JP2739703B2 - 等倍光センサ - Google Patents

等倍光センサ

Info

Publication number
JP2739703B2
JP2739703B2 JP1303567A JP30356789A JP2739703B2 JP 2739703 B2 JP2739703 B2 JP 2739703B2 JP 1303567 A JP1303567 A JP 1303567A JP 30356789 A JP30356789 A JP 30356789A JP 2739703 B2 JP2739703 B2 JP 2739703B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical sensor
adhesive
layer
protective film
hydroxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1303567A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03163855A (ja
Inventor
耀一郎 宮口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP1303567A priority Critical patent/JP2739703B2/ja
Publication of JPH03163855A publication Critical patent/JPH03163855A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2739703B2 publication Critical patent/JP2739703B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔従来技術〕 ICの封止用などのために使用される樹脂組成物中のイ
オン不純物がICの特性、信頼性、耐湿性に悪影響をおよ
ぼすことはよく知られている。
とりわけ、Clのようなハロゲン元素は、これらの元素
が、特に高温高湿度雰囲気で水と反応し、イオン化する
が、電子ディバイスはバイアス電圧が印加されており、
これ等陰イオンは陽電極配線に、また陽イオンは陰電極
配線にイオン泳動を起こし、配線材料と反応を起こして
電蝕が発生する。
電極材料は一般にはAlを使用しているので次の様な反
応が進み腐蝕が発生する。
電極Al配線 Al+3Cl-→AlCl3+3e AlCl3+2H2O→Al(OH)2Cl+2HCl Al(OH)2Cl→AlO(OH)+HCl ここで発生したHClはさらに腐蝕を促進する(これを
塩素の自触媒効果と称している)。
電極Al配線 Al(e)+Na+→Al+Na 2Na+2H2O→2NaOH+H2↑ Al+3NaOH→Al(OH)+3Na+ (Naはハロゲンの対イオンとして不純物混入したもの、
また陽イオンは触媒中に含有しているもの、ここではNa
+について示した。陽イオンは分子量を大きくすること
で泳動拡散を防止する)。
したがって、電子ディバイス用、有機材料として、低
含有ハロゲン元素の開発が試みられており、封止接着剤
として、ポリイミド系では1〜0.5ppm以下の全ハロゲン
元素、またエポキシ系封止接着剤においては、ビスフェ
ノール(A型、F型)系を含むものは10ppm以下の全ハ
ロゲン元素含有のもの、あるいは脂環式エポキシ系で
は、0.5ppm以下で、含有量の定量が困難なものなども開
発されている。
しかしながら、このような高純度のものは高価である
ばかりでなく、これらの硬化剤(触媒)も特別の高純度
が要求される。
しかし、通常の硬化剤を所定量(1〜5%程度)使用
したのでは、全ハロゲン含有量が10〜300ppmになってし
まう。
したがって、ハロゲンがある程度まで存在していても
電蝕がおきないようにすることができれば、大へん喜ば
しいことである。
等倍センサにおいては、保護膜(有機、無機材料)で
表面保護されているが、この保護膜の無い場合は電蝕が
速かに発生し、機能信頼性が悪い。また保護膜がある場
合も電蝕の進行は保護膜のイオン透過性と水の透湿性に
依存するが長期信頼性の確保が困難である。さらに保護
膜はディバイスの活性層(半導体)、配線パターンのた
めに段差があるためステップカバーが悪く、段差部で、
ひどい場合は断線し、ステップカバー不足、ボイド、ク
ラックの発生等があり部分的に水分、イオン種が通過し
易い所が発生する。特に大面積ディバイスで、膜厚分布
や、ステップカバームラが発生し易いので、配線パター
ンのジャンピング部分のステップ部から電蝕が発生す
る。
〔目的〕
そこで本発明は、これらハロゲン元素が存在していて
も電蝕の進行を抑制することを目的とするものである。
〔構成〕
本発明の1つは、光センサ部、保護膜、接着剤層およ
び表面保護層よりなる等倍光センサにおいて、前記接着
剤層中にCa,Ba,Mg,Be,Srよりなる群から選らばれた元素
の酸化物または水酸化物を含有させたことを特徴とする
等倍光センサに関する。
本発明の他の1つは、光センサ部、保護膜、接着剤層
および表面保護層よりなる等倍光センサにおいて、前記
保護膜と接着剤層の中間に、Ca,Ba,Mg,Be,Srよりなる群
から選らばれた元素の酸化物または水酸化物の層を設け
たことを特徴とする等倍光センサに関する。
本発明においては、前述の酸化物または水酸化物がハ
ロゲン元素を捕捉固定するので、ディバイスへの泳動拡
散を止め、電蝕を防止する。
上記2価元素の酸化物および水酸化物は常温程度での
移動は、無視されるので、ハロゲン元素を捕捉したこれ
ら元素はほぼその場合に固定される。
またハロゲン元素として一般的なものはCl,F,Brであ
るが、Clは接着剤そのものの製造過程中に、F,Brは硬化
反応開始剤に含まれる場合が多いが、ClはBa,MgまたはB
eの酸化物や水酸化物が特に捕捉効果が大きく、FやBr
は、CaまたはBaの酸化物や水酸化物が特にその効果が大
きい。接着剤中に配合するCa,Ba,Mg,Be,Sr等の元素の酸
化物または水酸化物の使用量は、水酸化物の形で計算し
て0.01wt%以上であればよく、0.01〜1wt%、好ましく
は0.05〜0.5wt%である。
使用できる接着剤としてはアクリル系、酢酸ビニル
系、エポキシ系、ポリイミド系、ポリアミド系、ポリエ
ステル系、塩化ビニル系、ニトリル系等種々のものがあ
る。
接着剤の中には、反応開始剤にもよるが、上記元素の
水酸化物、または酸化物が混在することで、接着剤の硬
化阻害を起こす場合がある。
このような場合には、等倍センサの保護膜上にCa,Ba,
Mg,Be,Srの酸化物あるいは水酸化物を成膜し、ハロゲン
元素の捕捉固定化を計ることができる。
成膜方法は、上記元素を含むゾル、ゲルの状態のも
の、アルコール溶媒に分散したものをスピナー塗布し、
加熱処理することで得られるが、ゾル、ゲル状のものを
使用することが好ましい。粒子状の分散体として使用す
る場合の粒子は粒径20μm以下、好ましくは1〜10μm
のものがよい。このようにして得られた焼結酸化物の層
は0.1〜0.5μm程度の膜厚で十分その効果を発揮する。
またイオンビーム、スパッタ等の蒸着法でも可能であ
って、その密着力は充分である。
前記保護膜としては、SiO2,SiN,SiON等が用いられ
る。
〔実施例〕
実施例1 第1図に示すような等倍光センサを後記の組成の従来
タイプ接着剤と本発明接着剤とをそれぞれ接着剤層5と
して使用することにより作成した。
1は石英ガラスのような透明基板、2は電極、3は活
性層、4は保護層、5は接着剤層、6は表面保護層とし
ての薄板ガラス、7は光電変換素子、8はゲート電極で
ある。
従来タイプ接着剤の組成 脂環式エポキシ樹脂 40wt% ビスフェノールエポキシ樹脂 57wt% 反応開始剤 3wt% 本発明の接着剤の組成 前記従来タイプ接着剤 100重量部 Ba(OH) 0.5重量部 それぞれの接着剤を用いて作った第1図のディバイス
を85℃、85%RH下、バイアス電圧をかけた状態における
光応答の状況が時間の経過によりどのように変化するか
を調べた結果が第2図のグラフである。黒点個所は、特
性機能はまだ劣化していないが、顕微鏡下では電蝕が発
生した時点を示す。
実施例2 実施例1の保護層4と接着剤層5の間にBa(OH)
ゲル状物を塗布し、これを焼結して膜厚0.5μmの層と
した。接着剤は実施例1の従来型のものを使用した。そ
の結果実施例1とほぼ同様の結果が得られた。
〔効果〕
(1) 電子ディバイス用、封止接着剤は如何にハロゲ
ン元素を除くかが一つの開発目標であるが、本発明は、
ハロゲン元素を絶無に精製しなくても、ハロゲン元素の
捕捉固定化ができるので安価に、また、多方面(封止、
ポッティング剤、接着剤)に応用できる。
またCa,Ba,Mg,Be,Srの酸化物、水酸化物は可視部では
充分な光透過率(80〜90%up)をもっているので光ディ
バイスにも使用できる。
(2) 等倍センサは大面積ディバイスであることか
ら、絶縁膜の充分なステップカバーが困難であり、どう
してもボイドやクラックの発生が伴い、配線のテーパー
部やパターンのジャンピング部に電蝕が起こるのが通例
であるがハロゲン元素の捕捉固定化により、長期信頼性
が確保できた。
(3) Ba等の酸化物や水酸化物が接着剤の硬化阻害お
よび接着阻害を起こす場合も単独にBa等の酸化物や水酸
化物の層を絶縁層上に成膜してハロゲン元素に対する防
護層とすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例に用いた等倍光センサの断面
図、第2図は、実施例の等倍光センサの高温高湿試験結
果を示すグラフである。 1……透明基板、2……電極 3……活性層、4……保護層 5……接着剤層、6……薄板ガラス 7……光電変換素子、8……ゲート電極

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光センサ部、保護膜、接着剤層および表面
    保護層よりなる等倍光センサにおいて、前記接着剤層中
    にCa,Ba,Mg,Be,Srよりなる群から選らばれた元素の酸化
    物または水酸化物を含有させたことを特徴とする等倍光
    センサ。
  2. 【請求項2】光センサ部、保護膜、接着剤層および表面
    保護層よりなる等倍光センサにおいて、前記保護膜と接
    着剤層の中間に、Ca,Ba,Mg,Be,Srよりなる群から選らば
    れた元素の酸化物または水酸化物の層を設けたことを特
    徴とする等倍光センサ。
JP1303567A 1989-11-22 1989-11-22 等倍光センサ Expired - Fee Related JP2739703B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1303567A JP2739703B2 (ja) 1989-11-22 1989-11-22 等倍光センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1303567A JP2739703B2 (ja) 1989-11-22 1989-11-22 等倍光センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03163855A JPH03163855A (ja) 1991-07-15
JP2739703B2 true JP2739703B2 (ja) 1998-04-15

Family

ID=17922562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1303567A Expired - Fee Related JP2739703B2 (ja) 1989-11-22 1989-11-22 等倍光センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2739703B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03163855A (ja) 1991-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4472730A (en) Semiconductor device having an improved moisture resistance
JPS5850417B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2009085952A (ja) 1200℃膜抵抗体
JP2613128B2 (ja) 半導体装置
JPS628035B2 (ja)
Ripka et al. Electrochemical Migration in Thick‐Film IC‐S
US4280885A (en) Method of and apparatus for active electro-chemical water and similar environmental contaminant elimination in semi-conductor and other electronic and electrical devices and the like
JP2739703B2 (ja) 等倍光センサ
US3639975A (en) Glass encapsulated semiconductor device fabrication process
US6479402B1 (en) Method to improve adhesion of molding compound by providing an oxygen rich film over the top surface of a passivation layer
US20200211861A1 (en) Die bonding process for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby
JPS5932895B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0546978B2 (ja)
JPS6131419B2 (ja)
KR102504353B1 (ko) 실리카 박막의 코팅 방법 및 이의 용도
JP2792041B2 (ja) イメージセンサ
JPH0198273A (ja) 発光ダイオードの処理方法
JP4208167B2 (ja) ガスセンサの製造法
JPS613476A (ja) 非晶質シリコン光センサ−
JPS6325972A (ja) 半導体装置
JPH07142533A (ja) 半導体装置
JPS5882534A (ja) 半導体装置
JPH01238162A (ja) 半導体装置
JPS62198130A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04364060A (ja) 高耐食性樹脂封止ic素子

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees