JPS6142142A - 半導体素子表面への皮膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体素子のＰ−Ｎ接合部の露出面の如き素
子表面ならびに、好ましくはこれを含む近傍にメリイミ
ド絶縁皮膜を形成する方法に関する。

従来、半導体素子のＰ−Ｎ接合部のシャンクシ、ン保護
膜あるいは半導体素子表面のバッジベージ胃ン膜等とし
て耐湿性と密着性に優れるポリイミドシリコーンすなわ
ちシロキサン変性ぎリイミドが用いられてきた。ところ
が高圧大電流の半導体素子とくに高圧ダイオードには、
角形チップ形状の半導体素子からなるダイオードがあり
、このＰ−Ｎ接合部のジャンクシ舊ン保護膜として従来
のシロキサン変性ポリアミド酸の溶液から加熱・硬化し
て得られるポリイミド膜では、角形チップ上しない欠点
があった。第１図には、通常用いられている火種円筒状
のメサ型半導体素子から成るシリコンダイオードを示し
た。Ｎ型領域３ａとＰ種領域３ｂがＰ−Ｎ接合面５を介
してなる半導体素子４がリード１ｌｌａ、ｌｂにハンダ
で接着され、これらがエポキシ樹脂等のモールド材２で
封止されている。半導体素子４０表面は、リード線の一
部を含んでポリイミドＭ６で被覆されている。ところが
第２図の様に半導体素子４が角形チップの場合、四隅の
エツジ部分では、ポリイミド膜６は非常に薄くなり、こ
れがために、放電し、逆方向の漏れ電流が著しく増大す
る場合があった。これは、ポリイミド膜形成用の塗布溶
液であるシロキサン変性ポリアミド酸のポリイミド形成
々分濃度である固形分濃度が低い事に原因があった。一
般にポリイミド絶縁皮膜を形成するに用いられる塗布溶
液は不活性溶剤中にポリアミド酸もしくはその誘導体が
溶解しており、この重合体は高分子量のため、実使用上
溶解できる重合体濃度は一般に５〜３０重量傳であり、
さらに、上記ダイオード等へ塗布する場合にはハケ塗り
、ディスペンス法などの塗布作業性を良するため、さら
に溶剤で希釈したりして、溶液粘度を通常は５０〜１３
００ＰＳに低下するが、この粘度での重合体濃度は、通
常２〜２０重量弧にも低下し、このため、角形チップの
エツジの部分は極めて肉薄であった。そこでエッヂカバ
ー性を向上するため複数回塗布によりエッチの部分に肉
付けする方法が試みられているが、この方法では工程の
増加となり、作業性低下の欠点となっていた。少くとも
一回の塗布でエツジカバーの優れる塗布溶液とするには
、固形分濃度を高めた高濃度溶液であることが必要で、
さらに半導体素子のリード線への接着部分の段差が１０
０Ｐ似上あり、最大皮膜厚みが１００声隅以上でも透明
強靭な皮膜が形成できることも必要であった。

第４図には、個別半導体である高圧トランジスタの一実
施例の横断面図を示す。放熱板の付いた銀メッキ鋼フレ
ーム８の上にパワートランジスタ素子１１が固定され、
アルミニウムワイヤ９でリードフレームとボンディング
されており、この素子表面上に従来のポリアミド酸もし
くはその誘導体から形成されたキリイミド保護膜１２が
設けられ、これらはエポキシ樹脂等のモールド材１０で
封止されている。このポリイミド保護膜は、主に半導体
の耐湿性向上の目的で使用され、通常５〜２０声隅程度
の膜厚で充分な特性が発揮されるが、しかし、アルミニ
ウムワイヤ９のボンディング部（素子表面上）では塗布
溶液の表面張力のため１００／ＩＬＬＳ以上の肉厚とな
る場合が多々あり、この肉厚部でポリイミド膜が透明皮
膜とならず粉化する場合があった。粉化したポリイミド
膜では、絶縁耐電圧が著しく低下し、リーク電流の増加
、耐圧低１の原因となっていた。また３００声ｍ以上の
厚みのある半導体素子の側面でも同様の問題があった。

本発明者らは、上記事情に鑑み、作業性を低下させるこ
となく一回の塗布で１００声ｍ以上のポリイミド絶縁皮
膜を形成させんと鋭意検討した結果本発明に到達したも
のである。すなわち本発明は、半導体素子表面にポリイ
ミド形成用塗布溶液を塗工し、加熱硬化させることによ
りぎリイミド皮膜形成させる方法において、該塗布溶液
が、（ａ）次の（ただし、Ｒ，、Ｒ，は水素または炭素
数が１〜４のアルキル基またはＣＦ３を示し、互いに同
じであっても異っていてもよい。Ｒ３，Ｒ４，Ｒ，、Ｒ
，は水素またはハロゲンまたは炭素数１〜４のアルキル
基であり、互いに同じであっても興っていてもよい。）
で示される４核体ジアミン９９〜８０モル％と次の一般
式（２） （ただし１Ｒ７は二価の有機基％　Ｒ８は一価の有機基
を示し、ｎは１〜１０００の整数である）で示されるジ
アミノシロキサン１〜２０モル％よりなるジアミン成分
と（ｂ）芳香族テトラカルボン酸エステルを、略等モル
の割合で不活性溶剤中に溶解してなる溶液であることを
特徴とする半導体素子表面への皮膜形成方法に関するも
のである。

つまり本発明では、半導体素子表面への接着力向上のた
め一般式（１）で示される４核体ジアミンと一般式（２
）で示されるジアミノシロキサンとの併用を行なうのが
、これらのジアミンと樋香族テトラカルボン酸エステル
とを不活性溶剤Φ、に溶解し、マーの程度での溶解にと
どめ、ポリイミド絶縁皮膜形成成分である固形分濃度を
着るしく向上させ、高濃度化を計ったものである。

芳香族テトラカルボン酸二無水物は不活性溶剤に溶解し
ないか、溶解したとしても、得られる塗布溶度の保存中
にジアミンと反応し、ポリアミド酸となるため、本発明
では芳香族テトラカルボン酸エステルを用いる。本発明
においては塗布溶液の濃度向上を行なうことで塗布後、
加熱することによち生成するポリイミド膜の厚膜形成が
可能となったのである。

本発明に於て半導体素子表面とは通常はＰＮ接合部の露
出面を意味するが、該露出面にガラスパシベーション膜
等が形成されている場合も含む。

また本発明に於て半導体素子表面に塗布溶液を塗工する
場合、一般的には、凛子表面の近傍にも塗工される。本
発明に於ては、必須成分として一般式（１）で示される
４核体ジアミンを用いる。この４核体ジアミンを具体的
に例示すれば好適には２・２−ビス（４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパンであるが、その他２・
２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕プロパン、２・２−ビス〔３−クロロ−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１°１
−ビスＬ４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタ
ン、１・１−ビス（３−メチル−４−（４−７ミノフエ
ノキシ）フェニル）メタン、１・１−ビス〔３−メチル
−４−（４−アミノフェノキシ）７エこル〕メタン、１
・１−ビス（３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ
）フェニル〕エタン、１・１−ビス〔３・５−ジメチル
−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）エタン、ビ
ス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、
ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニルコメタン、ビス（３−クロロ−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕エタン、ビス（３・５−ジメチル
−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル】メタンなど
が挙げられる。

一方従来のジアミンも厚膜成形性を低下させない範囲、
通常上記４核体ジアミン使用量に対して３０モル％まで
置き換え可能であるが、それ以上の使用は厚膜成形性を
低下するので好ましくない。この様な従来のジアミンを
敢えて列挙すればメタフェニレンジアミン、パラフェニ
レンジアミンなどの１核体ジアミン、４・４−ジアミノ
ジフェニルメタン、４・４−ジアミノジフェニルエーテ
ル、２・２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、３
・３−ジアミノジフェニルスルホン、４・４−ジアミノ
ジフェニルスルホン、４・４−ジアミノジフェニルスル
フィド、ベンジジン、ベンジジン−３・３−ジスルホン
酸、ベンジジン−３−モノスルホン酸、ベンジジン−３
−モノカルボン酸、３・３−ジメトキシベンジジンなど
の２核体ジアミン、４・４″−ジアミノ−Ｐ−ターフェ
ニル、ｌ・４−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ベンゼン
、１−４−ビス（Ｐ−アミノフェノキシ）ベンゼン、１
・４−ビス（ｍ−アミノスルホニル）ベンセン、１＠４
−ヒス（ｐ−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン、ｌ
・４−ビス（ｍ−アミノフェニルチオエーテル）ベンゼ
ン、１・４−ビス（ｐ−アミノフェニルチオエーテル）
ベンセンなどの３１体ジアミン、４・４′−ジアミノジ
フェニルエーテル−３−カルボンアミド、３・４′−ジ
アミノジ７二二ルエーテルー４−カルボンアミド、３・
４′−ジアミノジフェニルエーテル−３′−カルボンア
ミド、３・３−ジアミジフェニルエーテルー古ルボンア
ミドなどのジアミノカルボンアミド化合物、４・４’−
（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４・４
’−（３−アミノフェノキシ）シフエキシ）ピフェニル
などの一般式（１）に含まれない４核体ジアミンなどの
芳香族ジアミンや、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメ
チレンジアミンなどの脂肪族ジアミン、１・４−ジアミ
ノシクロヘキサン、イソホーンジアミン、４・４′−ジ
アミノジシクロヘキシルメタンなどの脂環族ジアミンな
どが挙げられる。

本発明ではぎリイミド膜と半導体素子との密着性が必要
なため、密着性向上剤として一般式（２）で示されるジ
アミノシロキサンを併用する。ジアジ、ソ成分中に使用
する前記ジアミノシロキサンの割合は１〜２０モル％で
あるが好ましくは１〜斗モル％である、 ジアミノシロキサンを２０モル％以上用いると耐熱性お
よび耐湿性を低下させるし、１モル％以下の使用では半
導体素子に対する着層性に劣るようになる。

本発明で用いられる前記一般式〇）で示されるジアミノ
シロキサンの代表例につき例示すれば以下の如くである
。

ＣＨＣＨ３ しＭ３　　　　　　３ 本発明で用いる芳香族テトラカルボン酸エステルは、通
常、分子量２００〜７００程度のものを用いることがで
き、芳香族テトラカルボン酸二無水物とフル：ｌ−ル（
通常はＣ数４以下の一価アルコール）とを反応させて得
ることができる。エステル化ヲ行なうアルコールとして
は、メタノール、エタノール、ｎ−プロパツール、８ｅ
ｅ−プロパツール、ｎ−ブタノール、５ｅｃ−ブタノー
ル、ｔｅγを一ブタノールなどのアルコールが良く、好
ましくはメタノール、エタノール、ｎ−プロパツール、
８ｅｅ−ブタノールである。さらに好ましくはメタノー
ル、エタノールである。エステル化は芳香族テトラカル
ボン酸二無水物に対して過剰量のアルコールを反応容器
に加え、アルコールの沸点で加熱し還流を行ない、無水
物基１ケに対してアルコールを少くとも１ヶ反応させた
芳香族テトラヵルボン酸ジエステル以上の多エステルと
し、反応終了後は、過剰のアルコールを留去することＫ
より得ることができる。エステル化に用いる芳香族テト
ラカルボン酸二無水物は、一般的に分子量２００〜５０
０程度のものが用いられ、その具体例について例示する
と以下の如くである。すなわちピロメリット陵二無水物
、３・３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物、３・３′・４・４′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、２・３・３′・４′−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、２１３・６・７−す７タレン
テトラカルボン酸二無水物、１・２・５・６−す７タレ
ンテトラカルボン酸二無水物、１・４・５・８−す７タ
レンテトラカルボン酸二無水物、２・２′−ビス（３・
４−ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、ビス（
３・４−ジカルボキシフェニル）スルホンニ＾、３・４
・９・１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス
（３・４−ジカルボキシ７エ二ル）エーテルニ無水物、
２・２’（２・３ジカルボキシフエニル）プロパンニ無
水物、１・１′−ビス（２・３−ジカルボキシフェニル
）エタンニ無水物、ベンゼン−１・２・３・４−テトラ
カルボン酸二無水物、２・３・６・７−アントラセンテ
トラカルボン酸二無水物、１・２・７・８−７エナント
レンテトラカルボン酸二無水物、などがある。この発明
に特に好適な芳香族テトラカルボン酸エステルは、３・
３・４・４−ビフェニルテトラカルボン酸ジメチルエス
テルおよび３・３′・４４−ビフェニルテトラカルボン
醗ジエチルエステルである。この好適なジエステルは、
通常は酸無水物基を有しないジエステルである。この芳
香族テトラカルボン酸エステルを用いた場合、最も厚膜
のポリイミド膜が形成でき、°シかも、形成したポリ達
ミドは、ポリアミド酸を経由して得られる同一構造のポ
リイミドと同等の特性が得られる。

もちろん、他の二無水物エステルを使用する場合でも厚
膜形成ができるが加熱方法をより緩和して行なう等の手
段をとるのが好ましい。

本発明では、上記４核体ジアミン９９〜２０モル％およ
びジアミノシロキサン１〜２０モ／ｌ／％よりなるジア
ミン成分と芳香族テトラカルボン酸エステルを略等モル
不活性溶剤中に室温で、もしくは７０℃以下で溶解する
。加熱下で溶解させたときには、脱アルコールによりイ
ミド化が進行するが、本発明に於ては分子量２，０００
程度までにとどめるのが好ましい。溶液中のポリイミド
形成々分濃度である固形分濃度は、使用する用途によっ
て種々変わり得るが、目安としては塗布溶液の溶液粘度
を１００ＣＰｇ　　センチポイズ（２５±０．１　”０
時）にａｌｌ！ＩＩしたときの固形分濃度が４０重Ｊｌ
ｉ％以上とするのが好ましい。本発明で用いる不活性溶
剤としてはたとえばＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎｏ
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−マージメチルアセトア
ミド、Ｎ−ｄ−ジメチルスルホキシ乙ヘキサメチルホス
ホルアミドなどの高極性塩基性溶剤が用いられる。もち
ろん、上記４核体ジアミン旭ジアミノシロキサンおよび
芳香族テトラカルボン設工ステルからの低分子オリゴマ
ーを溶解でき易溶剤たとえばアセトフェノン、ジオキサ
ン、フルフラール等の溶剤を使用できるのは言うまでも
無い。またこれらの溶剤とともにトルエン、キシレン、
ベンゾニトリル、ベンゼン、フェノールの如き汎用溶剤
を併用できるが、しかしその使用量は低分子オリゴマー
の溶解度を低下させない範囲にすべきである。

本発明で用いるポリイミド形成用の塗布溶液は、これを
半導体素子表面に塗布後、段階乾燥（例えば１５０″Ｃ
で６０分、続いて２００℃で３０分、さらに２５０℃で
６時間）を行なうのが好ましいが、この過程で４核体ジ
アミンとジアミノシロキサンと、芳香族テトラカルボン
酸エステルが脱アルコールにより縮重合し、高分子量ポ
リイミドへ変化するから、従来のポリアミド酸もしくは
その誘導体、の溶液を塗布溶液として用いる必要性が無
い。

本発明によれば、−回の塗布で半導体素子上に１００メ
ｍ以上の透明ポリイミド絶縁膜が形成できるので、ダイ
オード、トランジスタの保護膜以外にもサイクリスタ、
さらにはＩＣ，ＬＳＩなどの集積回路の厚膜が必要とさ
れる保護膜として有用である。特にＶＬＳＩのメモリー
セルのα線シールド膜は、通常２０〜７０声ｍの膜厚が
必要であるが、この厚み出しのため、ポリアミド酸もし
くはその誘導体から成る塗布溶液を多量にスピンナー法
やボッティング方法で塗布していたが、ポリイミド膜が
粉化しないように塗布量のコントロール、そして塗布精
度の管理等、複雑な工程が必要であったが、本発明によ
れば塗布量の低減と塗布作業の簡易化が計れる。

て測定した。

α）溶液粘度 Ｅ型回転粘度計で、２５±０．１℃で測定した。

（２）固形分濃度 ここにＷｏ：　　シャーレの重量（９）Ｗ２：　　試料
とシャーレの重量（９）Ｗ３：１５０″Ｃで６０分さら
に２００℃で６０分乾燥した後の試料とシャ ーしの重量（ｇ） 実施例１ 攪拌装置、冷却管、および温度計を付したフラスコ中に
、３・３・４・４−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物２９．４ｇ（０，１モル）とメタ／−ル１６０ｇ（５
モル）を加え、６４〜６５℃で６時間反応系が透明とな
るまで加熱還流した。その後過剰のメタノールを留去し
、さらに減圧下でメタノール残分を完全に留去した。得
られたエステル化物は酸価が３１１であり、ＬＲスペク
トルから３・３・４・４−ビフェニルテトラカルボン酸
ジメチルエステルであることを確認した。

上記操作で得られた３・３′・４・４−ビフェニルテト
ラカルボン酸ジメチルエステル３４．８　ｇ（０，１モ
ル）と２・２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン３９．５７ｇ（０，０９６５モル）と
ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン
０．８７ｇ（０，００３５モル）とをＮ−メチル−２−
ピロリドン６９．８９中に加え、４０″Ｃで２時間攪拌
し、透明溶液とした。得られた溶液の固形分濃度は、５
０．０重量％であり、溶液粘度は１０２０ＰＳであった
。

実施例２ 実施例１と同様なる反応容器に３・３・４・４−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物２９．４ｇ（０１モル）
とｎ−プロパツール３００ｇ（５モル）を加え、９７℃
で４時間反応系が透明となるまで加熱・還流し、その後
過剰のｎ−プロパツールを完全ニ留去し、３・３′・４
・４−ビフェニルテトラカルボン酸ジｎ−プロピルエス
テルを合成した。得られた３・３・４・４−ビフェニル
テトラカルボン酸ジｎ−プロピルエステル４１．４　に
、２φ２−ビス（４−（４，−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン３８．９５ｇ（０，０９５モル）とビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．
２４ｇ（０，００５モル）、さらにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン９６．１９を加え、６０℃で２時間攪拌し、完
全に溶解し、固形分濃度４１．５重１％、溶液粘度１０
０ＣＰＳのポリイミド形成用塗布溶液を作製した。

実施例３ 実施例１で使用した３・３′・４−４′−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物の代わりに、３・３・４・４′
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を同モル使
用して以下同様にして固形分濃度４２．０重量％、溶液
粘度１０１　ＣＰＳのこの発明のポリイミド形成用塗布
溶液を作製した。

実施例４ 実施例１で使用した２・２−ビス（４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕プロパ：／４１Ｄｇ（０１モル）
の代わりに、２・２−ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕プロパン３３．６２ｇ（０，０８２モル
）とビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキ
サン４．４７ｇ（０，０１ｓモル）を使用して以下同様
にして固形分濃度５０．０％、溶液粘度９３０ＰＳのこ
の発明のポリイミド形成用塗布溶液を作製した。

比較例１ 実施例１と同様の反応容器に、３・３・４・４′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４ｇ（０，１モ
ル）と２・２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン３９．５７ｇ（０，０９６５モル）と
ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン
０．８７　ｇ（０，００３５モル）ざらにＮ−メチル−
２−ピロリドン２７９．４ｇを加え、−３０℃以下（特
に室温付近ないしそれに近い温度）に保ちながら攪拌し
た。これによって重合反応はすみやかに進行し、反応系
の粘度が上昇し、固形分濃度１９．９重量％、溶液粘度
が２０００００００ＰＳ以上のポリアミド酸溶液を作っ
た。次にこれを６０℃に保ち、加熱・熟成を行ない溶液
粘度を３０００ＣＰＳまで低下させ、引続きＮ−メチル
−２−ピロリドンで溶液粘度が１０５０ＰＳになるよう
に今釈した。このポリアミド酸溶液の固形分濃度は、１
０．５重量％であった。

比較例２ 実施例１と同様の反応容器に、実施例１で得られた３・
３′°４・４−ビフェニルテトラカルボン酸ジメチルエ
ステル３５．８ｇ（０，１モル）と、４・４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル１９．３　ｇ（０，０９６５モル
）と、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロ
キサン０．８７ｇ（０，００３５モル）とをＮ−メチル
−２−ピロリドン４９．６ｇ中に加え、４０℃で２時間
攪拌して固形分濃度４９．３重量％、溶液粘度１１０Ｃ
ＰＳのポリイミド形成用塗布溶液を作製した。上記実施
例１〜４、比較例１〜２により得られた塗布溶液を、該
溶液を構成する溶媒にて順次希釈し、所定濃度に於ける
粘度（２５℃±１℃にて測定）グラフ化した結果を第６
図に示す。

次に実施例１〜４、比較例１〜２で得られた溶液を角形
チップ形状を有する高圧シリコンダイオードのＰ−Ｎ接
合面゛上に、リードフレームの一部を含んではけ塗りで
塗布し、乾燥・硬化後エポキシ樹脂モールド材で封止し
て半導体装置とした。

第１表には、その乾燥・硬化条件、初期特性（順方向電
圧、良品率、逆方向耐電圧良品率・・・・・・・・・試
料１００ケ中の良品数で示す）および１２１℃・２ａｔ
ｒｎのスチーム・プレッシャー・クツカー試験（ＰＣＴ
と略す）後の逆方向漏れ電流良品率を調べた結果を示す
。嘱陶−急＠ｍ１ｌｌ−閤−日−−曹１−〜 支環でき、このため、エッチでの放電を防止でき、初期
良品率が向上できる。また第５図に示すように本実施例
で得た溶液を高圧トランジスタの絶縁皮膜として適用し
た場合にも、同様の効果が認められた。また上記実施例
１〜４、比較例１〜２により得られた塗布溶液を、該溶
液を構成する溶媒にて順次希釈し所定濃度に於ける粘度
（２５℃±ｌ″ＣＫで測定）を測定しグラフ化した結果
を第６図に示す。

【図面の簡単な説明】 第１図Ａ１−第２図Ａおよび第４図は従来技術の半導体
装置の一例を説明するための説明図であり縦断面図とし
て示されている。第３図および第５図は本発明の方法を
用いて得られた半導体装置の実例を説明するための説明
図であり縦断面図として示されている。 第１図Ｂ１第２図Ｂおよび第３図Ｂは、第１図Ａ１第２
図Ａ１第３図Ａにおいて各々ｘ−ｘ’線、ｙ−ｆｍ、Ｚ
−２’線に沿って切断し矢印方向よりみた横断面図であ
る。 第６図は本発明の塗布溶液の固形分濃度と溶液粘度との
関係を示すグラフである。 ４・・・半導体素子、１ａｓｌｂ−リード線、６・・・
ポリイミ　ド膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体素子表面にポリイミド形成用塗布溶液を塗
   工し、加熱硬化させることによりポリイミド皮膜を形成
   させる方法において、該塗布溶液が、（ａ）次の一般式
   （１） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・（１） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２は水素または炭素数が１〜４
   のアルキル基またはＣＦ＿３を示し、互いに同じであっ
   ても異っていてもよい。Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿
   ６は水素またはハロゲンまたは炭素数１〜４のアルキル
   基であり、互いに同じであっても異っていてもよい。）
   で示される４核体ジアミン９９〜８０モル％と次の一般
   式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（２） （ただし、Ｒ＿７は二価の有機基、Ｒ＿８は一価の有機
   基を示し、ｎは１〜１０００の整数である） で示されるジアミノシロキサン１〜２０モル％よりなる
   ジアミン成分と、（ｂ）芳香族テトラカルボン酸エステ
   ルを、略等モルの割合で不活性溶剤中に溶解してなる溶
   液であることを特徴とする半導体素子表面への皮膜形成
   方法。
2. （２）芳香族テトラカルボン酸エステルが３・３′・４
   ・４′−ビフェニルテトラカルボン酸エステルである特
   許請求の範囲第１項記載の皮膜形成方法。
3. （３）ポリイミド形成用塗布溶液の固形分濃度が、溶液
   粘度１００ＣＰＳ（２５±０．１℃）としたとき、４０
   重量％以上である特許請求の範囲第１項又は第２項記載
   の皮膜形成方法。