JPS62183127A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS62183127A JPS62183127A JP2479686A JP2479686A JPS62183127A JP S62183127 A JPS62183127 A JP S62183127A JP 2479686 A JP2479686 A JP 2479686A JP 2479686 A JP2479686 A JP 2479686A JP S62183127 A JPS62183127 A JP S62183127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor piece
- polyimide precursor
- semiconductor
- protection layer
- piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体片、特に方形の半導体片の接合露出面
が保護層により被覆された半導体素子の製造方法に関す
る。
が保護層により被覆された半導体素子の製造方法に関す
る。
半導体素子の信鎖度を高めるための半導体片表面のパン
シヘーションのために用いる保！！層として従来不揮発
固形分濃度５〜２５％のポリイミド系前駆体を用いるこ
とが知られている。ところがこのような保！！！層は、
例えば第２図に示すように両面にリード線２と基板３と
をそれぞれはんだ４を用いてろう付けした半導体片１の
表面を保！１１５で覆った場合、半導体片ｌの稜部１０
では保！！層５の厚さが十分に確保できないため、電気
絶縁性が不良になり、この部分から湿気などが半導体片
１の表面に侵入して半導体素子の特性の劣化を招来する
欠点があった。このような問題は、特に半導体片が方形
のときのかど部でより深刻である。
シヘーションのために用いる保！！層として従来不揮発
固形分濃度５〜２５％のポリイミド系前駆体を用いるこ
とが知られている。ところがこのような保！！！層は、
例えば第２図に示すように両面にリード線２と基板３と
をそれぞれはんだ４を用いてろう付けした半導体片１の
表面を保！１１５で覆った場合、半導体片ｌの稜部１０
では保！！層５の厚さが十分に確保できないため、電気
絶縁性が不良になり、この部分から湿気などが半導体片
１の表面に侵入して半導体素子の特性の劣化を招来する
欠点があった。このような問題は、特に半導体片が方形
のときのかど部でより深刻である。
本発明は、上述の欠点を除去してポリイミド系前駆体を
用いて半導体片の稜部をも十分な厚さの保護層により被
覆することのできる半導体素子の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
用いて半導体片の稜部をも十分な厚さの保護層により被
覆することのできる半導体素子の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明によれば、半導体片表面に不揮発固形分濃度２５
〜８０％のポリイミド系前駆体を塗布し、硬化して保護
層を形成することにより、保護層の厚さが厚くなって上
記の目的が達成される。
〜８０％のポリイミド系前駆体を塗布し、硬化して保護
層を形成することにより、保護層の厚さが厚くなって上
記の目的が達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
２図と同様な構造の半導体素子の半導体片表面に不揮発
固形分濃度２５％以上のポリイミド系前駆体を滴下して
塗布、加熱し、溶剤骨を飛散させて硬化した場合、平面
部では４０Ｘａ以上の厚さの保護層が得られ、１回の塗
布で第１図のように稜部１０においても十分な厚さの保
護ＪｌＩ５が形成された。従来の不揮発固形分濃度５〜
２５％の前駆体を用いたときは平面上でも２０〜３０−
の厚さより得られない、しかし不揮発固形分濃度が８０
％を超えると塗布が困難になる。 第３図はリード型ダイオードにおける実施例を示し、図
（ａｌに示すように両面にリード線２がはんだ４により
接続された半導体片ｌの側面に、不揮発固形分濃度２５
〜８０％のポリイミド系前駆体の塗布、硬化によって形
成された十分な厚さの保護層５によって覆われている０
図（ｂ）、 （Ｃ）、 （ｄ＞はそれぞれ素子片の断面
が正方形１円形、六角形の場合の図ｉａ）におけるＡ−
Ａ線断面図で、断面正方形１六角形のように縦積１１が
存在する場合も十分な厚さの保護層５によって稜部が覆
われることを示す。
２図と同様な構造の半導体素子の半導体片表面に不揮発
固形分濃度２５％以上のポリイミド系前駆体を滴下して
塗布、加熱し、溶剤骨を飛散させて硬化した場合、平面
部では４０Ｘａ以上の厚さの保護層が得られ、１回の塗
布で第１図のように稜部１０においても十分な厚さの保
護ＪｌＩ５が形成された。従来の不揮発固形分濃度５〜
２５％の前駆体を用いたときは平面上でも２０〜３０−
の厚さより得られない、しかし不揮発固形分濃度が８０
％を超えると塗布が困難になる。 第３図はリード型ダイオードにおける実施例を示し、図
（ａｌに示すように両面にリード線２がはんだ４により
接続された半導体片ｌの側面に、不揮発固形分濃度２５
〜８０％のポリイミド系前駆体の塗布、硬化によって形
成された十分な厚さの保護層５によって覆われている０
図（ｂ）、 （Ｃ）、 （ｄ＞はそれぞれ素子片の断面
が正方形１円形、六角形の場合の図ｉａ）におけるＡ−
Ａ線断面図で、断面正方形１六角形のように縦積１１が
存在する場合も十分な厚さの保護層５によって稜部が覆
われることを示す。
本発明は、従来薄く均一な保護層を形成する目的で使用
していたポリイミド系前駆体より不揮発固形分１度を高
めたポリイミド系前駆体を用いることにより厚い保護層
を形成するもので、半導体片の稜部においても十分な厚
さの保護層により被覆することができ、接合露出面上に
電気絶縁性、。 パッシベーシッン性の良好な保護層を有する半導体素子
を得ることができる。特に半導体片が方形断面の半導体
片のようにとがったかど部を有する半導体素子の場合に
極めて高い効果を発揮する。
していたポリイミド系前駆体より不揮発固形分１度を高
めたポリイミド系前駆体を用いることにより厚い保護層
を形成するもので、半導体片の稜部においても十分な厚
さの保護層により被覆することができ、接合露出面上に
電気絶縁性、。 パッシベーシッン性の良好な保護層を有する半導体素子
を得ることができる。特に半導体片が方形断面の半導体
片のようにとがったかど部を有する半導体素子の場合に
極めて高い効果を発揮する。
第１図は本発明の一実施例による半導体素子の要部断面
図、第２図は従来の方法による半導体素子の要部断面図
、第３図は本発明の別の実施例によるリード型ダイオー
ドの要部断面図である。 １＋、−１（ｊ ’ｉ、−′帆 第２図 第３図
図、第２図は従来の方法による半導体素子の要部断面図
、第３図は本発明の別の実施例によるリード型ダイオー
ドの要部断面図である。 １＋、−１（ｊ ’ｉ、−′帆 第２図 第３図
Claims (1)
- １）半導体片表面に不揮発固形分濃度２５〜８０％のポ
リイミド系前駆体を塗布し硬化して保護層を形成するこ
とを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2479686A JPS62183127A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2479686A JPS62183127A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183127A true JPS62183127A (ja) | 1987-08-11 |
Family
ID=12148150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2479686A Pending JPS62183127A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183127A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5847227A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | Akihito Azetsu | 光センサ |
| JPS60120723A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 電子装置 |
| JPS6142142A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-28 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子表面への皮膜形成方法 |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP2479686A patent/JPS62183127A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5847227A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | Akihito Azetsu | 光センサ |
| JPS60120723A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 電子装置 |
| JPS6142142A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-28 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子表面への皮膜形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950001997A (ko) | 반도체 구조물 형성방법, 다중-칩 집적회로 구조물 형성방법, 집적회로 칩을 워크피스에 접착하는 방법, 집적 전기 구조물 및 입방체 구조물 | |
| JPS62145758A (ja) | パラジウムを用いる銅製ボンデイングパツドの酸化防止法 | |
| JPS6156608B2 (ja) | ||
| JPS62183127A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS63262860A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| GB2105107B (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
| JPS6046824B2 (ja) | 半導体装置における電極配線の形成法 | |
| JPS5513904A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| JPS58135645A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6020956Y2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH0691126B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11150215A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS617638A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS55111163A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPS59167059A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5814746B2 (ja) | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ | |
| JP2739703B2 (ja) | 等倍光センサ | |
| JP2737962B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04171835A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH01169954A (ja) | モールド構造 | |
| JPS5939053A (ja) | ハイブリツトｉｃ | |
| JPH08306744A (ja) | 電子部品 | |
| JPS6170728A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6129144A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6035542U (ja) | 半導体装置 |