移温度以下に
記す。

８輪−８Ｃ本８１５°、ＳＣ車−８Ａ１３７°、５Ａ−
Ｉ４４．５°、 融点７０゛ 実施例４ 実施例３において、４′−ドデカノイルオキシビアエニ
ルー４−カルボン酸塩化物に換えて４′−デカノイルオ
キシビアユニルー４−カルボン酸塩化物を用いて同様に
反応精製を行い、４−（２−（（８）−２−メチルブチ
ルオキシカルボニル）エチル）フェニル４′−デカノイ
ルオキシビアユニルー４−カルボキンレートを得た。

ＮＭＲ，ＩＲは実施例３におけるのとほぼ同様で、わず
かにメチレン鎖に対応するピーク、あるいは吸収の強度
比の異ったチャートを与えた。その相転移温度を表１に
示す。

２３一 実施例５ ４−ｔ２−（（ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニ
ル）エチル）フェニル４−オクチルビフェニル−４−カ
ルボキシレートの合成： 実施例１において、４′−デシルオキシビ７工二ルー４
−カルボン酸塩化物に換えて、４′−オクチルビフェニ
ル−４−カルボン酸塩化物を用い、同様に反応精製を行
って４−（２−（（ｓ）−２−メチルブチルオキシカル
ボニル）エチル）フェニル４−オクチルビフェニル−４
−カルボキシレートを得た。

水素）、３．８５　（ｄｄ、　２　Ｈ％ｃ−ｏ−ｃｌ（
２）、δ２．９〜１．４（鴎、１２Ｈ，その他のメチレ
ン水素）、δ　０．７５〜１．０（曽、　９８％　ＣＨ
，ｌ）Ｉ　Ｒ：１７３０．１６１０．１５２０．１４０
５．１２７０．１２００．１１７０．１０８０．１０２
０、８８０、８２０、７６５、　フ００．５　３　０　
（ａｍ−’　） その相転移温度を以下に記す。

５Ｂ−８Ａ７０°、５Ａ−１１０８°、融点６５゛ 実施例６ ４　　（２−（（ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボ
ニル）エチル１フェニル４−デシルオキシベンゾエート
の合成： 実施例１において、４−デシルオキシビ７工二ルー４−
カルボン酸塩化物に換えて、４−デシルオキシ安息香酸
塩化物を用い同様に反応精製を行い、’　　（２（（ｓ
）−２−メチルブチルオキシカルボニル）エチル１フェ
ニル４−デシルオキシベンゾエートを得た。

水素）、δ３．９３　（ｄｄ、　２　Ｈ，Ｃ−０−Ｃ１
２）、σ２．４（ｍ、　　１６Ｈ，Ｊ：ｆ）他ノメチレ
ン水素）、δｏ。

８−１．Ｏｆ、９Ｈ，ＣＨｔ） Ｉ　Ｒ：１７２５．１６１０．１５２０，１４２（Ｉ゜
１２７０．１２００、Ｊ０７５．１０２０゜９；）０．
８８０．８６０．８３０．８００．７６５．７３０．６
９０．５１５　（ａｌｌｌ−’）この化合物はＳＣ本相
合示した。その相転移温度を以下に記す。

ＳＣ＊−８Ａ０，５°（モノトロピック）、ＳＡ−Ｉ　
２２，５°、 融人χ２０．０　。

実施例７ 実施例６において、４−デシルオキシ安息香酸塩化物に
換えで、４−ドデシルオキシ安息香酸塩化物を用い、同
様に反応精製を打い、４−（２−（（ｑ）−２−メチル
ブチルオキシカルボニル）エチル）フェニル４−ドデシ
ルオキシベンゾエートを得た。

ＮＭＲ及びＩ　Ｒは実施例６におけるものとほぼ同様で
、わずかにメチレン鎖に対応するピークあるいは吸収の
強度比が異ったチャートを与えた。

その相転移温度を表１に示す。

実施例８ ４（２（（ｓ）−２−メチルブチルオキシカルボニル）
エチル）フェニル４−ドデカノイルオキシベンゾエート
の合成： 実施例６において、４−デシルオキシ安息香酸塩化物に
換えて４−１’デカノイルオキシ安息香酸塩化物を用い
て同様に反応精製を行い、４−（２−（（８）−２−メ
チルブチルオキシカルボニル）エチル）フェニル４−ド
デカノイルオキシベンゾエートを得た。

３　、９３　（ｄｄ、　　２　Ｈ、Ｃ−０−ＣＬ）、δ
２，５〜３．０δ１．０〜１．５（随、１８Ｈ１その他
のメチレン水素）、と０．８〜１．０（僧、９）（ＳＣ
Ｈ，）Ｉ　Ｒ：１　７３０、１６１５、１５２５、１４
３０゜１２７０、１，１７０，１０８０、１０２５．１
０１０．８８０．８５５、８３０． ７６５、フ３０．７００．６６０，５２０（ｃ＋＊−’
　） その相転移温度を以下に示す。

５Ａ−Ｉ　１　Ｂ、５°（モノトロピック）、融点２８
゜ 表中、２　Ｍ　Ｂ　＊ｌ寥（ｓ）　−２−メチルブチル
基をあられす。また、・はその相の存在することを−は
存在しないことをあられし、数字はその相から温度域の
高い相への転移温度をあられしている。

実施例９ 配合による温度域の低下： 実施例２において得られた４（２（（ｓ）−２−メチル
ブチルオキシカルボニル）エチル）フェニル４′−ドデ
シルオキシビフェニル−４−Ｊルビキシレート６０部、
及び３−フルオロ−４−（（Ｓ）−２−メチルブチルオ
キシカルボニル）フェニル、４−デシルオルジベンゾニ
ー１１５部からなる液晶組成物を調製した。

この組成物は１００°以下でＳＣ＊相を示し、冷却時、
結晶化するまでＳＣ＊相を示し、その融点は６２．５°
であった。−・力、４−１２−（ｈ）−２−メチルブチ
ルオキシカルボニル）エチル）７エ二ル４’−）’デシ
ルオキシビフェニルー４−カルボキシレート単独でのＳ
Ｃ＊相の温度範囲は６７〜１１４°、融点は６４゛であ
るので、配合によす、より室温域に近づいたことになる
。

実施例１０ 室温で強誘電性を示す液晶組成物の＃１１１：実施例２
において得られた４　−（２−（（ｓ）　−２−メチル
ブチルオキシカルボニル）エチル）７エ二ル４′−ドデ
シルオキシビアユニルー４−カルボキシレート１３部及
び３−クロロ−４−（（ｓ）−２−メチルブチルオキシ
）フェニル４−ドデシルオキシビアユニルー４−Ｊルポ
キシレート６２部からなる液晶組成物を調製した。

この組成物は７９°以下でＳＣ＊相を示し、室温以下ま
で結晶化せず安定にＳＣ＊相を保った。

これによって室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示す
液晶組成物が得られたことになる。なお、この組成物の
透明点（ＳＡ−Ｉ）は１２０°であった。

実施例１１ 液晶表示用薄膜セルの作成： 実施例１０で得られた液晶組成物を加熱して等方性液体
とした。これを厚さ１．８μ鋤のスベーサ−を介した２
枚のポリイミド・ラビング配向処理を施したがフス透明
電極間に充填し、薄膜セルを作成した。

１分間に５°の割合で徐々に冷却し、スメクチックＡ相
を配向させ、さらに７９°以下まで冷却して、均一なＳ
Ｃ本相合モノドメインを得た。

このセルに７４゛で電場（Ｉ０■、１．０ＯＨｚの矩形
波）を印加して、その透過光強度を７オトマルチプライ
ヤーで測定し、その光スイッチング動作を検出したとこ
ろ、その応答速度は約１１０μＳｅｅであった。これに
よって応答速度の速い表示素ｒ−が得られたことになる
。

特許出願人　大日本インキ化学工業株式会社−：＋４− 手続補正書 昭和６１年５月２７日 特許庁長官　　宇　買　道　部　　殿 １、事件の表示 昭和６１年特許Ｉｇ第３２７１６号 ２、発明の名称 ７工エルブロピオン１１１Ｍ導体 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 名　称　（２８８）大日本インキ化学工業株式会社名　
称　　　　財団法人　用材理化学研究所４・代理人　〒
１０７ ５、補正命令の日付　　　　なし ６、補正の対象 （Ｉ）特許請求の範囲を、ｍ紙に記載の通り訂正する。

（２）明細書第９頁第３行の「アイル力」を、「アルカ
」 と訂正する。

（３）明細書第１３頁第１３行の［アルコールとを硫酸
」を、 「アルコールなどの光学活性アルコールＱ富０）（とを
硫酸」 と訂正する。

（４）明細書第１８頁第２行の「酢エチ」を、「酢酸エ
チル」 と訂正する。

（５）明細書第１９頁第４行の「ｄは２重線」を、「Ｓ
は１重線、ｄは２重線」 と訂正する。

を、 と訂正する。

を、 と訂正する。

（８）明細書第２１頁第８行の［（Ｓ＋ｓはより結晶・
・・・−・・φ・・・をあられす）」を、ｊ（ＳＡはス
メクチックＡ相を、Ｓ−はより結晶相に近いスメクチッ
ク相を、■は等方性液体相を、それぞれあられす）」 と訂正する。

と訂正する。

（Ｉ０）明細書第２６貫第１２行の「融点６５°」を、 「融点６５°（ＳＢはスメクチックＢ相をあられす）」 と訂正する。

（Ｉ１）明細書第３２１第１１行の「フェニル、」を、 「フェニル」 と訂正する。

別」【 特許請求の範囲 「　１．一般式（Ｉ） （式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコ
キシ基、またはアルカノイルオキシ基をあられし、ｎは
１＊たは２の整数をｉｂわし、９本は光学活性アルキル
基をあられす）で示される化合物。

２、一般式（Ｉ）においで９本が（ｓ）−２メチルブチ
ル基である特許請求の範囲第１項記載の化合物。

３、特許請求の範囲第１項記載の一般式（Ｉ）の化合物
の少くとも１種を配合成分として含有する液晶組成物。

４、一般式（Ｔ）の化合物の２種以上を含有する特許請
求の範囲第３項記載の液晶組成物。

５、カイラルスメクチック相を有する特許請求の範囲第
３または４項記載の液晶組成物。

６、特許請求の範囲第１項記載の一般式（Ｉ）の化合物
の少くとも１種を構成ＩＩ素とする光スイッチング素子
。」

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコ
   キシ基、またはアイルカノイルオキシ基をあらわし、ｎ
   は０または１の整数をＱ＾＊は光学活性アルキル基をあ
   らわす） で示される化合物。 ２、一般式（ I ）においてＱ＾＊が（ｓ）−２メチル
   ブチル基である特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ３、特許請求の範囲第１項記載の一般式（ I ）の化合
   物の少くとも１種を配合成分として含有する液晶組成物
   。 ４、一般式（ I ）の化合物の２種以上を含有する特許
   請求の範囲第３項記載の液晶組成物。 ５、カイラルスメクチック相を有する特許請求の範囲第
   ３または４項記載の液晶組成物。 ６、特許請求の範囲第１項記載の一般式（ I ）の化合
   物の少くとも１種を構成要素とする光スイッチング素子
   。